DE102011053149B4 - Die-Struktur, Die-Anordnung und Verfahren zum Prozessieren eines Dies - Google Patents

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Khalil Hosseini
Frank Kahlmann
Georg Meyer-Berg
Ralf Otremba
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Abstract

Die-Struktur, aufweisend: einen Die (101); und eine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil das Kupfer aufweist und einen Drahtbondbereich (104) aufweist, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll.

Description

  • Ausführungsformen betreffen allgemein eine Die-Struktur, eine Die-Anordnung und ein Verfahren zum Prozessieren eines Dies.
  • Bei der Herstellung von Dies mit integrierten Schaltkreisen (Integrated-Circuit-Dies) werden häufig Drahtbond(Wire Bonding)-Prozesse verwendet, um Verbindungen (Interconnects) zwischen einem Die, der integrierte Schaltkreise aufweist, und einem Anschluss (Pin) eines Device-Gehäuses (Device-Packages) zu bilden. Ferner wird es zunehmend wünschenswert, auf Kupfer (Cu) basierende Metallverbindungen zu verwenden. Jedoch ist es technisch schwierig, für Logik-Produkte Cu-Drahtbonden (Cu-Wirebonding) anzuwenden, da zum Beispiel die während des Bonding-Prozesses auftretenden Kräfte so groß sein können, dass darunterliegende Chip-Strukturen beschädigt werden können.
  • Zum Beispiel können, wenn Cu-Drahtbonden auf dünnen Cu-Pad-Metallisierungen (mit, zum Beispiel, einer Dicke von ungefähr 5 μm) verwendet wird, die auftretenden Kräfte zu Rissen in der Metallisierung (Metallisierungsrisse) oder einer Beschädigung der aktiven Strukturen unterhalb des Bonddrahts (z. B. Kraterbildung (cratering)) führen. Aufgrund der größeren Härte von Cu-Metallisierungen verglichen mit Aluminium(Al)-Metallisierungen werden im Allgemeinen hohe Werte der Bondparameter (zum Beispiel Ultraschall, Kraft, Zeit) für die Verschweißung des Drahtmaterials auf der Cu-Chip-Metallisierung benötigt. Aufgrund der hohen Werte der Bondparameter kann sich die mechanische Spannung (mechanischer Stress) in der Metallisierung unter der Bondstelle und in den darunterliegenden aktiven Strukturen erhöhen.
  • Somit können Beschädigungen in Form von Rissen in der obersten Metallisierung (Top-Metallisierung) oder in der Metallisierungsschichtanordnung (Cu, TiN/Al) auftreten, oder es kann eine Beschädigung der Devices (z. B. Transistoren) unter der Metallisierung auftreten. Dies kann zum Totalausfall des Halbleiter-Devices oder zu Ausfällen nach einer langen Betriebszeit des Devices führen.
  • Ein weiteres Problem beim Cu-Drahtbonden ist, dass bei einem Ball-Bonding-Prozess häufig nur ein kleiner Teil eines Cu-Pads von dem Cu-Ball kontaktiert wird.
  • Ein Ansatz, die oben erwähnten Probleme zu adressieren, besteht darin, auf Cu basierende Verbindungsstrukturen zu verwenden, die dicke Pads oder große Pads in Kombination mit großen Cu-Drähten aufweisen. Diese Strukturen können relativ stabil sein (zum Beispiel hinsichtlich Rissbildung) aber auch komplex und/oder kostspielig. Zudem ist es möglich, dass eine Struktur mit großen Pads und großen Drähten nicht für Logik-Produkte mit feinen Abständen (Pitches) geeignet ist.
  • Andere Ansätze, um die oben erwähnten Probleme zu adressieren, sind Einstellen (Tunen) der Bondparameter oder Reinigen der Cu-Oberfläche zum Entfernen von Oxidationen.
  • US 2007/0 228 567 A1 beschreibt eine Halbleiterchip, der eine Metallbeschichtungsstruktur aufweist, die auf einer aktiven Oberseite des Halbleiterchip angeordnet ist, und mindestens eine untere Metallschicht aus Kupfer oder einer Kupferlegierung, eine zentrale Metallschicht aus Nickel und eine obere Metallschicht aus Palladium und/oder einem Edelmetall aufweist. Die zentrale Metallschicht weist eine raue Schnittstelle in Bezug auf eine Kunststoffgehäusemasse, die die Metallbeschichtungsstruktur umgibt, auf.
  • US 2004/0 036 137 A1 beschreibt ein Verfahren zur Bildung einer Nickel-Deckschicht über Kupfer metallisierten Bondpads, bei dem der Phosphorgehalt der Nickel-Deckschicht und insbesondere die Oberfläche der Nickel-Deckschicht kontrolliert werden kann. Der Phosphorgehalt der Oberfläche der Nickel-Deckschicht ist so gewählt, dass Oxidation verhindert wird.
  • EP 1 139 413 A2 beschreibt eine Struktur die eine Sperrschicht aus Sperrmetall aufweist, das einer Kupferdiffusion widersteht, wobei die Sperrschicht auf einer nicht oxidierten Kupferoberfläche in einer Dicke abgeschieden wird, so dass die Sperrschicht die Diffusion von Kupfer bei 250°C um mehr als 80% reduziert.
  • US 2010/0 007 009 A1 beschreibt eine Kupferbonddraht mit einem Leitungsabschnitt und einem nicht-sphärischen Blockabschnitt. Der nicht-sphärische Blockabschnitt ist mit dem Leitungsabschnitt verbunden, wobei die Querschnittsfläche des nicht-sphärischen Blockabschnitts größer ist als die des Leitungsabschnitts.
  • In den Zeichnungen bezeichnen gleiche Bezugszeichen im Allgemeinen dieselben Teile innerhalb der unterschiedlichen Ansichten. Die Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgetreu, die Betonung liegt stattdessen im Allgemeinen darauf, die Prinzipien von verschiedenen Ausführungsformen zu veranschaulichen. In der nachfolgenden Beschreibung werden verschiedene Ausführungsformen beschrieben unter Bezug auf die nachfolgenden Zeichnungen, in denen:
  • 1 eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 2 eine Querschnittsrasterelektronenmikroskopieaufnahme einer Die-Struktur gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 3 eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Struktur gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 4A einen Nailhead-Bond („Nagelkopfverbindung”) zu einer Metallisierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 4B einen Wedge-Bond („Keilverbindung”) zu einer Metallisierungsschicht gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 5 einen Gate- und/oder Source-Clip zur Verwendung als Die-Verkapselungsstruktur bei einer Die-Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 6 eine schematische Querschnittsansicht einer Die Anordnung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 7 eine schematische Querschnittsansicht einer Die Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt;
  • 8 ein Diagramm ist, das ein Verfahren zum Prozessieren eines Dies gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht; und
  • 9 ein Diagramm ist, das ein Verfahren zum Prozessieren eines Dies gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • Die nachfolgende ausführliche Beschreibung nimmt Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die als Veranschaulichung bestimmte Details und Ausführungsformen zeigen, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Diese Ausführungsformen sind ausreichend detailliert beschrieben, um diejenigen, die mit der Technik vertraut sind, in die Lage zu versetzen, die Erfindung auszuführen. Andere Ausführungsformen können verwendet werden und strukturelle, logische und elektrische Änderungen können vorgenommen werden, ohne vom Bereich der Erfindung abzuweichen. Die verschiedenen Ausführungsformen schließen sich nicht notwendigerweise gegenseitig aus, da einige Ausführungsformen mit einer oder mehreren anderen Ausführungsformen kombiniert werden können, um neue Ausführungsformen zu bilden.
  • 1 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Struktur 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die Die-Struktur 100 weist einen. Die 101 auf. Der Die 101 weist eine Oberseite 101a auf. Die Oberseite 101a des Dies 101 kann auch als die Vorderseite des Dies 101 bezeichnet werden.
  • So wie hierin verwendet, können die Ausdrücke „Oberseite” oder „Vorderseite” eines Dies so verstanden werden, dass sie die Seite des Dies, an der die Bond-Drähte befestigt werden/sind, bezeichnen. Die Bond-Drähte können an bestimmten Kontaktpads befestigt werden, oder alternativ können sie an einem größeren Teil der Metallisierung, welche den größten Teil der Vorderseite des Dies bedeckt, befestigt werden.
  • Die Ausdrücke „Oberseite” und „Vorderseite” werden nachstehend synonym verwendet.
  • Der Die 101 kann ferner eine Unterseite 101b aufweisen. Die Unterseite 101b des Dies 102 kann auch als die Rückseite 101b des Dies 101 bezeichnet werden.
  • So wie hierin verwendet, können die Ausdrücke „Unterseite” oder „Rückseite” eines Dies so verstanden werden, dass sie die Seite des Dies, die nicht mittels Bond-Drähten kontaktiert wird/ist, bezeichnen.
  • Die Ausdrücke „Unterseite” und „Rückseite” werden nachstehend synonym verwendet.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der Die 101 ein Halbleiter-Die sein. Mit anderen Worten kann der Die 101 in dieser Ausführungsform aufweisen oder basieren auf halbleitendem Material wie zum Beispiel Silizium (alternativ können andere halbleitende Materialien verwendet werden).
  • Der Die 101 kann zum Beispiel eine Schichtstruktur aufweisen, die eine oder mehrere Schichten aufweist, zum Beispiel eine oder mehrere halbleitende Schichten (zum Beispiel Siliziumschichten, alternativ können andere halbleitende Materialien verwendet werden) und/oder eine oder mehrere elektrisch leitfähige Schichten (zum Beispiel Metallschichten) und/oder eine oder mehrere elektrisch isolierende oder dielektrische Schichten (zum Beispiel Siliziumoxid- oder Siliziumnitridschichten, alternativ können andere elektrisch isolierende oder dielektrische Materialien verwendet werden) (nicht gezeigt). Anschaulich kann der Die 101 einen oder mehrere integrierte Schaltkreise (IC) aufweisen, der/die zum Beispiel eine Mehrzahl von elektrischen oder elektronischen Elementen (Devices) (wie zum Beispiel Transistoren) und zugehörige elektrische Verdrahtungs- oder Metallisierungsstrukturen aufweist/aufweisen, die mittels der Schichtstruktur 101 gebildet sein können (nicht gezeigt). Alternativ kann der Die 101 einfach einen Leistungshalbleiterschalter aufweisen, zum Beispiel Leistungs-Metalloxidhalbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), Graben-Leistungs-MOSFETs (Trench Power MGSFETs), Superjunction-Devices, Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)) oder Dioden.
  • Eine Metallisierungsschicht 102 ist auf oder über der Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet. Die Metallisierungsschicht 102 kann auch als eine Vorderseitenmetallisierungsschicht oder Vorderseitenmetallisierung (frontside metallization) bezeichnet werden. Die Metallisierungsschicht 102 kann mit einigen oder allen der IC- und/oder Leistungshalbleiterschaltelemente des Dies 101 verbunden sein mit Hilfe der in dem Die 101 ausgebildeten elektrischen Verdrahtungs- oder Metallisierungsstrukturen (nicht gezeigt).
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 Kupfer (Cu) oder eine Cu-Legierung aufweisen. Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 aus Kupfer hergestellt sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 hergestellt sein aus einer Kupfer enthaltenden Legierung, zum Beispiel Cu99,9%, Cu99,99%, Cu99,999% oder andere Cu-Legierungen wie zum Beispiel Cu 1–4% Ni; Cu 1–2% Ni 1–2% Si; Cu 1–4% Al; Cu 1–4% Si.
  • Die Dicke der Metallisierungsschicht 102 wird durch den Doppelpfeil „d” in 1 angegeben. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 102 eine Dicke haben im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm, zum Beispiel im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 5 μm gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel im Bereich von ungefähr 1,5 μm bis ungefähr 2,5 μm gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel eine Dicke von ungefähr 2 μm gemäß einer Ausführungsform. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 eine Dicke von ungefähr 5 μm haben. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 102 andere Werte der Dicke haben.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht 102 ein raues Oberflächenprofil 103 haben.
  • In diesem Zusammenhang kann der Ausdruck „Oberflächenprofil”, so wie hierin verwendet, so verstanden werden, dass er das Profil der oberen Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 bezeichnet, d. h. das Profil jener Oberfläche der Metallisierungsschicht 102, welche einer Drahtbondstruktur (Wire-Bonding-Struktur) (nicht in 1 gezeigt, siehe zum Beispiel 3), die mit der Metallisierungsschicht 102 verbunden werden soll (mit anderen Worten, an die Metallisierungsschicht 102 gebondet werden soll), und/oder einer Die-Verkapselungsstruktur 302 (nicht gezeigt in 1, siehe zum Beispiel 3), welche an der Metallisierungsschicht 102 befestigt werden soll, gegenüberliegt, im Gegensatz zu der unteren Oberfläche der Metallisierungsschicht 102, die dem Die 102 gegenüberliegt.
  • So wie hierin verwendet, kann der Ausdruck „raues Oberflächenprofil” oder „raue Oberfläche” so verstanden werden, dass er ein makroskopisch raues Hohenprofil einer Schicht bezeichnet oder umfasst, wobei „Höhe” anschaulich die lokale Dicke dieser Schicht bezeichnen kann. Anschaulich kann eine raue Oberfläche eine Oberfläche bezeichnen oder umfassen mit einer zerfurchten (rugged) Grenzfläche (interface), die eine Mehrzahl oder Vielzahl von Spitzen (Peaks) und Tälern aufweist, wie schematisch in 1 dargestellt ist.
  • In diesem Zusammenhang ist eine Möglichkeit, die Rauheit (roughness) einer Oberfläche (oder ihres Höhenprofils) zu charakterisieren oder messen, die sogenannte „Spitze-zu-Spitze-Rauheit (peak-to-peak roughness) (Rpp)” Unter der Spitze-zu-Spitze-Rauheit (Rpp) einer Oberfläche (oder ihres Höhenprofils) kann der senkrechte Differenzbetrag zwischen dem höchsten Punkt (höchste Spitze (Peak)) und dem niedrigsten Punkt (tiefstes Tal) auf dieser Oberfläche verstanden werden. Mit anderen Worten kann die Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp gegeben sein durch Rpp = max(x,y)h(x, y) – min(x,y)h(x, y), wobei (x, y) die lateralen Koordinaten eines Punktes der Oberfläche sind, h(x, y) die Höhe der Oberfläche bei (x, y) ist und max(x,y) h(x, y) und min(x,y) h(x, y) das Maximum bzw. Minimum der Oberflächenhöhe h(x, y) über alle Oberflächenpunkte (x, y) bezeichnen.
  • In 1 wird die Spitze-zu-Spitze-Rauheit des Oberflächenprofils 103 der Metallisierungsschicht 102 durch den Doppelpfeil „Rpp” angegeben.
  • So wie hierin verwendet, können die Ausdrücke „raue Oberfläche” oder „raues Oberflächenprofil” so verstanden werden, dass sie ein Oberflächenprofil (einer Schicht) bezeichnen oder umfassen, das einen Spitze-zu-Spitze-Rauheit (Rpp) – Wert hat, der gleich einem oder größer als ein gegebener Schwellenwert ist, während die Ausdrücke „glatte Oberfläche” oder „glattes Oberflächenprofil” so verstanden werden können, dass sie ein Oberflächenprofil (einer Schicht) bezeichnen oder umfassen, das einen Spitze-zu-Spitze-Rauheit (Rpp) – Wert hat, der kleiner als der gegebene Schwellenwert ist.
  • Zum Beispiel kann, so wie hierin verwendet, eine Oberfläche als „rau” charakterisiert werden, wenn ihre Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp gleich oder größer als ungefähr 0,1 μm (100 nm) ist, während eine Oberfläche als „glatt” charakterisiert werden kann, wenn ihre Spitze-zu-Spitze-Rauheit R als ungefähr 0,1 μm (100 nm) beträgt.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil 103 der Metallisierungsschicht 102 eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp von mindestens 0,1 μm aufweisen, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp im Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr der Dicke „d” der Metallisierungsschicht 102 gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit R Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 5 μm gemäß einer weiteren Ausführungsform, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp im Bereich von ungefähr 0,1 μm bis ungefähr 3 μm gemäß einer weiteren Ausführungsform, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit R Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 3 μm gemäß einer weiteren Ausführungsform, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp im Bereich von ungefähr 1,5 μm bis ungefähr 2,5 μm gemäß einer weiteren Ausführungsform, zum Beispiel eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp von ungefähr 2 μm gemäß einer weiteren Ausführungsform. Gemäß weiteren Ausführungsformen kann das raue Oberflächenprofil 103 der Metallisierungsschicht 102 einen anderen Wert der Spitze-zu-Spitze-Rauheit Rpp haben.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil 103 der Metallisierungsschicht 102 zum Beispiel erhalten werden mittels Abscheidens der Metallisierungsschicht 102 und anschließenden Durchführens eines chemischen oder physikalischen (zum Beispiel Plasma-)Ätzprozesses auf der abgeschiedenen Metallisierungsschicht 102.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil 103 der Metallisierungsschicht 102 zum Beispiel erhalten werden mittels Abscheidens mindestens einer Schicht (zum Beispiel mindestens einer elektrisch leitfähigen Schicht), Strukturierens (patterning) der mindestens einen abgeschiedenen Schicht (zum Beispiel mittels eines chemischen oder physikalischen Ätzprozesses) derart, dass die mindestens eine abgeschiedene Schicht ein raues Oberflächenprofil aufweist, und konformen Abscheidens der Metallisierungsschicht 102 auf der mindestens einen strukturierten Schicht mit dem rauen Oberflächenprofil, so dass das raue Oberflächenprofil der darunterliegenden strukturierten Schicht anschaulich auf die Metallisierungsschicht 102 übertragen werden kann. Mit anderen Worten kann die Metallisierungsschicht 102 das raue Oberflächenprofil der darunterliegenden Schicht annehmen bzw. übernehmen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil 103 der Metallisierungsschicht 102 zum Beispiel erhalten werden mittels galvanischer Abscheidung der Metallisierungsschicht mit wechselnder (variierender) Stromdichte. Aufgrund der Variation der Stromdichte während des Abscheideprozesses kann sich die Metallisierungsschicht 102 mit dem rauen Oberflächenprofil 103 entwickeln.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann der Teil der Metallisierungsschicht 102, der das raue Oberflächenprofil 103 aufweist, einen Drahtbondbereich (Wire-Bonding-Bereich) 104 aufweisen, an den eine Drahtbondstruktur (Wire-Bonding-Struktur) (nicht in 1 gezeigt, vgl. 3) gebondet werden soll. Mit anderen Worten kann ein Bereich der Metallisierungsschicht 102, an den eine oder mehrere Drahtbondstrukturen (zum Beispiel ein oder mehrere Bonddrähte) gebondet werden, das raue Oberflächenprofil 103 aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Teil der Metallisierungsschicht 102, der das raue Oberflächenprofil 103 aufweist, ferner einen Befestigungsbereich (attachment region) 105 (auch als Haftbereich bezeichnet), an dem eine Die-Verkapselungsstruktur (nicht in 1 gezeigt, vgl. 3) befestigt werden soll, aufweisen. Mit anderen Worten kann ein Bereich der Metallisierungsschicht 102, an dem eine Die-Verkapselungsstruktur befestigt wird, das raue Oberflächenprofil 103 aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 auf oder über nahezu der gesamten Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet sein, wie in 1 gezeigt. Mit anderen Worten kann in dieser Ausführungsform die Metallisierungsschicht 102 die Vorderseite 101a des Dies 101 nahezu vollständig bedecken. Zum Beispiel kann gemäß einer Ausführungsform die Metallisierungsschicht 102 mindestens 50% der Vorderseite 101a des Dies 101 bedecken, zum Beispiel mindestens 70% gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel mindestens 80% gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel mindestens 90% gemäß einer Ausführungsform.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 nur auf oder über einem Teil oder Teilen der Vorderseite 101 des Dies 101 angeordnet sein. Mit anderen Worten ist es möglich, dass die Metallschicht 102 gemäß dieser Ausführungsform nur einen Teil oder Teile der Vorderseite 101a des Dies 101 bedeckt.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 mindestens eine Elektrode des Dies 101 bilden oder aufweisen, zum Beispiel eine Source/Drain-Elektrode des Dies 101 gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel eine Source-Elektrode des Dies 101 gemäß einer Ausführungsform. Mit anderen Worten kann die Metallisierungsschicht 102 als eine Elektrode dienen, um elektrischen Kontakt zwischen den elektrischen/elektronischen Devices oder Integrierter-Schaltkreis-Elementen des Dies 101 und mindestens einem elektrischen Versorgungspotential (zum Beispiel einem Source/Drain-Potential gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel einem Source-Potential gemäß einer Ausführungsform) herzustellen. Zu diesem Zweck können eine oder mehrere Bond-Strukturen (zum Beispiel ein oder mehrere Bonddrähte) mit ihrem einen Ende an den (die) Drahtbondbereich(e) 104 der Metallisierungsschicht gebondet werden und können, zum Beispiel, mit ihrem anderen Ende an einen oder mehrere Anschlüsse (Pins) eines Device-Gehäuses (Device-Package) gebondet werden gemäß einer Ausführungsform.
  • Für den Fall, das die Metallisierungsschicht 102 die Vorderseite 101a des Dies 101 nahezu vollständig bedeckt, kann nahezu die gesamte Oberfläche des Dies 101 anschaulich als eine Elektrode (zum Beispiel als eine Source/Drain-Elektrode, zum Beispiel als eine Source-Elektrode) des Dies 101 dienen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die gesamte Metallisierungsschicht 102 das raue Oberflächenprofil 103 aufweisen, wie in 1 gezeigt. Mit anderen Worten kann in dieser Ausführungsform die gesamte obere Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 rau oder aufgeraut sein.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform ist es möglich, dass nur ein Teil oder Teile der Metallisierungsschicht 102 das raue Oberflächenprofil 103 aufweisen. Mit anderen Worten ist es möglich, dass in dieser Ausführungsform nur ein Teil oder Teile der Metallisierungsschicht 102 ein raues Oberflächenprofil 103 haben, während eine anderer Teil oder andere Teile der Metallisierungsschicht 102 ein glattes Oberflächenprofil haben können. Zum Beispiel kann gemäß einer Ausführungsform ein Teil (oder Teile) der Metallisierungsschicht 102, der (die) sich zwischen dem Drahtbondbereich 104 und dem Befestigungsbereich 105 befindet (befinden), ein glattes Oberflächenprofil haben. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann/können der Teil oder die Teile der Metallisierungsschicht 102, der/die ein glattes Oberflächenprofil hat/haben, einem Teil oder Teilen der Metallisierungsschicht 102 entsprechen, der/die frei von einer Drahtbondstruktur und frei von einer Die-Verkapselungsstruktur ist/sind.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Befestigungsbereich 105 einen/ein Randbereich der Metallisierungsschicht 102 aufweisen oder sein, wie in 1 gezeigt.
  • So wie hierin verwendet, kann der Ausdruck „Randbereich” so verstanden werden, dass er einen Bereich bezeichnet oder umfasst, der sich am Rand oder der Peripherie der Metallisierungsschicht 102 befindet.
  • Für den Fall, dass die Metallisierungsschicht 102 die gesamte Vorderseite 101a des Dies 101 bedeckt, kann sich der Randbereich der Metallisierungsschicht 102 am Rand oder der Peripherie des Dies 101 befinden, wie in 1 gezeigt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann eine weitere Metallisierungsschicht auf oder über der Unterseite 101b (Rückseite) des Dies 101 angeordnet sein (nicht gezeigt). Die weitere Metallisierungsschicht kann auch als die Rückseitenmetallisierungsschicht oder Rückseitenmetallisierung bezeichnet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die weitere Metallisierungsschicht mindestens eine weitere Elektrode des Dies 101 bilden oder aufweisen, zum Beispiel eine weitere Source/Drain-Elektrode des Dies 101 gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel eine Drain-Elektrode des Dies 101 in einer Ausführungsform. Mit anderen Worten kann die weitere Metallisierungsschicht als eine weitere Elektrode (zum Beispiel als eine weitere Source/Drain-Elektrode, zum Beispiel als eine Drain-Elektrode) dienen, um elektrischen Kontakt zwischen den elektrischen/elektronischen Devices oder Integrierter-Schaltkreis-Elementen des/der integrierten Schaltkreise/s des Dies 101 und mindestens einem weiteren elektrischen Versorgungspotential (zum Beispiel einem weiteren Source/Drain-Potential gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel einem Drain-Potential gemäß einer Ausführungsform) herzustellen. Anschaulich kann gemäß einer weiteren Ausführungsform die weitere Metallisierungsschicht als ein Drain-Kontakt dienen, der sich an der Rückseite 101b des Dies 101 befindet.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann der Die 101 an ein Die-Paddle gebondet sein, derart, dass die Die-Rückseite 101b (oder eine darauf angeordnete Rückseitenmetallisierungsschicht) dem Die-Paddle gegenüberliegt (nicht gezeigt). Das Bonden des Dies 101 (oder der Rückseitenmetallisierungsschicht, zum Beispiel des Drain-Kontakts) an das Die-Paddle kann zum Beispiel unter Verwendung eines Haftmaterials (zum Beispiel Kleber) oder mittels Lötens erreicht werden. In einer alternativen Ausführungsform kann der Die 101 an ein Leadframe gebondet sein.
  • 2 zeigt eine Querschnittsrasterelektronenmikroskopieaufnahme 200 einer auf einem Leadframe 201 angeordneten Die-Struktur 100 gemäß einer Ausführungsform.
  • Die Die-Struktur 100 weist einen Die 101 und eine Cu-Metallisierungsschicht 102 (Cu-Pad-Metallisierung), die auf oder über der Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet ist, auf. Der Die 101 ist mit seiner Rückseite 101b an ein Leadframe 201 gebondet. Die Cu-Metallisierungsschicht 102 hat ein raues Oberflächenprofil 103. Die Spitze-zu-Spitze-Rauheit des Oberflächenprofils 103, so wie gemessen, beträgt ungefähr 2,14 μm. Die Cu-Pad-Metallisierung 102 kann auf oder über der gesamten Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet sein.
  • 3 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Anordnung 300 gemäß einer weiteren Ausführungsform.
  • Die Die-Anordnung 300 weist eine Die-Struktur 100 auf. Die Die-Struktur 100 weist einen Die 101 und eine auf oder über der Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnete Metallisierungsschicht 102 auf. Die Die-Struktur 100 kann zum Beispiel eingerichtet sein gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der im Zusammenhang mit 1 beschriebenen Ausführungsformen.
  • Die Die-Anordnung 300 weist ferner eine Drahtbondstruktur (Wire-Bonding-Struktur) 301 auf, die an einen Drahtbondbereich 104 der Metallisierungsschicht 102 der Die-Struktur 100 gebondet ist. Mit anderen Worten kann die Drahtbondstruktur 301 oder, genauer gesagt, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 an die raue Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 in dem Drahtbondbereich 104 gebondet sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Die-Anordnung 300 mehr als eine Drahtbondstruktur 301 aufweisen, zum Beispiel eine Mehrzahl oder Vielzahl (im Allgemeinen eine beliebige Anzahl) von Drahtbondstrukturen 301, die an den Drahtbondbereich 104 gebondet sein können.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 als Bonddraht eingerichtet bzw. ausgebildet sein, wie in 3 gezeigt. Gemäß weiteren Ausführungsformen, bei denen mehr als eine Drahtbondstruktur 301, zum Beispiel eine Mehrzahl oder eine Vielzahl von Drahtbondstrukturen 301, vorhanden ist, können einige oder alle der Drahtbondstrukturen 301 als Bonddraht eingerichtet bzw. ausgebildet sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann sich die Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) oder, genauer gesagt, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Endteilbereich des Bonddrahtes) in direktem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 102 befinden. Mit anderen Worten können der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) und die Metallisierungsschicht 102 (genauer gesagt, die raue Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 in dem Drahtbondbereich 104) eine gemeinsame Grenzfläche haben.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) mittels eines Nailhead-Bonds („Nagelkopf-Verbindung”) (zum Beispiel unter Verwendung eines Nailhead/Wedge-Drahtbondprozesses (auch als Ball/Wedge-Drahtbondprozess bezeichnet) gemäß einer weiteren Ausführungsform) an den Drahtbondbereich 104 der Metallisierungsschicht 102 gebondet sein. Anschaulich kann in dieser Ausführungsform ein Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel des Bonddrahts), der sich in Kontakt mit der Metallisierungsschicht 102 befindet und die Verbindung (Bond) zwischen der Drahtbondstruktur (zum Beispiel dem Bonddraht) und der Metallisierungsschicht 102 bildet, die Form eines Nagelkopfs haben, wie es gezeigt ist in 4A, welche schematisch einen Nailhead-Bond (zum Beispiel einen Cu-Nailhead-Bond gemäß einer Ausführungsform) an den Drahtbondbereich 104 einer rauen Pad-Metallisierung 102 (zum Beispiel rauen Cu-Pad-Metallisierung gemäß einer Ausführungsform) darstellt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) der in 3 gezeigten Die-Anordnung 300 an den Drahtbondbereich 104 der Metallisierungsschicht 102 mittels eines Wedge-Bonds („Keilverbindung”) (zum Beispiel unter Verwendung eines Wedge/Wedge-Drahtbondprozesses gemäß einer Ausführungsform) gebondet sein. Anschaulich kann in diesem Fall ein Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel des Bonddrahts), der sich in Kontakt mit der Metallisierungsschicht 102 befindet und die Verbindung (Bond) zwischen der Drahtbondstruktur (zum Beispiel dem Bonddraht) und der Metallisierungsschicht 102 bildet, die Form eines Keils haben, wie es gezeigt ist in 4B, welche schematisch einen Wedge-Bond (zum Beispiel einen Cu-Wedge-Bond gemäß einer Ausführungsform) an den Drahtbondbereich 104 einer rauen Pad-Metallisierung 102 (zum Beispiel rauen Cu-Pad-Metallisierung gemäß einer Ausführungsform) darstellt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 Kupfer (Cu) aufweisen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 aus Kupfer hergestellt sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 hergestellt sein aus einer Kupfer enthaltenden Legierung, zum Beispiel Cu99,0%; Cu99,9%; Cu99,99%; einer Cu-Ni-Legierung oder einer Cu-Ni-Ag-Legierung.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur 301 oder, genauer gesagt, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 eine Härte besitzen, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht 102 ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht 102 ist, Mit anderen Worten kann die Drahtbondstruktur 301 einschließlich des Endteilbereichs 303 der Drahtbondstruktur 301 ein Material (oder Materialien) aufweisen oder daraus bestehen, das (die) härter ist (sind) als das Material oder die Materialien der Metallisierungsschicht 102. Zum Beispiel kann in dem Fall, dass die Metallisierungsschicht 102 aus Kupfer hergestellt ist, die Drahtbondstruktur 301 ebenfalls aus Kupfer hergestellt sein (und somit aus einem Material sein, das dieselbe Härte besitzt wie das Material der Metallisierungsschicht) oder aus einem Material (oder Materialien, zum Beispiel einer Legierung), das/die härter ist (sind) als Kupfer. Zum Beispiel könnte die Metallisierungsschicht hergestellt sein aus Kupfer Cu99,99%, was weicher ist als Kupferdraht, der aus Cu99,94% hergestellt ist. Selbst wenn die Metallisierungsschicht 102 und die Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) aus demselben Material hergestellt sind, kann der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Endteilbereich des Bonddrahtes) eine größere Härte besitzen als die Metallisierungsschicht, was durch die spezifische Charakteristik des Ball/Wedge-Drahtbondprozesses bedingt ist.
  • So wie hierin verwendet, kann der Ausdruck „Härte” eines Materials verstanden werden als die Widerstandsfähigkeit (resistance) fester Materialien (solid materials) gegen irgendeine physikalische Änderung der permanenten Form durch Ausüben einer Kraft.
  • Die Die-Anordnung 300 weist ferner eine Die-Verkapselungsstruktur 302 auf, die an einem Befestigungsbereich 105 der Metallisierungsschicht 102 der Die-Struktur 100 befestigt ist (zum Beispiel anhaftet). Mit anderen Worten kann die Die-Verkapselungsstruktur 302 auf der rauen Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 in dem Befestigungsbereich 105 ausgebildet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann sich die Die-Verkapselungsstruktur 302 in direktem Kontakt mit der Metallisierungsschicht 102 befinden. Mit anderen Worten können die Die-Verkapselungsstruktur 302 und die Metallisierungsschicht 102 (genauer gesagt, die raue Oberfläche der Metallisierungsschicht 102 in dem Befestigungsbereich 105) eine gemeinsame Grenzfläche aufweisen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Die-Verkapselungsstruktur 302 dazu dienen, die Die-Struktur 101 einzukapseln und kann somit zum Beispiel die Die-Struktur 101 vor Beschädigungen (zum Beispiel Beschädigungen aufgrund von mechanischen Krafteinwirkungen) schützen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Die-Verkapselungsstruktur 302 aufweisen oder hergestellt sein aus einer Pressmasse (Mold Compound).
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Pressmasse mindestens eines der folgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: ein Epoxidmaterial, ein Keramikmaterial, ein Kunststoffmaterial. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Pressmasse andere Materialien aufweisen oder daraus bestehen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Die-Verkapselungsstruktur 302 eingerichtet bzw. ausgebildet sein als ein Gate- und/oder Source-Clip, wie in 5 gezeigt ist. Der Gate- und/oder Source-Clip kann zum Beispiel mittels Lötens an der rauen Metallisierungsschicht 102 (zum Beispiel rauen Cu-Metallisierung gemäß einer Ausführungsform) befestigt werden (mit anderen Worten, damit verbunden werden). Anschaulich kann die raue Metallisierungsschicht 102 (zum Beispiel raue Cu-Metallisierung) gemäß einer Ausführungsform als ein lötbares Pad eingerichtet sein zum Kontaktieren von Gate- und/oder Source-Clips wie zum Beispiel dem in 5 gezeigten.
  • 6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Anordnung 600 gemäß einer Ausführungsform.
  • Die Die-Anordnung 600 weist einen Die 101 auf. Der Die 101 kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben im Zusammenhang mit 1 beschriebenen Ausführungsformen.
  • Eine Metallisierungsschicht 102 ist auf oder über der Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet. Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht 102 weist ein raues Oberflächenprofil 103 auf. Wie in 6 gezeigt, kann die gesamte Metallisierungsschicht 102 ein raues Oberflächenprofil 103 aufweisen gemäß einer Ausführungsform. Gemäß anderen Ausführungsformen ist es möglich, dass nur ein Teil oder Teile der Metallisierungsschicht 102 ein raues Oberflächenprofil 103 haben, während ein anderer Teil oder andere Teile der Metallisierungsschicht 102 ein glattes Oberflächenprofil haben können.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 als eine Vorderseitenmetallisierungsschicht eingerichtet sein, zum Beispiel als eine Kupfervorderseitenmetallisierungsschicht gemäß einer Ausführungsform.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 als ein Pad oder als eine Mehrzahl von Pads eingerichtet sein, zum Beispiel als ein Kupferpad oder als eine Mehrzahl von Kupferpads gemäß einer Ausführungsform.
  • Die Metallisierungsschicht 102 kann zum Beispiel ferner gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Die Die-Anordnung 600 weist ferner eine Drahtbondstruktur 301 auf. Die Drahtbondstruktur 301 oder, genauer gesagt, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 ist an den Teil der Metallisierungsschicht 102, der das raue Oberflächenprofil aufweist, gebondet.
  • Die Drahtbondstruktur 301 oder, genauer gesagt, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 besitzt eine Härte, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht 102 ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht 102 ist. Mit anderen Worten kann die Drahtbondstruktur 301 ein Material (oder Materialien) aufweisen oder daraus bestehen, das (die) härter ist (sind) als das Material oder die Materialien der Metallisierungsschicht 102. Zum Beispiel kann in dem Fall, dass die Metallisierungsschicht 102 aus Kupfer hergestellt ist, die Drahtbondstruktur 301 ebenfalls aus Kupfer hergestellt sein (und somit aus einem Material sein, das dieselbe Härte besitzt wie das Material der Metallisierungsschicht) oder aus einem Material (oder Materialien, zum Beispiel einer Legierung), das (die) härter als Kupfer ist (sind), zum Beispiel einem Kupfermaterial mit einer geringeren Reinheit als das Kupfermaterial der Metallisierungsschicht 102 (zum Beispiel Cu99,9% in dem Fall, dass die Metallisierungsschicht 102 aus einem Kupfermaterial mit einer Reinheit, die höher als 99,9% ist, hergestellt ist, wie zum Beispiel Cu99,99%, Cu99,999% oder Kupfermaterial mit noch höherer Reinheit als 99,999%) oder einer Cu-Ni-Legierung oder einer Cu-Ni-Ag-Legierung. Es sollte nochmals angemerkt werden, dass, selbst wenn die Metallisierungsschicht 102 und die Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Bonddraht) aus demselben Material hergestellt sind, der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 (zum Beispiel der Endteilbereich des Bonddrahtes) eine größere Härte besitzen kann als die Metallisierungsschicht 102, was durch die spezifische Charakteristik des Ball/Wedge-Drahtbondprozesses bedingt ist.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht 102 aus reinem Kupfer mit einer hohen Reinheit von 99,99% hergestellt sein, und die Drahtbondstruktur 301 kann aus Kupfer oder einer Kupferlegierung mit einer geringeren Reinheit als 99,99% hergestellt sein.
  • Die Drahtbondstruktur 301 kann zum Beispiel ferner eingerichtet sein gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben im Zusammenhang mit 3, 4A und 4B beschriebenen Ausführungsformen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann eine Die-Verkapselungsstruktur in der Die-Anordnung 600 bereitgestellt sein (nicht gezeigt). Die Die-Verkapselungsstruktur kann an der Metallisierungsschicht 102 befestigt sein (zum Beispiel an einem Befestigungsbereich der Metallisierungsschicht 102 (zum Beispiel einem Randbereich der Metallisierungsschicht 102) gemäß einer Ausführungsform) und kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben im Zusammenhang mit 3 beschriebenen Ausführungsformen.
  • 7 zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Die-Anordnung 700 gemäß einer weiteren Ausführungsform.
  • Die Die-Anordnung 700 weist einen Die 101 auf. Der Die 101 kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben im Zusammenhang mit 1 beschriebenen Ausführungsformen.
  • Die Die-Anordnung 700 weist ferner eine Metallisierungsschicht 102 auf, die auf oder über der Vorderseite 101a des Dies 101 angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht 102 ist als ein Pad eingerichtet (gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Metallisierungsschicht 102 aufweisen oder eingerichtet sein als eine Mehrzahl oder als eine Vielzahl von Pads), zum Beispiel als ein Bondpad gemäß einer Ausführungsform (oder als eine Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads gemäß weiteren Ausführungsformen). Das Pad 102 (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads), zum Beispiel das Bondpad (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads) weist Kupfer (Cu) auf. Ferner weist das Pad 102 (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads), zum Beispiel das Bondpad (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads), ein raues Oberflächenprofil 103 auf.
  • Die Die-Anordnung 700 weist ferner eine Drahtbondstruktur 301 auf (gemäß weiteren Ausführungsformen kann die Die-Anordnung 700 eine Mehrzahl oder Vielzahl von Drahtbondstrukturen 301 aufweisen). Die Drahtbondstruktur 301 weist Kupfer (Cu) auf und ist gebondet, oder genauer gesagt ist der Endteilbereich 303 der Drahtbondstruktur 301 gebondet, an das Pad 102 (oder an die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads), zum Beispiel an das Bondpad (oder an die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads).
  • Die Drahtbondstruktur 301 kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein, zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben im Zusammenhang mit 3, 4A und 4B beschriebenen Ausführungsformen.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Pad 102 (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads, zum Beispiel das Bondpad (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads), aus Kupfer (Cu) hergestellt sein. Mit anderen Worten kann das Pad 102 (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads), zum Beispiel das Bondpad (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads), als ein Cu-Pad (zum Beispiel Cu-Bondpad) eingerichtet sein in dieser Ausführungsform. Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das Pad 102 (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Pads), zum Beispiel das Bondpad (oder die Mehrzahl oder Vielzahl von Bondpads), aus einer Kupfer enthaltenden Legierung hergestellt sein.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann eine Passivierungsschicht (oder ein Passivierungsschichtstapel) 701 neben dem Pad 102 auf der Vorderseite 101a des Dies 101 ausgebildet sein.
  • 8 zeigt ein Diagramm, das ein Verfahren 800 zum Prozessieren eines Dies gemäß einer Ausführungsform veranschaulicht.
  • In 802 wird eine Metallisierungsschicht auf oder über der Vorderseite eines Dies gebildet. Die Metallisierungsschicht weist Kupfer auf. Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht weist ein raues Oberflächenprofil auf. Der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil weist einen Drahtbondbereich und einen Befestigungsbereich auf. Die Metallisierungsschicht kann zum Beispiel ferner gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • In 804 wird eine Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich einer Drahtbondstruktur, an den Drahtbondbereich gebondet. Die Drahtbondstruktur kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • In 806 wird eine Die-Verkapselungsstruktur an dem Befestigungsbereich befestigt. Die Die-Verkapselungsstruktur kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Bilden der Metallisierungsschicht in 802 aufweisen: Bilden (zum Beispiel Abscheiden gemäß einer Ausführungsform) mindestens einer Schicht (zum Beispiel mindestens einer elektrisch leitfähigen Schicht gemäß einer Ausführungsform, zum Beispiel mindestens einer Metallschicht in einer Ausführungsform), Strukturieren der mindestens einen Schicht (zum Beispiel mit Hilfe eines Ätzprozesses), derart, dass zumindest ein Teil der mindestens einen Schicht ein raues Oberflächenprofil aufweist, und konformes Abscheiden einer Metallschicht, die Kupfer aufweist, (zum Beispiel einer Kupferschicht gemäß einer Ausführungsform) oben auf der mindestens einen strukturierten Schicht.
  • 9 zeigt ein Diagramm, das ein Verfahren 900 zum Prozessieren eines Dies gemäß einer Ausführungsform Veranschaulicht.
  • In 902 wird eine Metallisierungsschicht auf oder über der Vorderseite eines Dies gebildet. Der Die kann zum Beispiel gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht weist ein raues Oberflächenprofil auf. Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht Kupfer aufweisen. Die Metallisierungsschicht kann zum Beispiel ferner gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • In 904 wird eine Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich einer Drahtbondstruktur an den Teil der Metallisierungsschicht gebondet, der das raue Oberflächenprofil aufweist. Die Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich der Drahtbondstruktur besitzt eine Härte, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht ist. Gemäß einer Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen. Die Drahtbondstruktur kann zum Beispiel ferner gemäß einer oder mehreren der hierin beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein.
  • Eine Die-Struktur gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist einen Die auf. Die Die-Struktur weist ferner eine Metallisierungsschicht auf, die auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnet ist. Die Metallisierungsschicht weist Kupfer auf. Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht weist ein raues Oberflächenprofil auf. Der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil weist einen Drahtbondbereich auf, an den eine Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich einer Drahtbondstruktur gebondet werden soll.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht die Vorderseite des Dies nahezu vollständig bedecken.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die gesamte Metallisierungsschicht das raue Oberflächenprofil aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit (peak-to-peak roughness) von mindestens 0,1 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 5 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht aus Kupfer hergestellt sein.
  • Eine Die-Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine Die-Struktur auf. Die Die-Struktur kann gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben beschriebenen Ausführungsformen eingerichtet sein. Die Die-Anordnung weist ferner eine Drahtbondstruktur auf, die an den Drahtbondbereich der Metallisierungsschicht der Die-Struktur gebondet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen.
  • Eine Die-Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist einen Die und eine auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnete Metallisierungsschicht auf. Zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht weist ein raues Oberflächenprofil auf. Die Die-Anordnung weist ferner eine Drahtbondstruktur auf, wobei die Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, ein Endteilbereich der Drahtbondstruktur an den Teil der Metallisierungsschicht, welcher das raue Oberflächenprofil aufweist, gebondet ist. Die Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich der Drahtbondstruktur besitzt eine Härte, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht Kupfer aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit (peak-to-peak roughness) von mindestens 0,1 μm aufweisen.
  • Eine Die-Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist einen Die auf. Die Die-Anordnung weist ferner ein auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnetes Pad auf. Das Pad weist Kupfer auf und hat ein raues Oberflächenprofil. Die Die-Anordnung weist ferner eine Drahtbondstruktur auf. Die Drahtbondstruktur weist Kupfer auf und ist an das Pad gebondet.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Pad eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit (peak-to-peak roughness) von mindestens 0,1 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform können das Pad und die Drahtbondstruktur aus Kupfer hergestellt sein.
  • Ein Verfahren zum Prozessieren eines Dies gemäß einer weiteren Ausführungsform weist auf: Bilden einer Metallisierungsschicht auf oder über der Vorderseite eines Dies, wobei die Metallisierungsschicht Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil einen Drahtbondbereich aufweist; und Bonden einer Drahtbondstruktur an den Drahtbondbereich.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Bilden der Metallisierungsschicht aufweisen: Bilden mindestens einer Schicht, Strukturieren der mindestens einen Schicht, derart, dass zumindest ein Teil der mindestens einen Schicht ein raues Oberflächenprofil aufweist, und konformes Abscheiden einer Kupferschicht auf der mindestens einen strukturierten Schicht.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen.
  • Ein Verfahren zum Prozessieren eines Dies gemäß einer weiteren Ausführungsform weist auf: Bilden einer Metallisierungsschicht auf oder über der Vorderseite eines Dies, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht ein raues Oberflächenprofil aufweist; und Bonden einer Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, des Endteilbereichs der Drahtbondstruktur an den Teil der Metallisierungsschicht, der das raue Oberflächenprofil aufweist, wobei die Drahtbondstruktur oder, genauer gesagt, der Endteilbereich der Drahtbondstruktur eine Härte besitzt, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht Kupfer aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen.
  • Eine Die-Struktur gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist auf; einen Die; und eine Metallisierungsschicht, die auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht ein raues Oberflächenprofil aufweist, und wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil einen Drahtbondbereich, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll, und einen Befestigungsbereich, an dem eine Die-Verkapselungsstruktur befestigt werden soll, aufweist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht die Vorderseite des Dies nahezu vollständig bedecken.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die gesamte Metallisierungsschicht das raue Oberflächenprofil aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit (peak-to-peak roughness) von mindestens 0,1 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 5 μm aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Metallisierungsschicht aus Kupfer hergestellt sein.
  • Eine Die-Anordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist auf: eine Die-Struktur gemäß einer oder mehreren der hierin weiter oben beschriebenen Ausführungsformen; eine Drahtbondstruktur, die an den Drahtbondbereich der Metallisierungsschicht der Die-Struktur gebondet ist; und eine Die-Verkapselungsstruktur, die an dem Befestigungsbereich der Metallisierungsschicht der Die-Struktur befestigt ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Die-Verkapselungsstruktur eine Pressmasse (Mold Compound) aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Drahtbondstruktur Kupfer aufweisen.
  • Im Folgenden werden bestimmte Eigenschaften, Aspekte und Effekte von beispielhaften Ausführungsformen beschrieben.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen wird eine makroskopisch raue Oberfläche für ein Cu-Pad verwendet bei einem Cu-Drahtbondprozess. Die raue Pad-Metallisierung bietet eine makroskopische Pufferschicht an, welche eine größere Kontaktfläche zu Fügepartnern besitzt als eine glatte Oberfläche. Somit kann beim Verwenden von Ultraschalldrahtbonden (ultrasonic wire bonding) als Drahtbondprozess die Reibung zwischen einem Bonddraht und dem Pad an der Bondstelle erhöht werden. Somit kann ein verbesserter oder optimaler Kontakt zwischen Draht und Pad erreicht werden mit, verglichen zu herkömmlichen Verfahren, niedrigeren Bondparameter-Werten (zum Beispiel geringere Kraft, geringere Ultraschallenergie, kürzere Zeitdauer).
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die makroskopisch raue Pad-Oberfläche (zum Beispiel Cu-Pad-Oberfläche) gebildet oder prozessiert werden mit Hilfe eines Ätzprozesses, zum Beispiel mit Hilfe eines chemischen Ätzprozesses gemäß einer Ausführungsform, alternativ mit Hilfe eines physikalischen Ätzprozesses wie zum Beispiel einem Plasma-Ätzprozess gemäß einer Ausführungsform. Zum Beispiel kann gemäß einer Ausführungsform eine Pad-Schicht (zum Beispiel eine Cu-Pad-Schicht) abgeschieden werden und anschließend chemisch (mittels Ätzens) oder physikalisch (mittels physikalischen Ätzens) aufgeraut werden.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die makroskopisch raue Pad-Oberfläche (zum Beispiel Cu-Pad-Oberfläche) gebildet werden mittels Strukturierens einer oder mehrerer Schichten, die unter der Pad-Schicht (zum Beispiel Cu-Pad-Schicht) liegen und anschließender konformer Abscheidung (conformal deposition) der Pad-Schicht (zum Beispiel Cu-Pad-Schicht) auf die strukturierte(n) Schicht (oder Schichten).
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Prozessieren der rauen Pad-Oberfläche als Teil des Front-End-Fertigungsprozesses nach dem Wafer-Fertigungsprozess durchgeführt werden.
  • Gemäß einer alternativen Ausführungsform kann das Prozessieren der rauen Pad-Oberfläche als Teil des Back-End-Fertigungsprozesses vor dem Drahtbonden (wire bonding) (zum Beispiel Cu-Drahtbonden) durchgeführt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform können Wafer mit Cu-Pads chemisch aufgeraut werden, entweder nach dem Bilden der Cu-Oberfläche oder durch Strukturieren der darunterliegenden Schichten und anschließender konformer Cu-Abscheidung.
  • Ein Effekt der makroskopisch rauen Pad-Metallisierung (zum Beispiel rauen Cu-Pad-Metallisierung) kann darin bestehen, dass die Haftung einer Pressmasse (Mold Compound) an der rauen Oberfläche erhöht werden kann.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen wird eine makroskopisch raue Pad-Metallisierung (zum Beispiel Cu-Pad-Metallisierung) kombiniert mit Nailhead/Wedge- oder Wedge/Wedge-Drahtbonden (zum Beispiel Cu-Nailhead/Wedge- oder Wedge/Wedge-Drahtbonden).
  • Ein weiterer Aspekt kann die Verwendung dieser makroskopisch rauen Metallisierung (z. B. rauen Cu-Metallisierung) als lötbares Pad zum Kontaktieren von Gate- und/oder Source-Clips sein.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen wird eine Metallisierungsschicht, zum Beispiel ein Pad, zum Beispiel ein Cu-Pad, aufgeraut (mit anderen Worten wird die Oberfläche der Metallisierungsschicht (zum Beispiel des Pads, zum Beispiel des Cu-Pads) rau gemacht), so dass bei einem Drahtbondprozess die Kraftübertragung vom Ball (z. B. Cu-Ball) zur Metallisierungsschicht (zum Beispiel Pad (z. B. Cu-Pad)) leichter in Verformung (z. B. Cu-Verformung) umgesetzt wird. Auf diese Weise kann ein besserer Kontakt zwischen der Metallisierungsschicht (zum Beispiel dem Pad, z. B. Cu-Pad) und dem Ball (zum Beispiel Cu-Ball) erzielt werden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen können mittels Aufrauens einer Metallisierungsschicht (zum Beispiel einer Pad-Schicht, z. B. einer Cu-Pad-Schicht) Oxidschichten (zum Beispiel Pad-Oxidschichten) während eines Drahtbondprozesses losgebrochen werden, so dass ein besserer Kontakt in dem Drahtbondprozess erzielt werden kann.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen kann ein Geringe-Spannung-Bonden (Low-Stress-Bonding) oder Keine-Spannung-Bonden (No-Stress-Bonding) von Cu-Bonddrähten auf Cu-Metallisierungen (zum Beispiel Cu-Vorderseitenmetallisierungen oder Cu-Pad-Metallisierungen) erreicht werden. Mit anderen Worten kann gemäß einigen Ausführungsformen das Auftreten von signifikanter mechanischer Spannung (Stress) in der Metallisierungsschicht selbst oder in darunterliegenden aktiven Strukturen vermieden werden.
  • Gemäß einigen Ausführungsformen wird eine Oberfläche einer Vorderseitenmetallisierungsschicht (zum Beispiel Cu-Vorderseitenmetallisierung) ganzflächig aufgeraut, derart, dass insbesondere ein erster Bereich (auch als Drahtbondbereich bezeichnet) der Vorderseitenmetallisierungsschicht, an den eine oder mehrere Bonddrähte gebondet werden, und ein zweiter Bereich (auch als Befestigungsbereich oder Haftbereich bezeichnet) der Vorderseitenmetallisierungsschicht, an dem eine Die-Verkapselungsstruktur (welche zum Beispiel eine Pressmasse (Mold Compound) aufweist) befestigt wird, ein raues Oberflächenprofil aufweisen. Dadurch, dass der erste Bereich und der zweite Bereich der Vorderseitenmetallisierungsschicht das raue Oberflächenprofil aufweisen, können sowohl das Bonden des Bonddrahts (oder der Bonddrähte) an den ersten Bereich als auch die Befestigung (zum Beispiel das Anhaften) der Verkapselungsstruktur an dem zweiten Bereich verbessert werden.
  • Obwohl die Erfindung vor allem unter Bezugnahme auf bestimmte Ausführungsformen gezeigt und beschrieben worden ist, sollte von denjenigen, die mit dem Fachgebiet vertraut sind, verstanden werden, dass zahlreiche Änderungen bezüglich Ausgestaltung und Details daran vorgenommen werden können.

Claims (28)

  1. Die-Struktur, aufweisend: einen Die (101); und eine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil das Kupfer aufweist und einen Drahtbondbereich (104) aufweist, an den eine Drahtbondstruktur gebondet werden soll.
  2. Die-Struktur gemäß Anspruch 1, wobei die Metallisierungsschicht (102) eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweist.
  3. Die-Struktur gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die Metallisierungsschicht (102) die Vorderseite des Dies (101) nahezu vollständig bedeckt.
  4. Die-Struktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die gesamte Metallisierungsschicht (102) das raue Oberflächenprofil aufweist.
  5. Die-Struktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit von mindestens 0,1 μm aufweist.
  6. Die-Struktur gemäß Anspruch 5, wobei das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 5 μm aufweist.
  7. Die-Struktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Metallisierungsschicht (102) aus Kupfer hergestellt ist.
  8. Die-Anordnung, aufweisend: eine Die-Struktur (101) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7; eine Drahtbondstruktur (301), die an den Drahtbondbereich (104) der Metallisierungsschicht (102) der Die-Struktur (101) gebondet ist.
  9. Die-Anordnung gemäß Anspruch 8, wobei die Drahtbondstruktur (301) Kupfer aufweist.
  10. Die-Anordnung, aufweisend: einen Die (101); eine auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnete Metallisierungsschicht (102), wobei die gesamte Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist; und eine Drahtbondstruktur (301), die an zumindest einem Teil der Metallisierungsschicht (102), welcher das raue Oberflächenprofil aufweist, gebondet ist, wobei die Drahtbondstruktur (301) eine Härte besitzt, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht (102) ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht (102) ist.
  11. Die-Anordnung gemäß Anspruch 10, wobei die Metallisierungsschicht Kupfer aufweist.
  12. Die-Anordnung gemäß Anspruch 11, wobei die Drahtbondstruktur (301) Kupfer aufweist.
  13. Die-Anordnung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die Metallisierungsschicht (102) eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweist.
  14. Die-Anordnung gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit von mindestens 0,1 μm aufweist.
  15. Die-Anordnung, aufweisend: einen Die (101); ein auf oder über der Vorderseite des Dies angeordnetes Pad (102), wobei das Pad Kupfer aufweist und ein raues Oberflächenprofil hat; und eine Drahtbondstruktur (301), die Kupfer aufweist und an das Pad (102) gebondet ist.
  16. Die-Anordnung gemäß Anspruch 15, wobei das Pad (102) eine Dicke im Bereich von ungefähr 1 μm bis ungefähr 80 μm aufweist.
  17. Die-Anordnung gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei das raue Oberflächenprofil eine Spitze-zu-Spitze-Rauheit von mindestens 0,1 μm aufweist.
  18. Die-Anordnung gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei das Pad und die Drahtbondstruktur (301) aus Kupfer hergestellt sind.
  19. Verfahren zum Prozessieren eines Dies (101), das Verfahren aufweisend: Bilden einer Metallisierungsschicht (102) auf oder über der Vorderseite eines Dies (101), wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil das Kupfer aufweist und einen Drahtbondbereich (104) aufweist; Bonden einer Drahtbondstruktur (301) an den Drahtbondbereich (104).
  20. Verfahren gemäß Anspruch 19, wobei das Bilden der Metallisierungsschicht (102) aufweist: Bilden mindestens einer Schicht; Strukturieren der mindestens einen Schicht, derart, dass zumindest ein Teil der mindestens einen Schicht ein raues Oberflächenprofil aufweist; und konformes Abscheiden einer Kupferschicht auf der mindestens einen strukturierten Schicht.
  21. Verfahren gemäß Anspruch 20, wobei die Drahtbondstruktur (301) Kupfer aufweist.
  22. Verfahren zum Prozessieren eines Dies (101), das Verfahren aufweisend: Bilden einer Metallisierungsschicht (102) auf oder über der Vorderseite eines Dies (101), wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein raues Oberflächenprofil aufweist; und Bonden einer Drahtbondstruktur (301) an den Teil der Metallisierungsschicht (102), der das raue Oberflächenprofil aufweist, wobei die Drahtbondstruktur (301) eine Härte besitzt, die gleich der Härte der Metallisierungsschicht (102) ist oder größer als die Härte der Metallisierungsschicht (102) ist.
  23. Verfahren gemäß Anspruch 22, wobei die Metallisierungsschicht (102) Kupfer aufweist.
  24. Verfahren gemäß Anspruch 23, wobei die Drahtbondstruktur (301) Kupfer aufweist.
  25. Die-Struktur gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil ferner einen Befestigungsbereich (105), an dem eine Die-Verkapselungsstruktur (302) befestigt werden soll, aufweist.
  26. Die-Anordnung, aufweisend: eine Die-Struktur gemäß Anspruch 25; eine Drahtbondstruktur (301), die an den Drahtbondbereich (104) der Metallisierungsschicht (102) der Die-Struktur gebondet ist; und eine Die-Verkapselungsstruktur (302), die an dem Befestigungsbereich (105) der Metallisierungsschicht (102) der Die-Struktur befestigt ist.
  27. Die-Anordnung gemäß Anspruch 26, wobei die Die-Verkapselungsstruktur (302) eine Pressmasse aufweist.
  28. Die-Anordnung gemäß Anspruch 26 oder 27, wobei die Drahtbondstruktur (301) Kupfer aufweist.
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