DE10252051B4

DE10252051B4 - Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske

Info

Publication number: DE10252051B4
Application number: DE10252051A
Authority: DE
Inventors: In-Kyun Suwon Shin; Jung-min Yongin Sohn; Hee-sun Yongin Yoon; Seong-woon Suwon Choi
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2002-02-06
Filing date: 2002-11-08
Publication date: 2008-07-31
Anticipated expiration: 2022-11-09
Also published as: JP2003233163A; US20030148193A1; CN1312529C; KR100446294B1; KR20030067039A; US6866968B2; CN1437069A; DE10252051A1

Abstract

Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske, welches Verfahren die folgenden Schritte umfaßt:
Ausbilden einer Vielzahl von lichtundurchlässigen Muster (110), um einen Flutlichtbeleuchtungsabschnitt für die Ausbildung der Muster auf einer Frontoberfläche eines transparenten Substrats (100) zu definieren;
Ausbilden einer Vielzahl von Phasengittern (130; 140; 150; 160) zusammen mit dem transparenten Substrat (100) als ein Körper auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats (100), um dadurch eine Außerachsen-Beleuchtung (OAI) einer Einfallslichtquelle jenseits einer OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zuzulassen und auch die Verwendung einer äußersten Zone einer Öffnung zuzulassen und eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt zu ermöglichen, die für die Layouts der lichtundurchlässigen Muster (110) geeignet ist, bei dem der Schritt der Ausbildung der Vielzahl an Phasengittern folgendes umfaßt:
Aufschichten eines Resistmaterials (120) auf einer rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats (100);
Belichten und Entwickeln des Resistmaterials (120) und Ausbilden von Resistmaterialmustern (120a) für die gewünschten Phasengitter (130; 140; 150;...

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske nach dem Anspruch 1.
Beschreibung des Standes der Technik
Aus der US 6 249 335 B1 ist ein Projektions-Belichtungsgerät bekannt, welches eine Fotomaske umfasst, mit einem transparenten Substrat, einer Vielzahl an lichtundurchlässigen Mustern, die auf einer Frontoberfläche des transparenten Substrats ausgebildet sind, um einen Flutlichtbeleuchtungsabschnitt zur Ausbildung des Musters zu definieren. Ferner ist eine Vielzahl an Phasengittern auf einer rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet, die auch eine Außerachsenbeleuchtung einer Einfallslichtquelle jenseits einer OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung ermöglichen. Darüber hinaus ist aus diesem genannten US-Patent auch ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske mit den genannten Merkmalen bekannt.
Aus der US 5 452 053 A ist ein Wafer-Stepper zur Herstellung von Halbleiter-ICs bekannt, mit einem Glassubstrat, auf welchem eine Vielzahl an orthogonalen Muster ausgebildet sind, die auf einem lichtdurchlässigen Material angeordnet sind. Bei solch einem Glassubstrat beugt der Wafer-Stepper das Licht nicht nur in den X- und Y-Richtungen, sondern auch in 45°-Richtungen und 135°-Richtungen. Auf einem Wafer wird ferner ein Maskenmuster ausgebildet, welches die Auflösung und die Tiefe des Fokus erhöht.
Aus der US 6 057 065 A ist eine ATOM Lithographie-Maske bekannt, die ein transparentes Substrat aufweist, welches ein Muster aus verfeinerten Phasenschiebern und ein Beugungsgitter aufweist, welches mit den verfeinerten Phasenschiebern ausgerichtet ist. Die verfeinerten Phasenschieber bilden ein primäres Maskenmuster, während das Beugungsgitter die Belichtungsenergie beugt, die durch die Maske hindurchgeschickt wird, um eine Außer-Achsen-Beleuchtung für die verfeinerten Phasenschieber vorzusehen. Das Beugungsgitter enthält chromfreie Phasenschieber, die unter Verwendung eines additiven oder eines subtraktiven Prozesses ausgebildet werden. Sowohl die verfeinerten Phasenschieber als auch das Beugungsgitter können als einfaches Linien-Raum-Muster ausgebildet werden oder in Form von anderen Muster, je nach Erfordernis. Bei einer alternativen Ausführungsform ist das Beugungsgitter auf einer getrennten Maske ausgebildet.
Fotomaskenbilder oder -muster, die verschiedene Elemente in einen fotolithographischen Prozess definieren, werden auf ein Fotoresistmaterial unter Verwendung von Licht fokussiert. Um dünne Ausbildungen zu implementieren, müssen feinere Bilder auf das Fotoresistmaterial fokussiert werden und die optische Auflösung muss erhöht werden. Es gibt jedoch Grenzen hinsichtlich der Auflösung, die erreicht werden kann.
Um daher eine Halbleitervorrichtung nahe an der Auflösungsgrenze eines fotolithographischen Prozesses herzustellen, müssen Auflösungserhöhungstechniken verwendet werden. Die Auflösungserhöhungstechniken umfassen ein Verfahren gemäß der Verwendung einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge, die kürzer ist als diejenige nach dem Stand der Technik, ein Verfahren gemäß der Verwendung einer Phasenschiebemaske und ein Verfahren gemäß der Verwendung einer Außerachsenbeleuchtung (OAI), die eine modifizierte Beleuchtung darstellt.
Theoretisch wird im Falle der Verwendung von OAI die Auflösung etwa um das 1,5-fache höher als bei Verwendung der herkömmlichen Beleuchtung und es wird die Tiefe des Fokus (DOF) ebenfalls erhöht. Wenn eine Halbleitervorrichtung hochintegriert wird, ist es wichtig, die DOF zu verbessern, da es immer eine gewisse Unebenheit auf einem Wafer gibt, auf welchem die Muster projiziert werden, und zwar auf Grund vorgefertigter Muster oder auf Grund einer Biegung des Wafers, und da die Belichtung des Fotoresistmaterials auf der Waferoberfläche oder an allen Stellen von jedem Chip nicht auf der gleichen Fokusfläche durchgeführt wird.
Ein Verfahren zum Implementieren von OAI besteht darin, in einer Belichtungsausrüstung eine modifizierte Öffnung mit einer ringförmigen dipol- oder quadripol-optischen Übertragungszone zu installieren anstelle einer herkömmlichen Öffnung mit einer kreisförmigen optischen Übertragungszone. Bei diesem Verfahren wird die vertikale Komponente des einfallenden Lichtes abgeschnitten und lediglich eine geneigte Komponente (das heißt eine Außerachsenkomponente) erreicht die Fotomaske. In diesem Fall wird die Intensität des Lichtes, welches von der Lichtquelle emittiert wird, reduziert, während das Licht durch die modifizierte Öffnung hindurch läuft.
Ein anderes Verfahren besteht darin, eine zusätzliche Maske, die Phasengitter aufweist (im folgenden als eine Gittermaske bezeichnet) auf der rückwärtigen Fläche einer Fotomaske anzubringen, und zwar unter Verwendung einer herkömmlichen Öffnung. Bei diesem Verfahren wird Licht durch die Phasengitter gebeugt, so daß die vertikale Komponente des Lichtes versetzt wird und lediglich eine Außerachsenkomponente auf die Projektionslinse übertragen wird und dann lediglich Licht, welches durch die Projektionslinse hindurch verläuft, mit sich selbst auf einem Wafer interferiert, auf welchen das Fotoresistmaterial aufgeschichtet ist, so daß Bilder aus dem Licht gebildet werden. Die Intensität des Lichtes wird nicht vermindert im Gegensatz zur Verwendung der modifizierten Öffnung, es ergeben sich jedoch Probleme, wenn die Gittermaske an der rückwärtigen Fläche der Fotomaske angebracht wird. Verschiedene Verluste und unkontrollierbare ursächliche Faktoren sind diesem Verfahren inhärent, da beispielsweise für Reinigungszwecke die Gittermaske abgenommen und wieder angebracht werden muß, nachdem sie für eine gewisse Zeitdauer verwendet wurde, und es ist somit praktisch unmöglich, dieses Verfahren in einer Massenproduktion zu verwenden.
Die 1 und 2 veranschaulichen eine herkömmliche Gittermaske (grating mask), welche das Beleuchtungsmuster auf der rechten Seite entsprechend der Gestalt der Gittermaske auf der linken Seite darstellt. Zur Information wurden bei der vorliegenden Erfindung als Simulationswerkzeug SOLID-C verwendet. Helle Abschnitte in den Zeichnungen veranschaulichen die Beleuchtungsgestalt und sie sind optische Übertragungszonen, und dunkle Abschnitte sind optische Abtrennzonen.
1 veranschaulicht eine Gittermaske 10, auf der ein Phasengitter 5 mit einem sich abwechselnden Muster aus Linien und Zwischenräumen in einem konstanten Intervall ausgebildet ist und wobei die Gittermaske 10 das einfallende Licht um 180° phasenverschiebt. In diesem Fall wird eine Beleuchtung mit einer Dipolgestalt implementiert, wie dies auf der rechten Seite von 1 gezeigt ist. Die Beleuchtung mit der Dipolgestalt führt zu einer unterschiedlichen Beleuchtungswirkung an den Mustern in einer horizontalen und einer vertikalen Richtung und ist somit wirksam, wenn Linien und Raummuster auf einen Wafer übertragen werden.
2 veranschaulicht eine Gittermaske 20, auf der ein Karophasengitter 15 ausgebildet ist, um das einfallende Licht um 180° in der Phase zu verschieben. In diesem Fall wird eine Beleuchtung mit einer Quadripolgestalt implementiert, wie dies rechts in 2 gezeigt ist. Die Beleuchtung mit einer Quadripolgestalt besitzt die gleiche modi fizierte Beleuchtungswirkung an den Muster in der horizontalen und vertikalen Richtung. Es wird somit die Beleuchtung mit einer Quadripolgestalt verwendet, um eine Übertragung von isolierten Muster zu bewirken.
Wenn jedoch die auf den Wafer zu Übertragenden Muster Teilungen in einer x-Richtung, einer y-Richtung und in einer Diagonalrichtung haben, und zwar in unterschiedlichen Intervallen, ist es sehr schwierig, Muster in der x- und y-Richtung und in der Diagonalrichtung unter lediglich einem Beleuchtungszustand auszubilden. Es entsteht eine sehr eingeschränkte Möglichkeit, eine gewünschte kritische Abmessung (CD) in Bezug auf die Richtungen zu erhalten, und es wird somit unmöglich, eine Prozessgrenze zu erhalten. Um einen Prozessrand bzw. Prozessgrenze zu erhalten, sind Beleuchtungsbedingungen erforderlich, die für verschiedene Mustergestalten geeignet sind.
Zusätzlich ist bei dem herkömmlichen OAI-Verfahren die OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung durch eine numerische Öffnung (NA) einer Sammellinse bestimmt, die in der Belichtungsausrüstung enthalten ist. Da jedoch diese Designregeln sehr schnell verschwinden, wird es schwierig, die gewünschte Prozessgrenze von QAI der Belichtungsausrüstung zu erhalten. In diesem Fall bestehen die einzigen Optionen darin, neue Techniken herauszufinden oder eine Belichtungsausrüstung zu verwenden, die ein höheres NA besitzt. Es ist jedoch sehr viel billiger, die herkömmliche Belichtungsausrüstung mit einer niedrigeren NA zu verwenden. Da es in diesem Fall sehr schwierig ist, und zwar unter den gegenwärtigen Umständen, Prozessfähigkeiten vermittels der Auflösungserhöhungstechnik zu erlangen, ist ein Verfahren erforderlich, durch welches die OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung überwunden werden kann.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Um die oben angesprochenen Probleme zu lösen, ist es Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske zu schaffen, bei der die Außerachsenbeleuchtungsgrenze (OAI) der Belichtungsausrüstung überwunden werden kann, um die Waferverarbeitungsfähigkeit dadurch zu verbessern, indem Belichtungsbedingungen realisiert werden können, die für das Layout von verschiedenen Muster geeignet sind, und zwar trotz Verwendung der gegenwärtig existierenden Belichtungsausrüstung ohne irgendeine Änderung derselben.
Auch soll das erfindungsgemäße Verfahren eine Massenproduktion ermöglichen, indem das herkömmliche Problem der Abnahme und Wiederanbringung der Gittermaske an der rückwärtigen Fläche der Fotomaske gelöst wird.
Erfindungsgemäß wird die genannte Aufgabe durch die im Anspruch 1 aufgeführten Merkmale gelöst.
Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellte Fotomaske enthält ein transparentes Substrat, eine Vielzahl an lichtdurchlässigen Muster, die auf der Frontfläche des transparenten Substrats ausgebildet sind, um einen Flutlichtabschnitt zur Bildung der Muster zu definieren, und wobei eine Vielzahl an Phasengittern an der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet sind, die eine Außerachsenbeleuchtung (OAI) einer einfallenden Lichtquelle jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zulassen, und die Möglichkeit gegeben wird, die äußerste Zone einer Öffnung zu verwenden, und die Möglichkeit geboten wird, die Beleuchtung zu modifizieren, die eine Gestalt hat, welche für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist.
Die Vielzahl der Phasengitter besitzen ausgerichtete Ränder oder Kanten und sind rechteckförmige Muster, die in einer Mosaikgestalt angeordnet sind. Die Phasengitter bewirken eine Phasenverschiebung des einfallenden Lichtes um 180° oder um weniger als 180°. Alternativ hierzu umfasst die Vielzahl der Phasengitter ein alternierendes Muster an Linien und Zwischenräumen und diese bewirken eine Phasenverschiebung des Einfallslichtes um weniger als 180°.
Günstigerweise werden die Phasengitter zusammen mit dem transparenten Substrat als ein Körper ausgebildet oder hergestellt. In diesem Fall wird die rückwärtige Oberfläche des transparenten Substrats geätzt und es werden dadurch Phasengitter aus gebildet oder es wird eine Materialschicht mit einer Phasendifferenz, welches auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet ist, geätzt und es werden dadurch die Phasengitter ausgebildet. Günstigerweise besteht die Materialschicht aus einem Aufschleudergebilde (spin) auf einer Glasschicht (SOG).
Um das oben genannte zweite Ziel zu erreichen, wird ein Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske geschaffen. Eine Vielzahl an lichtundurchlässigen Mustern wird auf der Frontoberfläche eines transparenten Substrats ausgebildet, um einen Flutlichtabschnitt zur Bildung der Muster zu definieren. Eine Vielzahl von Phasengittern werden auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet, wodurch eine Außerachsenbeleuchtung (OAI) einer Einfallslichtquelle jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zugelassen wird und die äußerste Zone einer Öffnung verwendet werden kann und wobei eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt zugelassen wird, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist, zusammen mit dem transparenten Substrat in Form eines einzelnen Körpers.
Der Schritt der Ausbildung einer Vielzahl von Phasengittern umfaßt das Auftragen eines Resistmaterials auf die rückwärtige Oberfläche des transparenten Substrats, Belichten und Entwickeln des Resistmaterials und Ausbilden der Resistmuster für die gewünschten Phasengitter, Ätzen der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats unter Verwendung der Resistmuster als eine Ätzmaske und Entfernen der Resistmuster.
Der Schritt der Ausbildung der Resistmuster wird unter Verwendung einer Laserbelichtungsausrüstung durchgeführt. Ansonsten umfaßt das Verfahren vor dem Schritt der Aufschichtung des Resistmaterials ferner die Ausbildung einer Ladeschutzschicht auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats und einen Schritt gemäß der Ausbildung der Resistmuster unter Verwendung einer e-Strahl-Belichtungsausrüstung.
Um die Anhaftkraft des Resistmaterials an dem transparenten Substrat zu verbessern, wird eine Chromschicht auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet, und zwar vor dem Schritt der Aufschichtung des Resistmaterials. Die Chromschicht wird unter Verwendung der Resistmuster als Ätzmaske geätzt, um Chrommuster zu bilden. Der Schritt gemäß dem Ätzen der rückwärtigen Fläche des transparenten Substrats wird unter Verwendung der Chrommuster und der Resistmuster als Ätzmaske durchgeführt und die Chrommuster werden bei dem Schritt der Beseitigung der Resistmuster beseitigt.
Der Schritt gemäß dem Ätzen der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats wird mit Hilfe eines Trockenätzvorganges und eines Feuchtätzvorganges, die zusammen angewendet werden, durchgeführt. Der Schritt der Ätzung der rückwärtigen Fläche des transparenten Substrats wird in eine Vielzahl von Schritten aufteilt und es wird für die Phasensteuerung und die Verbesserung der Einheitlichkeit eine Ätzrate bei jedem Schritt berechnet und die berechnete Ätzrate wird bei dem nachfolgenden Schritt zur Anwendung gebracht.
In günstiger Weise werden die Phasengitter zusammen mit der Fotomaske als ein Körper auf der rückwärtigen Oberfläche der Fotomaske ausgebildet und es wird dadurch die OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung überwunden und OAI der Einfallslichtquelle kann jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung gelangen, wobei die Phasengitter in der äußersten Zone der Öffnung verwendet werden können und eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt möglich wird, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die oben angesprochenen Ziele und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der detaillierten Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen, in denen zeigen:
1 und 2 herkömmliche Gittermasken, die das Beleuchtungsmuster auf der rechten Seite entsprechend der Gestalt der Gittermaske auf der linken Gestalt zeigen;
3 und 4 Querschnittsansichten einer Fotomaske gemäß einer ersten bzw. einer zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
5 bis 7 Beispiele von Phasengittern, die in der Fotomaske gemäß der vorliegenden Erfindung enthalten sind;
8A bis 8C Ansichten, die zeigen, daß die Beleuchtung, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist, mit Hilfe der Phasengitter implementiert werden kann, die in 7 gezeigt sind;
9A bis 9C Graphen, welche die Implementierung der Außerachsenbeleuchtung (OAI) mit dem Stand der Technik vergleichen, um die Wirkung zu verifizieren, gemäß welcher eine Prozeßgrenze gemäß der vorliegenden Erfindung erreicht wird;
10A bis 10E Prozeßschritte zur Herstellung einer Fotomaske gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
11A bis 11F Prozeßschritte zur Herstellung einer Fotomaske gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden unter Hinweis auf die beigefügten Zeichnungen vollständiger beschrieben, in denen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. Die Erfindung kann jedoch in vielen unterschiedlichen Formen verkörpert sein und sie ist nicht auf die hier dargestellten Ausführungsformen beschränkt. Vielmehr sind diese Ausführungsformen zu dem Zweck erläutert, um die Offenbarung sorgfältig und vollständig zu gestalten und um Fachleute vollständig über den Rahmen der Erfindung zu informieren. In den Zeichnungen sind zum Zwecke der klaren Darstellung die Formen der Elemente übertrieben gezeichnet. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen gleiche Elemente in allen Zeichnungen.
Die 3 und 4 sind Querschnittsansichten einer Fotomaske gemäß einer ersten bzw. gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Gemäß 3 ist eine Fotomaske 30 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf einem transparenten Substrat 100 ausgebildet. Das transparente Substrat 100 ist aus Quarz oder Glas hergestellt. Eine Vielzahl an lichtundurchlässigen Mustern 110 zum Definieren eines Flutlichtabschnitts zur Ausbildung der Muster sind auf der Frontfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet. Die lichtundurchlässigen Muster 110 können aus Muster bestehen, um einen DRAM zu bilden, sind jedoch darauf nicht beschränkt. Die lichtundurchlässigen Muster 110 können aus einem geeigneten lichtundurchlässigen Material, wie beispielsweise aus Chrom (Cr) gebildet sein.
Eine Vielzahl an Phasengittern 130 sind auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet. Wie in 3 gezeigt ist, besitzt die Vielzahl der Phasengitter 130 eine reguläre periodische Unebenheit. Hierbei sind die Phasengitter 130 durch Ätzen der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet.
Gemäß 4 enthält eine Fotomaske 40 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein transparentes Substrat 100, eine Vielzahl an lichtundurchlässigen Muster 110, die an der Frontfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet sind, und enthält eine Vielzahl an Phasengittern 140, die auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet sind. Die Phasengitter 140 sind zusammen mit dem transparenten Substrat 100 als ein Körper ausgebildet. Spezifischer gesagt, ist eine Materialschicht mit einer Phasendifferenz, wie beispielsweise ein Aufschleudermaterial (spin) auf einer Glasschicht (SOG) auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet und wird dann geätzt, um die Phasengitter 140 zu bilden.
Die Phasengitter, die in den Fotomasken 30 und 40 enthalten sind, sind so ausgestaltet, um eine Außerachsenbeleuchtung (OAI) einer Einfallslichtquelle jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zuzulassen, um die Verwendung der äußersten Zone einer Öffnung zuzulassen und um eine modifizierte Beleuchtung in einer Gestalt zuzulassen, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist. Obwohl ein willkürliches geeignetes Phasengitter in der Fotomaske verwendet ist, sind auch die Phasengitter 150, 160 und 170, die in den 5 bis 7 gezeigt sind, speziell nützlich. Die Zeichnungen zeigen auf der rechten Seite der 5 bis 7 die Beleuchtungsgestalten, die den Phasengittern 150, 160 und 170 entsprechen, welche in den Zeichnungen auf der linken Seite der 5 bis 7 gezeigt sind.
Gemäß 5 besitzt eine Vielzahl der Phasengitter 150, die auf der rückwärtigen Oberfläche der Fotomaske 50 ausgebildet sind, ausgerichtete Ränder oder Kanten und bestehen aus rechteckförmigen Muster, die in einer Mosaikgestalt angeordnet sind. Hierbei können die Phasengitter 150 das Einfallslicht um 180° in der Phase verschieben. Da die Phasengitter 150 ein schräges oder geneigtes OAI des Lichtes zulassen, welches in einer vertikalen Richtung gesendet wird, wird eine Phasendifferenz auf Grund der Neigung oder Steigung der Lichtquelle verursacht. In diesem Fall wird, wie auf der rechten Seite von 5 gezeigt ist, eine Quadripol-Beleuchtung, die nahezu zu einem Dipol modifiziert ist, implementiert. Wenn das Seitenverhältnis der Phasengitter 150 größer wird, rückt die Quadripolgestalt dichter an die Gestalt eines Dipols heran.
Eine Vielzahl an Phasengittern 160, die auf der rückwärtigen Oberfläche einer Fotomaske 60 ausgebildet sind, wie dies auf der linken Seite der Zeichnung von 6 gezeigt ist, besitzen ausgerichtete Kanten oder Ränder und bestehen aus rechteckförmigen Muster, die in einer Mosaikgestalt angeordnet sind. Die Phasengitter 160 können jedoch das Einfallslicht um weniger als 180° in der Phase verschieben, das heißt um 90°. Das heißt, eine 0-te Lichtkomponente wird künstlich in die Phasengitter 160 gesendet. Ein Phasenschiebewinkel kann von dem Layout der lichtundurchlässigen Muster abhängig sein. In diesem Fall wird, wie auf der rechten Seite von 6 gezeigt ist, die Beleuchtung gemäß einem Quadripol, der modifiziert ist, so daß er dicht bei einem Dipol gelegen ist, mit der herkömmlichen Beleuchtung kombiniert.
7 veranschaulicht ein anderes Beispiel von Phasengittern. Eine Vielzahl an Phasengittern 170 sind auf der rückwärtigen Oberfläche einer Fotomaske 70 ausgebildet und bilden ein abwechselndes Muster aus Linien und Zwischenräumen, so daß es sich um einen Linien-und-Zwischenraum-Typ bei gleichen Intervallen handelt und wobei eine Phasenverschiebung des Einfallslichtes um weniger als 180° erfolgt, das heißt um 90° erfolgt, und dadurch eine 0-te Lichtkomponente künstlich in die Phasengitter 170 gesendet wird. Die Teilung (pitch) der Phasengitter 170 ist auf eine vorbestimmte numerische Öffnung (NA) der Belichtungsausrüstung eingestellt. In diesem Fall wird, wie auf der rechten Seite von 7 gezeigt ist, die Kombination aus einer Dipol-Beleuchtung mit der herkömmlichen Beleuchtung erhalten.
Speziell die Phasengitter 170, die in 7 gezeigt sind, sind für das Layout der lichtundurchlässigen Muster 110' geeignet, die in 8A gezeigt sind. 8A veranschaulicht nicht den Fall einer konstanten teilungsähnlichen Anordnung gemäß Linie und Raum bzw. Zwischenraum, sondern veranschaulicht einen Fall, bei dem die lichtundurchlässigen Muster 110' eine Teilung a in der x-Richtung, eine Teilung b in der y-Richtung und eine Teilung c in einer diagonalen Richtung haben.
Das Layout von 8A kann klassifiziert werden, so daß es das Layout gemäß Linie (A) und Zwischenraum (B) hat, was in 8B gezeigt ist, und ein Layout eines Kontaktes C hat, welches in 8C gezeigt ist. Das Layout gemäß Linie und Raum A und B von 8B kann in ein Muster gebracht werden, und zwar unter Verwendung der Dipol-Beleuchtung, wie in 1 beschrieben ist. Das Kontaktlayout C von 8C kann in ein Muster gebracht werden unter Verwendung einer herkömmlichen Beleuchtung.
Jedoch können bei dem Stand der Technik, der unter Hinweis auf die 1 und 2 beschrieben wurde, die Beleuchtungsbedingungen, die für die Ausbildung der Muster geeignet sind, mit einer Gestalt aus einer Kombination aus zwei oder mehr Layouts nicht erhalten werden. Wenn eine Mustergestaltung unter lediglich einer Bitleitungsbedingung bzw. Beleuchtungszustand für das originale Layout durchgeführt wird, bei dem zwei oder mehr Layouts kombiniert werden, wird ohne Inbetrachtziehung der Beleuchtungsbedingungen, die für jedes Layout geeignet sind, die Qualität von irgendeinem Teil schlecht und es wird somit unmöglich, die Muster auszubilden.
Natürlich kann ein Layout in zwei oder mehrere Layouts aufgeteilt werden, und zwar unter Verwendung eines Doppelbelichtungsschemas auf einem Wafer, und es kann dadurch die Mustergestaltung unter Beleuchtungsbedingungen durchgeführt werden, die für jedes Layout geeignet sind. Jedoch verursacht dies viele Verluste oder Nachteile, da zwei Fotomasken erforderlich sind und auch zwei fotolithographische Prozesse durchgeführt werden müssen, so daß das zuvor erläuterte Verfahren für eine Massenproduktion problematisch wird.
Wenn im Gegensatz dazu die Phasengitter zum Implementieren der Gestalt einer Kombination aus der Dipol-Beleuchtung und der herkömmlichen Beleuchtung, wie in 7 gezeigt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung gebildet werden, können die ursprünglichen Muster mit der in 8A gezeigten Gestalt mit lediglich einem Belichtungsprozeß unter Verwendung einer Fotomaske hergestellt werden.
Wie oben dargelegt ist, kann gemäß der vorliegenden Erfindung eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster geeignet ist, implementiert werden. Die Wirkung der Erhöhung der Prozeßgrenze, indem die Möglichkeit geschaffen wird, daß OAI der Einfallslichtquelle jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung liegt, und durch Verwenden der Phasengitter in der äußersten Zone der Öffnung, was ein anderes Merkmal der vorliegenden Erfindung darstellt, wird unter Hinweis auf die 9A bis 9C beschrieben.
Die 9A bis 9C zeigen Graphen, welche die Implementierung der Außerachsenbeleuchtung (OAI) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit derjenigen nach dem Stand der Technik vergleichen, um die Wirkung zu verifizieren, daß eine Prozeßgrenze gemäß der vorliegenden Erfindung erreicht wird. Die x-Achsen in den Graphen bezeichnen die Tiefe des Fokus (DOF) und die y-Achsen bezeichnen die Belichtungsdosis. Kästchen in den graphischen Darstellungen repräsentieren Prozeßfenster. Die lichtundurchlässigen Muster bestehen aus einem Balkentyp mit einer Hauptachse und Nebenachsen mit einer Teilung von 0,292 μm.
9A veranschaulicht einen Fall, bei dem die OAI unter Verwendung einer Quadripolöffnung implementiert wird, und zwar bei einer Belichtungsausrüstung mit 0,7 NA und einem Abschnitt mit einem Durchmesser von 0,55–0,85 σ, der als eine optische Übertragungszone verwendet wird (markiert als 0,85/0,55), wenn der Durchmesser der Öffnung gleich σ ist. Das heißt, die Weite oder Breite der optischen Übertragungszone liegt bei 0,3 σ. In solch einem Fall liegt die Prozeßgrenze der Überlappung der Hauptachse und der Nebenachse bei etwa 0,4 μm von DOF und bei einem Belichtungsspielraum (EL) von ca. 10%.
9B veranschaulicht einen Fall, bei dem die OAI unter Verwendung einer Quadripolöffnung implementiert ist, wobei die Belichtungsausrüstung 0,63 NA aufweist, was niedriger liegt als der Wert in dem Fall von 9A. Die oben angeführte Bedingung, die mit 0,85/0,55 markiert ist, was die OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung mit 0,63 NA ist, ist in 9B verwendet. In diesem Fall beträgt im Hinblick auf die Prozeßgrenze der Überlappung der Hauptachse und der Nebenachse, EL bei etwa 4%, was weniger ist als der Prozentsatz in 9A. Bei dem zuvor angegebenen EL ist eine Massenproduktion unmöglich.
Jedoch veranschaulicht 9C einen Fall, bei dem die OAI-Bedingungen modifiziert sind, wie dies in 5 beschrieben bzw. dargestellt ist, so daß die OAI in der äußersten Zone der Öffnung implementiert wird, wobei dennoch die Belichtungsausrüstung mit 0,63 NA verwendet wird, und zwar von 9B, was niedriger liegt als der Wert im Falle von 9A ohne irgendeine Änderung. Das heißt, im Gegensatz zu den 9A und 9B wird der Abschnitt von 9B mit dem Durchmesser von 0,7–1 σ als die optische Übertragungszone verwendet (markiert als 1/0,7), so daß die Breite der optischen Übertragungszone gleich 0,3 σ beträgt, was das gleiche ist wie im Falle von 9A. In solch einem Fall ist die Prozeßgrenze der Überlappung zwischen der Hauptachse und der Nebenachse ähnlich derjenigen im Fall von 9A. Das heißt, die oben offenbarte Ausführungsform erhält eine Prozeßgrenze, die gleich ist mit derjenigen der Belichtungsausrüstung die ein hohes NA besitzt, wie in 9A gezeigt ist, selbst wenn eine Belichtungsausrüstung verwendet wird, die ein niedriges NA hat.
Obwohl demzufolge eine Belichtungsausrüstung mit 0,63 NA, also niedriger als 0,7 NA verwendet wird, wird die Bedingung, die als 0,85/0,55 markiert ist, was die OAI-Grenze der Ausrüstung darstellt, in eine Bedingung oder Zustand modifiziert gemäß 1/0,7, so daß OAI in der äußersten Zone der Öffnung implementiert wird und dadurch die gleiche Prozeßgrenze erreicht wird, so als ob die Belichtungsausrüstung mit 0,7 NA verwendet würde. Die meisten Halbleitergesellschaften wollen Produkte einer neuen Generation entwickeln und wollen die Produkte der neuen Generation in einer Massenproduktion herstellen, und zwar unter Verwendung der herkömmlichen Ausrüstung ohne zusätzliche Investitionen, was bedeutet, daß hochintegrierte Vorrichtungen unter Verwendung einer Belichtungsausrüstung in einer Massenproduktion produziert werden, welche Ausrüstung ein NA so niedrig wie möglich besitzt. Dieses Interesse kann durch die Verwendung der hier offenbarten Fotomaske befriedigt werden.
Ein Verfahren zur Herstellung der Fotomaske wird nun unter Hinweis auf die 10A bis 10E und 11A bis 11F beschrieben. Das Verfahren bildet eine Technik zur Herstellung von Phasengittern direkt auf der rückwärtigen Oberfläche eines transparenten Substrats von 6 Inch, welches allgemein als transparentes Substrat für eine Fotomaske verwendet wird. Vermittels dieser Technik können viele Überlegungen befriedigt werden; wenn die Designregel oder -größe kleiner wird, wird auch die Größe der Phasengitter reduziert, wobei dies auf dem transparenten Substrat implementiert wird, das Tastverhältnis kann präzise auf 1:1 gesteuert werden und es kann auch die Phase präzise gesteuert werden, um eine gewünschte Phasendifferenz zu erzielen, was alles mit großer Einheitlichkeit erreicht wird.
Gemäß 10A werden eine Vielzahl von lichtundurchlässigen Muster 110 zum Definieren eines Flutlichtabschnitts zur Bildung der Muster auf der Frontfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet.
Gemäß 10B wird zur Verbesserung der Anhaftkraft des Resistmaterials, welches auf das transparente Substrat 100 aufgeschichtet werden soll, Hexamethyldisalazan (HMDS) 115 auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 aufgebracht. Nachfolgend wird das Resistmaterial 120 auf die rückwärtige Oberfläche des transparenten Substrats 100 aufgeschichtet. In diesem Fall muß das Fotoresistmaterial oder ein e-Strahl-Resistmaterial in Einklang mit der Art der Belichtungsausrüstung ausgewählt werden, das heißt im Hinblick darauf, ob ein Laser oder ein e-Strahl als Lichtquelle verwendet wird. Um eine e-Strahl-Belichtungsausrüstung zu verwenden, muß eine Ladungsschutzschicht auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet werden, bevor das Resistmaterial 120 auf das transparente Substrat 100 aufgetragen wird, um einen Ladungseffekt zu verhindern.
Gemäß 10C werden Resistmaterialmuster 120a ausgebildet, um dadurch die gewünschten Phasengitter zu erreichen, was durch Belichten und Entwickeln des Resistmaterials 120 geschieht. Bei diesem Schritt wird das HMDS 115 ebenfalls mit in ein Muster gebracht. Die Phasengitter werden ausgebildet, um eine Außerachsenbeleuchtung (OAI) einer Einfallslichtquelle jenseits der OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zuzulassen, um die Verwendung der äußersten Zone einer Öffnung zu erreichen und um eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt vorzusehen, die für das Layout der lichtundurchlässigen Muster 110, die implementiert werden sollen, geeignet ist. Wenn Informationsdaten über die Resistmaterialmuster 120a, die auf der Oberfläche des Resistmaterials 120 designed werden, durch Abtasten mit einem Laser oder einem e-Strahl gewonnen werden, können die Eigenschaften einer polymeren chemischen Kombinationsstruktur des Resistmaterials 120 physikalisch variiert werden. Wenn eine Aufschleuderdispersion (spin dispersion) oder eine Puddeldispersion der entwickelten Lösung verwendet wird, kann eine belichtete Resistmaterialzone selektiv freigelegt werden. Die Behandlung des HMDS 115 verhindert, daß die Muster verzogen werden, wenn das Resistmaterial 120 entwickelt wird. Bei einem e-Strahl-Prozeß ist ein Spülprozeß erforderlich, um die Resistmaterialrückstände zu beseitigen, die nach dem zusätzlichen Hartbackenanlassen und den Entwicklungsprozessen zurückbleiben, was mit Hilfe der Verwendung von Plasma erfolgt.
Gemäß 10D wird die rückwärtige Fläche des transparenten Substrats 100 bis zu einer vorbestimmten Tiefe geätzt, wobei die Resistmaterialmuster 120a als eine Ätzmaske dienen, und es werden dadurch die Vielzahl der Phasengitter 130 zusammen mit dem transparenten Substrat 100 hergestellt, und zwar als ein einziger Körper, und zwar auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100. Es können sowohl ein Trockenätzvorgang als auch ein Feuchtätzvorgang durchgeführt werden, um die rückwärtige Fläche des transparenten Substrats 100 zu ätzen, und insbesondere bei Verwendung von sowohl einem anisotropen Trockenätzvorgang und einem isotropen Feuchtätzvorgang kann die Größe der Phasengitter präzise eingestellt werden und es kann dadurch das Seitenverhältnis der Phasengitter präzise auf 1:1 eingestellt werden.
Die Vielzahl der Phasengitter 130 können ausgerichtete Ränder haben und können aus rechteckförmigen Muster bestehen, die in einer Mosaikgestalt angeordnet sind. In diesem Fall können die Phasengitter 130 das einfallende Licht um 180° oder um weniger als 180° in der Phase verschieben. Alternativ kann die Vielzahl der Phasengitter ein sich abwechselndes Muster aus Linien und Zwischenräumen haben, und zwar in gleichen Intervallen, und diese können das Einfallslicht um weniger als 180° in der Phase verschieben.
Der Phasenschiebewinkel wird durch Einstellen der Ätztiefe des transparenten Substrats 100 gesteuert. Für eine Phasensteuerung und Verbesserung der Einheitlichkeit wird der Schritt des Ätzens der rückwärtigen Fläche des transparenten Substrats 100 in eine Vielzahl von Schritten aufgeteilt, wobei die Ätzrate für jeden Schritt berechnet wird, und die berechnete Ätzrate bei dem nachfolgenden Schritt dann zur Anwendung gebracht wird. Als ein Ergebnis kann eine gewünschte Phasendifferenz präzise erhalten werden und die Ätzzeit bei jedem Schritt kann in richtiger Weise verteilt werden, wodurch eine Verschlechterung der Einheitlichkeit auf Grund einer Zunahme in einer Ätzzeit verhindert wird.
Wie in 10E gezeigt ist, werden das Fotoresistmaterialmuster 120a und das HMDS 115 entfernt, womit dann die Herstellung der Fotomaske vervollständigt wird, auf welcher die Phasengitter 130 ausgebildet sind.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung der Fotomaske, welches unter Hinweis auf die 11A bis 11F beschrieben wird, ist im allgemeinen das gleiche wie das Verfahren, welches oben beschrieben wurde, es wird jedoch eine Chromschicht anstelle der HMDS-Verarbeitung oder -Bearbeitung vor der e-Strahl-Lithographie ausgebildet.
Gemäß 11A werden eine Vielzahl von lichtundurchlässigen Mustern 110 zum Definieren eines Flutlichtabschnitts zur Bildung der Muster auf der Frontfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet.
Gemäß 11B wird zur Verbesserung der Anhaftkraft eines Resistmaterials, welches auf das transparente Substrat 100 aufzutragen ist, eine Chromschicht 117 auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 ausgebildet. Die Chromschicht 117 kann durch Kathodenzerstäubung ausgebildet werden (sputtering). Nachfolgend wird ein e-Strahl-Resistmaterial 122 auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100 aufgeschichtet.
Gemäß 11C wird das e-Strahl-Resistmaterial 122 belichtet und entwickelt, wobei e-Strahl-Resistmaterialmuster 122a für die gewünschten Phasengitter ausgebildet werden. Dieser Schritt wird unter Verwendung einer e-Strahl-Belichtungsausrüstung durchgeführt. Auch wird ein Spülprozeß ausgeführt.
Die Chromschicht 117 wird unter Verwendung der e-Strahl-Resistmaterialmuster 122a als Ätzmaske geätzt, wodurch dann Chrommuster 117a gebildet werden. In diesem Fall wird die Chromschicht 117 feucht geätzt und wird auch selektiv geätzt, während jedoch die e-Strahl-Resistmaterialmuster 122a als eine Schutzschicht dienen.
Gemäß 11D wird die rückwärtige Fläche des transparenten Substrats 100 geätzt, und zwar unter Verwendung der Chrommuster 117a und der e-Strahl-Resistmaterialmuster 122a, und es werden dadurch die Vielzahl der Phasengitter 130 zusammen mit dem transparenten Substrat 100 als ein Körper ausgebildet, und zwar auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats 100.
Wie in 11E gezeigt ist, werden die e-Strahl-Resistmaterialmuster 122a entfernt, und wie in 11F gezeigt ist, werden die Chrommuster 117a entfernt, wodurch die Herstellung der Fotomaske vervollständigt ist.
Das oben erläuterte Verfahren kann verwendet werden, wenn eine Aufschleuderschicht auf Glas (SOG) auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet wurde und dann geätzt wurde, um die Phasengitter herzustellen.
Spezifischer gesagt, wird die SOG-Schicht auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats ausgebildet und es wird dann das Resistmaterial auf die SOG-Schicht aufgeschichtet, wird belichtet und entwickelt, wodurch dann die Resistmaterialmuster für die gewünschten Phasengitter gebildet werden. Die SOG-Schicht wird unter Verwendung der Resistmaterialmuster als Ätzmaske geätzt und die Resistmaterialmuster werden dann entfernt, wodurch die Fotomaske hergestellt wird. Um in diesem Fall die Anhaftkraft des Resistmaterials an der SOG-Schicht zu verbessern, kann eine Behandlung mit HMDS vorgenommen werden oder es kann eine Chromschicht ausgebildet werden.
Wie oben beschrieben wurde, werden die Phasengitter auf der rückwärtigen Oberfläche der Fotomaske ausgebildet und ein Beugungswinkel wird künstlich eingestellt, um die OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zu überwinden und um Phasengitter zu ermöglichen, die in der äußersten Zone der Öffnung verwendet werden können, und zwar bei Verwendung einer herkömmlichen Belichtungsausrüstung ohne irgendeine Änderung. Somit kann die Wirkung der OAI-Bedingung, die in der Belichtungsausrüstung nicht vorgesehen werden kann, erreicht werden. Da gewünschte Prozeßfenster erzielt werden können, obwohl eine Belichtungsausrüstung mit einem niedrigen NA verwendet wird, ist eine hochpräzise Belichtungsausrüstung mit einem hohen NA nicht erforderlich, und somit können die Herstellungskosten drastisch reduziert werden.
Da die Phasengitter gemäß dem Layout der lichtundurchlässigen Muster ausgebildet werden, kann ein optimierter OAI-Effekt erzielt werden, und zwar selbst bei lichtundurchlässigen Muster mit einem willkürlichen Layout. Daher kann die optische Qualität und die Waferprozeßfähigkeit verbessert werden. Selbst wenn Muster unterschiedliche Teilungen in einer x-Richtung, einer y-Richtung und in einer diagonalen Richtung aufweisen, und zwar anstelle einer konstanten Teilung, wie bei einem sich abwechselnden Linien- und Zwischenraumlayout, kann eine gewünschte CD in jeder Richtung implementiert werden. Somit kann die richtige Prozeßgrenze erreicht werden.
Zusätzlich werden die Phasengitter zusammen mit der Fotomaske als ein Körper hergestellt, indem die rückwärtige Fläche einer 6 Inch Fotomaske geätzt wird, wie sie allgemein als ein transparentes Substrat für eine Fotomaske verwendet wird, oder indem eine SOG-Schicht geätzt wird, die auf die Fotomaske aufgeschichtet ist, um die herkömmlichen Probleme zu lösen und eine Massenproduktion zu ermöglichen.
Da die Fotomaske einen Außerachseneffekt erreicht kann, ist ein Lichtübertragungsbereich größer als derjenige bei einer Struktur, bei welcher ein Teil des Lichtes, welches in ein Beleuchtungssystem gesendet wird, abgeschnitten wird, und zwar unter Verwendung einer herkömmlichen Öffnung, und es wird somit das Ausmaß der Belichtung erhöht. Demzufolge kann auch die Belichtungszeit reduziert werden und die Produktivität verbessert werden.
Obwohl die Erfindung speziell unter Hinweis auf bevorzugte Ausführungsformen dargestellt und beschrieben ist, ist es für Fachleute offensichtlich, daß vielfältige Änderungen in der Form und in Einzelheiten vorgenommen werden können, ohne dabei den Rahmen der Erfindung, wie er durch die anhängenden Ansprüche festgehalten ist, zu verlassen.

Claims

Verfahren zur Herstellung einer Fotomaske, welches Verfahren die folgenden Schritte umfaßt: Ausbilden einer Vielzahl von lichtundurchlässigen Muster (110), um einen Flutlichtbeleuchtungsabschnitt für die Ausbildung der Muster auf einer Frontoberfläche eines transparenten Substrats (100) zu definieren; Ausbilden einer Vielzahl von Phasengittern (130; 140; 150; 160) zusammen mit dem transparenten Substrat (100) als ein Körper auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats (100), um dadurch eine Außerachsen-Beleuchtung (OAI) einer Einfallslichtquelle jenseits einer OAI-Grenze der Belichtungsausrüstung zuzulassen und auch die Verwendung einer äußersten Zone einer Öffnung zuzulassen und eine modifizierte Beleuchtung mit einer Gestalt zu ermöglichen, die für die Layouts der lichtundurchlässigen Muster (110) geeignet ist, bei dem der Schritt der Ausbildung der Vielzahl an Phasengittern folgendes umfaßt: Aufschichten eines Resistmaterials (120) auf einer rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats (100); Belichten und Entwickeln des Resistmaterials (120) und Ausbilden von Resistmaterialmustern (120a) für die gewünschten Phasengitter (130; 140; 150; 160); Ätzen der rückwärtigen Fläche des transparenten Substrats (100) unter Verwendung der Resistmaterialmuster (120a) als Ätzmaske; und Beseitigen der Resistmaterialmuster (120a), dadurch gekennzeichnet, dass die Ätztiefe des transparenten Substrats (100) zur Steuerung des Phasenschiebewinkels eingestellt wird, wobei der Schritt gemäß dem Ätzen der rückwärtigen Fläche des transparenten Substrats (100) in eine Vielzahl an Schritten aufgeteilt wird und für jeden Schritt eine Ätzrate berechnet wird und die berechnete Ätzrate bei einem nachfolgenden Schritt zur Anwendung gebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei der der Schritt der Ausbildung der Phasengitter folgendes umfaßt: Ausbilden einer Aufschleuderschicht aus Glas (SOG) auf der rückwärtigen Oberfläche des transparenten Substrats (100); Aufschichten eines Resistmaterials (122) auf der SOG Schicht; Belichten und Entwickeln des Resistmaterials (122) und Ausbilden von Resistmaterialmustern (122a) für die gewünschten Phasengitter; und Ätzen der SOG Schicht unter Verwendung der Resistmaterialmuster (122a) als eine Ätzmaske; und Entfernen der Resistmaterialmuster (122a).
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem ferner Hexamethyldisilazan (HMDS) auf der SOG Schicht vor dem Schritt der Aufschichtung des Resistmaterials (122) aufgebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Schritt der Ausbildung der Resistmaterialmuster (122a) unter Verwendung einer Laser-Belichtungsausrüstung durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem ferner eine Ladungsschutzschicht auf der SOG Schicht vor dem Schritt der Aufschichtung des Resistmaterials (122) ausgebildet wird, wobei der Schritt der Ausbildung der Resistmaterialmuster (122a) unter Verwendung einer e-Strahlbelichtungsausrüstung durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, ferner mit den folgenden Schritten: Ausbilden einer Chromschicht auf der SOG Schicht vor dem Schritt der Aufschichtung des Resistmaterials (122); und Ätzen der Chromschicht unter Verwendung der Resistmaterialmuster (122a) als Ätzmaske und Ausbilden von Chrommustern; wobei der Schritt gemäß dem Ätzen der SOG Schicht unter Verwendung der Chrommuster und der Resistmaterialmuster (122a) als Ätzmaske durchgeführt wird und die Chrommuster bei dem Schritt der Beseitigung der Resistmaterialmuster (122a) beseitigt werden.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Schritt gemäß dem Ätzen der SOG Schicht unter gemeinsamer Anwendung eines Trockenätzvorganges und eines Feuchtätzvorganges durchgeführt wird.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Schritt gemäß dem Ätzen der SOG Schicht in eine Vielzahl von Schritten aufgeteilt wird und die Ätzrate in jedem Schritt berechnet wird und die berechnete Ätzrate bei einem nachfolgenden Schritt zur Anwendung gebracht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl der Phasengitter mit ausgerichteten Rändern ausgebildet werden und als rechteckförmige Musterausgebildet werden, die in einer Mosaikgestalt angeordnet sind.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Phasengitter (130; 140; 150; 160) das Einfallslicht um 180° in der Phase verschieben.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die Phasengitter (130; 140; 150; 160) das Einfallslicht um weniger als 180° in der Phase verschieben.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Vielzahl der Phasengitter (130; 140; 150; 160) ein sich abwechselndes Muster aus Linien und Zwischenräumen bilden und das Einfallslicht um weniger als 180° in der Phase verschieben.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Licht undurchlässigen Muster aus Muster bestehen, um einen dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) herzustellen.
Nach dem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellte Fotomaske.