DE102011018295A1 - Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente - Google Patents
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Abstract
In einen Träger (10) für elektrische Bauelemente (30) wird auf einer ersten Oberfläche (O10a) des Trägers in das Material des Trägers (10) ein Graben (20) eingebracht. Der Träger (10) wird durchschnitten, indem ein Schnitt (60) von einer zweiten der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche (O10b) des Trägers (10) in das Material des Trägers eingebracht wird. Die Schnittführung erfolgt derart, dass der Schnitt (60) auf der ersten Oberfläche (O10a) des Trägers durch den Graben (20) verlauft. Durch das Anbringen eines Grabens (20) in den oberflächennahen Materialschichten des Trägers (10) kann ein Herausbrechen von Material aus dem Träger beim Vereinzeln von Bauteilen (1, 2) vermieden werden.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schneiden, insbesondere zum Sägen, eines Trägers für elektrische Bauelemente, bei dem auf dem Träger angeordnete Bauteile vereinzelt werden.
- Elektrische Bauteile werden auf großflächigen Trägern, so genannten Wafern, gefertigt. Ein elektrisches Bauteil umfasst den zugehörigen Träger, auf dem elektrische Bauelemente und Kontaktanschlüsse zum Anlegen oder Abgreifen einer Spannung angeordnet sind. Bei der Herstellung der elektrischen Bauteile weist der Wafer zunächst eine Vielzahl von Bauteilen auf, die nebeneinander auf dem großflächigen Träger angeordnet sind. Zum Vereinzeln der Bauteile werden Schnitte im Material des Trägers angebracht. Dazu kann der Wafer zersägt werden. Um eine Beschädigung der Bauelemente eines Bauteils beim Vereinzeln der Bauteile zu vermeiden, müssen die Bauelemente in einem ausreichenden Abstand zu einer Sägespur angeordnet werden.
- Es ist wünschenswert, ein Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente anzugeben, wobei die für die Bauelemente auf dem Träger zur Verfügung stehende Fläche möglichst groß ist. Des Weiteren soll ein elektrisches Bauteil angegeben werden, das nach dem Verfahren hergestellt worden ist.
- Ausführungsformen des Verfahrens zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente und Ausführungsformen eines elektrischen Bauelements, das mit dem Verfahren hergestellt worden ist, sind den Patentansprüchen zu entnehmen.
- Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente zum Vereinzeln von elektrischen Bauteilen das Bereitstellen eines Trägers für elektrische Bauelemente. Ein Graben wird auf einer ersten Oberfläche des Trägers in das Material des Trägers eingebracht. Der Träger wird durchschnitten, indem ein Schnitt von einer zweiten der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche des Trägers in das Material des Trägers eingebracht wird, wobei die Schnittführung derart erfolgt, dass der Schnitt auf der ersten Oberfläche des Trägers durch den Graben verläuft.
- Der Träger kann beidseitig aktive Flächen aufweisen. Beispielsweise können die elektrischen Bauelemente auf der ersten Oberfläche des Trägers angeordnet sein und auf einer zweiten Oberfläche des Trägers, die gegenüberliegend zur der ersten Oberfläche angeordnet ist, können Kontaktanschlüsse, beispielsweise Lötbumps, angeordnet sein. Die Kontaktanschlüsse können mit den Bauelementen über Durchkontaktierungen im Material des Trägers verbunden sein. Die zweite Oberfläche kann auch mit weiteren Bauelementen, beispielsweise mit aktiven/passiven Schaltkreisen, Sensorfeldern oder Detektoren, bestückt sein. Bei den Bauelementen kann es sich um Bauelemente in CMOS-Technologie handeln. Zum Vereinzeln der auf dem Träger angeordneten Bauteile wird der Träger mittels einer Schneidevorrichtung durchschnitten. Die Schneidevorrichtung kann ein Sägeblatt sein. Zum Durchsägen des Trägers wird die Schneidevorrichtung auf der zweiten Oberfläche des Trägers aufgesetzt.
- Durch den auf der ersten Oberfläche des Trägers angeordneten Graben werden beim Durchschneiden des Materials des Trägers ausgehend von der zweiten Oberfläche Absplitterungen und Ausbrüche des Materials des Trägers auf der ersten Oberfläche des Trägers weitestgehend vermieden. Die Sägestraßenbreite bezeichnet den notwendigen Abstand zwischen zwei auf dem Träger benachbart angeordneten Bauelementen, die zu verschiedenen Bauteilen gehören. Im Vergleich zu einem Träger, bei dem im Material des Trägers auf der ersten Oberfläche keine Gräben vorgesehen sind und bei dem die notwendige Sägestraßenbreite beispielsweise 80 μm beträgt, kann durch das Einbringen eines Grabens in die erste Oberfläche des Trägers die Sägestraßenbreite deutlich, beispielsweise auf 50 μm oder weniger, je nach Dicke des Wafers/der Bauelemente, reduziert werden. Somit kann die auf der ersten Oberfläche zum Anordnen von elektrischen Bauelementen zur Verfügung stehende Fläche deutlich erhöht werden.
- Eine Ausführungsform eines elektrischen Bauteils umfasst einen Träger mit elektrischen Bauelementen, die auf einer ersten Oberfläche des Trägers angeordnet sind. Der Träger weist an einem Rand der ersten Oberfläche des Trägers eine Einkerbung, die durch das Einbringen des Grabens in den Träger bedingt ist, auf.
- Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren, die Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zeigen, näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente, -
2 eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente mit Einbringen von Gräben in der Sägestraße auf einer Oberfläche des Trägers, -
3 eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente mit Einbringen von Schnitten durch den Träger zum Vereinzeln von Bauteilen, -
4 eine Ausführungsform eines in einen Träger eingebrachten Grabens in einer vergrößerten Darstellung, -
5 eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden eines Trägers mit in eine Oberfläche des Trägers eingebrachten Graben, -
6 eine Ausführungsform eines elektrischen Bauteils mit einer in eine Oberfläche des Trägers eingebrachten Einkerbung. - Zur Herstellung von elektrischen Bauteilen wird eine Vielzahl der Bauteile auf einem Träger, beispielsweise einem Wafer aus Silizium, angeordnet. Zum Vereinzeln der Bauteile wird der Wafer mit einer Schneidevorrichtung durchschnitten.
-
1 zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden eines Trägers10 für elektrische Bauteile1 ,2 . Jedes der Bauteile1 ,2 umfasst einen Teil des Träger10 , elektrische Bauelemente30 und Kontaktanschlüsse40 . Die Bauelemente30 können beispielsweise Chipbauelemente sein, die in CMOS-Technologie gefertigt sind. Sie können aktive Komponenten und/oder passive Komponenten, beispielsweise Induktivitäten, Kondensatoren oder Oberflächenwellenfilter, enthalten. Die elektrischen Bauelemente30 sind auf einer Oberfläche O10a des Trägers10 angeordnet. Die Kontaktanschlüsse40 sind auf einer der Oberfläche O10a gegenüberliegend angeordneten Oberfläche O10b des Trägers10 angeordnet. Die Verbindung zwischen den Bauelementen30 und den Kontaktanschlüssen40 erfolgt durch Durchkontaktierungen im Material des Trägers10 . Der Wafer10 kann auf der Oberfläche O10b auch weitere Bauteile30 aufweisen. Auf der Oberfläche O10a ist eine Sägefolie50 angebracht, die die Oberfläche O10a und die Bauelemente30 überdeckt. Die Folie kann mit einem Kleber beschichtet sein und kann einstückig über den gesamten Träger10 aufgeklebt sein. - Zum Vereinzeln der elektrischen Bauteile
1 ,2 wird der Träger10 von einer Schneidevorrichtung100 durchschnitten. Die Schneidevorrichtung100 kann beispielsweise als eine Sägevorrichtung mit einem Sägeblatt ausgebildet sein. Das Sägeblatt wird von einer Antriebsvorrichtung200 bewegt. Zum Vereinzeln der elektrischen Bauteile wird das Sägeblatt100 auf der Oberfläche O10b des Trägers aufgesetzt und ein Schnitt60 in den Träger30 eingebracht. Die Schnittführung des Sägeblatts100 ist derart, dass das Material des Trägers10 komplett durchschnitten wird. Die Sägefolie wird nicht komplett durchtrennt. Nach dem Vereinzeln haften die einzelnen Bauteile1 ,2 somit auf der Folie50 . - Beim Zersägen des Trägers
10 kommt es auf der Oberfläche O10a zum Ausbrechen von Materialstücken aus dem Material des Trägers10 , wenn das Sägeblatt aus den oberflächennahen Materialschichten hervortritt. Während auf der Oberfläche O10b durch das Sägeblatt eine Beschädigung der Oberfläche in einer Umgebung von ungefähr 10 μm um den Schnitt60 herum erfolgt, treten auf der Oberfläche O10a gröbere Ausbrüche des Materials des Trägers10 auf. Durch die Ausbrüche und Beschädigungen des Materials kann auf der Oberfläche O10a eine Fläche im Abstand von ungefähr 100 μm zu beiden Seiten des Schnitts60 als aktive Fläche zum Anbringen von Bauelementen nicht verwendet werden. Aus Sicherheitsgründen wird beispielsweise eine Sägestraßenbreite zwischen 180 μm und 250 μm angenommen, die nicht als Fläche zum Bestücken mit Bauelementen auf der Oberfläche O10a zur Verfügung steht. - In den
2 und3 ist eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Schneiden des Trägers10 zum Vereinzeln von elektrischen Bauteilen1 ,2 ,3 und4 gezeigt. Der Träger10 kann ein Wafer aus einem Material aus Silizium sein, der eine Vielzahl von Bauteilen enthält. Jedes Bauteil umfasst einen Teil des Trägers10 , elektrische Bauelemente30 und Kontaktanschlüsse40 zum Anlegen oder Abgreifen einer Spannung. Die Bauteile können beidseitig aktive Flächen aufweisen. Die elektrischen Bauelemente30 können beispielsweise auf einer Oberfläche O10a des Trägers10 angeordnet sein. Auf einer der Oberfläche O10a gegenüberliegenden Oberfläche O10b des Trägers können die Kontaktanschlüsse40 , beispielsweise Lötbumps, und/oder weitere elektrische Bauelemente30 angeordnet sein. Über Durchkontaktierungen70 im Inneren des Trägers können die elektrischen Bauelemente30 mit den Kontaktanschlüssen40 verbunden sein. Die Bauelemente30 können beispielsweise in CMOS-Technologie hergestellt sein. Sie können aktive und passive Komponenten, beispielsweise Kondensatoren, Induktivitäten oder Oberflächenwellenfilter, enthalten. - Zum Vereinzeln der elektrischen Bauteile
1 ,2 ,3 und4 wird das Material des Trägers10 durchschnitten. Vor dem Durchschneiden des kompletten Trägers10 wird auf der Oberfläche O10a des Trägers ein Graben20 in das Material des Trägers10 eingebracht. Der Graben kann beispielsweise durch ein mechanisches Bearbeitungsverfahren, zum Beispiel durch Sägen, in das Material des Trägers eingebracht werden. Dazu kann eine Antriebsvorrichtung200 mit einer Schneidevorrichtung100a gekoppelt. Die Schneidevorrichtung kann beispielsweise ein Sägeblatt100a aufweisen, das eine Breite B100a, beispielsweise eine Breite zwischen 15 μm und 80 μm, aufweisen. Vorzugsweise weist die Schneidevorrichtung100a eine Breite von 40 μm auf. Die Sägestraßenbreite kann dann beispielsweise 45 μm betragen. Die Gräben werden durch Einsägen der Oberfläche O10a in den Wafer eingebracht. Bei diesem Vorsägeprozess wird der Träger nicht komplett durchschnitten, sondern es werden nur die oberflächennahen Schichten des Trägers entfernt. - Zum Einbringen des Grabens
20 in das Material des Trägers10 kann alternativ zum Sägen ein Ätzverfahren angewandt. Der Graben kann beispielsweise durch Trockenätzen in das Material des Trägers10 eingebracht werden. Dazu wird eine entsprechende Maske verwendet. Die Maske weist beispielsweise die Breite des Trägers auf. - Während des Einbringens der Gräben ist der Träger auf einer Folie
50 fixiert. Die Folie50 kann auf der Oberfläche O10b des Trägers aufgebracht sein. Es kann sich beispielsweise um eine klebstoffbeschichtete Folie handeln. Die Folie ist vorzugsweise auf der Oberfläche O10b des Trägers derart angeordnet, dass die Kontaktanschlüsse40 , die beispielsweise als Lötkugeln mit einer Höhe von 80 μm ausgebildet sein können, in das Material der Folie eintauchen und somit komplett von dem Material der Folie umgeben sind. Des Weiteren haftet die Folie unmittelbar auf der Oberfläche O10b des Trägers und insbesondere am Rand des Trägers nahezu hermetisch dicht, so dass Kontaminierungen der Oberfläche O10b mit Schmutzpartikeln oder Wasser vermieden werden können. -
3 zeigt den Schritt zum Vereinzeln der Bauteile1 ,2 ,3 und4 . Dazu wird die Folie50 auf der Oberfläche O10a des Trägers und über den Bauelementen30 angeordnet. Die Folie kann beispielsweise mit einem Kleber beschichtet sein und auf die Oberfläche O10a und die Bauelemente30 aufgeklebt werden. - Eine Schneidevorrichtung
100b ist mit einer Antriebseinheit200 gekoppelt. Zum Vereinzeln der Bauteile1 ,2 ,3 und4 wird der Träger10 von der Schneidevorrichtung100b durchtrennt. Zum Durchschneiden des Trägers10 wird die Schneidevorrichtung100b auf der Oberfläche O10b des Trägers aufgesetzt. Die Schneidevorrichtung100b kann ein Sägeblatt mit einer Sägblattbreite von 25 μm aufweisen, was in etwa einer Sägestraßenbreite von 30 μm entspricht. Die Positionierung der Schneidevorrichtung100b auf der Oberfläche O10a erfolgt dabei mit einer Positionierungsgenauigkeit. Die Positionierungsgenauigkeit kann zwischen +/–10 μm und vorzugsweise zwischen +/–5 μm betragen. Beim Durchschneiden des Materials des Trägers10 entsteht im Material des Trägers10 ein Schnitt60 . Die Schneidevorrichtung100b dringt auf der Oberfläche O10b in das Material des Trägers ein und tritt an der Oberfläche O10a wieder hervor. Die Schnittführung erfolgt derart, dass der Schnitt60 durch den Graben20 auf der Oberfläche O10a verläuft. In einer bevorzugten Ausführungsform verläuft die Schnittführung mittig durch den Graben20 . Nach dem Vereinzeln der Bauteile haften die einzelnen Bauteile1 ,2 ,3 und4 auf der Folie50 und können von dieser abgezogen werden. - Durch das Einbringen des Grabens
20 auf der Oberfläche O10a des Trägers10 können Materialausbrüche beim Durchsägen des Trägers10 im Bereich der oberflächennahen Materialschichten weitestgehend vermieden werden. Somit kann der notwendige Abstand zwischen den elektrischen Bauelementen30 unterschiedlicher Bauteile gegenüber der in1 gezeigten Ausführungsform verringert werden. Der freizuhaltende Bereich auf der Oberfläche O10a kann beispielsweise auf50 μm reduziert werden. -
4 zeigt eine Ausführungsform des Grabens20 in einer vergrößerten Darstellung. Der Graben20 weist eine Breite B20 und eine Tiefe T20 auf. Der in das Material des Trägers10 eingebrachte Schnitt60 weist eine Breite B60 auf, wobei die Breite B60 im Wesentlichen der Breite des Sägeblatts B100 entspricht. Der Graben20 kann beispielsweise mittig zu der Schnittführung des Schnitts60 im Material des Trägers10 verlaufen. Dies ist dann gegeben, wenn das Sägeblatt100 beim Durchsägen des Trägers zentriert in dem Graben20 aus dem Material des Trägers10 hervortritt. - Die Breite des Grabens
20 kann in Abhängigkeit von der Breite B60 des Schnitts60 beziehungsweise der Breite B100 des Sägeblatts100b gewählt werden. Das Sägeblatt100a kann breiter als das Sägeblatt100b ausgeführt sein, so dass der Graben beispielsweise 10 μm bis 30 μm breiter als die Breite B100b des Sägeblatts100b der Sägevorrichtung ist. Des Weiteren kann die Breite des Grabens zusätzlich in Abhängigkeit von der Positionierungsgenauigkeit, mit der die Schneidevorrichtung100b auf die Oberfläche O10b des Trägers10 aufgesetzt wird, gewählt werden. Der Graben20 kann beispielsweise mit einer Breite B20, die der Breite B100b des Sägeblatts100b beziehungsweise des Schnitts60 zuzüglich der Positionierungsgenauigkeit der Schneidevorrichtung100b entspricht, in das Material des Trägers10 eingebracht werden. Wenn der Graben mittels der Schneidevorrichtung100a eingebracht wird, ist die Breite B100a der Schneidevorrichtung entsprechend zu wählen. - Wenn das Sägeblatt
100b beispielsweise eine Breite B100b zwischen 10 μm und 50 μm aufweist und die Positionierungsgenauigkeit zwischen +/–5 μm beträgt, kann der Graben20 eine Breite B20 zwischen 15 μm und 80 μm aufweisen. Als besonders günstig hat es sich erwiesen, den Graben mit einer Breite von mehr als 20 μm, vorzugsweise mit einer Breite von 40 μm, in dem Material des Trägers10 vorzusehen. Dazu kann ein Breite B100a des Sägeblatts beispielsweise 40 μm betragen. Der Graben kann mit einer Tiefe T20 von mehr als 10 μm und vorzugsweise mit einer Tiefe von 20 μm ausgehend von der Oberfläche O10a in das Material des Trägers10 eingebracht werden. -
5 zeigt eine Ausführungsform des Trägers10 vor dem Vereinzeln. In dem Material des Trägers sind die Gräben20 auf der Oberfläche O10a des Trägers10 schachbrettartig angeordnet. Die Graben können jeweils rechtwinklig zueinander verlaufen. Zum Vereinzeln der elektrischen Bauteile wird der Träger10 ausgehend von der zur Oberfläche O10a gegenüberliegend angeordneten Oberfläche O10b von einer Schneidevorrichtung, beispielsweise einem Sägeblatt, durchschnitten. Wenn das Sägeblatt das Material des Trägers10 vollständig durchschnitten hat und in dem Graben20 mündet, kann ein Ausbrechen von Materialstücken aus der Oberfläche O10a nahezu gänzlich verhindert werden. Die für die Bestückung der Oberfläche O10a nicht zu verwendende Fläche wird durch die Breite des Grabens20 vorgegeben. Somit kann die zwischen zwei Bauteilen freizuhaltende Fläche gegenüber einer Ausführungsform ohne den Graben20 deutlich reduziert werden. -
6 zeigt eine Ausführungsform eines elektrischen Bauteils1 nach dem Vereinzeln. Das elektrische Bauteil1 weist ein auf der Oberfläche O10a des Trägers10 angeordnetes Bauelement30 auf. Auf der Oberfläche O10b sind zum Beispiel die Kontaktanschlüsse40 , Sensorfelder, Detektoren oder sonstige aktive/passive Bauelemente angeordnet. Die Kontaktanschlüsse40 sind über Durchkontaktierungen70 im Material des Trägers10 mit dem Bauelement30 verbunden. Zwischen den Oberflächen O10a und O10b weist das Bauteil Seitenflächen S10 auf. - Der Träger
10 weist an den Rändern R10a der Oberfläche O10a eine Einkerbung80 auf, die durch den Graben bedingt ist. Die Einkerbung kann als ein Absatz im Material des Trägers10 ausgebildet sein. Die Einkerbung ist zwischen der Oberfläche O10a und der Seitenfläche S10 des Bauteils1 angeordnet. Die Einkerbung80 weist ungefähr die Hälfte der Breite B20 des Grabens20 abzüglich der Breite B60 des Schnitts60 auf. Sie kann beispielsweise eine Breite B20' von mehr als 10 μm und eine Tiefe T20 von mehr als 10 μm aufweisen. - Bezugszeichenliste
-
- 1
- elektrisches Bauteil
- 10
- Träger
- 20
- Graben
- 30
- elektrisches Bauelement
- 40
- Kontaktanschluss
- 50
- Folie
- 60
- Schnitt
- 70
- Durchkontaktierung
- 80
- Einkerbung
- 100a, 100b
- Schneidevorrichtung, Sägeblatt
- 200
- Antriebsvorrichtung
Claims (15)
- Verfahren zum Schneiden eines Trägers für elektrische Bauelemente, umfassend: – Bereitstellen eines Trägers (
10 ) für elektrische Bauelemente (30 ), – Einbringen eines Grabens (20 ) auf einer ersten Oberfläche (O10a) des Trägers in das Material des Trägers (10 ), – Durchschneiden des Trägers (10 ) durch Einbringen eines Schnitts (60 ) von einer zweiten der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche (O10b) des Trägers (10 ) in das Material des Trägers, wobei die Schnittführung derart erfolgt, dass der Schnitt auf der ersten Oberfläche (O10a) des Trägers durch den Graben (20 ) verläuft. - Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Graben (
20 ) mit einer Breite (B20), die größer als die Breite (B60) des Schnitts (60 ) ist, in das Material des Trägers eingebracht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, – wobei der Schnitt (
60 ) mit einer Schneidevorrichtung (100b ) in das Material des Trägers eingebracht wird, – wobei die Schneidevorrichtung (100b ) mit einer Positionierungsgenauigkeit auf die zweite Oberfläche (O10b) des Trägers aufgesetzt wird, – wobei die Breite des Grabens (60 ) der Breite der Schneidevorrichtung (100b ) zuzüglich der Positionierungsgenauigkeit, mit der die Schneidevorrichtung (100b ) auf die zweite Oberfläche (O10b) des Trägers aufgesetzt wird, entspricht. - Verfahren nach Anspruch 3, – wobei als Schneidevorrichtung (
100b ) ein Sägeblatt verwendet wird, – wobei die Breite (B100b) des Sägeblatts der Schneidevorrichtung (100b ) derart gewählt wird, dass der Schnitt eine Breite (B60) zwischen 10 μm und 50 μm, vorzugsweise eine Breite von 30 μm, aufweist. - Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Positionierungsgenauigkeit der Schneidevorrichtung (
100b ) zwischen +/–5 μm beträgt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, – wobei der Graben (
20 ) mit einer weiteren Schneidevorrichtung (100a ), die ein Sägeblatt aufweist, in das Material des Trägers (10 ) eingebracht wird, – wobei die Breite (B100a) des Sägeblatts der weiteren Schneidevorrichtung (100a ) derart gewählt wird, dass der Graben (20 ) mit einer Breite (B20) zwischen 15 μm und 80 μm, vorzugsweise mit einer Breite (B20) von 40 μm, in das Material des Trägers (10 ) eingebracht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Graben (
20 ) mit einer Tiefe (T20) von mehr als 10 μm, vorzugsweise von mehr als 20 μm, in das Material des Trägers (10 ) eingebracht wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend: Anbringen der elektrischen Bauelemente (
30 ) auf der ersten Oberfläche (O10a) des Trägers (10 ). - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, umfassend: Anbringen von Kontaktanschlüssen (
40 ) auf der zweiten Oberfläche (O10b) des Trägers (10 ). - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend: Anbringen einer Folie (
50 ) auf der ersten Oberfläche (O10a) des Trägers (10 ). - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei der Graben (
20 ) durch ein Ätzverfahren, insbesondere durch Trockenätzen, oder durch ein mechanisches Bearbeitungsverfahren, insbesondere durch Sägen, in das Material des Trägers (10 ) eingebracht wird. - verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei der Träger (
10 ) als ein Wafer, insbesondere aus einem Material aus Silizium, ausgebildet ist. - Elektrisches Bauteil, umfassend: – einen Träger (
10 ) mit elektrischen Bauelementen (30 ), die auf einer ersten Oberfläche (O10a) des Trägers angeordnet sind, – wobei der Träger (10 ) an einem Rand (R10a) der ersten Oberfläche (O10a) des Trägers eine Einkerbung (80 ) aufweist. - Elektrisches Bauteil nach Anspruch 13, wobei die Einkerbung eine Breite (B20') von mehr als 10 μm und eine Tiefe von mehr als 10 μm aufweist.
- Elektrisches Bauteil nach einem der Ansprüche 13 oder 14, – wobei der Träger (
10 ) als ein Wafer, insbesondere aus einem Material aus Silizium, ausgebildet ist, – wobei der Träger eine zweite zu der ersten Oberfläche gegenüberliegende Oberfläche (O10b) aufweist, – wobei auf der zweiten Oberfläche (O10b) des Trägers Kontaktanschlüsse (40 ) angeordnet sind.
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DE102015110429A1 (de) * | 2015-06-29 | 2017-01-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
US10269756B2 (en) * | 2017-04-21 | 2019-04-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Die processing |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005055310A2 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Schott Ag | Process for packaging components, and packaged components |
US20080277806A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof |
US7622365B2 (en) * | 2008-02-04 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing including dicing |
US7674689B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-03-09 | Infineon Technologies Ag | Method of making an integrated circuit including singulating a semiconductor wafer |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3817600C2 (de) * | 1987-05-26 | 1994-06-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem keramischen Substrat und einem integrierten Schaltungskreis |
US5128282A (en) * | 1991-11-04 | 1992-07-07 | Xerox Corporation | Process for separating image sensor dies and the like from a wafer that minimizes silicon waste |
US5656547A (en) | 1994-05-11 | 1997-08-12 | Chipscale, Inc. | Method for making a leadless surface mounted device with wrap-around flange interface contacts |
KR100462980B1 (ko) * | 1999-09-13 | 2004-12-23 | 비쉐이 메저먼츠 그룹, 인코포레이티드 | 반도체장치용 칩 스케일 표면 장착 패키지 및 그 제조공정 |
JP2004006585A (ja) | 2002-04-24 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路装置の製造方法 |
US7187060B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-03-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with shield |
US7129114B2 (en) * | 2004-03-10 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Methods relating to singulating semiconductor wafers and wafer scale assemblies |
US7268012B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-09-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabrication of thin semiconductor assemblies including redistribution layers and packages and assemblies formed thereby |
US7265034B2 (en) * | 2005-02-18 | 2007-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of cutting integrated circuit chips from wafer by ablating with laser and cutting with saw blade |
JP2007311378A (ja) | 2006-05-16 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7435664B2 (en) * | 2006-06-30 | 2008-10-14 | Intel Corporation | Wafer-level bonding for mechanically reinforced ultra-thin die |
JP2008288285A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Sharp Corp | 積層基板の切断方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、発光装置及びバックライト装置 |
US7553752B2 (en) * | 2007-06-20 | 2009-06-30 | Stats Chippac, Ltd. | Method of making a wafer level integration package |
WO2009026440A2 (en) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | John D. Brush & Co., Inc. | Bucket-style fire resistant enclosure and a method for making the same |
US20090166844A1 (en) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Xuejiao Hu | Metal cover on flip-chip matrix-array (fcmx) substrate for low cost cpu assembly |
JP5108496B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2012-12-26 | 三洋電機株式会社 | 回路基板およびその製造方法、回路装置およびその製造方法 |
US8110441B2 (en) | 2008-09-25 | 2012-02-07 | Stats Chippac, Ltd. | Method of electrically connecting a shielding layer to ground through a conductive via disposed in peripheral region around semiconductor die |
US9136144B2 (en) * | 2009-11-13 | 2015-09-15 | Stats Chippac, Ltd. | Method of forming protective material between semiconductor die stacked on semiconductor wafer to reduce defects during singulation |
-
2011
- 2011-04-20 DE DE102011018295.0A patent/DE102011018295B4/de active Active
-
2012
- 2012-04-17 US US14/112,233 patent/US9961777B2/en active Active
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005055310A2 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Schott Ag | Process for packaging components, and packaged components |
US20080277806A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor wafer with assisting dicing structure and dicing method thereof |
US7674689B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-03-09 | Infineon Technologies Ag | Method of making an integrated circuit including singulating a semiconductor wafer |
US7622365B2 (en) * | 2008-02-04 | 2009-11-24 | Micron Technology, Inc. | Wafer processing including dicing |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
WIKIPEDIA: Dual in-line package. 8. Oktober 2011, WIKIPEDIA [online]. In: http://de.wikipedia.org/wiki/Dual_in-line_package * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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