DE102012215293A1 - Gleichspannungswandler - Google Patents
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Abstract
Ein Gleichspannungswandler (1) weist eine Entlastungsschaltung (9) mit einem Serienschwingkreis (11, 12) zur Schaltentlastung auf.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Gleichspannungswandler.
- Ein Gleichspannungswandler, auch als Gleichstromwandler, DC-DC-Wandler oder Gleichstromsteller bezeichnet, ist eine elektrische Schaltung, die eine an einem Eingang bereitgestellte Gleichspannung in eine an einem Ausgang bereitgestellte Gleichspannung mit höherem, niedrigerem oder invertiertem Spannungsniveau umwandelt.
- Aus der einschlägigen Fachliteratur sind so genannte resonant geschaltete potentialtrennende Gleichspannungswandler in Vollbrückentopologie bekannt. Diese Gleichspannungswandler werden üblicherweise bei konstanter Schaltfrequenz im sogenannten Phase-Shift-Verfahren betrieben. Hierbei wird eine jeweilige Halbbrücke bzw. deren Halbleiterschalter mit einem Takt- bzw. Ansteuersignalsignal mit der Schaltfrequenz und einem An-Aus-Verhältnis von 1:1 betrieben. Eine Leistungsflusssteuerung wird über eine geeignete Einstellung der Phasenlage der beiden Taktsignale erreicht.
- Das Verhältnis der Schaltfrequenz zu einer Resonanzfrequenz eines Lastkreises, der mit einer mittels der Halbbrücken erzeugten Spannung beaufschlagt wird, bestimmt eine Betriebsart des Gleichspannungswandlers mit charakteristischen Schaltentlastungsarten für die Halbleiterschalter der Halbbrücken. Grundsätzlich können drei Betriebsarten unterschieden werden:
Eine erste Betriebsart ist der unterresonante Betrieb, bei dem die Schaltfrequenz kleiner als die Resonanzfrequenz ist. Hierbei werden die Halbleiterschalter der Halbbrücken im ZCS-Modus (Zero Current Switch, d.h. Ausschalten bei Strom Null) betrieben. - Eine zweite Betriebsart ist der quasiresonante Betrieb, bei dem die Schaltfrequenz in etwa der Resonanzfrequenz entspricht. Eine der Halbbrücken arbeitet hierbei im ZCS-Modus Modus und die andere der Halbbrücken im ZVS-Modus (Zero Valtage Switch, d.h. Einschalten bei Spannung Null).
- Die dritte Betriebsart ist der überresonante Betrieb, bei dem die Schaltfrequenz grösser als die Resonanzfrequenz ist. Die Halbbrücken werden hierbei jeweils im ZVS-Modus betrieben.
- Aufgrund parasitärer Effekte sind Halbleiterschalter in Form von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) nur in Verbindung mit ZCS-Betrieb und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) nur in Verbindung mit ZVS-Betrieb sinnvoll verwendbar.
- Da bei Zwischenkreisspannungen von über 450V aus Kostengründen derzeit nur IGBTs als Halbleiterschalter in Frage kommen, ist herkömmlich die unterresonante Betriebsart in Verbindung mit ZCS zwingend. Nachteilig ist hierbei jedoch, dass die Halbleiterschalter hart auf Freilaufdioden der komplementären Halbleiterschalter einschalten müssen. Damit verbunden sind zusätzliche Schaltverluste durch die sogenannten Recovery-Ströme der Freilaufdioden. Lediglich die Verwendung teurer Siliziumkarbid-Dioden, die vernachlässigbare Recovery-Ströme aufweisen, könnte die zusätzlichen Schaltverluste reduzieren.
- Ein weiterer Nachteil der beschriebenen Betriebsart ist zudem ein erhöhtes Spannungsgefälle und damit zusätzliche Verluste im Gesamtsystem.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Gleichspannungswandler, insbesondere einen resonant geschalteten potentialtrennenden Gleichspannungswandler, zur Verfügung zu stellen, der eine verglichen mit herkömmlichen Gleichspannungswandlern erhöhte Leistungsdichte und mehr Freiheitsgrade beim elektrischen und mechanischen Design aufweist.
- Die Erfindung löst diese Aufgabe durch einen Gleichspannungswandler nach Anspruch 1.
- Der Gleichspannungswandler weist eine erste Halbbrücke mit einem ersten Halbleiterschalter und einem zweiten Halbleiterschalter auf, wobei der erste und der zweite Halbleiterschalter in Serie zwischen einen ersten Eingangsspannungsanschluss und einen zweiten Eingangsspannungsanschluss eingeschleift sind, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Eingangsspannungsanschluss eine Eingangsgleichspannung (auch als Zwischenkreisspannung bezeichnet) ansteht. Die Eingangsgleichspannung kann einen Spannungspegel von größer als 450V aufweisen.
- Weiter weist der Gleichspannungswandler eine zweite Halbbrücke mit einem dritten Halbleiterschalter und einem vierten Halbleiterschalter auf, wobei der dritte und der vierte Halbleiterschalter in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss und den zweiten Eingangsspannungsanschluss eingeschleift sind.
- Die erste Halbbrücke und die zweite Halbrücke dienen herkömmlich zur Erzeugung einer Rechteckspannung aus der Eingangsgleichspannung, so dass insoweit auch auf die einschlägige Fachliteratur verwiesen wird.
- Der Gleichspannungswandler weist weiter einen Lastkreis mit einer Lastkreis-Resonanzfrequenz auf, der mit der mittels der beiden Halbbrücken erzeugten Rechteckspannung beaufschlagt ist.
- Eine Steuereinheit des Gleichspannungswandlers dient zur Ansteuerung der Halbleiterschalter der ersten und der zweiten Halbbrücke, insbesondere derart, dass sich ein vorgebbarer Pegel einer Ausgangsgleichspannung einstellt, beispielsweise indem herkömmlich eine Phasenlage zwischen Ansteuersignalen geeignet eingestellt wird. Insoweit sei auch auf die einschlägige Fachliteratur verwiesen.
- Der Gleichspannungswandler weist eine Entlastungsschaltung auf. Die Entlastungsschaltung umfasst eine dritte Halbbrücke, aufweisend einen fünften Halbleiterschalter und einen sechsten Halbleiterschalter und einen Serienschwingkreis mit einem Kondensator und einer in Serie geschalteten Spule. Der fünfte und der sechste Halbleiterschalter sind in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss und den zweiten Eingangsspannungsanschluss eingeschleift und der Serienschwingkreis ist zwischen einen Verbindungsknoten des fünften und des sechsten Halbleiterschalters und den Verbindungsknoten des dritten und des vierten Halbleiterschalters eingeschleift.
- Die Entlastungsschaltung ermöglicht einen Betrieb des Gleichspannungswandlers im Bereich der Lastkreis-Resonanzfrequenz, ohne dass es zu einer ungünstigen Schaltbelastung der Halbleiterschalter kommt.
- Die Steuereinheit kann dazu ausgebildet sein, die Halbleiterschalter der dritten Halbbrücke derart anzusteuern, dass bei einem Wechsel eines Schaltzustands der Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke ein Strom durch denjenigen Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke, der abgeschaltet wird, minimiert ist, insbesondere kein Strom fließt, so dass die zweite Halbbrücke aufgrund der geeignet angesteuerten Entlastungsschaltung im Ergebnis im ZCS-Modus betrieben wird.
- Die Steuereinheit kann weiter dazu ausgebildet sein, einen Wechsel des Schaltzustands der Halbleiterschalter der ersten Halbbrücke zu einem Zeitpunkt zu bewirken, während dem kein Strom durch denjenigen Halbleiterschalter der ersten Halbbrücke fließt, der abgeschaltet wird, d.h. die erste Halbbrücke wird herkömmlich im ZCS-Modus betrieben.
- Die Steuereinheit kann weiter dazu ausgebildet sein, die Halbleiterschalter der ersten, der zweiten und der dritten Halbbrücke mit einer Schaltfrequenz anzusteuern, die der Lastkreis-Resonanzfrequenz entspricht, d.h. der Gleichspannungswandler wird quasiresonant betrieben.
- Die Steuereinheit kann weiter dazu ausgebildet sein, den ersten Halbleiterschalter der dritten Halbbrücke während wiederkehrender erster Zeitbereiche einzuschalten, wobei während der ersten Zeitbereiche der erste Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird, und außerhalb der ersten Zeitbereiche auszuschalten, und den zweiten Halbleiterschalter der dritten Halbbrücke während widerkehrender zweiter Zeitbereiche einzuschalten, wobei während der zweiten Zeitbereiche der erste Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird, und außerhalb der zweiten Zeitbereiche auszuschalten.
- Der Serienschwingkreis der Entlastungsschaltung kann durch geeignete Wahl der Bauelemente eine Serienschwingkreis-Resonanzfrequenz aufweisen, die typischerweise in einem Bereich zwischen der zwanzigfachen Lastkreis-Resonanzfrequenz und der hundertfachen Lastkreis-Resonanzfrequenz liegt.
- Die Halbleiterschalter können Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBTs) sein.
- Der Lastkreis kann einen, beispielweise potentialtrennenden, Übertrager bzw. Transformator mit mindestens einer Primärwicklung und mindestens einer Sekundärwicklung aufweisen.
- Der Lastkreis kann weiter eine Gleichrichterschaltung aufweisen, die dazu ausgebildet ist, aus einer Spannung an der mindestens einen Sekundärwicklung des Übertragers bzw. Transformators die Ausgangsgleichspannung zu erzeugen. Zwischen einen Verbindungsknoten des ersten und des zweiten Halbleiterschalters und einen Verbindungsknoten des dritten und des vierten Halbleiterschalters ist die mindestens eine Primärwicklung des Übertragers, gegebenenfalls mit weiteren zwischengeschalteten oder eingeschleiften Bauelementen, eingeschleift.
- Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen detailliert beschrieben. Hierbei zeigt schematisch:
-
1 einen Gleichspanungswandler mit einer Entlastungsschaltung, -
2 einen zeitlichen Verlauf von Signalen des in1 gezeigten Gleichspannungswandlers, -
3 eine erste alternative Ausführungsform eines Lastkreises des in1 gezeigten Gleichspannungswandlers, -
4 eine weitere alternative Ausführungsform eines Lastkreises des in1 gezeigten Gleichspannungswandlers und -
5 eine weitere alternative Ausführungsform eines Lastkreises des in1 gezeigten Gleichspannungswandlers. -
1 zeigt einen Gleichspannungswandler1 in Vollbrückenschaltung mit einer ersten Halbbrücke2 und einer zweiten Halbbrücke5 zur Erzeugung einer Rechteckspannung UR aus einer Zwischenkreisspannung UZK mit einem Spannungspegel von mehr als 450V, wobei ein Lastkreis13 des Gleichspannungswandlers1 mit der derart erzeugten Rechteckspannung UR beaufschlagt wird. Insoweit sei auch auf die einschlägige Fachliteratur verwiesen. - Die erste Halbbrücke
2 weist auf: einen ersten Halbleiterschalter in Form eines IGBT2a und einen zweiten Halbleiterschalter in Form eines IGBT2b , wobei der erste und der zweite Halbleiterschalter2a ,2b in Serie zwischen einen ersten Eingangsspannungsanschluss3 und einen zweiten Eingangsspannungsanschluss4 eingeschleift sind, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Eingangsspannungsanschluss3 ,4 eine Eingangsgleichspannung bzw. Zwischenkreisspannung UZK ansteht. - Die zweite Halbbrücke
5 weist auf: einen dritten Halbleiterschalter in Form eines IGBT5a und einen vierten Halbleiterschalter in Form eines IGBT5b , wobei der dritte und der vierte Halbleiterschalter5a ,5b in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss3 und den zweiten Eingangsspannungsanschluss4 eingeschleift sind. - Den Halbleiterschaltern
2a ,2b ,5a ,5b ,10a ,10b sind herkömmlich jeweils zugehörige Freilaufdioden parallel geschaltet. - Der Lastkreis
13 weist auf: einen Transformator bzw. Übertrager6 mit einer Primärwicklung6a und einer Sekundärwicklung6b , eine Gleichrichterschaltung7 , die dazu ausgebildet ist, aus einer Spannung an der Sekundärwicklung6b des Übertragers6 die Ausgangsgleichspannung UA zu erzeugen, und Kondensatoren14 ,20 und24 und Spulen15 ,16 ,17 ,18 ,19 und23 , die wie dargestellt verschaltet sind, wobei die Spulen16 ,17 ,18 und19 nichtideale Eigenschaften des Übertragers6 abbilden und nicht als diskrete Bauelemente ausgeführt sind. - Die Primärwicklung
6a ist in Serie mit dem Kondensator14 und der Spule15 zwischen einen Verbindungsknoten N1 des ersten und des zweiten Halbleiterschalters2a ,2b und einen Verbindungsknoten N2 des dritten und des vierten Halbleiterschalters5a ,5b eingeschleift. - Der Übertrager
6 weist eine Mittenanzapfung auf, an der ein Ausgangsbezugspotential ansteht. Gleichrichterdioden21 und22 der Gleichrichterschaltung7 bewirken eine Spannungsgleichrichtung, wobei die derart gleichgerichtete Spannung mittels der Spule23 entstört und mittels des Kondensators24 gepuffert wird. - Eine Steuereinheit
8 , beispielsweise in Form eines Mikroprozessors, dient zur Ansteuerung der Halbleiterschalter2a ,2b ,5a ,5b der ersten und zweiten Halbbrücke2 ,5 derart, dass sich ein vorgebbarer bzw. gewünschter Pegel der Ausgangsgleichspannung UA einstellt. - Eine Entlastungsschaltung
9 weist eine dritte Halbbrücke10 auf. Die dritte Halbbrücke10 umfasst einen fünften Halbleiterschalter in Form eines IGBT10a und einen sechsten Halbleiterschalter in Form eines IGBT10b und einen Serienschwingkreis mit einem Kondensator11 und einer in Serie geschalteten Spule12 , wobei der fünfte und der sechste Halbleiterschalter10a ,10b in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss3 und den zweiten Eingangsspannungsanschluss4 eingeschleift sind und der Serienschwingkreis11 ,12 zwischen einen Verbindungsknoten N3 des fünften und des sechsten Halbleiterschalters10a ,10b und den Verbindungsknoten N2 des dritten und des vierten Halbleiterschalters5a ,5b eingeschleift ist. Die Halbleiterschalter10a und10b werden durch die Steuereinheit8 angesteuert. -
2 zeigt einen zeitlichen Verlauf von Signalen des in1 gezeigten Gleichspannungswandlers1 (d.h. einen logischen Signalzustand über der Zeit). - Hierbei bezeichnet S1 ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter
2a , S2\ ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter2b (in komplementärer Darstellung), S3 ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter5a , S4\ ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter5b (in komplementärer Darstellung), S5 ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter10a , S6 ein Ansteuersignal für den Halbleiterschalter10b , VS1 eine am Halbleiterschalter2a abfallende Spannung, iS1 einen Strom durch den Halbleiterschalter2a , ID1 einen Strom durch die Freilaufdiode des Halbleiterschalters2a , VS3 eine am Halbleiterschalter5a abfallende Spannung, iS3 einen Strom durch den Halbleiterschalter5a und iD3 einen Strom durch die Freilaufdiode des Halbleiterschalters5a . - Die Steuereinheit
8 erzeugt die Ansteuersignale S1 bis S6 mit einer Schaltfrequenz, die in etwa der Lastkreis-Resonanzfrequenz entspricht, beispielsweise 100 kHz. Mit anderen Worten wird der Gleichspannungswandler1 quasiresonant betrieben, wobei die Halbbrücke2 herkömmlich im ZCS-Modus Modus arbeitet, d.h. ein Wechsel des Schaltzustands der Halbleiterschalter2a ,2b der ersten Halbbrücke2 wird zu einem Zeitpunkt bewirkt, während dem kein Strom durch denjenigen Halbleiterschalter der ersten Halbbrücke2 fließt, der abgeschaltet wird. - Aufgrund der Entlastungsschaltung
9 ist darüber hinaus eine transient-resonante Schaltentlastung (ZCS) auch der zweiten Halbbrücke5 und zwar in beide Stromrichtungen möglich. - Hierzu schaltet die Steuereinheit
8 durch geeignetes Erzeugen des Signals S5 den ersten Halbleiterschalter10a der dritten Halbbrücke10 während wiederkehrender erster Zeitbereiche ZB1 ein, während derer der erste Halbleiterschalter5a der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter5b der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird. - Entsprechend schaltet die Steuereinheit
8 durch geeignetes Erzeugen des Signals S6 den zweiten Halbleiterschalter10b der dritten Halbbrücke10 während widerkehrender zweiter Zeitbereiche ZB2 ein, während derer der erste Halbleiterschalter5a der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter5b der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird. - Ein Teil desjenigen Stroms, der bei einem herkömmlichen Gleichspannungswandler über die Freilaufdioden der komplementären Halbleiterschalter fließen würde, wird erfindungsgemäß von der Entlastungsschaltung
9 bzw. deren Schwingkreis aufgenommen und auch wieder abgegeben, so dass Schaltverluste in den Freilaufdioden reduziert werden. - Wie aus dem zeitlichen Verlauf der Ströme iS3 und iD3 hervorgeht, ist eine Resonanzfrequenz des Serienschwingkreises der Entlastungsschaltung
9 wesentlich größer als die Schaltfrequenz der Steuersignale S1 bis S6. Die Resonanzfrequenz des Lastkreises13 , d.h. entsprechend die Schaltfrequenz der Steuersignale S1 bis S6, beträgt im Beispiel gemäß2 ca. 100 kHz. Entsprechend werden auch die Halbbrücken2 und5 bzw. deren Halbleiterschalter getaktet. Die Resonanzfrequenz des Serienschwingkreises der Entlastungsschaltung9 für einen transient-resonanten Betriebsfall liegt dagegen deutlich höher und beträgt typisch 2 bis 10 MHz. Je höher die Resonanzfrequenz des Serienschwingkreises der Entlastungsschaltung9 gewählt wird, desto geringer werden die durch Totzeiten des Resonanzvorgangs entstehenden Spannungsabfälle im System. Die Obergrenze hängt von den Eigenschaften der Halbleiterschalter ab, insbesondere der Lebensdauer der Ladungsträger in der Sperrschicht. - Daher kann der Gleichspannungswandler
1 im Bereich der Lastkreis-Resonanzfrequenz betrieben werden, wodurch eine optimale Ausnutzung der Halbleiterschalter und der magnetischen Bauelemente erreicht werden kann. - Durch die Kombination von Phase-Shift-Steuerung und Schaltfrequenzvariation ist zudem eine Optimierung des dynamischen Verhaltens des Gleichspannungswandlers
1 in Bezug auf Lastsprünge möglich. - Die
3 bis5 zeigen alternative Ausführungsform des in1 gezeigten Lastkreises13 . - So zeigt
3 eine Lastkreis-Variante13' mit einer Anordnung von Kondensatoren20a und20b über der Sekundärwicklung6b zur Begrenzung eines Spannungsanstiegs an den Gleichrichterdioden21 und22 , was sich günstig auf deren Recovery-Verhalten auswirkt. - Durch Minimierung eines Spannungsgefälles innerhalb des Lastkreises
13' kann die primärseitig wirksame Serieninduktivität auf die Streuinduktivität des Übertragers6 reduziert werden, so dass Bauteile eingespart werden können. -
4 zeigt eine Ausführungsform des Lastkreises13'' , bei der zur Erhöhung der übertragbaren Leistung ein aufgeteilter Transformator6' vorgesehen ist, der als sogenannter Power-Train verschaltet ist, d.h. es sind zwei in Reihe geschaltete Primärwicklung6a_1 und6a_2 und zwei parallel geschaltete Sekundärwicklungen6b_1 und6b_2 vorgesehen. Die Elemente16 bis19 sind entsprechend zweifach vorhanden (jeweils bezeichnet mit x_1 bzw. x_2) -
5 zeigt ein vollständiges Powertrain-Konzept13''' , bei dem sekundärseitig erst nach Glättungsdrosseln23_1 und23_2 die Parallelverbindung erfolgt.
Claims (8)
- Gleichspannungswandler (
1 ), aufweisend: – eine erste Halbbrücke (2 ), aufweisend: – einen ersten Halbleiterschalter (2a ) und – einen zweiten Halbleiterschalter (2b ), – wobei der erste und der zweite Halbleiterschalter (2a ,2b ) in Serie zwischen einen ersten Eingangsspannungsanschluss (3 ) und einen zweiten Eingangsspannungsanschluss (4 ) eingeschleift sind, wobei zwischen dem ersten und dem zweiten Eingangsspannungsanschluss (3 ,4 ) eine Eingangsgleichspannung (UZK) ansteht, – eine zweite Halbbrücke (5 ), aufweisend: – einen dritten Halbleiterschalter (5a ) und – einen vierten Halbleiterschalter (5b ), wobei – der dritte und der vierte Halbleiterschalter (5a ,5b ) in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss (3 ) und den zweiten Eingangsspannungsanschluss (4 ) eingeschleift sind, wobei die erste Halbbrücke (2 ) und die zweite Halbrücke (5 ) zur Erzeugung einer Rechteckspannung (UR) aus der Eingangsgleichspannung (UZK) ausgebildet sind, – einen Lastkreis (13 ,13' ,13'' ,13''' ) mit einer Lastkreis-Resonanzfrequenz, der mit der Rechteckspannung (UR) beaufschlagt ist, und – eine Steuereinheit (8 ) zur Ansteuerung der Halbleiterschalter (2a ,2b ,5a ,5b ) der ersten und zweiten Halbbrücke (2 ,5 ) derart, dass sich ein vorgebbarer Pegel einer Ausgangsgleichspannung (UA) einstellt, gekennzeichnet durch – eine Entlastungsschaltung (9 ), aufweisend: – eine dritte Halbbrücke (10 ), aufweisend: – einen fünften Halbleiterschalter (10a ) und – einen sechsten Halbleiterschalter (10b ) und – einen Serienschwingkreis mit einem Kondensator (11 ) und einer in Serie geschalteten Spule (12 ), wobei – der fünfte und der sechste Halbleiterschalter (10a ,10b ) in Serie zwischen den ersten Eingangsspannungsanschluss (3 ) und den zweiten Eingangsspannungsanschluss (4 ) eingeschleift sind und – der Serienschwingkreis (11 ,12 ) zwischen einen Verbindungsknoten (N3) des fünften und des sechsten Halbleiterschalters (10a ,10b ) und den Verbindungsknoten (N2) des dritten und des vierten Halbleiterschalters (5a ,5b ) eingeschleift ist. - Gleichspannungswandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (
8 ) dazu ausgebildet ist, – die Halbleiterschalter (10a ,10b ) der dritten Halbbrücke (10 ) derart anzusteuern, dass bei einem Wechsel eines Schaltzustands der Halbleiterschalter (5a ,5b ) der zweiten Halbbrücke (5 ) ein Strom durch denjenigen Halbleiterschalter der zweiten Halbbrücke (5 ), der abgeschaltet wird, minimiert ist. - Gleichspannungswandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (
8 ) dazu ausgebildet ist, einen Wechsel des Schaltzustands der Halbleiterschalter (2a ,2b ) der ersten Halbbrücke (2 ) zu einem Zeitpunkt zu bewirken, während dem kein Strom durch denjenigen Halbleiterschalter der ersten Halbbrücke (2 ) fließt, der abgeschaltet wird. - Gleichspannungswandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (
8 ) dazu ausgebildet ist, – die Halbleiterschalter (2a ,2b ,5a ,5b ,10a ,10b ) der ersten, der zweiten und der dritten Halbbrücke (2 ,5 ,10 ) mit einer Schaltfrequenz anzusteuern, die der Lastkreis-Resonanzfrequenz entspricht. - Gleichspannungswandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinheit (
8 ) dazu ausgebildet ist, – den ersten Halbleiterschalter (10a ) der dritten Halbbrücke (10 ) während wiederkehrender erster Zeitbereiche (ZB1) einzuschalten, während derer der erste Halbleiterschalter (5a ) der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter (5b ) der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird, und außerhalb der ersten Zeitbereiche (ZB1) auszuschalten, und – den zweiten Halbleiterschalter (10b ) der dritten Halbbrücke (10 ) während widerkehrender zweiter Zeitbereiche (ZB2) einzuschalten, während derer der erste Halbleiterschalter (5a ) der zweiten Halbbrücke ausgeschaltet wird und der zweite Halbleiterschalter (5b ) der zweiten Halbbrücke eingeschaltet wird, und außerhalb der zweiten Zeitbereiche (ZB2) auszuschalten. - Gleichspannungswandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Serienschwingkreis (
11 ,12 ) der Entlastungsschaltung (9 ) eine Serienschwingkreis-Resonanzfrequenz aufweist, die in einem Bereich zwischen der zwanzigfachen Lastkreis-Resonanzfrequenz und der hundertfachen Lastkreis-Resonanzfrequenz liegt. - Gleichspannungswandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschalter (
2a ,2b ,5a ,5b ,10a ,10b ) Insulated Gate Bipolar Transistoren sind. - Gleichspannungswandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, der Lastkreis (
13 ,13' ,13'' ,13''' ) aufweist: – einen Übertrager (6 ,6' ) mit mindestens einer Primärwicklung (6a ;6a_1 ,6a_2 ) und mindestens einer Sekundärwicklung (6b ;6b_1 ,6b_2 ) und – eine Gleichrichterschaltung (7 ), die dazu ausgebildet ist, aus einer Spannung an der mindestens einen Sekundärwicklung (6b ;6b_1 ,6b_2 ) des Übertragers (6 ,6' ) eine Ausgangsgleichspannung (UA) zu erzeugen, – wobei zwischen einen Verbindungsknoten (N1) des ersten und des zweiten Halbleiterschalters (2a ,2b ) und einen Verbindungsknoten (N2) des dritten und des vierten Halbleiterschalters (5a ,5b ) die mindestens eine Primärwicklung (6b ;6b_1 ,6b_2 ) des Übertragers (6 ,6' ) eingeschleift ist.
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