DE102014003068B4 - Verfahren zur herstellung eines bildgebers und einer bildgebervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend:
- Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (304)
- Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht (304), um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur (306A) und eine zweite Steuerelektrodenstruktur (306B) zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu erlangen;
- Abscheiden einer zweiten Schicht (308) und wenigstens einer Spacerschicht (310; 402, 406) und Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, während die zweite Schicht (308) wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht (308) unterscheidet; und
- nach dem Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu bilden, wobei die zweite Schicht (308) wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.

Description

  • Bildgeber werden heute in vielen Anwendungen eingesetzt. Dies umfasst CMOS-2D-Bildgeber (CMOS-2D-Imager) sowie 3D-Bildgeber, wie 3D-Tiefen-Bildgeber (3D-Kameras), die beispielsweise auf dem ToF-Prinzip (Laufzeitprinzip) oder anderen Prinzipien basieren können. 3D-Kameras können eine menschliche Gestikerkennung in natürlichen Benutzeroberflächen oder eine Insassenerkennung für Fahrzeugsicherheitsfunktionen bieten. Im Unterschied zu 2D-Kameras bieten 3D-Kameras beispielsweise eine Pixelmatrix, bei der jedes Pixel Informationen liefern kann, die sich auf einen Abstand des vom Pixel erfassten Gegenstandes beziehen. Diese Informationen können beispielsweise auf einer Laufzeit des von einem Gegenstand reflektierten Lichtes, das von den Pixeln erfasst wird, basieren.
  • Die US 2007/0 267 658 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen eines Bildsensors mit einem Pixelbereich und einem Peripheral-Schaltungsbereich. In dem Pixelbereich und dem Peripheral-Schaltungsbereich werden auf strukturierten Gates eine Pufferisolierschicht und eine Barrieren-Isolierschicht aufgebracht. Auf der Barrieren-Isolierschicht wird eine erste und zweite Spacer-Isolierschicht aufgebracht. Durch Ätzprozesse werden an den seitlichen Wänden der Gates Strukturen erzeugt. Daraufhin wird in dem Pixelbereich eine Maskenstruktur aufgebracht, und in dem Peripheral-Schaltungsbereich die Pufferisolierschicht und eine Barrieren-Isolierschicht durch Ätzprozesse entfernt.
    Die US 6 436 747 B1 zeigt ein Implantationsverfahren bei dem nach einer Implantierung von Phosphor-Ionen in einen
    Polysiliziumfilm ein Ausheil-Prozess und eine Implantierung von Bor-Ionen erfolgt.
    Die US 2006/0 115 230 A1 beschreibt das Erzeugen eines Wellenleiters für einfallendes Licht in einen lichtempfangenden Bereich.
    Die US 2009/0 014 763 A1 offenbart einen Bildsensor mit einem logischen Bereich und einem aktiven Pixel-Bereich. Der Bildsensor weist eine erste Gate-Elektrode, einen Photodetektor, eine Schutzschicht, Spacers und eine zweite Schutzschicht auf.
  • Mit der Implementierung einer steigenden Anzahl an Pixeln in einen Tiefen-Bildgeber-Chip und der damit einhergehenden Verkleinerung von Pixelgrößen, besteht die Notwendigkeit für ein Konzept, das die effiziente Umwandlung von Licht in Ladungsträger und das effiziente Steuern der Ladungsträger in jedem Pixel ermöglicht.
  • In Anbetracht des Obigen wäre es vorteilhaft, ein Konzept zu haben, das für einen hohen Wirkungsgrad für Bildgeber sorgen kann. Zusätzlich wäre es vorteilhaft, ein Konzept zu haben, das die Parallelbearbeitung von Steuerelektroden in den optisch empfindlichen Bereichen ermöglicht, wie auch Transistoren für eine integrierte Schaltung, die für eine weitere Signalverarbeitung vorgesehen sind.
    Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Konzept zu schaffen, dass einen hohen Wirkungsgrad für Bildgeber ermöglicht. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
  • Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend:
    • - Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht
    • - Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht, um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur zu erlangen;
    • - Abscheiden einer zweiten Schicht und wenigstens einer Spacerschicht und Entfernen der zweiten Schicht in der Transistorregion, während die zweite Schicht wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht unterscheidet; und
    • - Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur zu bilden, wobei die zweite Schicht wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.
  • Die wenigstens eine Spacerschicht wird in Ausführungsbeispielen vor dem Abscheiden und Entfernen der zweiten Schicht abgeschieden.
  • Die zweite Schicht kann direkt ein Halbleitersubstrat in der Region verbinden, das sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.
  • Ferner kann die wenigstens eine Spacerschicht vor dem Abscheiden und Entfernen der zweiten Schicht abgeschieden werden.
  • Bei Ausführungsbeispielen kann die wenigstens eine Spacerschicht direkt ein Halbleitersubstrat in der Region verbinden, das sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt. Die wenigstens eine Spacerschicht und die zweite Schicht können hierbei direkt miteinander verbunden sein.
  • Das Abscheiden der wenigstens einen Spacerschicht kann das Abscheiden einer ersten Spacerschicht und zweiten Spacerschicht umfassen.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht, das Abscheiden von wenigstens einer weiteren Spacerschicht und das Zurückätzen der wenigstens einen weiteren Spacerschicht, wobei die zweite Schicht in der Region verbleibt, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrode während des Abscheidens der wenigstens einen weiteren Spacerschicht und des Zurückätzens der wenigstens einen weiteren Spacerschicht erstreckt.
  • Das Abscheiden der wenigstens einen weiteren Spacerschicht kann das Abscheiden einer ersten Spacerschicht und zweiten Spacerschicht umfassen.
  • Die erste und die zweite Steuerelektrodenstruktur sind in Ausführungsbeispielen Steuerelektrodenstrukturen eines Laufzeit-Bildgebers.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen: Verhindern von Schäden an einer Halbleitergrenzfläche in der Region, die sich zwischen der ersten und der zweiten Steuerelektrode während des Zurückätzens der wenigstens einen Spacerschicht erstreckt.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • - Dotieren des Halbleitersubstrats, wobei eine Halbleiterregion unter der zweiten Schicht in der Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrode erstreckt, durch die zweite Schicht während des Dotierens des Halbleitersubstrates vor Verunreinigung geschützt ist.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • - Erzeugen eines Metallstapels, wobei der Metallstapel eine Vielzahl von Metallschichten und eine Vielzahl von dielektrischen Schichten umfasst;
    • - Abscheiden einer ersten Passivierungsschicht über dem Metallstapel;
    • - Abscheiden einer zweiten Passivierungsschicht über der ersten Passivierungsschicht; und
    • - Entfernen der zweiten Passivierungsschicht in einer ersten Region, während die erste Passivierungsschicht in der ersten Region verbleibt.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • vor dem Abscheiden der ersten Passivierungsschicht, Entfernen von wenigstens einem Teil des Metallstapels in der ersten Region.
  • Das Verfahren kann in Ausführungsbeispielen ferner umfassen: Erzeugen einer optischen Linse für jedes Pixel des Tiefen-Bildgebers, um Licht in Richtung auf eine Photoumwandlungshalbleiterregion zu fokussieren, wobei die optische Linse Polyimidmaterial umfasst.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • Bilden für jedes Pixel des Tiefen-Bildgebers einer Reflexionsstruktur, wobei die Reflexionsstruktur Licht zurück zu einer Photoumwandlungshalbleiterregion reflektiert. Hierbei kann das Bilden der Reflexionsstruktur das Bilden einer konkaven Struktur in einem Substrat und das wenigstens teilweise Abscheiden von optisch reflektierendem Material in der konkaven Struktur umfassen.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen: Bilden der Reflexionsstruktur in einem separaten Teil, der an einem Halbleitersubstrat angebracht ist.
  • Die zweite Schicht kann eine Dicke in einem Bereich zwischen 10 und 100 nm aufweisen.
  • Das Verfahren kann ferner umfassen:
    • - Erzeugen von wenigstens einem Dotierungsprofil innerhalb eines Substrats des Tiefen-Bildgebers, wobei das Erzeugen von wenigstens einem Dotierungsprofil Folgendes umfasst:
    • - Abscheiden einer Oxidschicht auf dem Substrat, wobei die Oxidschicht Dotiermittelmaterial umfasst;
    • - Bereitstellen einer Diffusion von wenigstens einem Teil des Dotiermittelmaterials von der Oxidschicht zum Substrat; und
    • - epitaktisches Wachsen einer Schicht über dem Substrat.
  • Ferner kann ein Verfahren zur parallelen Herstellung von wenigstens einem Pixel in einer Pixelregion und einem Transistor in einer Transistorregion, Folgendes umfassen:
    • - Erzeugen einer strukturierten Schutzschicht, wobei die strukturierte Schutzschicht in der Pixelregion zwischen wenigstens zwei Steuerelektroden gebildet ist und die strukturierte Schutzschicht in der Transistorregion fehlt; und
    • - Schützen einer Halbleitergrenzfläche durch die Strukturschutzschicht vor Schäden, die wenigstens während eines Zurückätzens einer Spacerschicht verursacht werden, um Spacerschichtstrukturen wenigstens an den Seitenwänden einer Gate-Elektrodenstruktur in der Transistorregion zu bilden.
  • Ferner kann ein Tiefen-Bildgebervorrichtung, folgende Merkmale umfassen:
    • - einen Transistor mit einer Gate-Elektrodenstruktur in einer Transistorregion;
    • - eine Pixelmatrix, wobei jedes Pixel der Pixelmatrix wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur und eine zweite Steuerelektrodenstruktur umfasst;
    • - eine Spacerstruktur an jeder Seitenwand der Gate-Elektrodenstruktur; und
    • - eine strukturierte Schutzschicht, wobei die strukturierte Schutzschicht wenigstens in der Pixelregion zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrode gebildet ist und die strukturierte Schutzschicht in der Transistorregion fehlt.
  • Weiter Ausführungsbeispiel werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erläutert, in denen
    • 1 ein Blockdiagramm eines Tiefen-Bildgeber-Systems gemäß einer Ausführungsform zeigt;
    • 2A eine schematische Querschnittsansicht gemäß einer Ausführungsform zeigt;
    • 2B ein Diagramm eines Betriebs gemäß einer Ausführungsform zeigt;
    • 3A bis 3G schematische Querschnittsansichten gemäß einer Ausführungsform zeigen;
    • 4A bis 41 schematische Querschnittsansichten gemäß einer Ausführungsform zeigen;
    • 5A bis 5C schematische Querschnittsansichten gemäß einer Ausführungsform zeigen;
    • 6A und 6B schematische Querschnittsansichten gemäß einer Ausführungsform zeigen;
    • 7A und 7B schematische Querschnittsansichten gemäß einer Ausführungsform zeigen;
    • 8 Dotierungsprofile gemäß Ausführungsformen zeigt; und
    • 9 ein Diagramm von Borkonzentrationen in Silizium gegenüber Borkonzentrationen in einer bordotierten Glasschicht zeigt.
  • Die folgende ausführliche Beschreibung erklärt beispielhafte Ausführungsformen. Die Beschreibung ist nicht als einschränkend aufzufassen, sondern erfolgt nur zum Zwecke der Veranschaulichung der allgemeinen Grundsätze von Ausführungsformen, während der Schutzumfang nur durch die angefügten Ansprüche bestimmt wird.
  • In den Ausführungsbeispielen, die in den Zeichnungen dargestellt und nachfolgend beschrieben sind, kann jede direkte Verbindung oder Kopplung zwischen Funktionsblöcken, Vorrichtungen, Komponenten oder anderen physischen oder funktionellen Einheiten, die in den Zeichnungen dargestellt oder hier beschrieben ist, sofern es nicht anders angegeben ist, auch durch eine indirekte Verbindung oder Kopplung implementiert sein. Funktionsblöcke können in Hardware, Firmware, Software oder einer Kombination davon implementiert sein.
  • Ferner sei klargestellt, dass die Funktionen der verschiedenen hier beschriebenen Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden können, sofern es nicht ausdrücklich anders angegeben ist.
  • In den verschiedenen Figuren können identischen oder ähnlichen Entitäten, Modulen, Vorrichtungen usw. gleiche Bezugsnummern zugewiesen sein. Ausführungsbeispiele werden nun vollständiger unter Bezugnahme auf die begleitfähigen Zeichnungen beschrieben. Ausführungsformen können jedoch in vielen verschiedenen Formen ausgeführt sein und sollten nicht als auf die hier beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Diese Ausführungsbeispiele werden stattdessen bereitgestellt, damit diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Schutzumfang an Fachleute vollständig übermittelt. In den Zeichnungen sind die Dicken von Schichten und Regionen der Eindeutigkeit halber übertrieben dargestellt.
  • In den beschriebenen Ausführungsformen sind für ein besseres Verständnis der Ausführungsformen verschiedene spezifische oder schematische Ansichten von Elementen, Vorrichtungen, Funktionen usw. dargestellt und beschrieben. Es sei klargestellt, dass diese Ansichten nicht maßstabsgetreu sein müssen. Des Weiteren können diese Ausführungsformen nicht alle Funktionen, Elemente usw. zeigen, die in einer oder mehreren Figuren mit einem gleichen Maßstab enthalten sind, d. h., einige Funktionen, Elemente usw. können überdimensioniert dargestellt sein, sodass in einer gleichen Figur einige Funktionen, Elemente usw. verglichen mit anderen Funktionen, Elementen usw. mit einem vergrößerten oder verkleinerten Maßstab dargestellt sind.
  • Es versteht sich, dass, wenn ein Element als „an“, „verbunden mit“, „elektrisch verbunden mit“ oder „gekoppelt mit“ einer anderen Komponente bezeichnet ist, das Element direkt an, verbunden mit, elektrisch verbunden mit oder gekoppelt mit der anderen Komponente sein kann, oder dass dazwischen geschaltete Komponenten vorhanden sein können. Im Gegensatz dazu sind keine dazwischen geschalteten Komponenten vorhanden, wenn eine Komponente als „direkt an“, „direkt verbunden mit“, „direkt elektrisch verbunden mit“ oder „direkt gekoppelt mit“ einer anderen Komponente bezeichnet ist. Wie hier verwendet, umfasst der Ausdruck „und/oder“ sämtliche Kombinationen von einem oder mehreren der zugehörigen angegebenen Dinge.
  • Es versteht sich, dass, obwohl die Begriffe erste, zweite, dritte usw. hier verwendet sein können, um verschiedene Elemente, Komponenten, Regionen, Schichten und/oder Abschnitte zu beschreiben, diese Elemente, Komponenten, Regionen, Schichten und/oder Abschnitte nicht durch diese Begriffe eingeschränkt sein sollen. Diese Begriffe werden nur verwendet, um ein Element, eine Komponente, Region, Schicht und/oder einen Abschnitt von einem anderen Element, einer Komponente, Region, Schicht und/oder einem Abschnitt zu unterscheiden. Beispielsweise könnte ein erstes Element, eine Komponente, Region, Schicht und/oder ein Abschnitt als ein zweites Element, eine Komponente, Region, Schicht und/oder ein Abschnitt bezeichnet sein, ohne von den Lehren der Ausführungsbeispiele abzuweichen.
  • Räumlich relative Begriffe wie „darunter“, „unterhalb“, „untere“, „über“, „obere“ und dergleichen können zur Erleichterung der Erörterung hier verwendet sein, um die Beziehung einer Komponente und/oder Funktion zu einer anderen Komponente und/oder Funktion oder anderen Komponenten und/oder Funktionen, wie veranschaulicht in den Zeichnungen, zu beschreiben. Es versteht sich, dass die räumlich relativen Begriffe dazu beabsichtigt sind, zusätzlich zu der Ausrichtung, die in den Figuren dargestellt ist, verschiedene Ausrichtungen der Vorrichtung bei der Verwendung oder beim Betrieb der Vorrichtung zu umfassen.
  • Der Begriff vertikal wird auf nicht einschränkende Weise verwendet, um in Ausführungsformen vertikale oder im Wesentlichen vertikale Richtungen zu einer Oberfläche eines Substrates wie einer Hauptoberfläche des Substrates zu beschreiben. Der Begriff seitlich wird auf nicht einschränkende Weise verwendet, um in Ausführungsformen parallele oder im Wesentlichen parallele Richtungen zu einer Oberfläche eines Substrates wie einer Hauptoberfläche des Substrates zu beschreiben.
  • Der in Ausführungsformen verwendete Begriff Substrat kann Halbleitersubstrate wie eine Halbleiter-Chiplage, eine Stapel-Chiplage, eine Halbleiter-Chiplage mit einer oder mehreren zusätzlichen Halbleiterschichten wie Epitaxieschichten, Polysiliziumschichten usw. umfassen, ist aber nicht beschränkt darauf.
  • Die hier verwendete Terminologie dient nur dem Zweck, bestimmte Ausführungsbeispiele zu beschreiben, und soll nicht einschränkend sein. Wie hier verwendet, sollen die Singularformen „ein/einer/eine“ und „der/die/das“ die Pluralformen ebenfalls umfassen, sofern aus dem Kontext nicht eindeutig das Gegenteil hervorgeht. Es sei weiter klargestellt, dass die Begriffe „umfasst“, „umfassen“, „schließt ein“ und/oder „einschließlich“, wenn sie in dieser Patentbeschreibung verwendet werden, das Vorhandensein von angeführten Funktionen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten angeben, aber nicht das Vorhandensein oder das Hinzufügen von einer oder mehreren anderen Funktionen, ganzen Zahlen, Schritten, Operationen, Elementen und/oder Komponenten ausschließen.
  • Sofern nicht anders definiert, haben alle Begriffe (einschließlich technischer und wissenschaftlicher Begriffe), die hier verwendet werden, die gleiche Bedeutung, die gewöhnlich von einem Fachmann für die Ausführungsbeispiele verwendet wird. Es sei weiter klargestellt, dass Begriffe, die in allgemein verwendeten Wörterbüchern definiert sind, so auszulegen sind, dass sie im Einklang mit ihrer Bedeutung im Kontext der relevanten Technik verwendet werden und nicht in einem idealisierten oder allzu formalen Sinne, sofern sie hier nicht ausdrücklich derart definiert sind.
  • Die nachfolgend beschriebenen Ausführungsformen betreffen ein neues Fertigungskonzept für einen Tiefen-Bildgeber, der auf dem Laufzeit- (TOF) -Prinzip basiert, wie einen auf dem Photonenmischungsprinzip basierenden Bildgeber. Tiefen-Bildgeber können nur ein Pixel oder eine Pixelmatrix aufweisen, um Entfernungen zu bestimmen.
  • Bei Tiefen-Bildgebern, die auf dem Photonenmischprinzip basieren, wird eine Phase des reflektierten Lichtes durch das Übertragen von moduliertem Licht auf einen Gegenstand und das Erfassen der Phaseninformationen in jedem Pixel einer Pixelmatrix durch Mischen des reflektierten Lichtes mit einem Demodulationssignal bestimmt, das die gleiche Frequenz wie das modulierte Licht aufweist.
  • 1 zeigt eine Ausführungsform einer TOF-Kamera 100, die auf dem Photonenmischprinzip basiert. Von einer Lichtquelle 102 erzeugtes Licht wird in vorgegebenen Zeitintervallen basierend auf einem Modulationssignal 104, das von einer Signalquelle 106 generiert wird, kontinuierlich amplitudenmoduliert. Das Modulationssignal kann eine rechteckige Wellenform, eine Sinus-Wellenform oder andere Signal-Wellenformen aufweisen. Das modulierte Lichtsignal dient dazu, die Entfernung zu einem Gegenstand 108 zu bestimmen. Das von Gegenstand 108 reflektierte modulierte Licht wird zu einer Bildgebervorrichtung 110 geleitet, die Pixel aufweist wie sie beispielsweise in den Ausführungsformen gezeigt sind, die mit Bezugnahme auf die 1A, 2A, 3, 4 und 5 beschrieben sind. In der Bildgebervorrichtung 110 wird ein Signal 104A, das dem Modulationssignal 104 entspricht, welches durch eine vorgegebene Phase wie 0 °, 90 °, 180 ° und 270 ° phasenverschoben ist, den Steuerelektroden zum Mischen und Demodulieren des reflektierten Lichtes innerhalb jedes Pixels zur Verfügung gestellt. Bestimmte Zeitintervalle sind für jede der vorgegebenen Phasen zugewiesen. Nach dem Integrieren der Signale in die entsprechenden Zeitintervalle für jede Phase von 0 °, 90 °, 180 ° und 270 ° werden die Ausgangssignale 10, 11, 12 und 13, die jeder Phase entsprechen, erlangt. Basierend auf den Ausgangssignalen 10, 11, 12, 13 können die der Laufzeit entsprechenden Phaseninformationen auf eine Weise, die einem Fachmann vertraut ist, berechnet werden. Es ist zu beachten, dass die Struktur der nachfolgend beschriebenen 2A, die zwei Ausleseknoten an beiden Seiten aufweist, das gleichzeitige Erlangen der Phasen 10 und 12 und der entsprechenden Phasen i1 und 13 ermöglicht.
  • Bei der dargestellten Ausführungsform in 1 wird das Signal 104A phasenverschoben in Bezug auf das Modulationssignal 104 bereitgestellt. Es sei klargestellt, dass nur die relative Phasenverschiebung des Modulationssignals und des Demodulationssignals zur Messung der Objektentfernung verwendet wird. Deshalb kann bei anderen Ausführungsformen ein System mit ausgetauschten Signalen 104 und 104A verwendet sein, bei dem das Modulationssignal 104 für die Lichtmodulation in unterschiedlichen Zeitintervallen in Bezug auf das ohne Phasenwechsel bereitgestellte Signal 104A phasenverschoben ist.
  • 2A zeigt eine Ausführungsform einer Tiefen-Bildgebervorrichtung 200. 2A zeigt ein Halbleitersubstrat 202, das eine Photoumwandlungsregion 212 aufweist. Die Vorrichtung ist so konfiguriert, dass Licht in die Photoumwandlungsregion 212 eindringt und wenigstens ein Teil des hereinkommenden Lichtes in Ladungsträger beider Typen, d. h. Elektronen und Löcher umgewandelt wird. Bei einigen Ausführungsformen könnte das Licht in die Photoumwandlungsregion von einer Vorderseite 200A der Vorrichtung 200 eingeführt werden. Bei anderen Ausführungsformen könnte das Licht in die Photoumwandlungsregion von der Rückseite 200B der Vorrichtung 200 eingeführt werden. Die Photoumwandlungsregion kann sich bei Ausführungsformen in vertikaler Richtung zwischen 15 µm und 60 µm in das Substrat erstrecken, wobei jeder Wert in diesem Bereich und jeder Unterbereich eine spezifische Ausführungsform darstellt.
  • Die Vorrichtung 200 weist ferner eine elektrische Isolierschicht 204 aus Isoliermaterial auf, über der eine Vielzahl von Steuerelektroden, beispielsweise eine erste Steuerelektrode 206a, eine zweite Steuerelektrode 206b und eine dritte Steuerelektrode 206c vorgesehen sind. Die elektrische Isolierschicht 204 ist üblicherweise als dünne Schicht, z. B. eine dünne Gate-Schicht bereitgestellt. Sie kann beispielsweise Siliziumoxid enthalten. Die in 2A dargestellten Elemente zeigen eine vereinfachte Ansicht eines einzelnen Pixels der Vielzahl von in einem Tiefen-Bildgeber üblicherweise vorgesehenen Pixel. Die Steuerelektroden können in Ausführungsformen die Modulations-Gates einer Demodulationsstruktur innerhalb eines Pixels eines Laufzeit-Bildgebers mit kontinuierlicher Welle bilden. Es ist deshalb zu beachten, dass bei einigen Ausführungsformen mehrere Pixel innerhalb der Vorrichtung gebildet sind, was in einer Wiederholung der Strukturen und Elemente resultiert, die in 2A für ein einzelnes Pixel dargestellt sind.
  • Die Spacer 208 sind an den Seitenwänden der Steuerelektroden 206a, 206b, 206c ausgebildet. Die Vorrichtung 200 kann zusätzliche Strukturen aufweisen, die in 2A nicht dargestellt sind, einschließlich beispielsweise einer zusätzlichen Schicht zum Schutz des Halbleitersubstrats 202 während einer Spacerschichtätzung und weiteren Schichtabscheidungen, Linsenstrukturen, Passivierungsstrukturen auf dem Metallstapel und Reflexionsstrukturen, die weiter unten ausführlicher beschrieben werden.
  • Wie in 2A zu sehen, ist eine Deckschicht 210, die sich oberhalb des Halbleitersubstrats 102 erstreckt, vorgesehen, um die Steuerelektroden 206a, 206b, 206c und die Spacer 208 und andere Strukturen abzudecken. 2A zeigt weiter die Ausleseknoten 214 an der Seite des Pixels, um Ladungen zu erfassen und auszulesen, die von den Steuerelektroden 206a, 206b, 206c zu den entsprechenden Ausleseknoten übertragen werden. Die Ausleseknoten 214 können in Ausführungsformen durch eine p-n-Übergangsregion gebildet sein, die durch Vorsehen von beispielsweise einer n-dotierten Wanne in einem p-dotierten Substrat 202 erreicht wird. Die Ausleseknoten 214 sind elektrisch mit weiteren Schaltungselementen über eine leitfähige Struktur 218 gekoppelt, um die weitere Verarbeitung der Pixelsignale zu ermöglichen.
  • In der Ausführungsform von 2A ist die zweite Steuerelektrode 206b zwischen der ersten Steuerelektrode 206a und der dritten Steuerelektrode 206c in Bezug auf eine seitliche Richtung (wie die in 2A dargestellte X-Richtung) angeordnet. Bei einigen Ausführungsformen weist die zweite Steuerelektrode einen Seitenabstand zwischen 50 nm und 1 µm zu wenigstens einer Steuerelektrode von der ersten oder zweiten Steuerelektrode auf, wobei jeder Wert innerhalb dieses Bereichs und jeder Unterbereich eine Ausführungsform bildet. Bei einigen Ausführungsformen weist die dritte Steuerelektrode einen Seitenabstand zwischen 0,1 µm und 0,5 µm zu wenigstens einer Steuerelektrode von der ersten oder zweiten Steuerelektrode auf. Bei einigen Ausführungsformen weist die zweite Steuerelektrode einen Seitenabstand zwischen 50 nm und 1 µm zu der ersten und dritten Steuerelektrode auf, wobei jeder Wert innerhalb dieses Bereichs und jeder Unterbereich eine Ausführungsform darstellt. Bei einigen Ausführungsformen weist die zweite Steuerelektrode einen Seitenabstand zwischen 0,1 µm und 0,5 µm zu der ersten und dritten Steuerelektrode auf.
  • In Ausführungsformen sind die Steuerelektroden 206a, 206b und 206c so gefertigt, dass sie gegenüber dem hereinkommenden Licht, das die Ladungsträger in der Photoumwandlungsregion 212 erzeugt, transparent oder wenigstens halbtransparent sind. Dies kann durch eine entsprechend dünne Schicht für die Steuerelektroden und/oder die Verwendung von Material, das gegenüber dem hereinkommenden Licht transparent oder halbtransparent ist, erreicht werden. Bei einigen Ausführungsformen kann das Betriebslicht Infrarotlicht oder nahes Infrarotlicht sein. Bei einigen Ausführungsformen kann das Betriebslicht sichtbares Licht sein.
  • Bei Ausführungsformen sind die Steuerelektroden 206a, 206b, 206c dafür vorgesehen, die photogenerierten Ladungsträger basierend auf den elektrischen Potenzialen, die an den entsprechenden Steuerelektroden 206a, 206b, 206c vorhanden sind, in einer seitlichen Richtung zu den Ausleseknoten 214 zu lenken. In Ausführungsformen bewirken die elektrischen Potenziale an den Steuerelektroden 206a, 206b, 206c die Generierung von zeitlich veränderlichen Raumladungsregionen in Halbleiterregionen unterhalb der entsprechenden Steuerelektrode. Wie nachstehend weiter beschrieben ist die Vorrichtung 200 in der Lage, basierend auf dem entsprechenden elektrischen Potenzial, das an der Steuerelektrode vorhanden ist, Raumladungsregionen mit unterschiedlicher Ausdehnung unter den entsprechenden Steuerelektroden 206a, 206b, 206c zu Erzeugen. Unterhalb einer entsprechenden Steuerelektrode ist die Ausdehnung der Raumladungsregion und deshalb das elektrische Potenzial ungefähr konstant, während in der Region zwischen zwei benachbarten Steuerelektroden mit unterschiedlichen Raumladungsausdehnungen elektrische Driftfelder generiert werden. Als Resultat wird eine Potenzialverteilung für photogenerierte Ladungsträger in der Halbleiterregion in der Nähe der Oberfläche des Substrates generiert, was abhängig von den elektrischen Potenzialen, die an den Steuerelektroden 206a, 206b, 206c vorhanden sind, Driftfelder in einer seitlichen Richtung bewirkt.
  • 2B zeigt ein Diagramm, das sich aus einem beispielhaften Betrieb der Steuerelektroden 206a, 206b und 206c von 2A gemäß einer Ausführungsform ergibt. 2B zeigt als Abszisse die elektrische Spannungsverteilung als negatives elektrisches Potenzial, das durch die Steuerelektroden 206a, 206b und 206c in den Halbleiterregionen unterhalb der Steuer-Gates hervorgerufen wird. Das negative elektrische Potenzial entspricht der potenziellen Energie von photogenerierten Elektronen (negative Ladungen), die in den beschriebenen Ausführungsformen die Ladungsträger sind, die von den Steuerelektroden 206a, 206b, 206c übertragen werden sollen.
  • Wie ersichtlich, weicht das Potenzial, das an der ersten Steuerelektrode 206a angelegt ist (in 1B durch „a“ angegeben), ab, sodass ein Maximum der potenziellen Energie zur Zeit t=0 erlangt wird und ein Minimum zur Zeit t = T/2. Die zweite Steuerelektrode 206b (in 1B durch „b“ angegeben) wird konstant gehalten. Zu beiden Zeiten t=0 und T = T/2 erfolgt die Potenzialverteilung schrittweise, sodass sich das Potenzial der Steuerelektrode 206b, die zwischen den Steuerelektroden 206a und 206 c angeordnet ist, auch zwischen dem Potenzial der Steuerelektroden 206a, 206c befindet. Die Verwendung von zwei über zeitlich veränderliche Signale angesteuerten Steuerelektroden, wobei eine der Steuerelektroden bei einem konstanten elektrischen Potenzial aufrechterhalten wird, sorgt für die erforderliche schrittweise Potenzialverteilung in einer sehr Strom sparenden Weise, da kein zeitlich veränderliches Ansteuersignal an der Steuerelektrode 206b angelegt werden muss.
  • Es ist zu beachten, dass die Anzahl an Schritten in der Potenzialverteilung, die durch die Steuerelektrodenkonfiguration generiert wird, durch das Hinzufügen zusätzlicher Steuerelektroden erhöht werden kann. Wenn die Anzahl an Steuerelektroden K ist, beträgt die Anzahl an Schritten in der Potenzialverteilung K+1.
  • Im oben beschriebenen Betrieb können die generierten Ladungsträger anhand des von den Steuerelektroden generierten elektrischen Feldes gelenkt werden, um Knoten auszulesen, die seitlich zur Steuerelektrodenstruktur angeordnet sind. Das heißt, die Steuerelektrodenanordnung ist fähig, für einen bidirektionalen Transfer zu jeder Seite zu sorgen, sobald die Ladungsträger die Einflusszone der Steuerelektroden erreichen.
  • Bei optischen Laufzeitsensoren ist das Steuern der Ladungsträger zeitkritisch, da der Betrieb vom rechtzeitigen Transport der Ladungsträger zu den seitlich angeordneten Ausleseknoten abhängt.
  • Bei herkömmlichen Systemen bewegen sich innerhalb der Photoumwandlungsregion generierte Ladungsträger durch Diffusion vom Ursprung der Ladungsgenerierung zur Einflusszone der Steuerelektroden 206a, 206b, 206c. Bei einigen Ausführungsformen können Dotierungsprofile im Substrat 202 zur Generierung von integrierten Feldern vorgesehen sein, um für eine beschleunigte Bewegung der Ladungsträger zu sorgen. Bei solchen Ausführungsformen wird für eine Driftbewegung für die Ladungsträger gesorgt. Nur an der Einflusszone der Steuerelektroden 206a, 206b, 206c sind die Ladungsträger dann elektrischen Feldern unterworfen, die basierend auf der entsprechenden Potenzialverteilung, die an den Steuerelektroden 206a, 206b, 206c angelegt ist, den seitlichen Transfer zu den Ausleseknoten 214 bewirken.
  • Mit Bezug auf die 3A-3G wird eine Ausführungsform zur Herstellung eines Bildgebers wie den in 2A dargestellten Tiefen-Bildgeber beschrieben. Es ist zu beachten, dass die 3A-3G auf der linken Seite eine Pixelregion des Substrates zeigen, die später ein Pixel des Bildgebers bildet, wie beispielsweise die Region, die die Steuerelektroden 206a und 206b aufweist, und auf der rechten Seite eine Transistorregion des Substrates, in der ein oder mehrere Transistoren parallel zum Pixel gebildet sind. Die Transistorregion kann MOS-Transistoren, CMOS-Transistoren oder andere Typen von gategesteuerten Transistoren wie auch andere Transistoren umfassen. Es sei ebenfalls klargestellt, dass die 3A-3G nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind, sondern vielmehr schematisch einige Elemente und die Art, wie sie verarbeitet werden, umfassend zeigen. Es sei weiter klargestellt, dass zwischen aufeinanderfolgenden Figuren ein Verarbeitungsschritt oder mehrere Verarbeitungsschritte erfolgen können, die nicht dargestellt sind, wie beispielsweise die Abscheidung und Strukturierung einer Maske, eine Ätzung durch eine Maske und ein Entfernen einer Maske.
  • Mit Bezug auf die 3A-3G wird eine Ausführungsform zur Herstellung eines Bildgebers wie den in 2A dargestellten Tiefen-Bildgeber beschrieben. Es ist zu beachten, dass die 3A-3G auf der linken Seite eine Pixelregion des Substrates zeigen, die später ein Pixel des Bildgebers bildet, wie beispielsweise die Region, die die Steuerelektroden 206a und 206b aufweist, und auf der rechten Seite eine Transistorregion des Substrates, in der ein oder mehrere Transistoren parallel zum Pixel gebildet sind. Die Transistorregion kann MOS-Transistoren, CMOS-Transistoren oder andere Typen von gategesteuerten Transistoren wie auch andere Transistoren umfassen. Es sei ebenfalls klargestellt, dass die 3A-3G nicht maßstabsgetreu gezeichnet sind, sondern vielmehr schematisch einige Elemente und die Art, wie sie verarbeitet werden, umfassend zeigen. Es sei weiter klargestellt, dass zwischen aufeinanderfolgenden Figuren ein Verarbeitungsschritt oder mehrere Verarbeitungsschritte erfolgen können, die nicht dargestellt sind, wie beispielsweise die Abscheidung und Strukturierung einer Maske, eine Ätzung durch eine Maske und ein Entfernen einer Maske.
  • Es ist hier zu beachten, dass das Substrat 202 vorverarbeitet werden kann, um zusätzliche Strukturen, Schichten usw. einzuschließen. Mit anderen Worten kann das Substrat 202 nicht nur ein Halbleitersubstrat aus kristallinem Material umfassen, sondern beispielsweise auch Verbundsubstrate, Substrate mit Wannen unterschiedlicher Dotierung, zusätzliche Schichten, Strukturen usw. Gewöhnlich kann das Substrat 202 ein p-dotiertes Silizium umfassen. Es können aber bei anderen Ausführungsformen andere Dotierungsarten und Substratmaterialien verwendet werden. Nachfolgend wird eine Ausführungsform der Bereitstellung eines p-Dotierungssubstrats unter Bezugnahme auf 9 beschrieben.
  • 3B zeigt die Struktur von 3A, nachdem eine leitfähige Schicht 304 auf dem elektrischen Isoliermaterial 204 abgeschieden wurde, welcher später die Steuerelektroden in jedem Pixel der Bildgebervorrichtung und die Gate-Elektroden in der Transistorregion bildet.
  • 3C zeigt die leitfähige Schicht 304 von 3B nach der Strukturierung in die Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B und die Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B. Die Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B in der Pixelregion können beispielsweise den Steuerelektroden 206A und 206B entsprechen, die in der Tiefen-Bildgebervorrichtung von 2A dargestellt sind. Wenngleich nur zwei Steuerelektrodenstrukturen dargestellt sind, sei darauf hingewiesen, dass zusätzlich zu den Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B weitere Steuerelektrodenstrukturen in jedem Pixel der Tiefen-Bildgebervorrichtung gebildet sein können, wie beispielsweise eine Steuerelektrodenstruktur, um die Steuerelektroden 296A, 206B und 206C, wie dargestellt in 2A, zu bilden.
  • Die Strukturierung der leitfähigen Schicht 304 kann die Generierung einer Hartmaske, die Strukturierung der Hartmaske, eine Ätzung durch die Hartmaske, um die leitfähige Schicht 304 selektiv zu entfernen, und ein Entfernen der Hartmaske umfassen. Des Weiteren kann, wie in 3C dargestellt, die Isolierschicht 204 in Regionen außerhalb der Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B und der Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B entfernt werden. Das selektive Entfernen der Isolierschicht 204 kann beispielsweise gleichzeitig mit einer Ätzung der Hartmaske erfolgen, die für die Strukturierung der Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B und der Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B verwendet wird.
  • In 3D wird eine Schicht 308 abgeschieden. In der beschriebenen Ausführungsform überdeckt die Schicht 308 die Steuerelektrodenstrukturen und die Gate-Elektrodenstrukturen wie auch die Regionen zwischen benachbarten Steuerelektrodenstrukturen und die Regionen zwischen benachbarten Gate-Elektrodenstrukturen. Bei Ausführungsformen kann die Schicht 308 gleichmäßig und durchgehend über den Strukturen des Substrates 202 abgeschieden sein. Bei Ausführungsformen bietet die Schicht 308 wie nachstehend weiter beschrieben während des Zurückätzens einer Spacerschicht Schutz für das Substrat 202 in der Pixelregion zwischen den Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B. Dadurch kann ein verbesserter Umwandlungswirkungsgrad in den Pixelregionen erreicht werden, da die durch das Zurückätzen der Spacerschicht eingeführte Konzentration von Verunreinigungen oder anderer Fehler in der Region zwischen den Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B signifikant reduziert wird. Die Schicht 308 wird im Transistorbereich entfernt, um die Bildung von Spacerschichtstrukturen und eine Substratdotierung zu ermöglichen, indem die Spacerschichtstrukturen verwendet werden, um Transistoren zu bilden. Da bei Ausführungsformen die Schutzschicht in der Pixelregion während aller weiteren Verarbeitungsschritte oder wenigstens einigen weiteren Verarbeitungsschritten zwischen benachbarten Steuerelektroden verbleibt, schützt die Schicht 308 ferner die Grenzfläche des Substrates im Pixelbereich auch bei den folgenden Verarbeitungsschritten vor Verunreinigung und Beschädigungen. Beispielsweise kann ein Schutz im Pixelbereich vor einer Verunreinigung der Grenzfläche des Substrates durch Dotiermittel, die beim Dotieren des Transistorbereichs verwendet werden, erreicht werden. Deshalb kann die Anzahl an Rekombinationszentren, die an der Grenzfläche des Substrates im Pixelbereich existieren und den Wirkungsgrad der Vorrichtung reduzieren, im Vergleich zu einem Prozess, bei dem die Pixelregion nicht durch die Schicht 308 geschützt und daher dem Zurückätzen der Spacerschicht oder Dotiermitteln auf die gleiche Weise wie die Transistorregion unterworfen ist, vermindert werden. Die Schicht 308 ermöglicht es deshalb, die gleichen Verarbeitungsschritte für das Bilden der Steuerstrukturen in der Pixelregion und der Steuerstrukturen in der Transistorregion zu verwenden, ohne die Grenzfläche des Substrates im Pixelbereich durch die beispielsweise im Transistorbereich erforderlichen Verarbeitungsschritte zu beschädigen, um eine korrekte Dotierung unter Verwendung der Spacerschichtstrukturen zu erzielen.
  • Die Schicht 308 sorgt für zusätzliche Synergieeffekte bei der Herstellung der Vorrichtung, da elektrische Effekte, die von später im Herstellungsverfahren über dem Substrat gebildeten permanent geladenen Schichten hervorgerufen werden, angesichts des zusätzlichen Abstands, der von Schicht 308 an diese geladenen Schichten bereitgestellt wird, abgeschwächt werden. Geladene Schichten können beispielsweise durch ihr elektrisches Feld photogenerierte Ladungsträger beeinflussen und z. B. die Anzahl an photogenerierten Ladungsträgern vermindern, welche die Einflusszone der Steuerelektroden 208A, 208B in der Nähe der Grenzfläche des Substrates erreichen. Somit kann der Wirkungsgrad eines durch hier beschriebene Ausführungsformen hergestellten Pixels weiter verbessert werden. Insgesamt kann ein Pixel für eine Bildgebervorrichtung mit verbessertem Wirkungsgrad gebildet werden, da weniger photogenerierte Ladungsträger an Verunreinigungen oder Fehlern rekombinieren. Dies kann beispielsweise bei gegenwärtigen und zukünftigen Tiefen-Bildgebern des Pixels von hoher Dichte von signifikanter Wichtigkeit beim Verkleinern auf kleine Pixelbereiche sein. Ein besserer Schutz wird erreicht, wenn die Schicht 308 dick ausgeführt ist. Jedoch ist die Dicke der Schicht 308 angesichts der modernen Verarbeitungsverfahren und kleinen Abstände zwischen benachbarten Steuerelektrodenstrukturen eingeschränkt. Bei typischen modernen CMOS-Verarbeitungsverfahren ermöglicht ein Dickenbereich von 10 nm (Nanometer) bis zu 100 nm gute Ergebnisse beim Wirkungsgrad. Bei einigen Ausführungsformen kann der Dickenbereich zwischen 20 und 50 nm liegen, was das Herstellen von kleinen Pixeln mit ausreichendem Schutz ermöglicht. Bei einigen Ausführungsformen umfasst die Schicht 308 Oxidmaterial wie Siliziumoxid. Oxidmaterial kann für zusätzliche Synergieeffekte bei der Herstellung sorgen, da permanente Ladeeffekte während der Abscheidung innerhalb der Schicht reduziert werden. Diese Ladeeffekte können wie oben beschrieben die photogenerierten Ladungsträger beeinflussen.
  • Wie oben beschrieben erstreckt sich die Schicht 308 wenigstens in die Region zwischen den Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B, um Schutz für die Grenzfläche des Substrats zu bieten. Jedoch kann wie in 3D dargestellt die Schicht 308 auch die Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B überdecken. Bei anderen Ausführungsformen mit mehr als zwei Steuerelektrodenstrukturen pro Pixel kann die Schicht 308 in jeder Region abgeschieden sein, die sich zwischen zwei angrenzenden Steuerelektrodenstrukturen erstreckt. Bei einigen Ausführungsformen kann sich die Schicht 308 in jeder Region zwischen zwei angrenzenden Steuerelektrodenstrukturen erstrecken und sie kann weiter alle Steuerelektrodenstrukturen überdecken.
  • Bezugnehmend auf 3E wird die Schicht 308 dann in der Transistorregion vollständig entfernt.
  • Wie dargestellt in 3F wird eine Spacerschicht 310 gebildet. Die Spacerschicht 310 verläuft in dem Pixelbereich derart, dass sie direkt mit der Schicht 308 verbunden ist, während die Spacerschicht in der Transistorregion derart verläuft, dass sie mit dem Substrat in der Region zwischen den Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B verbunden ist und mit den Ober- und Seitenwandflächen der Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B verbunden ist. Somit ist, wie in 3F ersichtlich, die Schicht 308 in der Pixelregion zwischen den Oberflächen der Steuerelektrodenstrukturen 306A, 306B und der Spacerschicht 310 angeordnet. In der Region zwischen den Steuerelektrodenstrukturen 306A, 306B ist die Schicht 308 zwischen dem Substrat 202 und der Spacerschicht 310 angeordnet.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann die Spacerschicht 310 wenigstens eine erste und zweite Teilschicht oder mehr als 2 Teilschichten umfassen. Die erste und die zweite Teilschicht können das gleiche Material oder verschiedene Materialien aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann ähnlich wie bei Schicht 308 eine weitere Schicht zwischen der ersten und zweiten Teilschicht der Spacerschicht 310 ausgebildet sein, um einen Schutz wie oben beschrieben vorzusehen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Schicht 308 zwischen Teilschichten einer Spacerschicht gebildet sein, anstatt die Schicht 308 so zu bilden, dass sie sich unter der Spacerschicht 310 befindet. Bei einigen Ausführungsformen enthält die Spacerschicht 310 Oxid- oder Nitridmaterial. Bei einigen Ausführungsformen, bei denen mehrere Teilschichten verwendet werden und jede Teilschicht zurückgeätzt ist, ist die Teilschicht, die direkt mit der Schicht 308 verbunden ist, aus einem Material, das sich vom Material der Schicht 308 unterscheidet, während andere Teilschichten, die nicht direkt mit der Schicht 308 verbunden sind, aus dem gleichen Material wie die Schicht 308 sein können.
  • Die Spacerschicht 310 ist mit Bezugnahme auf 3G zurückgeätzt, um die Spacerschichtstrukturen an Seitenwänden der Steuerelektrodenstrukturen 306A, 306B zu Erzeugen. Wie bereits oben ausführlich beschrieben, schützt die Schicht 308 die Substratregion zwischen den Steuerelektrodenstrukturen 306A und 306B während des Zurückätzens. Bei einigen Ausführungsformen einer Spacerschicht mit Teilschichten kann jede Teilschicht einem Zurückätzen unterworfen werden, während die Schicht 308 immer noch die Substratregion in der Pixelregion zwischen den Steuerelektroden 306A, 306B schützt. Dann kann ein Dotieren erfolgen, um dotierte Regionen im Transistorbereich zu erlangen. Angesichts der Schicht 308, die im Pixelbereich aufrechterhalten wird, ist das Substrat im Pixelbereich vor der Verunreinigung durch Dotiermittel geschützt, ohne irgendwelche zusätzlichen Schutzschichten aufbringen zu müssen.
  • Anschließend wird das Herstellen der Vorrichtung fortgesetzt, wie es einem Fachmann bekannt ist, einschließlich der Fertigstellung von FEOL (Front End Of Line), MEOL (Middle End Of Line) und BEOL (Back End Of Line).
  • Mit Bezugnahme auf die 4A-4I wird eine weitere Ausführungsform beschrieben. Bei dieser Ausführungsform wird eine erste Spacerschicht abgeschieden, bevor die Schicht 308 generiert und strukturiert wird.
  • Die 4A bis 4C sind identisch mit den 3A bis 3C. Deshalb wird Bezug genommen auf die obige ausführliche Beschreibung.
  • Eine erste Spacerschicht 402 wir unter Bezugnahme auf 4D gleichmäßig über den Strukturen und dem Substrat in der Pixelregion und in der Transistorregion abgeschieden. Wie dargestellt in 4E, wird die Schicht 308 dann auf der ersten Spacerschicht 402 abgeschieden. Dann wird die Schicht 308 in der Transistorregion beispielsweise durch selektives Ätzen gegen die Spacerschicht 402 entfernt. 4F zeigt die resultierende Struktur, bei der sich die Schicht 308 über der ersten Spacerschicht 402 in der Pixelregion erstreckt, während die Schicht 308 in der Transistorregion entfernt ist. Es erfolgt ein erstes Zurückätzen der Spacerschicht, was die Spacerschichtstrukturen 404 wenigstens an den Seitenwänden der Gate-Elektroden 307A, 307B bildet. Wenngleich 4G die Spacerschichtstrukturen 404 an den Seitenwänden der Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B zeigt, sei klargestellt, dass Teile der Spacerschicht 402 auch in anderen Bereichen, wie beispielsweise über den Gate-Elektrodenstrukturen 307A, 307B verbleiben können. Es ist weiter zu beachten, dass die Spacerschicht 402 Schutz für zukünftige Verarbeitungsschritte in der Pixelregion bietet, wenn die Schicht 308 in der Pixelregion nicht entfernt wurde und die Spacerschicht 402 abdeckt.
  • Unter Bezugnahme auf 4. wird nach dem Zurückätzen der ersten Spacerschicht 402 eine zweite Spacerschicht 406 in der Pixelregion und der Transistorregion abgeschieden. Die zweite Spacerschicht 406 wird zurückgeätzt und bildet die Spacerschichtstrukturen 408 an den Seitenwänden in der Pixelregion und der Transistorregion, die in 41 dargestellt sind. Mit den Spacerschichtstrukturen 404 und 408, die in der Transistorregion gebildet sind, erfolgt ein Dotieren an generierten dotierten Regionen in den Transistorregionen. Es sind weitere Verarbeitungsschritte vorgesehen, um mit der weiteren Verarbeitung zur Herstellung der Bildgebervorrichtung fortzufahren.
  • Es sei klargestellt, dass jede der Spacerschichten 404 und 408 bei anderen Ausführungsformen mehrere Teilschichten eines gleichen oder unterschiedlichen Materials umfassen kann. Somit kann bei einigen Ausführungsformen jede der Teilschichten separat abgeschieden und einer Rückätzung unterworfen werden, um zusätzliche Spacerschichtstrukturen zu bilden.
  • Nachdem die Spacerschichtstrukturen gebildet wurden, umfasst eine zusätzliche Verarbeitung das Herstellen eines Metallstapels im BEOL. Gewöhnlich wird für Schutzzwecke eine Passivierungsschicht oben auf dem Metallstapel vorgesehen.
  • Hier beschriebene Ausführungsformen können anstatt einer einzelnen Passivierungsschicht wenigstens zwei Passivierungsschichten verwenden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht oben auf dem Metallstapel so ausgeführt werden, dass sie zusätzlich ein Antireflexionsschichtverhalten bietet. Gemäß einigen Ausführungsformen, die nachfolgend beschrieben werden, weist die Passivierungsschicht verglichen mit anderen Bereichen eine reduzierte Dicke im lichtempfindlichen Bereich auf, um ein Antireflexionsschichtverhalten der Passivierungsschicht zu erreichen. Um dies zu erreichen, kann die Passivierungsschicht einen Mehrschichtstapel aufweisen, bei dem wenigstens eine Schicht in den lichtempfindlichen Bereichen entfernt ist, um ein Angleichen der Passivierungsschicht im lichtempfindlichen Bereich zu ermöglichen und ein Antireflexionsschichtverhalten zu erreichen.
  • 5 A zeigt eine erste Ausführungsform, bei der über dem Substrat 202 ein Metallschichtstapel 502 generiert ist. Der Schichtstapel 502 umfasst eine Vielzahl von Metallschichten 504, die in die Schichten 505 eingebettet sind. Zwischen jeder metallischen Ebene wird eine elektrische Isolierschicht 506, die Nitridmaterial enthalten kann, gebildet. Die erste und zweite Passivierungsschicht 508 und 510 erstrecken sich in Bereichen außerhalb der lichtempfindlichen Bereiche. In den lichtempfindlichen Bereichen wird die erste Passivierungsschicht entfernt, sodass nur die zweite Passivierungsschicht eine für ein Antireflexionsverhalten angepasste Dicke aufweist. Bei einigen Ausführungsformen kann zusätzlich zum Entfernen der ersten Passivierungsschicht auch ein Teil des Metallstapels entfernt werden. Dies vermeidet eine Reflexion des hereinkommenden Lichtes, die im Wesentlichen an den Isolationsschichten der metallischen Ebenen erfolgt. Das Entfernen des Metallstapels verhindert, dass ein signifikanter Teil des Lichtes die lichtempfindliche Region im Substrat nicht erreicht und für das Signal verloren geht.
  • 5B zeigt eine Ausführungsform, bei der ein Teil des Metallstapels in den lichtempfindlichen Bereichen entfernt ist, um die Reflexion und Lichtabsorption im Metallstapel zu reduzieren. Wie in 5B ersichtlich, wird nur die zweite Passivierungsschicht 510 in dem Bereich vorgesehen, in dem der Metallstapel entfernt ist. 5B zeigt die oberen drei der Schichten 505, in denen die Metallschichten 504 gebildet sind, die entfernt werden, während drei andere Schichten 505 über dem lichtempfindlichen Bereich des Substrates 202 verbleiben.
  • 5C zeigt eine Ausführungsform bei der alle Metallstapelschichten in den lichtempfindlichen Bereichen entfernt sind. Hier erstreckt sich die zweite Passivierungsschicht 510 an oder in der Nähe der Substratoberfläche beispielsweise mit einem maximalen Abstand vom Substrat, der kleiner ist als die vertikale Ausdehnung der niedrigsten metallischen Ebene.
  • Die in 5A-C dargestellten Ausführungsformen können allein oder in Kombination mit den Herstellungsverfahrensschritten, die in den 3A-G und 4A-I dargestellt sind, für eine signifikante Verbesserung des Wirkungsgrades der Bildgebervorrichtung sorgen.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann eine Linse für jedes Pixel gebildet sein. Die Linse kann aus einem lichtempfindlichen Resistmaterial wie Durimid gebildet sein. Von solchen Linsen wurde festgestellt, dass sie ein gutes optisches spektrales Verhalten für Infrarotlicht aufweisen, das beispielsweise im in 2A dargestellten Tiefen-Bildgeber verwendet werden könnte.
  • Das lichtempfindliche Resistmaterial ermöglicht die bequeme Bildung der Linsen, indem das Polyimid selektiv bestrahlt wird. Beim Anwenden einer Entwicklerlösung werden die nicht bestrahlten Abschnitte entfernt. Nach Anwenden des Entwicklers wird die verbleibende Struktur beispielsweise bei Temperaturen von ca. 80 bis 150 °C hartgebrannt.
  • Eine weitere Wirkungsgradverbesserung des Tiefen-Bildgebers 200 kann bei einigen Ausführungsformen erzielt werden, indem bei jedem Pixel für eine Reflexion gegenüber einer entsprechenden Linse, die für jedes Pixel vorgesehen ist, gesorgt wird. Die reflektierende Struktur dient als Spiegel für das nicht absorbierte Licht und sie reflektiert das Licht, sodass es sich in der Photogenerierungsregion des Pixels konzentriert. 6A zeigt ein Beispiel, bei dem eine konkave Struktur 602 auf der Rückseite des Substrates 202 gebildet ist, das an einem externen Substrat 604, wie beispielsweise einem Glassubstrat, angebracht ist. Innerhalb der konkaven Struktur 602 ist ein konvexer Teil 603 gebildet, der für den Fokussierungseffekt für das Licht, das zur Photogenerierungsregion zurückreflektiert wird, sorgt. Der konvexe Teil 603 kann vollständig oder teilweise mit einer Reflexionsschicht wie einer Metallschicht überdeckt sein, um für eine gute Reflexion zu sorgen. Licht, das in der Licht absorbierenden Region nicht absorbiert wurde, wird durch die Reflexionsschicht, welche eine konvexe Form aufweist, reflektiert und zu den Licht absorbierenden Regionen in einer fokussierenden Weise zurückgelenkt. Bei einer weiteren Ausführungsform, die in 6B dargestellt ist, kann die konkave Struktur 602 auf einem separaten Substrat wie einer Glasscheibe gebildet sein, auf der das Substrat 202 angebracht ist. Eine Metallschicht mit konkaver Form ist auf einem Teil der konkaven Struktur 602 gebildet oder überdeckt diese vollständig. Licht, das in der Licht absorbierenden Region nicht absorbiert wurde, wird durch die Reflexionsschicht, die eine konkave Form aufweist, reflektiert und zu den Licht absorbierenden Regionen in einer fokussierenden Weise zurückgelenkt. Es sei klargestellt, dass die Ausführungsformen von reflektierenden Strukturen, die in den 6A und 6B dargestellt sind, mit irgendeiner der obigen beschriebenen Ausführungsformen kombiniert werden können, die in Bezug auf die 3A-G, 4A-I und 5A-C beschrieben sind.
  • Eine weitere Verbesserung der Sensitivität für Tiefen-Bildgeber-Sensoren kann unter Verwendung eines neuen Dotierungskonzeptes erreicht werden, wie es nachfolgend beschrieben ist. Im Allgemeinen basiert die Halbleiterdotierungstechnologie auf dem Implementieren unterschiedlich dotierter (n und p) Regionen, um für eine örtlich definierte Leitfähigkeit zu sorgen. Innerhalb von n-Regionen ist üblicherweise SB, AS oder P, für p-Regionen üblicherweise B (BF2) in das Substrat dotiert. Am signifikantesten ist die Ionenimplantation, bei der ein beschleunigter Atomfluss gelenkt und in das Substrat eingeführt wird. Die Ortsdosis kann durch Flussintegration genau bestimmt werden. Nach der Implantation ist der zuvor ideale Kristall jedoch schwer beschädigt; sodass eine Nutzung nicht gleich möglich ist und ein Tempern des Kristalls bei Temperaturen von üblicherweise über 1000 °C und über viele Stunden erforderlich ist. Ein perfektes Tempern ist jedoch nicht möglich und Schäden müssen toleriert werden. Je höher die Dosis, die Energie und die AMU (atomare Moleküleinheit) ist, desto mehr Schäden treten auf und desto komplexer sind die Schäden. Solche Schäden resultieren üblicherweise in Fehlerströmen und anderen Problemen.
  • Das vorliegende Konzept für das Erlangen einer p-Dotierung mit verbesserter Leistung und verbessertem Pixel-Wirkungsgrad für Tiefen-Bildgeber und 3D-Sensoren nutzt eine unterschiedliche Herangehensweise, bei der das Dotieren durch eine Diffusion einer bordotierten Glasschicht erreicht wird (z. B. SiO2 + B). Die bordotierte Glasschicht wird vor der Diffusion über dem Substrat abgeschieden. In einem Reaktor, der eine Siliziumdioxidschicht abscheiden kann, wird Gas, das Bor enthält, hinzugefügt, was in einer SiO2-Schicht resultiert, die Bor enthält. Bei einigen Ausführungsformen kann die Höchstkonzentration von Bor in der SiO2 Schicht unter 20 % liegen, bei einigen Ausführungsformen kann die Höchstkonzentration von Bor in der SiO2-Schicht unter 15 % liegen, bei einigen Ausführungsformen kann die Höchstkonzentration von Bor in der SiO2-Schicht bei einem Wert zwischen 15 % und 20 % liegen. 7A zeigt das Substrat 202 vor dem Dotieren. Eine Schicht 702 aus bordotiertem SiO2, die über dem Substrat 202 abgeschieden ist. Schicht 702 kann beispielsweise in einem Siliciumdioxid-Reaktor abgeschieden sein, in den Borgas hinzugefügt wird. Nach der Abscheidung der bordotierten Siliziumdioxidschicht werden die Bor-Dotiermittel von der bordotierten Glasschicht zu dem Substrat 202 getrieben. Ein Erhitzungsprozess mit Temperaturen über 1000 °C und für viele Stunden wird üblicherweise verwendet, um die Bor-Dotiermittel aus der bordotierten Glasschicht in das Substrat 202 zu treiben. 7B zeigt das Substrat nach dem Eintreibprozess. Eine Region 202A mit hoher p-Dotierung wird im Substrat 202 generiert. Die dotierte Region 202A kann bei einigen Ausführungsformen eine kumulierte Dotierungskonzentration von 1015 cm-2 oder mehr aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann eine Spitzendotierungskonzentration innerhalb der Region 202A einen Wert von 1019 cm-2 oder mehr aufweisen. Bei einigen Ausführungsformen kann die Spitzendotierungskonzentration einen Wert im Bereich von 1019 cm-2 bis 1020 cm-2 aufweisen. Bei Ausführungsformen kann die SiO2-Schicht anschließend entfernt werden und man lässt eine Epitaxieschicht über dem hoch dotierten Substrat 202 wachsen.
  • 8 zeigt ein Dotierungsprofil 802 mit einer Dosis von 1×106cm-2, die sich aus der Diffusion einer Bor-Konzentration von 4 % innerhalb der SiO2-Schicht über 4 Stunden bei einer Temperatur von 1050 °C ergibt. Die Ordinate von 8 zeigt Dotierungskonzentrationen in einer logarithmischen Skala und die Abszisse von 8 zeigt die Schichtausdehnung in µm. Zum Vergleich wird in 8 ein Dotierungsprofil mit einer Dosis von 4,7×1019cm-2, die sich aus einer Implantationsdotierung ergibt, dargestellt. Die Struktur, die in 8 dargestellt ist, umfasst das Substrat 202 mit der dotierten Region 202A und eine Epitaxieschicht 202B, die über der dotierten Region 202A gewachsen ist, nachdem die entsprechenden Dotierprozesse angewandt wurden. Es ist offensichtlich, dass die dotierte Region 202A, die nach der Abscheidung der Epitaxieschicht 202B auf beiden Seiten von Kristallhalbleitermaterial in Sandwichform eingeschlossen wird, in der Struktur von 8 eine vergrabene Schicht mit hoher Dotierungskonzentration bildet. Solche Strukturen können bei einigen Ausführungsformen vorgesehen sein, um ein spezifisches Dotierungsprofil zu erhalten, wie, aber nicht eingeschränkt auf ein Dotierungsprofil, um integrierte Felder zu Erzeugen, wie sie in der vorläufigen US-Anmeldung 61/731,373 beschrieben sind, die Miteigentum ist und deren Inhalt hiermit vollständig aufgenommen wird.
  • Es ist in 8 zu ersehen, dass das Dotierungsprofil 802, das aus der Diffusion der bordotierten SiO2-Glasschicht 702 resultiert, verglichen mit einem Profil 804, das aus dem Implantationsdotieren resultiert, eine höhere Dotierungskonzentration mit einer Spitzendotierungskonzentration von annähernd bis zu 1020 cm-2 erreicht. Die Dotierungskonzentration mit bordotierten SiO2-Schichten ermöglicht es somit, p-Dotierungskonzentrationen zu erreichen, die erheblich über den p-Dotierungskonzentrationen liegen, die mittels dotierter Ionenimplantation und beträchtlichen Kristallbaufehlern erreicht werden können. Angesichts des reibungsloseren Dotierungsverfahrens werden Kristallbaufehler reduziert, was in einem geringeren Einfangen von Ladungsträgern und einem höheren Quantenwirkungsgrad für den Bildgeber resultiert.
  • 9 ist ein Diagramm, in dem eine Beziehung zwischen Bor-Dotierungskonzentrationen in der bordotierten sio2-Schicht vor der Diffusion (dargestellt als Gewichtsprozent von SiO2 auf der Abszisse) und Bor-Dotierungskonzentrationen, die nach der Diffusion in das Siliziumsubstrat erreicht werden (dargestellt in 1/cm2 auf der Ordinate in logarithmischer Skala), dargestellt ist. In 9 zeigt eine Kurve 902 eine kumulative Bor-Dosis-Konzentration in Silizium und eine Kurve 904 zeigt eine Bor-Spitzendotierungskonzentration in Silizium. Es ist zu ersehen, dass Verhältnisse der Spitzenkonzentration zur Kumulationsdosis (c_peak/c_cumul) mit Werten von bis zu 4 Dekaden (104) in einem Bereich von Kumulationsdosis-Konzentrationen zwischen ca. 8×1019 cm-2 und 2×1016 cm-2 (Spitzenkonzentrationen zwischen ca. 6×1018 cm-2 und 1×1020 cm-2) erreicht werden können. Der Bereich der Spitzen- und kumulativen Bor-Konzentrationen im Silizium kann durch das Verändern der Bor-Konzentration in der SiO2 -Glasschicht von 1 % bis 4,5 % variiert werden, um kumulative Dosis-Konzentrationen zwischen ca. 8×1014 cm-2 und 2×1016 cm-2 und Spitzenkonzentrationen zwischen ca. 6×1018 cm-2 und 1×1020 cm-2 zu erreichen. Zum Vergleich ist eine kumulative Bor-Dosis-Konzentration, die mit einer Ionenimplantation erreichbar ist, im Diagramm von 9 mit der Bezugsnummer 906 dargestellt, und eine Bor-Spitzenkonzentration, die mit einer Ionenimplantation erreichbar ist, ist mit der Bezugsnummer 908 dargestellt.
  • Es wird deutlich, dass das oben beschriebene Dotierungskonzept in einer synergetischen Weise mit den beschriebenen Ausführungsformen interagiert, um Kristallbaufehler zu vermeiden, die einen Lichteinfang erhöhen und den Wirkungsgrad der Tiefen-Bildgebervorrichtung reduzieren würden. Insbesondere sorgt das Konzept zur Vermeidung zusätzlicher Schäden des Kristallhalbleitermaterials während der weiteren Fertigung, wie sie beispielsweise in den 3A bis 3G beschrieben ist, für einen synergistischen Effekt mit dem oben beschriebenen Dotierungskonzept.
  • In der obigen Beschreibung wurden Ausführungsformen dargestellt und beschrieben, die fachkundige Personen mit ausreichenden Details in die Lage versetzen, die hier offenbarten Lehren zu praktizieren. Andere Ausführungsformen können genutzt und davon abgeleitet werden, sodass strukturelle und logische Substitutionen und Änderungen durchgeführt werden können, ohne vom Umfang dieser Offenbarung abzuweichen. Während beispielsweise ein Herstellungskonzept eines auf dem Photonenmischungsprinzip basierenden 3D-TOF-Bildgebers beschrieben wurde, ist es selbstverständlich, dass die obigen Konzepte auch auf die Herstellung anderer 3D-Bildgeber wie 3D-TOF-Bildgeber angewandt werden können, die nicht auf dem Photonenmischungskonzept basieren. Des Weiteren ist es selbstverständlich, dass das beschriebene Herstellungskonzept auch auf Bildgeber im Allgemeinen anwendbar sein kann, die beispielsweise auch 2D-Bildgeber umfassen.
  • Diese ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht als einschränkend aufzufassen und der Umfang verschiedener Ausführungsformen ist nur durch die angefügten Ansprüche zusammen mit allen Äquivalenten definiert.
  • Solche Ausführungsformen des Erfindungsgegenstands können in dieser Anmeldung der Einfachheit halber einzeln und/oder gemeinsam als „Erfindung“ bezeichnet sein. Hierdurch wird der Schutzumfang dieser Anmeldung nicht auf eine einzige Erfindung oder ein einziges erfinderisches Konzept beschränkt, auch wenn in der Anmeldung mehrere Erfindungen oder erfinderische Konzepte offenbart werden. Obwohl spezifische Ausführungsformen hierin veranschaulicht und beschrieben wurden, wird man zu schätzen wissen, dass jegliche Gestaltung, die dazu bestimmt ist, denselben Zweck zu erfüllen, gegen die spezifisch dargestellten Ausführungsformen ausgetauscht werden kann. Diese Offenbarung soll jegliche und alle Adaptionen oder Variationen verschiedener Ausführungsformen abdecken. Kombinationen der vorstehenden Ausführungsformen und weitere, nicht spezifisch hierin beschriebene Ausführungsformen sind für Fachleute bei Durchsicht der vorstehenden Beschreibung offensichtlich.
  • Es ist weiter zu beachten, dass spezifische Begriffe, die in der Beschreibung und den Ansprüchen verwendet werden, in sehr weitem Sinne ausgelegt werden können. Beispielsweise sind die hier verwendeten Begriffe „Schaltkreis“ oder „Schaltung“ in einer Weise auszulegen, die nicht nur Hardware, sondern auch Software, Firmware oder beliebige Kombinationen davon einschließt. Der Begriff „Daten“ kann als jegliche Form von Darstellungsdaten einschließend ausgelegt werden. Der Begriff „Informationen“ kann zusätzlich zu jeglicher Form von digitalen Informationen auch andere Formen der Darstellung von Informationen umfassen. Der Begriff „Entität“ oder „Einheit“ kann in Ausführungsformen jede Vorrichtung, Vorrichtungsschaltkreise, Hardware, Software, Firmware, Chips oder andere Halbleiter und Digitalbausteine oder physische Implementierungen von Protokollschichten usw. umfassen. Des Weiteren können die Begriffe „gekoppelt“ oder „verbunden“ in einem weiten Sinne ausgelegt werden, der nicht nur eine direkte sondern auch eine indirekte Kopplung abdeckt.
  • Es ist weiter zu beachten, dass in Kombination mit spezifischen Entitäten beschriebene Ausführungsformen zusätzlich zu einer Implementierung in dieser Entität auch eine oder mehrere Implementierungen in einer oder mehreren Unterentitäten oder Unterteilungen der beschriebenen Entität umfassen können. Beispielsweise können hier beschriebene spezifische Ausführungsformen, die in einen Transmitter oder Empfänger implementiert werden sollen, in Unterentitäten wie einen Chip oder Schaltkreis implementiert sein, der in solch einer Entität bereitgestellt ist.
  • Die beigefügten Zeichnungen, die einen Teil hiervon bilden, zeigen durch Veranschaulichung und nicht durch Einschränkung spezifische Ausführungsformen, in denen der Erfindungsgegenstand praktiziert werden kann.
  • Aus der vorstehenden ausführlichen Beschreibung ist ersichtlich, dass verschiedene Merkmale in einer einzigen Ausführungsform zusammengefasst sind, um die Offenbarung zu straffen. Dieses Verfahren der Offenbarung soll jedoch nicht als eine Absicht widerspiegelnd ausgelegt werden, dass die beanspruchten Ausführungsformen mehr Merkmale erfordern als in jedem Anspruch ausdrücklich zitiert sind. Wie die folgenden Ansprüche widerspiegeln, liegt der Erfindungsgegenstand vielmehr in weniger als allen Merkmalen einer einzelnen offenbarten Ausführungsform. Somit sind die folgenden Ansprüche hiermit in die ausführliche Beschreibung aufgenommen, wobei jeder Anspruch selbstständig als eine separate bevorzugte Ausführungsform stehen kann. Während jeder Anspruch selbstständig als eine separate bevorzugte Ausführungsform stehen kann, ist zu beachten, dass - obwohl ein Unteranspruch in den Ansprüchen zu einer spezifischen Kombination mit einem oder mehreren anderen Ansprüchen verweisen kann - andere Ausführungsformen auch eine Kombination des Unteranspruchs mit dem Gegenstand jedes anderen Unteranspruchs einschließen können. Diese Kombinationen werden hier vorgeschlagen sofern nicht angegeben ist, dass eine spezifische Kombination nicht beabsichtigt ist. Des Weiteren ist beabsichtigt, auch Funktionen eines Anspruchs bei jedem anderen unabhängigen Patentanspruch einzuschließen, selbst wenn dieser Anspruch nicht direkt vom unabhängigen Patentanspruch abhängig gemacht wird.
  • Des Weiteren ist beabsichtigt, in dieser ausführlichen Beschreibung auch ein oder mehrere der beschriebenen Funktionen, Elemente usw. in einer umgekehrten oder vertauschten Weise einzuschließen, sofern es nicht anders angegeben ist.
  • Es ist weiter zu beachten, dass Verfahren, die in der Patentbeschreibung oder in den Ansprüchen offenbart werden, von einer Vorrichtung implementiert werden können, die die Mittel aufweist, um jeden der entsprechenden Schritte dieser Verfahren auszuführen.
  • Weiter sei klargestellt, dass die Offenbarung von mehreren Schritten oder Funktionen, die in der Patentbeschreibung oder den Ansprüchen offenbart werden, nicht bedeutet, dass diese in der spezifischen Reihenfolge sein müssen. Deshalb beschränkt die Offenbarung von mehreren Schritten oder Funktionen diese nicht auf eine bestimmte Reihenfolge es sei denn, dass diese Schritte oder Funktionen aus technischen Gründen nicht austauschbar sind.
  • Des Weiteren kann bei einigen Ausführungsformen ein Einzelschritt mehrere Unterschritte umfassen oder in diese unterteilt sein. Diese Unterschritte können sofern nicht ausdrücklich ausgeschlossen in die Offenbarung dieses Einzelschrittes eingeschlossen und ein Teil davon sein.

Claims (19)

  1. Herstellungsverfahren für einen Tiefen-Bildgeber, umfassend: - Abscheiden von wenigstens einer ersten leitfähigen Schicht (304) - Strukturieren der wenigstens ersten leitfähigen Schicht (304), um für jedes Pixel des Bildgebers wenigstens eine erste Steuerelektrodenstruktur (306A) und eine zweite Steuerelektrodenstruktur (306B) zu erlangen und in einer Transistorregion des Bildgebers wenigstens eine Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu erlangen; - Abscheiden einer zweiten Schicht (308) und wenigstens einer Spacerschicht (310; 402, 406) und Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, während die zweite Schicht (308) wenigstens in einer Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt, verbleibt, wobei die Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens ein Material umfasst, das sich von einem Material der zweiten Schicht (308) unterscheidet; und - nach dem Entfernen der zweiten Schicht (308) in der Transistorregion, Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) wenigstens in der Transistorregion, um eine Spacerstruktur wenigstens an den Seitenwänden der wenigstens einen Gate-Elektrodenstruktur (307A, 307B) zu bilden, wobei die zweite Schicht (308) wenigstens in der Region verbleibt, die sich nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Schicht (308) direkt ein Halbleitersubstrat (202) in der Region verbindet, das sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.
  3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Spacerschicht (402, 406) vor dem Abscheiden und Entfernen der zweiten Schicht (308) abgeschieden wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die wenigstens eine Spacerschicht (402, 406) direkt ein Halbleitersubstrat (202) in der Region verbindet, das sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrodenstruktur erstreckt.
  5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die wenigstens eine Spacerschicht (310; 402, 406) und die zweite Schicht (308) direkt miteinander verbunden werden.
  6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Abscheiden der wenigstens einen Spacerschicht (402, 406) das Abscheiden einer ersten Spacerschicht (402) und einer zweiten Spacerschicht (406) umfasst.
  7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: nach dem Zurückätzen der wenigstens einen Spacerschicht (402), das Abscheiden von wenigstens einer weiteren Spacerschicht (406) und das Zurückätzen der wenigstens einen weiteren Spacerschicht (406), wobei die zweite Schicht (308) während des Abscheidens der wenigstens einen weiteren Spacerschicht (406) und des Zurückätzens der wenigstens einen weiteren Spacerschicht (406) in der Region verbleibt, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrode erstreckt.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Abscheiden der wenigstens einen weiteren Spacerschicht (406) das Abscheiden einer ersten Spacerschicht und einer zweiten Spacerschicht umfasst.
  9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste und die zweite Steuerelektrodenstruktur Steuerelektrodenstrukturen eines Laufzeit-Bildgebers sind.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: Verhindern von Schäden an einer Halbleitergrenzfläche in der Region, die sich zwischen der ersten und der zweiten Steuerelektrode während des Zurückätzens der wenigstens einen Spacerschicht (310; 402, 406) erstreckt.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: - Dotieren des Halbleitersubstrats (202), wobei eine Halbleiterregion unter der zweiten Schicht in der Region, die sich zwischen der ersten und zweiten Steuerelektrode erstreckt, durch die zweite Schicht während des Dotierens des Halbleitersubstrates (202) vor Verunreinigung geschützt ist.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: - Erzeugen eines Metallstapels, wobei der Metallstapel eine Vielzahl von Metallschichten (504) und eine Vielzahl von dielektrischen Schichten (506) umfasst; - Abscheiden einer ersten Passivierungsschicht (508) über dem Metallstapel; - Abscheiden einer zweiten Passivierungsschicht (510) über der ersten Passivierungsschicht; und - Entfernen der ersten Passivierungsschicht (508) in einer ersten Region, während die zweite Passivierungsschicht (510) in der ersten Region verbleibt.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, ferner umfassend: vor dem Abscheiden der ersten Passivierungsschicht (508), Entfernen von wenigstens einem Teil des Metallstapels in der ersten Region.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: Erzeugen einer optischen Linse für jedes Pixel des Tiefen-Bildgebers, um Licht in Richtung auf eine Photoumwandlungshalbleiterregion zu fokussieren, wobei die optische Linse Polyimidmaterial umfasst.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: Bilden für jedes Pixel des Tiefen-Bildgebers einer Reflexionsstruktur (603; 604), wobei die Reflexionsstruktur (603; 604) Licht zurück zu einer Photoumwandlungshalbleiterregion reflektiert.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Bilden der Reflexionsstruktur das Bilden einer konkaven Struktur (602) in einem Substrat umfasst; und wenigstens teilweise Abscheiden von optisch reflektierendem Material in der konkaven Struktur (602).
  17. Verfahren nach Anspruch 16, ferner umfassend: Bilden der Reflexionsstruktur in einem separaten Teil, der an einem Halbleitersubstrat (202) angebracht ist.
  18. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Schicht eine Dicke in einem Bereich zwischen 10 und 100 nm aufweist.
  19. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, ferner umfassend: - Erzeugen von wenigstens einem Dotierungsprofil (802) innerhalb eines Substrats (202) des Tiefen-Bildgebers, wobei das Erzeugen von wenigstens einem Dotierungsprofil Folgendes umfasst: - Abscheiden einer Oxidschicht (702) auf dem Substrat (202), wobei die Oxidschicht (702) Dotiermittelmaterial umfasst; - Bereitstellen einer Diffusion von wenigstens einem Teil des Dotiermittelmaterials von der Oxidschicht zum Substrat (202); und - epitaktisches Wachsen einer Schicht über dem Substrat (202).
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011116345A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Invisage Technologies, Inc. Dark current reduction in image sensors via dynamic electrical biasing
US9659992B2 (en) 2013-03-21 2017-05-23 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing an imager and imager device
US10104322B2 (en) 2014-07-31 2018-10-16 Invisage Technologies, Inc. Image sensors with noise reduction
GB201421512D0 (en) * 2014-12-03 2015-01-14 Melexis Technologies Nv A semiconductor pixel unit for simultaneously sensing visible light and near-infrared light, and a semiconductor sensor comprising same
US20160247956A1 (en) * 2015-02-20 2016-08-25 Dee-Son Pan Transistor Barrier-Controlled Internal Photoemission Detector
DE102016209316A1 (de) * 2015-06-22 2016-12-22 pmdtechnologies ag Sensor mit mehreren Pixeln und entsprechende Pixelzelle
US20180027193A1 (en) * 2016-07-22 2018-01-25 Invisage Technologies, Inc. Quantum film pixels with low readout noise
US10425601B1 (en) 2017-05-05 2019-09-24 Invisage Technologies, Inc. Three-transistor active reset pixel

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436747B1 (en) 1999-04-21 2002-08-20 Matsushita Electtric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
US20060115230A1 (en) 2002-12-13 2006-06-01 Tetsuya Komoguchi Solid-state imaging device and production method therefor
US20070267658A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd Image sensor and methods of fabricating the same
US20090014763A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 Ui-Sik Kim CMOS image sensor with photo-detector protecting layers

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6330088B1 (en) * 1998-02-27 2001-12-11 Zebra Imaging, Inc. Method and apparatus for recording one-step, full-color, full-parallax, holographic stereograms
US7453129B2 (en) * 2002-12-18 2008-11-18 Noble Peak Vision Corp. Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry
US7892177B2 (en) 2005-02-28 2011-02-22 Scimed Life Systems, Inc. Systems and methods for estimating the length and position of a stent to be applied within a patient
DE102006007420A1 (de) * 2006-02-17 2007-08-30 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Reinigungsvorrichtung für ein Bauteil innerhalb eines Prozess-luft-Kreislaufes eines Haushaltswäschetrockners
KR101359686B1 (ko) * 2007-06-26 2014-02-10 삼성전자주식회사 광대역 무선통신 시스템에서 피투피 통신을 위한 대역 선택장치 및 방법
US7755123B2 (en) * 2007-08-24 2010-07-13 Aptina Imaging Corporation Apparatus, system, and method providing backside illuminated imaging device
US7982177B2 (en) 2008-01-31 2011-07-19 Omnivision Technologies, Inc. Frontside illuminated image sensor comprising a complex-shaped reflector
US8222710B2 (en) * 2008-06-13 2012-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Sensor structure for optical performance enhancement
JP4743296B2 (ja) * 2008-11-17 2011-08-10 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、カメラ
JP5568934B2 (ja) * 2009-09-29 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、電子機器、レンズアレイ
US9659992B2 (en) 2013-03-21 2017-05-23 Infineon Technologies Ag Method of manufacturing an imager and imager device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6436747B1 (en) 1999-04-21 2002-08-20 Matsushita Electtric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device
US20060115230A1 (en) 2002-12-13 2006-06-01 Tetsuya Komoguchi Solid-state imaging device and production method therefor
US20070267658A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd Image sensor and methods of fabricating the same
US20090014763A1 (en) 2007-07-13 2009-01-15 Ui-Sik Kim CMOS image sensor with photo-detector protecting layers

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Publication number Publication date
US10411060B2 (en) 2019-09-10
US20170301721A1 (en) 2017-10-19
US20140284663A1 (en) 2014-09-25
US10854669B2 (en) 2020-12-01
US9659992B2 (en) 2017-05-23
US10692921B2 (en) 2020-06-23
US20200321388A1 (en) 2020-10-08
DE102014003068A1 (de) 2014-09-25
US20200006418A1 (en) 2020-01-02

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