DE102016103587B4 - Halbleitervorrichtung mit Hilfselektrodenpins - Google Patents

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Abstract

Halbleitervorrichtung (100), umfassend:eine Vielzahl von Trenches (1051, 1052), die sich in einen Halbleiterkörper (102) von einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102) erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) und eine zwischen den wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) angeordnete elektrisch isolierende Struktur (106) aufweist und wobeijeder Trench (1051) einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1111) und eine zweite Elektrode (1112) umfasst, wobei die erste Elektrode (1111) elektrisch mit einem Steuerelektrodenpin (G) verbunden ist,jeder Trench (1052) einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1121) und eine zweite Elektrode (1122) umfasst, wobeiwenigstens eine Elektrode aus- der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem ersten Hilfselektrodenpin (AE1) und wenigstens eine andere Elektrode der verbleibenden Elektroden aus- der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2) .

Description

  • HINTERGRUND
  • Halbleitervorrichtungen wie Leistungshalbleitertransistoren, beispielsweise Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IG-FETs), wie Metall-Oxid-Halbleitertransistoren (MOSFETs) oder Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) müssen typischerweise spezifischen Anforderungen genügen, die an eine Zielanwendung angepasst sind. Beispielsweise sollten Transistoren hinsichtlich eines flächenspezifischen Einschaltwiderstandes (Ron x A) oder einer Schaltgeschwindigkeit optimiert sein. Derartige Halbleiterbauelemente sind beispielsweise aus den Druckschriften US 2004 / 0 063 269 A1 , US 7 868 363 B2 , US 2015 / 0 311 285 A1 , US 2005 / 0 173 758 A1 , US 2015 / 0 061 003 A1 sowie US 7 638 841 B2 bekannt. Im Hinblick auf die Vielzahl von Anforderungen an elektrische Eigenschaften von Halbleitervorrichtungen, die durch verschiedene Anwendungsfelder verursacht sind, ist es wünschenswert, eine flexiblere Halbleitervorrichtung vorzusehen, die geeignet ist, um den Anforderungen von mehr Anwendungsfeldern zu genügen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Die Aufgabe wird durch den Gegenstand der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Die abhängigen Ansprüche beziehen sich auf weitere Ausführungsbeispiele.
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine Halbleitervorrichtung mit einer Vielzahl von Trenches bzw. Gräben, die sich in einen Halbleiterkörper von einer ersten Oberfläche des Halbleiterkörpers erstrecken. Jeder der Vielzahl von Trenches umfasst wenigstens zwei Elektroden und eine elektrisch isolierende Struktur, die zwischen den wenigstens zwei Elektroden angeordnet ist. Jeder Trench einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode, und die erste Elektrode ist elektrisch mit einem Steuerelektrodenpin verbunden. Jeder Trench einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches umfasst eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode. Wenigstens eine Elektrode aus der zweiten Elektrode des Trenches der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden des Trenches der zweiten Gruppe ist elektrisch mit einem ersten Hilfselektrodenpin verbunden. Wenigstens eine andere Elektrode aus der zweiten Elektrode des Trenches der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden des Trenches der zweiten Gruppe ist elektrisch mit einem zweiten Hilfselektrodenpin verbunden.
  • Der Fachmann wird zusätzliche Merkmale und Vorteile nach Lesen der folgenden Detailbeschreibung und Betrachten der begleitenden Zeichnungen erkennen.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen sind beigeschlossen, um ein weiteres Verständnis der Erfindung vorzusehen, und sie sind in die Offenbarung der Erfindung einbezogen und bilden einen Teil von dieser. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, veranschaulichen die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erläutern von Prinzipien der Erfindung. Andere Ausführungsbeispiele der Erfindung und beabsichtigte Vorteile werden sofort gewürdigt, da sie unter Hinweis auf die folgende Detailbeschreibung besser verstanden werden.
    • 1 ist eine schematische Schnittdarstellung eines Teiles einer Halbleitervorrichtung, die Trenches einer ersten und einer zweiten Gruppe umfasst, wobei Elektroden der Trenches der ersten und der zweiten Gruppe hinsichtlich einer Pinverschaltung verschieden sind bzw. voneinander abweichen.
    • 2A bis 2E sind schematische Schnittdarstellungen eines Teiles einer Halbleitervorrichtung, die verschiedene Ausführungsbeispiele des Verschaltens von Elektroden in einem Trench der zweiten Gruppe mit Hilfselektrodenpins veranschaulichen.
    • 3A bis 3C sind schematische Draufsichten eines Teiles einer Halbleitervorrichtung, die verschiedene Sequenzen einer Anordnung der Trenches der ersten und zweiten Gruppen längs einer lateralen Richtung veranschaulichen.
    • 4A ist eine schematische Draufsicht eines Teiles einer Halbleitervorrichtung, die eine Vielzahl von Elektrodenleitungen bzw. -zeilen veranschaulicht, die in einem Randabschlussgebiet angeordnet sind, um elektrisch Elektroden in den Trenches mit Pins zu verbinden.
    • 4B ist eine schematische Schnittdarstellung längs einer Linie A-A' in dem Trench der ersten Gruppe von 4A.
    • 4C ist eine schematische Schnittdarstellung längs einer Linie B-B' in dem Trench der zweiten Gruppe von 4A.
    • 4D ist eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung, die Pins eines Chipgehäuses umfasst.
    • 4E ist eine andere schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels einer Halbleitervorrichtung, die Pins eines Chipgehäuses umfasst.
  • DETAILBESCHREIBUNG
  • In der folgenden Detailbeschreibung wird Bezug genommen auf die begleitenden Zeichnungen, die einen Teil der Offenbarung bilden und in denen für Veranschaulichungszwecke spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgebildet werden kann. Es ist zu verstehen, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet und strukturelle oder logische Änderungen gemacht werden können, ohne von dem Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Beispielsweise können Merkmale, die für ein Ausführungsbeispiel veranschaulicht oder beschrieben sind, bei oder im Zusammenhang mit anderen Ausführungsbeispielen verwendet werden, um zu noch einem weiteren Ausführungsbeispiel zu gelangen. Es ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung derartige Modifikationen und Veränderungen einschließt. Die Beispiele sind mittels einer spezifischen Sprache beschrieben, die nicht als den Bereich der beigefügten Patentansprüche begrenzend aufgefasst werden sollte. Die Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu und dienen lediglich für Veranschaulichungszwecke. Entsprechende Elemente sind mit den gleichen Bezugszeichen in den verschiedenen Zeichnungen versehen, falls nicht etwas anderes festgestellt wird.
  • Die Ausdrücke „haben“, „enthalten“, „umfassen“, „aufweisen“ und ähnliche Ausdrücke sind offene Ausdrücke, und diese Ausdrücke geben das Vorhandensein der festgestellten Strukturen, Elemente oder Merkmale an, schließen jedoch zusätzliche Elemente oder Merkmale nicht aus. Die unbestimmten Artikel und die bestimmten Artikel sollen sowohl den Plural als auch den Singular umfassen, falls sich aus dem Zusammenhang nicht klar etwas anderes ergibt.
  • Der Ausdruck „elektrisch verbunden“ beschreibt eine permanente niederohmige Verbindung zwischen elektrisch verbundenen Elementen, beispielsweise einen direkten Kontakt zwischen den betreffenden Elementen oder eine niederohmige Verbindung über ein Metall und/oder einen hochdotierten Halbleiter. Der Ausdruck „elektrisch gekoppelt“ umfasst, dass ein oder mehrere dazwischenliegende Elemente, die für eine Signalübertragung geeignet sind, zwischen den elektrisch gekoppelten Elementen vorgesehen sein können, beispielsweise Elemente, die steuerbar sind, um zeitweise eine niederohmige Verbindung in einem ersten Zustand und eine hochohmige elektrische Entkopplung in einem zweiten Zustand vorzusehen.
  • Die Figuren veranschaulichen relative Dotierungskonzentrationen durch Angabe von „-“ oder „+“ nächst zu dem Dotierungstyp „n“ oder „p“. Beispielsweise bedeutet „n-“ eine Dotierungskonzentration, die niedriger als die Dotierungskonzentration eines „n“-Dotierungsbereiches ist, während ein „n+“-Dotierungs-bereich eine höhere Dotierungskonzentration hat als ein „n“-Dotierungsbereich. Dotierungsbereiche der gleichen relativen Dotierungskonzentration haben nicht notwendigerweise die gleiche absolute Dotierungskonzentration. Beispielsweise können zwei verschiedene „n“-Dotierungsbereiche die gleichen oder verschiedene absolute Dotierungskonzentrationen haben.
  • 1 ist eine schematische Schnittdarstellung einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel. Die Halbleitervorrichtung 100 kann etwa ein Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET), beispielsweise ein MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-FET) in der üblichen Bedeutung einschließlich FETs mit Metallgates sowie FETs mit Halbleitergates oder ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) oder ein rückwärts leitender IGBT (RC-IGBT) sein oder einen solchen umfassen. Die Halbleitervorrichtung 100 beruht auf einem Halbleiterkörper 102 aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, wie Silizium (Si), Germanium (Ge), einem Silizium-Germanium-Kristall (SiGe), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Galliumarsenid (GaAs) oder irgendeinem anderen AIIIBV-Halbleiter.
  • Die Halbleitervorrichtung 100 von 1 umfasst eine Vielzahl von Trenches bzw. Gräben 1051, 1052, die sich in einen Halbleiterkörper 102 von einer ersten Oberfläche 104 des Halbleiterkörpers 102 erstrecken. Jeder der Vielzahl von Trenches 1051, 1052 umfasst wenigstens zwei Elektroden und eine elektrisch isolierende Struktur 106, die zwischen den wenigstens zwei Elektroden angeordnet ist. Der Trench 1051 ist ein Trench aus Trenches von einer ersten Gruppe, deren jeder eine erste Elektrode 1111 und eine zweite Elektrode 1112 umfasst. Die erste Elektrode 1111 ist elektrisch mit einem ersten Steuerelektrodenpin G verbunden. Der Ausdruck „Pin“, der hier verwendet ist, soll als ein externer Anschluss eines Chipgehäuses verstanden werden, beispielsweise ein Kontakt bzw. Anschluss eines Leiterrahmens, der ein Rahmen eines Bauteiles einer integrierten Schaltung (IS) oder eines diskreten Halbleiters ist. Die IS oder der diskrete Halbleiter wird in einer Halbleiterdie bzw. einem Halbleiterchip ausgeführt, und eine elektrische Verbindung zu den externen Anschlüssen kann über Verbindungs- bzw. Bonddrähte vorgesehen sein, die die Kontakte des Leiterrahmens und Kontaktpads der Die bzw. des Chips untereinander verbinden.
  • Der Trench 1052 ist ein Trench aus Trenches einer zweiten Gruppe, deren jeder eine erste Elektrode 1121 und eine zweite Elektrode 1122 umfasst. Wenigstens eine Elektrode aus der zweiten Elektrode 1112 der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden 1121, 1122 der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem ersten Hilfselektrodenpin AE1 und wenigstens eine andere Elektrode aus der zweiten Elektrode 1112 der ersten Gruppe und den ersten und zweiten Elektroden 1121, 1122 der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit einem zweiten Hilfselektrodenpin AE2. Ein Pin S ist ein Lastanschlusspin eines Transistors, wie beispielsweise ein Sourceelektrodenpin. Beispiele von Pinzuordnungen der Elektroden 1111, 1112, 1121, 1122 sind in 1 angezeigt. Strichlinien zeigen eine elektrische Verbindung zwischen einer der Elektroden 1111, 1112, 1121, 1122 und einem jeweiligen Pin aus den Pins G, AE1, AE2, S an.
  • Gemäß einem ersten Beispiel ist die erste Elektrode 1111 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der ersten Gruppe, elektrisch verbunden mit dem Steuerelektrodenpin G, die zweite Elektrode 1112 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der ersten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem Lastelektrodenpin S, beispielsweise einem Sourcepin, die erste Elektrode 1121 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2 und die zweite Elektrode 1122 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1.
  • Gemäß einem zweiten Beispiel ist die erste Elektrode 1111 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der ersten Gruppe, elektrisch verbunden mit dem Steuerelektrodenpin G, die zweite Elektrode 1112 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der ersten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2, die erste Elektrode 1121 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, und die zweite Elektrode 1122 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem Lastelektrodenpin S, beispielsweise einem Sourcepin.
  • Gemäß einem dritten Beispiel ist die erste Elektrode 1111 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der ersten Gruppe, elektrisch verbunden mit dem Steuerelektrodenpin G, die zweite Elektrode 1112 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der ersten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2, die erste Elektrode 1121 der zweiten Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, und die zweite Elektrode 1122 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine erste Elektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem Lastelektrodenpin S, beispielsweise einem Sourcepin.
  • Die elektrisch isolierende Struktur 106 kann ein oder mehrere isolierende Materialien umfassen, wie beispielsweise ein oder mehrere Oxide, wie z.B. ein oder mehrere Siliziumoxide, ein oder mehrere Nitride, wie ein oder mehrere Siliziumnitride, ein oder mehrere Hoch-k-Dielektrika und ein oder mehrere Niedrig-k-Dielektrika oder irgendeine Kombination hiervon. Die elektrisch isolierende Struktur kann eine oder mehrere isolierende Schichten umfassen. Die isolierenden Schichten können gestapelt und/oder ineinander übergehen bzw. vermengt sein. Beispielsweise kann eine Gateisolierschicht, z.B. eine Gateoxidschicht, zwischen der ersten Elektrode 1111 der ersten Gruppe oder der ersten Elektrode 1121 der zweiten Gruppe und jeweils einem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers 102 angeordnet sein. Eine Feldisolierschicht, beispielsweise ein Feldoxid, kann zwischen der zweiten Elektrode 1112 der ersten Gruppe oder der zweiten Elektrode 1122 der zweiten Gruppe und jeweils einem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers 102 angeordnet sein. Die Gateisolierschicht und die Feldisolierschicht können ineinander übergehen bzw. verschmelzen. In einigen Ausführungsbeispielen ist die Gateisolierschicht eine thermische Gateoxidschicht, und die Feldisolierschicht ist ein Schichtstapel mit einer thermischen Oxidschicht und einer oder mehreren aufgetragenen Oxidschichten, die durch ein Auftragsverfahren, wie beispielsweise chemische Gasphasenabscheidung (CVD), hergestellt sind.
  • Die erste Oberfläche 104 kann an einer ersten oder vorderen Seite sein und kann angenähert planar bzw. eben sein oder eine Oberfläche sein, die durch eine Ebene gegeben ist, die durch koplanare Oberflächenabschnitte aufgespannt ist. Eine planare zweite Oberfläche 108 auf der Rückseite des Halbleiterkörpers 102 ist parallel zu der ersten Oberfläche 104. In einer Ebene senkrecht zu der Querschnittsebene kann der Halbleiterkörper 102 eine rechteckförmige Gestalt mit einer Randlänge in der Spanne von einigen Millimetern oder Zentimetern haben. Eine Normale zu der ersten Oberfläche 104 definiert eine vertikale Richtung, und Richtungen senkrecht zu der vertikalen Richtung sind horizontale Richtungen.
  • Die erste Oberfläche 104 kann eine Oberfläche des Halbleiterkörpers 102 sein, die zu einem Verdrahtungsgebiet gerichtet ist, das Metallschichten, isolierende Schichten, Kontaktstöpsel, Passivierungsschichten umfasst. Beispielsweise kann die erste Oberfläche 104 des Halbleiterkörpers 102 an einer Vorderseite des Halbleiterkörpers sein, wo aktive Vorrichtungselemente, beispielsweise Gatetrenches, und Halbleiterbereiche, wie Source und Body, gebildet sind, und die zweite Oberfläche 108 kann an einer Rückseite des Chips sein, wo eine Drain eines IGFET oder ein Kollektor eines IGBT gebildet sein können. In anderen Vorrichtungskonfigurationen, beispielsweise Source-Down-Konzepten bzw. Source-Abwärts-Konzepten kann auch eine Drain an der Vorderseite gelegen sein.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Anzahl von Elektroden in jedem Trench der ersten Gruppe gleich zu einer Anzahl von Elektroden in jedem Trench der zweiten Gruppe, und eine Breite bzw. Weite von jedem Trench der ersten Gruppe an der ersten Oberfläche ist gleich zu einer Breite bzw. Weite von jedem Trench der zweiten Gruppe an der ersten Oberfläche. Die Trenches der ersten und zweiten Gruppen können beispielsweise gemeinsam bzw. gleichzeitig prozessiert werden.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine Anzahl von Elektroden in den Trenches der ersten und zweiten Gruppen größer als zwei und kann gleich zu drei, vier, fünf, sechs oder sogar größer sein.
  • Wie in der schematischen Schnittdarstellung eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 2A veranschaulicht ist, ist eine Anzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe gegeben durch n, wobei n eine ganze Zahl gleich wie oder größer als 3 ist. Gemäß dem in 2A veranschaulichten Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 1121 der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine Gateelektrode der Trenches der ersten Gruppe, elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, die zweite Elektrode 1122 der Trenches der ersten Gruppe, beispielsweise eine Feldelektrode der Trenches der ersten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2, und die n-te Elektrode 1120+n der Trenches der zweiten Gruppe, beispielsweise eine unterste Feldelektrode der Trenches der zweiten Gruppe, ist elektrisch verbunden mit dem n-ten Hilfselektrodenpin AEn.
  • In dem in 2A veranschaulichten Ausführungsbeispiel ist die Anzahl n der Hilfspins gleich zu einer Anzahl von Elektroden in jedem der zweiten Trenches, und jeder Trench der ersten Gruppe kann auch n Elektroden umfassen. In einigen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 1111 der Trenches der ersten Gruppe elektrisch verbunden sein mit dem Steuerelektrodenpin G, und die anderen Elektroden der ersten Gruppe können beispielsweise in der gleichen Weise wie die entsprechenden Elektroden in dem Trench der zweiten Gruppe verbunden sein, d.h., die zweite Elektrode 1112 des Trenches der ersten Gruppe kann elektrisch verbunden sein mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2, und eine n-te Elektrode in dem Trench der ersten Gruppe kann elektrisch verbunden sein mit dem n-ten Hilfselektrodenpin AEn.
  • Wie in der schematischen Schnittdarstellung eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 2B veranschaulicht ist, ist eine Anzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe gegeben durch n, wobei n eine ganze Zahl gleich wie oder größer als drei ist. Gemäß dem in 2B gezeigten Ausführungsbeispiel und verschieden von dem Ausführungsbeispiel von 2A ist eine Anzahl von Hilfspins geringer als n aufgrund einer Zwischenverbindung von wenigstens zwei Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe. In der beispielhaften Darstellung von 2B ist eine Anzahl von Hilfselektroden gleich zu (n-1), und die ersten und zweiten Elektroden 1121, 1122 in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe sind elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1.
  • Abhängig von einer Gesamtzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe kann auch eine Anzahl von Hilfspins kleiner sein als (n-1). In einigen Ausführungsbeispielen, die mehr als drei Elektroden in dem Trench der zweiten Gruppe umfassen, können drei oder sogar mehr Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe mit einem gleichen Hilfselektrodenpin verbunden sein. Zusätzlich oder als eine Alternative sind die Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe in wenigstens zwei Untergruppen gruppiert bzw. unterteilt, wobei die Elektroden in jeder Untergruppe mit einem gleichen Hilfselektrodenpin verbunden sind. Beispielsweise kann eine Elektrode in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe nächst zu der ersten Oberfläche 104 elektrisch verbunden sein mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, und alle anderen Elektroden in dem Trench 1052 können elektrisch verbunden sein mit dem zweiten Elektrodenpin AE2.
  • Die schematische Schnittdarstellung eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 2C ist ein Beispiel eines Gruppierens der Elektroden in wenigstens zwei Untergruppen, wobei die Elektroden in jeder Untergruppe mit einem gleichen Hilfselektrodenpin verbunden sind. Die Anzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe beträgt in diesem Ausführungsbeispiel vier. Die ersten und zweiten Elektroden 1121, 1122 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe sind elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1. Dritte und vierte Elektroden 1123, 1124 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe sind elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2. Mit zunehmender Anzahl von Elektroden nimmt auch die Anzahl von verschiedenen Untergruppierungen zu. Im Falle von sechs Elektroden in dem Trench der zwei Gruppen können zwei Untergruppen vorgesehen sein, wobei jede von diesen drei zwischenverbundene Elektroden umfasst, oder drei Untergruppen können vorgesehen sein, deren jede beispielsweise zwei zwischenverbundene Elektroden aufweist.
  • Wie in der schematischen Schnittdarstellung eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 2D veranschaulicht ist, beträgt eine Anzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe n, wobei n eine ganze Zahl gleich wie oder größer als 3 ist. Gemäß dem in 2D dargestellten Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 1121 in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, und die n-te Elektrode 1120+n in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2. Eine Spannung von jeder der Elektroden 1121, 1122, ..., 1120+n in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe ist definiert durch einen resistiven bzw. Widerstandsspannungsteiler. Der Spannungsteiler umfasst Widerstände R1, ..., R(n-1). Die Widerstände R1, ..., R(n-1) des Spannungsteilers können einen gleichen Widerstand haben oder verschieden sein oder teilweise verschieden sein bezüglich des Widerstandswertes. Die Widerstände R1, ..., R(n-1) des Spannungsteilers können beispielsweise in einem Verdrahtungsgebiet über dem Halbleiterkörper 1012 gebildet sein. In einigen Ausführungsbeispielen sind die Widerstände R1, ..., R(n-1) des Spannungsteilers als polykristalline Siliziumwiderstände ausgestaltet.
  • Wie in der schematischen Schnittdarstellung eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 2E veranschaulicht ist, ist eine Anzahl von Elektroden in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe gegeben durch n, wobei n eine ganze Zahl gleich wie oder größer als 3 ist. Gemäß dem in 2E dargestellten Ausführungsbeispiel ist die erste Elektrode 1121 in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe elektrisch verbunden mit dem ersten Hilfselektrodenpin AE1, und eine n-te Elektrode 1120+n in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe ist elektrisch verbunden mit dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2. Eine Spannung von jeder der Elektroden 1121, 1122, ..., 1120+n in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe ist definiert durch einen Spannungsteiler, der auf Dioden beruht. Der Spannungsteiler umfasst Dioden D1, ..., D(n-1). Die Dioden D1, ..., (n-1) des Spannungsteilers können eine gleiche Klemmspannung, beispielsweise eine Durchbruchspannung, haben oder diese können verschieden sein oder teilweise bezüglich der Klemmspannung abweichen. Die Dioden D1, ..., D(n-1) des Spannungsteilers können beispielsweise in einem Verdrahtungsgebiet über dem Halbleiterkörper 102 gebildet sein. In einigen Ausführungsbeispielen sind die Dioden D1, ..., D(n-1) des Spannungsteilers als polykristalline Siliziumdioden, beispielsweise Zener-Dioden und/oder Avalanche-Dioden bzw. Durchbruch-Dioden ausgeführt.
  • In einigen Ausführungsbeispielen kann der Spannungsteiler eine Kombination von Widerständen und Dioden aufweisen.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist eine oberste Elektrode in dem Trench 1052 der zweiten Gruppe nicht verbunden mit dem Spannungsteiler.
  • In einigen Ausführungsbeispielen erstrecken sich die Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen parallel zueinander längs einer ersten lateralen Richtung parallel zu der ersten Oberfläche 104, und die Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen sind alternierend bzw. abwechselnd längs einer zweiten lateralen Richtung senkrecht zu der ersten lateralen Richtung angeordnet.
  • In einigen Ausführungsbeispielen sind die Anzahlen von Elektroden in den Trenches 1051, 1052 verschieden. Daher brauchen auch Gestalt, zulaufender Winkel bzw. Abschrägung, Weite bzw. Breite, Tiefe der Trenches 1051, 1052 nicht gleich zu sein.
  • Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Halbleitervorrichtungen, die eine verbesserte Flexibilität bezüglich eines Erfüllens verschiedener Anforderungen von flächenspezifischem Einschaltwiderstand (Ron x A) und Schaltgeschwindigkeit haben. Durch Anlegen verschiedener Spannungen an Hilfselektrodenpins wie AE1, AE2, ..., AEn können die elektrischen Eigenschaften eines Trenchtransistors flexibel zwischen verschiedenen Schaltgeschwindigkeiten und flächenspezifischen Einschaltwiderständen eingestellt werden. Somit kann eine einzige Halbleitervorrichtung durch externe Einstellungen verschiedene Anforderungen bezüglich flächenspezifischem Einschaltwiderstand (Ron x A) und Schaltgeschwindigkeit erfüllen. Damit kann eine einzige Halbleitervorrichtung den Anforderungen von verschiedenen Anwendungsfeldern genügen, zu deren Erfüllung sonst verschiedene Halbleitervorrichtungen oder Chips vorgesehen werden müssten. In der Halbleitervorrichtung 100, die in 1 dargestellt ist, erlaubt ein Anlegen einer Gatespannung nicht nur an die Steuerelektrode G, sondern auch an den ersten Hilfselektrodenpin AE1 und ein Anlegen einer Sourcespannung nicht nur an einen der zwei Lastanschlüsse, sondern auch an den zweiten Lastelektrodenpin AE2 ein Betreiben der Halbleitervorrichtung im sogenannten normalen Geschwindigkeitsmodus. Ein Anlegen einer Gatespannung nicht nur an die Steuerelektrode G, sondern auch an die ersten und zweiten Hilfselektrodenpins AE1, AE2 erlaubt ein Betreiben der Halbleitervorrichtung im sogenannten Niedriggeschwindigkeitsmodus. Dadurch wird der flächenspezifische Einschaltwiderstand vermindert, während gleichzeitig die parasitäre Kapazität zwischen der Steuerelektrode G und Drain oder Kollektor ansteigt. Wenn eine Versorgungsspannung, wie eine Source- oder Emitterspannung nicht nur an einen jeweiligen Lastelektrodenpin, sondern auch an den ersten Hilfselektrodenpin AE1 und an den zweiten Lastelektrodenpin AE2 angelegt wird, erlaubt dies ein Betreiben der Halbleitervorrichtung im sogenannten Hochgeschwindigkeitsmodus. Dadurch wird der flächenspezifische Einschaltwiderstand gesteigert, während gleichzeitig die parasitäre Kapazität zwischen der Steuerelektrode G und Drain oder Kollektor abnimmt.
  • Unter Bezugnahme auf die schematische Draufsicht eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 3A erstrecken sich die Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen parallel zueinander längs einer ersten lateralen Richtung x. Eine Vielzahl von Trenches 1051 der ersten Gruppe sind aufeinanderfolgend längs einer zweiten lateralen Richtung y senkrecht zu der ersten lateralen Richtung x angeordnet. Die Vielzahl von Trenches 1051 der ersten Gruppe und der Trench 1052 der zweiten Gruppe sind alternierend längs der zweiten lateralen Richtung y angeordnet. Beispielsweise können eine Sequenz von p Trenches 1051 der ersten Gruppe, wobei p eine ganze Zahl größer als Eins ist, und ein Trench 1052 der zweiten Gruppe alternierend angeordnet sein.
  • Unter Bezugnahme auf die schematische Draufsicht eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 3B erstrecken sich die Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen parallel zueinander längs einer ersten lateralen Richtung x. Eine Vielzahl von Trenches 1052 der zweiten Gruppe sind aufeinanderfolgend längs der zweiten lateralen Richtung y senkrecht zu der ersten lateralen Richtung x angeordnet. Die Vielzahl von Trenches 1052 der zweiten Gruppe und der Trench 1051 der ersten Gruppe sind alternierend längs der zweiten lateralen Richtung y angeordnet. Beispielsweise können eine Sequenz von p Trenches der ersten Gruppe, wobei p eine ganze Zahl größer als Eins ist, und ein Trench 1051 der ersten Gruppe alternierend angeordnet sein.
  • Gemäß einem anderen Beispiel sind eine Sequenz von k Trenches 1051 der ersten Gruppe, wobei k eine ganze Zahl größer als Eins ist, und ein Trench 1052 der zweiten Gruppe, alternierend angeordnet.
  • Unter Bezugnahme auf die schematische Draufsicht eines Teiles des Halbleiterkörpers 102 von 3C erstrecken sich die Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen parallel zueinander längs einer ersten lateralen Richtung x. Eine Vielzahl von Trenches 1051 der ersten Gruppe sind aufeinanderfolgend längs der zweiten lateralen Richtung y senkrecht zu der ersten lateralen Richtung x angeordnet, gefolgt von einer anderen Vielzahl von Trenches 1052 der zweiten Gruppe, die alternierend längs der zweiten lateralen Richtung y angeordnet sind. Beispielsweise können eine Sequenz von p Trenches 1051 der ersten Gruppe, wobei p eine ganze Zahl größer als Eins ist, und eine Sequenz von q Trenches 1052 der zweiten Gruppe, wobei q eine ganze Zahl größer als Eins und gleich wie oder verschieden von der ganzen Zahl p ist, alternierend angeordnet sein. Beispiele für p und q sind 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 oder sogar mehr.
  • In einigen Ausführungsbeispielen umfasst die Halbleitervorrichtung weiterhin ein aktives Transistorzellarray bzw. eine aktive Transistorzellanordnung und ein Randabschlussgebiet, das das aktive Transistorzellgebiet umgibt, wobei eine Vielzahl von Elektrodenleitungen in dem Randabschlussgebiet angeordnet ist und jede der Elektroden der Trenches der ersten und zweiten Gruppen elektrisch mit einer jeweiligen Elektrodenleitung der Vielzahl von Elektrodenleitungen in dem Randabschlussgebiet über Kontakte verbunden ist.
  • Die schematische Draufsicht von 4A veranschaulicht ein Ausführungsbeispiel eines Kontaktschemas der Trenches 1051, 1052 der ersten und zweiten Gruppen. Ein Schnitt längs einer Linie A-A' des Trenches 1051 der ersten Gruppe ist in 4B veranschaulicht, und ein Schnitt längs einer Linie B-B' des Trenches 1052 der zweiten Gruppe ist in 4C dargestellt.
  • Das in 4A bis 4C dargestellte Kontaktschema ist ein Beispiel eines Kontaktierens der Elektroden 1111, 1112, 1121, 1122 der Trenches 1051, 1052 mit Pins G, S, AE1, AE2. Die Korrelation von Elektroden und Pins, die in 4A veranschaulicht ist, entspricht einem Kontaktschema, wie dieses in der untersten Zeile von Pins, d.h. Pins G, S, AE1, AE2 von 1 angezeigt ist. Zahlreiche andere Kontaktschemas können auf der Grundlage des anhand von 4A bis 4C beschriebenen und dargestellten Kontaktprinzips ausgeführt werden.
  • Unter Bezugnahme auf die schematische Draufsicht von 4A und die schematischen Schnitte der 4B und 4C sind erste bis vierte Elektrodenzeilen bzw. -leitungen 1301, 1302, 1303, 1304 in einem Randabschlussgebiet 125, das wenigstens teilweise ein aktives Transistorzellgebiet 126 umgibt, angeordnet. In dem Randabschlussgebiet 125 können Randabschlussstrukturen gebildet sein, um das elektrische Feld an den Rändern zu verringern. Beispiele von Randabschlussstrukturen umfassen Feldplatten, Junction- bzw. Übergangsabschlussausdehnungs-(JTE-)Strukturen, eine Variation von lateralen Dotierungs-(VLD-)Strukturen als Beispiel. In dem aktiven Transistorzellgebiet 126 sind Kontakte zu Source und Body vorgesehen, um einen Laststromfluss zu führen. Die ersten bis vierten Elektrodenzeilen bzw. -leitungen 1301, 1302, 1303, 1304 können gesonderte Teile einer strukturierten bzw. gemusterten Leiterschicht, beispielsweise einer strukturierten Metallschicht, sein. Eine isolierende Schicht 112, beispielsweise ein Oxid, wie ein Siliziumoxid, ist zwischen den ersten bis vierten Elektrodenzeilen bzw. -leitungen 1301, 1302, 1303, 1304 angeordnet und isoliert diese elektrisch voneinander.
  • Die erste Elektrodenzeile 1301 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 1111 des Trenches 1051 der ersten Gruppe über einen ersten Kontakt 1321, beispielsweise einen Kontaktstöpsel, verbunden. Die zweite Elektrodenzeile 1302 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode 1112 des Trenches 1051 der ersten Gruppe über einen zweiten Kontakt 1322, beispielsweise einen Kontaktstöpsel, verbunden. In einem Gebiet unterhalb des zweiten Kontaktes 1322 ist die zweite Elektrode 1112 des Trenches 1051 der ersten Gruppe zu der ersten Oberfläche 104 durch einen Spalt der ersten Elektrode 1111 des Trenches 1051 der ersten Gruppe geführt.
  • Die dritte Elektrodenzeile 1303 ist elektrisch mit der ersten Elektrode 1121 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe über einen dritten Kontakt 1323, beispielsweise einen Kontaktstöpsel, verbunden. Die vierte Elektrodenzeile 1304 ist elektrisch mit der zweiten Elektrode 1122 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe über einen vierten Kontakt 1324, beispielsweise einen Kontaktstöpsel, verbunden. In einem Gebiet unterhalb des vierten Kontaktes 1324 ist die zweite Elektrode 1122 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe zu der ersten Oberfläche 104 durch einen Spalt der ersten Elektrode 1121 des Trenches 1052 der zweiten Gruppe geführt.
  • Wie in der schematischen Schnittdarstellung von 4D veranschaulicht ist, ist der Halbleiterkörper 102 der Halbleitervorrichtung 100 in einen Aufnahmebereich 150 eines Chipgehäuses eingebettet. Das Chipgehäuse kann irgendein geeignetes Gehäuse sein, das im Handel verfügbar ist, beispielsweise ein Through-hole-Gehäuse, wie ein DIP (Dual in-line-package bzw. Gehäuse) oder ein Small outline package bzw. -gehäuse wie ein TSOP (Thin Small-outline Package).
  • Pins 153, 154 sind teilweise in dem Aufnahmebereich eingebettet, beispielsweise als ein Teil eines Leiterahmens. Eine Anzahl von Pins kann sich unter verschiedenen Chipgehäusen verändern und kann unter Berücksichtigung der Anzahl von Hilfselektrodenpins gewählt werden.
  • In der schematischen Darstellung von 4D kann der PIN 153 elektrisch mit einer Rückseite des Halbleiterkörpers verbunden sein, beispielsweise zum Kontaktieren eines zweiten Lastanschlusskontaktes einer Drain eines vertikalen IGFET oder eines Kollektors eines vertikalen IGBT. Der Pin 154 kann irgendeinen der in 1 bis 4A dargestellten Pins G, S, AE1, AE2 darstellen. Eine elektrische Verbindung zwischen dem Pin 154 und einer entsprechenden Elektrodenleitung der Elektrodenleitungen 1301, 1302, 1303, 1304, die in 4A dargestellt sind, kann über einen Bond- bzw. Verbindungsdraht und ein Bondpad bzw. Verbindungskissen vorgesehen sein, wo eine entsprechende Leitung der Elektrodenleitungen 1301, 1302, 1303, 1304 für Kontaktzwecke enden kann. Der Pin 154 kann auch eine elektrische Verbindung mit einem ersten Lastanschlusskontakt vorsehen, wie beispielsweise einem Source- oder Emitterkontakt.
  • Die schematische Darstellung von 4E veranschaulicht einen Teil des Halbleiterkörpers 102, der auf einem Träger 163, wie einem Leiterrahmen, angeordnet ist. Der Träger 163 kann einen elektrischen Kontakt zu einer rückwärtigen Seite oder Rückseite des Halbleiterkörpers 102 vorsehen, beispielsweise zu einem Drainkontakt eines IGFET oder zu einem Kollektorkontakt eines IGBT. Der Träger 163 kann ein Teil eines Leiterrahmens sein, der eine Vielzahl von Pins aufweist. Einige der Pins sowie ein Teil des in 4A dargestellten Kontaktschemas ist in 4E veranschaulicht. Die vierte Elektrodenzeile 1304 ist elektrisch mit einem ersten Kontaktpad 171 verbunden. Die vierte Elektrodenzeile 1304 und das erste Kontaktpad 171 können verschmolzene bzw. vermengte Teile einer gleichen Metallschicht sein. Die vierte Elektrodenzeile 1304 und das erste Kontaktpad 171 können auch bestimmte Teile einer gleichen Metallschicht oder Teile von verschiedenen Metallschichten sein, beispielsweise Metallschichten von verschiedenen Metallverdrahtungsniveaus, die elektrisch beispielsweise durch Kontaktvias und Zwischenverbindungsleitungen zusammen verbunden sind. Ein erster Bonddraht 181 auf dem ersten Kontaktpad 171 sieht eine elektrische Verbindung zwischen dem zweiten Hilfselektrodenpin AE2 und der vierten Elektrodenzeile 1304 vor. In ähnlicher Weise sieht ein zweiter Bonddraht 182 auf einem zweiten Kontaktpad 172 eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten Hilfselektrodenpin AE1 und der dritten Elektrodenzeile 1303 vor.
  • In einigen Ausführungsbeispielen ist die Halbleitervorrichtung 100 eine vertikale Halbleitervorrichtung, die Lastanschlusskontakte, beispielsweise Source- und Drainkontakte eines IGFET oder Emitter- und Kollektorkontakte eines IGBT an entgegengesetzten Oberflächen vorsieht. Für vertikale Halbleitervorrichtungen ist eine Laststromflussrichtung die vertikale Richtung zwischen den Lastanschlusskontakten, wie einem Source- oder Emitterkontakt an der ersten Oberfläche 104, und einem Drain- oder Kollektorkontakt an der zweiten Oberfläche 108. Für vertikale Halbleitervorrichtungen ist ein Mindestabstand zwischen den ersten und zweiten Oberflächen 104, 108 ausgewählt, um eine spezifizierte Spannungssperrfähigkeit oder Durchbruchspannung der Halbleitervorrichtung 100 zu erzielen. Die Halbleitervorrichtung 100 kann für eine Durchbruchspannung gleich wie oder größer als 10 V, beispielsweise 20 V oder 40 V oder 60 V, gleich wie oder größer als 100 V, beispielsweise 200 V, 400 V, 600 V oder mehr als 100 V, beispielsweise 1200 V, 1500 V, 1700 V, 2000 V, 3300 V oder 6500 V, ausgelegt sein.

Claims (17)

  1. Halbleitervorrichtung (100), umfassend: eine Vielzahl von Trenches (1051, 1052), die sich in einen Halbleiterkörper (102) von einer ersten Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102) erstrecken, wobei jeder der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) und eine zwischen den wenigstens zwei Elektroden (1111, 1112; 1121, 1122) angeordnete elektrisch isolierende Struktur (106) aufweist und wobei jeder Trench (1051) einer ersten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1111) und eine zweite Elektrode (1112) umfasst, wobei die erste Elektrode (1111) elektrisch mit einem Steuerelektrodenpin (G) verbunden ist, jeder Trench (1052) einer zweiten Gruppe der Vielzahl von Trenches (1051, 1052) eine erste Elektrode (1121) und eine zweite Elektrode (1122) umfasst, wobei wenigstens eine Elektrode aus - der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem ersten Hilfselektrodenpin (AE1) und wenigstens eine andere Elektrode der verbleibenden Elektroden aus - der zweiten Elektrode (1112) des Trenches (1051) der ersten Gruppe, der ersten Elektrode (1121) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe, und der zweiten Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit einem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2) .
  2. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 1, bei der die Trenches (1051, 1052) der ersten und zweiten Gruppen sich parallel zueinander längs einer ersten lateralen Richtung parallel zu der ersten Oberfläche (104) erstrecken und die Trenches (1051, 1052) der ersten und zweiten Gruppen alternierend längs einer zweiten lateralen Richtung senkrecht zu der ersten lateralen Richtung angeordnet sind.
  3. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine Anzahl von Elektroden in jedem Trench (1051) der ersten Gruppe gleich ist wie eine Anzahl von Elektroden in jedem Trench (1052) der zweiten Gruppe und bei der eine Weite von jedem Trench (1051) der ersten Gruppe an der ersten Oberfläche (104) gleich ist wie eine Weite von jedem Trench (1052) der zweiten Gruppe an der ersten Oberfläche (104) .
  4. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, weiterhin umfassend ein aktives Transistorzellgebiet (126) und ein das aktive Transistorzellgebiet (126) umgebendes Randabschlussgebiet (125), wobei eine Vielzahl von Elektrodenleitungen (1301, 1302, 1303, 1304) in dem Randabschlussgebiet (125) angeordnet sind und jede der Elektroden (1111, 1112, 1113, 1114) der ersten und zweiten Gruppen über Kontakte (1321, 1322, 1323, 1324) in dem Randabschlussgebiet (125) elektrisch verbunden ist mit einer jeweiligen Elektrodenleitung der Vielzahl von Elektrodenleitungen (1301, 1302, 1303, 1304).
  5. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine Anzahl von Elektroden in jedem Trench (1051, 1052) der ersten und zweiten Gruppe gleich ist wie eine Anzahl von Hilfselektrodenpins (AE1, AE2).
  6. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der eine Anzahl von Elektroden in jedem Trench (1051, 1052) der ersten und zweiten Gruppe größer ist als eine Anzahl von Hilfselektrodenpins (AE1, AE2).
  7. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, weiterhin umfassend einen Spannungsteiler, wobei Spannungsabgriffe des Spannungsteilers elektrisch mit Elektroden in dem Trench (1052) der zweiten Gruppe gekoppelt sind.
  8. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 7, wobei der Spannungsteiler auf einem oder mehreren Widerständen (R1, ... R(n-1)) oder einer oder mehreren Dioden (D1, ..., D(n-1)) oder einer Kombination hiervon beruht.
  9. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der Ansprüche 7 bis 8, wobei der eine oberste Elektrode (1121) in dem Trench der zweiten Gruppe nicht verbunden ist mit einem Abgriff des Spannungsteilers.
  10. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der sich die Vielzahl von Trenches (1051, 1052) parallel längs einer ersten lateralen Richtung (x) erstreckt und eine Sequenz von p Trenches (1051) der ersten Gruppe, wobei p eine ganze Zahl größer als Eins ist, und ein Trench (1052) der zweiten Gruppe alternierend längs einer zweiten lateralen Richtung (y) angeordnet sind.
  11. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Vielzahl von Trenches (1051, 1052) sich parallel längs einer ersten lateralen Richtung (x) erstreckt und eine Sequenz von k Trenches (1052) der zweiten Gruppe, wobei k eine ganze Zahl größer als Eins ist, und ein Trench (1051) der ersten Gruppe alternierend längs einer zweiten lateralen Richtung (y) angeordnet sind.
  12. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die erste Elektrode (1121) des Trenches der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit dem ersten Hilfselektrodenpin (AE1).
  13. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 12, bei der die zweite Elektrode (1122) des Trenches (1052) der zweiten Gruppe elektrisch verbunden ist mit dem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2) .
  14. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 13, bei der der Trench (1052) der zweiten Gruppe andere Elektroden als die ersten und zweiten Elektroden umfasst, wobei die anderen Elektroden elektrisch verbunden sind mit dem zweiten Hilfselektrodenpin (AE2).
  15. Halbleitervorrichtung (100) nach Anspruch 13, bei der der Trench (1052) der zweiten Gruppe andere Elektroden als die ersten und zweiten Elektroden umfasst, wobei die anderen Elektroden elektrisch verbunden sind mit Spannungsabgriffen eines Spannungsteilers.
  16. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, weiterhin umfassend einen ersten Lastanschlusspin, der elektrisch verbunden ist mit einer IGFET-Source oder einem IGBT-Emitter, und einen zweiten Lastanschlusspin, der elektrisch verbunden ist mit einer IGFET-Drain oder einem IGBT-Kollektor.
  17. Halbleitervorrichtung (100) nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Halbleitervorrichtung ein vertikaler Transistor ist, der einen ersten Lastanschlusskontakt an der ersten Oberfläche (104) und einen zweiten Lastanschlusskontakt an der zweiten Oberfläche (108) umfasst.
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