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Querverweise zu verwandten Anmeldungen
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- Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung
Nr. 2008-0126005 , angemeldet am 11. Dezember 2008, deren
gesamter Offenbarungsgehalt hiermit durch Verweis aufgenommen wird.
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
feiner Strukturen durch Ausnutzung der Unterschiede von Materialien
in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers und ein Verfahren
zur Herstellung von einem Dünnschichttransistor (TFT) unter
Verwendung desselben, genauer bezieht sie sich auf ein Verfahren
zur Bildung feiner Muster durch Ausnutzung der Unterschiede von
Materialien in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers und
ein Verfahren zur Herstellung eines TFT mit demselben Verfahren,
wobei eine Mehrzahl von Schichten mit verschiedenen Schwellenwerten
des Lichtflusses des Lasers gestapelt werden und dann einem Laser
ausgesetzt werden, so dass eine Schicht mit einem geringen Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers selektiv entfernt werden kann, wodurch
präzise feine Muster hergestellt werden und eine Kavität
für eine Gate-Elektrode präzise und leicht gebildet
werden kann.
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2. Beschreibung des Standes der Technik
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Ein
Dünnschichttransistor (TFT) ist ganz allgemein eine Art
von Feldeffekttransistor (FET), der grundsätzlich drei
Anschlussklemmen für eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode
und eine Drain-Elektrode aufweist.
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In
einem in 1 dargestellten TFT werden eine
Source-Elektrode S und eine Drain-Elektrode D räumlich
voneinander getrennt auf einem Substrat T gebildet und eine Gate-Elektrode
G wird oberhalb dieser gebildet. Der Freiraum zwischen der Source-Elektrode
S und der Drain-Elektrode D wird als Gate Kavität verwendet,
welche mit einem Halbleiter-Material und einem dielektrischen Material
gefüllt ist.
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An
Stellen, an denen die Source-Elektrode S oder die Drain-Elektrode
D mit der Gate-Elektrode G überlappen, bildet sich eine
parasitäre Kapazität, wodurch sich die elektrischen
Eigenschaften des TFT verschlechtern. Dementsprechend muss die Gate-Elektrode
G präzise ausgebildet werden, so dass sie sich nicht mit
der Source-Elektrode S oder der Drain-Elektrode D überlappt.
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Um
dieses Ziel zu erreichen wurden eine Oberflächenenergiestrukturierungsschritt
und eine selbst ausgerichtete Lithographie-Abdruck-Methode konventionell
angewendet. Diese Methode weist jedoch die Problematik komplizierter
Prozesse auf, da sie von zusätzlichen nicht gebundenen
Strukturierungsmethoden abhängt, die die freie Oberflächenenergie
der Fläche, in der die Gate-Elektrode nach Bildung der
Source-Elektrode und der Drain-Elektrode positioniert wird, differenziert.
Weiterhin weist die selbst angepasste Lithographie-Abdruck-Methode die
Problematik von übermäßigem Materialverbrauch auf,
da teure Materialien durch Ätzung entfernt werden.
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Die
vorliegende Erfindung wurde aufgrund der vorbeschriebenen und/oder
anderer Probleme entwickelt und ein Aspekt der Erfindung ist die
Bereitstellung eines Verfahrens, in welcher eine Vielzahl von Schichten
mit unterschiedlichen Schwellenwerten des Lichtflusses des Lasers übereinander
gestapelt sind und dann einem Laser ausgesetzt werden, so dass eine
Schicht mit einem niedrigen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
selektiv entfernt werden kann, wodurch präzise feine Strukturen
gebildet werden können und präzise und leicht
eine Kavität für die Gate-Elektrode gebildet werden
kann.
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Weitere
Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden teilweise
in der nun folgenden Beschreibung offenbart und sind teilweise aufgrund der
vorliegenden Beschreibung offensichtlich oder können durch
Ausführung der Erfindung entsprechend den Ansprüchen,
allein oder in Kombination, gelernt werden. Die vorbeschriebenen
und/oder andere Aspekte der vorliegenden Erfindung können durch
eine Methode zur Herstellung feiner Strukturen erreicht werden,
indem die Unterschiede in dem Schwellenwert des Lichtflusses des
Laser der Materialien ausgenutzt werden. Die Methode beinhaltet: Überschichten
eines Substrats mit einer unteren Schicht, Überschichten
der unteren Schicht und des Substrats mit einer oberen Schicht,
die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
aufweist als der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der unteren
Schicht und Bildung einer Kavität durch Ausrichtung eines
Lasers auf die untere Schicht und Entfernung der unteren Schicht
sowie der über der unteren Schicht angeordneten oberen Schicht,
so dass eine bestimmte Region durch Ausnutzung der Unterschiede
der Materialien in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Laser
selektiv entfernt wird und anschließend wird in die ausgehöhlte
Region Tinte eingefüllt, die sich selbständig
ausrichtet, wodurch die feine Struktur entsteht.
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Ein
anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung kann erreicht werden,
indem eine Methode zur Herstellung feiner Strukturen bereitgestellt
wird, die die Unterschiede der Materialien in den Schwellenwerten
des Lichtflusses des Lasers ausnutzt, wobei die Methode folgende
Schritte beinhaltet: Überschichten eines Substrats mit
einer unteren Schicht, Herstellung einer Vielzahl von räumlich
voneinander getrennten Teilbereichen durch Strukturierung der unteren
Schicht, Überschichten der Teilbereiche und des Substrats
mit einer oberen Schicht, die einen höheren Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers aufweist als der Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers der unteren Schicht, Bildung einer Kavität durch
Ausrichtung eines Lasers auf die Teilbereiche und Entfernung der
Teilbereiche sowie der über den Teilbereichen angeordneten
oberen Schicht, Befüllen der Kavität mit Tinte
und Ausnutzung der Selbst-Anordnung der Tinte.
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Ein
weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung kann erreicht werden,
indem eine Methode zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) bereitgestellt wird, die die Unterschiede der Materialien in
dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers ausnutzt, wobei die
Methode folgende Schritte beinhaltet: Überschichten eines
Substrats mit einer unteren Schicht, Herstellung einer Vielzahl
von räumlich voneinander getrennten Teilbereichen durch
Strukturierung der unteren Schicht, Einfüllen von leitender Tinte,
die als eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode des TFT verwendet
wird, zwischen die Teilbereiche; Überschichten der leitenden
Tinte und der Teilbereiche mit einer hydrophoben isolierenden Schicht,
die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
aufweist als die Teilbereiche; Bildung einer Kavität für
eine Gate-Elektrode durch Ausrichtung eines Lasers auf die Teilbereiche
und Entfernung der Teilbereiche und der über den Teilbereichen
angeordneten hydrophoben isolierenden Schicht und Befüllen
der Kavität mit Halbleiter-Material, dielektrischem Material
und leitender Tinte, die als Gate-Elektrode verwendet wird.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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Diese
und/oder andere Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung
werden mit Hilfe der nun anschließenden Beschreibung von
Ausführungsformen in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen
verdeutlicht und besser verständlich:
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1 zeigt
eine schematische Darstellung einer herkömmlichen Struktur
eines Dünnschichttransistors (TFT);
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2 bis 4 zeigen
schematische Darstellungen einer Methode zur Herstellung feiner
Strukturen entsprechend einer beispielhaften Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung; und
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5 bis 9 zeigen
schematische Darstellungen der Herstellung eines TFT mittels der
Methode zur Herstellung feiner Strukturen entsprechend einer beispielhaften
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
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Detaillierte Beschreibung der Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Methode zur Herstellung
feiner Strukturen durch Ausnutzung der Unterschiede von Materialien
in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers und einer Methode
zur Herstellung von einem Dünnschichttransistor (TFT) unter
Verwendung derselben. Zuerst werden die Methoden zur Herstellung
feiner Strukturen durch Ausnutzung der Unterschiede der Materialien
in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers beschrieben.
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Ausführungsform 1
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Eine
Methode S100 zur Herstellung feiner Strukturen beinhaltet einen
Schritt S110 bei dem ein Substrat T mit einer unteren Schicht 110 überschichtet
wird, einen Schritt S120, bei dem eine oberen Schicht 120,
die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
aufweist als der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der unteren
Schicht 110, auf die untere Schicht 110 und das
Substrat T überschichtet wird und einen Schritt S130, bei
dem durch Ausrichtung eines Lasers auf die untere Schicht 110 und
durch Entfernung der unteren Schicht 110 sowie der über
der unteren Schicht 110 angeordneten oberen Schicht 120 eine
Kavität gebildet wird.
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Der
Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers zeigt einen Schwellenwert
an, bei dem die untere Schicht 110 und die obere Schicht 120 den
Laser absorbieren und durch Abbau oder Verdampfung entfernt werden.
Allgemein weisen die Materialien unterschiedliche Schwellenwerte
auf, die durch Absorption des Lasers abgebaut werden. In der beschriebenen
Ausführungsform werden diese Eigenschaften ausgenutzt,
eine feine Struktur wird mit Hilfe des Prinzips generiert, dass
eine Schicht mit einem niedrigeren Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers zuerst abgebaut wird, wenn eine Vielzahl von Schichten
mit unterschiedlichem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers übereinander
angeordnet sind und dann einem Laser ausgesetzt werden.
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Momentan
kann der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers in verschiedenen
Hinsichten eingeschätzt werden. Beispielsweise kann im
Hinblick auf die bei Bestrahlung mit dem Laser durch die Vielzahl
von Schichten absorbierte Energie, eine Schicht mit relativ niedriger
Energie-Absorption abgebaut werden und diese Schicht wird so eingestuft, dass
sie einen niedrigen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers aufweist.
Weiterhin können die Vielzahl von Schichten sich in dem
Bereich absorbierter Wellenlängen des Lasers unterscheiden
und eine Schicht, die den Laser einer bestimmten Wellenlänge
gut absorbiert und zuerst abgebaut wird, wird so eingestuft, dass
sie einen niedrigen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers aufweist.
In anderen Worten: die vorliegende Erfindung definiert, dass eine
Schicht, die zuerst bei Bestrahlung mit einem Laser abgebaut wird,
im Hinblick auf die Energie des Lasers und die bestimmte Wellenlänge
einen niedrigeren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als die
anderen Schichten aufweist.
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Weiterhin
wird die Ausführungsform 1 anhand der 2a bis 2d detaillierter
beschrieben. In der in 2a gezeigten Ausführungsform
wird der Schritt S120, bei dem die obere, linke und rechte Seite
der unteren Schicht 110 mit der oberen Schicht 120 überschichtet
wird, nach dem Schritt S110 ausgeführt, bei dem die untere
Schicht 110 auf das Substrat T aufgebracht wird. In diesem
Beispiel ist der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der oberen
Schicht 120 höher als der Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers der unteren Schicht 110.
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Als
Methoden zum Überschichten der unteren Schicht 110 können
eine Schleuderbeschichtungs-Methode; eine photolithographische Methode, eine
Tintenstrahl-Methode, bei der Material herausgestoßen wird;
eine Siebdruck-Methode, die eine Stencil-Maske (genannt screen)
und eine Presse zur Bildung der Strukturen verwendet; eine elektrostatische
Druckmethode, die ein Material mit einer statischen Ladung zum Aufstapeln
des Materials verwendet; eine Offsetdruck-Methode, bei der das Material zuerst
auf eine Gummilage wie zum Beispiel ein Tuch transferiert wird und
wobei anschließend das funktionelle Material wieder von
dem Tuch auf das Substrat transferiert wird; eine Gravur-Druck-Methode,
wobei eine Abbildung eingraviert wird, wobei das funktionelle Material
auf die Decke transferiert und entsprechend der Offsetdruck-Methode
indirekt auf das Substrat aufgedruckt wird; eine Flexodruck-Methode,
die ein flexibles Harz oder eine Gummiplatte für eine Art Reliefdruck
verwendet; eine Druckmethode, die eine weiche Form verwendet, eine
Spalt-Beschichtungs-Methode, die eine Beschichtungsvorrichtung zum
Aufstapeln des funktionellen Materialien verwendet; etc. verwendet
werden.
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Weiterhin
kann eine so genannte „Tropfen nach Bedarf”-Methode
angewendet werden, um die Tinte nur auf eine bestimmte Region aufzutropfen, bei
der Bedarf besteht. Die „Tropfen nach Bedarf”-Methode
beinhaltet eine thermische Methode mit einem Heizgerät
als antreibende Quelle zum Auftropfen der Tinte, und eine Piezo-Methode,
bei der die Tinte durch das Piezo-Element gedrückt wird. Weiterhin
kann eine kontinuierliche Tintenstrahlmethode verwendet werden,
bei der die Tinte kontinuierlich hervorgestoßen wird und
wobei die Tinte in der benötigten Zeit abgelenkt und aufgestapelt
wird.
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Mit
den oben beschriebenen Methoden wird die untere Schicht 110 aufgestapelt
und anschließend der Schritt S120, bei dem die obere Schicht 120 auf
die untere Schicht 110 und das Substrat T aufgebracht wird,
durchgeführt. Natürlich kann die obere Schicht 120 mit
Hilfe der oben beschriebenen verschiedenen Methoden aufgestapelt
werden. Je dünner eine Region der auf der unteren Schicht 110 aufgestapelten
oberen Schicht 120 ist, desto besser ist dies hinsichtlich
des Aufstapelns der oberen Schicht 120. Dies wird später
genauer beschrieben.
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Nach
der Durchführung dieses Schrittes, wird der Laser auf die
untere Schicht 110 gerichtet und die untere Schicht 110 und
die auf der unteren Schicht 110 aufgestapelte Schicht 120 werden
entfernt um eine Kavität C zu bilden, indem beispielsweise
der Schritt S130 durchgeführt wird.
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Wie
bereits oben beschrieben wurde, ist der Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers der unteren Schicht 110 niedriger als die der
oberen Schicht 120. Dementsprechend wird die untere Schicht 110 zuerst
durch den emittierenden Laser entfernt anschließend wird
die Region der oberen Schicht 120, die auf der unteren
Schicht 110 aufgestapelt ist, zusammen mit der unteren
Schicht 110 entfernt. Zu diesem Zeitpunkt gilt, je dünner
die obere Schicht 120 ausgebildet ist, die die untere Schicht 110 bedeckt, umso
besser kann die obere Schicht 120, die auf der unteren
Schicht 110 angeordnet ist, zusammen mit der unteren Schicht 110 entfernt
werden.
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In
dieser Ausführungsform weist der Laser, der zur Entfernung
der unteren Schicht 110 verwendet wird, eine Wellenlänge
von 532 nm auf und der fokussierte Laserstrahl hat einen Durchmesser
von 80 μm und eine Energie pro Flächeneinheit
von 130 mJ/cm2. Anders ausgedrückt
der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der unteren Schicht 110 entspricht
der Energie pro Flächeneinheit von ca. 130 mJ/cm2 von einem Laser mit einer Wellenlänge
von 532 nm. Die Wellenlänge und die Energie pro Flächeneinheit
des Lasers können abhängig vom Material der unteren
Schicht 110 variieren.
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Währenddessen
werden die untere Schicht 110 und die obere Schicht, die
auf der unteren Schicht 110 aufgestapelt ist, entfernt,
so dass eine Kavität C gebildet wird. Wie bereits oben
beschrieben, wird die Kavität C gebildet, wenn der Laser
in Richtung der unteren Schicht 110 ausgerichtet ist, dadurch
ist es möglich, eine feine Struktur zu bilden, deren erforderliche
Linienstärke der Linienstärke der unteren Schicht 110 entspricht,
obwohl ein Laserstrahl verwendet wird, dessen Durchmesser größer ist
als die Breite der Kavität C. Dabei kann die feine Struktur
präzise ausgebildet werden.
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Die
Kavität C wird mit Tinte gefüllt, wobei die obere
Schicht 120 hydrophobe Eigenschaften haben kann, aber das
Substrat T, das an die Kavität C anschließt, kann
hydrophile Eigenschaften aufweisen, wodurch die eingefüllte
Tinte sich selbständig ausrichtet. Dies wird anhand der
nun folgenden Ausführungsform 2 erneut beschrieben.
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Die
untere Schicht 110 ist bei Raumtemperatur fest oder gelartig,
allerdings ist sie nicht darauf beschränkt, solange die
Schicht mittels eines kondensierten Energiestrahls verdunstet oder
zerlegt werden kann. Ein Beispiel für eine hoch molekulare
Substanz, die durch den Laser oder ähnliches zerlegbar ist,
kann ausgewählt werden aus einer Gruppe bestehend aus Polypropylencarbonat,
Poly(alphamethylstyren), Polymethylmethacrylat, Polybutylmetacrylat, Zelluloseacetat,
Nitrozellulose, Polyvinylchlorid, Poly(Vinylchlorid), Polyacetal,
Polyvinylidenchiorid, Polyurethan, Polyester, Polyorthoester, Polyacrylonitril, modifiziertes
Acrylonitril, Malein Harz, Kopolymer desselben, und eine Mischung
von hochmolekularen Molekülen wobei die Gruppe nicht auf
diese beschränkt ist.
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Als
weiteres Beispiel für eine Substanz, die aufgrund eines
Lasers oder ähnlichem selbst vaporisiert wird oder aufgrund
von Zusätzen, die einen bestimmten Wellenlängenbereich
absorbieren, selbst in Gasform übergeht, kann ausgewählt
werden aus einer Gruppe bestehend aus Acetamid, 2-Aminopyridin,
2-Amino-3-methylpyridin, 2-Amino-6-methylpyridin, 2-Chlorpyridin,
3-Bromopyridin, 3-Cyanopyridin, 4-Cyanopyridin, 1,3-Di-(4-piperidyl)propan,
Diethanolamin, Di-Isopropanolamin, 2-Ethanolpiperidin, Ethendiamintetraessigsäure,
Isobutanolamin, N-Methylacetamid, p-Toluidine, Triisopropanolamin,
N-Vinyl-2-Caprolactam, Maleinsäure, Pivalinsäure,
Trichloressigsäure, Behenylalkohol, 2,3-Butandiol, Butandiol,
Cyclohexanol, 2,2-Dimethylpropanol, 1,6-Hexandiol, 1-Heptanol, Bornylacetat,
Cetylacetat, Ethencarbonat, Methylbehenat, Diphenylether, n-Hexylether,
1,3,4-Trioxan, 3-Ethoxy-1-propanol, Benzophenon, p-Methylacetophenon,
Phenylaceton, Katechol, p-Cresol, Hydroquinon, 4-Ethylphenol, 2-Methoxyphenol,
Phenol, Thymol, 2,3-Xylenol und 2,5-Xylenol. Weiterhin beinhaltet
die Substanz organische und anorganische Materialien, die einfach
mit dem Laser entsprechend dem Ziel der vorliegenden Erfindung entfernt
werden können.
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Die
untere Schicht 110 kann aus einer einzelnen Schicht aus
einem einzigen Material oder aus einer Vielzahl von Schichten aus
einer Mehrzahl von Materialien bestehen. Dementsprechend kann die obere
Schicht 120 das vorbeschriebene Material beinhalten und
kann weiterhin jedes Material beinhalten, solange dessen Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers höher ist als die der oben
beschriebenen unteren Schicht 110.
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Weiterhin
kann, wie in 2D dargestellt, eine Passivierungsschicht 130 auf
die obere Seite der Kavität C und die obere Schicht 120 angebracht werden.
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Ausführungsform 2
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Wie
in den 3a bis 3e dargestellt
ist, umfasst eine Methode S200 zur Herstellung feiner Strukturen
gemäß dieser Ausführungsform einen Schritt
S210, wobei ein Substrat T mit einer unteren Schicht 110 überschichtet
wird, einen Schritt S220, bei dem eine Vielzahl von räumlich
voneinander getrennten Teilbereichen P durch Strukturierung der
unteren Schicht 110 hergestellt wird, einen Schritt S230, bei
dem die Teilbereiche P und das Substrat T mit einer oberen Schicht 120,
die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
aufweist als der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der unteren
Schicht 110, überschichtet wird, und einen Schritt S240,
bei dem eine Kavität C durch Ausrichtung eines Lasers auf
die Teilbereiche P und Entfernung der Teilbereiche P sowie der über
den Teilbereichen angeordneten oberen Schicht 120, gebildet
wird.
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In
dieser Ausführungsform entsprechen die Bezugszeichen der
unteren und oberen Schicht denen in der oben beschriebenen Ausführungsform
1. Dies bedeutet, dass die oberen und unteren Schichten mit den
bereits beschriebenen Materialien und Methoden aufgestapelt werden
können.
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Die Überschichtung
der unteren Schicht 110 in Schritt S210 entspricht dem
in Ausführungsform 1 beschriebenen Schritt.
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Nachdem
Schritt S210 durchgeführt wurde, wird Schritt S220 angeschlossen,
bei dem die untere Schicht 110 strukturiert wird, um die
Mehrzahl an räumlich voneinander getrennten Teilbereichen
P herzustellen.
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In
Schritt S220 wird die Strahlung des Laserstrahls auf eine bestimmte
Region der unteren Schicht 110 gerichtet, um die untere
Schicht 110 zu entfernen, anschließend wird der
Strahl zu einer anderen Region bewegt, um dort die untere Schicht 110 zu
entfernen. Als andere Methode zur Strukturierung der unteren Schicht 110 kann
beispielsweise eine photolithographische Methode verwendet werden und
nur die vereinzelte untere Schicht 110 und der Teilbereich
P können zu Beginn der Überschichtung der unteren
Schicht 110 aufgestapelt werden. Im vorliegenden Fall,
in dem der Teilbereich P eine Region ist, die als Kavität
C verwendet wird, wird die Methode bei der beschriebenen Ausführungsform
unter Benutzung eines Lasers durchgeführt, der geeignet
ist, die Präzision zu verstärken.
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Nachdem
in Schritt S220 die Teilbereiche P ausgebildet wurden, wird Schritt
S230 durchgeführt, bei der eine obere Schicht 120 auf
die Teilbereiche P und das Substrat T aufgebracht wird, wobei der Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers der oberen Schicht 120 höher
ist als die der unteren Schicht 110.
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Anschließend
wird Schritt S240 ausgeführt, bei dem eine Kavität
C gebildet wird, indem ein Laser auf die Teilbereiche P ausgerichtet
wird, so dass die Teilbereiche P und die obere Schicht 120,
die auf den Teilbereichen P aufgestapelt ist, entfernt werden. Der Teilbereich
P weist einen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers auf, die
niedriger ist als die der oberen Schicht 120, da er einen
Teil der unteren Schicht 110 darstellt. Wird der Laser
in Richtung der Teilbereiche P ausgerichtet, werden die Teilbereiche P
dementsprechend früher als die obere Schicht 120 entfernt,
wodurch auch die auf den Teilbereichen P aufgestapelte obere Schicht 120 entfernt
wird. Dementsprechend gilt, je dünner die auf den Teilbereichen P
angeordnete obere Schicht 120 ist, desto besser.
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Im
Ergebnis wird die Kavität C gebildet, wodurch die feinen
Strukturen präzise ausgebildet werden.
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Momentan
ist es möglich einen Dünnschichttransistor (TFT,
dieser wird später beschrieben) zu bilden, indem die Kavität
C mit Tinte gefüllt wird, insbesondere mit leitender Tinte,
wobei die obere Schicht 120 hydrophobe Eigenschaften aufweisen kann,
aber wobei eine Oberfläche des Substrates T in einer Region,
die mit Tinte gefüllt werden soll, beispielsweise an der
Stelle, an der das Substrat T an die Kavität C angrenzt,
hydrophile Eigenschaften haben kann, wodurch die eingefüllte
Tinte sich selbständig ausrichten kann. Wenn die obere
Schicht 120 hydrophobe Eigenschaften aufweist, während
das Substrat T in einer Region, die mit Tinte gefüllt werden
soll, hydrophile Eigenschaften aufweist, dann fließt die
Tinte nicht in Richtung der oberen Schicht 120 sondern
in Richtung des Substrates T, so dass die Tinte durch selbständiges
Ausrichten präzise in die Kavität C eingefüllt
werden kann.
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Die
obere Schicht 120 kann durch Verwendung hydrophober Materialien
hydrophob gemacht werden, durch Zusatz einer hydrophoben Schicht, durch
einen Plasma Prozess mit CF4, oder dem Zusatz
von hydrophoben Material etc. Dementsprechend kann die obere Schicht 120 hydrophobe
Eigenschaften aufweisen.
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Nachdem
die Kavität C mit Tinte befüllt wurde, kann eine
Passivierungsschicht 130 über der Kavität
C und der oberen Schicht 120 aufgestapelt werden, um die
prozessierten Ergebnisse nach Ausbildung der feinen Strukturen zu
schützen.
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Währenddessen
können die obere Seite des Substrates T, beispielsweise
die obere Seite der oberen Schicht 120 durch einen Laser
beleuchtet werden und die untere Seite des Substrats T kann mit
einem Laser beleuchtet werden, wenn das Substrat T durchsichtig
ist.
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Ausführungsform 3
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Wie
in den 4a bis 4b dargestellt, umfasst
eine Methode S300 zur Herstellung feiner Strukturen gemäß dieser
Ausführungsform einen Schritt S310, wobei ein Substrat
T mit einer unteren Schicht 140 überschichtet
wird, einen Schritt S320, bei dem auf die untere Schicht 140 eine
erste Zwischenschicht 150a aufgebracht wird, die einen
niedrigeren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als die untere
Schicht 140 aufweist und wobei auf der oberen Seite der
unteren Schicht 140 und den seitlichen Flächen
der ersten Zwischenschicht 150a eine zweite Zwischenschicht 150 aufgebracht
wird, die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers als die erste Zwischenschicht 150a aufweist;
einen Schritt S330, in dem auf die erste und zweite Zwischenschicht 150a und 150 eine
obere Schicht 160 aufgestapelt wird, die einen höheren
Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als die erste Zwischenschicht 150a aufweist
und einen Schritt S340, in dem eine Kavität C gebildet
wird, indem ein Laser auf die erste Zwischenschicht 150a ausgerichtet wird,
und die erste Zwischenschicht 150a und die auf der ersten
Zwischenschicht angeordnete obere Schicht 160 entfernt
wird.
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Wie
in 4a dargestellt, sind in dieser Ausführungsform
drei Schichten 140, 150 und 160 übereinander
gestapelt.
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Hier
ist der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers der ersten Zwischenschicht 150a,
die zwischen der oberen Schicht 160 und der unteren Schicht 140 angeordnet
ist, geringer als die der benachbarten Schichten.
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Dies
kann mittels einer Methode erreicht werden, bei der zuerst eine
untere Schicht 140 gebildet wird, auf die die erste Zwischenschicht 150 mit
einem niedrigen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers aufgebracht
wird; Aufstapeln der Zwischenschicht 150 auf die linke
und rechte Seite der ersten Zwischenschicht 150a und Aufstapeln
der oberen Schicht 160.
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Weiterhin
kann dies mit einer Methode erreicht werden, bei der die Zwischenschicht 150 über die
gesamte Fläche der unteren Schicht 140 aufgestapelt
wird; Entfernen eines der ersten Zwischenschicht 150a entsprechenden
Teils durch Bestrahlung mittels Laser, Überschichten mit
der ersten Zwischenschicht 150a mit einem niedrigen Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers wie oben beschrieben und Überschichten
mit der oberen Schicht 160.
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Nachdem
Schritt S320 durchgeführt wurde, wird wie in 4b dargestellt,
die erste Zwischenschicht 150a und die über der
ersten Zwischenschicht 150a angeordnete obere Schicht 160 unter Bildung
der Kavität C entfernt, indem der Laser auf die erste Zwischenschicht 150a gerichtet
wird.
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Die
Methode zur Herstellung feiner Strukturen durch Ausnutzung der Unterschiede
in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers wurde oben beschrieben.
Dementsprechend wird die Methode zur Herstellung eines TFT unter
Verwendung derselben im weiteren beschrieben.
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Ausführungsform 4
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Wie
in 5a bis 5e dargestellt,
beinhaltet die Methode S400 zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) gemäß dieser Ausführungsform einen
Schritt S410, bei dem eine untere Schicht 110 auf ein Substrat
T aufgestapelt wird; einen Schritt S420, bei dem eine Vielzahl von
räumlich voneinander getrennten Teilbereichen P durch Strukturierung der
unteren Schicht 110 hergestellt werden, einen Schritt S430,
bei dem leitende Tinte I zur Verwendung als eine Source-Elektrode
S und als eine Drain-Elektrode D des TFT zwischen die Teilbereiche P
eingefüllt wird; einen Schritt S440, bei dem auf die Teilbereiche
P und die leitende Tinte eine hydrophobe Isolierungsschicht 170 aufgebracht
wird, die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers als die Teilbereiche P aufweist; einen Schritt S450, bei
dem zur Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G ein Laser auf die Teilbereiche P gerichtet wird und die Teilbereiche
P sowie die auf den Teilbereichen P aufgestapelte hydrophobe Isolierungsschicht 170 entfernt
wird; und einen Schritt S460, bei dem die Kavität C mit
einem Halbleiter-Material M, einem dielektrischen Material U und
mit als Gate-Elektrode verwendeter leitender Tinte I gefüllt wird.
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Bezug
nehmend auf die 5a und 5b entspricht
die Bildung der unteren Schicht 110 auf dem Substrat T
in Schritt S410 und die Herstellung der Teilbereiche P in Schritt
S420 den Schritten der voranstehenden Ausführungsformen.
Dementsprechend wird auf die wiederholte Beschreibung dieser verzichtet.
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Das
Füllen der leitenden Tinte I zwischen die Teilbereiche
P gemäß Schritt S430 wird wie in 5c dargestellt
durchgeführt. In diesem Beispiel wird die leitende Tinte
als Source-Elektrode S und als Drain-Elektrode D des TFT verwendet.
Die Bezugszeichen S, I und D, I in 5c beziehen
sich jeweils auf die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode, dies
bedeutet, dass die leitende Tinte als die Source-Elektrode und als
die Drain-Elektrode verwendet wird.
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Nachdem
Schritt S430 durchgeführt wurde, wird Schritt S440 angeschlossen,
bei dem die hydrophobe Isolierungsschicht 170 mit einem
höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als die Teilbereiche
P auf der leitenden Tinte I und dem Teilbereich P aufgestapelt wird.
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Nachdem
Schritt S440 durchgeführt wurde, wird Schritt S450 angeschlossen,
bei dem die Kavität C für die Gate-Elektrode gebildet
wird, indem ein Laserstrahl auf die Teilbereiche P gerichtet wird
und wobei Teilbereiche P und auf Teilbereichen P angeordnete Isolierungsschicht 170 entfernt
werden. Aufgrund der Laser-Bestrahlung wird zuerst der Teilbereich
P entfernt, da der Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers des
Teilbereichs P niedriger ist als der Schwellenwert des Lichtflusses
des Lasers der hydrophoben Isolierungsschicht 170, und
ein Teil der auf dem Teilbereich P angeordneten hydrophoben Isolierungsschicht 170 wird
zusammen mit dem Teilbereich P entfernt, wodurch die Kavität
C entsprechend der obigen Beschreibung gebildet wird. Hierbei ist
klar, dass die leitende Tinte I einen höheren Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers als der Teilbereich P aufweisen muss,
damit sie nicht zusammen mit dem Teilbereich P entfernt wird.
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Nachdem
Schritt S450 durchgeführt wurde, wird Schritt S460 angeschlossen,
bei dem die Befüllung der Kavität C mit Halbleiter-Material
M, dielektrischem Material U und als Gate-Elektrode G verwendeter
leitender Tinte I durchgeführt wird und somit ein TFT hergestellt
wird.
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Momentan
weisen die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode D, die durch
die Kavität C geteilt werden, hydrophobe Eigenschaften
auf, so dass das Halbleiter-Material M, das dielektrische Material U
und die als Gate-Elektrode G verwendete leitende Tinte I in die
Kavität C eingefüllt werden, wobei sie sich selbständig
ausrichten. Wenn die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode
D hydrophobe Eigenschaften aufweisen, fließt die als Gate-Elektrode
G verwendete leitende Tinte I nicht zur der Source-Elektrode S und
der Drain-Elektrode D, sondern zu der Kavität C.
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Um
der Source-Elektrode S und der Drain-Elektrode D die hydrophoben
Eigenschaften zu geben, kann die leitende Tinte mit hydrophoben Zusätzen
versetzt werden oder die Oberflächen der Source-Elektrode
S und der Drain-Elektrode D werden einem CF4 Plasmaprozess
unterworfen etc. Wenn die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode
D mit hydrophoben Eigenschaften versehen werden, wird die hydrophobe
Zwischenschicht 170 nicht zwingend benötigt.
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Aufgrund
der Unterschiede in der Oberflächenenergie sind der Halbleiter,
das Dielektrikum und die als Gate-Elektrode G verwendete leitende Tinte
präzise in der Kavität C aufgestapelt, wodurch im
Vergleich zu herkömmlichen Fällen parasitäre
Kapazitäten vermieden werden.
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Die
leitende Tinte I kann ein, zwei oder mehr funktionelle Materialien
aufweisen, die ausgewählt werden aus einer Gruppe bestehend
aus leitenden organischen Materialien beispielsweise Poly(3,4-Ethendioxylthiophen)
(PEDOT) -poly(4-styrensulfonat) (PSS); Nanopartikel von leitendem
anorganischem Material beispielsweise Kupfer, Aluminium etc., eine
Vorstufe eines leitenden Materials beispielsweise eine metallorganische
Verbindung; organische/anorganische fluoreszente oder phosphoreszente
Materialien, wie sie in einem elektrolumineszierenden Gerät
eingesetzt werden; ein Isolator oder ein Dielektrikum; organische/anorganische
Halbleiter-Materialien oder deren Vorstufen. Weiterhin kann die
leitende Tinte I organisches Silber beinhalten
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Ausführungsform 5
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Wie
in 6a bis 6g dargestellt,
beinhaltet die Methode S500 zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) gemäß dieser Ausführungsform einen
Schritt S510, bei dem ein Halbleiter-Material M auf ein Substrat
T aufgestapelt wird; einen Schritt S520, bei dem eine untere Schicht 110 auf
das Substrat T und das Halbleiter-Material M aufgestapelt wird;
einen Schritt S530, bei dem eine Vielzahl von räumlich
voneinander getrennten Teilbereichen P durch Strukturierung der
unteren Schicht 110 hergestellt wird, wobei mindestens
ein Teilbereich P auf dem Halbleiter-Material M bereit gestellt
wird; einen Schritt S540, bei dem leitende Tinte I zur Verwendung
als eine Source-Elektrode S und als eine Drain-Elektrode D des TFT
zwischen die Teilbereiche P auf dem Halbleiter-Material M und dem
benachbarten Teilbereich P eingefüllt wird; einen Schritt
S550, bei dem auf den Teilbereich P und die leitende Tinte eine
hydrophobe Isolierungsschicht 170 aufgebracht wird, die
einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
als der Teilbereich P aufweist; einen Schritt S560, bei dem zur
Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G das Halbleiter-Material M freigelegt wird, indem ein Laser auf
den auf dem Halbleiter-Material M aufgestapelten Teilbereich P gerichtet wird
und indem der auf der Halbleiter-Schicht M aufgestapelte Teilbereich
P und die hydrophobe Isolierungsschicht 170 entfernt wird,
die auf dem über der Halbleiter-Schicht M angeordneten
Teilbereich P aufgestapelt ist; und einen Schritt S570, in dem das durch
die Kavität C freigelegte Halbleiter-Material M mit einem
dielektrischen Material U und der als Gate-Elektrode G verwendeten
leitenden Tinte I befüllt wird.
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In 6a wird
das Aufstapeln des Halbleiter-Materials M auf dem Substrat T dargestellt.
Anschließend wird Schritt S520 durchgeführt, bei
dem die untere Schicht 110 auf das Substrat T und das Halbleiter-Material
M aufgestapelt wird. Anschließend wird Schritt S530 durchgeführt,
bei dem eine Vielzahl von räumlich voneinander getrennten
Teilbereichen P durch Strukturierung der unteren Schicht 110 hergestellt
wird, wobei mindestens ein Teilbereich P auf dem Halbleiter-Material
M bereit gestellt wird. Diese Ausführungsform entspricht
der vorbeschriebenen Ausführungsform 4, aber unterscheidet sich
insofern, als dass mindestens ein Teilbereich P auf dem Halbleiter-Material
M gebildet wird.
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Nachdem
Schritt S530 wie in den 6d und 6e dargestellt
durchgeführt wurde, wird der Schritt S540 ausgeführt,
bei dem leitende Tinte I zur Verwendung als eine Source-Elektrode
S und als eine Drain-Elektrode D des TFT zwischen die Teilbereiche
P auf dem Halbleiter-Material M und dem benachbarten Teilbereich
P eingefüllt wird; und dann wird Schritt S550 durchgeführt,
indem eine hydrophobe Isolierungsschicht 170 auf den Teilbereich
P und die leitende Tinte aufgebracht wird, wobei die hydrophobe
Isolierungsschicht 170 einen höheren Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers als der Teilbereich P aufweist; die
Schritte entsprechen denen der Ausführungsform 4.
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Nachdem
der in 6f dargestellte Schritt S550
durchgeführt wurde, wird Schritt S560 angeschlossen, indem
zur Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G das Halbleiter-Material M einem Laser ausgesetzt wird, indem der
Laser auf den auf das Halbleiter-Material M aufgestapelten Teilbereich P
gerichtet wird und selektiv der auf der Halbleiter-Schicht M aufgestapelte
Teilbereich P und die auf dem Teilbereich P auf der Halbleiter-Schicht
M aufgestapelte hydrophobe Isolierungsschicht 170 entfernt wird.
Natürlich muss das Halbleiter-Material M einen höheren
Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als der Teilbereich P
aufweisen, damit es nicht durch den Laser entfernt wird.
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Nachdem
wie in 6g dargestellt der Schritt S560
durchgeführt wurde, wird der Schritt S570 ausgeführt,
indem dielektrisches Material U und als Gate-Elektrode G verwendete
leitende Tinte I auf das durch die Kavität C freigelegte
Halbleiter-Material M aufgestapelt wird, entsprechend der vorbeschriebenen
Ausführungsform 4.
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In
der Zwischenzeit wird der TFT präzise mittels Selbst-Ausrichtung
hergestellt, indem die Source-Elektrode S und die Drain-Elektrode
D entsprechend der oben beschriebenen Ausführungsform mit hydrophoben
Eigenschaften versehen werden, dementsprechend wird auf eine wiederholte
Beschreibung verzichtet.
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Ausführungsform 6
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Wie
in 7a bis 7g dargestellt,
beinhaltet die Methode S600 zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) gemäß dieser Ausführungsform einen
Schritt S610, bei dem ein Halbleiter-Material M auf ein Substrat
T aufgestapelt wird und indem ein dielektrisches Material U auf
das Halbleiter-Material M aufgestapelt wird; einen Schritt S620,
bei dem eine untere Schicht 110 auf das Substrat T und
das dielektrische Material U aufgestapelt wird; einen Schritt S630,
bei dem eine Vielzahl von räumlich voneinander getrennten
Teilbereichen P durch Strukturierung der unteren Schicht 110 hergestellt
wird, wobei mindestens ein Teilbereich P auf dem dielektrischen
Material U bereit gestellt wird; einen Schritt S640, bei dem leitende
Tinte I zur Verwendung als eine Source-Elektrode S und als eine
Drain-Elektrode D des TFT zwischen den Teilbereich P auf dem dielektrischen
Materials U und dem benachbarten Teilbereich P eingefüllt
wird; einen Schritt S650, bei dem auf den Teilbereich P und die
leitende Tinte eine hydrophobe Isolierungsschicht 170 aufgebracht
wird, die einen höheren Schwellenwert des Lichtflusses des
Lasers als der Teilbereich P aufweist; einem Schritt S660, bei dem
zur Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G das dielektrische Material U freigelegt wird, indem der Laser
auf den auf das dielektrische Material U aufgestapelten Teilbereich
P gerichtet wird und Entfernen des auf dem dielektrischen Material
U aufgestapelten Teilbereichs P und der auf dem Teilbereich P über
der dielektrischen Schicht U aufgestapelten hydrophoben Isolierungsschicht 170; und
einen Schritt S670, in dem das durch die Kavität C freigelegte
dielektrische Material U mit der als Gate-Elektrode G verwendeten
leitenden Tinte I befüllt wird.
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Diese
Ausführungsform entspricht der vorbeschriebenen Ausführungsform
5 mit der Ausnahme, dass zuerst das Halbleiter-Material M und das
dielektrische Material U auf dem Substrat T gebildet werden, dementsprechend
wird auf eine wiederholte Beschreibung verzichtet.
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Wird
jedoch die als Gate-Elektrode verwendete leitende Tinte I direkt
in die Kavität C gefüllt, kann es direkt elektrisch
mit der Source-Elektrode S oder der Drain-Elektrode D verbunden
werden. Dementsprechend kann ein zusätzliches dielektrisches Material
U1 bereitgestellt werden und es kann eine unterschiedliche Durchlässigkeit
von dem vorher aufgestapelten dielektrischen Material U aufweisen.
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Ausführungsform 7
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Im
Gegensatz zu den vorbeschriebenen Ausführungsformen beinhaltet
die in den 8a bis 8f dargestellte
Methode S700 zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) gemäß dieser Ausführungsform bei
der zuerst eine Gate-Elektrode G aufgestapelt wird, einen Schritt
S710, bei dem eine Gate-Elektrode G auf ein Substrat T aufgestapelt wird;
einen Schritt S720, bei dem eine untere Schicht 110 auf
die Gate-Elektrode G aufgestapelt wird, einen Schritt S730, bei
dem eine obere Schicht 120, die einen höheren
Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers als die untere Schicht 110 aufweist,
auf das Substrat T und die untere Schicht 110 aufgestapelt
wird; einen Schritt S740, bei dem eine Elektrodenschicht 180 zur
Verwendung als eine Source-Elektrode S und als eine Drain-Elektrode
D auf die obere Schicht 120 aufgestapelt wird; einen Schritt S750,
bei dem zur Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G diese einem Laser ausgesetzt wird und Entfernen der unteren Schicht 110,
der auf der unteren Schicht 110 aufgestapelten oberen Schicht 120 und
der auf der unteren Schicht 110 aufgestapelten Elektrodenschicht 180;
und einen Schritt S760, in dem die Kavität C mit einem
dielektrischen Material U und einem Halbleiter-Material M befüllt
wird.
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Der
Schritt S710 des Aufstapelns der Gate-Elektrode G auf dem Substrat
T und der Schritt S720 des Aufstapelns der unteren Schicht 110 auf die
Gate-Elektrode G kann mit einer der verschiedenen vorbeschriebenen
Methoden erzielt werden.
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In
den 8b bis 8d wird
die untere Schicht 110 so dargestellt, als wäre
sie gleich dick aufgestapelt wie die Gate-Elektrode G, dies ist
allerdings zur Beschreibung dieses Ausführungsbeispiels übertrieben
dargestellt. Alternativ kann die untere Schicht 110 so
aufgestapelt werden, das sie die linken und die rechten Seiten der
Gate-Elektrode G sowie die obere Seite der Gate-Elektrode G bedeckt.
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Nach
dem Aufstapeln der unteren Schicht 110 kann ein Trimm-Prozess
vorgesehen sein, bei dem die Form der unteren Schicht 110 und
der Gate-Elektrode G zurechtgeschnitten wird, indem die untere Schicht 110 und
die Gate-Elektrode G dem Laser ausgesetzt werden.
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Wie
in 8e dargestellt ist, weist die durch die Kavität
C zweigeteilte Elektrodenschicht 180 hydrophobe Eigenschaften
auf, so dass das in die Kavität C gefüllte dielektrische
Material U und das Halbleiter-Material M nicht zur Elektrodenschicht 180 hin fließen
sondern sich selbst ausrichten und die Kavität C ausfüllen,
so dass der TFT leichter und mit größerer Präzision
hergestellt werden kann.
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Um
das Selbst-Ausrichten noch weiter zu verstärken, kann eine
Flüssigkeit abstoßende Schicht (nicht dargestellt)
mit den hydrophoben Eigenschaften auf die Elektrodenschicht 180 aufgestapelt
werden. Weiterhin kann eine Passivierungsschicht (nicht dargestellt)
auf die nicht benetzende Schicht aufgebracht werden, wodurch der
TFT geschützt wird.
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Mittels
dieser Methode gibt es keine Überlappung zwischen der Gate-Elektrode
G und den Source-/Drainelektroden S und D, so dass parasitäre
Kapazitäten verhindert werden.
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Die
anderen entsprechen den obigen Beschreibungen und auf eine wiederholte
Beschreibung wird verzichtet.
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Ausführungsform 8
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Wie
in 9a bis 9f dargestellt,
beinhaltet die Methode S800 zur Herstellung eines Dünnschichttransistors
(TFT) gemäß dieser Ausführungsform einen
Schritt S810, bei dem eine Gate-Elektrode G auf ein Substrat T aufgestapelt
wird und indem ein dielektrisches Material U auf die Gate-Elektrode
G aufgestapelt wird; einen Schritt S820, bei dem eine untere Schicht 110 auf
das dielektrische Material U aufgestapelt wird; einen Schritt S830,
bei dem das Substrat T und die untere Schicht 110 mit einer
oberen Schicht 120 überschichtet wird, wobei die
obere Schicht 120 einen höheren Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers aufweist als die untere Schicht 110; einen
Schritt S840, bei dem eine Elektrodenschicht 180 zur Verwendung
als eine Source-Elektrode S und als eine Drain-Elektrode D auf die
obere Schicht 120 aufgestapelt wird; einen Schritt S850,
bei dem zur Bildung einer Kavität C für eine Gate-Elektrode
G diese einem Laser ausgesetzt wird und Entfernen der unteren Schicht 110,
der auf der unteren Schicht 110 aufgestapelten oberen Schicht 120 und der
auf der unteren Schicht 110 aufgestapelten Elektrodenschicht 180;
und einen Schritt S860, in dem die Kavität C mit einem
Halbleiter-Material M befüllt wird.
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Diese
Ausführungsform entspricht der vorbeschriebenen Ausführungsform
7 mit der Ausnahme, dass zuerst die Gate-Elektrode G und das dielektrische
Material U auf dem Substrat T aufgestapelt werden, dementsprechend
wird auf eine wiederholte Beschreibung verzichtet.
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Wird
der TFT wie oben beschrieben nach der vorliegenden Erfindung hergestellt,
kann die Kavität C präzise und leicht durch Selbst-Ausrichtung
befüllt werden.
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Ausführungsform 9
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Die
vorliegende Erfindung verwendet eine Vielzahl von Schichten, die
unterschiedliche Schwellenwerte des Lichtflusses des Lasers aufweisen,
um feine Strukturen nach dem Prinzip herzustellen, das Schichten
mit einem niedrigeren Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
zuerst entfernt werden und dann einen Dünnschichttransistor
(TFT) in derselben Weise herzustellen. Es konnte experimentell festgestellt
werden, dass die Vielzahl der Schichten miteinander verbunden sind
und in dem Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers abnahmen, dies
wird unter Bezugnahme auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele
und die 2 bis 2d dargestellt.
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Entsprechend
der in 2 dargestellten Methode zur
feinen Strukturierung wird in dieser Ausführungsform Panipol
X (Panipol INC, Finnland) als untere Schicht 110 verwendet
und als obere Schicht 120 wurde eine Schicht aus organischem
Silber verwendet. Panipol X ist ein leitendes Polymer, das durch
Alkali oder ähnlichem verändert und nicht dotiert
wird, so dass es keine Leitfähigkeit aufweist, insofern
kann Panipol X nur als die untere Schicht 110 verwendet
werden.
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Aufgrund
des Kontakts zwischen der unteren Schicht 110 und der oberen
Schicht 120 sinkt der Schwellenwert des Lichtflusses des
Lasers. Eine Stelle, an der die untere Schicht 110 und
die obere Schicht 120 aneinander haften, weist einen geringeren
Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers auf als jeweils der Schwellenwert
des Lichtflusses des Lasers der unteren Schicht 110 und
der oberen Schicht 120 allein, so dass die Stelle, an der
die untere Schicht 110 und die obere Schicht 120 miteinander
in Kontakt sind, zuerst entfernt werden kann.
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Dementsprechend
wird nur eine Region, die als Gate Kavität C verwendet
wird, wie oben beschrieben strukturiert.
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Eine
Schicht mit einem niedrigen Schwellenwert des Lichtflusses des Lasers
kann, wie oben beschrieben, selektiv entfernt werden, wodurch in
einer fein strukturierten Region eine Fläche zur Befüllung mit
Tinte gesichert wird und die Selbst-Ausrichtung der eingefüllten
Tinte versucht werden kann.
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Weiterhin
werden Halbleiter-und dielektrisches Material in den Bereich des
Gates zwischen Source-und Drain-Elektrode durch Selbst-Ausrichtung
der Tinte eingefüllt, wodurch einfach und effizient ein
Dünnschichttransistor (TFT) hergestellt wird, so dass die
Herstellungskosten reduziert werden.
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Obwohl
nur wenige Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung
dargestellt und beschrieben worden sind, wird der Fachmann erkennen,
dass die Ausführungsformen verändert werden können,
ohne von den Prinzipien und dem Wesen der Erfindung abzuweichen,
deren Umfang durch die angehängten Ansprüche und
ihre Äquivalente beschrieben wird.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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