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HINTERGRUND
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Im
Allgemeinen ist ein Bildsensor ein Halbleiterbauelement zum Umwandeln
eines optischen Bilds in ein elektrisches Signal. Der Bildsensor
kann grob als Bildsensor mit ladungsgekoppelten Bauelementen (CCD)
oder als Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensor
(CIS) klassifiziert werden.
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Ein
CIS umfasst eine Fotodiode und einen MOS-Transistor, die in einem
Bildpunktelement ausgebildet sind, und erhält ein Bild, indem er schaltend sequentiell
elektrische Signale von Bildpunktelementen detektiert.
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Bei
einer CIS-Struktur nach der verwandten Technik sind eine Fotodiode
und ein Transistor horizontal angeordnet.
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Obgleich
der CIS des horizontalen Typs nach der verwandten Technik bestimmte
Einschränkungen von
CCD-Bildsensoren behoben hat, weist er nach wie vor einige Probleme
auf.
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Bei
einem der verwandten Technik entsprechenden CIS des horizontalen
Typs sind eine Fotodiode und ein Transistor horizontal nebeneinander
liegend auf einem Substrat ausgebildet. Daher ist ein zusätzliches
Gebiet zum Ausbilden der Fotodiode erforderlich, was den Füllfaktor
verringern und die Auflösungsmöglichkeit
begrenzen kann.
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Außerdem ist
es bei dem der verwandten Technik entsprechenden CIS des horizontalen
Typs sehr schwierig, den optimierten Prozess zum gleichzeitigen
Ausbilden der Fotodiode und des Transistors zu verwirklichen. Das
heißt,
dass ein flacher Übergang,
obgleich er für
einen geringen Schichtwiderstand in einem schnellen Transistor-Prozess
erforderlich ist, in einer Fotodiode nicht zweckmäßig ist.
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Des
Weiteren muss bei einem CIS des horizontalen Typs nach der verwandten
Technik, sowie zusätzliche
On-Chip-Funktionen zum Bildsensor hinzugefügt werden, die Größe eines
Bildpunktelements zunehmen, um die Empfindlichkeit des Bildsensors zu
bewahren, oder die Fotodiodenfläche
muss abnehmen, um die Bildpunktgröße zu bewahren. Doch die Zunahme
der Bildpunktgröße verringert
die Auflösung
des Bildsensors, und die Abnahme der Fotodiodenfläche verringert
die Empfindlichkeit des Bildsensors.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
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Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf einen Bildsensor und
ein Verfahren zu seiner Herstellung, die eine neue Integration einer
Schaltung und einer Fotodiode bereitstellen können.
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Ausführungsformen
beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung, die
sowohl die Auflösung
als auch die Empfindlichkeit des Bildsensors verbessern können.
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Ausführungsformen
beziehen sich auf ein Bild und ein Verfahren zu seiner Herstellung,
die unter Verwendung einer Fotodiode des vertikalen Typs eine hervorragende
physikalische und elektrische Bondkraft zwischen einer Fotodiode
und einer Schaltung bereitstellen können.
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Ausführungsformen
beziehen sich auf einen Bildsensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung, die
Defekte innerhalb einer Fotodiode unter Verwendung einer Fotodiode
des vertikalen Typs verringern können.
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Ein
Bildsensor gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung kann umfassen: ein erstes Substrat, auf
dem eine Schaltung ausgebildet ist, die eine Verbindung enthält; eine
Isolierschicht auf dem ersten Substrat, wobei die Isolierschicht
mit der Verbindung Kontakt hat; eine Fotodiode, die auf das erste
Substrat gebondet ist und zugleich mit der Isolierschicht Kontakt
hat und mit der Verbindung elektrisch verbunden ist; und einen Durchkontaktierungsplug,
der bereitgestellt wird, indem Bereiche der Fotodiode und der Isolierschicht
entfernt werden, um einen oberen Bereich der Verbindung freizulegen,
um ein Durchkontaktierungslochs auszubilden, und indem das Durchkontaktierungsloch
mit einem leitfähigen
Metall gefüllt
wird.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform
kann umfassen: Bereitstellen eines ersten Substrats, auf dem eine Schaltung
ausgebildet ist, die eine Verbindung enthält; Ausbilden einer Isolierschicht,
die mit der Verbindung Kontakt hat, auf dem ersten Substrat; Bereitstellen
eines zweiten Substrats, auf dem eine Fotodiode ausgebildet ist;
Bonden des ersten Substrats und des zweiten Substrats derart, dass
die Fotodiode und die Isolierschicht miteinander Kontakt haben;
Entfernen eines Bereichs des gebondeten zweiten Substrats, um die
Fotodiode freizulegen; Ausbilden eines Durchkontaktierungslochs
durch Entfernen eines Bereichs der Fotodiode und der Isolierschicht
derart, dass ein oberer Bereich der Verbindung freiliegt; und Ausbilden
eines Durchkontaktierungsplugs durch Füllen des Durchkon taktierungslochs
mit einem leitfähigen
Metall und Entfernen eines Bereichs des leitfähigen Metalls.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 bis 13 veranschaulichen
einen Bildsensor und ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors
gemäß Ausführungsformen.
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1 zeigt
einen Querschnitt eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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2 zeigt
eine Draufsicht eines Bildsensors gemäß einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung; und
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3 bis 13 zeigen
Querschnittsansichten zur Erläuterung
eines Verfahrens zur Herstellung eines Bildsensors gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Ein
Bildsensor und ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung werden im Einzelnen mit Bezug auf die begleitenden
Zeichnungen beschrieben.
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In
der Beschreibung der Ausführungen
versteht sich, dass wenn eine Schicht (ein Film) als "auf" einer anderen Schicht
oder einem Substrat bezeichnet wird, sie direkt auf der anderen
Schicht oder dem Substrat liegen kann, oder dazwischen liegende Schichten
vorhanden sein können.
Ferner versteht sich, dass wenn eine Schicht als "unter" einer anderen Schicht
bezeichnet wird, sie direkt unter einer anderen Schicht liegen kann,
oder eine oder mehrere dazwischen liegende Schichten vorhanden sein
können.
Zusätzlich
dazu versteht sich, dass wenn eine Schicht als "zwischen" zwei Schichten bezeichnet wird, sie
die einzige Schicht zwischen den Schichten sein kann, oder ein oder
mehrere dazwischen liegende Schichten vorhanden sein können.
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Es
versteht sich, dass die Figuren und Beschreibungen von Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung vereinfacht wurden, um Elemente zu veranschaulichen,
die für
ein klares Verständnis
der Erfindung von Bedeutung sind, während aus Gründen der
Klarheit andere Elemente, die gut bekannt sein mögen, weggelassen wurden.
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2 zeigt
eine Draufsicht eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung,
und 1 stellt eine Querschnittsansicht entlang der
Linie I-I' von 1 gemäß einer
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung bereit.
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Mit
Bezug auf 1 und 2 kann ein Bildsensor
gemäß einer
Ausführungsform
umfassen: ein erstes Substrat 100 mit einer Schaltung (nicht dargestellt),
die eine Verbindung 110 umfasst; eine Isolierschicht 120 auf
dem ersten Substrat 100, wobei die Isolierschicht 120 selektiv
Kontakt mit der Verbindung 110 hat; eine auf das erste
Substrat 100 gebondete Fotodiode 210, die zugleich
mit der Isolierschicht 120 Kontakt hat und mit der Verbindung 110 elektrisch
verbunden ist; und einen Durchkontaktierungsplug 220. Die
Fotodiode 210 kann eine hochkonzentrierte leitende Schicht 212 eines
ersten Leitungstyps, eine leitende Schicht 214 des ersten
Leitungstyps und eine leitende Schicht 216 eines zweiten
Leitungstyps umfassen. Gemäß einer
Ausführungsform
kann der Durchkontaktierungsplug 220 mit der hochkonzentrierten
leitenden Schicht 212 des ersten Leitungstyps und der leitenden
Schicht 214 des ersten Leitungstyps Kontakt haben.
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Eine
Bondkraft zwischen dem ersten Substrat 100 und der Fotodiode 210 kann
verstärkt
werden, indem die Isolierschicht 120 zwischen dem ersten
Substrat 100 und der Fotodiode 210 angeordnet wird.
Beispielsweise kann die Isolierschicht 120 eine Siliziumoxidschicht
sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Außerdem können gemäß Ausführungsformen
von der Fotodiode erzeugte Elektronen durch den mit der Verbindung 110 verbundenen
Durchkontaktierungsplug 220 effizient aus dem Innern der
Fotodiode 210 an die Schaltung auf dem ersten Substrat 100 übertragen
werden.
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Gemäß einer
Ausführungsform
kann der Durchkontaktierungsplug 220 ausgebildet werden, indem
leitfähiges
Metall in das Durchkontaktierungsloch H (siehe 9)
gefüllt
wird. Das Durchkontaktierungsloch kann ausgebildet werden, indem
Bereiche der Fotodiode 210 und der Isolierschicht 120 selektiv entfernt
werden, um einen oberen Bereich der Verbindung 110 freizulegen.
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In
einer bestimmten Ausführungsform
kann die Fotodiode 210 eine hochkonzentrierte leitende Schicht 212 des
ersten Leitungstyps, eine leitende Schicht 214 des ersten
Leitungstyps und eine leitende Schicht 216 des zweiten
Leitungstyps umfassen. Gemäß einer
Ausführungsform
kann der Durchkontaktierungsplug 220 mit der hochkonzentrierten
leitenden Schicht 212 des ersten Leitungstyps und der leitenden
Schicht 214 des ersten Leitungstyps Kontakt haben. In bestimmten
Ausführungsformen
hat der Durchkontaktierungsplug 220 keinen Kontakt mit der leitenden
Schicht 216 des zweiten Leitungstyps. In einer Ausführungsform
kann die leitende Schicht 216 des zweiten Leitungstyps
an Masse gelegt (mit einer Masse verbunden) sein.
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In
einer Ausführungsform
kann der Durchkontaktierungsplug 220 derart ausgebildet
sein, dass er nur mit der leitenden Schicht 212 des ersten
Leitungstyps Kontakt hat.
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Die
Fotodiode 210 kann auf einer Bildpunktbasis separiert sein.
Beispielsweise kann die Fotodiode 210 je nach Bildpunktelement
separiert sein. In einer Ausführungsform
kann eine zweite Isolierschicht 230 zum Separieren der
Fotodiode 210 auf einer Bildpunktbasis verwendet werden.
Die zweite Isolierschicht 230 kann auch auf dem Durchkontaktierungsplug 220 ausgebildet
sein und den verbleibenden Bereich des Durchkontaktierungslochs
füllen.
Die zweite Isolierschicht 230 kann eine Oxidschicht sein,
ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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In
einer Ausführungsform
kann die Fotodiode 210 eine leitende Schicht 214 des
ersten Leitungstyps innerhalb einer kristallinen Halbleiterschicht 210a (siehe 4)
und eine leitende Schicht 216 des zweiten Leitungstyps
innerhalb der kristallinen Halbleiterschicht auf der leitenden Schicht 214 des
ersten Leitungstyps umfassen. Beispielsweise kann die Fotodiode 210 eine
niedrigkonzentrierte leitende Schicht 214 des N-Typs innerhalb
der kristallinen Halbleiterschicht 210a und eine hochkonzentrierte
leitende Schicht 216 des P-Typs auf der niedrigkonzentrierten
leitenden Schicht 214 des N-Typs umfassen. Doch sind die
Ausführungsformen
nicht hierauf beschränkt.
Beispielsweise ist der erste Leitungstyp nicht auf den N-Typ beschränkt, sondern kann
der P-Typ sein.
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Des
Weiteren kann die Fotodiode 210 ferner eine hochkonzentrierte
leitende Schicht 212 des ersten Leitungstyps unter der
leitenden Schicht 214 des ersten Leitungstyps und auf der
Isolierschicht 120 umfassen. Beispielsweise kann eine hochleitende leitende
Schicht 212 des N+-Typs ausgebildet sein, um zu einem ohmschen
Kontakt beizutragen.
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In
einer Ausführungsform
kann die kristalline Halbleiterschicht 210a (siehe 4),
ohne jedoch hierauf beschränkt
zu sein, eine einkristalline Halbleiterschicht sein und sie kann
eine polykristalline Halbleiterschicht sein.
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Auch
wenn die Schaltung des ersten Substrats 100 nicht dargestellt
ist, kann jede geeignete CIS-Schaltung verwendet werden. Beispielsweise kann
die Schaltung wie ein Vier-Transistor-(4
Tr)-CIS eingerichtet sein. In anderen Ausführungsformen können beispielsweise
1-Tr-CIS-, 3-Tr-CIS-, 5-Tr-CIS-
oder 1,5-Tr-CIS- (CIS mit aufgeteiltem Transistor)-Anordnungen verwendet
werden.
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Die
Verbindung 110 auf dem ersten Substrat 100 kann
ein Metall (nicht dargestellt) und einen Plug (nicht dargestellt)
umfassen. Des Weiteren kann die Verbindung 110 aus mehreren
Schichten ausgebildet sein. Der oberste Bereich der Verbindung 110 kann als
eine untere Elektrode der Fotodiode dienen.
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In
einer weiteren Ausführungsform
kann ein oberes Metall (nicht dargestellt) zusätzlich auf der Fotodiode 210 ausgebildet
sein. In einer noch weiteren Ausführungsform kann ein Farbfilter über der
Fotodiode 210 ausgebildet sein.
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3 bis 13 sind
Querschnittsansichten, die ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors
gemäß Ausführungsformen
veranschaulichen.
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Unter
Bezugnahme auf 3 wird ein erstes Substrat 100 bereitgestellt,
auf dem eine Verbindung 110 und eine Schaltung (nicht dargestellt)
ausgebildet sind. Auch wenn die Schaltung des ersten Substrats 100 nicht
dargestellt ist, kann die Schaltung eine beliebige geeignete Transistoranordnung
sein. Beispielsweise kann eine Vier-Transistor-Anordnung (4 Tr CIS)
verwendet werden, doch sind die Ausführungsformen nicht hierauf
beschränkt.
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Die
Verbindung 110 kann Metallschichten umfassen, die durch
Plugs verbunden sind.
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Dann
kann auf dem ersten Substrat 100 eine Isolierschicht 120 ausgebildet
werden, welche die Verbindung 110 bedeckt.
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Gemäß Ausführungsformen
kann eine Bondkraft zwischen dem ersten Substrat 100 und
der Fotodiode 210 verstärkt
werden, indem die Isolierschicht 120 zwischen dem ersten
Substrat 100 und der Fotodiode 210 ausgebildet
wird. In einer Ausführungsform
kann die Isolierschicht 120 eine Siliziumoxidschicht sein,
ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Unter
Bezugnahme auf 4 kann eine kristalline Halbleiterschicht 210a auf
einem zweiten Substrat 200 ausgebildet werden. Durch das
Ausbilden einer Fotodiode 210 in einer kristallinen Halbleiterschicht 210a können Defekte
innerhalb der Fotodiode 210 reduziert werden.
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In
einer Ausführungsform
kann die kristalline Halbleiterschicht 210a auf dem zweiten
Substrat 200 epitaktisch ausgebildet werden. Dann kann
eine Wasserstoffionenimplantationsschicht 207a ausgebildet
werden, indem Wasserstoffionen in eine Grenzfläche zwischen dem zweiten Substrat 200 und der
kristallinen Halbleiterschicht 210a implantiert werden.
Alternativ kann die Implantation der Wasserstoffionen nach der Ionenimplantation
zum Ausbilden der Fotodiode 210 ausgeführt werden.
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Unter
Bezugnahme auf 5 kann eine Fotodiode 210 durch
Implantieren von Ionen in die kristalline Halbleiterschicht 210a ausgebildet
werden.
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Beispielsweise
kann eine leitende Schicht 216 eines zweiten Leitungstyps
in einem unteren Bereich der kristallinen Halbleiterschicht 210a ausgebildet
werden. Eine hochkonzentrierte leitende Schicht 216 des
P-Typs kann im unteren Bereich der kristallinen Halbleiterschicht 210a ausgebildet
werden, indem Ionen ohne Maske ganzflächig über dem zweiten Substrat 200 implantiert
werden. Beispielsweise kann die leitende Schicht 216 des
zweiten Leitungstyps eine Übergangstiefe
von weniger als ungefähr
0,5 μm haben.
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Danach
kann eine leitende Schicht eines ersten Leitungstyps auf der leitenden
Schicht 216 des zweiten Leitungstyps ausgebildet werden.
Eine niedrigkonzentrierte leitende Schicht 214 des N-Typs kann
auf der leitenden Schicht 216 des zweiten Leitungstyps
ausgebildet werden, indem Ionen ohne Maske ganzflächig über dem
zweiten Substrat 200 implantiert werden. Beispielsweise
kann die niedrigkonzentrierte leitende Schicht 214 des
ersten Leitungstyps mit einer Übergangstiefe
in einem Bereich von ungefähr
1,0 μm bis
2,0 μm ausgebildet
werden.
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Ausführungsformen
können
ferner das Ausbilden einer hochkonzentrierten leitenden Schicht 212 des
ersten Leitungstyps auf der leitenden Schicht 214 des ersten
Leitungstyps umfassen. Beispielsweise kann eine hochkonzentrierte
leitende Schicht 212 des N+-Typs auf der leitenden Schicht des
ersten Leitungstyps durch ganzflächiges
Implantieren von Ionen ohne Maske über dem zweiten Substrat ausgebildet
werden und hierdurch zu einem ohmschen Kontakt beitragen.
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Unter
Bezugnahme auf 6 können das erste Substrat 100 und
das zweite Substrat 200 zusammengebondet werden, um die
Fotodiode 210 mit der Isolierschicht 120 zu verbinden.
In einer Ausführungsform
kann das Bonden durch Erhöhen
der Oberflächenenergie
einer gebondeten Oberfläche durch
Aktivierung durch Plasma vor dem Bonden des ersten Substrats 100 auf
das zweite Substrat 200 ausgeführt werden.
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Unter
Bezugnahme auf 7 kann die Wasserstoffionenimplantationsschicht 207a in
eine Wasserstoffgasschicht 207 umgewandelt werden, indem
bezüglich
des zweiten Substrats 200 eine Wärmebehandlung ausgeführt wird.
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Unter
Bezugnahme auf 8 kann ein Bereich des zweiten
Substrats 200 mit Bezug auf die Wasserstoffgasschicht 207 unter
Verwendung einer Klinge entfernt werden, um die Fotodiode 210 freizulegen.
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Dann
wird ein mit der Verbindung 110 zu verbindender Durchkontaktierungsplug 220 innerhalb der
Fotodiode 210 ausgebildet.
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Unter
Bezugnahme auf 9 wird beispielsweise ein Durchkontaktierungsloch
H ausgebildet, indem Bereiche der Fotodiode 210 und der
Isolierschicht 120 unter Verwendung einer Fotolackstruktur (nicht
dargestellt) als Ätzmaske
selektiv entfernt werden, um den oberen Bereich der Verbindung 110 freizulegen.
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Unter
Bezugnahme auf 10 wird die Fotolackstruktur
(nicht dargestellt) entfernt und das Durchkontaktierungsloch H wird
mit einem leitfähigen Metall 220a gefüllt. Das
leitfähige
Metall 220a kann Wolfram (W) sein, ist jedoch nicht hierauf
beschränkt. In
einer anderen Ausführungsform
kann das Durchkontaktierungsloch H mit dem leitfähigen Metall 220a gefüllt werden,
ohne dass die Fotolackstruktur entfernt wird.
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Unter
Bezugnahme auf 11 kann das leitfähige Metall 220a selektiv
entfernt werden, um einen Durchkontaktierungsplug 220 auszubilden.
Beispielsweise kann der Durchkontaktierungsplug 220 durch
Ausführen
eines Rückätzprozesses
auf dem leitfähigen
Metall 220a ausgebildet werden. Vor dem Rückätzprozess
kann ferner ein Planarisierungsprozess wie CMP (chemisch-mechanisches
Polieren) ausgeführt
werden. Der Rückätzprozess
kann ein Material verwenden, das eine hohe Selektivität von der
kristallinen Halbleiterschicht 210a (der Fotodiode 210)
zum leitfähigen
Metall 220a aufweist.
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Des
Weiteren kann der Durchkontaktierungsplug 220 ausgebildet
werden, indem in Ausführungsformen,
bei denen die Fotolackstruktur nach dem Ausbilden der Durchkontaktierungslöcher nicht entfernt
wird, der obere Bereich des leitfähigen Metalls 220a unter
Verwendung der Fotolackstruktur als Maske geätzt wird.
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Gemäß Ausführungsformen
kann der Prozess zum Ausbilden eines Durchkontaktierungsplugs 220 folgende
Merkmale haben. Das heißt,
dass, wenn die Fotodiode 210 eine hochkonzentrierte leitende
Schicht 212 des ersten Leitungstyps, eine leitende Schicht 214 des
ersten Leitungstyps und eine leitende Schicht 216 des zweiten
Leitungstyps umfasst, der Durchkontaktierungsplug 220 mit
der hochkonzentrierten leitenden Schicht 212 des ersten
Leitungstyps und der leitenden Schicht 214 des ersten Leitungstyps
Kontakt haben kann, während
er keinen Kontakt mit der leitenden Schicht 216 des zweiten Leitungstyps
hat. Außerdem
kann die leitende Schicht 216 des zweiten Leitungstyps
an Masse liegen.
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Gemäß einer
anderen Ausführungsform kann
der Durchkontaktierungsplug 220 so ausgebildet sein, dass
er nur mit der hochkonzentrierten leitenden Schicht 212 des
ersten Leitungstyps Kontakt hat.
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Unter
Bezugnahme auf 12 kann ein Ätzprozess derart ausgeführt werden,
dass die Fotodiode 210, die den Durchkontaktierungsplug 220 aufweist,
auf einer Bildpunktbasis separiert werden kann.
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Beispielsweise
können
Bereiche der kristallinen Halbleiterschicht der Fotodiode 210 an
einer Bildpunktgrenze selektiv entfernt werden, um die Isolierschicht 120 freizulegen.
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Unter
Bezugnahme auf 13 kann der geätzte Bereich
mit einer zweiten Isolierschicht 230 gefüllt werden.
Beispielsweise kann die Fotodiode 210 durch die zweite
Isolierschicht auf einer Bildpunktbasis separiert werden. In diesem
Fall kann die zweite Isolierschicht 230 auch auf dem Durchkontaktierungsplug 220 ausgebildet
werden. Die zweite Isolierschicht 230 kann eine Oxidschicht
sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
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Danach
kann ein Prozess zum Ausbilden einer oberen Elektrode (nicht dargestellt)
und eines Farbfilters (nicht dargestellt) ausgeführt werden.
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Das
Verfahren zur Herstellung des Bildsensors gemäß Ausführungsformen kann eine vertikale Integration
der Schaltung und der Fotodiode bereitstellen.
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Überdies
können
das Substrat, auf dem die Fotodiode ausgebildet ist, und das Substrat,
auf dem die Schaltung ausgebildet ist, fest verbunden werden, indem
die Isolierschicht dazwischen angeordnet wird.
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Des
Weiteren können
von der Fotodiode erzeugte Elektronen effizient an die Schaltung übertragen
werden, indem ferner der Durchkontaktierungsplug, der mit der Verbindung
der Schaltung verbunden ist, innerhalb der Fotodiode ausgebildet
wird.
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Zudem
können
Defekte innerhalb der Fotodiode reduziert werden, indem die Fotodiode
innerhalb der kristallinen Halbleiterschicht ausgebildet und zugleich
die Fotodiode des vertikalen Typs verwendet wird, bei der die Fotodiode
auf der Schaltung angeordnet ist.
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Obgleich
sich Ausführungsformen
allgemein auf einen Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensor
beziehen, sind solche Ausführungsformen
nicht auf denselben beschränkt
und können
ohne Weiteres auf einen beliebigen Bildsensor angewendet werden,
der einer Fotodiode bedarf.
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Obwohl
Ausführungen
hier beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip
und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind
verschiedene Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der
Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachleute ersichtlich.