DE102014104510B4 - Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens Download PDFInfo
- Publication number
- DE102014104510B4 DE102014104510B4 DE102014104510.6A DE102014104510A DE102014104510B4 DE 102014104510 B4 DE102014104510 B4 DE 102014104510B4 DE 102014104510 A DE102014104510 A DE 102014104510A DE 102014104510 B4 DE102014104510 B4 DE 102014104510B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate material
- structural element
- connecting surface
- temperature
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/385—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by conversion of the surface of the metal, e.g. by oxidation, whether or not followed by reaction or removal of the converted layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/20—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by affixing prefabricated conductor pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29075—Plural core members
- H01L2224/2908—Plural core members being stacked
- H01L2224/29082—Two-layer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29109—Indium [In] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29186—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/29187—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32105—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector connecting bonding areas being not aligned with respect to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/32227—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the layer connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/75252—Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75302—Shape
- H01L2224/7531—Shape of other parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/7532—Material of the auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/757—Means for aligning
- H01L2224/75743—Suction holding means
- H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
- H01L2224/83201—Compression bonding
- H01L2224/83203—Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83439—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83444—Gold [Au] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83399—Material
- H01L2224/834—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/83438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/83447—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/83815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
- H01L2224/8382—Diffusion bonding
- H01L2224/8383—Solid-solid interdiffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83905—Combinations of bonding methods provided for in at least two different groups from H01L2224/838 - H01L2224/83904
- H01L2224/83906—Specific sequence of method steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0145—Polyester, e.g. polyethylene terephthalate [PET], polyethylene naphthalate [PEN]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10015—Non-printed capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10022—Non-printed resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10954—Other details of electrical connections
- H05K2201/10984—Component carrying a connection agent, e.g. solder, adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0108—Male die used for patterning, punching or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0113—Female die used for patterning or transferring, e.g. temporary substrate having recessed pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/03—Metal processing
- H05K2203/0315—Oxidising metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
- H05K2203/0502—Patterning and lithography
- H05K2203/0511—Diffusion patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/081—Blowing of gas, e.g. for cooling or for providing heat during solder reflowing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/082—Suction, e.g. for holding solder balls or components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/16—Inspection; Monitoring; Aligning
- H05K2203/163—Monitoring a manufacturing process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
Verfahren zum Fügen von Strukturelementen (3, 4) in Form von Beschichtungen (3) und/oder Bauteilen (4) auf organischen Substratmaterialien (2), bei dem eine Verbindungsoberfläche (30) wenigstens eines Strukturelements (3, 4) mit einer Verbindungsoberfläche (20) wenigstens eines Substratmaterials (2) in Form eines organischen Kunststoffmaterials stoffschlüssig verbunden wird, gekennzeichnet durch die Schritte:a) Erzeugen einer oxidierten Oberfläche an der Verbindungsoberfläche (20, 30) des Strukturelements (3, 4) und/oder des Substratmaterials (2) oder Verwenden eines Strukturelements (3, 4) und/oder Substratmaterials (2) mit einer bereits oxidierten Oberfläche an dessen Verbindungsoberfläche (20, 30),b) Pressen der Verbindungsoberfläche (30) des Strukturelements (3, 4) gegen die Verbindungsoberfläche (20) des Substratmaterials (2) mit einem bestimmten Anpressdruck (11) ungleich Null bei gleichzeitiger Erwärmung zumindest der aneinander gepressten Verbindungsoberflächen (20, 30) auf eine Temperatur oberhalb einer Mindesttemperatur, wobei die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt wird, die im Bereich der Solidustemperatur des Materials des Strukturelements (3, 4) zumindest an dessen Verbindungsoberfläche (30) ist und geringer als die Liquidustemperatur des Substratmaterials (2) ist,c) Beenden des Anpressens und der Erwärmung nach Erreichen einer bestimmten Diffusionstiefe der Diffusion wenigstens eines Bestandteils der Oxidschicht der oxidierten Oberfläche an der einen Verbindungsoberfläche (20, 30) in das Material der anderen Verbindungsoberfläche (20, 30).
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Fügen von Strukturelementen in Form von Beschichtungen und/oder Bauteilen auf organischen oder nicht-organischen Substratmaterialien gemäß dem Anspruch 1. Die Erfindung betrifft ferner eine Einrichtung zur Herstellung einer solchen Anordnung gemäß Anspruch 7.
- Allgemein betrifft die Erfindung das Fügen von Beschichtungen und/oder Bauteilen auf Substratmaterialien, d.h. deren stoffschlüssige Verbindung mit dem Substratmaterial. Für solche Fügeverfahren gibt es diverse Anwendungen. Ein wichtiger Anwendungsbereich liegt in der Herstellung elektrischer und/oder elektronischer Schaltungen. Diese werden gemäß dem Stand der Technik entweder auf festen Leiterplatten (Platinen) aufgebaut, oder es werden Flexleiter verwendet, die ein flexibles Substrat aufweisen, das mit Leiterbahnen versehen wird. Flexible Substrate bestehen meistens aus auf Polymerbasis entwickelten Werkstoffen. Die Leiterbahnen werden aus vornehmlich metallischen Werkstoffen gebildet. Bei Verbindungen von Polymeren mit Metallen sind verschiedene Probleme zu lösen, z.B. verschiedene Längenausdehnungskoeffizienten, im Wesentlichen keine Möglichkeit der Herstellung chemischer Verbindungen zwischen Polymeren und Metallen aufgrund verschiedener Atomstrukturen sowie die Beachtung verschiedener Schmelztemperaturen, wenn ein thermischer Fügeprozess verwendet wird.
- Aber auch außerhalb der Flexleitertechnologie ist grundsätzlich ein Trend zur Verwendung von Leiterbahnen bzw. Metallisierungen auf Polymersubstraten erkennbar, da diese im Gegensatz zu Keramiken leicht sind und außerdem von Fall zu Fall dotierbar und strukturierbar sind. Dabei werden allerdings bisher dotierte und strukturierte Varianten bevorzugt, da wie erwähnt Metall/Polymerverbindungen meist unter produktionstechnisch hohem Aufwand durch thermische Fügetechnologien erstellt werden. Hier gilt es insbesondere die Reproduzierbarkeit einer präzisen Fertigung sicher zu stellen.
- Bekannte Fügeverfahren haben ferner den Nachteil, dass sie Probleme der Positionierung im Hinblick auf ihre Zugänglichkeit für eine Massenfertigung nicht befriedigend lösen können.
- Bei Flexleitern ist außerdem die Dauerhaltbarkeit der Fügeverbindung noch nicht zufriedenstellend, insbesondere wenn der Flexleiter häufigen Biegebelastungen unterworfen ist.
- Aus der
US 3,414,487 sind Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen bekannt. Aus derDE 26 33 869 A1 ist eine direkte Verbindung von Metallen mit Keramikmaterialien und Metallen bekannt. Aus derDE 600 01 776 T2 ist ein Einkapselungsverfahren einer Halbleiteranordnung mit einem anisotropisch leitenden Kunststoff bekannt. Aus derUS 2012/0085574 A1 DE 10 2005 036 517 A1 ist ein Metallbondingverfahren bekannt. - Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Fügen von Strukturelementen auf Substratmaterialien anzugeben, das eine hohe Präzision bei der Herstellung mit einer hohen Haltbarkeit der Fügeverbindung verbindet. Ferner soll eine dementsprechende Anordnung sowie eine Einrichtung zur Herstellung einer solchen Anordnung angegeben werden.
- Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zum Fügen von Strukturelementen gemäß Anspruch 1 gelöst. Das Verfahren beinhaltet die Schritte:
- a) Erzeugen einer oxidierten Oberfläche an der Verbindungsoberfläche des Strukturelements und/oder des Substratmaterials oder Verwenden eines Strukturelements und/oder Substratmaterials mit einer bereits oxidierten Oberfläche an dessen Verbindungsoberfläche,
- b) Pressen der Verbindungsoberfläche des Strukturelements gegen die Verbindungsoberfläche des Substratmaterials mit einem bestimmten Anpressdruck ungleich Null bei gleichzeitiger Erwärmung zumindest der aneinander gepressten Verbindungsoberflächen auf eine Temperatur oberhalb einer Mindesttemperatur,
- c) Beenden des Anpressens und der Erwärmung nach Erreichen einer bestimmten Diffusionstiefe der Diffusion wenigstens eines Bestandteils der Oxidschicht der oxidierten Oberfläche an der einen Verbindungsoberfläche in das Material der anderen Verbindungsoberfläche.
- Die Erfindung hat den Vorteil, dass sie mit relativ geringem technischen Aufwand die Herstellung erheblich haltbarer Fügeverbindungen erlaubt als bekannte Verfahren. Insbesondere werden auch andere Nachteile bekannter Verfahren, die zu Problemen bei der Herstellpräzision führen, vermieden. So gibt es bei der Erfindung z.B. keine Probleme mit übertretender Schmelze, die nachträglich erst wieder entfernt werden muss. Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch relativ robust gegenüber fertigungsbedingten Inhomogenitäten der erzeugten Anordnung, sodass ein hoher Grad an Reproduzierbarkeit der Fertigung, gerade auch in Massenfertigung, mit vergleichsweise geringem Aufwand erreicht werden kann. Das erfindungsgemäße Fügeverfahren kann ferner ohne Zusatzstoffe, die zur Herstellung der Fügeverbindung bei bekannten Verfahren erforderlich sind, durchgeführt werden, z.B. ohne Löt- oder Schweißmittel.
- Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können z.B. elektrische und/oder elektronische Schaltungen hergestellt werden. Das Substratmaterial dient dabei als Träger, ähnlich wie die Platine oder das Flexleiter-Substrat bei bekannten Schaltungen. Als Beschichtung können Leiterbahnen auf das Substratmaterial aufgebracht werden. Ferner können Bauteile, z.B. elektrische und elektronische Bauteile, auf das Substratmaterial aufgebracht werden. Die Erfindung eignet sich aber auch für andere Anwendungsbereiche, in denen ein Fügeprozess mit hoher Haltbarkeit erforderlich ist.
- Das Substratmaterial kann ein elektrisch leitendes oder ein elektrisch isolierendes Material sein. Als elektrisch isolierendes Material kann als Substratmaterial insbesondere ein organisches Kunststoffmaterial verwendet werden, z.B. in Form einer Folie oder einer dünnen Platte. So kann als Substratmaterial z.B. ein Polymermaterial verwendet werden, z.B. Polyethylenterephtalat oder Polyimid. Vorteilhaft sind insbesondere weiche Kunststoffe. Das Substratmaterial kann insbesondere ein optisches Polymermaterial sein, z.B. ein klartransparentes Material, wie z.B. Plexiglas. Auch Polycarbonate können vorteilhaft als Substratmaterial eingesetzt werden.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung weist die Verbindungsoberfläche des Strukturelements ein Metall, eine Metalllegierung oder einen metallhaltigen Werkstoff auf, wobei dieses Material oxidierbar ist. Die Metalllegierung kann insbesondere eine eutektische Legierung sein. Der metallhaltige Werkstoff kann z.B. ein Kompositmaterial sein. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist das Strukturelement zumindest im Bereich der Verbindungsoberfläche ein niedrigschmelzendes Metall oder eine Metalllegierung auf. Es kann sich z.B. um eine Indium-Zinn-Legierung handeln, z.B. 52In48Sn, oder eine andere Indium-Metall-Legierung. Im Falle einer Metalllegierung ist es vorteilhaft, die Legierungsmaterialien als Materialien mit im Wesentlichen gleicher dynamischer Viskosität auszuwählen. Hierdurch wird der Fügepartner homogen bereitgestellt, wodurch ein besonders homogener Diffusionsprozess der Oxidschicht erreicht werden kann.
- Das Strukturelement, insbesondere in Form der Beschichtung, kann auch als Mehrschichtsystem ausgebildet sein, z.B. in Form von Leiterbahnen, die als stromleitendes Element eine Edelmetall- oder Halbedelmetallschicht, z.B. Gold, Silber oder Kupfer, aufweisen, wobei an der Verbindungsoberfläche des Strukturelements die genannte Metallschicht oder Metalllegierungsschicht, die oxidierbar ist, angeordnet ist.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird das Strukturelement mittels eines strukturierten Stempels gegen das Substratmaterial gepresst, wobei der Stempel ein Abbild der auf dem Substratmaterial zu erzeugenden geometrischen Struktur einer Beschichtung des Substratmaterials ist. Auf diese Weise können z.B. elektronische Schaltungen mit großer Präzision schnell und kostengünstig hergestellt werden. Mittels der Strukturierung des Stempels, die z.B. der zu erzeugenden Leiterbahnstruktur entsprechen kann, können die gewünschten Leiterbahnen auf dem Substratmaterial aufgepresst und zugleich durch die Diffusionsverbindung mittels der Oxidschicht stoffschlüssig befestigt werden. Bei entsprechender Ausgestaltung des Stempels können auch zugleich elektronische Bauteile der zu erzeugenden elektronischen Schaltung an dem Substratmaterial angebracht werden.
- Der beim Pressen einzustellende Anpressdruck muss selbstverständlich größer Null sein und sollte von seiner Höhe her so gewählt werden, dass innerhalb eines gewünschten, möglichst kurzen Zeitraums die bestimmte Diffusionstiefe der Diffusion der Oxidschicht in das Material der anderen Verbindungsoberfläche erreicht wird. Der Anpressdruck darf aber nicht so hoch gewählt werden, dass dabei das Strukturelement oder das Substratmaterial irreversibel deformiert oder anderweitig beschädigt wird. Beim Erzeugen von Beschichtungen, bei denen an der Verbindungsoberfläche das genannte niedrigschmelzende Metall oder die Metalllegierung vorhanden ist, auf einer Polymerfolie als Substratmaterial kann der Anpressdruck z.B. im Bereich von 0,1 bis 0,3 N/mm2 gewählt werden, z.B. bei 0,2 N/mm2.
- Gemäß der Erfindung wird die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt, die im Bereich der Solidustemperatur des Materials des Strukturelements zumindest an dessen Verbindungsoberfläche ist und geringer als die Liquidustemperatur des Substratmaterials ist. Hierdurch wird ein Wegschmelzen des Substratmaterials vermieden und zugleich die Diffusion der Oxidschicht in das Material der anderen Verbindungsoberfläche gefördert, z.B. von einer oxidierten Metall- oder Metalllegierungsschicht des Strukturelements in die Verbindungsoberfläche des Substratmaterials. Die Temperatur kann dabei gleich der Solidustemperatur des Materials des Strukturelements zumindest an dessen Verbindungsoberfläche sein, oder geringfügig darüber oder darunter. Wenn das Material des Strukturelements zumindest an dessen Verbindungsoberfläche ein nicht-eutektisches Material ist, ist es vorteilhaft, wenn die Temperatur unterhalb der Liquidustemperatur dieses Materials ist.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt, die unterhalb der Glasübergangstemperatur des Substratmaterials ist. Hierdurch wird insbesondere bei Substratmaterialien aus Kunststoffen eine unerwünschte Beschädigung oder Verformung während des Fügeprozesses vermieden.
- Die oxidierte Oberfläche an der Verbindungsoberfläche des Strukturelements und/oder des Substratmaterials kann bereits dadurch erzeugt oder bereitgestellt werden, indem die Verbindungsoberfläche der Umgebungsluft ausgesetzt wird und dadurch selbsttätig oxidiert. Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird die Oxidation der Verbindungsoberfläche als kontrollierter, gleichmäßig gesteuerter Oxidationsprozess durchgeführt, insbesondere als beschleunigter Oxidationsprozess. Dies hat den Vorteil, dass eine besonders gleichmäßige, homogene Oxidschicht erzeugt werden kann. Dies führt wiederum dazu, dass die Präzision und Reproduzierbarkeit der Fügeverbindung weiter verbessert wird. Hierbei ist es vorteilhaft, die Oxidschicht in Form einer kontinuierlichen, gleichmäßigen von der Außenseite der Verbindungsoberfläche nach Innen verlaufenden Oxidation durchzuführen. Der kontrollierte, gleichmäßig gesteuerte Oxidationsprozess kann z.B. mittels eines Oxidationsofens durchgeführt werden. Hierbei kann die Oxidation weiter optimiert werden durch Zuführung eines geeigneten Oxidationsgases, z.B. unter Verwendung von Präkursoren und/oder Reaktoren zur Vermeidung von ungewollten Reaktionen oder Verunreinigungen an der Verbindungsoberfläche.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird das Strukturelement und/oder das Substratmaterial während der Durchführung des Fügeverfahrens mittels Unterdruck temporär fixiert. Dies hat den Vorteil, dass die häufig relativ kleinen und/oder empfindlichen Strukturelemente und Substratmaterialien zuverlässig gehalten werden können, ohne sie dabei zu beschädigen. Für die Erzeugung des Unterdrucks reichen kleine Differenzdrücke zum Umgebungsdruck bereits aus, um eine sichere Fixierung zu gewährleisten. Der Unterdruck kann dabei während des gesamten Fügeprozesses aufrecht erhalten werden. Durch den Unterdruck wird das Strukturelement bzw. das Substratmaterial angesaugt und hierdurch an einem Bauteilaufnehmer gehalten.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung kann während des Anpressvorgangs mittels eines Anpresswerkzeugs unter Ausnutzung des Kapillardrucks die Fließrichtung des Materials der Beschichtung kontrolliert werden. So kann beim Aufsetzen des Anpresswerkzeugs auf das zu verfügende Bauteil temperaturbedingt ein nahezu luftdichtes System erzeugt werden, weil die in Folge der Erwärmung erzeugte „halbflüssige“ Schicht wie eine Dichtung wirkt. Dies ist wiederum vorteilhaft für die Durchführung der Unterdruck-Ansaugung des Bauteils. Aber auch nahezu vollkommen flüssige Schichten sind durch das beschriebene Verfahren verfügbar.
- Das Anpresswerkzeug kann dabei über Ansaugkanäle für die Erzeugung des Unterdrucks verfügen. Ein zusätzlich in das Anpresswerkzeug eingebrachter Entlüftungskanal kann im Bedarfsfall zum Abbau des Unterdrucks belüftet werden. Als Anpresswerkzeug kann z.B. der bereits erwähnte Stempel dienen.
- Die vorliegende Erfindung gewährleistet einen stoffschlüssigen, präzisen Fügeprozess, der produktionstechnisch bauteil- bzw. substratunabhängig ist, mit dem Vorteil, dass Nachbearbeitungsprozesse entfallen können, Fügewerkzeuge ähnlich einem Stempel eingesetzt werden können und hierdurch der Zugang zur Massenfertigung ermöglicht wird.
- Beschrieben wird außerdem eine Anordnung aus wenigstens einem organischen oder nicht-organischen Substratmaterial und wenigstens einem stoffschlüssig damit verbundenen Strukturelement, wobei Strukturelemente Beschichtungen und/oder Bauteile sein können, wobei die stoffschlüssige Verbindung als Diffusionsverbindung zwischen einer Verbindungsoberfläche des Substratmaterials und einer Verbindungsoberfläche des Strukturelements ausgebildet ist und innerhalb einer Diffusionszone der Diffusionsverbindung sich wenigstens ein Bestandteil einer oxidierte Oberfläche der Verbindungsoberfläche des Substratmaterials und/oder des Strukturelements befindet. Die Diffusionsverbindung ist dabei eine durch Diffusion erzeugte stoffschlüssige Verbindung zwischen den beiden Verbindungsoberflächen. Die Anordnung kann aus den zuvor für das Fügeverfahren genannten Materialien gebildet werden, insbesondere im Hinblick auf das Substratmaterial und das Material der Strukturelemente. Die Anordnung kann insbesondere als flexible elektronische Schaltung ausgebildet sein.
- Die eingangs genannte Aufgabe wird ferner durch eine Einrichtung gemäß Anspruch 7 gelöst. Dies umfasst eine Einrichtung zur Herstellung einer Anordnung unter Verwendung eines Verfahrens der zuvor beschriebenen Art, mit einer Anpressvorrichtung zum Anpressen der Verbindungsoberfläche des Substratmaterials an die Verbindungsoberfläche des Strukturelements mit einer definierten Anpresskraft. Mit einer solchen Einrichtung können ebenfalls die zuvor genannten Vorteile erzielt werden.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist die Einrichtung einen strukturierten Stempel auf, der eine Strukturierung entsprechend einem Abbild der auf dem Substratmaterial zu erzeugenden geometrischen Struktur einer Beschichtung des Substratmaterials aufweist.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist der Stempel Aussparungen zur Aufnahme von mittels des Stempels auf dem Substratmaterial aufzubringenden Bauteilen auf. Dies hat den Vorteil, dass insbesondere elektronische Schaltungen in einem Arbeitsschritt derart hergestellt werden können, dass sowohl die elektrischen Leiterbahnen auf dem Substratmaterial befestigt werden als auch elektrische und/oder elektronische Bauteile auf dem Substratmaterial oder den hergestellten Leiterbahnen befestigt und daran elektrisch angeschlossen werden können. Dies erlaubt eine hoch effiziente Massenfertigung von Anordnungen der zuvor genannten Art, insbesondere in Form von elektronischen Schaltungen.
- Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung weist der Stempel an seiner Andruckseite, mit der er mit der am Substratmaterial anzupressenden Beschichtung in Kontakt kommt, eine Antihaftbeschichtung auf. Dies hat den Vorteil, dass der Stempel nach Durchführung des Anpressvorgangs im Wesentlichen ohne Rückstände des Beschichtungsmaterials wieder entfernt werden kann. Hierdurch werden insbesondere unerwünschte Beschädigungen durch das Entfernen des Stempels am Beschichtungsmaterial vermieden. Die Antihaftbeschichtung kann aus Teflon oder anderen Materialien, die eine Lotuseffekt-Oberfläche hervorrufen, verwendet werden.
- Gemäß der Erfindung weist die Einrichtung eine Beheizungseinrichtung auf, die zur Beheizung des Strukturelements und/oder Substratmaterials zumindest im Bereich der Verbindungsoberflächen eingerichtet ist. Dies hat den Vorteil, dass die erfindungsgemäße Einrichtung bereits integrierte Mittel zur Erzeugung der notwendigen Erwärmung im Bereich der Verbindungsoberflächen aufweist und keine externe Beheizung notwendig ist. Die Beheizungseinrichtung kann z.B. ganz oder teilweise in den strukturierten Stempel integriert sein. Die Beheizungseinrichtung kann z.B. in Form von Heizkartuschen oder als Heißluft-Heizung ausgebildet sein. Für die Realisierung der Heißluft-Heizung können im Stempel dünne Luftkanäle (Kapillare) vorgesehen sein.
- Generell ist es vorteilhaft, die sich in der Fügezone befindenden Werkzeugbestandteile im Hinblick auf ihre Geometrie abzurunden bzw. mit einer Antihaftbeschichtung zu versehen. Dies kann insbesondere bei den Kapillaren durch Erzeugen von Inlays realisiert werden, die zur Erzeugung von sehr dünnen Kanälen durch spanende Bearbeitung erzeugt werden können. Ferner können auch aktive Absaugvorrichtungen zum Zwecke der Schmelzeführung eingesetzt werden.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Verwendung von Zeichnungen näher erläutert.
- Es zeigen:
-
1 bis3 die Schritte des Erzeugens von Beschichtungen in Form von Leiterbahnen auf einer Polymerfolie und -
4 bis7 die Schritte des monolithischen Beschichtens einer Polymerfolie mit Leiterbahnen und des Bestückens mit Bauteilen und -
8 ein Schnittbild einer realen Probe, die eine Diffusionsverbindung zwischen einem Strukturelement in Form einer Beschichtung und einem Substrat in Form einer Polymerfolie aufweist. - In den Figuren werden gleiche Bezugszeichen für einander entsprechende Elemente verwendet.
- Die in den
1 bis3 dargestellte Einrichtung1 zur Herstellung einer erfindungsgemäßen Anordnung weist einen strukturierten Stempel8 auf, an dem an einer mit einer Antihaftschichtung7 versehenen Seite Strukturen von Leiterbahnen angeordnet sind, die als Beschichtung3 auf ein Substratmaterial2 , hier beispielhaft ein Polymerfilm, aufgebracht werden sollen. Die Beschichtungen3 sind als Schichtaufbau aus einem eine Leiterbahn bildenden Metall5 und als Oberschicht6 aus einer oxidierten Metalllegierung ausgebildet, die eine Verbindungsoberfläche30 der Beschichtung3 bildet. Insbesondere kann eine indiumbasierte Legierung als oxidierte Oberschicht6 vorgesehen sein. Der Polymerfilm2 ist auf einer in den Figuren nicht dargestellten Auflagefläche der Einrichtung1 angeordnet und daran z.B. durch Adhäsion fixiert. Das Substratmaterial2 weist eine zu den Beschichtungen3 gerichtete Verbindungsoberfläche20 auf. - In dem Stempel
8 befindet sich ein Kanalsystem9 , das mit einem Heiz- und Saugkopf16 gekoppelt ist. Hierüber kann ein Ansaugen der Beschichtungen3 an die antihaftbeschichtete Oberfläche des Stempels8 mittels Unterdruck erfolgen. Zudem kann eine Beheizung zur Erreichung einer ausreichenden Erwärmung im Bereich der Verbindungsoberflächen20 ,30 durch Durchleiten erwärmter Luft durch Heizkanäle des Kanalsystems9 erfolgen. Der Stempel8 ist ferner mit einer Mikropositioniereinheit10 verbunden, mit der eine hoch genaue Positionierung des Stempels gegenüber dem Substratmaterial2 in drei Raumrichtungen erfolgen kann. - Die
1 zeigt die Einrichtung1 in einem mit den Beschichtungen3 vorbereiteten, bestückten Zustand. Gemäß2 erfolgt der Schritt des Pressens der Verbindungsoberfläche30 der Beschichtungen3 an die Verbindungsoberfläche20 des Polymermaterials2 . Hierbei wird eine Anpresskraft11 erzeugt, die einen vorbestimmten Anpressdruck zwischen dem Substratmaterial und dem Strukturelement erzeugt. Zugleich erfolgt eine Erwärmung der aneinander gepressten Verbindungsoberflächen auf eine Temperatur oberhalb einer Mindesttemperatur, zumindest oberhalb von 50°C. Wie erwähnt, kann die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt wird, die nahe oder oberhalb der Solidustemperatur des Materials der Beschichtungen3 zumindest an deren Verbindungsoberflächen30 ist und geringer als der Glasübergangstemperatur des Polymermaterials2 ist. Nun beginnt die Oxidschicht in das Material der Verbindungsoberfläche20 bzw. in das Polymermaterial2 hinein zu diffundieren. Hierbei bilden sich Sauerstoffbrücken zwischen der Oxidschicht und dem Polymermaterial2 . - Der Zustand gemäß
2 wird solange beibehalten, bis die Oxidschicht der oxidierten Oberfläche an der Verbindungsoberfläche30 ausreichend tief in das Material der Verbindungsoberfläche20 bzw. in das Polymermaterial2 diffundiert ist. Nach Erreichen einer bestimmten Diffusionstiefe werden der Anpressvorgang sowie die Erwärmung beendet. Der Stempel8 wird mittels einer Zugkraft12 von der nun fertigen Anordnung aus dem Substratmaterial2 sowie den Beschichtungen3 entfernt. Dies gelingt dank der Antihaftbeschichtung7 im Wesentlichen rückstandsfrei. - Das anhand der
1 bis3 beschriebene Verfahren zum Fügen der Beschichtungen3 an dem Substratmaterial2 kann auch erweitert werden zu einem monolithischen Beschichtungs- und Bestückungsverfahren, bei dem zugleich elektronische Bauteile mittels des Stempels8 auf dem als flexible Leiterplatte dienenden Substratmaterial2 angebracht werden. Dies wird nachfolgend anhand der4 bis7 beschrieben. Es wird wiederum eine Einrichtung1 verwendet, die im Wesentlichen so aufgebaut ist wie zuvor anhand der1 bis3 beschrieben. Im Unterschied zu der Einrichtung1 gemäß den1 bis3 weist der Stempel8 eine oder mehrere Aussparungen zur Aufnahme jeweils eines Bauteils4 auf. Wie in4 erkennbar, kann ein Bauteil4 z.B. zwischen zwei Beschichtungen3 in einer Aussparung des Stempels8 angeordnet werden. Hierbei ist das Bauteil4 bereits mit einer Lötmittelschicht13 an der dem Substratmaterial2 zugewandten Seite versehen, z.B. mit Lötzinn. Die Beheizung sowie das Fixieren der Beschichtungen3 und diesem Fall zusätzlich des Bauteils4 erfolgt wie zuvor mittels des kombinierten Heiz- und Saugkopfs16 . Das Bauteil4 kann z.B. ein SMD-Bauteil (SMD - Surface Mounted Device) sein, z.B. eine Leuchtdiode, ein Widerstand oder ein Kondensator. - Die Befestigung des Bauteils
4 an dem Substratmaterial2 kann auch durch Kleben erfolgen, z.B. mit einem anisotropen (elektrisch leitfähigen) Klebstoff. - Gemäß
5 erfolgt wiederum der Anpressvorgang zum Erzeugen der stoffschlüssigen Diffusionsverbindung zwischen der Oxidschicht an der Verbindungsoberfläche30 mit dem Substratmaterial2 , wie zuvor anhand der2 erläutert. Das Bauteil4 sowie die Lötmittelschicht13 wird zu diesem Zeitpunkt noch nicht beaufschlagt. Sobald die gewünschte Diffusionsverbindung mit der bestimmten Diffusionstiefe hergestellt ist, kann unmittelbar eine Herstellung einer Lötverbindung zum elektrischen Kontaktieren des Bauteils4 mit den benachbarten Leiterbahnen5 erfolgen, wie in der6 anhand der nun durch das Lötmittel überbrückten Lücken14 dargestellt ist. Das Lötmittel kann z.B. durch Erwärmen mittels des Stempels8 verflüssigt werden. Nach Erkalten des Lötmittels ist zugleich das Bauteil4 mechanisch an dem Substratmaterial2 fixiert. Sodann wird der Stempel8 entfernt, wie in7 dargestellt. Die7 zeigt damit zugleich eine fertige Anordnung aus dem Substratmaterial2 mit den damit verbundenen Beschichtungen3 sowie dem Bauteil4 . - Die
8 zeigt einen Ausschnitt einer realen Probe mit der Diffusionsverbindung zwischen dem Bauteil3 und dem Substratmaterial2 . Erkennbar ist, dass die oxidierte Oberschicht6 der indiumbasierten Legierung gleichmäßig in das Polymermaterial2 hinein diffundiert ist und Diffusionsbereiche17 herausgebildet hat. Vorteilhaft ist hierbei insbesondere eine kontinuierliche, gleichmäßige, von Außen nach Innen verlaufende Oxidation, wie durch die Ellipse15 in8 markiert.
Claims (10)
- Verfahren zum Fügen von Strukturelementen (3, 4) in Form von Beschichtungen (3) und/oder Bauteilen (4) auf organischen Substratmaterialien (2), bei dem eine Verbindungsoberfläche (30) wenigstens eines Strukturelements (3, 4) mit einer Verbindungsoberfläche (20) wenigstens eines Substratmaterials (2) in Form eines organischen Kunststoffmaterials stoffschlüssig verbunden wird, gekennzeichnet durch die Schritte: a) Erzeugen einer oxidierten Oberfläche an der Verbindungsoberfläche (20, 30) des Strukturelements (3, 4) und/oder des Substratmaterials (2) oder Verwenden eines Strukturelements (3, 4) und/oder Substratmaterials (2) mit einer bereits oxidierten Oberfläche an dessen Verbindungsoberfläche (20, 30), b) Pressen der Verbindungsoberfläche (30) des Strukturelements (3, 4) gegen die Verbindungsoberfläche (20) des Substratmaterials (2) mit einem bestimmten Anpressdruck (11) ungleich Null bei gleichzeitiger Erwärmung zumindest der aneinander gepressten Verbindungsoberflächen (20, 30) auf eine Temperatur oberhalb einer Mindesttemperatur, wobei die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt wird, die im Bereich der Solidustemperatur des Materials des Strukturelements (3, 4) zumindest an dessen Verbindungsoberfläche (30) ist und geringer als die Liquidustemperatur des Substratmaterials (2) ist, c) Beenden des Anpressens und der Erwärmung nach Erreichen einer bestimmten Diffusionstiefe der Diffusion wenigstens eines Bestandteils der Oxidschicht der oxidierten Oberfläche an der einen Verbindungsoberfläche (20, 30) in das Material der anderen Verbindungsoberfläche (20, 30).
- Verfahren nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass das Strukturelement (3, 4) mittels eines strukturierten Stempels (8) gegen das Substratmaterial (2) gepresst wird, wobei der Stempel (8) ein Abbild der auf dem Substratmaterial (2) zu erzeugenden geometrischen Struktur einer Beschichtung (3) des Substratmaterials (2) ist. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt wird, die unterhalb der Glasübergangstemperatur des Substratmaterials (2) ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsoberfläche (30) des Strukturelements (3, 4) ein Metall, eine Metalllegierung oder einen metallhaltigen Werkstoff aufweist, wobei dieses Material oxidierbar ist.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxidation der Verbindungsoberfläche als kontrollierter, gleichmäßig gesteuerter Oxidationsprozess durchgeführt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Strukturelement (3, 4) und/oder das Substratmaterial (2) während der Durchführung des Fügeverfahrens mittels Unterdruck temporär fixiert wird.
- Einrichtung (1) zur Herstellung einer Anordnung unter Verwendung eines Verfahrens nach einem der
Ansprüche 1 bis6 , mit einer Anpressvorrichtung (7, 8) zum Anpressen der Verbindungsoberfläche (20) des Substratmaterials (2) in Form eines organischen Kunststoffmaterials an die Verbindungsoberfläche (30) des Strukturelements (3, 4) mit einer definierten Anpresskraft (11), wobei die Einrichtung eine Beheizungseinrichtung (16) aufweist, die zur Beheizung des Strukturelements (3, 4) und/oder des Substratmaterials (2) zumindest im Bereich der Verbindungsoberflächen (20, 30) derart eingerichtet ist, dass die Erwärmung auf eine Temperatur durchgeführt wird, die im Bereich der Solidustemperatur des Materials des Strukturelements (3, 4) zumindest an dessen Verbindungsoberfläche (30) ist und geringer als die Liquidustemperatur des Substratmaterials (2) ist. - Einrichtung nach
Anspruch 7 , dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung (1) einen strukturierten Stempel (8) aufweist, der eine Strukturierung entsprechend einem Abbild der auf dem Substratmaterial (2) zu erzeugenden geometrischen Struktur einer Beschichtung (3) des Substratmaterials (2) aufweist. - Einrichtung nach
Anspruch 8 , dadurch gekennzeichnet, dass der Stempel (8) Aussparungen zur Aufnahme von mittels des Stempels (8) auf dem Substratmaterial (2) aufzubringenden Bauteilen (4) aufweist. - Einrichtung nach
Anspruch 8 oder9 , dadurch gekennzeichnet, dass der Stempel (8) an seiner Andruckseite, mit der er mit der am Substratmaterial (2) anzupressenden Beschichtung (3) in Kontakt kommt, eine Antihaftbeschichtung (7) aufweist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014104510.6A DE102014104510B4 (de) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens |
PCT/EP2015/056904 WO2015150330A1 (de) | 2014-03-31 | 2015-03-30 | Verfahren und einrichtung zum fügen von strukturen auf einem substrat sowie anordnung umfassend solcher gefügten strukturen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014104510.6A DE102014104510B4 (de) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102014104510A1 DE102014104510A1 (de) | 2015-10-01 |
DE102014104510B4 true DE102014104510B4 (de) | 2019-02-07 |
Family
ID=52824227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102014104510.6A Expired - Fee Related DE102014104510B4 (de) | 2014-03-31 | 2014-03-31 | Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102014104510B4 (de) |
WO (1) | WO2015150330A1 (de) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414487A (en) | 1965-06-30 | 1968-12-03 | Texas Instruments Inc | Method of manufacturing printed circuits |
DE2633869A1 (de) | 1975-07-30 | 1977-02-17 | Gen Electric | Direkte verbindung von metallen mit keramikmaterialien und metallen |
DE60001776T2 (de) | 1999-01-27 | 2004-02-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Einkapselungsverfahren einer halbleiteranordnung mit einem anisotropisch leitenden klebstoff |
DE102005036517A1 (de) | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Denso Corp., Kariya | Metallbondingverfahren |
US20120085574A1 (en) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Heat radiating substrate and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3778899A (en) * | 1971-11-12 | 1973-12-18 | Buckbee Mears Co | Mounting preformed circuits on flexible dielectric substrates |
ES2188381B1 (es) * | 2001-06-05 | 2004-12-16 | Lear Automotive (Eeds) Spain, S.L. | Procedimiento de fabricacion de placas de circuito impreso a partir de un polimero extrusionado. |
DE102007027999A1 (de) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Heißprägen von Strukturen |
DE102007027998A1 (de) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg | Heißprägen von Leiterbahnen auf Photovoltaik-Silizium-Wafer |
-
2014
- 2014-03-31 DE DE102014104510.6A patent/DE102014104510B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-30 WO PCT/EP2015/056904 patent/WO2015150330A1/de active Application Filing
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3414487A (en) | 1965-06-30 | 1968-12-03 | Texas Instruments Inc | Method of manufacturing printed circuits |
DE2633869A1 (de) | 1975-07-30 | 1977-02-17 | Gen Electric | Direkte verbindung von metallen mit keramikmaterialien und metallen |
DE60001776T2 (de) | 1999-01-27 | 2004-02-05 | Citizen Watch Co., Ltd. | Einkapselungsverfahren einer halbleiteranordnung mit einem anisotropisch leitenden klebstoff |
DE102005036517A1 (de) | 2004-08-04 | 2006-03-16 | Denso Corp., Kariya | Metallbondingverfahren |
US20120085574A1 (en) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Heat radiating substrate and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015150330A1 (de) | 2015-10-08 |
DE102014104510A1 (de) | 2015-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007017831B4 (de) | Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls | |
EP3103138B1 (de) | Verfahren zum montieren eines elektrischen bauelements, bei der eine haube zum einsatz kommt | |
DE112008002377T5 (de) | Verfahren zum Niedertemperaturbonden von elektronischen Komponenten | |
DE102015107724B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung, Substratanordnung, Verfahren zum Verbinden eines Elektronikbauteils mit einer Substratanordnung und Elektronikbauteil | |
DE102014206608A1 (de) | Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements, bei der eine Haube zum Einsatz kommt, und zur Anwendung in diesem Verfahren geeignete Haube | |
DE102014222819A1 (de) | Leistungshalbleiterkontaktstruktur mit Bondbuffer sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19522338B4 (de) | Chipträgeranordnung mit einer Durchkontaktierung | |
WO2014086519A1 (de) | Verfahren zum verbinden von wenigstens zwei komponenten unter verwendung eines sinterprozesses | |
DE102015200219A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Elektronikmoduls insbesondere eines Getriebesteuermoduls | |
DE602005003318T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats | |
EP2303551B1 (de) | Verfahren zur verbindung zweier komponenten | |
DE102014222818B4 (de) | Elektronik-Sandwichstruktur mit zwei mittels einer Sinterschicht zusammengesinterten Fügepartnern | |
EP2982226B1 (de) | Verfahren zum herstellen eines leiterplattenelements | |
DE102014104510B4 (de) | Verfahren zum Fügen und Einrichtung zum Fügen einer Anordnung unter Verwendung des Verfahrens | |
DE102007020475A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit einer Kavität für die Integration von Bauteilen und Leiterplatte und Anwendung | |
DE10303588B3 (de) | Verfahren zur vertikalen Montage von Halbleiterbauelementen | |
DE102018214778A1 (de) | Verfahren zur Fertigung von Leiterbahnen und Elektronikmodul | |
EP3120676A1 (de) | Elektronisches steuermodul und verfahren zu seiner herstellung | |
EP3413342A1 (de) | Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung einer solchen | |
DE102011080934A1 (de) | Verfahren zum Metallisieren von Polymerschichtsystemen und Polymerschichtsysteme | |
DE102015107712B3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schaltungsträgers | |
DE102009016112A1 (de) | Einrichtung mit einem elektrischen Bauelement und wenigstens einer elektrischen Anschlussleitung | |
DE102018209975A1 (de) | Verfahren zum Verschweißen zweier Bauteile, Bauteileverbund und Verwendung des Verfahrens | |
DE102006031844B4 (de) | Verfahren zur Befestigung von elektronischen Bauelementen auf einem Träger durch Drucksinterung und somit hergestellte Schaltungsanordnung | |
DE102016123180A1 (de) | Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterbauelements mit einem Gegenstück sowie Anordnung mit einem Halbleiterbauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRAMM, LINS & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: GOTTFRIED WILHELM LEIBNIZ UNIVERSITAET HANNOVE, DE Free format text: FORMER OWNER: LEIBNIZ UNIVERSITAET HANNOVER, 30169 HANNOVER, DE |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: GRAMM, LINS & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |