DE102009027292A1 - Inverterleistungsmodul mit verteilter Stütze zur direkten Substratkühlung - Google Patents
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Abstract
er Verfahren mit verteilter Stütze zur direkten Substratkühlung bereitgestellt. Ein Invertermodul weist ein Leistungselektroniksubstrat auf. Ein erster Stützrahmen ist ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen und hat einen ersten Bereich der ausgestaltet ist, ein direktes Kühlen des Leistungselektroniksubstrats zu erlauben. Eine Dichtung ist zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem ersten Stützrahmen eingeschoben. Die Dichtung ist konfiguriert, eine Abdichtung zwischen dem ersten Bereich und dem Leistungselektroniksubstrat bereitzustellen. Ein zweiter Stützrahmen ist ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, und ist mit dem ersten Stützrahmen verbunden, um die Abdichtung auszubilden.
Description
- ERKLÄRUNG ZUR MIT BUNDESMITTELN GEFÖRDERTEN FORSCHUNG ODER ENTWICKLUNG
- Die US-Regierung hat eine beitragsfreie Lizenz für diese Erfindung und das Recht, unter bestimmten Umständen von dem Patentinhaber zu verlangen, anderen Lizenzen zu angemessenen Bedingungen zu erteilen, wie durch die Bestimmungen des von dem Ministerium für Energie der Vereinigten Staaten ausgestellten DE-FC26-07NT43123 vorgesehen.
- TECHNISCHES GEBIET
- Die Ausführungsformen des hier beschriebenen Gegenstands beziehen sich allgemein auf Leistungselektronikmodule und insbesondere beziehen sich die Ausführungsformen des Gegenstands auf Inverterleistungsmodule, die zur Verwendung mit direkten Substratkühlungsverfahren geeignet sind.
- HINTERGRUND
- Viele elektrische Komponenten generieren Wärme als ein Nebenprodukt, wenn sie elektrische Energie abbauen. Eine Überhitzung wirkt sich oft auf die Leistung und die Sicherheit elektronischer Komponenten aus, und somit werden elektrische Vorrichtungen routinemäßig gekühlt, um eine Überhitzung zu vermeiden.
- In den meisten Anwendungen der Leistungselektronik werden dort, wo eine effiziente Wärmeabfuhr erwünscht ist, Kühlkörper verwendet. Kühlkörper absorbieren und bauen Wärme aus elektrischen Komponenten durch einen thermischen Kontakt ab. Ein Kühlkörper kann zum Beispiel an ein Leistungselektroniksubstrat gelötet oder montiert werden, um das Substrat zu kühlen. In den höheren Leistungsanwendungen wird oft die Größe des Kühlkörpers erhöht, um seine Wärmekapazität zu verbessern. Die Erhöhung der Größe des Kühlkörpers führt zu erhöhten Kosten, zu erhöhtem Gewicht und zu erhöhtem Volumen des entsprechenden Leistungselektronikmoduls. Das erhöhte Gewicht und das erhöhte Volumen des Leistungselektronikmoduls sind aus der Sicht des Verpackens unerwünscht. In Automobilanwendungen ist zum Beispiel der Bauraum unter der Motorhaube begrenzt und das Erhöhen des Gewichts des Fahrzeugs ist unerwünscht.
- Alternative Kühlmethoden können eingesetzt werden, um das Leistungselektroniksubstrat zu kühlen. Allerdings können der Druck oder die Kräfte, die durch diese Kühlmethoden verursacht werden, eine Verformung des Leistungselektroniksubstrats verursachen, was potentiell zur Verkrümmung des Leistungselektroniksubstrats oder zu Rissen in dem Leistungselektroniksubstrat führen kann.
- KURZE ZUSAMMENFASSUNG
- Es wird eine Vorrichtung für ein Leistungsmodul zur Verwendung in einem Fahrzeug bereitgestellt. Das Leistungsmodul weist ein Leistungselektroniksubstrat und einen ersten Kunststoffrahmen auf, der ausgestaltet ist, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen. Ein zweiter Kunststoffrahmen ist ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen. Der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen sind ausgestaltet, zusammen verbunden zu werden, um das Leistungselektroniksubstrat zu stützen. Das Leistungselektroniksubstrat ist zwischen dem ersten Kunststoffrahmen und dem zweiten Kunststoffrahmen derart angeordnet, dass eine Abdichtung zwischen dem ersten Kunststoffrahmen und dem Leistungselektroniksubstrat ausgebildet wird, wenn der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen zusammen verbunden werden.
- Es wird ein Verfahren zum Konstruieren eines Inverterleistungsmoduls bereitgestellt. Das Verfahren weist ein Ausfluchten eines Leistungselektroniksubstrats zwischen einem ersten Kunststoffrahmen und einem zweiten Kunststoffrahmen auf. Der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen sind ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen. Das Verfahren weist ferner ein Zusammenpressen des ersten Kunststoffrahmens und des zweiten Kunststoffrahmens, um eine Abdichtung zwischen dem ersten Kunststoffrahmen und dem Leistungselektroniksubstrat auszubilden, und ein Verbinden des ersten Kunststoffrahmens und des zweiten Kunststoffrahmens auf.
- Es wird eine Vorrichtung für ein Invertermodul bereitgestellt. Das Invertermodul weist ein Leistungselektroniksubstrat auf. Ein erster Stützrahmen ist ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, und hat einen ersten Bereich, der ausgestaltet ist, ein direktes Kühlen des Leistungselektroniksubstrats zu ermöglichen. Eine Dichtung ist zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem ersten Stützrahmen eingeschoben. Die Dichtung ist derart konfiguriert, eine Abdichtung zwischen dem ersten Bereich und dem Leistungselektroniksubstrat bereitzustellen. Ein zweiter Stützrahmen ist ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, und ist mit dem ersten Stützrahmen verbunden, um die Abdichtung auszubilden.
- Diese Zusammenfassung wird bereitgestellt, um eine Auswahl an Konzepten in einer vereinfachten Form vorzustellen, die unten in der ausführlichen Beschreibung weiterbeschrieben sind. Mit dieser Zusammenfassung wird es weder beabsichtigt, Schlüsselmerkmale oder wesentliche Merkmale des beanspruchten Gegenstands zu identifizieren, noch ist es beabsichtigt, sie als eine Hilfe zum Ermitteln des Rahmens des beanspruchten Gegenstands zu verwenden.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
- Ein vollständigeres Verständnis des Gegenstands kann unter Bezugnahme auf die ausführliche Beschreibung und Ansprüche abgeleitet werden, wenn diese in Verbindung mit den folgenden Figuren betrachtet werden, wobei ähnliche Bezugsnummern sich in allen Figuren auf ähnliche Elemente beziehen.
-
1 ist eine Perspektive auf ein beispielhaftes Leistungsmodul gemäß einer Ausführungsform; -
2 ist eine Explosionsperspektive des Leistungsmoduls der1 gemäß einer Ausführungsform; -
3 ist eine Draufsicht auf das Leistungsmodul der1 gemäß einer Ausführungsform; -
4 ist ein Seitenquerschnitt des Leistungsmoduls der1 bis3 entlang der Linie 4-4 gemäß einer Ausführungsform; und -
5 ist eine Explosionsperspektive eines beispielhaften Inverterleistungsmoduls gemäß einer Ausführungsform. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
- Die folgende ausführliche Beschreibung ist in ihrer Natur mehr illustrativ und ist nicht dazu gedacht, die Ausführungsformen des Gegenstands oder die Anwendungen und Verwendungen dieser Ausführungsformen zu beschränken. Das Wort ”beispielhaft”, wie hier verwendet, bedeutet ”als ein Beispiel, eine Instanz oder eine Illustration dienend”. Jede Umsetzungen, die hierin als beispielhaft beschrieben wird, ist nicht notwendiger Weise als vorgezogen oder vorteilhaft im Hinblick auf weitere Umsetzungen konstruiert. Darüber hinaus besteht keine Absicht, an jede ausdrückliche oder stillschweigende Theorie gebunden zu sein, die in dem vorstehenden technischen Gebiet, dem Hintergrund, der kurzen Zusammenfassung oder der nachfolgenden ausführlichen Beschreibung präsentiert ist.
- Zusätzlich kann in der folgenden Beschreibung eine bestimmte Terminologie nur zum Zwecke der Bezugnahme verwendet werden und ist somit nicht als beschränkend gedacht. Zum Beispiel beziehen sich solche Begriffe wie ”obere (–r/–s)”, ”untere (–r/–s)”, ”oberste (–r/s)” und ”unterste (–r/–s)” auf Richtungen in den Zeichnungen, auf die der Bezug gemacht wird. Solche Terminologie kann die speziell oben genannten Wörter, deren Derivative und Wörter von ähnlicher Bedeutung enthalten. Auf eine ähnliche Weise implizieren die Begriffe ”erste (–r/–s)”, ”zweite (–r/–s)” und weitere solche numerische Begriffe, die sich auf Strukturen beziehen, nicht eine Sequenz oder Reihenfolge, wenn nicht eindeutig durch den Kontext angegeben.
- Die hier beschriebenen Technologien und Konzepte beziehen sich allgemein auf Leistungsmodule, die zur direkten Substratkühlung ausgestaltet sind. Kunststoffstützrahmen sind ausgestaltet, ein Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, und bilden eine Abdichtung um zumindest einen Bereich des Leistungselektroniksubstrats aus, um eine direkte Kühlung einer freiliegenden Oberfläche des Substrats zu erlauben. Querstützen und/oder interne Verbindungen können eingesetzt werden, um eine zusätzliche strukturelle Starrheit über die Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats bereitzustellen, um eine direkte Substratkühlung des Leistungselektroniksubstrats von einer oder mehreren Seiten des Leistungsmoduls wie gewünscht zu ermöglichen.
- Nun Bezug auf die
1 bis4 nehmend enthält ein Leistungsmodul100 in einer beispielhaften Ausführungsform ohne Beschränkung ein Leistungselektroniksubstrat102 , einen ersten Stützrahmen104 , einen zweiten Stützrahmen106 und ein Dichtungselement108 . Es sollte klar sein, dass aus Gründen der Klarheit und Einfachheit der Erklärung die1 bis4 eine vereinfachte Darstellung des Leistungsmoduls100 zeigen und nicht dazu dienen sollen, den Rahmen des Gegenstands auf irgendeine Weise einzuschränken. In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Leistungselektroniksubstrat102 in einem inneren Bereich110 angeordnet, der durch die Stützrahmen104 ,106 definiert ist. Das Dichtungselement108 ist zwischen dem ersten Stützrahmen104 und dem Leistungselektroniksubstrat102 eingeschoben. In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 ausgestaltet, miteinander verbunden zu werden, um eine Abdichtung zwischen dem Leistungselektroniksubstrat102 und die Stützrahmen104 ,106 auszubilden und eine Verformung des Leistungselektroniksubstrats102 in Gegenwart von direkten Substratkühlungsverfahren zu reduzieren wie unten detaillierter beschrieben. In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 miteinander derart verbunden, dass eine Druckabdichtung zwischen den Stützrahmen104 ,106 und dem Leistungselektroniksubstrat aufrechterhalten wird. - In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Leistungselektroniksubstrat
102 als ein direkt gebondeltes Kupfersubstrat (englisch: ”direct bonded copper (DBC) substrat”) realisiert. In einer solchen Ausführungsform hat das Leistungselektroniksubstrat102 eine geätzte Kupferdeckschicht mit elektrischen Leiterbahnen und/oder Konnektivität (z. B. elektrisch heiß), eine nicht leitende mittlere Schicht, die ein Keramikmaterial aufweist, und eine andere Kupferdeckschicht, die geätzt oder nicht geätzt, oder elektrisch verbunden (z. B. elektrisch kalt) sein kann. In alternativen Ausführungsformen können andere geeignete Substratmaterialien verwendet werden, solche wie zum Beispiel Direktbindungsaluminium (englisch: ”direct bond aluminum” (DBA)), isoliertes Metallsubstrat (englisch: ”insulated metal substrate” (IMS)) oder blanker Kupfer wie es auf dem technischen Gebiet verstanden wird. In einer beispielhaften Ausführungsform hat das Leistungselektroniksubstrat102 eine elektrisch heiße Oberfläche, die elektrische Leiterbahnen und Schaltung für einen Leistungsinverter, solchen wie Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (englisch: ”insulated-gate bipolar transistor” (IGBT)), und andere geeignete Elemente aufweist. Wie unten beschrieben, ist in einer beispielhaften Ausführungsform zumindest ein Teil der Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 einem Kühlmittel und/oder Kühlungsmechanismen ausgesetzt, die sich benachbart und/oder nahe zu einem entsprechenden Stützrahmen104 ,106 befinden. - In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Stützrahmen
104 ,106 ausgestaltet, das Leistungselektroniksubstrat102 aufzunehmen. In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 derart konfiguriert, dass der innere Bereich110 das Leistungselektroniksubstrat102 aufnimmt und/oder im Wesentlichen umschließt und ein Verändern der Lage des Leistungselektroniksubstrats102 im Bezug auf die Stützrahmen104 ,106 beschränkt, wenn die Stützrahmen104 ,106 verbunden sind. Der innere Bereich110 wie hierin verwendet sollte als die Fläche oder der Raum verstanden werden, die/der zwischen den Stützrahmen104 ,106 platziert ist und/oder von den Stützrahmen104 ,106 begrenzt ist, wenn die Stützrahmen104 ,106 miteinander in Kontakt sind. Wie in2 und in4 zum Beispiel gezeigt kann der entsprechende Stützrahmen104 ,106 eine Stützeinrichtung umfassen, solche wie eine Nase oder Vorsprung, die in dem Stützrahmen104 ,106 ausgebildet ist, um die Umfassung des Leistungselektroniksubstrats102 konfiguriert ist. In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 als Spritzgussteile aus Kunststoff realisiert, die ausgestaltet sind, derart verbunden zu werden, dass die Stützrahmen104 ,106 dem Leistungsmodul100 eine mechanische Haltbarkeit und/oder dem Leistungselektroniksubstrat102 eine Stütze bieten. Gemäß einer Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 ausgestaltet, durch Laserschweiß verbunden zu werden wie unten beschrieben. - In einer beispielhaften Ausführungsform umfassen und/oder definieren die entsprechenden Stützrahmen
104 ,106 Einwirkungsbereiche112 ,114 , die ausgestaltet sind, Zugriff auf und/oder direktes Kühlen von Teilen des Leistungselektroniksubstrats102 zu erlauben, im Wesentlichen mit den Bereichen112 ,114 fluchtend. Die Einwirkungsbereiche112 ,114 können als Durchführungen oder Hohlräume in den Stützrahmen104 ,106 umgesetzt werden, die dem Kühlmittel oder direkten Substratkühlungsverfahren erlauben, mit einer Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 gekoppelt zu sein, die im Wesentlichen mit den Bereichen112 ,114 ausgefluchtet ist. - In einer beispielhaften Ausführungsform bieten die Stützrahmen
104 ,106 eine strukturelle Starrheit über das Leistungselektroniksubstrat102 , um eine Verformung in der Gegenwart von direkten Substratkühlungsverfahren zu reduzieren oder zu verhindern. In diesem Zusammenhang können die entsprechenden Stützrahmen104 ,106 Querstützen116 ,118 umfassen, welche die Einwirkungsbereiche112 ,114 kreuzen, um eine zusätzliche strukturelle Starrheit und eine verteilte Stütze über das Leistungselektroniksubstrat102 zu bieten. In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Querstützen116 ,118 in dem entsprechenden Stützrahmen104 ,106 ausgebildet. In dem Falle der als Spritzgussteile aus Kunststoff realisierten Stützrahmen104 ,106 können die Querstützen116 ,118 zum Beispiel in der Gussform definiert werden, die für den entsprechenden Stützrahmen104 ,106 verwendet wird. - In einer beispielhaften Ausführungsform sind die Stützrahmen
104 ,106 derart ausgestaltet, dass eine Abdichtung um die Einwirkungsbereiche112 ,114 ausgebildet wird, wenn die Stützrahmen104 ,106 verbunden werden. In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Dichtungselement108 mit dem Einwirkungsbereich112 des ersten Stützrahmens104 ausgefluchtet und ist konfiguriert, eine Abdichtung zwischen dem Leistungselektroniksubstrat102 und den Stützrahmen104 ,106 um die Einwirkungsbereiche112 ,114 auszubilden. - In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Dichtungselement
108 im Wesentlichen mit der Umfassung des Einwirkungsbereichs112 des ersten Stützrahmens104 ausgefluchtet. Wie am besten in2 gezeigt hat das Dichtungselement108 eine allgemein rechteckförmige äußere Umfassung, die einer rechteckförmigen Stützeinrichtung entspricht, solcher wie einem Vorsprung oder einer Nase, die in dem ersten Stützrahmen104 ausgebildet ist. Es sollte klar sein, dass, obwohl die1 bis4 im Rahmen der allgemein rechteckförmigen Einrichtungen beschrieben werden kann, der hierin beschriebene Gegenstand nicht auf eine bestimmte geometrische Ausgestaltung beschränkt ist. Das Dichtelement108 kann auch Querträger umfassen, die im Wesentlichen mit Querstützen116 ausgefluchtet sind. In Abhängigkeit von der Ausführungsform kann das Dichtelement108 als eine Pressdichtung, ein O-Ring, ein Kronkorken, eine Flüssigkeitsdichtung oder eine andere geeignete mechanische Dichtung umgesetzt sein, die in der Lage ist, ein Eindringen einer Flüssigkeit zu einzudämmen und/oder zu verhindern, wie es auf dem Gebiet der Technik verstanden wird. Gemäß einer Ausführungsform ist das Dichtelement108 ausgebildet, mit dem Stützrahmen104 verblockt zu sein (z. B. eine Gussform-in-der-Stelle Dichtung) wie unten beschrieben. Es versteht sich, dass in alternativen Ausführungsformen, obwohl nicht gezeigt, ein zweites Dichtelement zwischen dm Leistungselektroniksubstrat102 und dem zweiten Stützrahmen106 auf eine ähnliche Weise wie hierin in dem Kontext des Dichtelements108 beschrieben eingeschoben werden kann. Daher versteht es sich, dass, obwohl das Leistungsmodul100 hierin im Hinblick auf ein Aufweisen eines individuellen Dichtelements108 zwischen dem ersten Stützrahmen104 und dem Leistungselektroniksubstrat102 beschrieben wird, eine solche Beschreibung als auf gleiche Weise auf alternative Ausführungsformen anwendbar zu verstehen sein sollte, die ein zweites Dichtelement berücksichtigen, das zwischen dem zweiten Tragrahmen106 und dem Leistungselektroniksubstrat102 eingeschoben ist. - In einer beispielhaften Ausführungsform kann das Leistungsmodul
100 durch Verbinden der Stützrahmen104 ,106 ausgebildet werden, um das Leistungselektroniksubstrat102 zu stützen und/oder einzukapseln. Gemäß einer Ausführungsform sind die Stützrahmen104 ,106 um die oder nahe zu der Umfassung des Leistungselektroniksubstrats102 verbunden. Die Stützrahmen104 ,106 können auch an einem oder an mehreren inneren Punkten120 (z. B. entlang der Querstützen116 ,118 innerhalb der Einwirkungsbereiche112 ,114 ) verbunden werden, um eine verteilte Stütze quer über das Leistungselektroniksubstrat102 zu bieten. In diesem Zusammenhang kann der erste Stützrahmen104 einen oder mehrere Stifte122 umfassen, die durch das Leistungselektroniksubstrat102 und/oder das Dichtelement108 hineinragen, um ein Verbinden der Stützrahmen104 ,106 an inneren Punkten120 , die mit den Stiften122 ausgefluchtet sind, zu ermöglichen. In einer beispielhaften Ausführungsform umfassen das Leistungselektroniksubstrat102 und das Dichtelement108 Durchführungsbereiche oder innere Hohlräume124 ,126 , die konfiguriert sind, mit den Stiften122 ausgefluchtet zu werden. Es wird auf dem Gebiet der Technik verstanden, dass die Anzahl, Form und Anordnung der Stifte122 und/oder der inneren Punkte120 wie gewünscht variieren kann und dass die1 bis4 nicht dazu gedacht sind, den Bereich des Gegenstands auf irgendeine Weise zu beschränken. - In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Leistungsmodul
100 durch Ausfluchten des Leistungselektroniksubstrats102 zwischen dem ersten Stützrahmen104 und dem zweiten Stützrahmen106 konstruiert. Die inneren Hohlräume126 des Leistungselektroniksubstrats102 können zum Beispiel mit den Stiften122 des ersten Stützrahmens104 ausgefluchtet werden. Gemäß einer Ausführungsform ist das Dichtelement108 auch zwischen dem ersten Stützrahmen104 und dem Leistungselektroniksubstrat102 ausgefluchtet (z. B. durch Ausfluchten der inneren Hohlräume124 mit den Stiften122 ). In einer beispielhaften Ausführungsform sind der erste Stützrahmen104 und der zweite Stützrahmen106 zusammengepresst, um eine Abdichtung zwischen den Stützrahmen104 ,106 und dem Leistungselektroniksubstrat102 auszubilden. Das Dichtelement108 bietet eine Abdichtung zwischen dem ersten Stützrahmen104 und dem Leistungselektroniksubstrat102 um den Einwirkungsbereich112 , wenn der erste Stützrahmen104 gegen das Leistungselektroniksubstrat102 gepresst wird. Die gegenwirkende Kraft, die durch Pressen des Dichtelements108 verursacht wird, kann eine glatte Schnittstelle zwischen dem Leistungselektroniksubstrat102 und dem zweiten Stützrahmen106 ausbilden. In Abhängigkeit von dem Typ des Materials, das für den zweiten Stützrahmen106 ausgewählt wurde, kann diese glatte Schnittstelle auch eine Abdichtung zwischen dem Leistungselektroniksubstrat102 und dem zweiten Stützrahmen106 erzeugen wie es auf dem Gebiet der Technik verstanden wird. In einer beispielhaften Ausführungsform werden die Stützrahmen104 ,106 während Verdichtung oder unter einer Druckkraft derart verbunden, dass die Abdichtung auf eine unbestimmte Zeit aufrechterhalten wird (z. B. das Leistungsmodul100 bleibt in einem komprimierten Zustand). - In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Leistungsmodul
100 durch Verbinden der Stützrahmen104 ,106 mittels eines Laserschweißverfahrens konstruiert. Das Laserschweißverfahren erstellt Bindungen130 (z. B. Laserschweißnähten), die Druckkraft auf die Stützrahmen104 ,106 an den Stellen aufrechterhalten, an denen die Stützrahmen104 ,106 in einem direkten Kontakt mit einander stehen. In diesem Zusammenhang, um das Laserschweißen zu ermöglichen, kann der zweite Stützrahmen106 im Wesentlichen transparent oder transluzent sein, und der erste Stützrahmen104 kann im Wesentlichen opak sein oder ein dunkler gefärbtes Material aufweisen (z. B. schwarz). In einer solchen Ausführungsform absorbiert das erste Stützrahmen104 Laserenergie, die durch den zweiten Stützrahmen106 und/oder die inneren Hohlräume124 ,126 gerichtet ist, derart, dass die Laser-Energie die Verbindungsstelle der Stützrahmen104 ,106 erhitzt und das Kunststoffmaterial in den Stützrahmen104 ,106 erschmilzt, um die Laserschweißnähten130 zu bilden. In diesem Zusammenhang können die Stützrahmen104 ,106 konfiguriert sein, sich mit der Umfassung des Leistungselektroniksubstrats102 für das Laserschweißen über die Umfassung des Leistungselektroniksubstrats102 zu überlappen. In alternativen Ausführungsformen können die Bindungen130 durch Verbinden der Stützrahmen104 ,106 mittels Ultraschallschweißens, Reibschweißens oder anderer geeigneter Techniken ausgebildet werden. Alternativ können weitere Mittel zur Aufrechterhaltung des Drucks auf die Stützrahmen104 ,106 verwendet werden, um die Abdichtung (z. B. ein Verbindungselement) zu schaffen, ohne ein Zusammenbinden der Stützrahmen104 ,106 . - Gemäß einer Ausführungsform kann ein Kühlungsmechanismus mit einem der beiden Stützrahmen
104 ,106 oder mit beiden Stützrahmen104 ,106 verbunden werden, um ein direktes Kühlen den Bereichen der Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 bereitzustellen, die mit den Einwirkungsbereichen112 ,114 ausgefluchtet sind. Das direkte Kühlen wie hierin verwendet sollte als sich auf die Prozesse und/oder Verfahren beziehend verstanden werden, in denen ein Kühlmittel ist angewendet auf (oder alternativ ein Kühlmittelstrom ist gerichtet auf) eine Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 . In diesem Zusammenhang kann das Kühlmittel einen direkten Kontakt mit dem Leistungselektroniksubstrat102 ohne jegliche dazwischen liegende Schichten haben. Zum Beispiel kann der Kühlungsmechanismus mit dem Stützrahmen104 verbunden sein und kann ausgestaltet sein, Strahlaufprallkühlung der freiliegenden Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 nahe zu dem Stützrahmen104 über den Einwirkungsbereich112 bereitzustellen. Die Strahlaufprallkühlung sollte als auf den Prozess des Bereitstellens und/oder des Richtens eines Kühlmittelflusses auf die Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 mittels Düsen bezogen verstanden werden. Der Kühlungsmechanismus kann ein dielektrisches Kühlmittel einsetzen und/oder bereitstellen, wenn eine elektrisch heiße Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 gekühlt wird, oder setzt anderenfalls ein weiteres geeignetes Kühlmittel (z. B. ein Radiatorkühlmittel) ein, wenn eine elektrisch kalte Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats102 gekühlt wird, wie es auf dem technischen Gebiet verstanden wird. - Nun Bezug auf
5 nehmend kann in einer beispielhaften Ausführungsform ein Inverterleistungsmodul500 zum direkten Substratkühlen ausgestaltet sein. Das Inverterleistungsmodul500 umfasst, ohne Einschränkung, ein Leistungselektroniksubstrat502 , einen unteren Stützrahmen504 und einen oberen Stützrahmen506 . Die Elemente des Inverterleistungsmoduls500 sind ihren Entsprechungselementen, die in dem oben anhand der1 –4 beschrieben Leistungsmodul100 vorkommen, ähnlich, und diese gemeinsamen Elemente können hier in dem Kontext des Inverterleistungsmoduls500 nicht redundant im Einzelnen beschrieben werden. - In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst das untere Stützrahmen
504 einen oder mehrere Dichtungsmechanismen508 , die mit dem Stützrahmen504 verblockt sind und um die Umfassung eines oder mehrere Einwirkungsbereiche512 ausgestaltet sind, zu erlauben, dass ein Bereich der unteren Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats502 , der mit dem Einwirkungsbereich512 ausgefluchtet ist, zum Zwecke eines direkten Substratkühlens freiliegend ist. In einer beispielhaften Ausführungsform ist das Leistungselektroniksubstrat502 zwischen den Stützrahmen504 ,506 angeordnet, welche wiederum zusammengepresst und verbunden sind, um eine Abdichtung zwischen dem unteren Stützrahmen504 und dem Leistungselektroniksubstrat502 um die Einwirkungsbereiche512 auszubilden. Gemäß einer Ausführungsform sind die Stützrahmen504 ,506 durch eine oder mehrere Bindungen530 um die Umfassung der Einwirkungsbereiche512 verbunden. - In einer beispielhaften Ausführungsform umfasst der untere Stützrahmen
504 eine oder mehrere Öffnungen540 , die für ein direktes Substratkühlen (z. B. Strahlaufprallkühlen) ausgestaltet sind. Ein Kühlmechanismus kann mit dem unteren Stützrahmen504 verblockt und/oder verbunden sein und derart ausgefluchtet sein, dass der Kühlmechanismus dem Leistungselektroniksubstrat502 ein Kühlmittel durch die Öffnungen540 bereitstellt. In diesem Zusammenhang verhindern die Querstützen518 auf dem oberen Stützrahmen506 eine Verformung des Leistungselektroniksubstrats502 nach oben (z. B. in die Richtung des oberen Stützrahmens506 ) als ein Ergebnis der Kraft, die durch einen Unterschied in dem Umgebungsdruck über die gegenüberliegenden Oberflächen des Substrats502 verursacht wird. Obwohl nicht gezeigt können die Stützrahmen504 ,506 weiter modifiziert werden, um eine direkte Substratkühlung der oberen Seite des Inverterleistungsmoduls500 (zum Beispiel durch Hinzufügen von Querstützen an den unteren Stützrahmen504 ) zu erlauben, wie es auf dem Gebiet der Technik verstanden wird, und3 ist nicht dazu gedacht, den Rahmen des Gegenstands auf eine jegliche Weise zu beschränken. - Ein Vorteil des oben beschriebenen Systems und/oder Verfahrens ist dass das Leistungselektroniksubstrat ohne die Verwendung eines Kühlkörpers gekühlt werden kann. Das Verwenden von Kunststoffstützrahmen reduziert die Gesamtkosten und das Gewicht des Leistungsmoduls. Die Kunststoffstützrahmen können um die Umfassung des Leistungselektroniksubstrats und an den inneren Punkten verbunden werden, um eine strukturelle Starrheit über dem Substrat bereitzustellen und eine Verformung in beide Richtungen zu vermeiden, welche ansonsten durch direkte Substratkühlungsverfahren verursacht werden kann. Die Stützrahmen können Spritzgussteile aus Kunststoff mit integrierter Dichtelementen oder Dichtungen sein und für das Laserschweißen ausgestaltet sein.
- Während mindestens eine beispielhafte Ausführungsform in der vorstehenden detaillierten Beschreibung präsentiert wurde, sollte es zu verstehen sein, dass es eine Vielzahl von Varianten gibt. Es sollte auch zu verstehen sein, dass die beispielhafte Ausführungsform oder die beispielhaften Ausführungsformen wie hierin beschrieben nicht dazu gedacht sind, den Rahmen, die Anwendbarkeit oder die Konfiguration des beanspruchten Gegenstands in jeglicher Weise zu beschränken. Vielmehr wird die vorstehende detaillierte Beschreibung einem Fachmann einen bequemen Fahrplan zum Implementieren der beschriebenen Ausführungsform oder Ausführungsformen bieten. Es sollte zu verstehen sein, dass verschiedene Änderungen im Hinblick auf die Funktion und Anordnung der Elemente vorgenommen werden können, ohne von dem durch die Ansprüche definierten Rahmen abzuweichen, der bekannte Äquivalente und vorhersehbare Äquivalente zum Zeitpunkt der Einreichung dieser Patentanmeldung umfasst.
Claims (20)
- Ein Leistungsmodul zum Verwenden in einem Fahrzeug, wobei das Leistungsmodul aufweist: ein Leistungselektroniksubstrat; einen ersten Kunststoffrahmen, der ausgestaltet ist, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen; und einen zweiten Kunststoffrahmen, der ausgestaltet ist, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, wobei der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen ausgestaltet sind, zusammen verbunden zu werden, um das Leistungselektroniksubstrat zu stützen, wobei das Leistungselektroniksubstrat zwischen dem ersten Kunststoffrahmen und dem zweiten Kunststoffrahmen derart angeordnet ist, das eine Abdichtung zwischen dem ersten Kunststoffrahmen und dem Leistungselektroniksubstrat ausgebildet wird, wenn der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen zusammenverbunden werden.
- Leistungsmodul nach Anspruch 1, wobei das Leistungselement ferner ein erstes Dichtungselement aufweist, das zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem ersten Kunststoffrahmen eingeschoben ist, wobei das erste Dichtungselement konfiguriert ist, die Abdichtung auszubilden.
- Leistungsmodul nach Anspruch 2, wobei das erste Dichtungselement mit dem ersten Kunststoffrahmen verblockt ist.
- Leistungsmodul nach Anspruch 1, wobei das Leistungsmodul ferner einen Kühlungsmechanismus aufweist, der an den ersten Kunststoffrahmen angrenzt und konfiguriert ist, eine direkte Kühlung einer Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats nahe zu dem ersten Kunststoffrahmen bereitzustellen.
- Leistungsmodul nach Anspruch 1, wobei der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen ausgestaltet sind, an einem inneren Punkt innerhalb des Leistungselektroniksubstrats verbunden zu werden.
- Leistungsmodul nach Anspruch 1, wobei das Leistungselektroniksubstrat ein direkt gebondeltes Kupfersubstrat ist.
- Leistungsmodul nach Anspruch 1, wobei der erste Kunststoffrahmen und der zweite Kunststoffrahmen zum Laserschweißen ausgestaltet sind.
- Ein Verfahren zum Konstruieren eines Inverterleistungsmoduls, wobei das Verfahren aufweist: Ausfluchten eines Leistungselektroniksubstrats zwischen einem ersten Kunststoffstützrahmen und einem zweiten Kunststoffstützrahmen, wobei der erste Kunststoffstützrahmen und der zweite Kunststoffstützrahmen ausgestaltet sind, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen; Zusammenpressen des ersten Kunststoffstützrahmens und des zweiten Kunststoffstützrahmens, um eine Abdichtung zwischen dem ersten Kunststoffstützrahmen und dem zweiten Kunststoffstützrahmen auszubilden; und Verbinden des ersten Kunststoffstützrahmens und des zweiten Kunststoffstützrahmens.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Verfahren ferner ein Verbinden des ersten Kunststoffstützrahmens und des zweiten Kunststoffstützrahmens an einem inneren Punkt aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Verfahren ferner ein Verbinden eines Kühlungsmechanismus an den ersten Kunststoffstützrahmen aufweist, wobei der Kühlungsmechanismus ausgestaltet ist, ein Kühlmittel an eine Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats nahe zu dem ersten Kunststoffstützrahmen bereitzustellen.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei der erste Kunststoffstützrahmen und der zweite Kunststoffstützrahmen zum Laserschweißen ausgestaltet sind, wobei das Verbinden des ersten Kunststoffstützrahmens und des zweiten Kunststoffstützrahmens ein Zusammenschweißen des ersten Kunststoffstützrahmens und des zweiten Kunststoffstützrahmens mittels eines Lasers aufweist.
- Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Verfahren ferner ein Ausfluchten eines Dichtungselements, das zwischen dem ersten Kunststoffstützrahmen und dem Leistungselektroniksubstrat eingeschoben ist, vor dem Schritt des Zusammenpressens aufweist, wobei das Dichtungselement eine Abdichtung zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem ersten Kunststoffstützrahmen ausbildet, wenn der erste Kunststoffstützrahmen und der zweite Kunststoffstützrahmen gepresst werden.
- Ein Invertermodul, das aufweist: ein Leistungselektroniksubstrat; einen ersten Stützrahmen, der ausgestaltet ist, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, wobei der erste Stützrahmen einen ersten Bereich hat, der ausgestaltet ist, ein direktes Kühlen des Leistungselektroniksubstrats zu erlauben; eine Dichtung, die zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem ersten Stützrahmen eingeschoben ist, wobei die Dichtung konfiguriert ist, eine Abdichtung zwischen dem ersten Bereich und dem Leistungselektroniksubstrat bereitzustellen; und einen zweiten Stützrahmen, der ausgestaltet ist, das Leistungselektroniksubstrat aufzunehmen, wobei der erste Stützrahmen und der zweite Stützrahmen verbunden sind, um die Abdichtung auszubilden.
- Invertermodul nach Anspruch 13, wobei das Leistungselektroniksubstrat eine Vielzahl an inneren Hohlräumen hat, wobei der erste Stützrahmen und der zweite Stützrahmen an Stellen verbunden sind, die mit der Vielzahl an inneren Hohlräumen ausgefluchtet sind.
- Invertermodul nach Anspruch 14, wobei der erste Stützrahmen eine Vielzahl an Stiften aufweist, die konfiguriert sind, durch die Vielzahl der inneren Hohlräume hinauszuragen.
- Invertermodul nach Anspruch 13, wobei das Invertermodul ferner einen Kühlungsmechanismus aufweist, der an den ersten Stützrahmen angrenzt, wobei der Kühlungsmechanismus konfiguriert ist, eine Strahlaufprallkühlung einer Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats bereitzustellen, die mit dem ersten Bereich ausgefluchtet ist.
- Invertermodul nach Anspruch 13, wobei der zweite Stützrahmen einen zweiten Bereich hat, der ausgestaltet ist, ein direktes Kühlen des Leistungselektroniksubstrats zu erlauben, wobei das Invertermodul ferner einen zweiten Kühlungsmechanismus aufweist, der an den zweiten Stützrahmen angrenzt, wobei der zweite Kühlungsmechanismus konfiguriert ist, ein direktes Kühlen an eine Oberfläche des Leistungselektroniksubstrats bereitzustellen, die mit dem zweiten Bereich ausgefluchtet ist.
- Invertermodul nach Anspruch 17, das eine zweite Dichtung aufweist, die zwischen dem Leistungselektroniksubstrat und dem zweiten Stützrahmen eingeschoben ist, wobei die zweite Dichtung konfiguriert ist, eine zweite Abdichtung zwischen dem zweiten Bereich und dem Leistungselektroniksubstrat bereitzustellen, wenn der erste Stützrahmen und der zweite Stützrahmen verbunden sind.
- Invertermodul nach Anspruch 13, wobei das Leistungselektroniksubstrat ein direkt gebondeltes Kupfersubstrat ist.
- Invertermodul nach Anspruch 13, wobei die Dichtung mit dem ersten Stützrahmen verblockt ist.
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DE (1) | DE102009027292B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011100524A1 (de) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8248809B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-08-21 | GM Global Technology Operations LLC | Inverter power module with distributed support for direct substrate cooling |
US8059418B2 (en) * | 2009-04-03 | 2011-11-15 | Trw Automotive U.S. Llc | Assembly with a printed circuit board |
US8169779B2 (en) * | 2009-12-15 | 2012-05-01 | GM Global Technology Operations LLC | Power electronics substrate for direct substrate cooling |
DE102010001493A1 (de) * | 2010-02-02 | 2011-08-04 | ZF Friedrichshafen AG, 88046 | Verfahren zur Fixierung eines Bauelements in einem Gehäuse und Anordnung daraus |
US9252069B2 (en) * | 2010-08-31 | 2016-02-02 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | High power module cooling system |
DE102010043446B3 (de) * | 2010-11-05 | 2012-01-12 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitersystem |
KR101145640B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2012-05-23 | 기아자동차주식회사 | 인버터의 파워 모듈 |
US8957752B2 (en) | 2011-10-07 | 2015-02-17 | Sabic Global Technologies B.V. | Inverter housing system |
CN103295980B (zh) * | 2012-03-05 | 2016-01-13 | 上海沪通企业集团有限公司 | 单管igbt封装全桥模块及其封装方法 |
WO2013140703A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
US8867210B2 (en) * | 2012-10-31 | 2014-10-21 | Deere & Company | Cooling apparatus for an electrical substrate |
US8872328B2 (en) * | 2012-12-19 | 2014-10-28 | General Electric Company | Integrated power module package |
JP6504832B2 (ja) | 2014-01-28 | 2019-04-24 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 統合された取り付けおよび冷却の装置、電子装置、および車両 |
US10073512B2 (en) | 2014-11-19 | 2018-09-11 | General Electric Company | System and method for full range control of dual active bridge |
US9919608B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-03-20 | Ford Global Technologies, Llc | Power-module assembly for a vehicle |
US9538691B2 (en) | 2015-04-15 | 2017-01-03 | Ford Global Technologies, Llc | Power inverter for a vehicle |
US10000126B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-06-19 | Ford Global Technologies, Llc | Power-module assembly and method |
US10123465B2 (en) | 2015-04-15 | 2018-11-06 | Ford Global Technologies, Llc | Power-module assembly |
US9698076B1 (en) | 2015-12-22 | 2017-07-04 | Ksr Ip Holdings Llc. | Metal slugs for double-sided cooling of power module |
US11022383B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-06-01 | Teledyne Scientific & Imaging, Llc | Interface-free thermal management system for high power devices co-fabricated with electronic circuit |
CN108962853A (zh) | 2017-05-17 | 2018-12-07 | 通用电气公司 | 集成的功率半导体封装装置和功率变换器 |
WO2019011890A1 (en) * | 2017-07-12 | 2019-01-17 | Abb Schweiz Ag | POWER SEMICONDUCTOR MODULE |
DE102018115515A1 (de) * | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Valeo Siemens Eautomotive Germany Gmbh | Stromrichter für ein elektrisch antreibbares Fahrzeug |
JP7095609B2 (ja) * | 2019-01-24 | 2022-07-05 | 株式会社デンソー | 電力変換器とその製造方法 |
US11145571B2 (en) * | 2019-06-04 | 2021-10-12 | Semiconductor Components Industries, Llc | Heat transfer for power modules |
DE102021212232A1 (de) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Zf Friedrichshafen Ag | Leistungsmodul und verfahren zum montieren eines leistungsmoduls |
US11609279B1 (en) | 2022-03-09 | 2023-03-21 | GM Global Technology Operations LLC | Vehicle systems and related power module health monitoring methods |
US12010815B2 (en) * | 2022-03-18 | 2024-06-11 | Baidu Usa Llc | Chip to server packaging design for immersion systems |
EP4345887A1 (de) * | 2022-09-29 | 2024-04-03 | MAHLE International GmbH | System mit elektrischer komponente |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5016090A (en) * | 1990-03-21 | 1991-05-14 | International Business Machines Corporation | Cross-hatch flow distribution and applications thereof |
US5353865A (en) * | 1992-03-30 | 1994-10-11 | General Electric Company | Enhanced impingement cooled components |
JPH06104358A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-15 | Hitachi Ltd | 液体により冷却される電子装置 |
US5477008A (en) * | 1993-03-19 | 1995-12-19 | Olin Corporation | Polymer plug for electronic packages |
DE29514398U1 (de) * | 1995-09-07 | 1995-10-19 | Siemens AG, 80333 München | Abschirmung für Flachbaugruppen |
DE19645636C1 (de) | 1996-11-06 | 1998-03-12 | Telefunken Microelectron | Leistungsmodul zur Ansteuerung von Elektromotoren |
US5794684A (en) * | 1996-11-08 | 1998-08-18 | Jacoby; John | Stacked fin heat sink construction and method of manufacturing the same |
JP3352362B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2002-12-03 | 三菱電機株式会社 | 放熱板 |
DE19921928C2 (de) * | 1999-05-12 | 2002-11-14 | Bosch Gmbh Robert | Elektrisches Gerät |
US6269864B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-08-07 | Intel Corporation | Parallel-plate/pin-fin hybrid copper heat sink for cooling high-powered microprocessors |
US6892796B1 (en) * | 2000-02-23 | 2005-05-17 | General Motors Corporation | Apparatus and method for mounting a power module |
AUPQ729400A0 (en) * | 2000-05-04 | 2000-05-25 | Robert Bosch Gmbh | An electronic control module for a vehicle |
US6350949B1 (en) * | 2000-06-23 | 2002-02-26 | Tyco Electronics Corp | Sealed power distribution module |
US6519151B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-02-11 | International Business Machines Corporation | Conic-sectioned plate and jet nozzle assembly for use in cooling an electronic module, and methods of fabrication thereof |
DE50207121D1 (de) * | 2001-07-30 | 2006-07-20 | Bistekos Michael Georg | Einrichtung zur kühlung von gehausen, raumen, bauteilen, medien u. dgl |
JP3946018B2 (ja) * | 2001-09-18 | 2007-07-18 | 株式会社日立製作所 | 液冷却式回路装置 |
US6736192B2 (en) * | 2002-03-08 | 2004-05-18 | Ting-Fei Wang | CPU cooler |
US6721181B1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-04-13 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Elongated heat sink for use in converter assemblies |
JP4155048B2 (ja) * | 2003-02-14 | 2008-09-24 | 住友電装株式会社 | パワーモジュール及びその製造方法 |
JP4016271B2 (ja) | 2003-03-26 | 2007-12-05 | 株式会社デンソー | 両面冷却型半導体モジュール |
US7046535B2 (en) * | 2003-12-17 | 2006-05-16 | Ballard Power Systems Corporation | Architecture for power modules such as power inverters |
US7940532B2 (en) * | 2004-03-10 | 2011-05-10 | PEI-Genesis, Inc. | Power conversion device frame packaging apparatus and methods |
DE102004021365A1 (de) * | 2004-03-16 | 2005-10-06 | Robert Bosch Gmbh | Gehäuse für eine elektronische Schaltung und Verfahren zum Abdichten des Gehäuses |
US7096678B2 (en) * | 2004-09-01 | 2006-08-29 | Gelcore Llc | Method and apparatus for increasing natural convection efficiency in long heat sinks |
JP2006093404A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sumitomo Wiring Syst Ltd | 電気接続箱 |
EP1742264A3 (de) | 2005-07-05 | 2008-05-28 | Danfoss Silicon Power GmbH | Monolithisches flüssigkeitsgekühltes Leistungsmodul und dessen Herstellungsmethode |
US7508682B2 (en) * | 2005-09-19 | 2009-03-24 | Hitachi, Ltd. | Housing for an electronic circuit |
US7295433B2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-11-13 | Delphi Technologies, Inc. | Electronics assembly having multiple side cooling and method |
DE102006006175A1 (de) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh | Leistungselektronikanordnung |
JP4649359B2 (ja) * | 2006-04-06 | 2011-03-09 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却器 |
US20070240868A1 (en) * | 2006-04-17 | 2007-10-18 | Chaun-Choung Technology Corp. | Air-guiding structure for heat-dissipating fin |
US7880283B2 (en) * | 2006-04-25 | 2011-02-01 | International Rectifier Corporation | High reliability power module |
DE112007003440A5 (de) | 2007-01-22 | 2010-01-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur Kühlung von Bauelementen |
US7580261B2 (en) * | 2007-03-13 | 2009-08-25 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Semiconductor cooling system for use in electric or hybrid vehicle |
US7760506B1 (en) * | 2007-06-06 | 2010-07-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electronic components, systems and apparatus with air flow devices |
US7884468B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-08 | GM Global Technology Operations LLC | Cooling systems for power semiconductor devices |
KR101454321B1 (ko) * | 2008-01-22 | 2014-10-23 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 절연 금속 기판을 구비하는 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP5412511B2 (ja) * | 2008-06-18 | 2014-02-12 | ブルサ エレクトロニック アーゲー | 電子素子用の冷却装置 |
US8248809B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-08-21 | GM Global Technology Operations LLC | Inverter power module with distributed support for direct substrate cooling |
US8059418B2 (en) * | 2009-04-03 | 2011-11-15 | Trw Automotive U.S. Llc | Assembly with a printed circuit board |
-
2008
- 2008-08-26 US US12/198,723 patent/US8248809B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-29 DE DE200910027292 patent/DE102009027292B4/de active Active
- 2009-08-26 CN CN2009101666841A patent/CN101661912B/zh active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011100524A1 (de) * | 2011-05-05 | 2012-11-08 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Flüssigkeitsgekühltes Leistungshalbleitermodul |
DE102011100524B4 (de) * | 2011-05-05 | 2016-06-09 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungselektronische Anordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101661912B (zh) | 2011-11-30 |
US8248809B2 (en) | 2012-08-21 |
CN101661912A (zh) | 2010-03-03 |
DE102009027292B4 (de) | 2012-08-16 |
US20100053889A1 (en) | 2010-03-04 |
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