DE102009008249B3 - Pyroelectric detector for performing contactless temperature measurement in e.g. gas analysis, has absorption layer comprising planar elements that exhibit specific dimensions and distances to each other - Google Patents

Pyroelectric detector for performing contactless temperature measurement in e.g. gas analysis, has absorption layer comprising planar elements that exhibit specific dimensions and distances to each other Download PDF

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Abstract

The detector has a pyroelectric chip made of pyroelectric material and comprising a front electrode and a rear electrode. The electrodes partially overlap each other and form a radiation-sensitive element, on which an absorption layer (5) is formed. The absorption layer has a photo-lithographically structurable polymer film of thickness below 10 micrometer. The absorption layer is divided into planar elements (6) by locally reduced thickness of the polymer film. The planar elements exhibit dimensions and distances to each other, where the dimensions and distance are lesser than 10 micrometer.

Description

Die Erfindung betrifft einen pyroelektrischen Detektor mit strukturierter Absorptionsschicht nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.The The invention relates to a structured pyroelectric detector Absorption layer according to the preamble of claim 1.

Der genannte pyroelektrische Detektor wandelt einfallende Infrarotstrahlung in ein elektrisches Ausgangssignal um. Derartige pyroelektrische Detektoren lassen sich zur berührungslosen Temperaturmessung, in der Gasanalyse, in Spektrometern sowie Bewegungs- und Brandmeldern einsetzen.Of the called pyroelectric detector converts incident infrared radiation into an electrical output signal. Such pyroelectric Detectors can be used for non-contact Temperature measurement, gas analysis, spectrometers and motion and fire detectors.

Ein pyroelektrischer Detektor ist im Wesentlichen aus einem empfindlichen Element und einem Vorverstärker aufgebaut. Das empfindliche Element besteht aus einem pyroelektrischen Chip, dessen Ober- und Unterseite mit Elektroden beschichtet sind. Trifft Infrarotstrahlung auf das empfindliche Element, wird diese absorbiert. Die Temperaturänderung bewirkt aufgrund des pyroelektrischen Effektes im pyroelektrischen Material eine Änderung der spontanen Polarisation. Die daraus resultierende Ladungstrennung wird mit Hilfe des Vorverstärkers in eine auswertbare Spannung gewandelt.One The pyroelectric detector is essentially made of a sensitive one Element and a preamplifier built up. The sensitive element consists of a pyroelectric Chip whose top and bottom are coated with electrodes. If infrared radiation hits the sensitive element, it will absorbed. The temperature change causes due to the pyroelectric effect in the pyroelectric Material a change the spontaneous polarization. The resulting charge separation is done with the help of the preamplifier converted into an evaluable voltage.

Grundvoraussetzung zur Erzielung einer hohen Empfindlichkeit bei diesen Sensoren ist eine möglichst effektive Umwandlung der einfallenden Infrarotstrahlung in Wärme. Dafür sind bereits verschiedene Möglichkeiten bekannt.prerequisite to achieve high sensitivity in these sensors one possible effective conversion of incident infrared radiation into heat. There are already various possibilities known.

In DE 42 18 789 A1 wird zur Steigerung der Empfindlichkeit von pyroelektrischen Sensoren das Substrat im Bereich der empfindlichen Fläche eliminiert, z. B. mittels Ätzen, so dass die Schicht quasi freitragend wird. In anderen Systemen werden Fresnel-Linsen und Beugungslinsen eingesetzt, um die einfallende Strahlung auf das pyroelektrische Element zu fokussieren.In DE 42 18 789 A1 To increase the sensitivity of pyroelectric sensors, the substrate is eliminated in the sensitive area, e.g. B. by etching, so that the layer is virtually self-supporting. In other systems, Fresnel lenses and diffractive lenses are used to focus the incident radiation onto the pyroelectric element.

Eine weitere häufig genutzte Möglichkeit zur Empfindlichkeitssteigerung ist das Aufbringen eines Infrarotabsorbierenden Films. Sehr hohe Absorptionswerte weisen Absorptionsschwarzschichten bzw. Rußschwarzschichten auf, die z. B. durch thermisches Verdampfen von Gold, Silber, Platin, NiCr, TiO o. ä. Metallen hergestellt werden. Diese Schichten besitzen allerdings den Nachteil, dass sie nicht fotolithographisch herstellbar sind, sondern mittels Durchdampfmasken erzeugt werden müssen. Solche Schichten sind mechanisch sehr instabil, nicht lösungsmittelbeständig und nicht langzeitstabil.A more often used possibility to increase sensitivity is the application of an infrared absorbing Film. Very high absorption values show absorption black layers or carbon black layers on, the z. B. by thermal evaporation of gold, silver, platinum, NiCr, TiO or the like Metals are produced. However, these layers possess the disadvantage that they can not be produced photolithographically, but must be generated by means of vapor masks. Such layers are mechanically very unstable, not solvent resistant and not stable for a long time.

Eine einfache und kostengünstige Alternative stellen organische bzw. anorganische Polymerschichten dar, die leicht modifizierbar und strukturierbar sind. In DE 42 21 037 A1 wurden daher Absorptionsschichten, die mittels einer fotolithographisch strukturierbaren Lackschicht, die durch Zusätze für den infraroten Spektralbereich absorbierende Eigenschaften erhält, vorgestellt und die genannten Nachteile umgeht. Die Zusätze können Metalloxide oder Kohlenstoff mit kleiner Korngröße sein. Allerdings können dabei aufgrund guter Absorptionsvermögen der Füllstoffe im Belichtungswellenlängenbereich Nachteile bei der Strukturierung durch lange Belichtungs- und Entwicklungszeiten sowie eine zeitaufwändige Herstellung dieser Suspensionen auftreten. Die fotolithographisch strukturierte Lackschicht weist eine gleichmäßige Filmdicke auf.A simple and cost-effective alternative is represented by organic or inorganic polymer layers which are easily modifiable and structurable. In DE 42 21 037 A1 Therefore, absorption layers were presented by means of a photolithographically structurable lacquer layer which receives absorbing properties by additives for the infrared spectral range, and circumvents the disadvantages mentioned. The additives may be metal oxides or small grain size carbon. However, owing to good absorbency of the fillers in the exposure wavelength range, disadvantages in structuring due to long exposure and development times and time-consuming preparation of these suspensions may occur. The photolithographically structured lacquer layer has a uniform film thickness.

In DE 100 57 404 A1 wurde ein Absorptionsmittel zur Verwendung in einem Infrarotsensor mittels spezieller Masken durch Verdampfen oder Sputtern des Absorptionsmittels derart strukturiert, dass das Absorptionsmittel zu den Kanten hin abgeschrägt ist, um die Wärmeleitung zur Wärmesenke zu verringern. Somit ist es möglich den Wärmeverlust vom Temperaturerfassungsteil zu verringern und den Temperaturanstieg im Temperaturerfassungsteil zu vergrößern. Auch hier weist das Absorptionsmittel im Zentrum eine gleichmäßige Filmdicke auf. Lediglich im Kantenbereich nimmt die Filmdicke nach außen hin ab.In DE 100 57 404 A1 For example, an absorbent for use in an infrared sensor has been patterned by means of special masks by evaporation or sputtering of the absorbent such that the absorbent is bevelled to the edges to reduce heat conduction to the heat sink. Thus, it is possible to reduce the heat loss from the temperature detecting part and to increase the temperature rise in the temperature detecting part. Again, the absorbent in the center has a uniform film thickness. Only in the edge region, the film thickness decreases to the outside.

In der DE 10 2005 035 148 A1 wurde eine Infrarot-Absorptionsschicht mittels Tintenstrahlverfahren aufgebracht, womit die Oberfläche sehr rau eingestellt werden kann. Der Grad der Reflexion nimmt mit abnehmender Oberflächenrauhigkeit der Absorptionsschicht zu, d. h. je stärker sich die Oberfläche der Absorptionsschicht einer Spiegeloberfläche annähert. Demzufolge wird die Oberfläche der Infrarot-Absorptionsschicht ein Faktor, der die Empfindlichkeit bestimmt.In the DE 10 2005 035 148 A1 For example, an infrared absorption layer was applied by ink jet method, whereby the surface can be set very rough. The degree of reflection increases with decreasing surface roughness of the absorption layer, ie, the closer the surface of the absorption layer approaches a mirror surface. As a result, the surface of the infrared absorption layer becomes a factor that determines the sensitivity.

In US 6 781 128 B2 wird ein Mehrschichtsystem mit unterschiedlichen Brechungsindizes beschrieben, so dass ein kontinuierlicher Brechungsindexübergang zwischen der Oberfläche, auf der die Infrarotstrahlung einfällt und einer Emissionsschicht entsteht. Dadurch und mittels definierter Schichtdicken, die wenigsten ¼ der auftreffenden Wellenlänge betragen, sowie dicken und dünnen Bereichen in der Schicht kann durch Interferenz- und Streuungseffekte der effektive Reflexionsgrad der Oberfläche verringert werden.In US 6,781,128 B2 describes a multi-layer system with different refractive indices, so that a continuous refractive index transition between the surface on which the infrared radiation is incident and an emission layer is formed. As a result, and by means of defined layer thicknesses which amount to at least ¼ of the incident wavelength, as well as thick and thin regions in the layer, the effective reflectance of the surface can be reduced by interference and scattering effects.

In JP 2004 045 339 AA wird eine poröse Absorptionsschicht beschrieben und eine Methode aufgezeigt, die es ermöglicht die Dichte dieser Schicht in einigen Bereichen zu verringern, so dass eine Reduzierung des Reflexionsgrades dieser Schicht erreicht wird.In JP 2004 045 339 AA describes a porous absorption layer and a method is shown which makes it possible to reduce the density of this layer in some areas, so that a reduction in the reflectance of this layer is achieved.

In EP 1944 589 A1 wird eine Methode zur Herstellung von Carbon nano tubes auf einem Temperaturdetektor beschrieben, deren Größe, Anzahl und Art ebenfalls einen Einfluss auf die Empfindlichkeit des Sensor haben.In EP 1944 589 A1 describes a method for the production of carbon nanotubes on a temperature detector whose size, number and type also have an influence on the sensitivity of the sensor.

Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, einen pyroelektrischen Detektor mit einer Absorptionsschicht mit verbesserten Eigenschaften anzugeben, die allein durch fotolithographische Verfahren herstellbar ist. Die Beschaffenheit der Absorptionsschicht soll die Reflexion der einfallenden Strahlung unterdrücken, die Absorption der Schicht bei gleichzeitiger Verringerung der Wärmekapazität verbessern, um damit eine höhere Empfindlichkeit und eine homogenere spektrale Empfindlichkeit zu erzielen.It Therefore, the object of the invention is a pyroelectric detector to provide an absorbent layer with improved properties, the can be produced solely by photolithographic process. The The nature of the absorption layer is intended to reflect the reflection of the incident Suppress radiation, improve the absorption of the layer while reducing the heat capacity, order a higher Sensitivity and a more homogeneous spectral sensitivity too achieve.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen pyroelektrischen Detektor mit den in Anspruch 1 genannten Merkmalen gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.These The object is achieved by a pyroelectric detector with the features mentioned in claim 1 solved. Further embodiments of the invention can be found in the dependent claims.

Der Detektor besitzt ein pyroelektrisches Element aus LiTaO3, welches über Silikonklebstoff an den Ecken mit dem Chipträger verbunden ist. Auf der Ober- und Unterseite des LiTaO3-Chips befinden sich die sich kreuzenden Elektroden. Die Überlappung der Front- und Rückelektrode kennzeichnet die empfindliche Fläche des pyroelektrischen Detektors. Im Bereich der empfindlichen Fläche befindet sich eine Absorptionsschicht.The detector has a pyroelectric element made of LiTaO 3 , which is connected via silicone adhesive at the corners with the chip carrier. On the top and bottom of the LiTaO 3 chips are the intersecting electrodes. The overlap of the front and back electrodes characterizes the sensitive area of the pyroelectric detector. In the area of the sensitive area is an absorption layer.

Erfindungsgemäß besteht die Absorptionsschicht aus einem fotolithographisch strukturierbaren Polymerfilm mit einer Dicke von unter 10 μm, wobei infolge reduzierter Dicke des Polymerfilmes die Absorptionsschicht in Flächenelemente (5) unterteilt ist, und die Flächenelemente Abmessungen und Abstände zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.According to the invention, the absorption layer consists of a photolithographically structurable polymer film having a thickness of less than 10 μm, wherein as a result of the reduced thickness of the polymer film, the absorption layer is deposited in surface elements (US Pat. 5 ), and the surface elements have dimensions and distances from each other of less than 10 microns.

Bei einer ersten Ausführung sind die Flächenelemente aus dem Polymerfilm fotolithographisch freigelegte Säulen, die eine Säulenbreite und einen Abstand zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.at a first embodiment are the surface elements from the polymer film photolithographically exposed columns, the a column width and have a distance from each other of less than 10 microns.

Bei einer weiteren Ausführung sind die Flächenelemente in den Polymerfilm fotolithographisch eingebrachte Löcher, die eine Lochbreite und einen Lochabstand zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.at another embodiment are the surface elements in the polymer film photolithographically introduced holes, the a hole width and a hole distance from each other of less than 10 microns.

Vorteilhaft sind die Flächenelemente bis auf die Frontelektrode eingebracht und die Flanken der Flächenelemente vorzugsweise mit einem positiven oder negativen Winkel zur Oberflächennormalen des pyroelektrischen Chips ausgestattet.Advantageous are the surface elements introduced to the front electrode and the flanks of the surface elements preferably at a positive or negative angle to the surface normal equipped with the pyroelectric chip.

Die erfindungsgemäße Absorptionsschicht lässt sich mittels Spin-Coating auf den pyroelektrischen Chip aufbringen. Die Erzeugung der Flächenelemente bzw. die 3-dimensionale Strukturierung ergibt sich durch eine Übertragung eines speziellen Musters zur Erzeugung von Gräben und Löchern im Bereich des empfindlichen Elementes mittels Fotolithographie.The absorption layer according to the invention can be Apply by spin coating on the pyroelectric chip. The Generation of surface elements or the 3-dimensional Structuring results from a transfer of a special pattern for the creation of trenches and holes in the area of the sensitive element by means of photolithography.

Die einfallende Strahlung wird teilweise in der 3-dimensional strukturierten Schicht absorbiert und teilweise reflektiert. Die reflektierte Strahlung wird mit Hilfe der Strukturen so abgelenkt, dass sie nochmals von der Schicht absorbiert wird. Das Reflexionsvermögen der Absorptionsschicht wird durch die Strukturierung weitgehend unterdrückt, so dass annähernd die gesamte einfallende Infrarotstrahlung zur Erwärmung der Absorptionsschicht zur Verfügung steht.The incident radiation is partially structured in the 3-dimensional Layer absorbed and partially reflected. The reflected radiation is with the help of the structures so distracted that they again from the Layer is absorbed. The reflectivity of the absorption layer is largely suppressed by the structuring, so that approx entire incident infrared radiation for heating the absorption layer to disposal stands.

Die Verringerung des Reflexionsvermögens bzw. die Steigerung des Absorptionsvermögens der aufgebrachten Schicht ist abhängig von den Abmessungen der eingebrachten Strukturen. Dies wird erreicht durch den fotolithographisch strukturierten Polymerfilm mit einer Dicke von unter 10 μm und Abmessungen der Flächenelemente von kleiner als 10 μm.The Reduction of the reflectivity or the increase in the absorbency of the applied layer depends on of the dimensions of the introduced structures. This is achieved through the photolithographically structured polymer film with a Thickness of less than 10 microns and dimensions of the surface elements smaller than 10 μm.

Mit der Erfindung wird eine höhere Empfindlichkeit und eine homogenere spektrale Empfindlichkeit des pyroelektrischen Detektors erzielt. Die Absorptionsschicht ist für sehr dünne empfindliche Elemente geeignet, und ist bis zu einer Elementdicken < 25 μm nutzbar. Die Strukturen lassen sich exakt reproduzieren und mit bestehenden Technologie leicht herstellen, wobei z. B. die Nachteile einer zeitaufwändigen Herstellung von Suspensionen mit langen Belichtungs- und Entwicklungszeiten bei der Strukturierung umgangen werden, d. h. eine einfache technologische Handhabbarkeit wird gewährleistet und eine hohe Prozessausbeute erreicht.With The invention is a higher Sensitivity and a more homogeneous spectral sensitivity of the achieved pyroelectric detector. The absorption layer is sensitive to very thin Suitable elements, and can be used up to an element thicknesses <25 microns. The structures can be reproduced exactly and with existing ones Easy to manufacture technology, with z. B. the disadvantages of a time-consuming production of suspensions with long exposure and development times be bypassed in the structuring, d. H. a simple technological Manageability is guaranteed and achieved a high process yield.

Darüber hinaus lässt sich die Herstellung der erfindungsgemäßen Absorptionsschicht einfach in die bisherige Herstellungstechnologie pyroelektrischer Infrarotsensoren mit Polymerabsorptionsschichten integrieren.Furthermore let yourself the production of the absorption layer according to the invention simple in the previous manufacturing technology of pyroelectric infrared sensors integrate with polymer absorption layers.

Nachfolgend wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel erläutert. Es zeigen:following the invention is based on an embodiment explained. Show it:

1 eine schematische Darstellung des pyroelektrischen Chips mit der strukturierten Absorptionsschicht, 1 a schematic representation of the pyroelectric chip with the structured absorption layer,

2a einen Ausschnitt der strukturierten Absorptionsschicht in der Draufsicht und in der isometrischen Ansicht mit einer Löcherstruktur, 2a a section of the structured absorption layer in plan view and in the isometric view with a hole structure,

2b einen Ausschnitt der strukturierten Absorptionsschicht in der Draufsicht und in der isometrischen Ansicht mit einer Säulenstruktur, 2 B a section of the structured absorption layer in plan view and in the isometric view with a pillar structure,

3 eine Darstellung des spektralen Absorptionsgrades einer aufgebrachten und mit Löchern strukturierten Absorptionsschicht gegenüber einer unstrukturierten Absorptionsschicht. 3 a representation of the spectral absorbance of an applied and with holes structured absorption layer an unstructured absorption layer.

In 1 ist der pyroelektrische Detektor schematisch dargestellt. Der pyroelektrische Chip 1 besteht aus einem pyroelektrischen Material (z. B. LiTaO3) und hat eine typische Größe von 4 × 4 mm2. Auf der Vorder- bzw. Rückseite ist die Frontelektrode 3 bzw. Rückelektrode 4 aufgedampft. Der Bereich der Überlappung von Frontelektrode 3 und Rückelektrode 4 kennzeichnet das empfindliche Element 2, auf welchem mittels Spin-Caoting die Absorptionsschicht 5 (2) aufgebracht ist. Die typischen lateralen Abmessungen des empfindlichen Elementes 2 betragen 2 × 2 mm2.In 1 the pyroelectric detector is shown schematically. The pyroelectric chip 1 It consists of a pyroelectric material (eg LiTaO 3 ) and has a typical size of 4 × 4 mm 2 . On the front or back is the front electrode 3 or return electrode 4 evaporated. The area of overlap of front electrode 3 and return electrode 4 marks the sensitive element 2 , on which by means of spin caoting the absorption layer 5 ( 2 ) is applied. The typical lateral dimensions of the sensitive element 2 be 2 × 2 mm 2 .

2 zeigt eine schematische Draufsicht und eine isometrischen Ansicht der strukturierten Absorptionsschicht 5 im Bereich der empfindlichen Fläche mit zwei verschiedenen Flächenelementen 6. Dabei zeigt 2a eine mittels Fotolithographie erzeugte Säulenstruktur, deren Säulen 7 eine Säulenbreite b sowie einem Abstand a voneinander aufweisen. 2b zeigt eine mittels Fotolithographie erzeugte Löcherstruktur, deren Löcher 8 mit einer Lochbreite b und einem Lochabstand a in der Absorptionsschicht 5 verteilt sind. 2 shows a schematic plan view and an isometric view of the structured absorption layer 5 in the sensitive area with two different surface elements 6 , It shows 2a a column structure produced by photolithography, their pillars 7 a column width b and a distance a from each other. 2 B shows a hole structure produced by photolithography, the holes 8th with a hole width b and a hole spacing a in the absorption layer 5 are distributed.

3 zeigt im Vergleich das Absorptionsspektrum einer unstrukturierten und einer mit Löchern strukturierten Absorptionsschicht im Bereich des empfindlichen Elementes 2. Es wurde aus dem Transmissions- und Reflexionsspektrum berechnet. Die Strukturparameter für diese Untersuchung betrugen
a = 8,2 μm und b = 6,8 μm. 3 shows in comparison the absorption spectrum of an unstructured and a hole-structured absorption layer in the region of the sensitive element 2 , It was calculated from the transmission and reflection spectrum. The structural parameters for this study were
a = 8.2 μm and b = 6.8 μm.

Dabei konnte durch das Einbringen der Struktur in die Schicht das Absorptionsvermögen um teilweise 70% gesteigert werden.there By incorporating the structure into the layer, the absorption capacity could be partially reduced 70% increase.

Die Charakterisierung der Schicht erfolgt mittels eines FTIR-Spektrometers. Aus den Messungen des Transmissions- und Reflexionsgrades der Schicht im interessierenden Wellenlängenbereich wurde das Absorptionsvermögen der Schicht berechnet.The Characterization of the layer takes place by means of an FTIR spectrometer. From the measurements of the transmission and reflectance of the layer in the wavelength range of interest the absorption capacity the shift calculated.

11
Pyroelektrischer Chippyroelectric chip
22
Empfindliches Element mit strukturierter Absorptionsschichtsensitive Element with structured absorption layer
33
Frontelektrodefront electrode
44
Rückelektrodeback electrode
55
Absorptionsschichtabsorbing layer
66
Flächenelementsurface element
77
Säulepillar
88th
Lochhole

Claims (4)

Pyroelektrischer Detektor mit verbesserten optischen Eigenschaften einer Absorptionsschicht (5), bestehend aus einem pyroelektrischen Chip (1) und einem Vorverstärker, wobei der pyroelektrische Chip (1) aus einem Pyroelektrikum besteht, das eine Frontelektrode (3) und auf der gegenüberliegenden Seite eine Rückelektrode (4) besitzt, wobei die sich zum Teil überlappenden Elektroden (3, 4) ein strahlungsempfindliches Element (2) bilden, auf dem sich die Absorptionsschicht (5) befindet, dadurch gekennzeichnet, dass die Absorptionsschicht (5) aus einem fotolithographisch strukturierbaren Polymerfilm mit einer Dicke unter 10 μm besteht, wobei infolge lokal reduzierter Dicke des Polymerfilmes die Absorptionsschicht (5) in Flächenelemente (6) unterteilt ist, und die Flächenelemente (6) Abmessungen und Abstände zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.Pyroelectric detector with improved optical properties of an absorption layer ( 5 ), consisting of a pyroelectric chip ( 1 ) and a preamplifier, wherein the pyroelectric chip ( 1 ) consists of a pyroelectric having a front electrode ( 3 ) and on the opposite side a return electrode ( 4 ), wherein the partly overlapping electrodes ( 3 . 4 ) a radiation-sensitive element ( 2 ) on which the absorption layer ( 5 ), characterized in that the absorption layer ( 5 ) consists of a photolithographically structured polymer film having a thickness of less than 10 microns, wherein due to locally reduced thickness of the polymer film, the absorption layer ( 5 ) in surface elements ( 6 ), and the surface elements ( 6 ) Have dimensions and distances from each other of less than 10 microns. Pyroelektrischer Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenelemente (6) aus dem Polymerfilm fotolithographisch freigelegte Säulen (7) sind, die eine Säulenbreite (b) und einen Abstand (a) zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.Pyroelectric detector according to claim 1, characterized in that the surface elements ( 6 ) from the polymer film photolithographically exposed columns ( 7 ), which have a column width (b) and a distance (a) from each other of less than 10 microns. Pyroelektrischer Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenelemente (6) in den Polymerfilm fotolithographisch eingebrachte Löcher (8) sind, die eine Lochbreite (b) und einen Lochabstand (a) zueinander von kleiner als 10 μm aufweisen.Pyroelectric detector according to claim 1, characterized in that the surface elements ( 6 ) in the polymer film photolithographically introduced holes ( 8th ), which have a hole width (b) and a hole spacing (a) to each other of less than 10 microns. Pyroelektrischer Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Flächenelemente (6) auf die Frontelektrode (2) in den Polymerfilm eingebracht sind und die Flanken der Flächenelemente (6) einen positiven oder negativen Winkel zur Oberflächennormalen des pyroelektrischen Chips (1) aufweisen.Pyroelectric detector according to one of claims 1 to 3, characterized in that the surface elements ( 6 ) on the front electrode ( 2 ) are introduced into the polymer film and the flanks of the surface elements ( 6 ) has a positive or negative angle to the surface normal of the pyroelectric chip ( 1 ) exhibit.
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