DE102015104473A1

DE102015104473A1 - Retikel und verfahren zu seiner herstellung

Info

Publication number: DE102015104473A1
Application number: DE102015104473.0A
Authority: DE
Inventors: Wen-Chang Hsueh; Chia-Jen Chen; Ta-Cheng Lien; Hsin-Chang Lee
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2014-05-15
Filing date: 2015-03-25
Publication date: 2015-11-19
Anticipated expiration: 2035-03-26
Also published as: TW201543143A; US20150331309A1; KR20150132023A; CN105097455B; CN105097455A; KR101734644B1; US9341940B2; DE102015104473B4; TWI554825B

Abstract

Es werden ein Retikel und ein Verfahren zur Herstellung des Retikels bereitgestellt. In verschiedenen Ausführungsformen enthält das Retikel ein Substrat, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht ist auf dem Substrat angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht angeordnet. Ein erster Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht, ein erster Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht sind auf dem Substrat als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt.

Description

HINTERGRUND
Unter den Techniken zur Fertigung integrierter Schaltkreise (ICs) ist der Lithografieprozess eine wichtige Technik, die zum Bilden ausgewählter Schaltkreisstrukturen auf einem Substrat, wie zum Beispiel einem Halbleiterwafer, verwendet wird. In dem Maße, wie die Integrationsdichte von ICs im Zuge der Fertigung immer kleinerer und komplexerer Schaltkreise von Halbleiterbauelementen zunimmt, werden entsprechend weiterentwickelte Lithografietechniken benötigt, um immer kleinere kritische Abmessungen (Critical Dimensions, CDs) und feinere Strukturen herstellen zu können.
In modernen Lithografietechniken werden verschiedene Retikel (auch als Masken oder Photomasken bezeichnet) für verschiedene Anforderungen des Lithografieprozesses verwendet. Zum Beispiel haben Binärintensitätsmasken (BIMs) eine gute Leistung und sind dank ihrer einfachsten Struktur mit transparenten Abschnitten und vollkommen opaken Abschnitten kosteneffektiv. Darüber hinaus haben Phasenschiebemasken (PSMs) relativ opake Abschnitte und sind dafür verwendet worden, Probleme im Zusammenhang mit Lichtbeugung zu überwinden und die Belichtungsauflösung des Lithografieprozesses zu erhöhen. Davon abgesehen, haben chromfreie Phasenschiebemasken (CPMs) keine opaken Abschnitte und reduzieren die Beugungseffekte durch Kombinieren von phasenverschobenem Licht und nicht-phasenverschobenem Licht so, dass konstruktive und destruktive Interferenz stattfindet, wodurch sie die Auflösung und Schärfentiefe eines projizierten Bildes eines optischen Systems verbessern. Darum hat jede Art von Retikeln ihre eigene Struktur und ihre eigenen Vorteile auf verschiedenen Anwendungsgebieten.
Weil die Anforderungen an Lithografieprozesse stetig steigen, wird das Ausbilden immer kleinerer CDs und feinerer Strukturen zunehmend anspruchsvoller. Darum müssen Retikel, die in Lithografieprozessen verwendet werden, immer zierlicher werden, um eine Reihe von Schwierigkeiten auf verschiedenen Anwendungsgebieten zu überwinden. Darum ist man stets auf der Suche nach Verbesserungen an Retikeln und Verfahren zu ihrer Herstellung.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Aspekte der vorliegenden Offenbarung werden am besten anhand der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden, wenn sie in Verbindung mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird darauf hingewiesen, dass gemäß der gängigen Praxis in der Industrie verschiedene Strukturelemente nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind. Die Abmessungen veranschaulichter Strukturelemente können im Interesse der Übersichtlichkeit der Besprechung nach Bedarf vergrößert oder verkleinert werden.
1 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zur Herstellung eines Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
2 ist eine schematische Ansicht mindestens eines Abschnitts des Substrats in einer Zwischenphase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
3 ist eine schematische Ansicht des in 2 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
4 ist eine schematische Ansicht des in 3 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
5 ist eine schematische Ansicht des in 4 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
6 ist eine schematische Ansicht des in 5 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
7 ist eine schematische Ansicht des in 6 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
8 ist eine schematische Ansicht des in 7 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
9 ist eine schematische Ansicht des in 8 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
10 ist eine schematische Ansicht des in 9 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
11 ist eine schematische Ansicht des in 10 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
12 ist eine schematische Ansicht des in 11 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
13 ist eine schematische Ansicht des in 7 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
14 ist eine schematische Ansicht des in 13 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
15 ist eine schematische Ansicht des in 14 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
Die folgende Offenbarung stellt viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zum Implementieren verschiedener Merkmale der Erfindung bereit. Im Folgenden werden konkrete Beispiele von Komponenten und Anordnungen beschrieben, um die vorliegende Offenbarung zu vereinfachen. Diese sind natürlich nur Beispiele und dienen nicht der Einschränkung. Zum Beispiel kann die Ausbildung eines ersten Strukturelements über oder auf einem zweiten Strukturelement in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, bei denen die ersten und zweiten Strukturelemente in direktem Kontakt – ausgebildet sind, und können auch Ausführungsformen enthalten, bei denen zusätzliche Strukturelemente zwischen den ersten und zweiten Strukturelementen ausgebildet sein können, so dass die ersten und zweiten Strukturelemente nicht unbedingt in direktem Kontakt stehen. Darüber hinaus kann die vorliegende Offenbarung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient dem Zweck der Einfachheit und Klarheit und schafft nicht automatisch eine Beziehung zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen.
Die Einzahlform „ein”, „eine” usw. und „der/die/das” beinhalten im Sinne des vorliegenden Textes auch die Mehrzahlbedeutung, sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes verlangt. Darum enthält beispielsweise der Verweis auf eine Auskleidungsschicht Ausführungsformen mit zwei oder mehr solcher Auskleidungsschichten, sofern der Kontext nicht eindeutig etwas anderes verlangt. Wenn in dieser Spezifikation von „einer bestimmten Ausführungsform” oder „einer Ausführungsform” die Rede ist, so ist damit gemeint, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder eine bestimmte Eigenschaft, das bzw. die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben wird, in mindestens einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung enthalten ist. Darum beziehen sich die Phrasen „in einer bestimmten Ausführungsform” oder „in einer Ausführungsform” an verschiedenen Stellen in dieser Spezifikation nicht unbedingt alle auf dieselbe Ausführungsform. Des Weiteren können die konkreten Merkmale, Strukturen oder Eigenschaften in jeder geeigneten Weise in einer oder mehreren Ausführungsformen kombiniert werden. Es versteht sich, dass die folgenden Figuren nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind; vielmehr dienen diese Figuren der Veranschaulichung.
Wie oben angesprochen, wird das Ausbilden kleinerer CDs und feinerer Strukturen immer anspruchsvoller, so dass die Anforderungen an Lithografieprozesse immer schwieriger werden, weshalb Retikel, die in Lithografieprozessen verwendet werden, immer zierlicher werden. Jedoch steigen die Kosten für die Fertigung der Retikel entsprechend mit. Weil darüber hinaus auf verschiedenen Anwendungsgebieten verschiedene Schwierigkeiten auftreten könnten, muss ein in Lithografieprozessen verwendetes Retikel auch besser in der Lage sein, verschiedene Schwierigkeiten zu überwinden, um die Prozessmarge auf verschiedenen Anwendungsgebieten zu verbreitern. In dieser Hinsicht werden einen Retikel und ein Verfahren zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellt.
1 ist ein Flussdiagramm, das ein Verfahren 100 zur Herstellung des Retikels (auch als eine Maske oder Photomaske bezeichnet) gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht. Das Verfahren 100 beginnt mit Block 102, in dem ein Substrat empfangen wird. Das Substrat hat eine erste Dämpfungsschicht auf dem Substrat, eine zweite Dämpfungsschicht auf der ersten Dämpfungsschicht und eine dritte Dämpfungsschicht auf der zweiten Dämpfungsschicht. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist das Substrat transparent und enthält Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten die erste Dämpfungsschicht und die dritte Dämpfungsschicht Chrom. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst die erste Dämpfungsschicht Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält die zweite Dämpfungsschicht Molybdänsilicid (MoSi). Das Verfahren 100 setzt sich mit Block 104 fort, in dem eine erste Photoresistschicht gebildet wird. Die erste Photoresistschicht hat eine erste Struktur auf der dritten Dämpfungsschicht. Das Verfahren 100 enthält außerdem das Ausführen eines ersten Ätzens zum Strukturieren der dritten Dämpfungsschicht und der zweiten Dämpfungsschicht, wobei das erste Ätzen bei der ersten Dämpfungsschicht stoppt und einen Teil der ersten Dämpfungsschicht frei legt, wie in Block 106 gezeigt. Das Verfahren 100 setzt sich mit Block 108 fort, in dem die erste Photoresistschicht entfernt wird. Das Verfahren 100 enthält des Weiteren das Ausbilden einer zweiten Photoresistschicht mit einer zweiten Struktur, die einen Teil der dritten Dämpfungsschicht frei legt, wie in Block 110 gezeigt. Das Verfahren 100 setzt sich mit Block 112 fort, in dem ein zweites Ätzen ausgeführt wird, um den Teil der ersten Dämpfungsschicht und den Teil der dritten Dämpfungsschicht zu entfernen. Das Verfahren 100 enthält des Weiteren das Entfernen der zweiten Photoresistschicht, wie in Block 114 gezeigt. Die Details des Verfahrens 100 werden in den 2–15 weiter veranschaulicht und in den folgenden Absätzen beschrieben.
2 ist eine schematische Ansicht mindestens eines Abschnitts des Substrats in einer Zwischenphase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 3 ist eine schematische Ansicht des in 2 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 2 zu, wo ein Substrat 200 empfangen wird. Das Substrat 200 könnte ein lichtdurchlässiges und ein Siliziumbasiertes Substrat sein. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ist das Substrat 200 transparent und umfasst Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon. Das Substrat 200 hat eine erste Dämpfungsschicht 210, eine zweite Dämpfungsschicht 220 und eine dritte Dämpfungsschicht 230 auf dem Substrat 200. Die erste Dämpfungsschicht 210 ist auf dem Substrat 200. angeordnet Die zweite Dämpfungsschicht 220 ist auf der ersten Dämpfungsschicht 210 angeordnet. Die dritte Dämpfungsschicht 230 ist auf der zweiten Dämpfungsschicht 220 angeordnet. Die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230 könnten der Reihe nach durch chemisches Aufdampfen (CVD), physikalisches Aufdampfen (PVD), Atomschichtabscheidung (ALD) und/oder andere geeignete Prozesse gebildet werden. Die erste Dämpfungsschicht 210, die auf dem Substrat 200 angeordnet ist, ist von vornherein dafür vorgesehen, eine Phasenverschiebung an einem Strahl vorzunehmen, der in einem Lithografieprozess verwendet wird. Die erste Dämpfungsschicht 210 könnte eine solche Dicke aufweisen, dass der Strahl, der auf und durch die erste Dämpfungsschicht 120 gerichtet wird, eine Phasenverschiebung relativ zu dem Strahl hat, der durch Luft gerichtet wird. Der Strahl kann ultraviolett sein und/oder kann dahingehend erweitert werden, dass er auch andere Strahlen enthält, wie zum Beispiel Ionenstrahl-, Röntgenstrahl-, extreme ultraviolette (EUV), tiefe ultraviolette (DUV) und andere geeignete Strahlungsenergie. Die erste Dämpfungsschicht 210 könnte eine Durchlässigkeit von weniger als 100% und mehr als 0% haben.
Die zweite Dämpfungsschicht 220 ist auf der ersten Dämpfungsschicht 210 angeordnet und ist ebenfalls von vornherein dafür vorgesehen, eine Phasenverschiebung an einem Strahl vorzunehmen, der in einem Lithografieprozess verwendet wird. Die zweite Dämpfungsschicht 220 könnte eine solche Dicke aufweisen, dass der Strahl, der auf und durch die zweite Dämpfungsschicht 220 gerichtet wird, eine Phasenverschiebung relativ zu dem Strahl hat, der durch Luft gerichtet wird. Der Strahl kann ultraviolett sein und/oder kann dahingehend erweitert werden, dass er auch andere Strahlen enthält, wie zum Beispiel Ionenstrahl-, Röntgenstrahl-, extreme ultraviolette (EUV), tiefe ultraviolette (DUV) und andere geeignete Strahlungsenergie. Zum Beispiel könnte die zweite Dämpfungsschicht 220 eine Phasenverschiebung von etwa 180 Grad haben, und die zweite Dämpfungsschicht 220 könnte eine Dicke von etwa λ/[2(n – 1)] haben, wobei λ die Wellenlänge des Strahls ist, der während eines Photolithografieprozess zur Waferfertigung auf die Maske 100 projiziert wird, und n der Brechungsindex der ersten Dämpfungsschicht 220 relativ zu dem Strahl ist. Als ein weiteres Beispiel könnte die zweite Dämpfungsschicht 220 eine Phasenverschiebung im Bereich zwischen etwa 120 Grad und 240 Grad bereitstellen, und darum kann die zweite Dämpfungsschicht 220 einen Dicke im Bereich zwischen λ/[3 × (n – 1)] und 2λ/[3 × (n – 1)] haben, um eine gewünschte Phasenverschiebung im oben genannten Bereich zu realisieren. Die zweite Dämpfungsschicht 220 könnte eine Durchlässigkeit von weniger als 100% und mehr als 0% haben. Zum Beispiel könnte die zweite Dämpfungsschicht 220 eine Durchlässigkeit von mehr als etwa 5% haben. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfasst die zweite Dämpfungsschicht 220 Molybdänsilicid (MoSi). Die dritte Dämpfungsschicht 230 ist als eine Absorptionsschicht ausgelegt und ist für den bei der Lithografieverarbeitung verwendeten Strahl opak. Die dritte Dämpfungsschicht 230 hat eine geringere Durchlässigkeit als die zweite Dämpfungsschicht 220. Zum Beispiel könnte die dritte Dämpfungsschicht 230 eine Durchlässigkeit von im Wesentlichen null haben. Die dritte Dämpfungsschicht 230 könnte ein Material verwenden, das sich von dem der zweiten Dämpfungsschicht 120 unterscheidet. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten die erste Dämpfungsschicht 210 und die dritte Dämpfungsschicht 230 Chrom (Cr). Außerdem wird, wie in 2 veranschaulicht, eine erste Photoresistschicht 240 auf der dritten Dämpfungsschicht 230 gebildet. Die erste Photoresistschicht 240 könnte auf dem Substrat 201 durch einen geeigneten Prozess, wie zum Beispiel einen Aufschleuderprozess, gebildet werden. Zum Beispiel könnte ein Weichbrenn- und Kühlprozess implementiert werden, nachdem die erste Photoresistschicht 240 auf der dritten Dämpfungsschicht 230 gebildet wurde. Die erste Photoresistschicht 240 zum Beispiel könnte Poly(4-t-butoxycarbonyloxystyren), Polymethylmethacrylat (PMMA), Tetrafluorethylen (TFE) oder andere geeignete Photoresistmaterialien sein.
Es ist zu beachten, dass die erste Dämpfungsschicht 210, die auf dem Substrat 200 angeordnet ist, auch eine wichtige Rolle als eine Stoppschicht eines folgenden Ätzprozesses spielt, und darum könnte das Substrat 200 während des folgenden Ätzprozesses gut geschützt werden. Darum könnten die Materialien und die Filmdicken der ersten Dämpfungsschicht 210, der zweiten Dämpfungsschicht 220 und der dritten Dämpfungsschicht 230 zweckmäßig ausgewählt werden. Zum Beispiel ist die zweite Dämpfungsschicht 220 ein Material, das gleichzeitig mit dem Substrat 200 geätzt werden würde. Das Substrat 200 könnte Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon sein, und die zweite Dämpfungsschicht 220 könnte Molybdänsilicid (MoSi) sein, das außerdem Siliciumdioxid enthält. Andererseits ist die erste Dämpfungsschicht 210 ein Material, das nicht geätzt werden würde, während die zweite Dämpfungsschicht 220 und das Substrat 200 gleichzeitig geätzt werden. Zum Beispiel könnte die erste Dämpfungsschicht 210 Metalle, Metalloxide, Metallnitride, Metalloxynitride oder Kombinationen davon sein, die sich vollkommen von den Materialien der zweiten Dämpfungsschicht 220 und des Substrats 200 unterscheiden. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung könnte die erste Dämpfungsschicht 210 Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon sein.
Wir wenden uns 3 zu, wo die erste Photoresistschicht 240 strukturiert wird, so dass eine erste Struktur 242 auf der dritten Dämpfungsschicht 230 entsteht. Zum Beispiel wird ein Litho-Ätzprozess dergestalt ausgeführt, dass die erste Photoresistschicht 240 die erste Struktur 242 als eine Hartmaske der Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230) für den folgenden Ätzprozess hat.
4 ist eine schematische Ansicht des in 3 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 5 ist eine schematische Ansicht des in 4 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 4 zu, wo ein erstes Ätzen ausgeführt wird, um die dritte Dämpfungsschicht 230 und die zweite Dämpfungsschicht 220 zu strukturieren. Das erste Ätzen könnte Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon sein. Wie oben angesprochen, ist die erste Photoresistschicht 240, die die erste Struktur 242 aufweist, die Hartmaske der Filmlaminierung während des ersten Ätzprozesses, und darum werden die dritte Dämpfungsschicht 230 und die zweite Dämpfungsschicht 220 geätzt, um eine Struktur zu erhalten, die der ersten Struktur 242 entspricht. Es ist zu beachten, dass das erste Ätzen bei der ersten Dämpfungsschicht 210 stoppt und einen Teil 212 der ersten Dämpfungsschicht 210 frei legt. Oder anders ausgedrückt: Die erste Dämpfungsschicht 210 ist eine Stoppschicht des ersten Ätzens. Darum könnten die Material und Filmdicken der ersten Dämpfungsschicht 210, der zweiten Dämpfungsschicht 220 und der dritten Dämpfungsschicht 230 zweckmäßig ausgewählt werden. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung liegt eine Filmdicke der ersten Dämpfungsschicht 210 im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 80 nm, und eine Filmdicke der dritten Dämpfungsschicht 230 liegt im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 50 nm. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung liegt eine Filmdicke der zweiten Dämpfungsschicht 220 im Bereich von etwa 20 nm bis etwa 100 nm. Darüber hinaus könnten auch Parameter des ersten Ätzens, wie zum Beispiel Ätzmittel, Ätzdauer und Plasmaintensitäten (beim Trockenätzen), optimiert werden und dazu führen, dass das erste Ätzen bei der ersten Dämpfungsschicht 210 stoppt. Wie in 4 und 5 veranschaulicht, wird, nachdem das erste Ätzen ausgeführt wurde, um die dritte Dämpfungsschicht 230 und die zweite Dämpfungsschicht 220 zu strukturieren, die erste Photoresistschicht 240, die die erste Struktur 242 aufweist, entfernt. Darum wird die Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230) so strukturiert, wie in 5 gezeigt.
6 ist eine schematische Ansicht des in 5 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 6 zu, wo eine zweite Photoresistschicht 250 mit einer zweiten Struktur 252 einen Teil 232 der dritten Dämpfungsschicht 230 frei legt. Die zweite Photoresistschicht 250 könnte auf der Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230), wie in 5 gezeigt, durch einen geeigneten Prozess, wie zum Beispiel einen Aufschleuderprozess, gebildet werden. Zum Beispiel könnte ein Weichbrenn- und Kühlprozess implementiert werden, nachdem die zweite Photoresistschicht 250 auf der Filmlaminierung, wie in 5 gezeigt, gebildet wurde. Die zweite Photoresistschicht 250 könnte zum Beispiel Poly(4-t-butoxycarbonyloxystyren), Polymethylmethacrylat (PMMA), Tetrafluorethylen (TFE) oder andere geeignete Photoresistmaterialien sein. Wie in 6 veranschaulicht, wird die zweite Photoresistschicht 250 strukturiert, so dass eine zweite Struktur 252 auf der dritten Dämpfungsschicht 230 entsteht. Zum Beispiel wird ein Litho-Ätzprozess dergestalt ausgeführt, dass die zweite Photoresistschicht 250 die zweite Struktur 252 als eine Hartmaske der Filmlaminierung, wie in 5 gezeigt, für den folgenden Ätzprozess hat.
7 ist eine schematische Ansicht des in 6 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 8 ist eine schematische Ansicht des in 7 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 7 und 8 zu, wo ein zweites Ätzen ausgeführt wird, um den Teil 212 der ersten Dämpfungsschicht 210 und den Teil 232 der dritten Dämpfungsschicht 230 zu entfernen. Das zweite Ätzen könnte Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon sein. Wie oben angesprochen, ist die zweite Photoresistschicht 250, die die zweite Struktur 252 aufweist, die Hartmaske der Filmlaminierung während des zweiten Ätzprozesses, und darum werden der Teil 212 der ersten Dämpfungsschicht 210 und der Teil 232 der dritten Dämpfungsschicht 230 geätzt und entfernt. Wie in 7 und 8 veranschaulicht, nachdem das zweite Ätzen ausgeführt wurde, um den Teil 212 der ersten Dämpfungsschicht 210 und den Teil 232 der dritten Dämpfungsschicht 230 zu entfernen, wird die zweite Photoresistschicht 250, die die zweite Struktur 252 aufweist, entfernt. Darum wird die Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230) strukturiert, und ein Retikel 10 wird hergestellt, wie in 8 gezeigt. Wie in 8 veranschaulicht, enthält das Retikel 10 ein Substrat 200, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht 210, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht 210 ist auf dem Substrat 200 angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210 angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 angeordnet. Es ist zu beachten, dass ein erster Teil 214 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210, ein erster Teil 224 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 auf dem Substrat 220 als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt sind. Der Binärintensitätsmaskenabschnitt enthält eine reflektierende Region und eine opake Region. In der reflektierenden Region wird das auftreffende Licht durch eine Mehrschicht reflektiert, die durch den ersten Teil 214 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210, den ersten Teil 224 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 auf dem Substrat 220 in 8 gebildet wird. In der opaken Region ist das Substrat 220 ein Absorbierer, und ein auftreffender Lichtstrahl wird fast vollständig durch den Absorbierer absorbiert.
9 ist eine schematische Ansicht des in 8 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 9 zu. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird eine dritte Photoresistschicht 260 nach dem Vorgang des Entfernens der zweiten Photoresistschicht 250 gebildet. Die dritte Photoresistschicht 260 hat eine dritte Struktur 262, die einen Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und einen Teil 202 des Substrats 200 frei legt. Die dritte Photoresistschicht 260 könnte auf der Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230), wie in 8 gezeigt, durch einen geeigneten Prozess, wie zum Beispiel einen Aufschleuderprozess, gebildet werden. Zum Beispiel könnte ein Weichbrenn- und Kühlprozess implementiert werden, nachdem die dritte Photoresistschicht 260 auf der Filmlaminierung, wie in 8 gezeigt, gebildet wurde. Die dritte Photoresistschicht 260 könnte zum Beispiel Poly(4-t-butoxycarbonyloxystyren), Polymethylmethacrylat (PMMA), Tetrafluorethylen (TFE) oder andere geeignete Photoresistmaterialien sein. Wie in 9 veranschaulicht, ist die dritte Photoresistschicht 260 so strukturiert, dass sie eine dritte Struktur 262 aufweist. Zum Beispiel wird ein Litho-Ätzprozess dergestalt ausgeführt, dass die dritte Photoresistschicht 260 die dritte Struktur 262 als eine Hartmaske der Filmlaminierung, wie in 8 gezeigt, für den folgenden Ätzprozess hat.
10 ist eine schematische Ansicht des in 9 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 10 zu. Nach dem Vorgang des Ausbildens der dritten Photoresistschicht 260, die die dritte Struktur 262 aufweist, die den Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und den Teil 202 des Substrats 200 frei legt, wird ein drittes Ätzen ausgeführt, um den Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und den Teil 202 des Substrats 202 zu entfernen. Wie in 10 veranschaulicht, wird ein Teil 214 der ersten Dämpfungsschicht 210 frei gelegt, wenn der Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 (wie in 8 gezeigt) entfernt wird, und einen Graben 204 des Substrats 200 wird gebildet. Das dritte Ätzen könnte Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon sein. Wie oben angesprochen, ist die dritte Photoresistschicht 260, die die dritte Struktur 262 aufweist, die Hartmaske der Filmlaminierung während des ersten Ätzprozesses, und darum werden der Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und der Teil 202 des Substrats 200 geätzt, um eine Struktur zu erhalten, die der ersten Struktur 242 entspricht. Es ist zu beachten, dass das dritte Ätzen sowohl die frei liegenden Teile der zweiten Dämpfungsschicht 220 als auch das Substrat 202 ätzt. Wie oben angesprochen, könnten Materialien der zweiten Dämpfungsschicht 220 und des Substrats 202 ebenso gut so ausgewählt werden, dass es möglich ist, beide Arten von Schichten (die zweite Dämpfungsschicht 220 und das Substrat 200) gleichzeitig zu ätzen. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält das Substrat 200 Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält die zweite Dämpfungsschicht 220 Molybdänsilicid (MoSi). Darüber hinaus könnten auch Parameter des ersten Ätzens, wie zum Beispiel Ätzmittel, Ätzdauer und Plasmaintensitäten (beim Trockenätzen), entsprechend den Materialien optimiert werden, die für die zweite Dämpfungsschicht 220 und das Substrat 200 ausgewählt wurden. Wie in 9 und 10 veranschaulicht, wird, nachdem das dritte Ätzen ausgeführt wurde, um den Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und den Teil 202 des Substrats 200 zu entfernen, der Teil 214 der ersten Dämpfungsschicht 210 frei gelegt. Somit wird die Filmlaminierung (die erste Dämpfungsschicht 210, die zweite Dämpfungsschicht 220 und die dritte Dämpfungsschicht 230), wie in 10 gezeigt, strukturiert.
11 ist eine schematische Ansicht des in 10 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 12 ist eine schematische Ansicht des in 11 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 10 und 11 zu. Der frei liegende Teil 214 der ersten Dämpfungsschicht 210 wird nach dem Vorgang des Ausführens des dritten Ätzens entfernt, um den Teil 222 der zweiten Dämpfungsschicht 220 und den Teil 202 des Substrats 204 zu entfernen. Der frei liegende Teil 214 der ersten Dämpfungsschicht 210 könnte durch Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon entfernt werden. Dementsprechend wird ein weiteres Retikel 20 hergestellt, wie in 12 gezeigt. Wie in 12 veranschaulicht, enthält das Retikel 20 ein Substrat 200, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht 210, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht 210 ist auf dem Substrat 200 angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210 angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 angeordnet. Der erste Teil 214 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210, der erste Teil 224 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 sind auf dem Substrat 220 als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt. Der Binärintensitätsmaskenabschnitt enthält eine reflektierende Region und eine opake Region. In der reflektierenden Region wird das auftreffende Licht durch eine Mehrschicht reflektiert, die durch den ersten Teil 214 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210, den ersten Teil 224 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 auf dem Substrat 220 in 8 gebildet wird. In der opaken Region ist das Substrat 220 ein Absorbierer, und ein auftreffender Lichtstrahl wird fast vollständig durch den Absorbierer absorbiert. Darüber hinaus hat das Substrat 200 mindestens einen Graben 204, der nicht durch die strukturierte erste Dämpfungsschicht 210 bedeckt wird. Es ist zu beachten, dass der Graben 204 in dem Substrat 200 als ein chromfreier Phasenverschiebungsmaskenabschnitt in dem Retikel 20 fungieren könnte. Die chromfreie Phasenverschiebungsmaske hat keine opaken Teile. Die Phasenverschiebung wird durch den Graben 204 erreicht, der direkt in das Substrat 200 geätzt wird. Darum muss eine Tiefe des Grabens 204 sorgfältig gesteuert werden. Zum Beispiel könnte der in dem Substrat 200 ausgebildete Graben 204 eine Phasenverschiebung von etwa 180 Grad haben, und der Graben 204 könnte eine Tiefe von etwa λ/[2(n – 1)] haben, wobei λ die Wellenlänge des auf den Graben 204 gerichteten Strahls ist und n der Brechungsindex des transparenten Substrats 200 relativ zu dem Strahl ist. Als ein weiteres Beispiel könnte der Graben 204 in dem Substrat 200 eine Phasenverschiebung im Bereich zwischen etwa 120 Grad und 240 Grad haben, und der Graben 204 haben eine Tiefe im Bereich zwischen λ/[3 × (n – 1)] und 2λ/[3 × (n – 1)] könnte, um einen Phasenverschiebung im gewünschten Bereich zu realisieren. Die Herstellung chromfreier Phasenverschiebungsmasken ist schwierig, da das Substrat 200 während einer Reihe von Ätzprozessen beschädigt werden könnte. Wie oben von 4 bis 6 angesprochen, wird das Substrat 200 durch die erste Dämpfungsschicht 210 bedeckt, ohne frei gelegt zu werden. Darum könnten Schäden am Substrat 200 reduziert werden, und die Tiefe des Grabens 204 könnte präzise gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gesteuert werden. Wie oben angesprochen, da die Tiefe des Grabens 204 präzise gesteuert werden könnte, könnte der chromfreie Phasenverschiebungsmaskenabschnitt des Retikels 20 entsprechend den verschiedenen Anforderungen an die Phasenverschiebung hergestellt werden. Wie in 12 veranschaulicht, ist außerdem zu beachten, dass ein zweiter Teil 216 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210 und ein zweiter Teil 226 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 auf dem Substrat 200 als ein gedämpfter Phasenverschiebungsmasken (Attenuated Phase Shift Mask, APSM)-Abschnitt übereinander gelegt sind. Die APSM verwendet eine strukturierte Schicht aus Molybdänsilicid (MoSi), die die Strukturen des Schaltkreises darstellt. Das Molybdänsilicid hat eine Dicke, die eine Phasenverschiebung des durchgelassenen Lichts um 180° verursacht. Das heißt, das phasenverschobene Licht und die das Glas passierende Strahlung interferieren nur destruktiv. Außerdem ist das Molybdänsilicid dicht. Einerseits wird das Licht gedämpft, und andererseits löschen sich die Lichtwellen, die entgegengesetzte Phasen haben, einander fast vollständig aus, was einen höheren Kontrast zur Folge hat.
13 ist eine schematische Ansicht des in 7 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 14 ist eine schematische Ansicht des in 13 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. 15 ist eine schematische Ansicht des in 14 gezeigten Substrats in einer anschließenden Phase des Verfahrens zur Herstellung des Retikels gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Wir wenden uns 13 zu. In anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung wird vor dem Entfernen der zweiten Photoresistschicht (wie in 7 und 8 veranschaulicht) ein drittes Ätzen ausgeführt, um einen Teil 226 der zweiten Dämpfungsschicht 220 zu entfernen und einen Graben 204 auf dem Substrat 200 zu bilden. Das dritte Ätzen könnte Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon sein. Die zweite Photoresistschicht 250, die die zweite Struktur 242 aufweist, ist auch die Hartmaske der Filmlaminierung während des dritten Ätzprozesses, und darum wird der Teil 226 der zweiten Dämpfungsschicht 220 entfernt, und das Substrat 200 wird zu dem Graben 204 geätzt. Es ist zu beachten, dass das dritte Ätzen auch bei der ersten Dämpfungsschicht 210 stoppt und ein weiteres Teil 218 der ersten Dämpfungsschicht 210 frei legt. Oder anders ausgedrückt: Die erste Dämpfungsschicht 210 ist auch eine Stoppschicht des dritten Ätzens. Darum könnten die Materialien und Filmdicken der ersten Dämpfungsschicht 210, der zweiten Dämpfungsschicht 220 und der dritten Dämpfungsschicht 230 zweckmäßig ausgewählt werden. Zum Beispiel ist die zweite Dämpfungsschicht 220 ein Material, das gleichzeitig mit dem Substrat 200 geätzt werden würde. Das Substrat 200 könnte Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon sein, und die zweite Dämpfungsschicht 220 könnte Molybdänsilicid (MoSi) sein, das außerdem Siliciumdioxid enthält. Andererseits ist die erste Dämpfungsschicht 210 ein Material, das nicht geätzt werden würde, während die zweite Dämpfungsschicht 220 und das Substrat 200 gleichzeitig geätzt werden. Zum Beispiel könnte die erste Dämpfungsschicht 210 Metalle, Metalloxide, Metallnitride, Metalloxynitride oder Kombinationen davon sein, die sich vollkommen von den Materialien der zweiten Dämpfungsschicht 220 und des Substrats 200 unterscheiden. In verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung könnte die erste Dämpfungsschicht 210 Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon sein. Wir wenden uns 14 zu. Nach dem Vorgang des Ausführens des dritten Ätzens wird ein weiterer Teil 218 der ersten Dämpfungsschicht 210 entfernt. Wie oben angesprochen, könnte die erste Dämpfungsschicht 210 Metalle, Metalloxide, Metallnitride, Metalloxynitride oder Kombinationen davon sein, die sich vollkommen von den Materialien der zweiten Dämpfungsschicht 220 und des Substrats 200 unterscheiden. Der weitere Teil 218 der ersten Dämpfungsschicht 210 könnte durch Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon entfernt werden, ohne die zweite Dämpfungsschicht 220 und das Substrat 200 zu beschädigen. Darum könnte eine Tiefe des Grabens 204 sorgfältig gesteuert werden. Wir wenden uns 15 zu. Nach dem Vorgang des Entfernens des weiteren Teils 218 der ersten Dämpfungsschicht 210 wird die zweite Photoresistschicht 230 entfernt. Die zweite Photoresistschicht 230 könnte durch Nassätzen, Trockenätzen oder eine Kombination davon entfernt werden. Dementsprechend wird ein weiteres Retikel 30 hergestellt, wie in 15 gezeigt. Wie in 15 veranschaulicht, enthält das Retikel 30 ein Substrat 200, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht 210, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht 210 ist auf dem Substrat 200 angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht 220 ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210 angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 angeordnet. Der erste Teil 214 der strukturierten ersten Dämpfungsschicht 210, der erste Teil 224 der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht 220 und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht 230 sind auf dem Substrat 220 als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt. Der binäre Abschnitt des Retikels 30 ähnelt dem des Retikels 20, weshalb auf die Details hier verzichtet wird. Wir wenden uns 15 zu. Es ist zu beachten, dass das Substrat 200 mindestens einen Graben 204 hat, der nicht durch die strukturierte erste Dämpfungsschicht 210 bedeckt wird. Darum könnte der Graben 204 in dem Substrat 200 als ein chromfreier Phasenverschiebungsmaskenabschnitt in dem Retikel 30 dienen. Der chromfreie Phasenverschiebungsmaskenabschnitt des Retikels 30 ähnelt auch dem des Retikels 20, weshalb auf die Details hier verzichtet wird. Wie oben angesprochen, könnte, da die Tiefe des Grabens 204 sorgfältig gesteuert werden könnte, der chromfreie Phasenverschiebungsmaskenabschnitt des Retikels 30 entsprechend den verschiedenen Anforderungen an die Phasenverschiebung hergestellt werden.
Wie oben angesprochen, werden Retikel, die in Lithografieprozessen verwendet werden, immer zierlicher, so dass die Kosten für die Fertigung des Retikels entsprechend steigen. Gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung stellen Verfahren zur Herstellung eines Retikels eine effektive Möglichkeit bereit, verschiedene Abschnitte auf einem Substrat zu bilden. Das Retikel, das mehrere Filmstapel auf einem einzelnen Substrat aufweist, stellt verschiedene Abschnitte für verschiedene Anwendungsgebiete bereit und ist darum besser geeignet, verschiedene Schwierigkeiten zu überwinden, um die Prozessmarge auf verschiedenen Anwendungsgebieten zu verbreitern. Darüber hinaus könnte die Tiefe des Grabens gut gesteuert werden, und darum könnte der chromfreie Phasenverschiebungsmaskenabschnitt des Retikels gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung entsprechende verschiedenen Anforderungen an die Phasenverschiebung hergestellt werden.
Gemäß verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält ein Verfahren zur Herstellung des Retikels Folgendes: Empfangen eines Substrats mit einer ersten Dämpfungsschicht auf dem Substrat, einer zweiten Dämpfungsschicht auf der ersten Dämpfungsschicht und einer dritten Dämpfungsschicht auf der zweiten Dämpfungsschicht. Das Verfahren enthält des Weiteren das Ausbilden einer ersten Photoresistschicht mit einer ersten Struktur auf der dritten Dämpfungsschicht. Das Verfahren enthält des Weiteren das Ausführen eines ersten Ätzens zum Strukturieren der dritten Dämpfungsschicht und der zweiten Dämpfungsschicht. Das erste Ätzen stoppt bei der ersten Dämpfungsschicht und legt einen Teil der ersten Dämpfungsschicht frei. Das Verfahren enthält des Weiteren das Entfernen der ersten Photoresistschicht. Das Verfahren enthält des Weiteren das Ausbilden einer zweiten Photoresistschicht mit einer zweiten Struktur, die einen Teil der dritten Dämpfungsschicht frei legt. Das Verfahren enthält des Weiteren das Ausführen eines zweiten Ätzens, um den Teil der ersten Dämpfungsschicht und den Teil der dritten Dämpfungsschicht zu entfernen. Das Verfahren enthält des Weiteren das Entfernen der zweiten Photoresistschicht.
Gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält das Retikel ein Substrat, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht ist auf dem Substrat angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht angeordnet. Ein erster Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht, ein erster Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht sind auf dem Substrat als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt. Ein zweiter Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht und ein zweiter Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht sind auf dem Substrat als ein gedämpfter Phasenverschiebungsmaskenabschnitt übereinander gelegt.
Gemäß anderen verschiedenen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthält das Retikel ein Substrat, eine strukturierte erste Dämpfungsschicht, eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht. Die strukturierte erste Dämpfungsschicht ist auf dem Substrat angeordnet. Die strukturierte zweite Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht angeordnet. Die strukturierte dritte Dämpfungsschicht ist auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht angeordnet. Ein erster Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht, ein erster Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht sind auf dem Substrat als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt.
Das oben Dargelegte umreißt Merkmale verschiedener Ausführungsformen, damit der Fachmann die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen kann. Dem Fachmann leuchtet ein, dass er ohne Weiteres die vorliegende Offenbarung als eine Basis für das Entwerfen oder Modifizieren anderer Prozesse und Strukturen verwenden kann, um die gleichen Zwecke und/oder die gleichen Vorteile der Ausführungsformen zu erreichen, die im vorliegenden Text vorgestellt wurden. Der Fachmann erkennt ebenso, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Wesen und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass er verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Modifizierungen daran vornehmen kann, ohne vom Wesen und Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims

Verfahren, das Folgendes umfasst: Empfangen eines Substrats mit einer ersten Dämpfungsschicht auf dem Substrat, einer zweiten Dämpfungsschicht auf der ersten Dämpfungsschicht und einer dritten Dämpfungsschicht auf der zweiten Dämpfungsschicht; Ausbilden einer ersten Photoresistschicht mit einer ersten Struktur auf der dritten Dämpfungsschicht; Ausführen eines ersten Ätzens zum Strukturieren der dritten Dämpfungsschicht und der zweiten Dämpfungsschicht, wobei das erste Ätzen bei der ersten Dämpfungsschicht stoppt und einen Teil der ersten Dämpfungsschicht frei legt; Entfernen der ersten Photoresistschicht; Ausbilden einer zweiten Photoresistschicht mit einer zweiten Struktur, die einen Teil der dritten Dämpfungsschicht frei legt; Ausführen eines zweiten Ätzens, um den Teil der ersten Dämpfungsschicht und den Teil der dritten Dämpfungsschicht zu entfernen; und Entfernen der zweiten Photoresistschicht.
Verfahren nach Anspruch 1, das des Weiteren Folgendes umfasst: Ausbilden einer dritten Photoresistschicht mit einer dritten Struktur, die einen Teil der zweiten Dämpfungsschicht und einen Teil des Substrats frei legt; Ausführen eines dritten Ätzens, um den Teil der zweiten Dämpfungsschicht und den Teil des Substrats zu entfernen, wobei ein Teil der ersten Dämpfungsschicht frei gelegt wird, wenn der Teil der zweiten Dämpfungsschicht entfernt wird und ein Graben des Substrats gebildet wird; Entfernen des frei liegenden Teils der ersten Dämpfungsschicht; und Entfernen der dritten Photoresistschicht.
Verfahren nach Anspruch 1, das vor dem Entfernen der zweiten Photoresistschicht des Weiteren das Ausführen eines dritten Ätzens enthält, um einen Teil der zweiten Dämpfungsschicht zu entfernen und einen Graben in dem Substrat zu bilden, wobei das dritte Ätzen bei der ersten Dämpfungsschicht stoppt und einen weiteren Teil der ersten Dämpfungsschicht frei legt; und Entfernen des weiteren Teils der ersten Dämpfungsschicht.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat transparent ist und Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon umfasst.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Dämpfungsschicht und die dritte Dämpfungsschicht Chrom umfassen.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Dämpfungsschicht Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon umfasst.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine Filmdicke der ersten Dämpfungsschicht im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 80 nm liegt und eine Filmdicke der dritten Dämpfungsschicht im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 50 nm liegt.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die zweite Dämpfungsschicht Molybdänsilicid (MoSi) umfasst.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei eine Filmdicke der zweiten Dämpfungsschicht im Bereich von etwa 20 nm bis etwa 100 nm liegt.
Retikel, das Folgendes umfasst: ein Substrat; eine strukturierte erste Dämpfungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht, die auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht angeordnet ist; und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht, die auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht angeordnet ist, wobei ein erster Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht, ein erster Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht auf dem Substrat als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt sind.
Retikel nach Anspruch 10, wobei das Substrat mindestens einen Graben hat, der nicht durch die strukturierte erste Dämpfungsschicht bedeckt wird.
Retikel nach Anspruch 10 oder Anspruch 11, wobei ein zweiter Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht und ein zweiter Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht auf dem Substrat als ein gedämpfter Phasenverschiebungsmaskenabschnitt übereinander gelegt sind.
Retikel nach einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei das Substrat transparent ist und Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Kalziumfluorid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon umfasst.
Retikel nach einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei die erste Dämpfungsschicht und die dritte Dämpfungsschicht Chrom umfassen.
Retikel nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei die erste Dämpfungsschicht Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon umfasst.
Retikel nach einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei eine Filmdicke der ersten Dämpfungsschicht im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 80 nm liegt und eine Filmdicke der dritten Dämpfungsschicht im Bereich von etwa 3 nm bis etwa 50 nm liegt.
Retikel nach einem der Ansprüche 10 bis 16, wobei die zweite Dämpfungsschicht Molybdänsilicid (MoSi) umfasst.
Retikel, das Folgendes umfasst: ein Substrat; eine strukturierte erste Dämpfungsschicht, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine strukturierte zweite Dämpfungsschicht, die auf der strukturierten ersten Dämpfungsschicht angeordnet ist; und eine strukturierte dritte Dämpfungsschicht, die auf der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht angeordnet ist, wobei ein erster Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht, ein erster Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht und die strukturierte dritte Dämpfungsschicht auf dem Substrat als ein Binärintensitätsmaskenabschnitt übereinander gelegt sind und ein zweiter Teil der strukturierten ersten Dämpfungsschicht und ein zweiter Teil der strukturierten zweiten Dämpfungsschicht auf dem Substrat als ein gedämpfter Phasenverschiebungsmaskenabschnitt übereinander gelegt sind.
Retikel nach Anspruch 18, wobei das Substrat mindestens einen Graben hat, der nicht durch die strukturierte erste Dämpfungsschicht bedeckt ist.
Retikel nach Anspruch 18 oder Anspruch 19, wobei das Substrat transparent ist und Quarz, Silizium, Siliziumcarbid, Kalziumfluorid, Siliziumoxid-Titanoxidlegierung oder Kombinationen davon umfasst, die erste Dämpfungsschicht Chromoxid, Chromnitrid, Chromoxynitrid oder Kombinationen davon umfasst und die zweite Dämpfungsschicht Molybdänsilicid (MoSi) umfasst.