-
QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
-
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2012-0151146, eingereicht am 21.12.2012 und der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2013-0148539, eingereicht am 02.12.2013 beim Koreanischen Patentamt, deren gesamte Offenbarung hiermit durch Bezugnahme für alle Zwecke aufgenommen wird.
-
HINTERGRUND
-
Technisches Gebiet
-
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung und insbesondere eine Anzeigevorrichtung, die eingerichtet ist, das Risiko eines Kurzschlusses zwischen Energieleitungen (z.B. Energieversorgungsleitungen, z.B. Spannungsversorgungsleitungen) zu minimieren, indem ein gegenseitiger Überlapp der Energieleitungen minimiert wird.
-
Verwandte Technik
-
Mit der Entwicklung der Informationsgesellschaft hat die Nachfrage nach Anzeigevorrichtungen zum Anzeigen von Bildern zugenommen, und verschiedene Flachpanelanzeigen (flat panel displays) wie zum eine Beispiel Flüssigkristallanzeige (Liquid Crystal Display, LCD), ein Plasmaanzeigepanel (Plasma Display Panel, PDP), eine organische lichtemittierende Diode (Organic Light Emitting Diode, OLED), werden gegenwärtig verwendet.
-
Unter den Flachpanelanzeigen ist eine OLED-Anzeigevorrichtung dünn, weist einen großen Betrachtungswinkel und eine hohe Reaktionsgeschwindigkeit auf, und kann mit niedriger Spannung angesteuert werden. Eine OLED-Anzeigevorrichtung weist ein Anzeigepanel mit einer Mehrzahl von Pixeln, die in einer Matrixform angeordnet sind, auf. Das Anzeigepanel empfängt Scan-Signale von einem Scan-Ansteuerschaltkreis zum Ansteuern der Pixel und empfängt Datenspannungen von einem Datenansteuerschaltkreis. Zusätzlich werden dem Anzeigepanel von einer Energieversorgung (power source) eine Mehrzahl von Quellenspannungen bzw. Betriebsspannungen (source voltages) bereitgestellt, um die Pixel anzusteuern.
-
In letzter Zeit hat die Anzahl an Quellenspannungen, die den Pixeln des Anzeigepanels zugeführt werden, zugenommen, um die Bildqualität zu verbessern. Aufgrund dessen hat die Anzahl an Überlappungen von Energieleitungen zum Zuführen von Quellenspannungen an die Pixel in dem Anzeigepanel zugenommen, und somit steigt die Möglichkeit bzw. Wahrscheinlichkeit eines Kurzschlusses von Energieleitungen an. Wenn Energieleitungen kurzgeschlossen werden, kann die Anzeigevorrichtung oder ein Teil, der die kurzgeschlossenen Versorgungsleitungen enthält, anfangen zu brennen.
-
ZUSAMMENFASSUNG
-
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung weist auf: ein erstes Substrat, auf dem Datenleitungen, Scan- Leitungen, die die Datenleitungen kreuzen, eine erste Energieleitung bis p-te Energieleitung (wobei p eine natürliche Zahl größer als 1 ist), durch die eine erste Quellenspannung bis p-te Quellenspannung zugeführt werden, und in einer Matrixform angeordnete Pixel ausgebildet sind; und ein zweites Substrat, auf dem eine erste Hilfselektrode bis p-te Hilfselektrode ausgebildet sind, wobei die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung entsprechend mit der ersten Hilfselektrode bis p-ten Hilfselektrode verbunden sind (mit anderen Worten ist jede der p Energieleitungen jeweils mit einer entsprechenden der p Hilfselektroden verbunden).
-
Die in dieser Zusammenfassung und der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung beschriebenen Merkmale und Vorteile sind nicht als einschränkend gedacht. Viele zusätzliche Merkmale und Vorteile werden dem Durchschnittsfachmann aus der Betrachtung der Zeichnungen, Beschreibung und Ansprüche ersichtlich werden.
-
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 stellt eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar.
-
2 ist ein Ersatzschaltkreisdiagramm eines Pixels einer in 1 gezeigten Pixelanordnung (Pixelarray).
-
3 stellt Energieleitungen und Hilfselektroden dar, die auf einem ersten Substrat und einem zweiten Substrat eines Anzeigepanels ausgebildet sind.
-
4A und 4B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie I-I’ in 3, und 5A und 5B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie II-II’ in 3.
-
6A und 6B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie III-III’ in 3, und 7A und 7B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie IV-IV’ in 3.
-
8 stellt auf einem oberen Substrat der 3 ausgebildete Hilfselektroden dar. 9 stellt Breiten der Hilfselektroden aus 8 in einem Nichtanzeigegebiet dar.
-
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
-
Die Erfindung wird nun ausführlicher unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, in denen beispielhafte Ausführungsformen der Erfindung dargestellt sind. Diese Erfindung kann jedoch auf viele verschiedene Arten und Weisen verkörpert werden und sollte nicht als durch die hier dargelegten Ausführungsformen beschränkt ausgelegt werden. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen gleiche Elemente innerhalb der Beschreibung. In der folgenden Beschreibung wird, falls feststeht, dass eine ausführliche Beschreibung von bekannten Funktionen oder Konfigurationen, die die Erfindung betreffen, den Gegenstand der Erfindung in den Hintergrund drängen würde, die ausführliche Beschreibung weggelassen.
-
1 stellt eine Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar. 2 ist ein Ersatzschaltkreisdiagramm eines Pixels einer in 1 gezeigten Pixelanordnung (Pixelarray). Wie in 1 und 2 gezeigt, weist die Anzeigevorrichtung gemäß der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Anzeigepanel (Display Panel, DIS), einen Scan-Ansteuerschaltkreis, einen Datenansteuerschaltkreis, einen Zeitablaufsteuerschaltkreis (Timing-Steuerschaltkreis (Timing Control Circuit, TCON)) und eine Energieversorgung (power source, PS) auf. Die Anzeigevorrichtung kann als eine Flachpanelanzeige wie zum Beispiel eine Flüssigkristallanzeige (Liquid Crystal Display, LCD), eine Feldemissionsanzeige (Field Emission Display, FED), ein Plasmaanzeigepanel (Plasma Display Panel, PDP), eine organische Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diode, OLED)-Anzeige, oder dergleichen, ausgeführt sein. Obwohl die Anzeigevorrichtung in der nachfolgend beschriebenen Ausführungsform als eine OLED-Anzeigevorrichtung ausgeführt ist, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt.
-
Eine Pixelanordnung (Pixel Array, PA), die in einer Matrixform an Kreuzungen von Datenleitungen DL und Scan-Leitungen angeordnete Pixel aufweist, ist auf einem ersten Substrat des Anzeigepanels DIS ausgebildet. Jedes Pixel P steuert den Stromfluss durch eine OLED unter Verwendung eines Schalt-TFTs (Dünnfilmtransistor (Thin Film Transistor)) und eines Ansteuer-TFTs, um ein Bild anzuzeigen. Insbesondere weist jedes Pixel P des Anzeigepanels DIS einen Schalt-TFT (ST), einen Ansteuer-TFT (DT), eine OLED und einen Kompensationsschaltkreis PIXC auf, wie in 2 gezeigt. Der Schalt-TFT (ST) stellt Datenspannungen von Datenleitungen DL an dem Kompensationsschaltkreis PIXC bereit als Reaktion auf Scan-Pulse von Scan-Leitungen SL. Der Kompensationsschaltkreis PIXC weist einen oder mehrere Schalt-TFT und einen oder mehrere Kondensatoren auf, initialisiert eine Gate-Elektrode des Ansteuer-TFTs (DT) und erfasst dann die Schwellenspannung des Ansteuer-TFTs (DT) und addiert die Schwellenspannung auf die Datenspannungen, um kompensierte Datenspannungen bereitzustellen (z.B. um Datenspannungen bereitzustellen, die Verschiebungen der Schwellenspannung des Ansteuer-TFTs kompensieren). Der Ansteuer-TFT (DT) steuert den Stromfluss durch die OLED entsprechend einer an seine Gate-Elektrode angelegten Datenspannung. Um dies zu erreichen, kann der Ansteuer-TFT (DT) mit einer ersten Energieleitung (power line) VDDL verbunden, mittels der eine erste Quellenspannung (source voltage) VDD zugeführt (anders ausgedrückt, bereitgestellt) wird. Der Kompensationsschaltkreis PIXC kann mit einer zweiten Energieleitung VREFL verbunden sein, mittels der eine zweite Quellenspannung VREF zugeführt wird, und mit einer dritten Energieleitung VINIL, mittels der eine dritte Quellenspannung VINI bereitgestellt wird. Die OLED kann mit einer vierten Energieleitung VSSL verbunden sein, mittels der eine vierte Quellenspannung VSS zugeführt wird. Als Kompensationsschaltkreis PIXC kann ein beliebiger Pixelkompensationsschaltkreis von bekannten OLED-Anzeigevorrichtungen verwendet werden. Das Anzeigepanel DIS kann Bilder gemäß Bottom-Emission (Emission nach unten) und/oder Top-Emission (Emission nach oben) anzeigen.
-
Der Datenansteuerschaltkreis weist eine Mehrzahl von Quellenansteuer-ICs (Source-Ansteuer-ICs, S-ICs) auf. Die Quellenansteuer-ICs (S-ICs) empfangen digitale Videodaten von dem Zeitablaufsteuerschaltkreis (TCON). Die Quellenansteuer-ICs (S-ICs) wandeln die digitalen Videodaten als Reaktion auf ein Zeitablaufsteuersignal (timing control signal) von dem Zeitablaufsteuerschaltkreis TCON in analoge Datenspannungen um und führen die analogen Datenspannungen, mit Scan-Pulsen synchronisiert, den Datenleitungen DL des Anzeigepanels DIS zu.
-
Jeder Quellenansteuer-IC (S-IC) ist auf einem COF (Chip auf Film) angebracht, und COFs sind an das erste Substrat und Quellen-Leiterplatten (source printed circuit boards) SPCB1 und SPCB2 gebondet. Wenn das Anzeigepanel DIS ein großformatiges Anzeigepanel (anders ausgedrückt, ein Anzeigepanel mit einem großen Schirm) ist, sind die COFs aufgeteilt und an die erste Quellen-Leiterplatte SPCB1 und die zweite Quellen-Leiterplatte SPCB1 gebondet, wie in 1 gezeigt. Alternativ können die Quellenansteuer-ICs (S-ICs) gemäß einem COG (Chip auf Glas) – Prozess an das erste Substrat des Anzeigepanels DIS gebondet sein bzw. werden.
-
Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 stellen als Reaktion auf ein mittels einer LOG (Leitung auf Glas (line on glass)) eingegebenes Scan-Zeitablaufsteuersignal sequentiell Scan-Pulse bereit zum Steuern der Schalt-TFTs der Pixel. Die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 können an beiden Seiten (z.B. entgegengesetzten Seiten, z.B. rechter und linker Seite) der Pixelanordnung PA ausgebildet sein, wie in 1 gezeigt. Dabei können die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 die Scan-Pulse gleichzeitig derselben Scan-Leitung zuführen. Alternativ können die Scan-Ansteuerschaltkreise an nur einer Seite der Pixelanordnung PA ausgebildet sein.
-
Die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 weisen Gate-Ansteuer-ICs auf und können mittels eines COG-Prozesses an das erste Substrat des Anzeigepanels DIS gebondet sein. Alternativ können die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 gleichzeitig mit der Pixelanordnung mittels eines GIP (Gate in Panel) – Prozesses direkt auf dem ersten Substrat ausgebildet sein. Weiterhin können die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 auf einem TCP (Tape Carrier Package) angebracht sein oder mittels eines TAB (Tape Automated Bonding) – Prozesses an ein unteres Substrat des Anzeigepanels DIS gebondet sein.
-
Der Zeitablaufsteuerschaltkreis TCON und die Energieversorgung PS sind auf einer Steuerleiterplatte (control printed circuit board) CPCB angebracht. Die Steuerleiterplatte CPCB ist mittels eines flexiblen Kabels wie z.B. einer flexiblen gedruckten Schaltung (flexible printed circuit, FPC) mit den Quellen-Leiterplatten SPCB1 und SPCB2 verbunden.
-
Der Zeitablaufsteuerschaltkreis TCON empfängt digitale Videodaten von einem externen Host-System (nicht gezeigt). Der Zeitablaufsteuerschaltkreis TCON empfängt Zeitablaufsignale (Timing-Signale) wie zum Beispiel ein Vertikalsynchronisationssignal, ein Horizontalsynchronisationssignal, ein Datenfreigabesignal, ein Punkttaktsignal (dot clock signal), usw. Der Zeitablaufsteuersignal TCON erzeugt basierend auf den digitalen Videodaten und den Zeitablaufsignalen (Timing-Signalen) Zeitablaufsteuersignale zum Steuern des zeitlichen Betriebsablaufs (anders ausgedrückt, des Ablauf-Timings) der Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 und des zeitlichen Betriebsablaufs (Ablauf-Timings) des Datenansteuerschaltkreises. Die Zeitablaufsteuersignale umfassen ein Scan-Zeitablaufsteuersignal zum Steuern des zeitlichen Betriebsablaufs der Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 und ein Daten-Zeitablaufsteuersignal zum Steuern des zeitlichen Betriebsablaufs des Daten-Ansteuerschaltkreises. Der Zeitablaufsteuerschaltkreis TCON gibt das Scan-Zeitablaufsteuersignal an die Scan-Ansteuerschaltkreise GIC1 und GIC2 aus und gibt das Daten-Zeitablaufsteuersignal an den Daten-Ansteuerschaltkreis aus.
-
Die Energieversorgung PS stellt eine erste Quellenspannung (anders ausgedrückt, Betriebsspannung) bis p-te Versorgungsspannung (anders ausgedrückt, Betriebsspannung) an einer ersten Energieleitung bis p-ten Energieleitung des Anzeigepanels DIS bereit. Die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung des Anzeigepanels DIS werden nachfolgend unter Bezugnahme auf 3 ausführlich beschrieben.
-
3 stellt Energieleitungen und Hilfselektroden dar, die auf dem ersten Substrat und zweiten Substrat des Anzeigepanels ausgebildet sind. 3 zeigt eine erste Energieleitung bis vierte Energieleitung VDDL, VREFL, VINIL und VSSL, eine erste Hilfselektrode bis vierte Hilfselektrode PE1 bis PE4, eine erste Datenleitung DL1 und eine m-te Datenleitung DLm (wobei m eine natürliche Zahl größer als 2 ist und die Anzahl an Pixeln angibt, die einer horizontalen Zeile entsprechen). In 3 sind zwecks Vereinfachung der Beschreibung nur die erste Datenleitung DL1 und die m-te Datenleitung DLm dargestellt, und die zweite Datenleitung DL2 bis (m-1)-te Datenleitung DLm-1 sind weggelassen. Die erste Datenleitung DL1 mit einem ersten Datenpad DP1 verbunden sein, und die m-te Datenleitung DLm kann mit einem m-ten Datenpad DPm verbunden sein. Obwohl 3 eine erste Energieleitung bis vierte Energieleitung VDDL, VREFL, VINIL und VSSL zeigt, ist die Anzahl der Energieleitungen und die Anzahl der Hilfselektroden nicht darauf (d.h. auf 4) beschränkt.
-
Wie in 3 gezeigt, sind die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung, mittels der die erste Quellenspannung bis p-te Quellenspannung zugeführt werden, auf dem ersten Substrat ausgebildet, und die erste Hilfselektrode bis p-te Hilfselektrode sind auf dem zweiten Substrat ausgebildet. Die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung sind entsprechend mit einem ersten Quellenspannungseingangsanschluss (source voltage input terminal) bis p-ten Quellenspannungseingangsanschluss, denen die erste Quellenspannung bis p-te Quellenspannung bereitgestellt werden, verbunden. Die Energieversorgung PS führt die erste Quellenspannung bis p-te Quellenspannung dem ersten Quellenspannungseingangsanschluss bis p-ten Quellenspannungseingangsanschluss zu. Zum Beispiel ist, wie in 3 gezeigt, die erste Energieleitung VDDL mit dem ersten Quellenspannungseingangsanschluss VDD_IN verbunden, dem die erste Quellenspannung VDD zugeführt wird, und die zweite Energieleitung VREFL ist mit dem zweiten Quellenspannungseingangsanschluss VREF_IN verbunden, dem die zweite Quellenspannung VREF zugeführt wird. Die dritte Energieleitung VINIL ist mit dem dritten Quellenspannungseingangsanschluss VINI_IN verbunden, dem die dritte Quellenspannung VINI zugeführt wird, und die vierte Energieleitung VSSL ist mit dem vierten Quellenspannungseingangsanschluss VSS_IN verbunden, dem die vierte Quellenspannung VSS zugeführt wird.
-
Die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung sind entsprechend mit der ersten Hilfselektrode bis p-ten Hilfselektrode verbunden. Das heißt, die erste Energieleitung ist mit der ersten Hilfselektrode PE1 verbunden, die zweite Energieleitung VREFL ist mit der zweiten Hilfselektrode PE2 verbunden, die dritte Energieleitung VINIL ist mit der dritten Hilfselektrode verbunden, und die vierte Energieleitung VSSL ist mit der vierten Hilfselektrode PE4 verbunden. Insbesondere sind die erste bis p-te Energieleitung mit der ersten bis p-ten Hilfselektrode in einem Nichtanzeigegebiet NDA verbunden, das von einem der Pixelanordnung entsprechenden Anzeigegebiet DA verschieden ist. Das Nichtanzeigegebiet NDA weist ein erstes Nichtanzeigegebiet NDA1 auf, das an der Außenseite (z.B. neben) einer Seite des Anzeigegebiets DA ausgebildet ist, und ein zweites Nichtanzeigegebiet NDA2, das an der Außenseite (z.B. neben) einer anderen Seite (z.B. gegenüberliegenden Seite) des Anzeigegebiets D1 ausgebildet ist. Zum Beispiel kann das erste Nichtanzeigegebiet NDA1 an der Außenseite der oberen Seite des Anzeigegebiets DA ausgebildet sein, und das zweite Nichtanzeigegebiet NDA2 kann an der Außenseite der unteren Seite des Anzeigegebiets DA ausgebildet sein, wie in 3 gezeigt. Der erste bis p-te Quellenspannungseingangsanschluss sind in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 ausgebildet. Die erste bis p-te Energieleitung können mit der ersten bis p-ten Hilfselektrode unter Verwendung anisotrop leitfähigen Klebstoffs (anisotropic conductive paste, ACP) verbunden sein. Die erste bis p-te Hilfselektrode können aus einer dritten Metallstruktur gebildet sein. Die dritte Metallstruktur kann als eine transparente Metallstruktur ausgeführt sein.
-
Die erste bis p-te Energieleitung können mit der ersten bis p-ten Hilfselektrode in dem Anzeigegebiet DA verbunden sein. Dabei können die erste bis p-te Energieleitung mit der ersten bis p-ten Hilfselektrode in einem nichtemittierenden Bereich des Anzeigegebiets DA unter Verwendung von ACP verbunden sein. Hierbei können in dem nichtemittierenden Bereich des Anzeigegebiets DA Kontaktlöcher zum Freilegen der ersten bis p-ten Energieleitung ausgebildet sein. Der nichtemittierende Bereich des Anzeigegebiets DA kann ein Bereich sein, in dem keine Pixel ausgebildet sind, oder ein Bereich zwischen Pixeln.
-
Mindestens eine der ersten bis p-ten Energieleitung weist vertikale Leitungen, die parallel zu den Datenleitungen DL ausgebildet sind, und eine horizontale Leitung, die parallel zu den Scan-Leitungen SL in den Nichtanzeigegebieten NDA1 und NDA2 ausgebildet ist, auf. Während in der nachfolgenden Beschreibung die erste Energieleitung einer Hohe-Spannung-Leitung VDDL entspricht, durch die eine hohe Spannung VDD (z.B. oberes Versorgungspotential) zugeführt wird, die zweite Energieleitung einer Referenzspannungsleitung VREFL entspricht, durch die eine Referenzspannung VREF zugeführt wird, die dritte Energieleitung einer Initialisierungsspannungsleitung VINIL entspricht, durch die eine Initialisierungsspannung VINI zugeführt wird, und die vierte Energieleitung einer Niedrige-Spannung-Leitung VSSL entspricht, durch die eine niedrige Spannung VSS (z.B. unteres Versorgungspotential) zugeführt wird, ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Die hohe Spannung VDD ist höher (z.B. höher eingestellt) als die niedrige Spannung VSS. Die Referenzspannung VREF und die Initialisierungsspannung VINI können vom Pixeldesign bzw. Pixelaufbau abhängen.
-
Speziell weist die Hohe-Spannung-Leitung VDDL eine erste Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1, die in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1, parallel zu den Scan-Leitungen SL ausgebildet ist, und eine zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2, die in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2, parallel zu den Scan-Leitungen ausgebildet ist. Ferner weist die Hohe-Spannung-Leitung VDDL q Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL auf (wobei q eine natürliche Zahl größer 1 ist), die mit der ersten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 und/oder der zweiten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 verbunden sind und parallel zu den Datenleitungen DL ausgebildet sind, vorzugsweise so, dass sie das Anzeigegebiet DA durchqueren. In einer oder mehreren Ausführungsformen, kann die Anzahl q an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL die gleiche sein wie Anzahl m an Datenleitungen DL. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzahl q an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL halb so groß sein wie die Anzahl m an Datenleitungen (anders ausgedrückt, q = m/2). Es ist anzumerken, dass der Einfachheit der Beschreibung halber nur die erste Hohe-Spannung-Vertikalleitung VDDVL1 und die q-te Hohe-Spannung-Vertikalleitung VDDVLq in 3 gezeigt sind und die zweite bis (q-1)-te Hohe-Spannung-Vertikalleitungen weggelassen sind. Ferner kann jede Hohe-Spannung-Vertikalleitung VDDVL mit der ersten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 und der zweiten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 durch ein (jeweiliges) erstes Kontaktloch CNT1 in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 und zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 verbunden sein. Hierbei können die erste Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 und die zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 aus einer ersten Metallstruktur gebildet sein. Die Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL zwischen der ersten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 und der zweiten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 können aus einer zweiten Metallstruktur gebildet sein. Die Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDL zwischen dem ersten Quellenspannungseingangsanschluss VDD_IN und der ersten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 können aus der ersten Metallstruktur gebildet sein. Die erste Metallstruktur kann als eine Gate-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein, und die zweite Metallstruktur kann als eine Daten-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein.
-
Die Referenzspannungsleitung VREFL weist eine Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL auf, die in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2, parallel zu den Scan-Leitungen SL ausgebildet ist. Ferner weist die Referenzspannungsleitung VREFL q Referenzspannungs-Vertikalleitungen VREFVL auf, die mit der Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL in dem zweiten Nichtanzeigebiet NDA2 verbunden sind und parallel zu den Datenleitungen ausgebildet sind, vorzugsweise so, dass sie das Anzeigegebiet DA durchqueren. Es wird angemerkt, dass der Einfachheit der Beschreibung halber nur die erste Referenzspannungsvertikalleitung VREFVL1 und die q-te Referenzspannungsvertikalleitung VREFVLq in 3 gezeigt sind und die zweite bis (q-1)-te Referenzspannungsvertikalleitung weggelassen sind. Ferner kann jede Referenzspannungsvertikalleitung VREFVL durch ein (jeweiliges) zweites Kontaktloch CNT2 in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 mit der Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL verbunden sein. Die Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL kann aus der ersten Metallstruktur gebildet sein, und die Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL können aus der zweiten Metallstruktur gebildet sein. Die erste Metallstruktur kann als die Gate-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein, und die zweite Metallstruktur kann als die Daten-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzahl an Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL gleich der Anzahl an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL sein, wie gezeigt. Jedoch kann in einer oder mehreren Ausführungsformen die Anzahl an Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL eine andere sein als die Anzahl an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL.
-
Die Initialisierungsspannungsleitung VINIL weist eine Initialisierungsspannnungshorizontalleitung VINIHL auf, die in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2, parallel zu den Scan-Leitungen SL ausgebildet ist. Ferner weist die Initialisierungsspannungsleitung VINIL q Initialisierungsspannungsvertikalleitungen VINIVL auf, die in mit der Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 verbunden sind und parallel zu den Datenleitungen ausgebildet sind, vorzugsweise so, dass sie das Anzeigegebiet DA durchqueren. Es ist anzumerken, dass der Einfachheit der Beschreibung halber nur die erste Initialisierungsspannungsvertikalleitung VINIVL1 und die q-te Initialisierungsspannungsvertikalleitung VINIVLq in 3 gezeigt sind und die zweite bis (q-1)-te Initialisierungsspannungsvertikalleitung weggelassen sind. Ferner kann jede Initialisierungsspannungsvertikalleitung VINIVL durch ein (jeweiliges) drittes Kontaktloch CNT3 in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 mit der Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL verbunden sein. Die Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL kann aus der ersten Metallstruktur gebildet sein, und die Initialisierungsspannungsvertikalleitungen VINIVL können aus der zweiten Metallstruktur gebildet sein. Die erste Metallstruktur kann als die Gate-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein, und die zweite Metallstruktur kann als die Daten-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein. In einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anzahl an Initialisierungsspannungsvertikalleitungen VINIVL dieselbe sein wie die Anzahl an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL und die Anzahl an Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL, wie gezeigt. Jedoch kann in einer oder mehreren Ausführungsformen die Anzahl an Initialisierungsspannungsvertikalleitungen VINIVL eine andere sein als die Anzahl an Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL und/oder die Anzahl an Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL.
-
Die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL weist eine erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1, die in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 parallel zu den Scan-Leitungen SL ausgebildet ist, und eine zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2, die in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 parallel zu den Scan-Leitungen SL ausgebildet ist, auf. Die erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1 kann in der Nähe der Hohe-Spannung-Leitung VDDL offen (z.B. unterbrochen) sein, wie in 3 gezeigt, um einen Kurzschluss mit der Hohe-Spannung-Leitung VDDL zu verhindern. Die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2 kann in der Nähe der Hohe-Spannung-Leitung VDDL, der Referenzspannungsleitung VREFL und der Initialisierungsspannungsleitung VINIL offen (z.B. unterbrochen) sein, wie in 3 gezeigt, um einen Kurzschluss mit der Hohe-Spannung-Leitung VDDL, der Referenzspannungsleitung VREFL und der Initialisierungsspannungsleitung VINIL zu verhindern. Die erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1 und die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2 können mit einer zweiten Elektrode (240 in 4) verbunden sein, die auf der gesamten Oberfläche des Anzeigepanels DIS in den Offenbereichen ausgebildet ist, um als Masse GND zu wirken. Die erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1 kann aus der ersten Metallstruktur gebildet sein, und die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2 kann aus der zweiten Metallstruktur gebildet sein. Die erste Metallstruktur kann als die Gate-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein, und die zweite Metallstruktur kann als die Daten-Metallstruktur ausgeführt bzw. implementiert sein.
-
Wie oben beschrieben, kann gemäß der vorliegenden Erfindung Pixeln die hohe Quellenspannung VDD, die Referenzspannung VREF und die Initialisierungsspannung VINI mittels der in dem Anzeigegebiet DA ausgebildeten Hohe-Spannung-Vertikalleitungen VDDVL, Referenzspannungsvertikalleitungen VREFVL und Initialisierungsspannungsvertikalleitungen VINIVL bereitgestellt werden, wie in 3 gezeigt. Ferner kann gemäß der vorliegenden Erfindung den Pixeln die hohe Spannung VDD mittels der in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 ausgebildeten ersten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 und der in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 ausgebildeten zweiten Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 gleichmäßig bereitgestellt werden. Außerdem kann gemäß der vorliegenden Erfindung den Pixeln die Referenzspannung VREF mittels der in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 ausgebildeten Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL gleichmäßig zugeführt werden und die Initialisierungsspannung VINI mittels der (in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 ausgebildeten) Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL gleichmäßig zugeführt werden. Bei der vorliegenden Erfindung sind die erste Energieleitung bis p-te Energieleitung auf dem ersten Substrat ausgebildet, durch welche die erste bis p-te Quellenspannung zugeführt werden, sind die erste Hilfselektrode bis p-te Hilfselektrode auf dem zweiten Substrat ausgebildet, und ist die erste bis p-te Energieleitung mit der entsprechenden ersten bis p-ten Hilfselektrode verbunden (anders ausgedrückt ist die erste Energieleitung mit der ersten Hilfselektrode verbunden, die zweite Energieleitung mit der zweiten Hilfselektrode verbunden, ..., die p-te Energieleitung mit der p-ten Hilfselektrode verbunden). Folglich kann mittels der vorliegenden Erfindung der Überlapp zwischen Energieleitungen in dem ersten Nichtanzeigebiet minimiert werden, wodurch die Möglichkeit von Kurzschlüssen der Energieleitungen minimiert wird.
-
4A und 4B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie I-I’ in 3. 4A und 4B zeigen die Verbindung der Hohe-Spannung-Leitung VDDL mit der ersten Hilfselektrode PE1. 4A zeigt, dass eine Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 und dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 gleich ist (zum Beispiel gleich groß). Mit anderen Worten ist die Kontaktfläche in beiden Nichtanzeigegebieten gleich groß. 4B zeigt, dass eine Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 größer ist als in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1. Der erste bis p-te Quellenspannungseingangsanschluss VDD_IN, VREF_IN, VINI_IN, VSS_IN, die der ersten bis p-ten Energieleitung Spannungen zuführen, sind in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 ausgebildet, und in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 sind kein erster bis p-ter Quellenspannungseingangsanschluss ausgebildet. Dementsprechend kann die Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 größer sein als in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1. Als Folge davon nimmt ein Kontaktwiderstand des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP ab und nimmt der Energieverbrauch (z.B. Stromverbrauch) ab. Die Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP kann unterschiedlich ausgestaltet sein entsprechend der Breite von mindestens einer der ersten bis p-ten Hilfselektrode. Wie in 4A und 4B gezeigt, weist die Anzeigevorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein erstes Substrat 200 und ein zweites Substrat 300 auf. Die erste Hilfselektrode PE1 ist auf dem zweiten Substrat 300 ausgebildet. Die erste Hilfselektrode PE1 kann aus einer transparenten Metallstruktur, z.B. bestehend aus ITO (Indiumzinnoxid), IZO (Indiumzinkoxid), ICO (Indiumceroxid) oder ZnO (Zinkoxid), gebildet sein.
-
Die Hohe-Spannung-Leitung VDDL ist aus der Gate-Metallstruktur in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Hohe-Spannung-Leitung VDDL ist durch ein viertes Kontaktloch CNT4 freigelegt, das durch eine Gate-Isolationsschicht 211, eine Zwischenebenenisolationsschicht 217, eine Überzugsschicht (overcoat layer) 218 und die zweite Elektrode 240 hindurchreicht, und mit der ersten Hilfselektrode PE1 des zweiten Substrats 300 mittels ACP in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 verbunden. Das heißt, ACP bondet (verbindet) die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des ersten Substrats 200 und die erste Hilfselektrode PE1 des zweiten Substrats 300 aneinander (miteinander). Die erste Datenleitung DL1 ist aus der Daten-Metallstruktur gebildet, und die erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1 und die erste Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1 sind aus der Gate-Metallstruktur in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Gate-Isolationsschicht 211 bedeckt die erste Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL1 und die erste Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL1, und die Zwischenebenenisolationsschicht 217 bedeckt die erste Datenleitung DL1.
-
Die Hohe-Spannung-Leitung VDDL ist aus der Gate-Metallstruktur in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Hohe-Spannung-Leitung VDDL ist durch ein fünftes Kontaktloch CNT5 freigelegt, das durch die Gate-Isolationsschicht 211, die Zwischenebenenisolationsschicht 217 und die Überzugsschicht 218 hindurchreicht, und mit der ersten Hilfselektrode PE1 des zweiten Substrats 300 mittels ACP in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 verbunden. Das heißt, ACP bondet (verbindet) die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des ersten Substrats 200 und die erste Hilfselektrode PE1 des zweiten Substrats 300 aneinander (miteinander). Dementsprechend sind die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des ersten Nichtanzeigegebiets NDA1 und die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des zweiten Nichtanzeigegebiets NDA2 miteinander verbunden mittels der auf dem zweiten Substrat 300 ausgebildeten ersten Hilfselektrode PE1, und somit liegen die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des ersten Nichtanzeigegebiets NDA1 und die Hohe-Spannung-Leitung VDDL des zweiten Nichtanzeigegebiets NDA2 auf demselben Potential.
-
Die Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL, die Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL und die zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 sind aus der Gate-Metallstruktur gebildet, und die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2 ist aus der Daten-Metallstruktur in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Gate-Isolationsschicht 211 bedeckt die Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL, die Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL und die zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2, und die Zwischenebenenisolationsschicht 217 bedeckt die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2.
-
Während das Anzeigegebiet DA in 3 eine Mehrzahl von Pixeln aufweist, ist anzumerken, dass 4A und 4B nur ein einzelnes in dem Anzeigegebiet DA ausgebildetes Pixel zeigen. Ein Ansteuer-TFT DT, ein Kondensator CAP und eine organische lichtemittierende Diode OLED, welche in dem Pixel enthalten sind, sind in dem Anzeigegebiet DA des ersten Substrats 200 ausgebildet. Der Ansteuertransistor DT und der Kondensator CAP sind in dem Anzeigegebiet DA auf dem ersten Substrat 200 ausgebildet. Der Ansteuertransistor DT weist eine Halbleiterschicht 210, eine Gate-Elektrode 214, eine Source-Elektrode 212 und eine Drain-Elektrode 213 auf. Die Gate-Isolationsschicht 211 ist zwischen der Halbleiterschicht 210 und der Gate-Elektrode 214 ausgebildet, und die Zwischenebenenisolationsschicht 217 ist zwischen der Gate-Isolationsschicht 211 und der Überzugsschicht 218 ausgebildet. Der Kondensator CAP weist eine untere Kondensatorelektrode 215 und eine obere Kondensatorelektrode 216 auf mit der Gate-Isolationsschicht 211 dazwischen eingefügt. Die Überzugsschicht 218 bedeckt die Source/Drain-Elektroden 212 und 213 des Ansteuertransistors DT. Die Überzugsschicht 218 schützt den Ansteuertransistor DT und den Kondensator CAP und planarisiert den Ansteuertransistor DT.
-
Die OLED weist eine erste Elektrode 220, eine organische Emissionsschicht 230 und die zweite Elektrode 240 auf. Die erste Elektrode 220 ist mit der Source-Elektrode 212 des Ansteuertransistors DT verbunden, welche von der Überzugsschicht 218 freigelegt wird. Die erste Elektrode 220 entspricht einer Anode und kann aus einer transparenten Metallstruktur, zum Beispiel bestehend aus IO, IZO, ICO oder ZnO, gebildet sein. Die erste Elektrode 220 ist mit der Source-Elektrode 212 des Ansteuertransistors DT elektrisch verbunden durch ein Via-Loch, das durch die Überzugsschicht 218 hindurchreicht, um die Source-Elektrode 212 des Ansteuertransistors DT freizulegen.
-
Eine Bankschicht (bank layer) 250 ist auf der ersten Elektrode 220 ausgebildet. Die Bankschicht 250 legt einen Teil der ersten Elektrode 220 frei, um einen Pixelbereich zu definieren. Die organische Emissionsschicht 230 ist auf der ersten Elektrode 220 ausgebildet. Die organische Emissionsschicht 230 ist eine Schicht, in der Elektronen und Löcher rekombinieren, wodurch Licht emittiert wird. Eine Lochinjektionsschicht oder Lochtransportschicht kann zwischen der organischen Emissionsschicht 230 und der ersten Elektrode 220 eingefügt sein, und eine Elektrontransportschicht oder eine Elektroninjektionsschicht kann zwischen der Emissionsschicht 230 und der zweiten Elektrode 240 eingefügt sein.
-
Die zweite Elektrode 240 ist auf der organischen Emissionsschicht 230 ausgebildet. Die zweite Elektrode 240 entspricht einer Kathode und kann aus einem Metall wie zum Beispiel Mg, Ca, Al, Ag oder einer Legierung daraus gebildet sein. Die zweite Elektrode 240 kann auf der gesamten Oberfläche des ersten Substrats 200 ausgebildet sein.
-
Während vorstehend eine Anzeigevorrichtung vom Boden-Emitter-Typ beschrieben worden ist, die so aufgebaut ist, dass von der organischen Emissionsschicht 230 erzeugtes Licht in Richtung des ersten Substrats 200 emittiert wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, und es kann ebenso eine Anzeigevorrichtung vom Top-Emitter-Typ implementiert werden, die Licht von der organischen Emissionsschicht 230 in Richtung des zweiten Substrats 300 emittiert. Im Falle einer Anzeigevorrichtung vom Top-Emitter-Typ kann zum Beispiel die erste Elektrode 220 eine darunter ausgebildete reflektierende Schicht aufweisen, die aus einem Metall wie zum Beispiel Al, Ag oder Ni besteht, und die zweite Elektrode 240 kann mit einer solchen Dicke ausgebildet sein, dass die zweite Elektrode 240 Licht durchlassen kann, z.B. mit einer Dicke von 1 Å bis 50 Å.
-
Eine Passivierungsschicht (nicht gezeigt) kann auf der zweiten Elektrode 240 ausgebildet sein, um die zweite Elektrode 240 entlang der Stufenabdeckung der zweiten Elektrode 240 (z.B. entlang eines Bereichs, wo die zweite Elektrode 240 eine Stufe abdeckt) zu bedecken. Die Passivierungsschicht (nicht gezeigt) schützt darunter ausgebildete Elemente und verhindert, dass Feuchtigkeit in die organische Emissionsschicht 230 eindringt, und kann als eine einzelne Schicht oder als mehrere Schichten aus anorganischen Materialien wie zum Beispiel Siliziumoxid, Siliziumnitrid, etc., gebildet sein. Das erste Substrat 200 und das zweite Substrat 300 sind miteinander verbunden mittels eins Versiegelungsmittels (sealant) 260.
-
5A und 5B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie II-II’ in 3. 5A und 5B zeigen die Verbindung der Niedrige-Spannung-Leitung VSSL mit der vierten Hilfselektrode PE4. Das erste Nichtanzeigegebiet NDA1 und das zweite Nichtanzeigegebiet NDA2, die in 5A und 5B gezeigt sind, entsprechen dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 und dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2, die in 4A und 4B gezeigt sind. Folglich wird eine ausführliche Beschreibung des ersten Nichtanzeigegebiets NDA1 und des zweiten Nichtanzeigegebiets NDA2, die in 5A und 5B gezeigt sind, weggelassen.
-
Wie in 5A und 5B gezeigt, ist die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL aus der Gate-Metallstruktur in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL ist durch ein siebtes Kontaktloch CNT7 freigelegt, das durch die Zwischenebenenisolationsschicht 217 und die Überzugsschicht 218 hindurchreicht, und verbunden mit der vierten Hilfselektrode PE4 des zweiten Substrats 300 mittels ACP in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2. Das heißt, ACP bondet (verbindet) die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL des ersten Substrats 200 und die vierte Hilfselektrode PE4 des zweiten Substrats aneinander (miteinander). Dementsprechend sind die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL des ersten Nichtanzeigegebiets NDA1 und die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL des zweiten Nichtanzeigegebiets NDA2 miteinander verbunden mittels der auf dem zweiten Substrat 300 ausgebildeten vierten Hilfselektrode PE4, und somit liegen die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL des ersten Nichtanzeigegebiets NDA1 und die Niedrige-Spannung-Leitung VSSL des zweiten Nichtanzeigegebiets NDA2 auf demselben Potential.
-
Die Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL, die Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL und die zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2 sind aus der Gate-Metallstruktur gebildet, und die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2 ist aus der Daten-Metallstruktur in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 des ersten Substrats 200 gebildet. Die Gate-Isolationsschicht 211 bedeckt die Initialisierungsspannungshorizontalleitung VINIHL, die Referenzspannungshorizontalleitung VREFHL und die zweite Hohe-Spannung-Horizontalleitung VDDHL2, und die Zwischenebenenisolationsschicht 217 bedeckt die zweite Niedrige-Spannung-Horizontalleitung VSSHL2.
-
6A und 6B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie III-III’ der 3. 6A und 6B zeigen die Verbindung der Referenzspannungsleitung VREFL mit der zweiten Hilfselektrode PE2. 7A und 7B sind Querschnittsansichten genommen entlang der Linie IV-IV’ der 3. 7A und 7B zeigen die Verbindung der Initialisierungsspannungsleitung VINIL mit der dritten Hilfselektrode PE3. Der Querschnitt III-III’, der die Verbindung der Referenzspannungsleitung VREFL mit der zweiten Hilfselektrode PE2 zeigt, und der Querschnitt IV-IV’, der die Verbindung der Initialisierungsspannungsleitung VINIL mit der dritten Hilfselektrode PE3 zeigt, sind identisch zu 5A und 5B.
-
8 stellt auf dem oberen Substrat aus 3 ausgebildete Hilfselektroden dar. 8 zeigt die erste bis vierte Hilfselektrode PE1 bis PE4. Wie in 8 gezeigt, können mehrere erste Hilfselektroden, mehrere zweite Hilfselektroden, mehrere dritte Hilfselektroden und mehrere vierte Hilfselektroden ausgebildet sein.
-
Bezugnehmend auf 8 ist die Breite von mindestens einer der ersten bis p-ten Hilfselektrode größer als die Breite von mindestens einer anderen der ersten bis p-ten Hilfselektrode. Speziell kann die Breite der ersten Hilfselektrode PE1, die mit der Hohe-Spannung-Leitung VDDL verbunden ist, größer sein als die Breite der zweiten Hilfselektrode PE2, die mit der Referenzspannungsleitung VREFL verbunden ist, und/oder der dritten Hilfselektrode PE3, die mit der Initialisierungsspannungsleitung VINIL verbunden ist. Die Breite der vierten Hilfselektrode PE4, die mit der Niedrige-Spannung-Leitung VSSL verbunden ist, kann größer sein als die Breite der zweiten Hilfselektrode PE2, die mit der Referenzspannungsleitung VREFL verbunden ist, und/oder der dritten Hilfselektrode PE3, die mit der Initialisierungsspannungsleitung VINIL verbunden ist. Im Falle einer OLED-Anzeigevorrichtung beeinflussen die hohe Spannung VDD und die niedrige Spannung unmittelbar die Emission der OLED. Dementsprechend kann die vorliegende Erfindung verhindern, dass die hohe Spannung VDD und die niedrige Spannung aufgrund eines Abfalls in der hohen Spannung VDD und eines Anstiegs in der niedrigen Spannung schwanken, indem die Breite der ersten Hilfselektrode PE1, die mit der Hohe-Spannung-Leitung VDDL verbunden ist, und die Breite der vierten Hilfselektrode PE4, die mit der Niedrige-Spannung-Leitung VSSL verbunden ist, vergrößert werden.
-
Die erste Hilfselektrode PE1 und die vierte Hilfselektrode PE4 können dieselbe Breite haben, und die zweite Hilfselektrode PE2 und die dritte Hilfselektrode PE3 können dieselbe Breite haben. Alternativ kann die vierte Hilfselektrode die größte Breite haben, die erste Hilfselektrode kann die zweitgrößte Breite haben, die zweite Hilfselektrode PE2 kann die drittgrößte Breite haben, und die dritte Hilfselektrode PE3 kann die viertgrößte Breite haben. Das heißt, die Breite der vierten Hilfselektrode PE4, die mit der vierten Energieleitung verbunden ist, ist größer als die Breite der ersten Hilfselektrode PE1, die mit der ersten Energieleitung verbunden ist, die Breite der ersten Hilfselektrode PE1, die mit der ersten Energieleitung verbunden ist, ist größer als die Breite der zweiten Hilfselektrode PE2, die mit der zweiten Energieleitung verbunden ist, und die Breite der zweiten Hilfselektrode PE2, die mit der zweiten Energieleitung verbunden ist, ist größer als die Breite der dritten Hilfselektrode PE3, die mit der dritten Energieleitung verbunden ist. Entsprechend der Breite von mindestens einer der ersten bis vierten Hilfselektrode kann die Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs unterschiedlich ausgebildet sein.
-
9 stellt Breiten von Hilfselektroden aus 8 in einem Nichtanzeigebiet dar. 9 zeigt die erste Hilfselektrode PE1 bis vierte Hilfselektrode PE4. Wie in 9 gezeigt, weist das Nichtanzeigegebiet ein erstes Nichtanzeigegebiet NDA1, das an der Außenseite (z.B. neben) einer Seite des Anzeigegebiets DA ausgebildet ist, und ein zweites Nichtanzeigegebiet NDA2, das an der Außenseite (z.B. neben) einer anderen Seite (z.B. entgegengesetzten Seite) des Anzeigebereichs DA ausgebildet ist. Der erste Quellenspannungseingangsanschluss bis p-te Quellenspannungseingangsanschluss, die der ersten Energieleitung bis p-ten Energieleitung Spannungen zuführen, sind in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 ausgebildet, und in dem zweiten Nichtanzeigebereich NDA2 sind kein erster Quellenspannungseingangsanschluss bis p-ter Quellenspannungseingangsanschluss ausgebildet. Ein COF (Chip auf Film) oder Ansteuer-IC ist in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 ausgebildet. In dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 ist kein COF (Chip auf Film) oder Ansteuer-IC ausgebildet. Somit sind in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1 Nichtkontaktfläche (non-contact area) NCA und Kontaktfläche (contact area) CA ausgebildet. In dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 ist nur Kontaktfläche CA ausgebildet. Dementsprechend ist eine Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP in dem zweiten Nichtanzeigegebiet NDA2 größer als in dem ersten Nichtanzeigegebiet NDA1. Die Kontaktfläche des anisotrop leitfähigen Klebstoffs ACP ist unterschiedlich ausgebildet (z.B. unterschiedlich groß) entsprechend der Breite von mindestens einer der ersten bis p-ten Hilfselektrode.
-
Wie oben beschrieben, werden gemäß der vorliegenden Erfindung die erste bis p-te Energieleitung, durch die die erste bis p-te Quellenspannung bereitgestellt werden, auf dem ersten Substrat ausgebildet und werden die erste bis p-te Hilfselektrode auf dem zweiten Substrat ausgebildet und mit der zugehörigen ersten bis p-ten Energieleitung verbunden. Als Folge daraus kann gemäß der vorliegenden Erfindung der Überlapp von Energieleitungen in dem ersten Nichtanzeigegebiet minimiert werden, wodurch die Möglichkeit eines Kurzschlusses von Energieleitungen minimiert wird. Obwohl die Erfindung unter Bezugnahme auf eine Mehrzahl von veranschaulichenden Ausführungsformen davon beschrieben worden ist, sollte es verstanden werden, dass zahlreiche andere Modifikationen und Ausführungsformen durch diejenigen, die mit der Technik vertraut sind, entworfen werden können, die innerhalb des Bereichs der Prinzipien dieser Offenbarung liegen. Genauer gesagt sind zahlreiche Variationen und Modifikationen bei den Bestandteilen und/oder Anordnungen der gegenständlichen Anordnungskombination möglich im Rahmen der Beschreibung, der Zeichnung und der beigefügten Ansprüche. Zusätzlich zu Variationen und Modifikationen in den Bestandteilen und/oder Anordnungen werden alternative Verwendungen für diejenigen, die mit der Technik vertraut sind, ebenfalls ersichtlich sein.
