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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie. Die Erfindung betrifft ferner ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie sowie ein Computerprogramm.
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Projektionsbelichtungssysteme für die EUV-Lithographie sind als solche beispielsweise aus der Offenlegungsschrift
DE 199 03 807 A1 oder
EP 1 746 463 A2 bekannt.
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Im Betrieb solcher EUV-Projektionsbelichtungssysteme kann es beispielsweise zu Verunreinigungen auf optischen Elementen oder Veränderungen der optischen Wirkung der optischen Elemente des Systems kommen. Solche Verunreinigungen oder Veränderungen können in der Regel zu einer Transmissionsveränderung, insbesondere einem Transmissionsverlust führen.
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Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann daher darin gesehen werden, ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie anzugeben, welche einen in einem Betrieb des Systems auftretenden Transmissionsverlust kompensieren kann.
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Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann auch darin gesehen werden, ein entsprechendes Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie anzugeben.
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Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe kann auch darin gesehen werden, ein entsprechendes Computerprogramm anzugeben.
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Diese Aufgaben werden mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.
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Gemäß einem Aspekt wird ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie bereitgestellt. Hierbei wird die Transmission bzw. Intensität feldpunktaufgelöst für Feldpunkte der Bildfeldebene gemessen. Es wird also insbesondere bildseitig die Transmission bzw. Intensität, vorzugsweise bildseitig die ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität, des mittels eines oder mehreren optischen Elementen des Projektionsbelichtungssystems reflektierten Lichts einer Belichtungsnutzwellenlänge des Projektionsbelichtungssystems gemessen, wobei die Belichtungsnutzwellenlänge vorzugsweise im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm liegt.
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Die gemessene Transmission bzw. Intensität wird feldpunktaufgelöst mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen verglichen. Abhängig von dem Vergleich wird die Lichtleistung, und somit insbesondere die Intensität bzw. Transmission, derart geregelt, dass die feldpunktweisen Transmissionsparameter bzw. Intensitätsparameter innerhalb bzw. möglichst nahe den vorbestimmten Grenzen der Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegen. Die bildseitige Transmission bzw. Intensität, insbesondere die bildseitige ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität, wird also abhängig von dem Vergleich derart geregelt, dass die bildseitige Transmission innerhalb der einen oder der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt und/oder eine Verbesserung in zumindest einer der mehreren Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen bewirkt wird.
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Nach einem weiteren Aspekt wird ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie angegeben. Das Projektionsbelichtungssystem umfasst ein optisches Element sowie eine Messeinrichtung zum Messen der feldpunktaufgelösten Transmission. Des Weiteren ist eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen der feldpunktaufgelösten Transmission mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen vorgesehen. Das Projektionsbelichtungssystem umfasst ferner eine Regelungseinrichtung zum Regeln der Transmission bzw. Intensität derart, dass diese innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt.
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Gemäß noch einem Aspekt wird ein Computerprogramm bereitgestellt, das Programmcode zur Durchführung des Verfahrens zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie umfasst, wenn das Computerprogramm in einem Computer ausgeführt wird.
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Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, in einem Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie die feldpunktaufgelöste Transmission zu messen. Dieses Projektionsbelichtungssystem enthält eine Mehrzahl an gleich oder unterschiedlich ausgebildeten optischen Elementen, wie beispielsweise einen Kollektorspiegel, oder einen facettierten Spiegel oder einen anderen aus dem Stand der Technik bekannten Spiegel. Allgemein ist jedes dieser optischen Elemente ausgebildet, Licht zu reflektieren, insbesondere Licht im EUV-Wellenlängenspektrum zwischen 5 nm und 30 nm zu reflektieren. Die optischen Elemente sind insofern insbesondere im Strahlengang des Systems angeordnet.
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Aufgrund des Vergleichs mit den vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen kann festgestellt werden, ob bedingt durch Verunreinigungen oder Veränderungen ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust aufgetreten ist. Hierbei entspricht die vorbestimmte Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation in der Regel der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität, die in einen neuen bzw. einem Projektionsbelichtungssystem ohne Verunreinigungen und/oder Veränderungen gemessen wird. Die vorbestimmte Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation kann insbesondere auch der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität entsprechen, welche gerade noch toleriert werden kann, ohne dass es zu wesentlichen negativen Beeinträchtigungen bei einer Belichtung eines Wafers mittels der Projektionsbelichtungsanlage kommt. Aufgrund der Regelung der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität derart, dass die bildseitige feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt, kann in vorteilhafter Weise sichergestellt werden, dass die Minimalanforderungen an feldpunktaufgelöster Transmissionsvariation bzw. die Minimalanforderungen an die Intensität für eine bestimmungsgemäße Belichtung eines Wafers erreicht bzw. sichergestellt werden.
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Insbesondere wenn bei dem Vergleich festgestellt wird, dass die bildseitige Transmission bzw. die bildseitige Intensiät außerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikationen ist, umfasst das Regeln der Transmission beispielsweise ein Erhöhen einer Intensität des Lichts der Belichtungsnutzwellenlänge in der Bildfeldebene.
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Ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere ein Projektionsbelichtungssystem, welches für die EUV-Lithographie eingerichtet ist. Hierbei steht „EUV” für „extrem ultraviolette Strahlung”. Die extrem ultraviolette Strahlung umfasst einen Spektralbereich zwischen 10 nm und 30 nm. Ein Projektionsbelichtungssystem im Sinne der vorliegenden Erfindung kann insbesondere als ein EUV-Projektionsbelichtungssystem bezeichnet werden. Das System umfasst insbesondere eine Lichtquelle, welche Licht in dem EUV-Spektralbereich bereitstellen bzw. abstrahlen kann.
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Nach einer Ausführungsform umfasst das Regeln der Transmission bzw. Intensität das Einstellen einer Ausgangsleistung einer Licht der Belichtungsnutzwellenlänge bereitstellenden Lichtquelle. Die Lichtquelle kann beispielsweise einen Laser zur Erzeugung eines Plasmas umfassen. Als Medium zur Erzeugung des Plasmas kann beispielsweise Xenon oder Zinn vorgesehen sein. Das heißt also insbesondere, dass das Medium mittels Laserimpulsen beaufschlagt wird. Das so erzeugte Plasma gibt dann in vorteilhafter Weise Licht mit einer Wellenlänge im Bereich der extrem ultravioletten Strahlung ab.
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Durch eine Regelung der Laserleistung, also insbesondere durch eine Reduzierung oder eine Erhöhung der Laserleistung, kann der Intensität des Lichtes in der Bildfeldebene der Projektionsbelichtungssystems geregelt werden. Das heißt also insbesondere, wenn in dem Projektionsbelichtungssystem in der Bildebene eine kleinere Intensität relativ zu der vorbestimmten Intensität gemessen wird, dass dann die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird, also insbesondere die Laserleistung erhöht wird.
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Nach einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass eine Ausgangsleistung der Lichtquelle während der Messung kleiner ist als eine maximale Ausgangsleistung der Lichtquelle, so dass, wenn die bildseitig gemessene Intensität kleiner als die vorbestimmte Intensität ist, die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird.
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Das heißt also insbesondere, dass die Lichtquelle, beispielsweise der Laser, mit einer geringeren Leistung betrieben wird relativ zu der maximalen Ausgangsleistung, welche die Lichtquelle bereitstellen kann. So wird in vorteilhafter Weise eine Reserve betreffend des Intensität bereitgehalten, insofern die Lichtintensität einfach dadurch erhöht werden kann, dass die Ausgangsleistung der Lichtquelle erhöht wird.
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Somit ist auch ferner eine quasi-kontinuierliche Regelung bewirkt.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Regeln der feldpunktaufgelösten Transmission bzw. der Intensität mittels eines ersten Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elements durchgeführt. Das heißt also insbesondere, dass das erste Element insbesondere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbieren kann. Vorzugsweise ist das erste Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element ein Folienfilter. Ein solcher Filter kann auch als ein Transmissionsfilter bezeichnet werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass der Folienfilter eine Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke bzw. Dickenvariation aufweist. Die Apodisationsschicht kann beispielsweise Silizium und/oder Germanium und/oder c-ZnSe umfassen. Möglich ist es auch, dass die Apodisationsschicht aus einem Mehrlagenschichtstapel aus Silizium und/oder Germanium und/oder c-ZnSe sowie Trennschichten aus Zirkoniumsilizid besteht. Das Anordnen eines solchen Licht der Belichtungswellenlänge absorbierenden Elements in einem Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems bewirkt in vorteilhafter Weise, dass die Transmission verändert, beispielsweise homogenisiert wird.
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In einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das Regeln ein Austauschen eines zweiten die Transmission verändernden Elements, welches in einem Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems angeordnet ist, durch das erste die Transmission verändernden Elements umfasst. Die im Zusammenhang mit dem ersten die Transmission verändernden Elements gemachten Ausführungen gelten analog für das zweite die Transmission verändernden Elements.
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Das heißt also insbesondere, dass das zweite die Transmission verändernde Element als ein Folien- bzw. Transmissionsfilter mit einer Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke gebildet sein kann. Die Dicke der Apodisationsschicht des zweiten Elements ist vorzugsweise größer als die Dicke der Apodisationsschicht des ersten Elements. Allgemein kann vorgesehen sein, dass das zweite Element mehr absorbiert als das erste Element.
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Wenn aufgrund des Vergleichs der feldpunktaufgelösten Transmission in Bildfeldebene mit der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust festgestellt wird, so kann mittels des Austauschens des zweiten die Transmission verändernden Elements durch das erste die Transmission verändernde Element, welches hier dann vorzugsweise eine Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke umfasst, welche kleiner ist als die Schichtdicke der Apodisationsschicht des zweiten Elements, bewirkt werden, dass die Transmission bzw. Intensität feldabhängig oder feldkonstant erhöht wird. Das kompensiert in vorteilhafter Weise einen eingetretenen Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust.
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In einer weiteren Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das erste die Transmission verändernde Element in einer feldnahen Position angeordnet wird. Vorzugsweise wird das zweite die Transmission verändernde Element in einer feldnahen Position angeordnet.
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In einer anderen Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass das erste die Transmission verändernde Element in einer pupillennahen Position angeordnet wird. Vorzugsweise wird das zweite die Transmission verändernde in einer pupillennahen Position angeordnet.
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Eine feldnahe Position im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere eine Position im Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems, an der ein Verhältnis V aus Hauptstrahlhöhe zu Randstrahlhöhe dem Betrage nach größer als n/10 beträgt, wobei n ein vorbestimmter Parameter ist.
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Eine pupillennahe Position im Sinne der vorliegenden Erfindung bezeichnet insbesondere eine Position im Strahlengang des Projektionsbelichtungssystems, an der das Verhältnis V aus Hauptstrahlhöhe zu Randstrahlhöhe dem Betrage nach kleiner als 1/n beträgt.
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Der Parameter n kann beispielsweise 5, insbesondere 10, beispielsweise 20 betragen.
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Unter Hauptstrahlhöhe im Sinne der vorliegenden Erfindung ist insbesondere die Strahlhöhe des Hauptstrahls im Strahlengang eines Feldpunkts des Objektsfelds mit maximaler Feldhöhe zu verstehen.
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Unter Randstrahlhöhe im Sinne der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise die Strahlhöhe im Strahlengang eines Strahls mit maximaler Apertur ausgehend von der Feldmitte des Objektfelds zu verstehen.
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Weitergehende Ausführungen bezüglich der vorgenannten Definitionen betreffend eines Hauptstrahls, eines Randstrahls, pupillennah oder feldnah sind insbesondere in den Absätzen [0029] bis [0040] der Offenlegungsschrift
EP 1 746 463 A2 gemacht, welche explizit als zur Offenbarung der vorliegenden Erfindung angesehen werden.
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Die Erfindung wird im Folgenden anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Hierbei zeigen:
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1 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie,
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2 ein Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie und
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3 ein weiteres Projektionsbelichtungssystem für die EUV-Lithographie.
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1 zeigt ein Verfahren zum Betreiben eines Projektionsbelichtungssystems für die EUV-Lithographie.
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Gemäß einem Schritt 101 wird bildfeldseitig die feldpunktaufgelöste Transmission des Projektionsbelichtungssystems gemessen. Diese wird in einem Schritt 103 mit vorbestimmten Transmissionsspezifikationen verglichen. Abhängig von dem Vergleich wird in einem Schritt 105 die feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität derart geregelt, dass die bildseitig feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität innerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegt und/oder zumindest eine Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation verbessert und/oder wenigsten die feldpunktaufgelöste Transmission bzw. Intensität verändert.
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2 zeigt ein Projektionsbelichtungssystem 201 für die EUV-Lithographie.
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Das System 201 umfasst ein optisches Element 203. Bei dem optischen Element 203 kann es sich beispielsweise um einen Spiegel handeln. Mittels des optischen Elements 203 kann insbesondere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge reflektiert werden. Dies ist symbolisch mittels eines gewellten Pfeils mit dem Bezugszeichen 205 gekennzeichnet.
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Des Weiteren umfasst das Projektionsbelichtungssystem 201 eine Messeinrichtung 207 zum Messen des mittels des optischen Elements 203 reflektierten Lichts der Belichtungsnutzwellenlänge 205. Ferner umfasst das System 201 eine Vergleichseinrichtung 209 zum Vergleichen der gemessenen feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität mit vorbestimmten Transmissionspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen.
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Das Projektionsbelichtungssystem 201 umfasst ferner eine Regelungseinrichtung 211 zum Regeln der bildseitigen feldpunktaufgelösten Transmission bzw. Intensität derart, dass diese vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen entsprechen und/oder eine Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation verbessert.
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3 zeigt ein weiteres Projektionsbelichtungssystem 301.
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Der Übersicht halber sind in dem System 301 die Messeinrichtung, die Vergleichseinrichtung und die Regelungseinrichtung nicht gezeigt.
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Das System 301 umfasst eine Lichtquelle 303. Die Lichtquelle 303 kann beispielsweise einen Laser und ein Medium aufweisen, das bei Beschuss mittels des Lasers zu einem Plasma wird, welches daraufhin Licht im Spektralbereich der extremen ultravioletten Strahlung abstrahlt.
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Die Strahlung bzw. das Licht, welche mittels der Lichtquelle 303 bereitgestellt werden, werden mittels eines Kollektorspiegels 305 gesammelt und reflektiert. Das mittels des Kollektorspiegels 305 reflektierte Licht der Belichtungsnutzwellenlänge wird auf einen ersten Spiegel 307 gelenkt, von welchem das Licht reflektiert wird in Richtung eines zweiten Spiegels 309. Von dort wird das Licht reflektiert in Richtung eines dritten Spiegels 311 und von dort wird das Licht in Richtung eines vierten Spiegels 313 reflektiert. Von dem vierten Spiegel 313 wird das Licht auf einen fünften Spiegel 315 reflektiert, wobei das Licht dann von dem fünften Spiegel 315 in Richtung eines Retikels 316 bzw. Maske reflektiert wird.
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Eine Objektebene des Retikels 316 ist mit dem Bezugszeichen 317 gekennzeichnet. Der Retikel 316 kann mittels einer Retikelpositionierungseinrichtung 318 in eine vorbestimmte Position gebracht werden.
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Das Licht, welches dann von dem Retikel 316 reflektiert wird bzw. werden, gelangt auf einen sechsten Spiegel 319, von welchem das Licht dann in Richtung eines siebten Spiegels 321 reflektiert wird. Von dem siebten Spiegel 321 wird das Licht in Richtung eines achten Spiegels 323 reflektiert. Von dem achten Spiegel 323 wird das Licht dann in Richtung eines neunten Spiegels 325 reflektiert. Von diesem neunten Spiegel 325 wird das Licht in Richtung eines zehnten Spiegels 327 reflektiert. Von diesem wird das Licht in Richtung eines elften Spiegels 329 reflektiert. Von dem elften Spiegel 329 wird das Licht dann in Richtung eines Wafers 331 und auf diesen reflektiert. Eine Waferebene des Wafers 331 ist mit dem Bezugszeichen 332 gekennzeichnet. Der Wafer 331 kann mittels einer Waferpositionierungseinrichtung 333 in eine vorbestimmte Position verlagert werden.
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Die Spiegel mit den Bezugszeichen 319, 321, 323, 325, 327, 329 bilden ein Projektionsobjektiv 337. Eine optische Achse des Projektionsobjektivs 337 ist mit dem Bezugszeichen 335 gekennzeichnet.
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Die einzelnen von den optischen Elementen reflektierten Strahlen sind hier in 3 beispielhaft mit dem Bezugszeichen 339 gekennzeichnet.
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Die Elemente, die mittels der geschweiften Klammer mit dem Bezugszeichen 343 umfasst sind, bilden ein Beleuchtungssystem 343.
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Eine Retikelebene ist mit dem Bezugszeichen 345 gekennzeichnet.
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Das System 301 umfasst des Weiteren die Transmission verändernden Elemente 347 und 349. Hierbei ist das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element 347 in einer feldnahen Position angeordnet. Das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Element 349 ist in einer pupillennahen Position angeordnet.
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In einem nicht gezeigten Ausführungsbeispiel kann vorgesehen sein, dass nur eines der beiden Licht absorbierenden Elemente 347 und 349 vorgesehen ist.
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Durch die Positionierung in einer pupillennahen Position können in vorteilhafter Weise feldkonstante Transmissionseffekte eingestellt werden. Durch eine Positionierung in feldnaher Position können in vorteilhafter Weise ortsabhängige Transmissionseffekte eingestellt werden. Durch die Positionierung in einer pupillennahem und einer feldnahen Position können sowohl feldkonstante als auch ortsabhängige Transmissionseffekte eingestellt werden.
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Eine Messung der bildseitigen ortsaufgelösten Transmission in dem System 301 wird vorzugsweise in der Waferebene 332 gemessen.
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Wenn ein Transmissionsverlust bzw. Intensitätsverlust oder eine Transmissionsveränderung bzw. Intensitätsveränderung auftritt, beispielsweise aufgrund von Verunreinigungen und/oder Lebensdauereffekten wie Schichtveränderungen, so wird die gemessene ortsaufgelöste Transmission bzw. Intensität außerhalb der vorbestimmten Transmissionsspezifikationen bzw. Intensitätsspezifikationen liegen. In diesem Fall kann eine Rückführung in die Grenzen der Transmissionsspezifikation bzw. Intensitätsspezifikation beispielsweise dadurch bewirkt werden, eines der Licht absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht absorbierenden Elemente 347, 349, aus dem Strahlengang zu entfernen, oder eines der beiden Licht absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht absorbierenden Elemente 347, 349 durch andere Licht absorbierende Elemente 347, 349 zu ersetzen.
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Vorzugsweise kann vorgesehen sein, zumindest eines der beiden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349, insbesondere beide Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349, durch hier nicht gezeigte Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente auszutauschen. Dies kann beispielsweise dadurch bewirkt werden, dass die Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente als ein Filter mit einer Apodisationsschicht mit einer vorbestimmten Dicke bzw. einer vorbestimmten Dickenvariation gebildet sind, wobei die ausgetauschten Filter eine geringere Schichtdicke bzw. eine andere Schichtdickenvariation aufweisen als sich bereits im Strahlengang befindenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente 347 und 349. Durch das Vorsehen von solchen Filtern, insbesondere von Folienfiltern, umfassend eine Apodisationsschicht kann in vorteilhafter Weise ein ortsabhängiger Transmissionsverlauf korrigiert werden.
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In einer nicht gezeigten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente an beliebig weiteren Stellen im Strahlengang des Systems 301 angeordnet werden. Insbesondere kann vorgesehen sein, dass diese nach dem Kollektorspiegel 305, im Beleuchtungssystem 343, vor oder nach dem Retikel 316 angeordnet werden.
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Bei Änderung der lokalen oder globalen Transmission des Kollektorspiegels, beispielsweise durch Verschmutzungen, können diese Verschmutzungen durch ein geeignetes Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierendes Element korrigiert werden. In einem solchen Fall ist insbesondere vorgesehen, dass die Lichtquelle sodann mit einer größeren bzw. höheren Leistung betrieben wird. Dann ist vorzugsweise vorgesehen, dass dies dann durch das Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Element wieder künstlich reduziert wird.
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Die Erfindung umfasst also insbesondere den Gedanken, eine orts- und/oder zeitabhängige Regelung der Transmission bzw. Intensität zum Zwecke einer Absorptionskorrektur vorzusehen. Ortsabhängig bezieht sich insbesondere darauf, dass an einem beliebigen Ort innerhalb des Strahlengangs ein Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierendes Element angeordnet, insbesondere ausgetauscht, werden kann. Zeitabhängig bezieht sich insbesondere darauf, dass in vorbestimmten Zeitintervallen Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente im Strahlengang durch andere Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente ausgetauscht werden können. Insbesondere können die sich bereits im Strahlengang befindenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente durch Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierende Elemente ausgetauscht werden, welche verändert Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbieren als die auszutauschenden Licht der Belichtungsnutzwellenlänge absorbierenden Elemente.
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Beispielsweise kann bei einer zeitabhängigen Regelung vorgesehen sein, dass diese kontinuierlich ist. Insbesondere kann die zeitabhängige Regelung auch in diskreten zeitlichen Abständen vorgenommen werden. Beispielsweise können solche zeitlichen Abstände von einer Chipfertigung zu einer weiteren Chipfertigung durchgeführt werden, also insbesondere nach etwa 100 ms oder etwa 200 ms.
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Beispielsweise kann ein zeitlicher Abstand auch dem zeitlichen Abstand zwischen zwei Waferfertigungen entsprechen, also insbesondere etwa 30 s.
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Insbesondere kann ein zeitlicher Abstand einem Zeitintervall von einer Lotfertigung (Losfertigung) zur nächsten Lotfertigung entsprechen, also insbesondere etwa 15 min. Ein Lot (Los) bezeichnet hier insbesondere eine Gütermenge mit gleichen Eigenschaften, die in einem zusammenhängenden Produktionsprozess hergestellt wird.
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Auch größere zeitliche Abstände, wie beispielsweise Stunden, Tage, Wochen, Monate oder Jahre oder auch eine Kombination der obigen zeitlichen Abstände kann vorgesehen sein.
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Das erfindungsgemäße Projektionsbelichtungssystem kann insbesondere auch für die Mikrolithographie, insbesondere für die EUV-Mikrolithographie, eingerichtet sein.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 19903807 A1 [0002]
- EP 1746463 A2 [0002, 0032]
