DE102012221212A1

DE102012221212A1 - Schaltungsanordnung

Info

Publication number: DE102012221212A1
Application number: DE201210221212
Authority: DE
Inventors: Alexander Mundry
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 2012-01-13
Filing date: 2012-11-20
Publication date: 2013-07-18
Anticipated expiration: 2032-11-21
Also published as: DE102012221212B4

Abstract

Die Erfindung betrifft mindestens zwei elektromagnetische Schaltelemente, die durch einen gemeinsamen Steuereingang eingeschaltet werden. Der Steuereingang ist mit einem ersten steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden, das wiederum mit einem ersten elektromagnetischen Schaltelement verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem ersten elektromagnetischen Schaltelement ein erstes spannungsabhängiges Bauelement parallel geschaltet ist. Der Steuereingang ist ferner mit einem zweiten steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden, das wiederum mit einem zweiten elektromagnetischen Schaltelement verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem zweiten elektromagnetischen Schaltelement ein zweites spannungsabhängiges Bauelement parallel geschaltet ist, wobei die Spannungswerte des ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes unterschiedlich sind.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung und ein Verfahren zum Schalten elektromagnetischer Schaltelemente nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. 14.
Elektromagnetische Schaltelemente, wie Relais oder Schütze, werden üblicherweise durch steuerbare Halbleiterbauelemente, wie Transistoren, Feldeffekttransistoren usw., angesteuert. Möchte man mehrere elektromagnetische Schaltelemente in definierter Reihenfolge ein- oder ausschalten, werden diese in der Regel einzeln angesteuert.
Aufgabe der Erfindung ist es eine Anordnung und ein Verfahren anzugeben, bei dem mit einem gemeinsamen Steuereingang ein gleichzeitiges Einschalten aber unterschiedliches Abschalten bzw. Abfallen elektromagnetischer Schaltelemente realisiert werden kann.
Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein Verfahren mit den Schritten des Anspruchs 14 gelöst.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass durch einen gemeinsamen Steuereingang mindestens zwei elektromagnetische Schaltelemente eingeschaltet werden. Der Steuereingang ist mit einem ersten steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden, das wiederum mit einem ersten elektromagnetischen Schaltelement verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem ersten elektromagnetischen Schaltelement ein erstes spannungsabhängiges Bauelement parallel geschaltet ist. Der Steuereingang ist mit einem zweiten steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden, das wiederum mit einem zweiten elektromagnetischen Schaltelement verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem zweiten elektromagnetischen Schaltelement ein zweites spannungsabhängiges Bauelement parallel geschaltet ist. Die Spannungswerte des ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes sind unterschiedlich. Bei Ansteuerung des gemeinsamen Steuereinganges, d.h. einem Einschaltvorgang, werden die steuerbaren Halbleiterbauelemente parallel durchgesteuert, die wiederum parallel die elektromagnetischen Schaltelemente einschalten. Bei Absteuerung bzw. Abfall des Signals am gemeinsamen Steuereingang, d.h. einem Abschaltvorgang, werden die steuerbaren Halbleiterbauelemente parallel abgesteuert, d.h. sperren, so dass der Stromfluss zu den elektromagnetischen Schaltelementen unterbrochen wird. Die beim Abschaltvorgang des ersten und zweiten elektromagnetischen Schaltelementes in den Spulen induzierte Spannung wird durch die parallel geschalteten spannungsabhängigen Bauelemente auf unterschiedliche Werte begrenzt, so dass unterschiedliche Abfallzeiten der elektromagnetischen Schaltelemente hervorgerufen werden. Durch die unterschiedliche Spannungsbegrenzung wird die im magnetischen Kreis gespeicherte Energie kontrolliert, aber unterschiedlich schnell abgebaut bzw. ausgeräumt. Je geringer die Spannung, desto länger wird für das ausräumen bzw. verbrauchen der Energie benötigt und desto länger wird das elektromagnetische Schaltelement im eingeschalteten Zustand verbleiben.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist der Steuereingang mit einem dritten steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden, das wiederum mit einem dritten elektromagnetischen Schaltelement verbunden ist, um dieses zu schalten. Dem dritten elektromagnetischen Schaltelement ein ist drittes spannungsabhängiges Bauelement parallel geschaltet. Der Spannungswert des dritten spannungsabhängigen Bauelementes ist entweder unterschiedlich zum ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelement oder identisch zum ersten oder zweiten Spannungswert ist. Dies hat den besonderen Vorteil, dass sich Kaskaden definiert abschaltbarer Kontakte bilden lassen bzw. zwei Kontakte zur gleichen Zeit abschalten.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist das spannungsabhängige Bauelement wahlweise durch eines der nachfolgenden Elemente gebildet: eine Diode, eine Serienschaltung mehrerer Dioden, ein Varistor, eine Suppressordiode, eine Cera-Diode, eine Widerstand-Kondensator-Serienschaltung, eine Serienschaltung aus Diode und Zenerdiode, eine Serienschaltung aus Diode und Suppressordiode, eine Serienschaltung aus Diode und Cera-Diode, eine Serienschaltung aus Diode und Varistor, eine Serienschaltung aus Diode und Widerstand. Dies hat den Vorteil, dass sich unterschiedliche Möglichkeiten für Abschaltzeiten und stark variierende Abschaltzeiten realisieren lassen.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung schaltet das erste elektromagnetische Schaltelement den L und/oder N Leiter und das zweite elektromagnetische Schaltelement den PE Leiter einer elektrischen Leitung. Dies hat den besonderen Vorteil, dass die stromführenden Leiter im Fehlerfall zuerst getrennt werden, bevor der PE bzw. Schutzleiter getrennt wird.
In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung schalten die elektromagnetischen Schaltelemente die elektrische Leitung eines In-Cable Residual Current Devices oder Switched Protective Earth Portable Residual Current Devices. Dies hat den besonderen Vorteil, dass normgemäß sichergestellt werden kann, dass die Kontakte L und N beim Abschalten öffnen, bevor der PE-Kontakt trennt.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausgestaltungen sind dem Ausführungen zum Ausführungsbeispiel entnehmbar.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Dabei zeigt:
1 erste Schaltungsanordnungen zur Erläuterung der Erfindung,
2 Diagramme zur Wirkungsweise der Schaltungsanordnungen gemäß 1,
3 eine erste erfindungsgemäße Anordnung,
4 eine weitere erfindungsgemäße Anordnung,
1a zeigt ein elektromagnetisches Schaltelement R, das an seinen ersten Anschluss mit dem Pluspol einer Gleichspannungsquelle Vcc und an seinem zweiten Anschluss mit einem steuerbaren Halbleiterbauelement T verbunden ist, das wiederum mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle Vcc verbunden ist.
Falls das steuerbare Halbleiterbauelement T durch einen Transistor gebildet ist, was vorteilhafterweise eine besonders preisgünstige Lösung darstellt, ist das elektromagnetische Schaltelement R mit dem Kollektor des Transistors verbunden, dessen Emitter mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden ist, und dessen Basis mit dem gemeinsamen Steuereingang verbunden ist.
1b zeigt eine Anordnung gemäß 1a, mit dem Unterschied, dass dem elektromagnetischen Schaltelement R ein spannungsabhängiges Bauelement V1 parallel geschaltet ist. Falls das spannungsabhängige Bauelement V1 durch eine Diode gebildet ist, was den besonderen Vorteil einer preisgünstigen Lösung hat, ist die Katode mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle verbunden, wie in 1b dargestellt.
1c zeigt eine Anordnung gemäß 1b, mit dem Unterschied, dass das spannungsabhängige Bauelement durch eine Serienschaltung aus Diode D1 und Z-Diode Z1, respektive Zener-Diode, gebildet ist.
Hierbei ist die Anode der Z-Diode Z1 mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle Vcc verbunden. Die Katode der Z-Diode Z1 ist mit der Katode der Diode D1 verbunden und die Anode der Diode D1 mit dem kollektorseitigem Anschluss des elektromagnetischen Schaltelementes R verbunden.
Die 1a, 1b und 1c korrelieren mit den entsprechenden Darstellungen in den 2a, 2b und 2c.
2 zeigt den Spannungsverlauf an den Anschlüssen des elektromagnetischen Schaltelementes vor, während und nach einem Abschaltvorgang für die entsprechenden Schaltungsanordnungen gemäß 1a, 1b und 1c.
2a zeigt den Spannungsverlauf für die Schaltung gemäß 1a, d.h. ohne spannungsabhängigem Bauelement. Bei der Abschaltung wird in der Spule des elektromagnetischen Schaltelementes eine Gegenspannung induziert, die den Abbau der Spulenenergie zu verhindern versucht. Hierbei wird eine kurze Spannungsspitze erzeugt, die durch die Impedanz der Schaltung bzw. des Schaltelementes begrenzt wird und in der Regel den Wert der Betriebsspannung um ein Vielfaches übersteigt. Die Spannung fällt schnell ab (geht auf den Wert 0 zurück), wodurch das elektromagnetische Schaltelement schnell abfällt.
In 2b ist der Spannungsverlauf für die Schaltung gemäß 1b gezeigt, d.h. mit einem, dem elektromagnetischem Schaltelement parallel geschaltetem, erstem spannungsabhängigem Bauelement V1. Hierbei wird die Spannung über dem elektromagnetischen Schaltelement auf den Wert der jeweiligen Flussspannung des spannungsabhängigen Bauelementes begrenzt. Im Beispiel einer Silizium-Diode auf den Wert 0,7 Volt. Hierbei wird die Abfallzeit des elektromagnetischen Schaltelementes verlängert, da der Abbau der Spulenenergie entsprechend verlängert wird. Die Spannungsbegrenzung führt zu einer Verlängerung der Ausräumzeit und damit der Abfallzeit des elektromagnetischen Schaltelementes.
In 2c ist der Spannungsverlauf für die Schaltung gemäß 1c gezeigt, d.h. mit einer, dem elektromagnetischem Schaltelement parallel geschaltetem, Serienschaltung aus Diode D1 und Z-Diode Z1. Hierbei wird die Spannung über dem elektromagnetischen Schaltelement auf den Wert der jeweiligen Flussspannung der Diode D1 plus die Zener-Spannung der Z-Diode Z1 begrenzt. Die Energie der Spule wird durch den höheren Spannungswert schneller ausgeräumt und die Abfallzeit des elektromagnetischen Schaltelementes verkürzt sich gegenüber dem Fall von Schaltung in 1b/2b.
Dabei sollte beachtet werden, dass die Summe aus induzierter Spannung des elektromagnetischen Schaltelementes (Klemmspannung) und Versorgungsspannung Vcc den Wert der maximal zulässigen Sperrspannung des steuerbaren Halbleiterbauelementes T nicht übersteigt.
3 zeigt eine Schaltung bestehend aus 4 parallel geschalteten Schaltungen gemäß 1b bzw. 1c. Hierbei ist ein gemeinsamer Steuereingang SE1 mit je einem ersten, zweiten, dritten und vierten steuerbaren Halbleiterbauelement T1, ..., T4 verbunden, im Fall von Transistoren mit dem jeweiligen Basisanschluss, wobei die Emitter mit dem Minus- bzw. Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden sind und die jeweiligen Kollektoren mit den jeweiligen elektromagnetischen Schaltelementen K1, ... K4 verbunden sind. Den elektromagnetischen Schaltelementen K1, ... K4 ist jeweils ein spannungsabhängiges Bauelement VDR1, ..., VDR4 parallel geschaltet. Die Spannungswerte der spannungsabhängigen Bauelemente VDR1, ..., VDR4 sind jeweils unterschiedlich, so dass sich unterschiedliche Abfallzeiten der elektromagnetischen Schaltelemente K1, ... K4 realisieren lassen.
Je nach Spannungswert kann gesteuert werden, wie schnell abgeschaltet wird. Sind mehrere elektromagnetische Schaltelemente mit zugeordneten Schaltkontakten, wie bei Relais oder Schützen, vorhanden und muss deren Abschaltung einer bestimmten Reihenfolge genügen, kann das durch Anpassung der Spannung für jedes einzelne Schaltelement erfolgen.
4 zeigt eine Schaltung gemäß 1c bzw. 3 mit dem Unterschied das zwei erfindungsgemäße Schaltungen zum Einsatz kommen, wobei bei einer erfindungsgemäßen Schaltung zwei elektromagnetische Schaltelemente parallel geschaltet sind. D.h. zwei parallel geschalteten elektromagnetische Schaltelementen K21, K31 ist nur ein spannungsabhängiges Bauelement bzw. Schaltung, welche ein spannungsabhängiges Bauelement realisiert, parallel geschaltet. Im Beispiel gemäß 4 ist den elektromagnetischen Schaltelementen K21 und K31 eine Serienschaltung aus Diode D21 und Z-Diode Z21 parallel geschaltet. Die andere erfindungsgemäße Schaltung bestehend aus K11, D11 und Z11, in Verbindung mit T11, ist in bereits beschriebener Weise realisiert.
Die resultierenden Spannungswerte von D11 und Z11 bzw. D21 und Z21 unterscheiden sich jeweils. Im Beispiel 0,7 Volt plus 9,1 Volt für D11 und Z11, sowie 0,7 Volt plus 30 Volt für D21 und Z21.
Die Schaltung gemäß 4 kann in vorteilhafter Weise für die Abschaltung der L, N und PE Leiter eines elektrischen Stromkreises verwendet werden. Beispielsweise für ein In-Cable Control Box Kabel, In-Cable Residual Current Device, Switch Protective Earth Portable Residual Current Device oder ähnlich, wie sie beispielsweise für das Laden von Elektrofahrzeugen verwendet werden. Hierbei kann erfindungsgemäß sichergestellt werden, dass die Kontakte L und N der entsprechenden elektromagnetischen Schaltelemente bei Abschalten öffnen, bevor der PE Kontakt trennt. Erfindungsgemäß wird dies durch Ansteuerung mittels eines Steuersignals erreicht. Somit kann eine normgemäße Abschaltung realisiert werden.

Claims

Schaltungsanordnung, bei der durch einen gemeinsamen Steuereingang (SE1, SE2) mindestens zwei elektromagnetische Schaltelemente (R, K1, ..., K4, K11, K21) eingeschaltet werden, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuereingang (SE1, SE2) mit einem ersten steuerbaren Halbleiterbauelement (T, T1, T11) verbunden ist, das wiederum mit einem ersten elektromagnetischen Schaltelement (R, K1, K11) verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem ersten elektromagnetischen Schaltelement (R, K1, K11) ein erstes spannungsabhängiges Bauelement (V1, VDR1) parallel geschaltet ist, dass der Steuereingang mit einem zweiten steuerbaren Halbleiterbauelement (T2, T21) verbunden ist, das wiederum mit einem zweiten elektromagnetischen Schaltelement (K2, K21) verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem zweiten elektromagnetischen Schaltelement (K2, K21) ein zweites spannungsabhängiges Bauelement (VDR2) parallel geschaltet ist, wobei die Spannungswerte des ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes unterschiedlich sind.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuereingang mit einem dritten steuerbaren Halbleiterbauelement (T3) verbunden ist, das wiederum mit einem dritten elektromagnetischen Schaltelement (K3) verbunden ist, um dieses zu schalten, wobei dem dritten elektromagnetischen Schaltelement (K3) ein drittes spannungsabhängiges Bauelement (VDR3) parallel geschaltet ist, wobei der Spannungswert des dritten spannungsabhängigen Bauelementes entweder unterschiedlich zum ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes ist oder identisch zum ersten oder zweiten Spannungswert ist.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Steuereingang mit weiteren steuerbaren Halbleiterbauelementen (T4) verbunden ist, die wiederum jeweils mit einem weiteren elektromagnetischen Schaltelementen (K4) verbunden sind, um dieses zu schalten, wobei den weiteren elektromagnetischen Schaltelementen (K4) jeweils ein weiteres spannungsabhängiges Bauelement (VDR4) parallel geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jedes spannungsabhängige Bauelement (V1) wahlweise durch eines der nachfolgenden Elemente gebildet sein kann: eine Diode (D1, D11, D21), eine Serienschaltung mehrerer Dioden, ein Varistor, eine Suppressordiode, eine Cera-Diode, eine Widerstand-Kondensator-Serienschaltung, eine Serienschaltung aus Diode (D1, D11, D21) und Zenerdiode (Z1, Z11, Z21), eine Serienschaltung aus Diode und Suppressordiode, eine Serienschaltung aus Diode und Cera-Diode, eine Serienschaltung aus Diode und Varistor, eine Serienschaltung aus Diode und Widerstand.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das steuerbare Halbleiterbauelement (T, T1, ..., T4, T11, T21) ein Transistor ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektromagnetische Schaltelement (R, K1, ..., K4, K11, K21, K31) ein Relais oder Schütz ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste elektromagnetische Schaltelement den L und/oder N Leiter und das zweite elektromagnetische Schaltelement den PE Leiter einer elektrischen Leitung schaltet.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektromagnetischen Schaltelemente die elektrische Leitung eines In-Cable Residual Current Devices oder Switched Protective Earth Portable Residual Current Devices schalten.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungswert des ersten Bauelementes, dem das erste elektromagnetische Schaltelement des L und/oder N Leiters zugeordnet ist, höher ist, als der Spannungswert des zweiten Bauelementes, dem das zweite elektromagnetische Schaltelement des PE Leiters zugeordnet ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung an eine Gleichspannung angeschlossen ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektromagnetische Schaltelement einerseits mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle und andererseits mit dem steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden ist, das wiederum mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das zweite elektromagnetische Schaltelement (K2, K21) mit einen fünften elektromagnetischen Schaltelement (K31) parallel geschaltet ist.
Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem elektromagnetische Schaltelement einerseits mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle und andererseits mit dem Kollektor eines Transistors verbunden ist, dessen Emitter mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden ist und dessen Basis mit dem gemeinsamen Steuereingang verbunden ist.
Verfahren zum Schalten elektromagnetischer Schaltelemente, die durch ein gemeinsames Steuersignal geschaltet werden, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuersignal ein erstes steuerbares Halbleiterbauelement (T, T1, T11) ansteuert, das ein erstes elektromagnetisches Schaltelement (R, K1, K11) schaltet, wobei diesem ein erstes spannungsabhängiges Bauelement (V1, VDR1) parallel geschaltet ist, dass das Steuersignal ein zweites steuerbares Halbleiterbauelement (T2, T21) ansteuert, das ein zweites elektromagnetisches Schaltelement (K2, K21) schaltet, wobei diesem ein zweites spannungsabhängiges Bauelement (VDR2) parallel geschaltet ist, wobei die Spannungswerte des ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes unterschiedlich sind, so dass bei Abschaltung des ersten und zweiten elektromagnetischen Schaltelementes die durch den Abschaltvorgang induzierte Spannung durch die parallel geschalteten spannungsabhängigen Bauelemente auf unterschiedliche Werte begrenzt wird, so dass unterschiedliche Abfallzeiten der elektromagnetischen Schaltelemente hervorgerufen werden.
Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuersignal ein drittes steuerbares Halbleiterbauelement (T3) ansteuert, das ein drittes elektromagnetisches Schaltelement (K3) schaltet, wobei diesem ein drittes spannungsabhängiges Bauelement (VDR3) parallel geschaltet ist, wobei der Spannungswert des dritten spannungsabhängigen Bauelementes entweder unterschiedlich zum ersten und zweiten spannungsabhängigen Bauelementes ist oder identisch zum ersten oder zweiten Spannungswert ist.
Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Steuersignal weitere steuerbare Halbleiterbauelemente (T4) ansteuert, die weitere elektromagnetische Schaltelemente (K4) schalten, wobei diesem weitere spannungsabhängige Bauelemente (VDR4) parallel geschaltet sind.
Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass jedes spannungsabhängige Bauelement (V1, VDR1, ..., VDR4) wahlweise durch eines der nachfolgenden Elemente gebildet werden kann: eine Diode (D1), eine Serienschaltung mehrerer Dioden, ein Varistor, eine Suppressordiode, eine Cera-Diode, eine Widerstand-Kondensator-Serienschaltung, eine Serienschaltung aus Diode (D1, D11, D21) und Zenerdiode (Z1, Z11, Z21), eine Serienschaltung aus Diode und Suppressordiode, eine Serienschaltung aus Diode und Cera-Diode, eine Serienschaltung aus Diode und Varistor, eine Serienschaltung aus Diode und Widerstand.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als steuerbares Halbleiterbauelement (T, T1, ..., T4, T11, T21) ein Transistor eingesetzt wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als elektromagnetisches Schaltelement (R, K1, ... K4, K11, K21) ein Relais oder Schütz verwendet wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste elektromagnetische Schaltelement (K1, K21) den L und/oder N Leiter und das zweite elektromagnetische Schaltelement (K2, K11) den PE Leiter einer elektrischen Leitung schaltet.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektromagnetischen Schaltelemente die elektrische Leitung eines In-Cable Residual Current Devices oder Switched Protective Earth Portable Residual Current Devices schalten.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Spannungswert des ersten Bauelementes, dem das erste elektromagnetische Schaltelement des L und/oder N Leiters zugeordnet ist, höher ist, als der Spannungswert des zweiten Bauelementes, dem das zweite elektromagnetische Schaltelement des PE Leiters zugeordnet ist.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltungsanordnung mit einer Gleichspannung betrieben wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das elektromagnetische Schaltelement einerseits mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle und andererseits mit dem steuerbaren Halbleiterbauelement verbunden wird, das wiederum mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden wird.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem elektromagnetische Schaltelement einerseits mit dem Pluspol der Gleichspannungsquelle und andererseits mit dem Kollektor eines Transistors verbunden ist, dessen Emitter mit dem Minus- oder Massepol der Gleichspannungsquelle verbunden ist und dessen Basis mit dem gemeinsamen Steuereingang verbunden ist.