DE102016102588B4 - Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, Anschlussträger, optoelektronisches Bauelement mit einem Anschlussträger und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, Anschlussträger, optoelektronisches Bauelement mit einem Anschlussträger und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements Download PDF

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Trägers (1), der ein Aluminiumsubstrat aufweist, auf das vollflächig eine hochreflektierende Silberschicht aufgebracht ist, die bei einer Wellenlänge von wenigstens 430 Nanometer und höchstens 700 Nanometer eine Reflektivität von mindestens 80% aufweist,- Aufbringen eines flüssigen Fügestoffs (3) auf eine erste Hauptfläche des Trägers (2),- Aufbringen mindestens eines elektrisch leitenden Anschlusselements (4) auf den flüssigen Fügestoff (3), und- Aushärten des Fügestoffs (3).

Description

  • Es werden ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, ein Anschlussträger, ein optoelektronisches Bauelement mit einem Anschlussträger und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers sowie ein Anschlussträger werden beispielsweise in der Druckschrift DE 10 2015 107 657 A1 beschrieben.
  • In der Druckschrift DE 102 00 066 A1 ist eine Leistungselektronik beschrieben.
  • In der Druckschrift US 2014 / 0 097 454 A1 ist ein Licht emittierendes Bauelement beschrieben.
  • In der Druckschrift WO 2012 / 152 364 A1 ist ein Substrat mit einem elektrisch neutralen Bereich beschrieben.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Anmeldung ist es, einen Anschlussträger anzugeben, der frei von einem PCB (Printed Circuit Board) ist. Es soll weiterhin ein vereinfachtes, kostengünstiges Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers, der frei von einem PCB ist, angegeben werden. Außerdem soll ein optoelektronisches Bauelement mit einem solchen Anschlussträger und ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements angegeben werden.
  • Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Schritten des Patentanspruchs 1, durch einen Anschlussträger mit den Merkmalen des Patentanspruchs 8, durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruchs 14 sowie durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 18 gelöst.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der beiden Verfahren, des Anschlussträgers und des optoelektronischen Bauelements sind Gegenstand der jeweils abhängigen Ansprüche.
  • Zur Herstellung eines Anschlussträgers wird zunächst ein Träger bereitgestellt.
  • Der Träger weist ein Substrat auf, das eine oder mehrere Schichten umfasst. Der Träger weist ein Aluminiumsubstrat auf, auf das vollflächig eine hochreflektierende Silberschicht aufgebracht ist. Weiterhin umfasst der Träger bevorzugt ein dielektrisches Schichtsystem, das bevorzugt die freiliegenden Hauptflächen des Trägers ausbildet. Eine Hauptfläche des Trägers ist hochreflektiv ausgebildet und weist bei einer Wellenlänge von wenigstens 430 Nanometer und höchstens 700 Nanometer eine Reflektivität von mindestens 80 % und besonders bevorzugt von mindestens 85 % auf.
  • In einem nächsten Schritt wird auf die erste Hauptfläche des Trägers ein flüssiger Fügestoff aufgebracht. Beispielsweise wird der flüssige Fügestoff durch Dispensen oder Drucken auf die erste Hauptfläche aufgebracht. Beispielsweise kann der flüssige Fügestoff lediglich auf Bereiche der ersten Hauptfläche aufgebracht werden, die dazu vorgesehen sind, von einem elektrisch leitenden Anschlusselement bedeckt zu werden. Alternativ ist es auch möglich, dass der flüssige Fügestoff derart auf die erste Hauptfläche des Trägers aufgebracht wird, dass ein Chipmontagebereich frei ist von dem flüssigen Fügestoff, während der restliche Teil der ersten Hauptfläche vollständig mit dem flüssigen Fügestoff bedeckt ist.
  • Bei dem flüssigen Fügestoff handelt es sich bevorzugt um einen flüssigen, aushärtefähigen und elektrisch isolierenden Klebstoff. Beispielsweise weist der Klebstoff ein Silikon und/oder ein Epoxidharz auf.
  • In einem weiteren Schritt wird nun ein elektrisch leitendes Anschlusselement auf den flüssigen Fügestoff aufgebracht und der flüssige Fügestoff ausgehärtet. Hierbei entsteht eine mechanische stoffschlüssige Verbindung zwischen dem elektrisch leitenden Anschlusselement und dem Träger aufgrund der ausgehärteten Fügeschicht. Besonders bevorzugt isoliert die ausgehärtete Fügeschicht die elektrischen Anschlusselemente elektrisch von dem Träger.
  • Besonders bevorzugt ist der Klebstoff mit mechanisch stabilen Partikeln gefüllt, die besonders bevorzugt elektrisch isolierend ausgebildet sind. Beispielsweise handelt es sich bei den Partikeln um Glaspartikel.
  • Bevorzugt weisen die Partikel einen Durchmesser zwischen einschließlich 2 Mikrometer und einschließlich 100 Mikrometer auf. Besonders bevorzugt ist der Durchmesser der Partikel möglichst homogen ausgebildet. Bevorzugt ist die Standartabweichung des Durchmessers der Partikel kleiner oder gleich 30% des Partikeldurchmessers, und besonders bevorzugt kleiner oder gleich 10% des Partikeldurchmessers.
  • Besonders bevorzugt erhöhen die Partikel die Härte der ausgehärteten Fügeschicht und damit die Härte der mechanischen Verbindung zwischen dem Anschlusselement und dem Träger. Dies erleichtert die spätere Durchführung eines Drahtbondprozesses, bei dem ein Bonddraht mit dem elektrischen Anschlusselement elektrisch leitend verbunden wird, indem in der Regel Ultraschall in die beiden zu verbindenden Teile eingeprägt wird.
  • Die Verwendung eines gefüllten Klebstoffs mit Partikeln führt mit Vorteil zu einer Fügeschicht mit einer möglichst homogenen Dicke. Die Partikel fungieren hierbei als Abstandshalter. Auf diese Art und Weise wird auch die Durchschlagsfestigkeit der Fügeschicht erhöht.
  • Die Dicke der Fügeschicht liegt, wie der Durchmesser der Partikel, bevorzugt zwischen einschließlich 2 Mikrometer und einschließlich 100 Mikrometer.
  • Besonders bevorzugt sind die elektrischen Anschlusselemente frei von Graten auf der Hauptfläche, die zur Aufbringung auf den Träger vorgesehen ist, soweit dies der Herstellungsprozess erlaubt. Graten könnten sonst zu einem elektrischen Kurzschluss mit dem Träger führen.
  • Bei den elektrisch leitenden Anschlusselementen kann es sich beispielsweise um metallische Anschlusselemente, wie Metallstücke handeln. Beispielsweise sind die folgenden Metalle für das Anschlusselement geeignet: Edelstahl, Kupfer, Nickel, Aluminium.
  • Weiterhin können die elektrisch leitenden Anschlusselemente auch metallisiert ausgebildet sein. Ein metallisiertes Anschlusselement kann einen Kern umfassen, etwa aus Kunststoff oder aus Metall, der vollständig oder teilweise von einer metallischen Schicht umgeben ist. Besonders bevorzugt wird mit der metallischen Schicht eine lötbare und/oder bondfähige Oberfläche des Anschlusselements erzeugt. Als Materialien für die metallische Schicht sind beispielsweise die folgenden Metalle geeignet: Gold, Silber, Aluminium. Hierbei können zwischen dem Kern und der metallischen Schicht weitere Zwischenschichten angeordnet sein. Die weiteren Zwischenschichten können beispielsweise dazu geeignet sein, die Haftung der metallischen Schicht auf dem Kern oder die Zuverlässigkeit des Anschlusselements zu verbessern.
  • Die elektrisch leitenden Anschlusselemente sind dazu vorgesehen, mit einem Bonddraht versehen zu werden oder als Lötpad für eine externe elektrische Kontaktierung zu dienen.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das elektrisch leitende Anschlusselement ein Leiterbahnelement und ein Kontaktelement auf oder besteht aus einem Leiterbahnelement und einem Kontaktelement. Das Kontaktelement kann hierbei beispielsweise teilweise gemäß einem Rechteck ausgebildet sein, während das Leiterbahnelement beispielsweise linienförmig ausgebildet ist. Das linienförmige Leiterbahnelement erstreckt sich hierbei bevorzugt aus einer Ecke des rechteckigen Kontaktelements. Gemäß einer Ausführungsform ist das Leiterbahnelement gemäß einem Kreisbogen ausgebildet. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Anschlusselement ein weiteres Leiterbahnelement auf, das sich bevorzugt aus der gleichen Ecke des rechteckigen Kontaktelements entgegengesetzt zu dem anderen Leiterbahnelement erstreckt.
  • Besonders bevorzugt werden die elektrisch leitenden Anschlusselemente mit einem Pick-and-Place-Prozess auf den flüssigen Fügestoff aufgebracht. Bei einem Pick-and-Place-Prozess werden die zu verarbeitenden Elemente, wie beispielsweise die Anschlusselemente, durch ein mechanisches Positioniersystem von einem Hilfsträger abgenommen, etwa mit einem Roboterarm, und automatisch auf das aufzubringende Element, wie vorliegend den Träger mit dem flüssigen Fügestoff, aufgesetzt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird zumindest eine zusätzliche Leiterbahn auf die erste Hauptfläche des Trägers aufgebracht. Bevorzugt wird die zusätzliche Leiterbahn mittels Dispensen oder Drucken auf die erste Hauptfläche des Trägers aufgebracht. Dies bietet die Möglichkeit, beliebige Geometrien für die zusätzliche Leiterbahn einfach und kostengünstig realisieren zu können. Besonders bevorzugt ist die zusätzliche Leiterbahn im Unterschied zu den elektrischen Anschlusselementen nicht dazu geeignet, als Bonddrahtfläche oder als Lötpad genutzt zu werden. Beispielsweise umfasst die zusätzliche Leiterbahn einen Kunststoff, so dass die zusätzliche Leiterbahn in der Regel nicht bondfähig und/oder lötfähig ist. Allerdings ist dies in der Regel kostengünstiger.
  • Beispielsweise ist die zusätzliche Leiterbahn aus einem Harz, gebildet, das mit elektrisch leitfähigen Partikeln gefüllt ist. Bei dem Harz kann es sich um Epoxid oder Silikon handeln.
  • Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird ein flüssiges Material auf die erste Hauptfläche des Trägers aufgebracht, das später die zusätzliche Leiterbahn ausbildet. Dann wird eine ESD-Schutzdiode in das flüssige Material eingesetzt und das flüssige Material ausgehärtet, sodass die fertige zusätzliche Leiterbahn entsteht. Gleichzeitig wird beim Aushärten der zusätzlichen Leiterbahn die ESD-Schutzdiode mechanisch stabil auf dem Träger befestigt und elektrisch kontaktiert. Auf diese Art und Weise kann eine ESD-Schutzdiode besonders einfach auf dem Anschlussträger integriert werden. Mit Vorteil ist bei dieser Ausführungsform des Verfahrens ein weiterer Klebeschritt nur zur Befestigung der ESD-Schutzdiode überflüssig. Weiterhin ist die elektrische Kontaktierung der ESD-Schutzdiode über eine gedruckte oder durch Dispensen aufgebrachte Leiterbahn möglich, da der eher höhere ohmsche Widerstand einer solchen Leiterbahn von untergeordneter Bedeutung ist, da von der ESD-Schutzdiode in der Regel nur geringe Stromstärken bei hohen Spannungen abfließen müssen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens verbindet die zusätzliche Leiterbahn zwei direkt benachbarte Anschlusselemente elektrisch leitend miteinander. Insbesondere vergleichsweise kleine Abstände zwischen direkt benachbarten Anschlusselementen, von beispielsweise zirka 1 Millimeter, sollen manchmal elektrisch leitfähig überbrückt werden. Dies ist mit der zusätzlichen Leiterbahn, die beispielsweise durch Dispensen oder Drucken aufgebracht wird, einfach möglich. Durch ein Verbinden zweier direkt benachbarter Anschlusselemente kann eine elektrische Verschaltung modifiziert werden. Weiterhin ist es auch möglich auf diese Art und Weise komplexe Geometrien kostengünstig herzustellen.
  • Ein Anschlussträger weist einen Träger und zumindest ein elektrisch leitendes Anschlusselement auf, das auf eine erste Hauptfläche des Trägers mit einem ausgehärten Fügestoff aufgeklebt ist. Der ausgehärtete Fügestoff bildet bevorzugt eine Fügeschicht aus und steht besonders bevorzugt in direktem Kontakt mit der ersten Hauptfläche des Trägers und in direktem Kontakt mit dem Anschlusselement. Mit anderen Worten weist der Anschlussträger eine Schichtenfolge Substrat/ausgehärteter Fügestoff/elektrisches Anschlusselement auf. Im Unterschied zu dem in der Druckschrift DE 10 2015 107 657 A1 verwendeten Isolationsbands zur Verbindung zwischen Anschlusselement und Träger wird bei dem vorliegenden Anschlussträger ein ausgehärteter Fügestoff verwendet, der vor dem Aushärten in flüssiger Form vorliegt. Ein derartiger Fügestoff weist gegenüber einem Klebeband den Vorteil auf, in beliebigen Bereichen auf die Hauptfläche aufgebracht zu werden. Eine Einschränkung auf einen bandförmigen Bereich liegt nicht vor.
  • Weiterhin sind gerade selbstklebende Schichten, wie sie häufig in Klebebändern Verwendung finden, oft nicht ausreichend stabil gegenüber Licht, insbesondere gegenüber blauem Licht. Daher verfärben sich Klebebänder beim Betrieb eines optoelektronischen Bauelements häufig und werden beispielsweise braun. Ausgehärtete Fügestoffe, beispielsweise auf Silikonbasis, weisen hingegen in der Regel eine deutlich bessere Stabilität gegenüber Licht, insbesondere gegenüber blauem Licht, auf.
  • Bevorzugt bildet der ausgehärtete Fügestoff eine Fügeschicht aus, die den Bereich zwischen Anschlusselement und Träger vollständig ausfüllt. Besonders bevorzugt ist die Fügeschicht nur durch Fügestoff und gegebenenfalls etwaige Füllpartikel gebildet. Der Fügestoff liegt vor dem Aushärten vollständig in flüssiger Form vor. Insbesondere ist die Fügeschicht frei von Elementen mit einer großflächigen Bandstruktur, die nicht zur mechanischen Verbindung des Anschlusselements und des Trägers beitragen.
  • Die Verwendung eines ausgehärteten Fügestoffs, der vor dem Aushärten in vollständig flüssiger Form vorliegt, weist gegenüber einem Klebeband den Vorteil auf, flexible Designs zu ermöglichen. Insbesondere können erforderliche Kriechstrecken problemlos eingehalten werden. Außerdem können Bereiche der ersten Hauptfläche ohne zusätzliche Arbeitsschritte elektrisch isolierend ausgebildet werden, indem diese ebenfalls mit Fügestoff beschichtet und ausgehärtet werden. Insbesondere kleben offenliegende Bereiche der Hauptfläche, die mit dem Fügestoff versehen sind, nach Fertigstellung des Anschlussträgers nicht mehr, da hier der Fügestoff automatisch mit ausgehärtet wird. Im Unterschied hierzu müssen freiliegende Flächen eines Klebebands in einem separaten Arbeitsschritt verglast oder abgedeckt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist die erste Hauptfläche des Trägers einen Chipmontagebereich auf, wobei das mindestens eine elektrische Anschlusselement außerhalb des Chipmontagebereichs angeordnet ist. Beispielsweise ist der Chipmontagebereich zentriert auf der ersten Hauptfläche des Trägers angeordnet. Der Chipmontagebereich kann rund, etwa kreisförmig, ausgebildet sein. Beispielsweise weist die erste Hauptfläche des Trägers eine rechteckige Form auf, in deren Mitte eine kreisförmige Chipmontagefläche angeordnet ist, während sich die Anschlusselemente in zwei gegenüberliegenden Ecken der rechteckigen ersten Hauptfläche des Trägers befinden. Hierbei ist bevorzugt ein Bereich der ersten Hauptfläche entlang dem Rand der ersten Hauptfläche vollständig frei von einem Anschlusselement.
  • Beispielsweise ist der Chipmontagebereich kreisförmig ausgebildet und das Leiterbahnelement des elektrischen Anschlusselements verläuft bogenförmig entlang eines Randbereiches des Chipmontagebereichs. Der Kontaktbereich des Anschlusselements erstreckt sich hierbei bevorzugt weg von dem Chipmontagebereich.
  • Gemäß einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die erste Hauptfläche des Trägers außerhalb des Chipmontagebereichs vollständig mit einer Schicht des ausgehärteten Fügestoffs bedeckt. Alternativ ist es auch möglich, dass die erste Hauptfläche des Trägers lediglich unter dem elektrischen Anschlusselement vollständig mit der Schicht des ausgehärteten Fügestoffs bedeckt ist, während der restliche Teil der ersten Hauptfläche des Trägers frei von dem ausgehärten Fügestoff ist.
  • Besonders bevorzugt ist bei dieser Ausführungsform des Anschlussträgers weiterhin ein Bereich umlaufend um das Anschlusselement vollständig mit der Schicht des ausgehärteten Fügestoffs bedeckt. Der Bereich umlaufend um das Anschlusselement weist besonders bevorzugt eine konstante Breite auf. Besonders bevorzugt weist der Bereich eine Breite zwischen einschließlich 0,5 Millimeter und einschließlich 2,5 Millimeter auf. Beispielsweise ist dieser Bereich zirka 1 Millimeter breit.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Anschlussträgers ist dessen erste Hauptfläche in vier Quadranten einteilbar, wobei zwei sich diagonal gegenüberliegende Quadranten frei von elektrisch leitfähigen Strukturen sind, die von außen frei zugänglich sind. Besonders bevorzugt weist die erste Hauptfläche des Trägers bei dieser Ausführungsform des Anschlussträgers eine rechteckige Form auf. Diese Geometrie des Anschlussträgers weist den Vorteil auf, dass sie konform mit der Zhaga-Richtlinie ist. Insbesondere kann eine derartige Geometrie besonders einfach weiterverarbeitet werden. Weiterhin ist es möglich, dass die Quadranten, die frei sind von freiliegenden elektrisch leitfähigen Strukturen, jeweils ein Bohrloch aufweisen. Besonders bevorzugt sind derartige Bohrlöcher in zwei gegenüberliegenden Ecken des Anschlussträgers angeordnet.
  • Besonders bevorzugt ist der Anschlussträger dazu geeignet, in einem optoelektronischen Bauelement verwendet zu werden.
  • Das optoelektronische Bauelement umfasst einen Anschlussträger, wie er hier bereits beschrieben ist und mindestens einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip ist auf dem Chipmontagebereich angeordnet und elektrisch leitend mit dem elektrischen Anschlusselement verbunden.
  • Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst dieses eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, die beispielsweise entlang parallel ausgerichteter Linien innerhalb des Chipmontagebereichs angeordnet sind. Besonders bevorzugt sind die Halbleiterchips einer Reihe miteinander über Bonddrähte vorderseitig elektrisch kontaktiert. Die jeweils äußersten strahlungsemittierenden Halbleiterchips einer Reihe sind hierbei entweder direkt mit dem elektrischen Anschlusselement über einen Bonddraht elektrisch leitend kontaktiert oder mit einer entsprechenden Leiterbahn, die elektrisch leitend mit dem elektrischen Anschlusselement verbunden ist.
  • Beispielsweise ist das elektrische Anschlusselement aus einem Kontaktelement und einem Leiterbahnelement gebildet, wie bereits beschrieben. In diesem Fall sind die äußersten Halbleiterchips einer Reihe jeweils besonders bevorzugt mit einem Drahtbond elektrisch leitend mit dem Leiterbahnelement verbunden, während das Kontaktelement zur externen elektrischen Kontaktierung vorgesehen ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst dieses weiterhin einen Damm, der den Chipmontagebereich begrenzt. Beispielsweise verläuft der Damm vollständig auf der Begrenzung des Chipmontagebereichs. Das elektrische Anschlusselement ist bevorzugt teilweise von dem Damm überdeckt und teilweise frei zugänglich.
  • Beispielsweise ist der Damm rund oder kreisförmig ausgebildet und umschließt den Chipmontagebereich vollständig. Der Damm kann aus einem weißen Silikon gefertigt sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement eine ESD-Schutzdiode. Besonders bevorzugt ist die ESD-Schutzdiode vollständig von dem Damm bedeckt. Beispielsweise ist die ESD-Schutzdiode mit einer zusätzlichen Leiterbahn elektrisch leitend mit dem elektrischen Anschlusselement verbunden. Beispielsweise ist die zusätzliche Leiterbahn, die die ESD-Schutzdiode mit dem elektrischen Anschlusselement verbindet, vollständig von dem Damm bedeckt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement ein Konversionselement. Das Konversionselement ist dazu geeignet, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.
  • Beispielsweise ist das Konversionselement ein Silikon, das mit Leuchtstoffpartikeln versehen ist, die dem Konversionselement die wellenlängenkonvertierenden Eigenschaften verleihen. Bevorzugt füllt das Konversionselement den Chipmontagebereich vollständig aus und umschließt den Halbleiterchip oder auch alle Halbleiterchips vollständig. Ist der Halbleiterchip mittels eines Bonddrahts elektrisch kontaktiert, so bedeckt das Konversionselement besonders bevorzugt den Bonddraht vollständig.
  • Zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird gemäß einer Ausführungsform zunächst ein Anschlussträger gefertigt wie bereits beschrieben. Auf den fertigen Anschlussträger wird dann zumindest ein strahlungsemittierender Halbleiterchip auf dem Chipmontagebereich befestigt. Es kann ein Konversionselement über oder auf dem Chipmontagebereich angeordnet werden, etwa unter Verwendung eines Dammes. Bei der Verwendung eines Dammes wird dieser um den Chipmontagebereich aufgebracht und mit einem flüssigen Konversionsmaterial, beispielsweise durch Dispensen, gefüllt. Das Konversionsmaterial wird dann ausgehärtet, so dass das fertige Konversionselement entsteht. Alternativ ist es auch möglich, dass das Konversionsmaterial durch Drucken aufgebracht wird. Hierbei kann mit Vorteil auf den Damm zur lokalen Begrenzung des Konversionsmaterials auf den Chipmontagebereich verzichtet werden.
  • Bei einer besonders bevorzugten alternativen Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird nicht zunächst der Anschlussträger fertiggestellt und dann die weiteren Elemente des Bauelements, wie beispielsweise die strahlungsemittierenden Halbleiterchips oder das Konversionselement, montiert. Vielmehr laufen zumindest einige der Schritte zur Herstellung des Anschlussträgers und der Verarbeitung weiterer Elemente bevorzugt parallel ab. Im Folgenden wird eine Ausführungsform dieses Verfahrens näher beschrieben.
  • Bei dem Verfahren wird ein Träger mit einer ersten Hauptfläche, die einen Chipmontagebereich aufweist, bereitgestellt. Dann wird auf die erste Hauptfläche des Trägers außerhalb des Chipmontagebereichs ein flüssiger Fügestoff aufgebracht. Auf den flüssigen Fügestoff wird dann mindestens ein elektrisch leitendes Anschlusselement aufgebracht. Schließlich wird ein weiterer flüssiger Fügestoff auf den Chipmontagebereich aufgebracht. Hierbei liegt der erste flüssige Fügestoff immer noch in flüssiger Form vor und ist noch nicht ausgehärtet worden. Dann wird zumindest ein strahlungsemittierender Halbleiterchip auf dem weiteren flüssigen Fügestoff aufgebracht und die beiden Fügestoffe parallel in einem Schritt ausgehärtet.
  • Beispielsweise können die beiden Fügestoffe gleichzeitig durch Erwärmen ausgehärtet werden. Der weitere Fügestoff kann sich hierbei von dem ersten Fügestoff unterscheiden. So kann zur Montage der Halbleiterchips ein Fügestoff mit sehr guten optischen Eigenschaften und Stabilität gewählt werden, der jedoch in der Regel vergleichsweise teuer ist. Zur Montage der Kontaktelemente kann in der Regel ein anderer kostengünstigerer Fügestoff verwendet werden, da dieser nicht so hohen Anforderungen genügen muss.
  • Bei diesem Verfahren können der Halbleiterchip und die elektrischen Anschlusselemente besonders bevorzugt ebenfalls parallel aufgebracht werden, beispielsweise mittels einem parallel durchgeführten Pick-and-Place-Prozess. Hierbei arbeiten beispielsweise mindestens zwei Pick-and-Place-Roboter an einem gemeinsamen Bauelement. So kann ein Pick-and-Place-Roboter die Halbleiterchips aufsetzen und ein weitere Pick-and-Place-Roboter die Anschlusselemente.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens wird der zumindest eine Halbleiterchip elektrisch leitend mittels einem Bonddraht mit dem elektrisch leitenden Anschlusselement verbunden und ein Damm um den Chipmontagebereich ausgebildet, der den Bonddraht bedeckt. In den Damm kann dann ein flüssiges Konversionsmaterial eingebracht und zu einem Konversionselement ausgehärtet werden. Alternativ ist es auch möglich, das Konversionselement mittels Drucken auf den Chipmontagebereich aufzubringen.
  • Merkmale und Ausführungsformen, die vorliegend nur in Zusammenhang mit einem Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers beschrieben sind, können auch bei dem Anschlussträger selber, dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements oder dem optoelektronischen Bauelement realisiert werden. Dies gilt sinngemäß ebenfalls für Merkmale und Ausführungsformen, die vorliegend nur in Zusammenhang mit dem Anschlussträger selber, dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements oder dem optoelektronischen Bauelement offenbart sind.
  • Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispielen.
    • Anhand der schematischen Draufsichten der 1 bis 3 wird ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel näher erläutert.
    • Anhand der schematischen Draufsichten der 4 und 5 wird ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Herstellung eines Anschlussträgers näher erläutert.
    • Die 6 und 7 zeigen jeweils eine schematische Draufsicht auf ein optoelektronisches Bauelement gemäß einem Ausführungsbeispiel.
    • Die 8 und 9 zeigen jeweils eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß zweier weiterer Ausführungsbeispiele.
    • Anhand der schematischen Schnittdarstellungen der 10 bis 13 wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel näher beschrieben.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 1 bis 3 wird zunächst ein Träger 1 mit einer ersten Hauptfläche bereitgestellt. Die erste Hauptfläche des Trägers 1 ist hierbei hochreflektierend mit einer Reflektivität von mindestens 80 % ausgebildet. Der Träger 1 umfasst ein Aluminiumsubstrat mit einer Silberschicht, auf der sich ein weiteres dielektrisches Schichtsystem befindet.
  • Der Träger 1 weist auf der ersten Hauptfläche einen Chipmontagebereich 2 auf. Der Chipmontagebereich 2 ist vorliegend kreisförmig ausgebildet und mittig auf der rechteckigen ersten Hauptfläche angeordnet (1).
  • In einem nächsten Schritt wird auf die erste Hauptfläche des Trägers 1 außerhalb des Chipmontagebereiches 2 vollflächig ein flüssiger Fügestoff 3, beispielsweise ein Klebstoff, aufgebracht (2). Das Aufbringen des Fügestoffs 3 auf den Träger 1 kann beispielsweise mittels Dispensen oder Drucken erfolgen.
  • Der Fügestoff 3 ist beispielsweise ein Klebstoff auf Basis von Silikon oder Epoxidharz, in das elektrisch isolierende Partikel eingebracht sind (nicht dargestellt). Bei den elektrisch isolierenden Partikeln kann es sich beispielsweise um Glaspartikel handeln.
  • In einem nächsten Schritt, der schematisch in 3 dargestellt ist, werden elektrisch leitende Anschlusselemente 4 auf die flüssige Fügeschicht aufgesetzt, beispielsweise mittels einem Pick-and-Place-Prozess.
  • Vorliegend sind die elektrisch leitenden Anschlusselemente 4 aus einem Metall gefertigt. Die elektrisch leitenden Anschlusselemente 4 weisen hierbei ein Kontaktelement 5 auf, das zumindest teilweise rechteckig ausgebildet ist. Weiterhin weist jedes Anschlusselement 4 ein Leiterbahnenelement 6 auf, das bogenförmig ausgebildet ist und sich aus einer Ecke des Kontaktelements 5 erstreckt.
  • Die Anschlusselemente 4 sind jeweils derart auf dem Träger 1 angeordnet, dass ihr Leiterbahnelement 6 jeweils entlang eines Teilbereiches des kreisförmigen Randes der Chipmontagefläche 2 verläuft.
  • Die Kontaktelemente 5 der Anschlusselemente 4 sind vorliegend derart ausgebildet und ausgerichtet, dass zwei Seiten ihrer ebenfalls rechteckigen Form im Wesentlichen parallel zu jeweils einer Ecke des rechteckigen Trägers 1 verlaufen.
  • Die Hauptfläche des Trägers 1 lässt sich vorliegend in vier Quadranten einteilen, wie schematisch durch die gestrichelten Linien in 3 dargestellt. Die elektrischen Kontaktelemente 5 sind bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel innerhalb sich diagonal gegenüberliegenden Quadranten angeordnet, während die übrigen Quadranten frei sind von elektrischen Kontaktelementen 5.
  • Zum Schluss wird der flüssige Fügestoff 3 ausgehärtet, sodass eine mechanisch stabile Fügeschicht aus dem flüssigen Fügestoff 3 entsteht. Die Fügeschicht bildet eine stoffschlüssige und mechanisch stabile Verbindung der Anschlusselemente 4 mit der ersten Hauptfläche des Trägers 1 aus. Aufgrund der Partikel in dem Fügestoff 3 bildet sich eine möglichst einheitliche Dicke der Fügeschicht zwischen Anschlusselement 4 und Träger 1 aus, die durch den Durchmesser der Partikel bestimmt wird. Die elektrisch isolierenden Partikel in der Fügeschicht erhöhen weiterhin die mechanische Stabilität der Fügeschicht und ebenso die Durchschlagsfestigkeit der Fügeschicht.
  • Bei dem Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 4 und 5 wird zunächst wiederum ein Träger 1 bereitgestellt, wie er anhand von 1 bereits beschrieben wurde (nicht dargestellt). Auf die erste Hauptfläche des Trägers 1 wird nun ebenfalls ein flüssiger Fügestoff 3 aufgebracht. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der 1 bis 3 wird der Fügestoff 3 jedoch in der Form der Anschlusselemente 4 aufgebracht, die bevorzugt gegenüber dem Anschlusselement 4 etwas vergrößert ist. Die übrige Fläche der ersten Hauptseite des Trägers 1 ist bevorzugt frei von dem Fügestoff 3.
  • In einem nächsten Schritt, der schematisch in 5 dargestellt ist, wird auf den flüssigen Fügestoff 3 jeweils ein elektrisch leitendes Anschlusselement 4 aufgesetzt. Hierbei entsteht umlaufend um das Anschlusselement 4 ein Bereich einer möglichst einheitlichen Breite, der ebenfalls mit dem flüssigen Fügestoff 3 bedeckt ist.
  • In einem nächsten Schritt, der vorliegend nicht dargestellt ist, wird der Fügestoff 3 ausgehärtet und es entsteht wiederum eine stoffschlüssige und mechanisch feste Verbindung zwischen dem Anschlusselement 4 und der ersten Hauptfläche des Trägers 1.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 weist einen Anschlussträger auf, wie er beispielsweise anhand der 3 oder auch der 5 bereits beschrieben wurde. Der Anschlussträger umfasst einen Träger 1 und zwei elektrische Anschlusselemente 4, die in zwei diagonal gegenüberliegenden Ecken des rechteckigen Trägers 1 positioniert sind. Jedes Anschlusselement 4 weist ein Kontaktelement 5 und ein Leiterbahnelement 6 auf. Die Leiterbahnelemente 6 der elektrisch leitenden Anschlusselemente 4 erstrecken sich entlang einer kreisförmigen Begrenzung eines Chipmontagebereichs 2 der ersten Hauptfläche des Trägers 1.
  • Auf dem Chipmontagebereich 2 ist eine Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips 7 angeordnet. Die Halbleiterchips 7 sind hierbei in mehreren parallel zueinander ausgerichteten Reihen angeordnet, wobei jede Reihe an Halbleiterchips 7 miteinander elektrisch leitend über vorderseitige Bonddrähte verbunden ist. Die äußersten Halbleiterchips 7 einer Reihe sind jeweils mit einem Bonddraht 8 mit dem Leiterbahnelement 6 der Anschlusselemente 4 elektrisch leitend verbunden. Weiterhin umfasst das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 einen Damm 9, der auf der kreisförmigen Umrandung des Chipmontagebereichs 2 angeordnet ist. Der Damm 9 überdeckt hierbei die Leiterbahnelemente 6 der Anschlusselemente 4 vollständig und die Bonddrähte 8 teilweise.
  • Der Damm 9 ist vorliegend aus einem weißen Silikon gebildet. Dies bietet den Vorteil, dass der Damm 9 neben einem Auslaufschutz beim Aufbringen eines Konversionsmaterials zur Formung eines Konversionselements 10 Strahlung der Halbleiterchips 7 im Betrieb des Bauelements reflektiert.
  • Weiterhin ist die Oberfläche des Trägers, die im Bereich der Chipmontagefläche freiliegt, hochreflektierend ausgebildet und reflektiert daher im Betrieb des Bauelements Strahlung der Halbleiterchips. Auch dies erhöht die Effizienz des optoelektronischen Bauelements.
  • Weiterhin kann über der Chipmontagefläche 2 innerhalb des Dammes 9 ein Konversionselement 10 angeordnet sein, das anhand des optoelektronischen Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der 8 näher beschrieben ist.
  • In den diagonal gegenüberliegenden Ecken des rechteckigen Trägers 1, die frei sind von elektrisch leitenden Strukturen, ist je ein Bohrloch 14 angeordnet.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 7 weist im Unterschied zu dem optoelektronischen Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 6 eine ESD-Schutzdiode 11 auf. Die ESD-Schutzdiode 11 ist hierbei vollständig von dem Damm 9 bedeckt. Weiterhin ist die ESD-Schutzdiode 11 auf einer zusätzlichen Leiterbahn 12 aufgebracht, die beispielsweise mittels Drucken oder Dispensen auf der ersten Hauptfläche des Trägers 1 aufgebracht werden kann, und kreisbogenförmig entlang der Begrenzung des Chipmontagebereiches 2 verläuft. Die zusätzliche Leiterbahn 12 ist hierbei elektrisch leitend mit dem Anschlusselement 4 verbunden. Weiterhin ist die ESD-Schutzdiode 11 mittels eines Bonddrahtes 8 elektrisch leitend mit dem weiteren Anschlusselement 4 verbunden.
  • Alternativ zu einer zusätzlichen Leiterbahn 12, die mittels Dispensen oder Drucken auf die erste Hauptfläche des Trägers 1 aufgebracht wird, kann auch das eine Anschlusselement 4 ein weiteres Leiterbahnelement aufweisen, das sich entgegengesetzt zu dem anderen Leiterbahnelement 6 aus einer Ecke des Kontaktelements 5 entlang der kreisförmigen Umrandung des Chipmontagebereichs 3 erstreckt. Hierbei kann die ESD-Schutzdiode 11 durch Kleben auf dem weiteren Leiterbahnelement montiert sein.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 8 weist einen Damm 9 entlang der Begrenzung des Chipmontagebereichs 2 auf. Innerhalb des Chipmontagebereichs 2 ist ein Konversionselement 10 angeordnet, das die Halbleiterchips 7 und ihre vorderseitigen Bonddrähte 8 vollständig umschließt. Das Konversionselement 10 füllt den Bereich innerhalb des Dammes 9 vollständig aus.
  • Das optoelektronische Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der 9 weist im Unterschied zu den Bauelementen gemäß den Ausführungsbeispielen der 6 und 8 keinen Damm 9 um die Chipmontagefläche 2 auf. Vielmehr ist das Volumen, das vorher durch den Damm 9 ausgefüllt war, nun durch das Konversionselement 10 aufgefüllt. Die Halbleiterchips 7 sowie die Bonddrähte 8 sind vollständig in das Konversionselement 10 eingebettet. Auch die Bereiche der Anschlusselemente 4 befinden sich innerhalb des Konversionselements 10, die bei dem Ausführungsbeispiel der 8 durch den Damm 9 bedeckt waren. Beispielweise bedeckt das Konversionselement 10 Leiterbahnelemente 6 der Anschlusselemente 4. Ein derartiges Konversionselement 10 kann beispielsweise mittels Drucken erzeugt werden.
  • Beim Verfahren gemäß dem Ausführungsbeispiel der 10 bis 13 zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird zunächst ein Träger 1 bereitgestellt, der eine hochreflektive erste Hauptfläche aufweist (nicht dargestellt).
  • Auf die erste Hauptfläche des Trägers 1 wird, wie schematisch in 10 dargestellt, ein flüssiger Fügestoff 3 aufgebracht. In einem nächsten Schritt, der schematisch in 11 dargestellt ist, wird zwischen den flüssigen Fügestoff 3 auf dem Chipmontagebereich 2 der ersten Hauptfläche des Trägers 1 ein weiterer flüssiger Fügestoff 13 aufgebracht und zwar auf strukturierte Art und Weise. In einem nächsten Schritt werden nun auf den flüssigen Fügestoff 3 elektrisch leitende Anschlusselemente 4 aufgesetzt ( 12). Hierbei ist der weitere Fügestoff 13 ebenfalls noch in flüssigem Zustand.
  • In einem nächsten Schritt, der schematisch in 13 dargestellt ist, wird auf jedes Strukturelement des weiteren, flüssigen Fügestoffs 13 ein strahlungsemittierender Halbleiterchip 7 aufgesetzt. Nun werden die beiden Fügestoffe 3, 13 in einem gemeinsamen Schritt ausgehärtet.
  • Die Halbleiterchips 7 werden durch Bonddrähte 8 vorderseitig miteinander elektrisch leitend verbunden. Die jeweils äußersten Halbleiterchips 7 werden jeweils mit einem Anschlusselement 4 elektrisch leitend über einen Bonddraht 8 verbunden
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Träger
    2
    Chipmontagebereich
    3
    Fügestoff
    4
    Anschlusselement
    5
    Kontaktelement
    6
    Leiterbahnelement
    7
    Halbleiterchip
    8
    Bonddraht
    9
    Damm
    10
    Konversionselement
    11
    ESD-Schutzdiode
    12
    zusätzliche Leiterbahn
    13
    weiterer Fügestoff
    14
    Bohrloch

Claims (19)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines Trägers (1), der ein Aluminiumsubstrat aufweist, auf das vollflächig eine hochreflektierende Silberschicht aufgebracht ist, die bei einer Wellenlänge von wenigstens 430 Nanometer und höchstens 700 Nanometer eine Reflektivität von mindestens 80% aufweist, - Aufbringen eines flüssigen Fügestoffs (3) auf eine erste Hauptfläche des Trägers (2), - Aufbringen mindestens eines elektrisch leitenden Anschlusselements (4) auf den flüssigen Fügestoff (3), und - Aushärten des Fügestoffs (3).
  2. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem als flüssiger Fügestoff (3) ein Klebstoff verwendet wird, der mit elektrisch isolierenden Partikeln gefüllt ist.
  3. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Partikel einen Durchmesser zwischen einschließlich 2 Mikrometer und einschließlich 100 Mikrometer aufweisen.
  4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem als elektrisch leitende Anschlusselemente (4) Metallstücke verwendet werden.
  5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem zumindest eine zusätzliche Leiterbahn (12) auf die erste Hauptfläche des Trägers (1) aufgebracht wird.
  6. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - ein flüssiges Material auf die erste Hauptfläche des Trägers (1) aufgebracht wird, das später die zusätzliche Leiterbahn (12) ausbildet, - eine ESD-Schutzdiode (11) in das flüssige Material eingesetzt wird, und - das flüssige Material ausgehärtet wird, so dass die zusätzliche Leiterbahn (12) entsteht und die ESD-Schutzdiode (11) mechanisch stabil auf dem Träger (1) befestigt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die zusätzliche Leiterbahn (12) zwei direkt benachbarte Anschlusselemente (4) elektrisch leitend miteinander verbindet.
  8. Anschlussträger mit: - einem Träger (1), der ein Aluminiumsubstrat aufweist, auf das vollflächig eine hochreflektierende Silberschicht aufgebracht ist, die bei einer Wellenlänge von wenigstens 430 Nanometer und höchstens 700 Nanometer eine Reflektivität von mindestens 80% aufweist, - zumindest einem elektrisch leitenden Anschlusselement (4), das auf eine erste Hauptfläche des Trägers (1) mit einem ausgehärteten Fügestoff (3) aufgeklebt ist, wobei der ausgehärtete Fügestoff (3) in direktem Kontakt mit der ersten Hauptfläche des Trägers (1) und in direktem Kontakt mit dem Anschlusselement (4) steht.
  9. Anschlussträger nach dem vorherigen Anspruch, der einen Chipmontagebereich (2) auf der ersten Hauptfläche des Trägers (1) aufweist, wobei das mindestens eine elektrische Anschlusselement (4) außerhalb des Chipmontagebereichs (2) angeordnet ist.
  10. Anschlussträger nach einem der Ansprüche 8 bis 9, bei dem die erste Hauptfläche des Trägers (1) außerhalb des Chipmontagebereichs (2) vollständig mit einer Schicht des ausgehärteten Fügestoffs bedeckt ist.
  11. Anschlussträger nach einem der Ansprüche 8 bis 9, bei dem die erste Hauptfläche des Trägers (1) lediglich unter dem elektrischen Anschlusselement (4) und innerhalb eines Bereiches umlaufend um das Anschlusselement (4) vollständig mit der Schicht des ausgehärteten Fügestoffs (3) bedeckt ist und der restliche Teil der ersten Hauptfläche des Trägers (1) frei ist von dem ausgehärteten Fügestoff (3).
  12. Anschlussträger nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dessen Hauptfläche in vier Quadranten einteilbar ist und zwei sich diagonal gegenüberliegende Quadranten frei von elektrisch leitenden Strukturen sind, die von außen frei zugänglich sind.
  13. Anschlussträger nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die Quadranten, die frei sind von freiliegenden elektrisch leitenden Strukturen, jeweils ein Bohrloch aufweisen.
  14. Optoelektronisches Bauelement mit: - einem Anschlussträger nach einem der Ansprüche 8 bis 13, und - mindestens einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7), der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs auszusenden, und der auf dem Chipmontagebereich (2) angeordnet ist und elektrisch leitend mit dem elektrischen Anschlusselement (4) verbunden ist.
  15. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorherigen Anspruch mit einem Damm (9), der den Chipmontagebereich (2) begrenzt, wobei das zumindest eine elektrische Anschlusselement (4) teilweise von dem Damm (9) überdeckt ist und teilweise frei zugänglich ist.
  16. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorherigen Anspruch, das weiterhin eine ESD-Schutzdiode (11) umfasst, die vollständig von dem Damm (9) bedeckt ist.
  17. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 15 bis 16, wobei der Chipmontagebereich (2) mit einem Konversionselement (10) gefüllt ist, das dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.
  18. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem der Ansprüche 14 bis 17 mit den Schritten: - Bereitstellen eines Trägers (1) mit einer ersten Hauptfläche, die einen Chipmontagebereich (2) aufweist, - Aufbringen eines flüssigen Fügestoffs (3) auf die erste Hauptfläche des Trägers (1) außerhalb des Chipmontagebereichs (2), - Aufbringen mindestens eines elektrisch leitenden Anschlusselements (4) auf den flüssigen Fügestoff (3), - Aufbringen eines weiteren flüssigen Fügestoffs (13) auf den Chipmontagebereich (2), - Aufbringen zumindest von zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (7) auf den weiteren flüssigen Fügestoff (13), und - Aushärten der beiden Fügestoffe (3, 13) in einem Schritt.
  19. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem - der zumindest eine Halbleiterchip (7) elektrisch mittels einem Bonddraht (8) elektrisch leitend mit dem elektrisch leitenden Anschlusselement (4) verbunden wird, und - ein Damm (9) um den Chipmontagebereich (2) ausgebildet wird, der den Bonddraht (8) bedeckt.
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