DE102015221972A1 - Contacting arrangement for a printed circuit board substrate and method for contacting a printed circuit board substrate - Google Patents

Contacting arrangement for a printed circuit board substrate and method for contacting a printed circuit board substrate Download PDF

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Mario Leschik
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Kontaktieranordnung (1A) für ein Leiterplattensubstrat (20, 20A) mit mindestens einem, einen ersten Kontaktbereich (12 12A) aufweisenden Anschlussdraht (10A), welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich (32) einer Metalllage (30, 30A) des Leiterplattensubstrats (20, 20A) elektrisch kontaktiert ist, sowie ein Verfahren zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats (20, 20A), wobei eine Laserschweißverbindung die elektrische Kontaktierung (5A) zwischen dem ersten Kontaktbereich (12) und dem zweiten Kontaktbereich (32) ausbildet. Hierbei ist mindestens eine Aussparung (26, 26A) in das Leiterplattensubstrat (20, 20A) eingebracht, welche einen Zugang zur Metalllage (30, 30A) im Bereich des zweiten Kontaktbereichs (32) ausbildet.The invention relates to a contacting arrangement (1A) for a printed circuit board substrate (20, 20A) having at least one connection wire (10A) having a first contact region (12 12A) and having a corresponding second contact region (32) of a metal layer (30, 30A) of the Printed circuit board substrate (20, 20A) is electrically contacted, and a method for contacting a printed circuit board substrate (20, 20A), wherein a laser welding connection, the electrical contact (5A) between the first contact region (12) and the second contact region (32) is formed. In this case, at least one recess (26, 26A) is introduced into the printed circuit board substrate (20, 20A), which forms an access to the metal layer (30, 30A) in the region of the second contact region (32).

Description

Die Erfindung geht aus von einer Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat oder einem Verfahren zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats nach Gattung der unabhängigen Patentansprüche 1 oder 9.The invention is based on a contacting arrangement for a printed circuit substrate or a method for contacting a printed circuit substrate according to the preamble of the independent claims 1 or 9.

Die Verbindungstechnik von keramischen Leistungssubstraten, wie beispielsweise DBC-Substrate (Direct Bonded Copper), Aluminiumnitritsubstrate oder Siliziumnitritsubstrate mit mindestens einer Metalllage an die Umgebung erfolgt in der Regel durch Bond- oder Bändchenverbindungen. Zudem können Stanzgitter mittels Laserschweißen mit der mindestens einen Metalllage des keramischen Leistungssubstrats verbunden werden, wobei der Laserstrahl zur Herstellung der elektrischen Kontaktierung von oben auf den korrespondierenden Anschlussbereich gerichtet wird. Bei bedruckten Leiterplattensubstraten, wie beispielsweise PCB-, HDI-PCB- oder Hochstrom-PCB-Substraten erfolgt die externe Kontaktierung beispielsweise durch Löten, Einpressen oder Schrauben.The bonding technology of ceramic power substrates, such as DBC substrates (Direct Bonded Copper), Aluminiumnitritsubstrate or Siliziumnitritsubstrate with at least one metal layer to the environment is usually done by bonding or ribbon connections. In addition, lead frames can be connected to the at least one metal layer of the ceramic power substrate by means of laser welding, the laser beam being directed from above onto the corresponding connection area for producing the electrical contact. In printed circuit substrate, such as PCB, HDI PCB or high-current PCB substrates, the external contacting is done for example by soldering, pressing or screws.

Aus der DE 10 2012 213 567 A1 ist ein Verfahren zum Verbinden eines Anschlusselements mit einer Metallisierung und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls bekannt. Hierbei wird zunächst eine Ultraschallheftung zwischen dem Anschlusselement und der Metallisierung hergestellt. Danach wird das Anschlusselement mit der Metallisierung verschweißt.From the DE 10 2012 213 567 A1 For example, a method of connecting a terminal to a metallization and a method of manufacturing a semiconductor module are known. In this case, an ultrasonic stapling is first produced between the connection element and the metallization. Thereafter, the connection element is welded to the metallization.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 und das Verfahren zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 7 haben den Vorteil, dass durch die Nutzung von Aussparungen in Leiterplattensubstraten, welche beispielsweise als Bohrungen ausgeführt sind, eine beidseitige Zugänglichkeit der mindestens einen Metalllage möglich ist. Somit kann der Energieeintrag durch den Laserstrahl auf der dem Anschlussdraht gegenüberliegenden Oberfläche der Metalllage des Leiterplattensubstrats erfolgen.The Kontaktieranordnung for a printed circuit board substrate with the features of independent claim 1 and the method for contacting a printed circuit board substrate with the features of independent claim 7 have the advantage that through the use of recesses in printed circuit board substrates, which are designed for example as bores, a two-sided accessibility of at least one metal layer is possible. Thus, the energy input can be made by the laser beam on the opposite surface of the lead wire of the metal layer of the printed circuit board substrate.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung stellen eine Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat zur Verfügung, welche mindestens einen, einen ersten Kontaktbereich aufweisenden Anschlussdraht umfasst, welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich einer Metalllage des Leiterplattensubstrats elektrisch kontaktiert ist, wobei eine Laserschweißverbindung die elektrische Kontaktierung zwischen dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich ausbildet Hierbei ist mindestens eine Aussparung in das Leiterplattensubstrat eingebracht, welche einen Zugang zur Metalllage im Bereich des zweiten Kontaktbereichs ausbildet.Embodiments of the present invention provide a printed circuit board contacting assembly comprising at least one lead wire having a first contact region electrically contacted with a corresponding second contact region of a metal layer of the printed circuit board substrate, wherein a laser welded joint facilitates electrical contacting between the first contact region and the first contact region In this case, at least one recess is introduced into the printed circuit board substrate, which forms an access to the metal layer in the region of the second contact region.

Des Weiteren wird ein Verfahren zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats mit mindestens einem, einen ersten Kontaktbereich aufweisenden Anschlussdraht vorgeschlagen, welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich einer Metalllage des Leiterplattensubstrats elektrisch kontaktiert wird, wobei mittels eines Laserstrahls die elektrische Kontaktierung zwischen dem ersten Kontaktbereich und dem zweiten Kontaktbereich als Schweißverbindung hergestellt wird. Hierbei wird mindestens eine Aussparung in das Leiterplattensubstrat eingebracht, welche einen Zugang zur Metalllage im Bereich des zweiten Kontaktbereichs ausbildet. Der Laserstrahl bringt die Schweißenergie über eine dem zweiten Kontaktbereich gegenüberliegende Rückseite der Metalllage ein.Furthermore, a method is proposed for contacting a printed circuit board substrate having at least one connecting wire having a first contact region, which is electrically contacted with a corresponding second contact region of a metal layer of the printed circuit board substrate, wherein the electrical contact between the first contact region and the second contact region by means of a laser beam Welded connection is made. In this case, at least one recess is introduced into the printed circuit board substrate, which forms an access to the metal layer in the region of the second contact region. The laser beam applies the welding energy via a rear side of the metal layer opposite the second contact region.

In vorteilhafter Weise muss die Kontaktierung bei Ausführungsformen der Erfindung nicht mehr ausschließlich am Rand des Leiterplattensubstrats erfolgen, sondern kann an beliebiger Stelle im Leiterplattensubstrat erfolgen. Das Leiterplattensubstrat kann beispielsweise als ein- oder mehrlagiges Keramiksubstrat, wie beispielsweise LTCC-, HTCC-, und/oder Aluminiumoxidkeramik, oder als ein- oder mehrlagige bedruckte Leiterplatte, wie beispielsweise PCB, HDI-PCB, Hochstrom-PCB, ausgebildet werden. Des Weiteren kann der erste Kontaktbereich der Anschlussdrähte auch spitz, stumpf oder anders geformt und somit platzsparend angeschweißt werden, so dass kleinere Flächen auf dem Leiterplattensubstrat für den zweiten Kontaktbereich zur Verfügung gestellt werden können. Die Anschlussdrähte können beispielsweise als Teil eines Stanzgitters und/oder als Metalldraht und/oder als isolierter Draht und/oder als lackierter Draht ausgeführt werden.In an advantageous manner, the contacting in embodiments of the invention no longer has to take place exclusively at the edge of the printed circuit board substrate, but can take place at any point in the printed circuit board substrate. The printed circuit board substrate may be formed, for example, as a single- or multi-layer ceramic substrate, such as LTCC, HTCC, and / or alumina ceramics, or as a single or multi-layer printed circuit board, such as PCB, HDI PCB, high current PCB. Furthermore, the first contact region of the connecting wires can also be pointed, blunt or otherwise shaped and thus welded in a space-saving manner, so that smaller areas can be made available on the printed circuit board substrate for the second contact region. The connecting wires can be designed, for example, as part of a stamped grid and / or as a metal wire and / or as an insulated wire and / or as a painted wire.

Durch das vorgeschlagene Kontaktierungsverfahren kann das Leiterplattensubstrat auch ummoldet werden und wäre somit unkritisch bezüglich der Handhabung. Durch die mögliche direkte Anbindung an den Anschlussdraht kann auf kostenintensive Stanzgitter und/oder Einlegeteile mit speziell präparierten Anschlüssen in vorteilhafter Weise verzichtet werden. Auch wäre die Anbindung an einen Motordraht direkt oder indirekt möglich. Bei der spitzen, stumpfen oder anders geformte Anbindung kann als Anschlussdraht auch ein isolierter und/oder lackierter Draht, wie er beispielsweise bei Transformatoren oder Motorwicklungen verwendet wird, eingesetzt werden.Due to the proposed contacting method, the printed circuit board substrate can also be ummoldet and thus would be uncritical in terms of handling. Due to the possible direct connection to the connecting wire can be dispensed with costly lead frames and / or inserts with specially prepared connections in an advantageous manner. Also, the connection to a motor wire would be possible directly or indirectly. When pointed, blunt or otherwise shaped connection can be used as connecting wire and an insulated and / or painted wire, as used for example in transformers or motor windings.

Durch die in den abhängigen Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen und Weiterbildungen sind vorteilhafte Verbesserungen der im unabhängigen Patentanspruch 1 angegebenen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat und des im unabhängigen Patentanspruch 9 angegebenen Verfahrens zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats möglich.The measures and refinements recited in the dependent claims are advantageous improvements in the independent Claim 1 specified Kontaktieranordnung for a printed circuit board substrate and the method specified in the independent claim 9 for contacting a printed circuit substrate possible.

Besonders vorteilhaft ist, dass die elektrische Kontaktierung an einer dem Leiterplattensubstrat abgewandten Oberfläche der Metalllage ausgebildet werden kann. Das bedeutet, dass der Anschlussdraht mit dem ersten Kontaktbereich von oben an den zweiten Kontaktbereich der Metalllage angelegt werden kann, und der Laserstrahl die Schweißenergie zur Herstellung der Kontaktierung durch die Aussparung von unten in die Metalllage einbringen kann. Alternativ kann die elektrische Kontaktierung an einer der Aussparung zugewandten Oberfläche der Metalllage ausgebildet werden. Das bedeutet, dass der Anschlussdraht mit dem ersten Kontaktbereich durch die Aussparung von unten an den zweiten Kontaktbereich der Metalllage angelegt werden kann, und der Laserstrahl die Schweißenergie zur Herstellung der Kontaktierung von oben in die Metalllage einbringen kann.It is particularly advantageous that the electrical contact can be formed on a side facing away from the printed circuit board substrate surface of the metal layer. This means that the connection wire with the first contact region can be applied from above to the second contact region of the metal layer, and the laser beam can introduce the welding energy into the metal layer from below to make contact with the recess. Alternatively, the electrical contact can be formed on a surface of the metal layer facing the recess. This means that the connection wire with the first contact region can be applied through the recess from below to the second contact region of the metal layer, and the laser beam can bring in the welding energy for producing the contact from above into the metal layer.

In vorteilhafter Ausgestaltung der Kontaktieranordnung kann ein am Ende des Anschlussdrahtes angeordneter Bereich einer Mantelfläche des Anschlussdrahtes den ersten Kontaktbereich ausbilden. Alternativ kann eine Stirnfläche am Ende des Anschlussdrahtes den ersten Kontaktbereich ausbilden. Dadurch ist eine Anpassung der Kontaktieranordnung an verschiedene Einbaubedingungen in vorteilhafter Weise schnell und einfach möglich.In an advantageous embodiment of the contacting arrangement, a region of a lateral surface of the connecting wire arranged at the end of the connecting wire can form the first contact region. Alternatively, an end face at the end of the connecting wire form the first contact region. As a result, an adaptation of the contacting of different installation conditions in an advantageous manner quickly and easily possible.

In vorteilhafter Ausgestaltung der Kontaktieranordnung kann der erste Kontaktbereich an einer Oberseite oder an einer Unterseite des Leiterplattensubstrats ausgebildet werden. Dadurch kann das Leiterplattensubstrat von oben oder von unten kontaktiert werden, so dass die Anpassung an verschiedene Einbaubedingungen weiter vereinfacht werden kann.In an advantageous embodiment of the contacting arrangement, the first contact region can be formed on an upper side or on an underside of the printed circuit substrate. As a result, the printed circuit board substrate can be contacted from above or from below, so that adaptation to different installation conditions can be further simplified.

In weiterer vorteilhafter Ausgestaltung der Kontaktieranordnung kann die Metalllage beispielsweise als äußere Metalllage an einer Oberseite und/oder an einer Unterseite des Leiterplattensubstrats und/oder als innere Metalllage im Leiterplattensubstrat ausgebildet werden.In a further advantageous embodiment of the contacting arrangement, the metal layer may be formed, for example, as an outer metal layer on an upper side and / or on an underside of the printed circuit substrate and / or as an inner metal layer in the printed circuit substrate.

In vorteilhafter Ausgestaltung des Kontaktierverfahrens kann das Ende des Anschlussdrahtes mit dem ersten Kontaktbereich oder der Laserstrahl in die Aussparung eingeführt werden. Das bedeutet, dass der Energieeintrag für die Laserschweißung von der dem Anschlussdraht gegenüberliegenden Leiterplattensubstratseite erfolgen kann.In an advantageous embodiment of the Kontaktierverfahrens the end of the lead wire with the first contact region or the laser beam can be inserted into the recess. This means that the energy input for the laser welding can take place from the printed circuit board substrate side opposite the connecting wire.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. In der Zeichnung bezeichnen gleiche Bezugszeichen Komponenten bzw. Elemente, die gleiche bzw. analoge Funktionen ausführen.Embodiments of the invention are illustrated in the drawings and are explained in more detail in the following description. In the drawing, like reference numerals designate components that perform the same or analog functions.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 zeigt eine schematische Darstellung eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht an einer Oberseite einer äußeren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung durch eine Aussparung von unten über eine Rückseite der Metalllage erfolgt. 1 shows a schematic representation of a first embodiment of a contact arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which a connection wire rests against an upper side of an outer metal layer, and an energy input for the laser welding takes place through a recess from below via a rear side of the metal layer.

2 zeigt eine schematische Darstellung eines zweiten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht an einer Oberseite einer äußeren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung durch eine Aussparung von unten über eine Rückseite der äußeren Metalllage erfolgt. 2 shows a schematic representation of a second embodiment of the contact arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which a connection wire rests against a top of an outer metal layer, and an energy input for the laser welding through a recess from below via a back of the outer metal layer.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines dritten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht durch eine Aussparung von unten an eine Rückseite einer äußeren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung von oben über eine Oberseite der äußeren Metalllage erfolgt. 3 shows a schematic representation of a third embodiment of a contacting arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which a connection wire rests through a recess from below to a rear side of an outer metal layer, and an energy input for the laser welding from above via an upper side of the outer metal layer.

4 zeigt eine schematische Darstellung eines vierten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht durch eine erste Aussparung von unten an einer Rückseite einer inneren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung durch eine zweite Aussparung von oben über eine Oberseite der inneren Metalllage erfolgt. 4 shows a schematic representation of a fourth embodiment of a contacting arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate in which a connecting wire rests through a first recess from below on a rear side of an inner metal layer, and an energy input for the laser welding through a second recess from above via an upper side of the inner metal layer he follows.

5 zeigt eine schematische Darstellung eines fünften Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Energieeintrag für die Laserschweißung durch eine erste Aussparung von unten über eine Rückseite einer inneren Metalllage erfolgt, und ein Anschlussdraht durch eine zweite Aussparung von oben an einer Oberseite der inneren Metalllage anliegt. 5 shows a schematic representation of a fifth embodiment of a contact arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which an energy input for the laser welding by a first Recess from below via a rear side of an inner metal layer, and a lead wire by a second recess from above rests against an upper side of the inner metal layer.

6 zeigt eine schematische Darstellung eines sechsten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht an einer Oberseite einer äußeren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung durch eine Aussparung von unten über eine Rückseite der äußeren Metalllage erfolgt. 6 shows a schematic representation of a sixth embodiment of the contact arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which a connection wire rests against an upper side of an outer metal layer, and an energy input for the laser welding through a recess from below via a back of the outer metal layer.

7 zeigt eine schematische Darstellung eines siebten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung für ein Leiterplattensubstrat, bei welcher ein Anschlussdraht durch eine Aussparung von unten an eine Rückseite einer äußeren Metalllage anliegt, und ein Energieeintrag für die Laserschweißung von oben über eine Oberseite der äußeren Metalllage erfolgt. 7 shows a schematic representation of a seventh embodiment of a contact arrangement according to the invention for a printed circuit board substrate, in which a connection wire rests through a recess from below to a back of an outer metal layer, and an energy input for the laser welding from above via an upper side of the outer metal layer.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

Wie aus 1 bis 7 ersichtlich ist, umfassen die dargestellten Ausführungsbeispiele einer erfindungsgemäßen Kontaktieranordnung 1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G für ein Leiterplattensubstrat 20, 20A, 20B, 20C jeweils mindestens einen, einen ersten Kontaktbereich 12 aufweisenden Anschlussdraht 10A, 10B, welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich 32 einer Metalllage 30, 30A, 30B, 30C des Leiterplattensubstrats 20, 20A, 20B, 20C elektrisch kontaktiert ist. Die elektrische Kontaktierung 5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F, 5G zwischen dem ersten Kontaktbereich 12 und dem zweiten Kontaktbereich 32 bildet eine Laserschweißverbindung aus. Hierbei ist mindestens eine Aussparung 26, 26A, 26B in das Leiterplattensubstrat 20, 20A, 20B, 20C eingebracht, welche einen Zugang zur Metalllage 30, 30A, 30B, 30C im Bereich des zweiten Kontaktbereichs 32 ausbildet.How out 1 to 7 it can be seen, the illustrated embodiments comprise a contact arrangement according to the invention 1A . 1B . 1C . 1D . 1E . 1F . 1G for a printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C at least one, a first contact area 12 having connecting wire 10A . 10B , which with a corresponding second contact area 32 a metal layer 30 . 30A . 30B . 30C of the printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C electrically contacted. The electrical contact 5A . 5B . 5C . 5D . 5E . 5F . 5G between the first contact area 12 and the second contact area 32 forms a laser welding connection. Here is at least one recess 26 . 26A . 26B into the printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C introduced, which gives access to the metal layer 30 . 30A . 30B . 30C in the area of the second contact area 32 formed.

Zum Kontaktieren des Leiterplattensubstrats 20, 20A, 20B, 20C wird mindestens ein, einen ersten Kontaktbereich 12 aufweisenden Anschlussdraht 10A, 10B, mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich 32 einer Metalllage 30, 30A, 30B, 30C des Leiterplattensubstrats 20 elektrisch kontaktiert. Die elektrische Kontaktierung 5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F, 5G zwischen dem ersten Kontaktbereich 12 und dem zweiten Kontaktbereich 32 wird mittels eines Laserstrahls 3A, 3B als Schweißverbindung hergestellt. Hierbei wird mindestens eine Aussparung 26, 26A, 26B in das Leiterplattensubstrat 20, 20A, 20B, 20C eingebracht, welche einen Zugang zur Metalllage 30, 30A, 30B, 30C im Bereich des zweiten Kontaktbereichs 32 ausbildet. Der Laserstrahl 3A, 3B bringt die Schweißenergie über eine dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der Metalllage 30, 30A, 30B, 30C ein.For contacting the printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C becomes at least one, a first contact area 12 having connecting wire 10A . 10B , with a corresponding second contact area 32 a metal layer 30 . 30A . 30B . 30C of the printed circuit board substrate 20 electrically contacted. The electrical contact 5A . 5B . 5C . 5D . 5E . 5F . 5G between the first contact area 12 and the second contact area 32 is by means of a laser beam 3A . 3B produced as a welded joint. This is at least one recess 26 . 26A . 26B into the printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C introduced, which gives access to the metal layer 30 . 30A . 30B . 30C in the area of the second contact area 32 formed. The laser beam 3A . 3B brings the welding energy over a second contact area 32 opposite back 34 the metal layer 30 . 30A . 30B . 30C one.

Das Leiterplattensubstrat 20 kann beispielsweise als ein- oder mehrlagiges Keramiksubstrat 20A oder als ein- oder mehrlagige bedruckte Leiterplatte 20B, 20C ausgebildet werden. Der Anschlussdraht 10A, 10B kann beispielsweise als Teil eines Stanzgitters und/oder als Metalldraht und/oder als isolierter Draht und/oder als lackierter Draht ausgebildet werden.The printed circuit board substrate 20 For example, as a single or multi-layer ceramic substrate 20A or as a single or multi-layer printed circuit board 20B . 20C be formed. The connecting wire 10A . 10B For example, it can be formed as part of a stamped grid and / or as a metal wire and / or as an insulated wire and / or as a painted wire.

Wie aus 1 weiter ersichtlich ist, bildet im dargestellten ersten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1A ein am Ende des Anschlussdrahtes 10A angeordneter Bereich einer Mantelfläche 12A des Anschlussdrahtes 10A den ersten Kontaktbereich 12 aus.How out 1 is further apparent forms in the illustrated first embodiment of the contacting arrangement 1A one at the end of the connecting wire 10A arranged region of a lateral surface 12A of the connecting wire 10A the first contact area 12 out.

Wie aus 1 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten ersten Ausführungsbeispiel an einer, an der Oberseite 22 des Leiterplattensubstrats 20, 20A angeordneten äußeren Metalllage 30A ausgebildet und der Laserstrahl 3A bringt die Schweißenergie durch die korrespondierende Aussparung 26, 26A von unten über eine dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der äußeren Metalllage 30A in die äußere Metalllage 30A ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5A im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer dem Leiterplattensubstrat 20, 20A abgewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A aus. Wie aus 1 weiter ersichtlich ist, durchdringt die Aussparung 26, 26A auch eine an einer Unterseite 24 des Leiterplattensubstrats 20, 20A angeordnete äußere Metalllage 30B. Bei einem alternativen nicht dargestellten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung, kann der zweite Kontaktbereich 32 an der, an der Unterseite 24 des Leiterplattensubstrats 20 angeordneten äußeren Metalllage 30B ausgebildet und entsprechend mit dem ersten Kontaktbereich 12, 12A des Anschlussdrahtes 10A kontaktiert werden.How out 1 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated first embodiment at one, at the top 22 of the printed circuit board substrate 20 . 20A arranged outer metal layer 30A trained and the laser beam 3A brings the welding energy through the corresponding recess 26 . 26A from below via the second contact area 32 opposite back 34 the outer metal layer 30A in the outer metal layer 30A one. This forms the electrical contact 5A in the illustrated embodiment as a laser welding connection to a printed circuit board substrate 20 . 20A remote surface of the outer metal layer 30A out. How out 1 can be seen further penetrates the recess 26 . 26A also one at a bottom 24 of the printed circuit board substrate 20 . 20A arranged outer metal layer 30B , In an alternative embodiment, not illustrated, of the contacting arrangement, the second contact area 32 at the, at the bottom 24 of the printed circuit board substrate 20 arranged outer metal layer 30B formed and corresponding to the first contact area 12 . 12A of the lead wire 10A are contacted.

Wie aus 2 bis 7 weiter ersichtlich ist, bildet in den dargestellten Ausführungsbeispielen der Kontaktieranordnung 1B, 1C, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G jeweils eine am Ende des Anschlussdrahtes 10B angeordnete Stirnfläche 12B den ersten Kontaktbereich 12 aus. Der als Stirnfläche 12B ausgeführte erste Kontaktbereich 12 des Anschlussdrahtes 10B kann beispielsweise spitz, stumpf oder anders geformt und somit platzsparend angeschweißt werden, so dass kleinere Flächen auf dem Leiterplattensubstrat 20, 20A, 20B, 20C für den zweiten Kontaktbereich 32 zur Verfügung gestellt werden können.How out 2 to 7 is further apparent, forms in the illustrated embodiments of the contacting arrangement 1B . 1C . 1C . 1D . 1E . 1F . 1G one at the end of the connecting wire 10B arranged face 12B the first contact area 12 out. The as end face 12B executed first contact area 12 of the connecting wire 10B For example, it can be sharpened, dull or otherwise shaped and thus welded in a space-saving manner, so that smaller areas on the printed circuit board substrate 20 . 20A . 20B . 20C for the second contact area 32 can be made available.

Wie aus 2 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1B analog zum ersten Ausführungsbeispiel an einer, an der Oberseite 22 des Leiterplattensubstrats 20, 20A angeordneten äußeren Metalllage 30A ausgebildet, und der Laserstrahl 3A bringt die Schweißenergie durch die korrespondierende Aussparung 26, 26A von unten über eine dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der äußeren Metalllage 30A in die äußere Metalllage 30A ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5B im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer dem Leiterplattensubstrat 20, 20A abgewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A aus. Wie aus 2 weiter ersichtlich ist, durchdringt die Aussparung 26, 26A auch die an einer Unterseite 24 des Leiterplattensubstrats 20, 20A angeordnete äußere Metalllage 30B.How out 2 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated second embodiment of the contacting arrangement 1B analogous to the first embodiment at one, at the top 22 of the printed circuit board substrate 20 . 20A arranged outer metal layer 30A trained, and the laser beam 3A brings the welding energy through the corresponding recess 26 . 26A from below via the second contact area 32 opposite back 34 the outer metal layer 30A in the outer metal layer 30A one. This forms the electrical contact 5B in the illustrated embodiment as a laser welding connection to a printed circuit board substrate 20 . 20A opposite surface of the outer metal sheet 30A out. How out 2 can be seen further penetrates the recess 26 . 26A also at a bottom 24 of the printed circuit board substrate 20 . 20A arranged outer metal layer 30B ,

Bei einem alternativen in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1C ist der zweite Kontaktbereich 32 an einer, der Aussparung 26, 26A zugewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A ausgebildet. Wie aus 3 weiter ersichtlich ist, ist das Ende des Anschlussdrahtes 10B mit dem ersten Kontaktbereich 12 von unten in die Aussparung 26, 26A eingeführt, und der Laserstrahl 3B bringt die Schweißenergie im dargestellten Ausführungsbeispiel von oben über die, dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der äußeren Metalllage 30A in die äußere Metalllage 30A ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5C im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer der Aussparung 26, 26A zugewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A aus. Wie aus 3 weiter ersichtlich ist, durchdringt die Aussparung 26, 26A auch die an einer Unterseite 24 des Leiterplattensubstrats 20, 20A angeordnete äußere Metalllage 30B.For an alternative in 3 illustrated embodiment of the contacting 1C is the second contact area 32 at one, the recess 26 . 26A facing surface of the outer metal layer 30A educated. How out 3 is further apparent, is the end of the lead wire 10B with the first contact area 12 from below into the recess 26 . 26A introduced, and the laser beam 3B brings the welding energy in the illustrated embodiment from above on the, the second contact area 32 opposite back 34 the outer metal layer 30A in the outer metal layer 30A one. This forms the electrical contact 5C in the illustrated embodiment as a laser welding connection to one of the recess 26 . 26A facing surface of the outer metal layer 30A out. How out 3 can be seen further penetrates the recess 26 . 26A also at a bottom 24 of the printed circuit board substrate 20 . 20A arranged outer metal layer 30B ,

In den in 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispielen ist das Leiterplattensubstrat 20 jeweils als einlagiges Keramiksubstrat 20A ausgebildet, welches an seiner Oberseite 22 und an seiner Unterseite 24 jeweils eine äußere Metalllage 30A, 30B aufweist.In the in 1 to 3 Illustrated embodiments is the printed circuit board substrate 20 each as a single-layer ceramic substrate 20A formed, which at its top 22 and at its bottom 24 each an outer metal layer 30A . 30B having.

Wie aus 4 und 5 weiter ersichtlich ist, weisen die dargestellten Ausführungsbeispiele im Unterschied zu den bisherigen Ausführungsbeispielen jeweils nur eine innere Metalllage 30C auf, welche in das Leiterplattensubstrat 20, 20B integriert ist. Hierbei ist eine erste Aussparung 26, 26A von unten, und eine zweite Aussparung 26, 26B ist von oben in das Leiterplattensubstrat 20, 20B eingebracht. Die beiden Aussparungen 26A, 26B bilden jeweils einen Zugang zur inneren Metalllage 30C im Bereich des zweiten Kontaktbereichs 32 aus.How out 4 and 5 can be seen, the illustrated embodiments, in contrast to the previous embodiments each only an inner metal layer 30C which is in the printed circuit board substrate 20 . 20B is integrated. Here is a first recess 26 . 26A from below, and a second recess 26 . 26B is from the top into the printed circuit board substrate 20 . 20B brought in. The two recesses 26A . 26B each form an access to the inner metal layer 30C in the area of the second contact area 32 out.

Wie aus 4 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten vierten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1D an einer der ersten Aussparung 26A zugewandten Oberfläche der inneren Metalllage 30C ausgebildet und die Rückseite 34 der inneren Metalllage 30C ist der zweiten Aussparung 26B zugewandt. Wie aus 4 weiter ersichtlich ist, ist das Ende des Anschlussdrahtes 10B mit dem ersten Kontaktbereich 12 von unten in die erste Aussparung 26A eingeführt, und der Laserstrahl 3B bringt die Schweißenergie im dargestellten Ausführungsbeispiel von oben durch die zweite Aussparung 26B über die, dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der inneren Metalllage 30C in die innere Metalllage 30C ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5D im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer der ersten Aussparung 26A zugewandten Oberfläche der inneren Metalllage 30C aus.How out 4 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated fourth embodiment of the contacting arrangement 1D at one of the first recess 26A facing surface of the inner metal layer 30C trained and the back 34 the inner metal layer 30C is the second recess 26B facing. How out 4 is further apparent, is the end of the lead wire 10B with the first contact area 12 from the bottom into the first recess 26A introduced, and the laser beam 3B brings the welding energy in the illustrated embodiment from above through the second recess 26B over, the second contact area 32 opposite back 34 the inner metal layer 30C in the inner metal layer 30C one. This forms the electrical contact 5D in the illustrated embodiment as a laser welding connection to one of the first recess 26A facing surface of the inner metal layer 30C out.

Wie aus 5 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten fünften Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1E an einer der zweiten Aussparung 26B zugewandten Oberfläche der inneren Metalllage 30C ausgebildet und die Rückseite 34 der inneren Metalllage 30C ist der ersten Aussparung 26A zugewandt. Wie aus 5 weiter ersichtlich ist, ist das Ende des Anschlussdrahtes 10B mit dem ersten Kontaktbereich 12 von oben in die zweite Aussparung 26B eingeführt, und der Laserstrahl 3A bringt die Schweißenergie im dargestellten Ausführungsbeispiel von unten durch die erste Aussparung 26A über die, dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der inneren Metalllage 30C in die innere Metalllage 30C ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5E im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer der zweiten Aussparung 26B zugewandten Oberfläche der inneren Metalllage 30C aus.How out 5 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated fifth embodiment of the contacting arrangement 1E at one of the second recess 26B facing surface of the inner metal layer 30C trained and the back 34 the inner metal layer 30C is the first recess 26A facing. How out 5 is further apparent, is the end of the lead wire 10B with the first contact area 12 from the top into the second recess 26B introduced, and the laser beam 3A brings the welding energy in the illustrated embodiment from below through the first recess 26A over, the second contact area 32 opposite back 34 the inner metal layer 30C in the inner metal layer 30C one. This forms the electrical contact 5E in the illustrated embodiment as a laser welding connection to one of the second recess 26B facing surface of the inner metal layer 30C out.

In den in 4 und 5 dargestellten Ausführungsbeispielen ist das Leiterplattensubstrat 20 jeweils als mehrlagige bedruckte Leiterplatte 20B oder mehrlagiges Keramiksubstrat ausgebildet, welche jeweils eine innere Metalllage 30C aufweisen.In the in 4 and 5 Illustrated embodiments is the printed circuit board substrate 20 each as a multi-layer printed circuit board 20B or multi-layer ceramic substrate formed, each having an inner metal layer 30C exhibit.

Wie aus 6 und 7 weiter ersichtlich ist, weisen die dargestellten Ausführungsbeispiele im Unterschied zu den bisherigen Ausführungsbeispielen jeweils nur eine äußere Metalllage 30A auf, welche an der Oberseite 22 des Leiterplattensubstrats 20, 20C angeordnet ist. Hierbei ist die Aussparung 26, 26A jeweils von unten in das Leiterplattensubstrat 20, 20C eingebracht.How out 6 and 7 can be seen, the illustrated embodiments, in contrast to the previous embodiments each have only one outer metal layer 30A on which at the top 22 of the printed circuit board substrate 20 . 20C is arranged. Here is the recess 26 . 26A each from below into the printed circuit board substrate 20 . 20C brought in.

Wie aus 6 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten sechsten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1F analog zum ersten und zweiten Ausführungsbeispiel an einer, an der Oberseite 22 des Leiterplattensubstrats 20, 20C angeordneten äußeren Metalllage 30A ausgebildet, und der Laserstrahl 3A bringt die Schweißenergie durch die korrespondierende Aussparung 26, 26A von unten über eine dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der äußeren Metalllage 30A in die äußere Metalllage 30A ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5F im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer dem Leiterplattensubstrat 20, 20C abgewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A aus.How out 6 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated sixth embodiment of the contacting arrangement 1F analogous to the first and second embodiments at one, at the top 22 of the printed circuit board substrate 20 . 20C arranged outer metal layer 30A trained, and the laser beam 3A brings the welding energy through the corresponding recess 26 . 26A from below via the second contact area 32 opposite back 34 the outer metal layer 30A in the outer metal layer 30A one. This forms the electrical contact 5F in the illustrated embodiment as a laser welding connection to a printed circuit board substrate 20 . 20C remote surface of the outer metal layer 30A out.

Wie aus 7 weiter ersichtlich ist, ist der zweite Kontaktbereich 32 im dargestellten siebten Ausführungsbeispiel der Kontaktieranordnung 1G an einer, der Aussparung 26, 26A zugewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A ausgebildet. Wie aus 7 weiter ersichtlich ist, ist das Ende des Anschlussdrahtes 10B mit dem ersten Kontaktbereich 12 von unten in die Aussparung 26, 26A eingeführt, und der Laserstrahl 3B bringt die Schweißenergie im dargestellten Ausführungsbeispiel von oben über die, dem zweiten Kontaktbereich 32 gegenüberliegende Rückseite 34 der äußeren Metalllage 30A in die äußere Metalllage 30A ein. Dadurch bildet sich die elektrische Kontaktierung 5G im dargestellten Ausführungsbeispiel als Laserschweißverbindung an einer der Aussparung 26, 26A zugewandten Oberfläche der äußeren Metalllage 30A aus. How out 7 is further apparent, is the second contact area 32 in the illustrated seventh embodiment of the contacting 1G at one, the recess 26 . 26A facing surface of the outer metal layer 30A educated. How out 7 is further apparent, is the end of the lead wire 10B with the first contact area 12 from below into the recess 26 . 26A introduced, and the laser beam 3B brings the welding energy in the illustrated embodiment from above on the, the second contact area 32 opposite back 34 the outer metal layer 30A in the outer metal layer 30A one. This forms the electrical contact 5G in the illustrated embodiment as a laser welding connection to one of the recess 26 . 26A facing surface of the outer metal layer 30A out.

In den in 6 und 7 dargestellten Ausführungsbeispielen ist das Leiterplattensubstrat 20 jeweils als einlagige bedruckte Leiterplatte 20C oder einlagiges Keramiksubstrat ausgebildet, welche jeweils nur an der Oberseite 22 eine äußere Metalllage 30A aufweisen.In the in 6 and 7 Illustrated embodiments is the printed circuit board substrate 20 each as a single-layer printed circuit board 20C or single-layer ceramic substrate formed, each only at the top 22 an outer metal layer 30A exhibit.

Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung ermöglichen in vorteilhafter Weise die Kontaktierung eines Leiterplattensubstrats nicht mehr ausschließlich am Rand des Leiterplattensubstrats, sondern an beliebigen Stellen des Leiterplattensubstrats, indem entsprechende speziell eingebrachte Aussparungen oder bereits vorhandene Aussparungen im Leiterplattensubstrat als Zugänge zu den zweiten Kontaktbereichen der Metalllagen des Leiterplattensubstrats genutzt werden.Embodiments of the present invention advantageously enable the contacting of a printed circuit board substrate no longer exclusively at the edge of the printed circuit board substrate, but at arbitrary locations of the printed circuit board substrate by using corresponding specially introduced recesses or recesses in the printed circuit board substrate as accesses to the second contact areas of the metal layers of the printed circuit board substrate ,

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • DE 102012213567 A1 [0003] DE 102012213567 A1 [0003]

Claims (10)

Kontaktieranordnung (1A, 1B, 1C, 1D, 1E, 1F, 1G) für ein Leiterplattensubstrat (20, 20A, 20B, 20C) mit mindestens einem, einen ersten Kontaktbereich (12) aufweisenden Anschlussdraht (10A, 10B), welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich (32) einer Metalllage (30, 30A, 30B, 30C) des Leiterplattensubstrats (20) elektrisch kontaktiert ist, wobei eine Laserschweißverbindung die elektrische Kontaktierung (5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F, 5G) zwischen dem ersten Kontaktbereich (12) und dem zweiten Kontaktbereich (32) ausbildet, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Aussparung (26, 26A, 26B) in das Leiterplattensubstrat (20, 20A, 20B, 20C) eingebracht ist, welche einen Zugang zur Metalllage (30, 30A, 30B, 30C) im Bereich des zweiten Kontaktbereichs (32) ausbildet.Contacting arrangement ( 1A . 1B . 1C . 1D . 1E . 1F . 1G ) for a printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20B . 20C ) with at least one, a first contact area ( 12 ) having connecting wire ( 10A . 10B ), which with a corresponding second contact area ( 32 ) a metal layer ( 30 . 30A . 30B . 30C ) of the printed circuit board substrate ( 20 ) is electrically contacted, wherein a laser welding connection, the electrical contact ( 5A . 5B . 5C . 5D . 5E . 5F . 5G ) between the first contact area ( 12 ) and the second contact area ( 32 ), characterized in that at least one recess ( 26 . 26A . 26B ) into the printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20B . 20C ) which has access to the metal layer ( 30 . 30A . 30B . 30C ) in the region of the second contact region ( 32 ) trains. Kontaktieranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kontaktierung (5A, 5B, 5F) an einer dem Leiterplattensubstrat (20, 20A, 20C) abgewandten Oberfläche der Metalllage (30, 30A) ausbildet ist.Kontaktieranordnung according to claim 1, characterized in that the electrical contact ( 5A . 5B . 5F ) on a printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20C ) facing away from the surface of the metal layer ( 30 . 30A ) is formed. Kontaktieranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrische Kontaktierung (5C, 5D, 5E, 5G) an einer der Aussparung (26, 26A, 26B) zugewandten Oberfläche der Metalllage (30, 30A, 30C) ausbildet ist.Kontaktieranordnung according to claim 1, characterized in that the electrical contact ( 5C . 5D . 5E . 5G ) at one of the recess ( 26 . 26A . 26B ) facing surface of the metal layer ( 30 . 30A . 30C ) is formed. Kontaktieranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass ein am Ende des Anschlussdrahtes (10A) angeordneter Bereich einer Mantelfläche (12A) des Anschlussdrahtes (10A) den ersten Kontaktbereich (12) ausbildet. Kontaktieranordnung according to any one of claims 1 to 3, characterized in that a (at the end of the lead wire 10A ) arranged region of a lateral surface ( 12A ) of the connecting wire ( 10A ) the first contact area ( 12 ) trains. Kontaktieranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Stirnfläche (12B) am Ende des Anschlussdrahtes (10B) den ersten Kontaktbereich (12) ausbildet.Contacting arrangement according to one of claims 1 to 3, characterized in that an end face ( 12B ) at the end of the connecting wire ( 10B ) the first contact area ( 12 ) trains. Kontaktieranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Metalllage (30) als äußere Metalllage (30A, 30B) an einer Oberseite (22) und/oder an einer Unterseite (24) des Leiterplattensubstrats (20, 20A, 20C) und/oder als innere Metalllage (30C) im Leiterplattensubstrat (20, 20B, 20C) ausgebildet ist.Contacting arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the metal layer ( 30 ) as an outer metal layer ( 30A . 30B ) on a top side ( 22 ) and / or on a lower side ( 24 ) of the printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20C ) and / or as an inner metal layer ( 30C ) in the printed circuit board substrate ( 20 . 20B . 20C ) is trained. Kontaktieranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Leiterplattensubstrat (20) als ein- oder mehrlagiges Keramiksubstrat (20A) oder als ein- oder mehrlagige bedruckte Leiterplatte (20B, 20C) ausgebildet ist.Kontaktieranordnung according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the printed circuit board substrate ( 20 ) as a single or multilayer ceramic substrate ( 20A ) or as a single or multi-layer printed circuit board ( 20B . 20C ) is trained. Kontaktieranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussdraht (10A, 10B) als Teil eines Stanzgitters und/oder als Metalldraht und/oder als isolierter Draht und/oder als lackierter Draht ausgebildet ist.Contacting arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the connecting wire ( 10A . 10B ) is formed as part of a stamped grid and / or as a metal wire and / or as an insulated wire and / or as a painted wire. Verfahren zum Kontaktieren eines Leiterplattensubstrats (20, 20A, 20B, 20C) mit mindestens einem, einen ersten Kontaktbereich (12) aufweisenden Anschlussdraht (10A, 10B), welcher mit einem korrespondierenden zweiten Kontaktbereich (32) einer Metalllage (30, 30A, 30B, 30C) des Leiterplattensubstrats (20, 20A, 20B, 20C) elektrisch kontaktiert wird, wobei mittels eines Laserstrahls (3A, 3B) die elektrische Kontaktierung (5A, 5B, 5C, 5D, 5E, 5F, 5G) zwischen dem ersten Kontaktbereich (12) und dem zweiten Kontaktbereich (32) als Schweißverbindung hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Aussparung (26, 26A, 26B) in das Leiterplattensubstrat (20, 20A, 20B, 20C) eingebracht wird, welche einen Zugang zur Metalllage (30, 30A, 30B, 30C) im Bereich des zweiten Kontaktbereichs (32) ausbildet, wobei der Laserstrahl (3A, 3B) die Schweißenergie über eine dem zweiten Kontaktbereich (32) gegenüberliegende Rückseite (34) der Metalllage (30, 30A, 30B, 30C) einbringt. Method for contacting a printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20B . 20C ) with at least one, a first contact area ( 12 ) having connecting wire ( 10A . 10B ), which with a corresponding second contact area ( 32 ) a metal layer ( 30 . 30A . 30B . 30C ) of the printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20B . 20C ) is contacted electrically, wherein by means of a laser beam ( 3A . 3B ) the electrical contact ( 5A . 5B . 5C . 5D . 5E . 5F . 5G ) between the first contact area ( 12 ) and the second contact area ( 32 ) is produced as a welded connection, characterized in that at least one recess ( 26 . 26A . 26B ) into the printed circuit board substrate ( 20 . 20A . 20B . 20C ), which provides access to the metal layer ( 30 . 30A . 30B . 30C ) in the region of the second contact region ( 32 ), wherein the laser beam ( 3A . 3B ) the welding energy over a second contact area ( 32 ) opposite back side ( 34 ) of the metal layer ( 30 . 30A . 30B . 30C ). Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Ende des Anschlussdrahtes (10B) mit dem ersten Kontaktbereich (12) oder der Laserstrahl (3A, 3B) in die Aussparung (26, 26A, 26B) eingeführt wird.Method according to claim 9, characterized in that the end of the connecting wire ( 10B ) with the first contact area ( 12 ) or the laser beam ( 3A . 3B ) in the recess ( 26 . 26A . 26B ) is introduced.
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