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Die
Erfindung betrifft eine Beschichtungsanlage, enthaltend zumindest
einen evakuierbaren Rezipienten, welcher zur Aufnahme eines Substrates vorgesehen
ist, eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger
Prekursor in den Rezipienten einleitbar ist und zumindest ein beheizbares
Aktivierungselement. Weiterhin betrifft die Erfindung Verfahren
zur Herstellung eines Aktivierungselementes sowie Verfahren zu dessen
Verwendung.
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Aus M.
Sommer, F. W. Smith, J. Mater. Res. Vol. 5, No. 11 ist
eine Beschichtungsanlage der eingangs genannten Art sowie deren
Verwendung bekannt. Gemäß diesem Stand der Technik
kann über die Gaszufuhreinrichtung eine Mischung aus CH4 und H2 oder C2H2 und H2 in den Rezipienten eingelassen werden.
Sofern das Aktivierungselement eine Temperatur über 1300
K aufweist, entsteht durch thermische und katalytische Wirkung der
Oberfläche des Aktivierungselementes auf die Gasmoleküle
eine aktivierte Gasphase, aus der eine Beschichtung auf einem Substrat
gebildet werden kann. Beispielsweise kann mit dem beschrieben Verfahren
eine diamanthaltige Beschichtung auf dem Substrat erzeugt werden.
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Aus K.
Honda, K. Ohdaira and H. Matsumura, Jpn. J. App. Phys., Vol. 47,
No. 5 ist bekannt, eine Beschichtungsanlage der eingangs
genannten Art zur Abscheidung von Silicium zu verwenden. Hierzu wird
mittels der Gaszufuhreinrichtung Silan (SiH4)
als Prekursor zugeführt. Gemäß dem Stand
der Technik wird Silan an der beheizten Wolframoberfläche
des Aktivierungselementes dissoziiert und aktiviert, so dass eine
Siliciumschicht auf einem Substrat abgeschieden werden kann.
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Nachteilig
am genannten Stand der Technik ist jedoch die Tatsache, dass der über
die Gaszufuhreinrichtung zugeführte Prekursor mit dem Material des
Aktivierungselementes reagiert. Auf diese Weise kann das Aktivierungselement
beispielsweise zu Wolframsilicid, Wolframcarbid, Tantalcarbid oder
einer ähnlichen Phase umgesetzt werden, welche sich aus
zumindest einem Bestandteil des Prekursors und zumindest einem Bestandteil
des Aktivierungselementes zusammensetzt. Die Umsetzung des Aktivierungselementes
geschieht dabei von der Oberfläche des Aktivierungselementes
ausgehend in dessen Inneres.
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Die
bei der Umsetzung entstehenden Phasen führen in der Regel
zu Volumenveränderungen, sind im Vergleich zum Ausgangsmaterial
spröde und mechanisch wenig belastbar und zeigen oftmals
einen veränderten elektrischen Widerstand. Dies führt dazu,
dass das Aktivierungselement oftmals bereits nach wenigen Stunden
Betrieb zerstört ist. Beispielsweise kann das Aktivierungselement
unter einer mechanischen Vorspannung im Rezipienten eingesetzt sein
und unter dem Einfluss dieser mechanischen Vorspannung brechen.
Weiterhin kann die veränderte Oberflächenbeschaffenheit
und der sich über die Betriebsdauer ändernde elektrische
Widerstand eine Veränderung der Aktivierungsrate des Prekursors bewirken.
Dadurch verändert sich die Abscheiderate und/oder die Qualität
der aufwachsenden Schicht.
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Um
ein Brechen des Aktivierungselementes unter einer mechanischen Vorspannung
zu verhindern, schlägt der Stand der Technik beispielsweise die
Spülung der Einspannstellen mit einem Inertgas vor. Um
die Dynamik der Schichtabscheidung konstant zu halten, ist eine
aufwändige Regelung der elektrischen Leistungsaufnahme
bzw. der Temperatur des Aktivierungselementes bekannt.
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Die
Aufgabe der Erfindung besteht demnach darin, in einfacher Weise
die Betriebsdauer eines Aktivierungselementes zu verlängern
und den Einfluss des sich ändernden elektrischen Widerstandes
auf das Beschichtungsergebnis zu verringern.
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Die
Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch
eine Beschichtungsanlage, enthaltend zumindest einen evakuierbaren
Rezipienten, welcher zur Aufnahme eines Substrates vorgesehen ist,
eine Gaszufuhreinrichtung, mittels welcher zumindest ein gasförmiger
Prekursor in den Rezipienten einleitbar ist und zumindest ein beheizbares
Aktivierungselement, welches ein Material enthält, welches
zumindest zwei verschiedene Elemente enthält, welche ausgewählt
sind aus Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän,
Hafnium, Tantal, Wolfram, Rhenium, Osmium, Iridium oder Platin.
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Weiterhin
besteht die Lösung der Aufgabe in einem Verfahren zur Herstellung
eines Aktivierungselementes, welches den Schritt des Herstellens
eines Materials enthält, welches zumindest zwei verschiedene
chemische Elemente enthält, welche ausgewählt
sind aus Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän,
Hafnium, Tantal, Wolfram, Rhenium, Osmium, Iridium oder Platin,
wobei aus dem solchermaßen hergestellten Material ein Aktivierungselement
hergestellt wird.
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Weiterhin
wird die Aufgabe erfindungsgemäß durch ein Verfahren
zur Abscheidung einer Beschichtung auf einem Substrat gelöst,
wobei die Beschichtung zumindest ein erstes Element enthält.
Die Beschichtung wird mittels einer aktivierten Gasphasenabscheidung,
bei welcher ein Substrat in eine Gasatmosphäre eingebracht
wird, welche zumindest das erste Element enthält, hergestellt,
in dem die Gasatmosphäre durch ein beheiztes Aktivierungselement
aktiviert wird, wobei das erste Element ausgewählt ist
aus Silicium, Germanium, Kohlenstoff oder Stickstoff und der Querschnitt
des Aktivierungselementes einen Kern und zumindest eine Diffusionsbarriere
aufweist, welche das Eindringen des ersten Elementes in den Kern
zumindest vermindert.
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Erfindungsgemäß wird
vorgeschlagen, dass das Aktivierungselement aus einer Verbindung
aus mindestens zwei Elementen besteht. Während des Betriebes
eines solchen Aktivierungselementes kann das Material eines solchen
Aktivierungselementes durch die Reaktion mit den gasförmig
eingebrachten Prekursoren zumindest in einigen Raumbereichen verändert
werden. Die Prekursoren enthalten dabei zumindest ein Element aus
den Gruppen IIIa, IVa, Va und/oder VIa. Das veränderte
Aktivierungselement kann beispielsweise ein Material enthalten,
welches dem weiteren Angriff durch die zur Beschichtung verwendeten
Prekursoren in höherem Maße widersteht. In anderen
Ausführungsformen der Erfindung kann das veränderte
Aktivierungselement eine Diffusionsbarriere aufweisen, durch welche
der Zutritt von Gasmolekülen des Prekursors zu tieferen
Materialschichten des Aktivierungselementes zumindest erschwert, wenn
nicht gar verhindert wird. Auf diese Weise wird eine chemische Umsetzung
des Aktivierungselementes mit dem Prekursor verzögert oder
vermieden und die Standzeit des Aktivierungselementes wunschgemäß erhöht.
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In
einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung können
die zumindest zwei verschiedenen chemischen Elemente, welche das
Material des Aktivierungselementes bilden, zumindest eine Mischkristallphase
bilden. Als Mischkristallphase im Sinne der vorliegenden Erfindung
wird eine Verbindung bezeichnet, welche aus mindestens zwei verschiedenen
chemischen Elementen besteht, wobei die Atome zumindest eines Elementes
in einem Kristallgitter angeordnet sind. Die Atome des zweiten Elementes können
entweder in Zwischengitterplätze eingelagert sein oder
ein Atom des ersten Elementes durch Substitution ersetzen. Eine
solche Mischkristallphase mit metallischen Eigenschaften kann auch
eine Legierung sein. In analoger Weise können Mischkristallphasen
auch als ternäre oder mehrkomponentige Verbindung vorliegen.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung enthält das Material
des Aktivierungselementes zumindest eine intermediäre Phase.
Unter einer intermediären Phase im Sinne der vorliegenden Erfindung
wird eine Verbindung von mindestens zwei Elementen verstanden, welche
in einer Kristallstruktur kristallisieren, welche von der Kristallstruktur
der reinelementaren Phasen der Konstituenten abweicht, wobei die
Konzentrationen der Konstituenten entweder ein festes Verhältnis
zueinander eingehen oder allenfalls in einem schmalen Bereich variierbar
sind.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält
das Material des Aktivierungselementes zumindest eine reinelementare
Phase. Als reinelementare Phase wird dabei eine amorphe oder kristalline
Phase bezeichnet, welche im Wesentlichen aus einem einzigen chemischen
Element gebildet wird.
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Sofern
mehrere verschiedene reinelementare Phasen und/oder zumindest eine
Mischkristallphase und/oder zumindest eine intermediäre
Phase in einem Aktivierungselement enthalten sind, können
diese eine Schichtstruktur mit geometrisch definierten Grenzflächen
bilden oder ein Phasengemenge oder ein Eutektikum oder eine eutektoide
Phase. Zusätzlich können unvermeidbare Verunreinigungen
enthalten sein. Diese machen je nach verwendetem Basismaterial und
Herstellungsprozess im Regelfall weniger als 1,5 Gewichtsprozent
der Gesamtmasse aus, bevorzugt weniger als 0,1 Gewichtsprozent,
besonders bevorzugt weniger als 0,01 Gewichtsprozent.
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Das
Aktivierungselement ist in einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung
so ausgebildet, dass es in einfacher Weise beheizbar ist, eine möglichst
große Oberfläche zur Aktivierung der Gasphase
bereitstellt und eine möglichst lange Standzeit erreicht.
Beispielsweise kann das Aktivierungselement plattenförmig
ausgeführt und über eine Widerstandsheizung oder
eine Elektronenstoßheizung beheizt sein. In weiteren Ausführungsformen
der Erfindung kann das Aktivierungselement rohrförmig sein
und in die Gaszufuhreinrichtung integriert sein, sodass die Gaszufuhreinrichtung
unmittelbar eine aktivierte Gasphase in den Rezipienten einleitet.
Besonders bevorzugt ist jedoch ein Aktivierungselement, welches
durch zumindest einen Draht gebildet wird. Auf diese Weise ist eine
einfache und gleichmäßige Beheizung durch direkten
Stromfluss und eine große aktive Oberfläche sichergestellt.
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In
einer Weiterbildung der Erfindung kann das Aktivierungselement durch
einen Filamentdraht gebildet werden. Zur Herstellung eines solchen
Filamentdrahtes kann beispielsweise ein zylindrischer Grundkörper
aus einer duktilen ersten reinelementaren Phase und/oder zumindest
einer Mischkristallphase und/oder zumindest einer intermediäre
Phase erzeugt werden, welcher mit Hohlräumen oder Durchgangsbohrungen
versehen wird. In diese Hohlräume oder Durchgangsbohrungen
kann dann eine zweite reinelementare Phase und/oder eine Mischkristallphase
und/oder eine intermediäre Phase eingebracht werden. Fallweise
kann die zweite Phase auch in Pulverform eingebracht werden. Aus
dem zylindrischen Grundkörper kann dann in an sich bekannter
Weise ein Draht gezogen werden, welcher Filamente der zweiten Phase
einschließt. Optional kann durch einen Temperschritt eine
Phasenumwandlung und/oder eine chemische Umsetzung vorgenommen werden.
Dabei kann ein Pulverförmiger Stoff versintern.
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In
bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung enthält
das Material des Aktivierungselementes zumindest zwei verschiedene
chemische Elemente, wobei ein Element mit zumindest 20 Atomprozent
in der Verbindung enthalten ist. Bevorzugt ist ein Element mit mehr
als 40 Atomprozent in der Verbindung enthalten. Besonders bevorzugt
ist eine Verbindung, bei welcher zwei Elemente zu jeweils etwa 50 Atomprozent
enthalten sind. Beispielsweise können solche Aktivierungselemente
Niob und Molybdän enthalten, wobei der Anteil an Molybdän
etwa 20 Gewichtsprozent bis etwa 51 Gewichtsprozent beträgt. In
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Aktivierungselement
Tantal und Molybdän enthalten, wobei der Anteil an Molybdän
etwa 10 Gewichtsprozent bis etwa 35 Gewichtsprozent beträgt. In
einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann das Material
des Aktivierungselementes Niob und Wolfram enthalten, wobei der
Anteil an Wolfram etwa 30 Gewichtsprozent bis etwa 67 Gewichtsprozent
beträgt. Schließlich kann das Material des Aktivierungselementes
Tantal und Wolfram enthalten, wobei der Anteil an Wolfram etwa 20
Gewichtsprozent bis etwa 51 Gewichtsprozent beträgt.
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Nachfolgend
soll die Erfindung anhand von Figuren und Ausführungsbeispielen
ohne Beschränkung des allgemeinen Erfindungsgedankens näher erläutert
werden. Dabei zeigt
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1 den
Aufbau einer erfindungsgemäß vorgeschlagenen Beschichtungsanlage.
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2 zeigt den Querschnitt durch ein Aktivierungselement
gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung.
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3 zeigt
den Querschnitt durch ein Aktivierungselement gemäß einer
weiteren Ausführungsform der Erfindung.
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4 zeigt
eine elektronenmikroskopische Aufnahme eines Querschnittes durch
ein Aktivierungselement.
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5 zeigt
beispielhaft ein Phasendiagramm eines Materials gemäß einem
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
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1 zeigt
einen Querschnitt durch eine erfindungsgemäße
Beschichtungsanlage. Die Beschichtungsanlage umfasst einen Rezipienten 1,
welcher einen Anschluss 12 aufweist, an welchem eine an
sich bekannte Vakuumpumpe anschließbar ist. Mittels der
am Anschluss 12 befindlichen Vakuumpumpe kann der Rezipient
auf ein Endvakuum von beispielsweise 1 × 10–4 mbar,
bevorzugt 1 × 10–6 mbar,
besonders bevorzugt 1 × 10–7 mbar
oder weniger evakuiert werden.
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Innerhalb
des Rezipienten sind verschiedene Baugruppen angeordnet. Beispielsweise
befindet sich im Rezipienten 10 ein Substrathalter 11,
auf welchen ein zu beschichtendes Substrat 30 angeordnet werden
kann. Der Substrathalter 11 kann dazu eingerichtet sein,
dass Substrat 30 an eine vorgebbare Stelle innerhalb des
Rezipienten zu positionieren, eine Vorspannung an das Substrat 30 anzulegen und/oder
das Substrat 30 auf eine vorgebbare Temperatur zu heizen
oder zu kühlen. Der Substrathalter 11 kann dazu
eingerichtet sein, mehrere Substrate aufzunehmen. Weiterhin können
in einigen Ausführungsformen der Erfindung mehrere Substrathalter vorgesehen
sein. Bei Betrieb der Beschichtungsanlage wird auf dem Substrat 30 eine
Beschichtung 31 abgeschieden.
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Weiterhin
ist ein Aktivierungselement 24 dargestellt. Das Aktivierungselement 24 umfasst
im dargestellten Ausführungsbeispiel zwei Drähte 18 und 19.
Dabei weist der Draht 18 eine gestreckte Einbaulage auf.
Der Draht 19 weist mehrere Windungen 19a auf,
mit welchen der Leistungsbedarf zur Beheizung erhöht werden
kann und/oder die Oberfläche des Drahtes 19 vergrößert
werden kann. Die Drähte 18 und 19 können
einen runden Querschnitt aufweisen oder eine beliebige andere Querschnittsform,
beispielsweise polygonal. Fallweise können nur gerade Drähte 18 oder
nur gewundene Drähte 19 oder eine Kombination
beider Drähte vorgesehen sein.
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Die
Drähte 18 und/oder 19 enthalten eine Verbindung
aus zumindest zwei Elementen, welche ausgewählt sind aus
Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir oder Pt. Die Drähte
können mehrere verschiedene reinelementare Phasen und/oder
zumindest eine Mischkristallphase und/oder zumindest eine intermediäre
Phase enthalten. Diese können eine Schichtstruktur mit
geometrisch definierten Grenzflächen bilden oder ein Phasengemenge und/oder
ein Eutektikum und/oder eine eutektoide Phase der enthaltenen Komponenten.
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Weiterhin
umfasst das Aktivierungselement 24 zwei Haltevorrichtungen 13a und 13b,
mit welchen die Drähte 18 und 19 mit
einer Vorspannung beaufschlagt werden können. In Abhängigkeit
des gewünschten Beschichtungsprozesses kann die relative
Lage des Aktivierungselementes 24 zum Substrat 30 so
gewählt werden, dass eine direkte Sichtverbindung zwischen
dem Aktivierungselement 24 und dem Substrat 30 besteht.
In anderen Ausführungsformen der Erfindung kann das Substrat 30 so
angeordnet sein, dass keine direkte Sichtverbindung zu dem Aktivierungselement 24 besteht.
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Zur
Initiierung einer Schichtabscheidung auf dem Substrat 30 werden
die Aktivierungselemente 24 auf eine erhöhte Temperatur
gebracht, welche beispielsweise zwischen 1300 K und etwa 3300 K
liegt. Die Beheizung der Drähte 18 und 19 erfolgt
im dargestellten Beispiel durch direkten Stromfluss, d. h. durch
Widerstandsheizung. Hierzu ist jeweils ein Ende der Drähte 18 und 19 mit
einem Masseanschluss versehen. Das jeweils dem Masseanschluss entgegen
gesetzte Ende wird mittels einer vakuumdichten elektrischen Durchführung 17a bzw. 17b aus dem
Inneren des Rezipienten 10 nach außen geführt. Dort
befindet sich der Anschluss einer dem jeweiligen Draht 18 bzw. 19 zugeordneten
Stromversorgung 23a und 23b. Die Stromversorgung 23a und 23b kann
dabei Regelkreise umfassen, welche es gestatten, die jeweilige Temperatur
und/oder den eingestellten Strom und/oder die anliegende Spannung
an den Drähten 18 und 19 auf vorgebbare
Werte zu regeln.
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Die
Abscheidung der Schicht 31 aus der Gasphase erfordert die
Anwesenheit von schichtbildenden Substanzen bzw. Prekursoren. Die
Bereitstellung der Prekursoren erfolgt über eine Gaszufuhreinrichtung 15, 16, 20 und 21.
Dabei befindet sich zumindest ein gasförmiger Prekursor
in einem Gasvorrat 21, beispielsweise einem Druckbehälter
oder einem Verdampfer. Dieser ist über ein Regelventil 20 mit
einer Zufuhrleitung 15 verbunden. Die Zufuhrleitung 15 endet
innerhalb des Rezipienten 10 an einem Gasauslass 16.
Der Gasauslass 16 kann beispielsweise ein frei ausblasendes
Rohrende, eine Düse oder ein Gasverteiler sein.
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Der
im Inneren des Rezipienten 10 herrschende Druck wird mittels
einer Druckmesseinrichtung 14 überwacht. Die Druckmesseinrichtung 14 kann
beispielsweise ein Totaldruckmessgerät sein, wie beispielsweise
ein Baratron, eine Bayard-Alpert-Messröhre oder ein invertiertes
Magnetron. Alternativ kann die Druckmesseinrichtung 14 auch
eine Partialdruckmesseinrichtung sein, beispielsweise ein Quadrupol-Massenspektrometer.
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Der
von der Druckmesseinrichtung 14 aufgenommene Druck wird
einer Regeleinrichtung 22 zugeführt. Die Regeleinrichtung 22 erzeugt
ein Stellsignal für das Regelventil 20, um den
im Inneren des Rezipienten 10 herrschenden Druck bzw. den
Partialdruck des Prekursors auf einen vorgebbaren Sollwert zu regeln.
Sofern mehrere unterschiedliche Prekursoren benötigt werden,
kann der Gasvorrat 21 eine entsprechend vorbereitete Gasmischung
beinhalten oder die unterschiedlichen Prekursoren werden über eine
Mehrzahl von Gaszufuhreinrichtungen 16, 15, 20 und 21 sowie
zugeordnete Mess- und Regeleinrichtungen 14 und 22 zugeführt.
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Mit
der dargestellten Beschichtungsanlage können verschiedenartige
Beschichtungen 31 auf dem Substrat 30 erzeugt
werden. Beispielsweise kann als Prekursor CH4 und
H2 verwendet werden, um auf dem Substrat 30 eine
kohlenstoffhaltige Beschichtung abzuscheiden. Die kohlenstoffhaltige
Beschichtung kann in Abhängigkeit von den gewählten Prozessparametern
kristallinen Diamant umfassen. Alternativ kann die kohlenstoffhaltige
Beschichtung diamantartigen Kohlenstoff (DLC), Graphen oder Kohlenstoff-Nanoröhrchen
(CNT) enthalten.
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Sofern
als Prekursor ein siliciumhaltiges Gas wie beispielsweise Silan
(SiH4) verwendet wird, kann die Beschichtung
amorphes (a-Si:H) oder kristallines (c-Si:H) Silicium enthalten.
Durch die Kombination verschiedener Prekursorgase oder durch die
Verwendung eines mehrkomponentigen Prekursorgases lassen sich Schichten
aus mehreren Komponenten herstellen. Beispielsweise kann eine SiNy-Schicht erzeugt werden, wenn als Prekursorgase
Silan, Ammoniak verwendet werden. Eine SiOxNy-Schicht kann erzeugt werden, wenn als Prekursorgase
Silan, Ammoniak und Sauerstoff verwendet werden. Sofern als Prekursorgas
Trimethylsilan verwendet wird, kann eine Siliciumcarbid-Schicht
erzeugt werden.
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In
einigen Ausführungsformen der Erfindung können
zusätzlich zum Prekursor weitere Gase vorhanden sein, beispielsweise
als Trägergas oder Verunreinigung. Als Verunreinigungen
kommen insbesondere Kohlenwasserstoffe, Sauerstoff, Stickstoff oder
Wasser in Betracht. Fallweise können diese Verunreinigungen
in der Schicht 31 nachgewiesen werden.
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2 zeigt den Querschnitt durch einen Draht 18,
welcher Teil des Aktivierungselementes 24 ist. Der Querschnitt
zeigt einen Kern 40 mit einer Randzone 41. Zwischen
dem Kern 40 und der Randzone 41 kann fallweise
eine Übergangszone 42 angeordnet sein. In einer
Ausführungsform der Erfindung enthält der Kern 40 zumindest
zwei verschiedene chemische Elemente, welche ausgewählt
sind aus Titan, Vanadium, Chrom, Zirkon, Niob, Molybdän,
Hafnium, Tantal, Wolfram, Rhenium, Osmium, Iridium oder Platin.
Der Kern 40 kann eine binäre, ternäre
oder mehrkomponentige Verbindung der genannten Elemente enthalten.
Daneben enthält der Kern 40 fallweise unvermeidbare
Verunreinigungen, wie beispielsweise Aluminium, Silicium, Sauerstoff, Kohlenstoff
oder weitere, nicht genannte Elemente. Der Gehalt an diesen Verunreinigungen
wird jedoch im Regelfall weniger als 1,5 betragen.
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Die
zumindest zwei verschiedenen chemischen Elemente können
eine Mischkristallphase und/oder eine intermediäre Phase
und/oder eine reinelementare Phase und/oder eine eutektische und/oder
eine eutektoide Phase bilden. Auf diese Weise ergibt sich eine Vielzahl
möglicher Ausführungsformen. Beispielsweise ist
in 2a der Fall gezeigt, dass der Kern 40 das
erste chemische Element enthält und die Randzone 41 das
zweite chemische Element. Auf diese Weise ergibt sich eine geometrisch
bestimmte Grenzfläche zwischen beiden reinelementaren Phasen.
Alternativ kann auch der Kern 40 aus einer Legierung von
zwei verschiedenen chemischen Elementen bestehen und die Randzone 41 durch
eine reinelementare Phase eines dritten chemischen Elementes gebildet
werden.
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In 2b ist
wiederum eine andere Ausführungsform der Erfindung dargestellt,
bei welcher der Kern 40 und die Randzone 41 je
eine Mischkristallphase 44 enthalten, welche neben weiteren
Phasen 45 und 46 koexistieren. Anhand der dargestellten Prinzipien
kann der Fachmann weitere Ausführungsbeispiele der Erfindung
kombinieren.
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Die
Randzone 41 kann gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung auch dadurch gebildet werden, dass zumindest ein Element
des Kerns 40 mit einem gasförmigen Element, wie
beispielsweise Kohlenstoff, Silicium, Stickstoff oder Germanium
reagiert. Auf diese Weise enthält die Randzone 41 beispielsweise
ein Silicid, ein Carbid oder ein Nitrid. Da bei dieser Form der
Herstellung die gasförmige Substanz von außen
in das Innere des Drahtes 18 eindiffundiert, kann sich
im Übergang der Randzone 41 zum Kern 40 eine
Mischzone 42 ausbilden, in welcher die Konzentration des
eindiffundierten Elementes kontinuierlich bis zum reinen Material
des Kerns 40 abnimmt. Beispielsweise kann der Kern 40 in
diesem Fall aus einer reinelementaren Wolframphase bestehen. Beim
Glühen des Drahtes 18 in einer siliciumhaltigen
Atmosphäre, welche beispielsweise 0,5% bis 100% Silan enthält,
ensteht auf diese Weise eine Randzone 41, welche WSix enthält. Die Randzone 41 ist
in diesem Fall bevorzugt etwa 10 μm bis 100 μm dick.
Dies entspricht etwa 10 Prozent bis etwa 50 Prozent des Querschnittes
des Aktivierungselementes, welches bevorzugt einen Durchmesser bzw.
eine Dicke von etwa 0.1 mm bis etwa 1 mm, insbesondere 0,2 mm bis
0,7 mm aufweist. Das oben dargestellte Beispiel kann auch dahingehend
verallgemeinert werden, dass der Kern zwei oder mehr Elemente enthält.
Beispielsweise kann der Kern Tantal und Wolfram enthalten und die
Randzone TaSiy und/oder WSix und/oder
(Ta, W)mS1-m.
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3 zeigt
ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Querschnittes eines
Drahtes 18 eines Aktivierungselementes 24. Der
Querschnitt gemäß 3 zeigt
eine in etwa polygonale Form mit abgerundeten Ecken. Das Aktivierungselement
gemäß 3 besteht aus einer Verbindung
von mindestens zwei Elementen aus der Gruppe, welche Titan, Vanadium, Chrom,
Zirkon, Niob, Molybdän, Hafnium, Tantal, Wolfram, Rhenium,
Osmium, Iridium oder Platin enthält. Dabei enthält
das Material des Aktivierungselementes zwei Phasen 50 und 51,
welche sich nicht vollständig mischen. Beispielsweise kann
die Phase 51 eine intermediäre Phase sein, welche
neben einer reinelementaren Phase 50 koexistiert. In einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung kann die Phase 51 eine
intermediäre Phase sein, welche neben einer Mischkristallphase 50 koexistiert.
In einem dritten Ausführungsbeispiel der Erfindung kann
die Phase 51 eine Mischkristallphase sein, welche neben
einer reinelementaren Phase 50 koexistiert oder die Phase 51 kann
eine erste Mischkristallphase sein, welche neben einer zweiten Mischkristallphase 50 koexistiert.
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Bei
Betrieb des Aktivierungselementes bei Anwesenheit eines Prekursors,
welcher Elemente aus den Gruppen IIIa, IVa, Va und/oder VIa des
Periodensystems enthält, kann das Material des Drahtes 18 eine
Umsetzung erfahren, wobei Elemente aus dem Prekursor eingebaut werden.
Beispielsweise kann unter diesen Umständen WC, SiC, W5Si3, (W, Ta)5Si3 oder eine ähnliche
Phase entstehen. Dabei kann vorgesehen sein, dass nur bestimmte
Raumbereiche, bzw. bestimmte Flächenbereiche des Querschnittes
an der Umsetzung teilnehmen, sodass ein hinreichender Querschnitt
des Aktivierungselementes verbleibt, um dessen Funktion sicherzustellen. Beispielsweise
kann die Phase 51 an der Umsetzung mit dem Prekursor beteiligt
sein und die Phase 50 nicht bzw. in geringerem Maße.
In anderen Ausführungsformen der Erfindung können
Teilbereiche des Aktivierungselementes als Diffusionsbarriere dienen. In
diesem Fall bildet sich eine Randzone einer barrierewirksamen Phase,
welche den weiteren Zutritt von Prekursoren verzögert oder
verhindert.
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4 zeigt
eine elektronenmikroskopische Aufnahme des Querschnittes durch ein
erfindungsgemäßes Aktivierungselement. Die Aufnahme
gemäß 4 entstand bei einer Beschleunigungsspannung
von 20 kV und einer Apertur von 30 μm. Der Maßstab
der Figur ist zeichnerisch dargestellt.
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4 zeigt
einen im Wesentlichen runden Querschnitt eines Aktivierungselementes 18.
Dieses besteht aus einem Kern W, welcher im Wesentlichen eine reinelementare
Wolframphase enthält. Außen um den Kern ist eine
Randzone W-Si gebildet, welche im Wesentlichen aus Wolframsilicid
besteht. Erfindungsgemäß konnte gezeigt werden,
dass diese Randzone die Eindiffusion von Kohlenstoff und damit die
Carburierung des Kerns W vermindert. Daher ist die Standzeit des
in 4 dargestellten Aktivierungselementes in einem
kohlenstoffhaltigen Prekursor wie C2H4 oder CH4 gegenüber
dem Stand der Technik erhöht.
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5 zeigt
ein Phasendiagramm der Elemente Wolfram und Silicium. Dargestellt
ist die Temperatur in Kelvin auf der Ordinate und die Konzentration
in Atomprozent auf der Abszisse. Im Diagramm ganz rechts ist somit
eine reinelementare Wolframphase dargestellt (Wolframgehalt 100
Atomprozent), welche einen Schmelzpunkt von 3695 K und ein kubisch-raumzentriertes
Kristallgitter (bcc) aufweist.
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Im
Diagramm ganz links ist eine reinelementare Siliciumphase dargestellt
(Wolframgehalt 0 Atomprozent), welche einen Schmelzpunkt von 1683 K
aufweist und in Diamantstruktur kristallisiert (kubisch-flächenzentriertes
Gitter mit zweiatomiger Basis). Bei festen Konzentrationswerten,
nämlich einem Wolframgehalt von etwa 0,33 und etwa 0,62
Atomprozent bilden sich intermediäre Phasen, nämlich WSi2 und W5Si3. Diese zeichnen sich durch ein tetragonales
Kristallgitter und keramische bzw. intermetallische Eigenschaften
aus. Unter einer intermediären Phase im Sinne der vorliegenden
Erfindung wird eine Phase aus mindestens zwei Elementen verstanden,
welche eine Kristallstruktur ausbildet, welche von den Kristallstrukturen
der Ausgangselemente abweicht. Sofern das Mischungsverhältnis
von Silicium und Wolfram von den genannten Werten abweicht, bildet
sich ein Phasengemenge einer intermediären Phase und/oder
reinem Silicium oder Wolfram und/oder eines Eutektikums aus, so
dass sich der in 3 beispielhaft gezeigte Querschnitt
ausbilden kann.
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Dem
Fachmann ist selbstverständlich geläufig, dass
die Erfindung nicht auf die dargestellten Ausführungsbeispiele
beschränkt ist. Vielmehr können bei der Umsetzung
der Erfindung Modifikationen und Änderungen vorgenommen
werden, ohne die Erfindung an sich wesentlich zu verändern.
Die vorstehende Beschreibung ist daher nicht als beschränkend
sondern als erläuternd anzusehen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- - M. Sommer,
F. W. Smith, J. Mater. Res. Vol. 5, No. 11 [0002]
- - K. Honda, K. Ohdaira and H. Matsumura, Jpn. J. App. Phys.,
Vol. 47, No. 5 [0003]