DE102010023119A1 - Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken - Google Patents

Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken Download PDF

Info

Publication number
DE102010023119A1
DE102010023119A1 DE102010023119A DE102010023119A DE102010023119A1 DE 102010023119 A1 DE102010023119 A1 DE 102010023119A1 DE 102010023119 A DE102010023119 A DE 102010023119A DE 102010023119 A DE102010023119 A DE 102010023119A DE 102010023119 A1 DE102010023119 A1 DE 102010023119A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
plasma
chamber
process gas
station
channel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102010023119A
Other languages
English (en)
Inventor
Sönke Siebels
Hartwig Müller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KHS GmbH
Original Assignee
KHS Corpoplast GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KHS Corpoplast GmbH filed Critical KHS Corpoplast GmbH
Priority to DE102010023119A priority Critical patent/DE102010023119A1/de
Priority to PCT/DE2011/001158 priority patent/WO2011153993A1/de
Priority to US13/702,662 priority patent/US20130186336A1/en
Priority to JP2013513554A priority patent/JP5789659B2/ja
Priority to EP11754610.1A priority patent/EP2576857A1/de
Publication of DE102010023119A1 publication Critical patent/DE102010023119A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D23/00—Details of bottles or jars not otherwise provided for
    • B65D23/02—Linings or internal coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

Die Vorrichtung dient zur Plasmabehandlung von Werkstücken. Das Werkstück wird in eine zumindest teilweise evakuierbare Kammer einer Behandlungsstation eingesetzt. Die Plasmakammer ist von einem Kammerboden, einem Kammerdeckel sowie einer seitlichen Kammerwandung begrenzt. Die Plasmakammer ist mit einer Einrichtung zur steuerbaren Zuführung und/oder Ableitung von Prozeßgasen gekoppelt. Die Plasmakammer ist darüber hinaus auf einem rotationsfähigen Plasmarad angeordnet, das von einem stationären ndestens ein Prozeßgaskanal angeordnet, der mindestens bereichsweise von einer Abdeckung begrenzt ist. Die Abdeckung ist als Teil des Plasmarades ausgebildet und weist mindestens eine Verbindungsöffnung zum Prozeßgaskanal auf. Die Verbindungsöffnung ist über einen Verbindungskanal und mindestens ein Steuerventil mit einem Innenraum der Plasmakammer koppelbar.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken, die mindestens eine evakuierbare Plasmakammer zur Aufnahme der Werkstücke aufweist und bei der die Plasmakammer im Bereich einer Behandlungsstation angeordnet ist, sowie bei der die Plasmakammer von einem Kammerboden, einem Kammerdeckel sowie einer seitlichen Kammerwandung begrenzt ist und bei der die Plasmakammer mit einer Einrichtung zur steuerbaren Zuführung und/oder Ableitung von Prozeßgasen.
  • Derartige verfahren und Vorrichtungen werden beispielsweise eingesetzt, um Kunststoffe mit Oberflächenbeschichtungen zu versehen. Insbesondere sind auch bereits derartige Vorrichtungen bekannt, um innere oder äußere Oberflächen von Behältern zu beschichten, die zur Verpackung von Flüssigkeiten vorgesehen sind. Darüber hinaus sind Einrichtungen zur Plasmasterilisation bekannt.
  • In der PCT-WO 95/22413 wird eine Plasmakammer zur Innenbeschichtung von Flaschen aus PET beschrieben. Die zu beschichtenden Flaschen werden durch einen beweglichen Boden in eine Plasmakammer hineingehoben und im Bereich einer Flaschenmündung mit einem Adapter in Verbindung gebracht. Durch den Adapter hindurch kann eine Evakuierung des Flascheninnenraumes erfolgen. Darüber hinaus wird durch den Adapter hindurch eine hohle Gaslanze in den Innenraum der Flaschen eingeführt, um Prozeßgas zuzuführen. Eine Zündung des Plasmas erfolgt unter Verwendung einer Mikrowelle.
  • Aus dieser Veröffentlichung ist es auch bereits bekannt, eine Mehrzahl von Plasmakammern auf einem rotierenden Rad anzuordnen. Hierdurch wird eine hohe Produktionsrate von Flaschen je Zeiteinheit unterstützt.
  • In der EP-OS 10 10 773 wird eine Zuführeinrichtung erläutert, um einen Flascheninnenraum zu evakuieren und mit Prozeßgas zu versorgen. In der PCT-WO 01/31680 wird eine Plasmakammer beschrieben, in die die Flaschen von einem beweglichen Deckel eingeführt werden, der zuvor mit einem Mündungsbereich der Flaschen verbunden wurde.
  • Die PCT-WO 00/58631 zeigt ebenfalls bereits die Anordnung von Plasmastationen auf einem rotierenden Rad und beschreibt für eine derartige Anordnung eine gruppenweise Zuordnung von Unterdruckpumpen und Plasmastationen, um eine günstige Evakuierung der Kammern sowie der Innenräume der Flaschen zu unterstützen. Darüber hinaus wird die Beschichtung von mehreren Behältern in einer gemeinsamen Plasmastation bzw. einer gemeinsamen Kavität erwähnt.
  • Eine weitere Anordnung zur Durchführung einer Innenbeschichtung von Flaschen wird in der PCT-WO 99/17334 beschrieben. Es wird hier insbesondere eine Anordnung eines Mikrowellengenerators oberhalb der Plasmakammer sowie eine Vakuum- und Betriebsmittelzuleitung durch einen Boden der Plasmakammer hindurch beschrieben.
  • In der DE 10 2004 020 185 A1 wird bereits eine Gaslanze beschrieben, die in den Innenraum eines zu beschichtenden Vorformlings einfahrbar ist und zur Zuleitung von Prozeßgasen dient. Die Gaslanze ist in der Längsrichtung des Behälters positionierbar.
  • Bei der überwiegenden Anzahl der bekannten Vorrichtungen werden zur Verbesserung von Barriereeigenschaften des thermoplastischen Kunststoffmaterials durch das Plasma erzeugte Behälterschichten aus Siliziumoxiden mit der allgemeinen chemischen Formel SiOx verwendet. Derartige Barriereschichten verhindern ein Eindringen von Sauerstoff in die verpackten Flüssigkeiten sowie ein Austreten von Kohlendioxid bei CO2-haltigen Flüssigkeiten.
  • Die Plasmastationen sind typischerweise an Unterdruckquellen mit unterschiedlich hohen Unterdrücken anzuschließen, darüber hinaus ist es erforderlich, zur Durchführung der Plasmabehandlung unterschiedliche Prozeßgase zuzuführen. Die Steuerung dieser Zuführung und Ableitung von Prozeßgasen erfolgt typischerweise unter Verwendung von Steuerventilen, die ausgangsseitig mit der Plasmakammer und eingangeseitig über Verbindungsleitungen mit den zugeordneten Prozeßgasquellen verbunden sind. Die entsprechende Verbindung mit den Prozeßgasquellen gestaltet sich relativ aufwendig, wenn die Plasmakammern gemeinsam mit den Ventilen auf einem rotationsfähigen Plasmarad angeordnet sind. In diesem Fall werden die Ventile zunächst über Leitungen mit einem Drehverteiler verbunden, der dann seinerseits über weitere Verbindungsleitungen mit den stationär angeordneten Prozeßgasquellen verbunden wird.
  • Die vorstehend beschriebene Verbindungstechnik führt zu einer Vielzahl von Kupplungen und Verbindungselementes, die bei längeren Betriebszeiten undicht werden können. Hinsichtlich der Verbindung der Plasmakammern mit den Unterdruckquellen werden darüber hinaus relativ große Leitungsquerschnitte erforderlich, um Strömungsverluste zu vermeiden.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Vorrichtung der einleitend genannten Art derart zu konstruieren, daß eine effektive Prozeßgasversorgung der Plasmakammern unterstützt wird.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Plasmakammer auf einem rotationsfähigen Plasmarad angeordnet ist, das von einem stationären Sockel gelagert und daß im Bereich des Sockels mindestens ein Prozeßgaskanal angeordnet ist, der mindestens bereichsweise von einer Abdeckung begrenzt ist, die als Teil des Plasmarades ausgebildet ist, sowie daß die Abdeckung mindestens eine Verbindungsöffnung zum Prozeßgaskanal aufweist, die über einen Verbindungskanal und mindestens ein Steuerventil mit einem Innenraum der Plasmakammer koppelbar ist.
  • Die Anordnung des Prozeßgaskanals stationär im Bereich des Sockels sowie die Anordnung des Steuerventils im Bereich der mit dem Plasmarad rotierenden Abdeckung ermöglicht eine äußerst kompakte Konstruktion. Der Prozeßgaskanal kann sich in unmittelbarer räumlicher Nähe der Plasmakammer erstrecken und mit einem großen Querschnitt versehen werden. Die Versorgung der Plasmakammer erfolgt hierdurch mit einem geringen Strömungswiderstand. Darüber hinaus wird die Anzahl der miteinander zu verbindenden Bauelemente gegenüber dem Stand der Technik erheblich vermindert und hierdurch die Gefahr von Leckagen reduziert. Hinsichtlich des laufenden Betriebes werden darüber hinaus erforderliche Service- und Wartungsarbeiten minimiert.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist insbesondere dafür geeignet, den Ablauf eines Beschichtungsverfahrens für Flaschen aus Kunststoff zu unterstützen. Es erfolgt hierbei insbesondere eine Innenbeschichtung dieser Flaschen mit einer Schicht aus SiOx, wobei die Haftung der Schicht aus SiOx auf dem Kunststoff durch eine Zwischenschicht verbessert werden kann, die als ein Haftvermittler ausgebildet ist. Das Beschichtungsverfahren wird vorzugsweise als ein PICVD-Plasmaprozess durchgeführt (Plasma impuls induced chemical vapour deposition). Bei einem derartigen Verfahren wird das Plasma unter Verwendung von Pulsen einer Mikrowelle gezündet. Die Pulse können hinsichtlich ihrer Pulsbreite, des Pulsabstandes sowie der Pulshöhe gesteuert werden.
  • Eine Abdichtung zwischen der Abdeckung und den Wandungen des Prozeßgaskanals wird dadurch vereinfacht, daß sich der Prozeßgaskanal im Wesentlichen konzentrisch zu einer Rotationsachse des Plasmarades erstreckt.
  • Eine kompakte Konstruktion wird dadurch unterstützt, daß das Steuerventil im Bereich eines Ventilblockes angeordnet ist.
  • Ebenfalls wird die Kompaktheit der Anordnung dadurch unterstützt, daß sich innerhalb des Ventilblockes mindestens ein das Steuerventil mit der Plasmastation verbindender Kanal erstreckt.
  • Eine gleichzeitige Versorgung einer Mehrzahl von Kavitäten wird dadurch unterstützt, daß der Kanal mindestens eine Kanalverzweigung zur Verbindung des Steuerventils mit mindestens zwei Kavitäten aufweist.
  • Die Zuführung und Ableitung zu behandelnder Werkstücke wird dadurch erleichtert, daß die Kavitäten reihenartig entlang eines Umfanges des Plasmarades angeordnet sind.
  • Im Wesentlichen ausschließlich horizontal verlaufende Transportwege der Werkstücke können dadurch erreicht werden, daß eine Kammerwandung der Plasmastation in einer vertikalen Richtung positionierbar angeordnet ist.
  • Eine lange Betriebsfähigkeit der Mikrowellengeneratoren wird dadurch unterstützt, daß ein Mikrowellengenerator relativ zu einem Stationsrahmen der Plasmastation unbeweglich angeordnet ist.
  • Eine kompakte Konstruktion des Plasmarades sowie eine gute Zugänglichkeit wird dadurch unterstützt, daß der Plasmakanal relativ zur Plasmastation innenliegend auf dem Plasmarad angeordnet ist.
  • Ebenfalls trägt es zu einer kompakten Konstruktion sowie zu einer guten Zugänglichkeit bei, daß der Prozeßgaskanal eine im Wesentlichen rechteckförmige Querschnittfläche aufweist und in lotrechter Richtung nach oben von der Abdeckung begrenzt ist.
  • In den Zeichnungen sind Ausführungsbeispiele der Erfindung schematisch dargestellt. Es zeigen:
  • 1 Eine Prinzipskizze einer Mehrzahl von Plasmakammern, die auf einem rotierenden Plasmarad angeordnet sind und bei der das Plasmarad mit Eingabe- und Ausgaberädern gekoppelt ist,
  • 2 eine Anordnung ähnlich zu 1, bei der die Plasmastationen jeweils mit zwei Plasmakammern ausgestattet sind,
  • 3 eine perspektivische Darstellung eines Plasmarades mit einer Vielzahl von Plasmakammern,
  • 4 eine perspektivische Darstellung einer Plasmastation mit einer Kavität,
  • 5 eine Vorderansicht der Vorrichtung gemäß 4 mit geschlossener Plasmakammer,
  • 6 einen Querschnitt gemäß Schnittlinie VI-VI in 5,
  • 7 eine teilweise Darstellung eines Vertikalschnittes durch den stationären Sockel und die Bearbeitungsstation zur Veranschaulichung der Zuordnung der Prozeßgaskanäle und der Steuerventile,
  • 8, eine perspektivische Darstellung einer Plasmastation mit vier Kavitäten und
  • 9 eine perspektivische Darstellung einer zu Reinigungszwecken hochgeklappten plattenartigen Ventilhalterung.
  • Aus der Darstellung in 1 ist ein Plasmamodul (1) zu erkennen, das mit einem rotierenden Plasmarad (2) versehen ist. Entlang eines Umfanges des Plasmarades (2) sind eine Mehrzahl von Plasmastationen (3) angeordnet. Die Plasmastationen (3) sind mit Kavitäten (4) bzw. Plasmakammern (17) zur Aufnahme von zu behandelnden Werkstücken (5) versehen.
  • Die zu behandelnden Werkstücke (5) werden dem Plasmamodul (1) im Bereich einer Eingabe (6) zugeführt und über ein Vereinzelungsrad (7) an ein Übergaberad (8) weitergeleitet, das mit positionierbaren Tragarmen (9) ausgestattet ist. Die Tragarme (9) sind relativ zu einem Sockel (10) des Übergaberades (8) verschwenkbar angeordnet, so daß eine Abstandsveränderung der Werkstücke (5) relativ zueinander durchgeführt werden kann. Hierdurch erfolgt eine Übergabe der Werkstücke (5) vom Übergaberad (8) an ein Eingaberad (11) mit einem relativ zum Vereinzelungsrad (7) vergrößerten Abstand der Werkstücke (5) relativ zueinander. Das Eingaberad (11) übergibt die zu behandelnden Werkstücke (5) an das Plasmarad (2). Nach einer Durchführung der Behandlung werden die behandelten Werkstücke (5) von einem Ausgaberad (12) aus dem Bereich des Plasmarades (2) entfernt und in den Bereich einer Ausgabestrecke (13) überführt.
  • Bei der Ausführungsform gemäß 2 sind die Plasmastationen (3) jeweils mit zwei Kavitäten (4) bzw. Plasmakammern (17) ausgestattet. Hierdurch können jeweils zwei Werkstücke (5) gleichzeitig behandelt werden. Grundsätzlich ist es hierbei möglich, die Kavitäten (4) vollständig voneinander getrennt auszubilden, grundsätzlich ist es aber auch möglich, in einem gemeinsamen Kavitätenraum lediglich Teilbereiche derart abzugrenzen, daß eine optimale Beschichtung aller Werkstücke (5) gewährleistet ist. Insbesondere ist hierbei daran gedacht, die Teilkavitäten zumindest durch separate Mikrowelleneinkopplungen gegeneinander abzugrenzen.
  • 3 zeigt eine perspektivische Darstellung eines Plasmamoduls (1) mit teilweise aufgebautem Plasmarad (2). Die Plasmastationen (3) sind auf einem Tragring (14) angeordnet, der als Teil einer Drehverbindung ausgebildet und im Bereich eines Maschinensockels (15) gelagert ist. Die Plasmastationen (3) weisen jeweils einen Stationsrahmen (16) auf, der Plasmakammern (17) haltert. Die Plasmakammern (17) weisen zylinderförmige Kammerwandungen (18) sowie Mikrowellengeneratoren (19) auf.
  • In einem Zentrum des Plasmarades (2) ist ein Drehverteiler (20) angeordnet, über den die Plasmastationen (3) mit Betriebsmitteln sowie Energie versorgt werden. Zur Betriebsmittelverteilung können insbesondere Ringleitungen (21) eingesetzt werden.
  • Die zu behandelnden Werkstücke (5) sind unterhalb der zylinderförmigen Kammerwandungen (18) dargestellt. Unterteile der Plasmakammern (17) sind zur Vereinfachung jeweils nicht eingezeichnet.
  • 4 zeigt eine Plasmastation (3) in perspektivischer Darstellung. Es ist zu erkennen, daß der Stationsrahmen (16) mit Führungsstangen (23) versehen ist, auf denen ein Schlitten (24) zur Halterung der zylinderförmigen Kammerwandung (18) geführt ist. 4 zeigt den Schlitten (24) mit Kammerwandung (18) in einem angehobenen Zustand, so daß das Werkstück (5) freigegeben ist.
  • Im oberen Bereich der Plasmastation (3) ist der Mikrowellengenerator (19) angeordnet. Der Mikrowellengenerator (19) ist über eine Umlenkung (25) und einen Adapter (26) an einen Kopplungskanal (27) angeschlossen, der in die Plasmakammer (17) einmündet. Grundsätzlich kann der Mikrowellengenerator (19) sowohl unmittelbar im Bereich des Kammerdeckels (31) als auch über ein Distanzelement an den Kammerdeckel (31) angekoppelt mit einer vorgebbaren Entfernung zum Kammerdeckel (31) und somit in einem größeren Umgebungsbereich des Kammerdeckels (31) angeordnet werden. Der Adapter (26) hat die Funktion eines Übergangselementes und der Kopplungskanal (27) ist als ein Koaxialleiter ausgebildet. Im Bereich einer Einmündung des Kopplungskanals (27) in den Kammerdeckel (31) ist ein Quarzglasfenster angeordnet. Die Umlenkung (25) ist als ein Hohlleiter ausgebildet.
  • Das Werkstück (5) wird von einem Halteelement (28) positioniert, das im Bereich eines Kammerbodens (29) angeordnet ist. Der Kammerboden (29) ist als Teil eines Kammersockels (30) ausgebildet. Zur Erleichterung einer Justage ist es möglich, den Kammersockel (30) im Bereich der Führungsstangen (23) zu fixieren. Eine andere Variante besteht darin, den Kammersockel (30) direkt am Stationsrahmen (16) zu befestigen. Bei einer derartigen Anordnung ist es beispielsweise auch möglich, die Führungsstangen (23) in vertikaler Richtung zweiteilig auszuführen.
  • 5 zeigt eine Vorderansicht der Plasmastation (3) gemäß 3 in einem geschlossenen Zustand der Plasmakammer (17). Der Schlitten (24) mit der zylinderförmigen Kammerwandung (18) ist hierbei gegenüber der Positionierung in 4 abgesenkt, so daß die Kammerwandung (18) gegen den Kammerboden (29) gefahren ist. In diesem Positionierzustand kann die Plasmabeschichtung durchgeführt werden.
  • 6 zeigt in einer Vertikalschnittdarstellung die Anordnung gemäß 5. Es ist insbesondere zu erkennen, daß der Kopplungskanal (27) in einen Kammerdeckel (31) einmündet, der einen seitlich überstehenden Flansch (32) aufweist. Im Bereich des Flansches (32) ist eine Dichtung (33) angeordnet, die von einem Innenflansch (34) der Kammerwandung (18) beaufschlagt wird. In einem abgesenkten Zustand der Kammerwandung (18) erfolgt hierdurch eine Abdichtung der Kammerwandung (18) relativ zum Kammerdeckel (31). Eine weitere Dichtung (35) ist in einem unteren Bereich der Kammerwandung (18) angeordnet, um auch hier eine Abdichtung relativ zum Kammerboden (29) zu gewährleisten.
  • In der in 6 dargestellten Positionierung umschließt die Kammerwandung (18) die Kavität (4), so daß sowohl ein Innenraum der Kavität (4) als auch ein Innenraum des Werkstückes (5) evakuiert werden können. Zur Unterstützung einer Zuleitung von Prozeßgas ist im Bereich des Kammersockels (30) eine hohle Gaslanze (36) angeordnet, die in den Innenraum des Werkstückes (5) hineinverfahrbar ist. Zur Durchführung einer Positionierung der Gaslanze (36) wird diese von einem Lanzenschlitten (37) gehaltert, der entlang der Führungsstangen (23) positionierbar ist. Innerhalb des Lanzenschlittens (37) verläuft ein Prozeßgaskanal (38), der in der in 6 dargestellten angehobenen Positionierung mit einem Gasanschluß (39) des Kammersockels (30) gekoppelt ist. Durch diese Anordnung werden schlauchartige Verbindungselemente am Lanzenschlitten (37) vermieden.
  • Alternativ zur vorstehend erläuterten Konstruktion der Plasmastation ist es erfindungsgemäß aber auch möglich, das Werkstück (5) in eine relativ zur zugeordneten Tragstruktur unbewegliche Plasmakammer (17) einzuführen. Ebenfalls ist es möglich, alternativ zur dargestellten Beschichtung der Werkstücke (5) mit ihren Mündungen in lotrechter Richtung nach unten eine Beschichtung der Werkstücke mit ihren Mündungen in lotrechter Richtung nach oben durchzuführen. Insbesondere ist daran gedacht, eine Beschichtung von flaschenförmigen Werkstücken (5) durchzuführen. Derartige Flaschen sind ebenfalls bevorzugt aus einem thermoplastischen Kunststoff ausgebildet. Vorzugsweise ist an die Verwendung von PET oder PP gedacht. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform dienen die beschichteten Flaschen zur Aufnahme von Getränken.
  • Ein typischer Behandlungsvorgang wird im folgenden am Beispiel eines Beschichtungsvorganges erläutert und derart durchgeführt, daß zunächst das Werkstück (5) unter Verwendung des Eingaberades (11) zum Plasmarad (2) transportiert wird und daß in einem hochgeschobenen Zustand der hülsenartigen Kammerwandung (18) das Einsetzen des Werkstückes (5) in die Plasmastation (3) erfolgt.
  • Nach einem Abschluß des Einsetzvorganges wird die Kammerwandung (18) in ihre abgedichtete Positionierung abgesenkt und zeitlich versetzt folgt eine Verschiebung des Halteelementes (28), so daß eine Abschottung des Innenraumes des Werkstückes (5) gegenüber dem Innenraum der Kavität (4) entsteht. Anschließend wird die Gaslanze (36) in den Innenraum des Werkstückes eingefahren. Ebenfalls ist es möglich, die Gaslanze (36) bereits synchron zur beginnenden Absenkung der Kavität (4) in den Innenraum des Werkstücks (5) hinein zu verfahren. Es folgt eine gleichzeitige oder zeitlich versetzte Evakuierung der Kavität (4) sowie vom Innenraum des Werkstückes (5). Nach einer ausreichenden Evakuierung des Innenraumes der Kavität (4) wird der Druck im Innenraum des Werkstückes (5) anschließend noch weiter abgesenkt. Darüber hinaus ist auch daran gedacht, die Positionierbewegung der Gaslanze (36) wenigstens teilweise bereits parallel zur Positionierung der Kammerwandung (18) durchzuführen.
  • Nach Erreichen eines ausreichend tiefen Unterdruckes wird Prozeßgas in den Innenraum des Werkstückes (5) eingeleitet und mit Hilfe des Mikrowellengenerators (19) das Plasma gezündet. Insbesondere ist daran gedacht, mit Hilfe des Plasmas sowohl einen Haftvermittler auf eine innere Oberfläche des Werkstückes (5) als auch die eigentliche Barriereschicht aus Siliziumoxiden abzuscheiden.
  • Nach Abschluß des Beschichtungsvorganges wird die Plasmakammer (17) sowie der Innenraum des Werkstückes (5) belüftet. Nach Erreichen des Umgebungsdruckes innerhalb der Kavität (4) und im Innenraum des Werkstückes (5) wird die Kammerwandung (18) wieder angehoben und die Gaslanze (36) wieder aus dem Innenraum des Werkstückes (5) entfernt. Eine Entnahme des beschichteten Werkstückes (5) sowie eine Eingabe eines neuen zu beschichtenden Werkstückes (5) kann nun durchgeführt werden.
  • Eine Positionierung der Kammerwandung (18), des Dichtelementes (28) und/oder der Gaslanze (36) kann unter Verwendung unterschiedlicher Antriebsaggregate erfolgen. Grundsätzlich ist die Verwendung pneumatischer Antriebe und/oder elektrischer Antriebe, insbesondere in einer Ausführungsform als Linearmotor, denkbar. Insbesondere ist aber daran gedacht, zur Unterstützung einer exakten Bewegungskoordinierung mit einer Rotation des Plasmarades (2) eine Kurvensteuerung zu realisieren. Die Kurvensteuerung kann beispielsweise derart ausgeführt sein, daß entlang eines Umfanges des Plasmarades (2) Steuerkurven angeordnet sind, entlang derer Kurvenrollen geführt werden. Die Kurvenrollen sind mit den jeweils zu positionierenden Bauelementen gekoppelt.
  • 7 veranschaulicht die Anzahl einer Mehrzahl von Prozeßgaskanälen (40) im Bereich des Maschinensockels (15). Die Prozeßgaskanäle (40) weisen jeweils einen Boden (41) und Seitenwände (42) auf, die fest mit dem Maschinensockel (15) verbunden sind. Dem Boden (41) gegenüberliegend ist eine Abdeckung (43) angeordnet, die als Teil des Plasmarades (2) ausgebildet ist. Die Abdeckung (43) ist abgedichtet gegenüber den Seitenwänden (42) geführt.
  • Im Bereich der Abdeckung (43) sind Verbindungsöffnungen (44) angeordnet, die in die Prozeßgaskanäle (40) einmünden. Die Verbindungsöffnungen (44) sind jeweils über Verbindungskanäle (45) mit Steuerventilen (46) gekoppelt.
  • Die Steuerventile (46) steuern eine Verbindung der Plasmastationen (3) mit den Prozeßgaskanälen (40) und somit auch mit den zugeordneten Prozeßgasversorgungen. Insbesondere ist daran gedacht, die Steuerventile (46) im Bereich eines Ventilblockes (47) anzuordnen, der seinerseits mit dem Kammersockel (30) verbunden ist.
  • Bei einer Anordnung von mehreren Kavitäten (4) im Bereich der Plasmastation (3) sind im Bereich des Ventilblockes (47) Kanalverzweigungen angeordnet, um ein bestimmtes Prozeßgas über jeweils nur ein Steuerventil (46) der Mehrzahl an Kavitäten (4) zuführen zu können bzw. ein Anschluß an eine Unterdruckversorgung zu realisieren.
  • Typischerweise erstrecken sich die Prozeßgaskanäle (40) konzentrisch zu einem Mittelpunkt des Plasmarades (2). Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Prozeßgaskanäle (40) nach oben offen und werden im Bereich ihrer oberen Ausdehnung mit der Abdeckung (43) versehen. Grundsätzlich ist aber auch jede andere räumliche Orientierung der Prozeßgaskanäle (40) denkbar, beispielsweise mit der Abdeckung (43) unterhalb der Prozeßgaskanäle oder neben den Prozeßgaskanälen.
  • 8 veranschaulicht eine Plasmastation (3) mit vier Kavitäten (4). Der Mikrowellengenerator (19) weist typischerweise eine Anzahl von Mikrowellenmodulen (48) auf, die der Anzahl der Kavitäten (4) entspricht. Hierdurch kann jeder der Kavitäten (4) ein separates Mikrowellenmodul (48) zugeordnet werden.
  • Eine Positionierung der Kammerwandung (18) erfolgt gemäß einer bevorzugten Ausführungsform mechanisch unter Verwendung einer Kurvensteuerung. Entlang einer entsprechenden Kurvenbahn wird hierbei eine mit der Kammerwandung (18) verbundene Kurvenrolle (49) geführt.
  • Für die Positionierung des Lanzenschlittens (37) wird bevorzugt ebenfalls eine mechanische Kurvensteuerung verwendet. Der Lanzenschlitten (37) ist hierzu mit einer Kurvenrolle (50) versehen.
  • Eine Positionierung der in 8 nicht zu erkennenden Gaslanzen (36) relativ zum Lanzenschlitten (37) erfolgt bevorzugt unter Verwendung eines Pneumatikzylinders (51) Durch die Kombination der mechanischen Steuerung sowie der pneumatischen Steuerung lassen sich die Vorgänge des Abdichtens der Kavitäten (4) und der Werkstücke (5) sowie das eigentliche Einfahren der Gaslanzen (36) in die Werkstücke (5) hinein entkoppeln.
  • 9 zeigt eine perspektivische Darstellung des Ventilblockes (47). Es ist zu erkennen, daß eine Tragplatte (52), die die Steuerventile (46) trägt, relativ zu einem Basiselement (53) verschwenkbar angeordnet ist. Hierzu ist ein Schwenkgelenk (54) Verwendet. Das Schwenkgelenk (54) wird vorzugsweise auf einer Seite des Basiselementes (53) angeordnet, die in einer radialen Richtung des Plasmarades (2) innenliegend ist. Bei dem in 9 dargestellten hochgeklappten Betriebszustand sind hierdurch Unterseiten der Steuerventile (56) sowie im Bereich des Basiselementes (53) angeordnete Ventilsitze gut zugänglich und können gereinigt werden.
  • Nach einem Zurückschwenken der Tragplatte (52) in eine geschlossen Positionierung wird die Tragplatte (52) relativ zum Basiselement (53) von einem Fixierelement (55) arretiert. Das Fixierelement (55) kann als eine Schraube ausgebildet sein.
  • Eine Anordnung der einzelnen Prozeßgaskanäle (40) in einer radialen Richtung des Plasmarades (2) erfolgt vorzugsweise in Abhängigkeit vom jeweils maßgeblichen strömungstechnischen Leitwert. Hierunter versteht man den Quotienten aus Volumenstrom und Druck. Je größer dieser Leitwert ist, umso kritischer werden die vakuumtechnischen Anforderungen. Dies bedeutet, daß mit zunehmendem Volumenströmen bzw. abnehmenden Drücken erhöhte Anforderungen gestellt werden.
  • Radial innenliegend und somit am weitesten von der Plasmastation (3) entfernt wird der Prozeßgaskanal (40) mit dem relativ höchsten Unterdruck angeordnet. Hier liegt der geringste vakuumtechnische Leitwert vor. In radialer Richtung des Plasmarades (2) nach außen und somit mit geringeren Abständen zur Plasmastation (3) folgen dann die Prozeßgasversorgungen mit zunehmenden zu berücksichtigenden Leitwerten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • WO 95/22413 [0003]
    • EP 1010773 [0005]
    • WO 01/31680 [0005]
    • WO 00/58631 [0006]
    • WO 99/17334 [0007]
    • DE 102004020185 A1 [0008]

Claims (10)

  1. Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken, die mindestens eine evakuierbare Plasmakammer zur Aufnahme der Werkstücke aufweist und bei der die Plasmakammer im Bereich einer Behandlungsstation angeordnet ist, sowie bei der die Plasmakammer von einem Kammerboden, einem Kammerdeckel sowie einer seitlichen Kammerwandung begrenzt ist und bei der die Plasmakammer mit einer Einrichtung zur steuerbaren Zuführung und/oder Ableitung von Prozeßgasen gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmakammer (17) auf einem rotationsfähigen Plasmarad (2) angeordnet ist, das von einem stationären Sockel (15) gelagert ist und daß im Bereich des Sockels (15) mindestens ein Prozeßgaskanal (40) angeordnet ist, der mindestens bereichsweise von einer Abdeckung (43) begrenzt ist, die als Teil des Plasmarades (2) ausgebildet ist, sowie daß die Abdeckung (43) mindestens eine Verbindungsöffnung (44) zum Prozeßgaskanal (40) aufweist, die über einen Verbindungskanal (45) und mindestens ein Steuerventil (46) mit einem Innenraum der Plasmakammer (17) koppelbar ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich der Prozeßgaskanal (40) im Wesentlichen konzentrisch zu einer Rotationsachse des Plasmarades (2) erstreckt.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuerventil (46) im Bereich eines Ventilblockes (47) angeordnet ist.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich innerhalb des Ventilblockes (47) mindestens ein das Steuerventil (46) mit der Plasmastation (3) verbindender Kanal erstreckt.
  5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kanal mindestens eine Kanalverzweigung zur Verbindung des Steuerventils (46) mit mindestens zwei Kavitäten (4) aufweist.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kavitäten (4) reihenartig entlang eines Umfanges des Plasmarades (2) angeordnet sind.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine Kammerwandung (18) der Plasmastation (3) in einer vertikalen Richtung positionierbar angeordnet ist.
  8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Mikrowellengenerator (19) relativ zu einem Stationsrahmen (16) der Plasmastation (3) unbeweglich angeordnet ist.
  9. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmakanal (40) relativ zur Plasmastation (3) innenliegend auf dem Plasmarad (2) angeordnet ist.
  10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Prozeßgaskanal (40) eine im Wesentlichen rechteckförmige Querschnittfläche aufweist und in lotrechter Richtung nach oben von der Abdeckung (43) begrenzt ist.
DE102010023119A 2010-06-07 2010-06-07 Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken Withdrawn DE102010023119A1 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010023119A DE102010023119A1 (de) 2010-06-07 2010-06-07 Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
PCT/DE2011/001158 WO2011153993A1 (de) 2010-06-07 2011-06-03 Vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
US13/702,662 US20130186336A1 (en) 2010-06-07 2011-06-03 Device for plasma treatment of workpieces
JP2013513554A JP5789659B2 (ja) 2010-06-07 2011-06-03 工作物プラズマ処理装置
EP11754610.1A EP2576857A1 (de) 2010-06-07 2011-06-03 Vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010023119A DE102010023119A1 (de) 2010-06-07 2010-06-07 Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010023119A1 true DE102010023119A1 (de) 2011-12-22

Family

ID=44583886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102010023119A Withdrawn DE102010023119A1 (de) 2010-06-07 2010-06-07 Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130186336A1 (de)
EP (1) EP2576857A1 (de)
JP (1) JP5789659B2 (de)
DE (1) DE102010023119A1 (de)
WO (1) WO2011153993A1 (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017108992A1 (de) 2017-04-26 2018-10-31 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Behältern
DE102017128550B3 (de) 2017-12-01 2018-11-22 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Behältern mit mindestens einem Ventilblock
DE102017120650A1 (de) 2017-09-07 2019-03-07 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Behältern mittels eines Beschichtungsverfahrens und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung
WO2019201684A1 (de) 2018-04-18 2019-10-24 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum beschichten von hohlkörpern mit mindestens einer beschichtungsstation sowie verfahren zum reinigen einer gaslanze

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3358040B1 (de) * 2015-10-01 2019-11-27 Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems, Ltd. Vorrichtung zur filmherstellung
JP6517656B2 (ja) * 2015-10-09 2019-05-22 キリン株式会社 成膜装置
DE102015121773B4 (de) 2015-12-14 2019-10-24 Khs Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022413A1 (en) 1994-02-16 1995-08-24 The Coca-Cola Company Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma-assisted surface reaction or on-surface polymerization
WO1999017334A1 (en) 1997-09-30 1999-04-08 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Method and apparatus for treating the inside surface of plastic bottles in a plasma enhanced process
EP1010773A1 (de) 1997-02-19 2000-06-21 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Verfahren und vorrichtungzur herstellung von mit kohlenstoff-film beschichtetem plastik-kontainer
WO2000058631A1 (fr) 1999-03-30 2000-10-05 Sidel Machine a carrousel pour le traitement de corps creux comportant un circuit de distribution de pression perfectionne
WO2001031680A1 (fr) 1999-10-25 2001-05-03 Sidel Actis Services Circuit de vide pour un dispositif de traitement d'un recipient a l'aide d'un plasma a basse pression
DE10224395A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Sig Technology Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
DE10300734A1 (de) * 2003-01-11 2004-07-22 Sig Technology Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
DE102004020185A1 (de) 2004-04-22 2005-11-24 Schott Ag Gaslanze für die Innenbeschichtung von Hohlkörpern
DE602005005481D1 (de) * 2004-06-30 2008-04-30 Sidel Participations Vakuumpumpkreislauf und damit ausgerüstete maschine zur behandlung von behältern
DE102007045141A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Krones Ag Plasmabehandlungsanlage
DE102008016923A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Khs Corpoplast Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
US7603962B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-20 Mitsubishi Shoji Plastics Corporation Rotary type CVD film forming apparatus for mass production
DE102008037159A1 (de) * 2008-08-08 2010-02-11 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MXPA04011663A (es) * 2002-05-24 2005-07-05 Schott Ag Dispositivo de recubrimiento multiestaciones y metodo para recubrimiento por plasma.
AU2003229286A1 (en) * 2002-05-24 2003-12-12 Sig Technology Ltd. Method and device for the plasma treatment of workpieces
WO2003100125A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Sig Technology Ltd. Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
JP4512485B2 (ja) * 2002-05-24 2010-07-28 カーハーエス コーポプラスト ゲーエムベーハー ウント コンパニー カーゲー 工作物のプラズマ処理方法および装置
JP4454254B2 (ja) * 2002-06-07 2010-04-21 三菱重工食品包装機械株式会社 回転式成膜装置、回転式成膜装置用の真空装置
JP3970229B2 (ja) * 2003-09-10 2007-09-05 三菱重工食品包装機械株式会社 真空処理装置
FR2872718B1 (fr) * 2004-07-08 2006-10-20 Sidel Sa Sa Procede de traitement d'un recipient comportant des phases de pompage a vide et machine pour sa mise en oeuvre
FR2889204B1 (fr) * 2005-07-26 2007-11-30 Sidel Sas Appareil pour le depot pecvd d'une couche barriere interne sur un recipient, comprenant une ligne de gaz isolee par electrovanne

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022413A1 (en) 1994-02-16 1995-08-24 The Coca-Cola Company Hollow containers with inert or impermeable inner surface through plasma-assisted surface reaction or on-surface polymerization
EP1010773A1 (de) 1997-02-19 2000-06-21 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Verfahren und vorrichtungzur herstellung von mit kohlenstoff-film beschichtetem plastik-kontainer
US6294226B1 (en) * 1997-02-19 2001-09-25 Kirin Beer Kabushiki Kaisha Method and apparatus for producing plastic container having carbon film coating
WO1999017334A1 (en) 1997-09-30 1999-04-08 Tetra Laval Holdings & Finance S.A. Method and apparatus for treating the inside surface of plastic bottles in a plasma enhanced process
WO2000058631A1 (fr) 1999-03-30 2000-10-05 Sidel Machine a carrousel pour le traitement de corps creux comportant un circuit de distribution de pression perfectionne
WO2001031680A1 (fr) 1999-10-25 2001-05-03 Sidel Actis Services Circuit de vide pour un dispositif de traitement d'un recipient a l'aide d'un plasma a basse pression
DE10224395A1 (de) * 2002-05-24 2003-12-04 Sig Technology Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
US7603962B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-20 Mitsubishi Shoji Plastics Corporation Rotary type CVD film forming apparatus for mass production
DE10300734A1 (de) * 2003-01-11 2004-07-22 Sig Technology Ltd. Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
DE102004020185A1 (de) 2004-04-22 2005-11-24 Schott Ag Gaslanze für die Innenbeschichtung von Hohlkörpern
DE602005005481D1 (de) * 2004-06-30 2008-04-30 Sidel Participations Vakuumpumpkreislauf und damit ausgerüstete maschine zur behandlung von behältern
DE102007045141A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Krones Ag Plasmabehandlungsanlage
DE102008016923A1 (de) * 2008-03-31 2009-10-01 Khs Corpoplast Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
DE102008037159A1 (de) * 2008-08-08 2010-02-11 Krones Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017108992A1 (de) 2017-04-26 2018-10-31 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Behältern
WO2018197591A1 (de) 2017-04-26 2018-11-01 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zur innenbeschichtung von behältern
DE102017120650A1 (de) 2017-09-07 2019-03-07 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Behältern mittels eines Beschichtungsverfahrens und Verfahren zum Betrieb einer solchen Vorrichtung
WO2019048583A1 (de) 2017-09-07 2019-03-14 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum beschichten von behältern mittels eines beschichtungsverfahrens und verfahren zum betrieb einer solchen vorrichtung
DE102017128550B3 (de) 2017-12-01 2018-11-22 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Behältern mit mindestens einem Ventilblock
WO2019106120A1 (de) 2017-12-01 2019-06-06 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum beschichten von behältern mit mindestens einem ventilblock
WO2019201684A1 (de) 2018-04-18 2019-10-24 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum beschichten von hohlkörpern mit mindestens einer beschichtungsstation sowie verfahren zum reinigen einer gaslanze
DE102018109217A1 (de) 2018-04-18 2019-10-24 Khs Corpoplast Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von Hohlkörpern mit mindestens einer Beschichtungsstation

Also Published As

Publication number Publication date
US20130186336A1 (en) 2013-07-25
JP2013534565A (ja) 2013-09-05
WO2011153993A1 (de) 2011-12-15
JP5789659B2 (ja) 2015-10-07
EP2576857A1 (de) 2013-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1507886B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
EP1507893B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
DE102010023119A1 (de) Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
EP1507887B1 (de) Mehrplatz-beschichtungsvorrichtung und verfahren zur plasmabeschichtung
EP1507890A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkst ck en
EP1507723B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur handhabung von werkstücken
DE102010055155A1 (de) Verfahren zur Plasmabehandlung von Werkstücken sowie Werkstück mit Gasbarriereschicht
DE10224395A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
EP3433395B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von behältern
DE102015121773A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Behältern
EP2630273B1 (de) Verfahren zur plasmabehandlung von werkstücken
DE102013108212B4 (de) Sterile Blasformmaschine
DE102008016923A1 (de) Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
EP1507889B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
DE102011104730A1 (de) Verfahren zur Plasmabehandlung von Werkstücken sowie Werkstück mit Gasbarriereschicht
DE10234374A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung von Werkstücken
EP1507884B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
DE10225609A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken
EP2198447A2 (de) Vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
WO2003100119A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
DE102013022281A1 (de) Sterile Blasformmaschine
WO2003100118A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstücken
WO2003100117A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung von werkstücken
DE102004029677A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R082 Change of representative

Representative=s name: PATENTANWAELTE SCHAEFER EMMEL HAUSFELD, DE

Representative=s name: MEISSNER BOLTE & PARTNER GBR, DE

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20120727

R082 Change of representative

Representative=s name: MEISSNER BOLTE & PARTNER GBR, DE

Representative=s name: MEISSNER BOLTE PATENTANWAELTE RECHTSANWAELTE P, DE

Representative=s name: MEISSNER, BOLTE & PARTNER GBR, DE

R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R082 Change of representative

Representative=s name: EISENFUEHR SPEISER PATENTANWAELTE RECHTSANWAEL, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: KHS GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: KHS CORPOPLAST GMBH, 22145 HAMBURG, DE

R082 Change of representative