DE102010012044A1 - Structured silicon layer for e.g. silicon solar cell, has boundary surface with bent partial surfaces exhibiting nano-structure that is extended into layer upto depth between four hundred nanometer and five micrometer - Google Patents

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Abstract

The layer (1) has a boundary surface (2) including partial surfaces (3) that are bent relative to a main extending plane (4) of the layer. Width (b) of the bent partial surfaces is 5 micrometer in average. The width is projected in the main extending plane of the layer. The bent partial surfaces exhibit a nano-structure (5) that is extended into the layer upto depth between 400 nanometer and 5 micrometer. The bent partial surfaces form V-shaped structures, trapezoidal structures or pyramid-shaped structures.

Description

Die Erfindung betrifft eine strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und ein optoelektronisches Bauelement mit einer derartigen Siliziumschicht.The invention relates to a structured silicon layer for an optoelectronic component and to an optoelectronic component having such a silicon layer.

Strukturierte Siliziumschichten finden insbesondere in strahlungsempfangenden optoelektronischen Bauelementen Anwendung. Beispielsweise wird in der Druckschrift US 4,348,254 eine Silizium-Solarzelle beschrieben, bei der in der Lichteintrittsfläche invertierte Pyramiden ausgebildet sind, um die Effizienz der Solarzelle zu verbessern und die Empfindlichkeit der Solarzelle für Strahlungsschäden zu verringern. Die Herstellung der pyramidenförmigen Strukturen in der Oberfläche der Solarzelle erfolgt durch die fotolithografische Ausbildung einer Maskenschicht und einen nachfolgenden Ätzprozess.Structured silicon layers are used in particular in radiation-receiving optoelectronic components. For example, in the document US 4,348,254 a silicon solar cell is described in which in the light entrance surface inverted pyramids are formed in order to improve the efficiency of the solar cell and to reduce the sensitivity of the solar cell for radiation damage. The production of the pyramidal structures in the surface of the solar cell is effected by the photolithographic formation of a mask layer and a subsequent etching process.

In der Druckschrift US 5,340,340 wird ferner beschrieben, eine polykristalline Silizium-Solarzelle mit einer pyramidenförmigen Grenzflächenstruktur herzustellen, indem das Silizium auf mittels eines Ätzprozesses präparierte Nukleationskeime aufgewachsen wird, die eine <111>-Orientierung aufweisen.In the publication US 5,340,340 It is further described to produce a polycrystalline silicon solar cell having a pyramidal interface structure by growing the silicon on nucleation nuclei prepared by an etching process, which have a <111> orientation.

Es ist an sich bekannt, derartige Strukturen durch Aufbringen eines Materials mit niedrigem Brechungsindex wie beispielsweise SiN, SiO2 oder Al2O3 zu entspiegeln. Die Wirkung einer derartigen Antireflexschicht beruht auf Interferenzeffekten, deren Wirkung erheblich von der Wellenlänge abhängig ist, sodass es nur schwer möglich ist, eine Entspiegelung für einen großen Wellenlängenbereich wie beispielsweise den Wellenlängenbereich zwischen 300 nm und 1200 nm zu realisieren.It is known per se to reflow such structures by applying a material with a low refractive index, such as, for example, SiN, SiO 2 or Al 2 O 3 . The effect of such an antireflection layer is based on interference effects, the effect of which is considerably dependent on the wavelength, so that it is difficult to realize an antireflection coating for a large wavelength range, for example the wavelength range between 300 nm and 1200 nm.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, die sich durch eine breitbandig entspiegelte Grenzfläche und eine gute Lichtführung innerhalb der Schicht auszeichnet.The invention has for its object to provide a structured silicon layer for an optoelectronic device, which is characterized by a broadband anti-reflective interface and good light management within the layer.

Diese Aufgabe wird durch eine strukturierte Siliziumschicht gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 gelöst.This object is achieved by a structured silicon layer according to independent claim 1.

Bei einer Ausgestaltung der strukturierten Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement weist eine Grenzfläche der Siliziumschicht eine Vielzahl von Teilflächen auf, die gegenüber der Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht geneigt sind. Die auf die Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht projizierte Breite b der geneigten Teilflächen beträgt im Mittel vorzugsweise mindestens 5 μm.In one embodiment of the structured silicon layer for an optoelectronic component, an interface of the silicon layer has a plurality of partial surfaces which are inclined with respect to the main extension plane of the silicon layer. The projected on the main extension plane of the silicon layer width b of the inclined partial surfaces is on average preferably at least 5 microns.

Weiterhin weisen die geneigten Teilflächen eine Nanostruktur auf, wobei sich die Nanostruktur vorteilhaft bis in eine Tiefe zwischen 400 nm und 5 μm in die Siliziumschicht hinein erstreckt.Furthermore, the inclined partial surfaces have a nanostructure, wherein the nanostructure advantageously extends into the silicon layer to a depth of between 400 nm and 5 μm.

Die geneigten Teilflächen bilden eine Grobstruktur an der Grenzfläche der Siliziumschicht aus. Durch die geneigten Teilflächen der Grenzfläche der Siliziumschicht kann die Wahrscheinlichkeit erhöht werden, dass Strahlung, die von außen auf die Grenzfläche auftrifft, derart an der Grenzfläche gebrochen wird, dass sie unter einem Winkel, der größer ist als der Grenzwinkel der Totalreflexion, auf die der strukturierten Grenzfläche der Siliziumschicht gegenüberliegende Grenzfläche auftrifft. Insbesondere können auf diese Weise Einfach- oder Mehrfachreflexionen der Strahlung innerhalb der Siliziumschicht bewirkt werden. Die von der auftreffenden Strahlung innerhalb der Siliziumschicht zurückgelegte Wegstrecke wird dadurch vorteilhaft erhöht. Auf diese Weise kann bei einem optoelektronischen Bauelement wie beispielsweise einer Solarzelle die Absorptionseffizienz erhöht werden.The inclined partial surfaces form a coarse structure at the interface of the silicon layer. By the inclined partial surfaces of the interface of the silicon layer, the probability can be increased that radiation impinging on the interface from outside, is refracted at the interface so that they at an angle which is greater than the critical angle of total reflection, to the structured boundary surface of the silicon layer opposite interface impinges. In particular, single or multiple reflections of the radiation within the silicon layer can be effected in this way. The distance traveled by the incident radiation within the silicon layer is thereby advantageously increased. In this way, in an optoelectronic component such as a solar cell, the absorption efficiency can be increased.

Durch die auf den geneigten Teilflächen ausgebildete Nanostruktur, die sich vorzugsweise bis in eine Tiefe zwischen 400 nm und 5 μm in die Siliziumschicht hinein erstreckt, wird eine breitbandige Entspiegelung der Siliziumschicht erzielt. Die Nanostruktur bildet an der Grenzfläche einen Brechungsindexgradienten aus, sodass sich der Brechungsindex zwischen der Siliziumschicht und dem Umgebungsmedium, wie beispielsweise Luft oder einer angrenzenden Schicht, nicht sprunghaft, sondern kontinuierlich über die Tiefe der Nanostruktur ändert. Auf diese Weise wird die Reflexion an der Grenzfläche zwischen dem Umgebungsmedium und der Siliziumschicht vermindert, wobei die Reflexion vorzugsweise im gesamten Spektralbereich zwischen 300 nm und 1200 nm weniger als 10% beträgt. Besonders bevorzugt beträgt die Reflexion der Grenzfläche im Spektralbereich zwischen 300 nm und 1200 nm sogar weniger als 1%. Dadurch, dass beim Eintritt der Strahlung in die Siliziumschicht nur geringe Reflexionsverluste auftreten, kann insbesondere die Effizienz eines strahlungsabsorbierenden optoelektronischen Bauelements, das eine derartige Siliziumschicht enthält, erhöht werden.By virtue of the nanostructure formed on the inclined partial surfaces, which preferably extends into the silicon layer to a depth of between 400 nm and 5 μm, a broadband antireflection coating of the silicon layer is achieved. The nanostructure forms a refractive index gradient at the interface, such that the refractive index between the silicon layer and the surrounding medium, such as air or an adjacent layer, does not change abruptly but continuously across the depth of the nanostructure. In this way, the reflection at the interface between the surrounding medium and the silicon layer is reduced, wherein the reflection is preferably less than 10% in the entire spectral range between 300 nm and 1200 nm. Even more preferably, the reflection of the interface in the spectral range between 300 nm and 1200 nm is even less than 1%. Due to the fact that only slight reflection losses occur when the radiation enters the silicon layer, in particular the efficiency of a radiation-absorbing optoelectronic component containing such a silicon layer can be increased.

Die an der Grenzfläche der Siliziumschicht ausgebildete Grobstruktur weist geneigte Teilflächen auf, die jeweils um einen Neigungswinkel α gegenüber der Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht geneigt sind. Bei einer bevorzugten Ausgestaltung sind die geneigten Teilflächen gegenüber der Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht im Mittel mindestens 30°, besonders bevorzugt mindestens 45°, geneigt. Auf diese Weise wird vorteilhaft erreicht, dass von außen auf die Grenzfläche auftreffende Strahlung derart gebrochen wird, dass sie sich bezogen auf die Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht unter vergleichsweise flachen Winkeln in der Siliziumschicht ausbreitet. Auf diese Weise ergibt sich eine hohe Wahrscheinlichkeit, dass die auftreffende Strahlung an der gegenüberliegenden Grenzfläche der Siliziumschicht totalreflektiert wird oder sogar mehrfach innerhalb der Siliziumschicht reflektiert wird. Die auftreffende Strahlung wird also vorteilhaft in der Schicht geführt.The coarse structure formed at the interface of the silicon layer has inclined partial surfaces which are each tilted by an inclination angle α with respect to the main extension plane of the silicon layer. In a preferred embodiment, the inclined partial surfaces with respect to the main extension plane of the silicon layer on average at least 30 °, more preferably at least 45 °, inclined. In this way, it is advantageously achieved that radiation impinging on the boundary surface from the outside is refracted in such a way that it propagates in the silicon layer at comparatively shallow angles relative to the main extension plane of the silicon layer. In this way results There is a high probability that the incident radiation is totally reflected at the opposite interface of the silicon layer or even multiple reflected within the silicon layer. The incident radiation is thus advantageously guided in the layer.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die geneigten Teilflächen gegenüber der Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht im Mittel nicht mehr als 80°, besonders bevorzugt nicht mehr als 70°, geneigt sind. Auf diese Weise wird die Wahrscheinlichkeit verringert, dass ein auf die Grenzfläche der Siliziumschicht auftreffender Lichtstrahl, der in die Siliziumschicht hinein gebrochen wird, unmittelbar auf die Innenseite einer benachbarten Teilfläche auftrifft und dort wieder aus der Siliziumschicht auskoppelt.Furthermore, it is advantageous if the inclined partial surfaces are not inclined on average by more than 80 °, more preferably not more than 70 °, in relation to the main extension plane of the silicon layer. In this way, the likelihood is reduced that an incident on the interface of the silicon layer of light beam, which is refracted into the silicon layer, directly impinges on the inside of an adjacent part surface and decouples there again from the silicon layer.

Die geneigten Teilflächen können an der Grenzfläche der Siliziumschicht insbesondere V-förmige, trapezförmige oder pyramidenförmige Strukturen bilden. Beispielsweise kann die Grenzfläche der Siliziumschicht V-förmige Gräben mit regelmäßigen oder zufällig verteilten Abständen und Tiefen aufweisen. Es sind auch trapezförmige Prismenstrukturen mit regelmäßigen oder zufällig verteilten Abständen, Plateaubreiten und Tiefen denkbar. Weiterhin können die geneigten Grenzflächen auch Pyramiden mit quadratischer oder rechteckiger Grundfläche ausbilden. Es ist möglich, dass die Pyramiden unregelmäßig an der Grenzfläche der Siliziumschicht verteilt sind. Bevorzugt sind die Pyramiden regelmäßig angeordnet, insbesondere in einem rechteckigen Gitter. Bei einer bevorzugten Variante sind die Gitterzellen in dem rechteckigen Gitter zeilenweise oder spaltenweise jeweils um eine halbe Periode gegeneinander versetzt.The inclined partial surfaces may in particular form V-shaped, trapezoidal or pyramidal structures at the interface of the silicon layer. For example, the interface of the silicon layer may have V-shaped trenches with regular or randomly distributed intervals and depths. Trapezoidal prism structures with regular or randomly distributed distances, plateau widths and depths are also conceivable. Furthermore, the inclined boundary surfaces can also form pyramids with a square or rectangular base. It is possible that the pyramids are irregularly distributed at the interface of the silicon layer. The pyramids are preferably arranged regularly, in particular in a rectangular grid. In a preferred variant, the grid cells in the rectangular grid are staggered line by line or column by half a period.

Die zuvor beschriebenen V-förmigen, trapezförmigen oder pyramidenförmigen Strukturen der Grenzfläche können auch invertiert sein, d. h. sie können sich von der Grenzfläche in die Siliziumschicht hinein erstrecken, anstatt als nach außen gewandte Strukturen auf der Siliziumschicht angeordnet zu sein.The previously described V-shaped, trapezoidal or pyramidal structures of the interface may also be inverted, i. H. they may extend from the interface into the silicon layer rather than being disposed on the silicon layer as outwardly facing structures.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung macht eine Projektion der geneigten Teilflächen auf die Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht mindestens 50% der Gesamtfläche der Haupterstreckungsebene aus. Es ist also mehr als die Hälfte der Hauptebene der Siliziumschicht von den geneigten Teilflächen überdeckt. Auf diese Weise wird eine hohe Wirksamkeit der zuvor beschriebenen Grobstruktur erzielt. Besonders bevorzugt ist die gesamte Grenzfläche der Siliziumschicht durch die geneigten Teilflächen gebildet. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, dass die gesamte Grenzfläche der Siliziumschicht durch pyramidenförmige Strukturen oder V-förmige Strukturen gebildet ist.In a preferred embodiment, a projection of the inclined partial surfaces on the main extension plane of the silicon layer makes up at least 50% of the total area of the main extension plane. Thus, more than half of the main plane of the silicon layer is covered by the inclined partial surfaces. In this way, a high efficiency of the above-described coarse structure is achieved. Particularly preferably, the entire interface of the silicon layer is formed by the inclined partial surfaces. This can be achieved, for example, in that the entire interface of the silicon layer is formed by pyramidal structures or V-shaped structures.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung beträgt die auf die Haupterstreckungsebene der Siliziumschicht projizierte Breite b der geneigten Teilflächen im Mittel zwischen einschließlich 5 μm und einschließlich 50 μm. Dadurch, dass die projizierten Breite b der geneigten Teilflächen im Mittel mindestens 5 μm beträgt, wird die Geometrie der geneigten Teilflächen durch die Nanostruktur nicht wesentlich verändert. Andererseits ist es vorteilhaft, wenn die projizierte Breiten b der geneigten Teilflächen im Mittel nicht mehr als 50 μm beträgt, um die erforderliche Schichtdicke und den Materialverlust durch die Strukturierung auch bei den bevorzugt großen Neigungen der Teilflächen von mindestens 45° gering zu halten.In an advantageous embodiment, the projected to the main extension plane of the silicon layer width b of the inclined partial surfaces on average between 5 microns inclusive and including 50 microns. Due to the fact that the projected width b of the inclined partial surfaces is on average at least 5 μm, the geometry of the inclined partial surfaces is not significantly changed by the nanostructure. On the other hand, it is advantageous if the projected widths b of the inclined partial surfaces is on average not more than 50 .mu.m in order to keep the required layer thickness and the material loss by structuring even at the preferably large inclinations of the partial surfaces of at least 45 °.

Die Nanostruktur weist bevorzugt Strukturelemente auf, deren Abstand im Mittel zwischen einschließlich 100 nm und einschließlich 400 nm beträgt. Bei derartigen Abständen der Strukturelemente der Nanostruktur wird eine breitbandige reflexionsmindernde Wirkung erzielt, ohne dabei die Geometrie der durch die geneigten Teilflächen gebildeten Grobstruktur und die damit verbundene Wirkung zu beeinträchtigen.The nanostructure preferably has structural elements whose average spacing is between 100 nm and 400 nm inclusive. With such spacings of the structural elements of the nanostructure, a broadband reflection-reducing effect is achieved without impairing the geometry of the coarse structure formed by the inclined partial surfaces and the associated effect.

Bevorzugt weist die Nanostruktur Strukturelemente auf, deren laterale Abmessung im Mittel zwischen einschließlich 10 nm und 300 nm, besonders bevorzugt zwischen 10 nm und 100 nm, beträgt.The nanostructure preferably has structural elements whose average lateral dimension is between 10 nm and 300 nm, more preferably between 10 nm and 100 nm.

Die Nanostruktur kann insbesondere nadelförmige Strukturelemente aufweisen. Derartige nadelförmige Nanostrukturen können in Silizium insbesondere durch einen Plasmaätzprozess erzeugt werden.The nanostructure may in particular have needle-shaped structural elements. Such needle-shaped nanostructures can be produced in silicon in particular by a plasma etching process.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine weitere Schicht auf die Grenzfläche der Siliziumschicht aufgebracht. Die weitere Schicht bedeckt in diesem Fall insbesondere die geneigten Teilflächen einschließlich der Nanostruktur. Die mindestens eine weitere Schicht kann insbesondere als Schutzschicht für die Nanostruktur fungieren. Zusätzlich oder alternativ kann die auf die Grenzfläche aufgebrachte weitere Schicht auch eine elektrische Funktion aufweisen, insbesondere kann sie beispielsweise in einem strahlungsempfangenden optoelektronischen Bauelement mit der Siliziumschicht eine strahlungsempfindliche Grenzfläche ausbilden.In a preferred embodiment, at least one further layer is applied to the interface of the silicon layer. In this case, the further layer covers in particular the inclined partial surfaces, including the nanostructure. The at least one further layer can in particular function as a protective layer for the nanostructure. Additionally or alternatively, the further layer applied to the interface may also have an electrical function; in particular, it may form a radiation-sensitive interface with the silicon layer in a radiation-receiving optoelectronic component, for example.

Abhängig von der Funktion der weiteren Schicht auf der Grenzfläche der Siliziumschicht kann es sich bei der weiteren Schicht beispielsweise um eine Halbleiterschicht, eine dielektrische Schicht oder eine transparente leitfähige Schicht handeln. Geeignete dielektrische Schichten sind insbesondere SiO2, SiN oder Al2O3. Geeignete transparente leitfähige Schichten sind z. B. Indiumzinnoxid (ITO) oder mit Aluminium dotiertes Zinkoxid (ZnO:Al).Depending on the function of the further layer on the interface of the silicon layer, the further layer may be, for example, a semiconductor layer, a dielectric layer or a transparent conductive layer. Suitable dielectric layers are in particular SiO 2 , SiN or Al 2 O 3 . Suitable transparent conductive layers are for. For example, indium tin oxide (ITO) or aluminum-doped zinc oxide (ZnO: Al).

Es ist möglich, dass die auf die Grenzfläche aufgebrachte weitere Schicht im Wesentlichen die Nanostruktur nachbildet. Dies kann insbesondere dadurch erreicht werden, dass die auf die Grenzfläche aufgebrachte Schicht eine Dicke aufweist, die wesentlich geringer als die Tiefe der Nanostruktur ist. It is possible that the further layer applied to the interface substantially replicates the nanostructure. This can be achieved, in particular, by the fact that the layer applied to the interface has a thickness that is substantially less than the depth of the nanostructure.

Alternativ ist es aber auch möglich, dass die weitere Schicht auf der Grenzfläche der Siliziumschicht die Nanostruktur teilweise auffüllt oder sogar ganz planarisiert. Es ist vorteilhaft, wenn der Brechungsindex des Materials der weiteren Schicht nicht wesentlich größer als n = 2 ist. Die optische Wirkung der strukturierten Grenzfläche wird in diesem Fall durch die weitere Schicht nur unwesentlich beeinträchtigt.Alternatively, it is also possible that the further layer on the interface of the silicon layer partially fills the nanostructure or even completely planarized. It is advantageous if the refractive index of the material of the further layer is not substantially greater than n = 2. In this case, the optical effect of the structured interface is only insignificantly impaired by the further layer.

Die weitere Schicht kann durch ein PVD(Physical Vapour Deposition)- oder CVD(Chemical Vapour Deposition)-Verfahren aufgebracht werden. Geeignete Verfahren sind z. B. Sputtern, Elektronenstrahl- oder thermische Verdampfung, PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition) oder ALD (Atomic Layer Deposition). Alternativ können auch Dip- oder Spin-Coating-Verfahren eingesetzt werden.The further layer can be applied by a PVD (Physical Vapor Deposition) or CVD (Chemical Vapor Deposition) method. Suitable methods are for. As sputtering, electron beam or thermal evaporation, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) or ALD (Atomic Layer Deposition). Alternatively, dip or spin coating methods can also be used.

Die zuvor beschriebene Siliziumschicht ist vorzugsweise Bestandteil eines optoelektronischen Bauelements. Insbesondere ist die strukturierte Siliziumschicht für strahlungsempfangende optoelektronische Bauelemente wie beispielsweise Solarzellen oder Fotodetektoren geeignet.The silicon layer described above is preferably part of an optoelectronic component. In particular, the structured silicon layer is suitable for radiation-receiving optoelectronic components such as, for example, solar cells or photodetectors.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 bis 6 näher erläutert.The invention will be described below with reference to embodiments in connection with 1 to 6 explained in more detail.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine strukturierte Siliziumschicht gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel und eine vergrößerte Darstellung eines Teilbereichs davon, 1 FIG. 2 a schematic representation of a cross section through a structured silicon layer according to a first exemplary embodiment and an enlarged illustration of a partial region thereof, FIG.

2 eine schematische Darstellung einer strukturierten Siliziumschicht gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel im Querschnitt und in einer Aufsicht, 2 1 is a schematic representation of a structured silicon layer according to a second exemplary embodiment in cross-section and in a plan view;

3 eine schematische Darstellung einer strukturierten Siliziumschicht gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel im Querschnitt und in einer Aufsicht, 3 a schematic representation of a structured silicon layer according to a third embodiment in cross-section and in a plan view,

4 eine schematische Darstellung einer strukturierten Siliziumschicht gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel im Querschnitt und in einer Aufsicht, 4 FIG. 2 a schematic representation of a structured silicon layer according to a fourth exemplary embodiment in cross-section and in a plan view, FIG.

5 eine schematische Darstellung einer strukturierten Siliziumschicht gemäß einem fünften Ausführungsbeispiel in einem Querschnitt und in einer Aufsicht, und 5 a schematic representation of a structured silicon layer according to a fifth embodiment in a cross section and in a plan view, and

6 eine schematische Darstellung einer strukturierten Siliziumschicht gemäß einem sechsten Ausführungsbeispiel in einem Querschnitt und in einer Aufsicht. 6 a schematic representation of a structured silicon layer according to a sixth embodiment in a cross section and in a plan view.

Gleiche oder gleich wirkende Bestandteile sind in den Figuren jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.Identical or equivalent components are each provided with the same reference numerals in the figures. The components shown and the size ratios of the components with each other are not to be considered as true to scale.

1 zeigt eine strukturierte Siliziumschicht 1, die eine strukturierte Grenzfläche 2 aufweist. Die strukturierte Grenzfläche 2 weist eine Vielzahl von Teilflächen 3 auf, die gegenüber einer Haupterstreckungsebene 4 der Siliziumschicht 1 jeweils um einen Winkel α geneigt sind. Die geneigten Teilflächen 3 weisen jeweils eine auf die Haupterstreckungsebene 4 der Siliziumschicht 1 projizierte Breite b auf. 1 shows a structured silicon layer 1 that has a structured interface 2 having. The structured interface 2 has a variety of faces 3 on, facing a main extension plane 4 the silicon layer 1 are each inclined by an angle α. The inclined partial surfaces 3 each have one on the main extension level 4 the silicon layer 1 projected width b.

Zur Herstellung der geneigten Teilflächen 3 an der Grenzfläche 2 der Siliziumschicht 1 können insbesondere nasschemische oder Trockenätzverfahren verwendet werden. Als Maskenmaterialien für den Ätzprozess können Polymere, insbesondere Fotolacke, SiO2, SiN oder Metallmasken, z. B. aus Chrom, verwendet werden.For the production of inclined partial surfaces 3 at the interface 2 the silicon layer 1 For example, wet-chemical or dry etching processes may be used. As mask materials for the etching process, polymers, in particular photoresists, SiO 2 , SiN or metal masks, for. B. chrome, can be used.

Im Fall einer nasschemischen Ätzung ergibt sich die Neigung der Teilflächen 3 beispielsweise dadurch, dass sich mit der verwendeten Ätzlösung unterschiedliche Ätzraten in den verschiedenen Kristallachsen des Silizium-Kristalls ergeben. Als Ätzlösung kann beispielsweise eine wässrige KOH-Lösung mit einer Verdünnung von nicht weniger als 30% und nicht mehr als 60% bei einer Temperatur zwischen 40°C und 60°C verwendet werden. Dieses Verfahren ist insbesondere für kristalline Siliziumschichten 1 mit <100>-Orientierung geeignet.In the case of wet-chemical etching, the inclination of the partial surfaces results 3 for example, by the fact that different etch rates result in the different crystal axes of the silicon crystal with the etching solution used. As the etching solution, for example, an aqueous KOH solution having a dilution of not less than 30% and not more than 60% at a temperature between 40 ° C and 60 ° C can be used. This process is especially for crystalline silicon layers 1 suitable with <100> orientation.

Bei einer anderen Kristallorientierung der Siliziumschicht 1 oder einer polykristallinen Siliziumschicht 1 können die geneigten Teilflächen 3 mittels spezieller Masken hergestellt werden, die z. B. durch Grautonlithografie oder Halbtonbelichtung erzeugt werden. Dabei wird die Struktur der Maske durch ein reaktives Trockenätzverfahren in die darunterliegende Siliziumschicht 1 übertragen. Es handelt sich in diesem Fall um einen so genannten Proportionaltransfer. Die Neigung der Teilflächen 3 kann durch die Lithografietechnik selbst und/oder durch den Ätzprozess beeinflusst werden.For a different crystal orientation of the silicon layer 1 or a polycrystalline silicon layer 1 can the inclined faces 3 be made using special masks, the z. B. be generated by gray-tone lithography or halftone exposure. In this case, the structure of the mask by a reactive dry etching in the underlying silicon layer 1 transfer. In this case, it is a so-called proportional transfer. The inclination of the partial surfaces 3 can be influenced by the lithography technique itself and / or by the etching process.

Der im unteren Teil der 1 vergrößert dargestellte Bereich einer der geneigten Teilflächen 3 zeigt, dass die geneigten Teilflächen 3 zusätzlich mit einer Nanostruktur 5 versehen sind. Die Nanostruktur 5 weist Strukturelemente 6 auf, die insbesondere nadelförmig sein können. Die Nanostruktur 5 erstreckt sich vorteilhaft bis in eine Tiefe t zwischen 400 nm und 5 μm in die Siliziumschicht 1 hinein.The one in the lower part of the 1 enlarged area shown one of the inclined faces 3 shows that the inclined faces 3 additionally with a nanostructure 5 are provided. The nanostructure 5 has structural elements 6 on, which may be in particular acicular. The nanostructure 5 extends advantageously to a depth t between 400 nm and 5 microns in the silicon layer 1 into it.

Zur Herstellung der Nanostruktur 5 an der Grenzfläche 2 der Siliziumschicht 1 kann insbesondere ein maskenloses Strukturierungsverfahren verwendet werden, bei dem keine Maskenschicht aufgebracht und strukturiert werden muss. Vielmehr wird die Bildung von maskierenden Nanopartikeln aus dem Plasma einer Trockenätzanlage ausgenutzt. Die Profilform und Profiltiefe der Nanostruktur 5 können durch die Ätzgaszusammensetzung und die Ätzparameter bei dem Trockenätzprozess beeinflusst werden.For the preparation of the nanostructure 5 at the interface 2 the silicon layer 1 In particular, a maskless patterning method can be used in which no mask layer has to be applied and patterned. Rather, the formation of masking nanoparticles from the plasma of a dry etching system is utilized. The profile shape and profile depth of the nanostructure 5 can be influenced by the etching gas composition and the etching parameters in the dry etching process.

Ein geeignetes Trockenätzverfahren ist z. B. ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma – Reactive Ion Etching). Beispielsweise können für das Trockenätzen Schwefelhexafluorid (SF6) oder Sauerstoff (O2) als Ätzgase verwendet werden.A suitable dry etching is z. For example, ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching). For example, for dry etching, sulfur hexafluoride (SF 6 ) or oxygen (O 2 ) can be used as the etching gases.

Die Strukturelemente 6 der Nanostruktur 5 weisen vorzugsweise im Mittel einen Abstand d zwischen 100 nm und 400 nm auf. Die laterale Abmessung 1 der Strukturelemente 6 beträgt vorzugsweise zwischen 10 nm und 300 nm, besonders bevorzugt zwischen 10 nm und 100 nm. Das Aspektverhältnis der Strukturelemente 6, also das Verhältnis der Tiefe t zur lateralen Abmessung 1, beträgt bevorzugt mindestens 5 und besonders bevorzugt mindestens 10.The structural elements 6 the nanostructure 5 preferably have on average a distance d between 100 nm and 400 nm. The lateral dimension 1 the structural elements 6 is preferably between 10 nm and 300 nm, particularly preferably between 10 nm and 100 nm. The aspect ratio of the structural elements 6 , ie the ratio of the depth t to the lateral dimension 1 is preferably at least 5 and more preferably at least 10.

Die Nanostruktur 5 bewirkt einen Brechungsindexgradienten an der Grenzfläche 2 zwischen der Siliziumschicht 1 und dem Umgebungsmedium. Der Brechungsindex ändert sich an der Grenzfläche also nicht sprunghaft, sondern kontinuierlich über einen Bereich, der der Tiefe t der Nanostruktur 5 entspricht. Der Brechungsindexgradient an der Grenzfläche 2 vermindert die Reflexion der Grenzfläche 2 für auftreffende elektromagnetische Strahlung 8. Insbesondere kann mittels der Nanostruktur 5 erreicht werden, dass die Reflexion im Spektralbereich von 300 nm bis 1200 nm weniger als 10% oder vorzugsweise sogar weniger als 1% beträgt.The nanostructure 5 causes a refractive index gradient at the interface 2 between the silicon layer 1 and the surrounding medium. The refractive index does not change abruptly at the interface, but continuously over a range of the depth t of the nanostructure 5 equivalent. The refractive index gradient at the interface 2 reduces the reflection of the interface 2 for incident electromagnetic radiation 8th , In particular, by means of the nanostructure 5 It can be achieved that the reflection in the spectral range from 300 nm to 1200 nm is less than 10% or preferably even less than 1%.

Die auf die Grenzfläche 2 der Siliziumschicht 1 auftreffende Strahlung 8 aufgrund der reflexionsmindernden Wirkung der Nanostruktur 5 nahezu vollständig in die Siliziumschicht 1 transmittiert und wird dabei gebrochen. Aufgrund der Neigung der Teilflächen 3 erfolgt die Brechung an der Grenzfläche 2 vorteilhaft derart, dass der gebrochene Strahl 9 unter einem Winkel, der größer als der Grenzwinkel der Totalreflexion ist, auf die der strukturierten Grenzfläche 2 gegenüberliegende Grenzfläche 11 der Siliziumschicht 1 auftrifft. Der gebrochene Strahl 9 wird daher an der gegenüberliegenden Grenzfläche 11 totalreflektiert und breitet sich als reflektierter Strahl 10 weiter in der Siliziumschicht 1 aus.The on the interface 2 the silicon layer 1 incident radiation 8th due to the reflection-reducing effect of the nanostructure 5 almost completely into the silicon layer 1 transmits and is broken. Due to the inclination of the partial surfaces 3 the refraction occurs at the interface 2 advantageous such that the refracted beam 9 at an angle greater than the critical angle of total reflection to that of the structured interface 2 opposite interface 11 the silicon layer 1 incident. The broken beam 9 is therefore at the opposite interface 11 totally reflected and spreads as a reflected beam 10 further in the silicon layer 1 out.

Die geneigten Grenzflächen 3 und die Nanostruktur 5 wirken also vorteilhaft derart zusammen, dass auf die Grenzfläche 2 der Siliziumschicht 1 auftreffende Strahlung 8 nahezu vollständig in die Siliziumschicht eindringen kann, ohne dass dabei wesentliche Reflexionsverluste auftreten, und dass die Brechung in die Siliziumschicht 1 hinein derart erfolgt, dass die in der Siliziumschicht 1 propagierenden Strahlen 9, 10 eine große Weglänge in der Siliziumschicht 1 zurücklegen. Auf diese Weise kann insbesondere die Effizienz von strahlungsempfangenden optoelektronischen Bauelementen verbessert werden.The inclined interfaces 3 and the nanostructure 5 Thus, they work together so advantageous that on the interface 2 the silicon layer 1 incident radiation 8th almost completely penetrate into the silicon layer without causing significant reflection losses, and that the refraction into the silicon layer 1 in such a way that in the silicon layer 1 propagating rays 9 . 10 a long path length in the silicon layer 1 return. In particular, the efficiency of radiation-receiving optoelectronic components can be improved in this way.

Die geneigten Grenzflächen 3 der Siliziumschicht 1 sind gegenüber der Haupterstreckungsebene 4 der Siliziumschicht 1 vorzugsweise um Winkel α zwischen 30° und 80°, besonders bevorzugt zwischen 45° und 70°, geneigt. Neigungswinkel α in diesem Bereich haben den Vorteil, dass ein an der Grenzfläche 2 auf eine geneigte Teilfläche 3 der Siliziumschicht 1 auftreffender Strahl 8 mit hoher Wahrscheinlichkeit derart gebrochen wird, dass er an der gegenüberliegenden Grenzfläche 11 totalreflektiert wird, aber andererseits nur mit geringer Wahrscheinlichkeit auf die Innenfläche einer benachbarten Teilfläche 3 auftrifft, an der er wieder aus der Siliziumschicht 1 austreten könnte.The inclined interfaces 3 the silicon layer 1 are opposite the main extension plane 4 the silicon layer 1 preferably by angles α between 30 ° and 80 °, more preferably between 45 ° and 70 °, inclined. Tilt angles α in this range have the advantage of being one at the interface 2 on an inclined surface 3 the silicon layer 1 incident beam 8th with high probability such that it is broken at the opposite interface 11 is totally reflected, but on the other hand, with low probability on the inner surface of an adjacent partial surface 3 he hits again from the silicon layer 1 could escape.

Die auf die Hauptebene 4 projizierten Breiten b der geneigten Teilflächen 3 betragen im Mittel vorzugsweise zwischen 5 μm und 50 μm. Bei diesen Abmessungen wird die geometrische Struktur der geneigten Teilflächen 3 nur unwesentlich von der Nanostruktur 5 gestört, und andererseits können Neigungswinkel α von bevorzugt mehr als 45° realisiert werden, ohne dass die Schichtdicke der Siliziumschicht 1 unverhältnismäßig groß gewählt werden muss.The on the main level 4 projected widths b of the inclined faces 3 be on average preferably between 5 microns and 50 microns. With these dimensions, the geometric structure of the inclined faces 3 only insignificant of the nanostructure 5 disturbed, and on the other hand, angle of inclination α of preferably more than 45 ° can be realized without the layer thickness of the silicon layer 1 disproportionately large.

In den folgenden 2 bis 5 sind jeweils Aufsichten und Querschnitte der strukturierten Grenzfläche 2 gezeigt, wobei die Nanostruktur 5 auf den geneigten Teilflächen 3 zur Vereinfachung der Darstellung jeweils nicht dargestellt ist.In the following 2 to 5 are respectively plan views and cross sections of the structured interface 2 shown, the nanostructure 5 on the inclined surfaces 3 not shown for simplicity of illustration.

Bei dem in 2A in einem Querschnitt und in 2B in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel der strukturierten Siliziumschicht bilden die geneigten Teilflächen 3 V-förmige Gräben 12 aus. Im Gegensatz zu dem in 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die V-förmigen Gräben 12 regelmäßig angeordnet, d. h. die V-förmigen Gräben 12 weisen jeweils die gleiche Tiefe und die gleiche Breite auf. Es ist alternativ aber auch denkbar, dass die V-förmigen Gräben unterschiedliche Abstände und Tiefen aufweisen.At the in 2A in a cross section and in 2 B shown in a plan view of the patterned silicon layer form the inclined faces 3 V-shaped trenches 12 out. Unlike the in 1 illustrated embodiment, the V-shaped trenches 12 arranged regularly, ie the V-shaped trenches 12 each have the same depth and the same width. Alternatively, it is also conceivable that the V shaped trenches have different distances and depths.

Bei dem in 3A in einem Querschnitt und in 3B in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel ist auf die Grenzfläche 2 der Siliziumschicht 1 mindestens eine weitere Schicht 7 aufgebracht. Es ist möglich, dass die Schicht 7 die Nanostruktur 5 ganz oder teilweise auffüllt und/oder planarisiert. Die weitere Schicht 7 kann insbesondere als Schutzschicht für die Nanostruktur 5 oder als funktionelle Schicht in einem optoelektronischen Bauelement fungieren. Beispielsweise kann es sich bei der weiteren Schicht 7 um eine dielektrische Schicht, beispielsweise aus einem Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder Aluminiumoxid, aus einem transparenten leitfähigen Oxid wie beispielsweise ITO oder ZnO:Al, oder aus einem Halbleitermaterial handeln.At the in 3A in a cross section and in 3B shown in a plan embodiment is on the interface 2 the silicon layer 1 at least one more layer 7 applied. It is possible that the layer 7 the nanostructure 5 completely or partially filled and / or planarized. The further layer 7 can be used in particular as a protective layer for the nanostructure 5 or act as a functional layer in an optoelectronic device. For example, it may be in the further layer 7 a dielectric layer, for example of a silicon oxide, silicon nitride or aluminum oxide, of a transparent conductive oxide such as ITO or ZnO: Al, or of a semiconductor material.

Bei dem in 4A in einem Querschnitt und in 4B in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel der strukturierten Siliziumschicht weist die Grenzfläche 2 trapezförmige Strukturen 13 auf. Die trapezförmigen Strukturen 13 weisen jeweils die gleichen Abstände, Plateaubreiten und Tiefen auf. Alternativ sind aber auch trapezförmige Strukturen mit zufällig verteilten Abständen, Plateaubreiten und Tiefen denkbar.At the in 4A in a cross section and in 4B shown in a plan view of the patterned silicon layer has the interface 2 trapezoidal structures 13 on. The trapezoidal structures 13 each have the same distances, plateau widths and depths. Alternatively, however, trapezoidal structures with randomly distributed distances, plateau widths and depths are also conceivable.

Bei dem in 5A in einem Querschnitt und in 5B in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel der strukturierten Siliziumschicht bilden die geneigten Teilflächen 3 pyramidenförmige Strukturen 14 aus. Wie in der Aufsicht zu sehen, können die Pyramiden 14 in einem rechteckigen Gitter angeordnet sein.At the in 5A in a cross section and in 5B shown in a plan view of the patterned silicon layer form the inclined faces 3 pyramidal structures 14 out. As seen in the supervision, the pyramids can 14 be arranged in a rectangular grid.

Auch bei dem in 6A in einem Querschnitt und in 6B in einer Aufsicht dargestellten Ausführungsbeispiel bilden die geneigten Teilflächen 3 jeweils pyramidenförmige Strukturen 14 aus. Im Gegensatz zu dem in den 4A und 4B dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Pyramiden 14 derart in einem rechteckigen Gitter angeordnet, dass sie zeilen- oder spaltenweise jeweils um eine halbe Periode gegeneinander versetzt sind.Also at the in 6A in a cross section and in 6B illustrated in a plan embodiment form the inclined faces 3 each pyramidal structures 14 out. In contrast to that in the 4A and 4B illustrated embodiment are the pyramids 14 arranged in such a rectangular grid that they are offset by rows or columns, each by half a period against each other.

Die pyramidenförmigen Strukturen 14 können bei den Ausführungsbeispielen der 4 und 5 invertiert sein, d. h. nicht nach außen, sondern ausgehend von der Grenzfläche 2 der Siliziumschicht nach innen gewandt sein. Eine derartige Struktur hat insbesondere den Vorteil, dass sie im Vergleich zu nach außen gewandten Strukturen weniger anfällig gegen mechanische Beschädigungen ist. Die Wirkungsweise der durch die Pyramiden 14 ausgebildete Grobstruktur und der darauf ausgebildeten Nanostruktur ändert sich dadurch aber nicht.The pyramidal structures 14 can in the embodiments of the 4 and 5 be inverted, ie not outward, but starting from the interface 2 the silicon layer facing inwards. Such a structure has the particular advantage that it is less prone to mechanical damage compared to outwardly facing structures. The mode of action of the pyramids 14 However, this does not change the coarse structure and the nanostructure formed on it.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention is not limited by the description with reference to the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

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  • US 5340340 [0003] US 5340340 [0003]

Claims (15)

Strukturierte Siliziumschicht (1) für ein optoelektronisches Bauelement, wobei – eine Grenzfläche (2) der Siliziumschicht eine Vielzahl von Teilflächen (3) aufweist, die gegenüber einer Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) geneigt sind, – die auf die Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) projizierte Breite b der geneigten Teilflächen (3) im Mittel mindestens 5 μm beträgt, – die geneigten Teilflächen (3) eine Nanostruktur (5) aufweisen, und – sich die Nanostruktur (5) bis in eine Tiefe zwischen 400 nm und 5 μm in die Siliziumschicht (1) hinein erstreckt.Structured silicon layer ( 1 ) for an optoelectronic component, wherein - an interface ( 2 ) of the silicon layer has a multiplicity of partial areas ( 3 ), which are opposite a main extension plane ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ), - which are at the main level of extension ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) projected width b of the inclined partial surfaces ( 3 ) is on average at least 5 microns, - the inclined faces ( 3 ) a nanostructure ( 5 ), and - the nanostructure ( 5 ) to a depth of between 400 nm and 5 μm into the silicon layer ( 1 ) extends into it. Siliziumschicht nach Anspruch 1, wobei die geneigten Teilflächen (3) gegenüber der Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) im Mittel mindestens 30° geneigt sind.Silicon layer according to claim 1, wherein the inclined faces ( 3 ) opposite the main extension plane ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) are inclined at an average of at least 30 °. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die geneigten Teilflächen (3) gegenüber der Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) im Mittel nicht mehr als 80° geneigt sind.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the inclined partial surfaces ( 3 ) opposite the main extension plane ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) are inclined on average not more than 80 °. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die geneigten Teilflächen (3) gegenüber der Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) im Mittel mindestens 45° und nicht mehr als 70° geneigt sind.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the inclined partial surfaces ( 3 ) opposite the main extension plane ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) are inclined on average at least 45 ° and not more than 70 °. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die geneigten Teilflächen (3) V-förmige Strukturen (12), trapezförmige Strukturen (13) oder pyramidenförmige Strukturen (14) bilden.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the inclined partial surfaces ( 3 ) V-shaped structures ( 12 ), trapezoidal structures ( 13 ) or pyramidal structures ( 14 ) form. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Projektion der geneigten Teilflächen (3) auf die Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) mindestens 50% der Gesamtfläche der Haupterstreckungsebene (4) ausmacht.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein a projection of the inclined partial surfaces ( 3 ) to the main extension level ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) at least 50% of the total area of the main extension ( 4 ). Siliziumschicht nach Anspruch 6, wobei die gesamte Grenzfläche (2) durch die geneigten Teilflächen (3) gebildet ist.Silicon layer according to claim 6, wherein the entire interface ( 2 ) by the inclined partial surfaces ( 3 ) is formed. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die auf die Haupterstreckungsebene (4) der Siliziumschicht (1) projizierte Breite b der geneigten Teilflächen (3) im Mittel zwischen einschließlich 5 μm und einschließlich 50 μm beträgt.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the main plane of extension ( 4 ) of the silicon layer ( 1 ) projected width b of the inclined partial surfaces ( 3 ) is on average between 5 μm and 50 μm inclusive. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nanostruktur (5) Strukturelemente (6) aufweist, deren Abstand im Mittel zwischen einschließlich 100 nm und einschließlich 400 nm beträgt.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the nanostructure ( 5 ) Structural elements ( 6 ) whose average spacing is between 100 nm and 400 nm inclusive. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nanostruktur (5) Strukturelemente (6) aufweist, deren laterale Abmessung im Mittel zwischen einschließlich 10 nm und einschließlich 300 nm beträgt.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the nanostructure ( 5 ) Structural elements ( 6 ) whose average lateral dimension is between 10 nm and 300 nm inclusive. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Nanostruktur (5) nadelförmige Strukturelemente aufweist.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein the nanostructure ( 5 ) has needle-shaped structural elements. Siliziumschicht nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei mindestens eine weitere Schicht (7) auf die Grenzfläche (2) aufgebracht ist.Silicon layer according to one of the preceding claims, wherein at least one further layer ( 7 ) on the interface ( 2 ) is applied. Siliziumschicht nach Anspruch 12, wobei die mindestens eine weitere Schicht (7) die Nanostruktur (5) planarisiert.Silicon layer according to claim 12, wherein the at least one further layer ( 7 ) the nanostructure ( 5 ) planarized. Siliziumschicht nach Anspruch 12 oder 13, wobei mindestens eine weitere Schicht (7) eine dielektrische Schicht, eine Halbleiterschicht oder eine transparente leitfähige Schicht ist.Silicon layer according to claim 12 or 13, wherein at least one further layer ( 7 ) is a dielectric layer, a semiconductor layer or a transparent conductive layer. Optoelektronisches Bauelement, das eine Siliziumschicht (3) nach einem der vorhergehenden Ansprüche aufweist.Optoelectronic component comprising a silicon layer ( 3 ) according to one of the preceding claims.
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