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HINTERGRUND
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Ein
Bildsensor ist ein Halbleiterbauelement zur Umwandlung eines optischen
Bildes in ein elektrisches Signal. Bildsensoren können grob
in Bildsensoren mit ladungsgekoppelten Bauelementen (CCD) und in
Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS)-Bildsensoren
(CIS) klassifiziert werden.
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In
der verwandten Technik wird eine Fotodiode in einem Substrat mit
Transistorschaltungen unter Verwendung der Innenimplantation ausgebildet.
Da sich die Abmessungen einer Fotodiode immer mehr verringern, um
die Anzahl von Bildpunkten zu erhöhen, ohne die Chipfläche zu vergrößern, verringert sich
die Fläche
eines Licht empfangenden Teilbereichs, so dass sich die Bildqualität verschlechtert.
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Da
sich die Stapelhöhe
nicht so viel verringert, wie sich die Fläche des Licht empfangenden Teilbereichs
verringert, verringert sich auch die Anzahl der Photonen, die auf
den Licht empfangenden Teilbereich einfallen, durch Beugung des
Lichtes, Beugungsscheibchen (Airy Disk) genannt.
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Als
Alternative zur Beseitigung dieser Einschränkung wurde der Versuch unternommen,
eine Fotodiode unter Verwendung von amorphem Silizium (Si) auszubilden,
oder einen Auslese-Schaltkreis
auf einem Si-Substrat auszubilden und eine Fotodiode auf dem Auslese-Schaltkreis
unter Verwendung eines Verfahrens, wie z. B. Wafer-Wafer-Ronden,
auszubilden (als "Dreidimensionaler
(3D) Bildsensor" bezeichnet).
Die Fotodiode ist durch eine Verbindung mit dem Auslese-Schaltkreis
verbunden.
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Inzwischen
tritt in der verwandten Technik das Problem des Übersprechens zwischen Bildpunkten
auf.
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Inzwischen
tritt in der verwandten Technik, da sowohl Source, als auch Drain
des Transfer-Transistors an den Seiten des Auslese-Schaltkreises stark
mit N-Typ-Fremdatomen dotiert sind, ein Ladungs-Verteilungs-Phänomen auf.
Wenn das Ladungs-Verteilungs-Phänomen auftritt,
wird die Empfindlichkeit eines ausgegebenen Bildes verringert und
es können
Bildfehler auftreten.
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Ebenfalls
wird in der verwandten Technik, da eine Fotoladung sich nicht leicht
zwischen der Fotodiode und dem Auslese-Schaltkreis bewegt, ein Dunkelstrom
erzeugt, oder die Sättigung
und die Empfindlichkeit verringern sich.
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KURZE ZUSAMMENFASSUNG
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Ausführungen
der vorliegenden Erfindung liefern einen Bildsensor, der das Problem
des Übersprechens
zwischen Bildpunkten verhindern kann, während er einen Füllfaktor
erhöht,
sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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Ausführungen
liefern auch einen Bildsensor, der das Auftreten der Ladungs-Verteilung
verhindern kann, während
er den Füllfaktor
erhöht,
sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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Ausführungen
liefern auch einen Bildsensor, der eine Dunkelstrom-Quelle minimieren
und die Verringerung der Sättigung
und der Empfindlichkeit verhindern kann, indem er einen Pfad für die schnelle Bewegung
einer Fotoladung zwischen einer Fotodiode und einem Auslese-Schaltkreis
bereitstellt, sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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In
einer Ausführung
kann ein Bildsensor folgendes umfassen:
Ein erstes Substrat,
das einen Auslese-Schaltkreis und eine Verbindung enthält;
eine
Bilderfassungs-Einrichtung auf der Verbindung; und
eine Lichtabschirmungs-Schicht
an einer Grenze zwischen Bildpunkten.
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In
einer anderen Ausführung
kann ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors folgendes umfassen:
Ausbilden
eines Auslese-Schaltkreises und einer Verbindung auf einem ersten
Substrat;
Ausbilden einer Bilderfassungs-Einrichtung in einem zweiten
Substrat;
Ausbilden eines Grabens in der Bilderfassungs-Einrichtung;
Ausbilden
einer Ionenimplantations-Schicht eines zweiten Leitungstyps auf
der Oberfläche
des Grabens;
Ausbilden einer Lichtabschirmungs-Schicht auf
der Ionenimplantations-Schicht des zweiten Leitungstyps;
Verbinden
des ersten Substrates und des zweiten Substrates, wobei die Verbindung
sich mit der Bilderfassungs-Einrichtung deckt; und
Selektives
Entfernen eines Teils des zweiten Substrates, so dass die Bilderfassungs-Einrichtung
auf dem ersten Substrat bleibt.
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Die
Details einer oder mehrerer Ausführungen
werden in den begleitenden Zeichnungen und der unten stehenden Beschreibung
dargelegt. Weitere Eigenschaften sind aus der Beschreibung und den Zeichnungen,
sowie aus den Ansprüchen
ersichtlich.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors gemäß einer Ausführung.
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Die 2 bis 9 sind
Querschnitts-Ansichten eines Verfahrens zur Herstellung eines Bildsensors
gemäß einer
Ausführung.
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10 ist
eine Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors gemäß einer anderen Ausführung.
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11 ist
eine Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors gemäß noch einer anderen Ausführung.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
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Im
Folgenden werden Ausführungen
eines Bildsensors und ein Verfahren zu dessen Herstellung mit Bezug
auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
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In
der Beschreibung der Ausführungen
versteht sich, dass wenn eine Ebene (oder Schicht) als "auf" einer anderen Ebene
oder einem Substrat bezeichnet wird, sie sich direkt auf der anderen
Ebene oder dem Substrat befinden kann, oder auch dazwischen liegende
Ebenen vorhanden sein können.
Ferner versteht sich, dass wenn eine Ebene als "unter" einer anderen Ebene bezeichnet wird,
sie sich direkt unter der anderen Ebene befinden kann, oder auch ein
oder mehrere dazwischen liegende Ebenen vorhanden sein können. Außerdem versteht
sich, dass wenn eine Ebene als "zwischen" zwei Ebenen bezeichnet
wird, sie die einzige Ebene zwischen den zwei Ebenen sein kann,
oder auch ein oder mehrere dazwischen liegende Ebenen vorhanden
sein können.
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Es
wird angemerkt, dass die vorliegende Offenlegung nicht auf einen
Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensor
beschränkt ist,
sondern leicht auf jeden Bildsensor angewendet werden kann, der
eine Fotodiode erfordert.
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Mit
Bezug auf 1 kann ein Bildsensor umfassen:
Ein erstes Substrat 100, das einen Auslese-Schaltkreis
(nicht gezeigt) und eine Verbindung 150 enthält; eine
Bilderfassungs-Einrichtung 210 auf der
Verbindung 150; und eine Lichtabschirmungs-Schicht 222 auf
einer Grenze zwischen Bildpunkten.
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Die
Bilderfassungs-Einrichtung 210 kann eine Fotodiode sein,
ist aber nicht darauf beschränkt. Zum
Beispiel kann die Bilderfassungs-Einrichtung 210 ein Photogate
oder eine Kombination einer Fotodiode und eines Photogate sein.
Obwohl in der Ausführung
die Fotodiode 210 als in einer kristallinen Halbleiterschicht
ausgebildet beschrieben wird, ist die Fotodiode nicht darauf beschränkt, sondern
kann in einer amorphen Halbleiterschicht ausgebildet sein.
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Referenznummern
in 1, die nicht erklärt wurden, werden im folgenden
Herstellungsverfahren beschrieben.
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Im
Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß einer
Ausführung
mit Bezug auf die 2 bis 9 beschrieben.
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2 ist
eine kurze Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors, die ein erstes
Substrat 100 zeigt, das die Verbindung 150 enthält. 3 ist
eine detaillierte Querschnitts-Ansicht einer Ausführung des Bildsensors,
die ein erstes Substrat 100 zeigt, das den Auslese-Schaltkreis 120 und
die Verbindung 150 enthält.
Nun wird ein Bildsensor gemäß einer
Ausführung,
wie in 3 gezeigt, beschrieben.
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Das
erste Substrat 100, in dem die Verbindung 150 und
der Auslese-Schaltkreis 120 ausgebildet werden, wird bereitgestellt.
Zum Beispiel kann mit Bezug auf 3 eine Bauelemente-Isolations-Schicht 110 im
ersten Substrat eines zweiten Leitungstyps 100 ausgebildet
werden, so dass ein aktiver Bereich definiert wird. Dann kann der
Auslese-Schaltkreis 120, der einen Transistor enthält, in dem
aktiven Bereich ausgebildet werden. Zum Beispiel kann der Auslese-Schaltkreis 120 einen
Transfer-Transistor Tx 121, einen Reset-Transistor Rx 123, einen
Ansteuerungs-Transistor Dx 125 und einen Auswahl-Transistor Sx 127 enthalten.
Danach können
ein Floating-Diffusions-Bereich
FD 131 und Ionenimplantations-Bereiche 130, die
Source-/Drain-Bereiche 133, 135 und 137 entsprechender
Transistoren enthalten, ausgebildet werden. Gemäß einer Ausführung kann
auch ein Schaltkreis zum Entfernen von Rauschen (nicht gezeigt)
hinzugefügt werden,
um die Empfindlichkeit zu verbessern.
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Das
Ausbilden des Auslese-Schaltkreises 120 auf dem ersten
Substrat 100 kann das Ausbilden eine elektrischen Sperrschicht-Bereichs 140 im
ersten Substrat 100 und das Ausbilden eines Verbindungs-Bereichs
eines ersten Leitungstyps 147, der mit der Verbindung 150 verbunden
ist, auf dem elektrischen Sperrschicht-Bereich 140 umfassen.
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Der
elektrische Sperrschicht-Bereich 140 kann ein PN-Übergang 140 sein,
ist aber nicht darauf beschränkt.
Zum Beispiel kann der elektrische Sperrschicht-Bereich 140 eine
Ionenimplantations-Schicht eines ersten Leitungstyps 143,
die auf einer Wanne eines zweiten Leitungstyps 141 (oder
einer Epitaxie schicht eines zweiten Leitungstyps) ausgebildet ist,
und eine Ionenimplantations-Schicht eines zweiten Leitungstyps 145,
die auf der Ionenimplantations-Schicht des ersten Leitungstyps 143 ausgebildet ist,
umfassen. Zum Beispiel kann der PN-Übergang 140 ein
P0(145)/N–(143)/P–(141)-Übergang
sein, wie in 3 gezeigt, ist aber nicht darauf
beschränkt. In
bestimmten Ausführungen
kann das erste Substrat 100 ein Substrat eines zweiten
Leitungstyps sein.
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Gemäß einer
Ausführung
wird ein Bauelement so konstruiert, dass zwischen Source und Drain an
den Seiten des Transfer-Transistors
Tx eine Potentialdifferenz vorliegt, so dass eine Fotoladung vollständig entladen
werden kann. Folglich wird eine von der Fotodiode erzeugte Fotoladung
vollständig
in den Floating-Diffusions-Bereich entladen, so dass die Empfindlichkeit
eines ausgegebenen Bildes verbessert werden kann.
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Das
heißt,
gemäß einer
Ausführung
wird der elektrische Sperrschicht-Bereich 140 im ersten
Substrat 100 ausgebildet, in dem der Auslese-Schaltkreis 120 ausgebildet
wird, um es zu ermöglichen,
dass eine Potentialdifferenz zwischen Source und Drain des Transfer-Transistors
Tx 121 erzeugt wird, so dass eine Fotoladung vollständig entladen
werden kann.
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Im
Folgenden wird eine Entlade-Struktur einer Fotoladung gemäß der Ausführung detailliert
beschrieben.
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Anders
als bei einem Knoten des Floating-Diffusions-Bereichs FD 131,
der ein N+-Übergang
ist, wird der PNP-Übergang 140,
der ein elektrischer Sperrschicht-Bereich 140 ist und an
den eine angelegte Spannung nicht vollständig übertragen wird, bei einer bestimmten
Spannung abgeschnürt. Diese
Spannung wird als Haftspannung (Pinning-Spannung) bezeichnet und
ist abhängig
von den Dotierungs-Konzentrationen eines P0-Bereichs 145 und
eines N–-Bereichs 143.
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Insbesondere
bewegt sich ein Elektron, das von der Fotodiode 210 erzeugt
wird, zum PNP-Übergang 140 und
wird zum Knoten des Floating-Diffusions-Bereichs 131 übertragen
und in eine Spannung umgewandelt, wenn der Transfer-Transistor Tx 121 eingeschaltet
wird.
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Da
ein maximaler Spannungswert des P0/N–/P–-Übergangs 140 eine
Pinning-Spannung wird, und ein maximaler Spannungswert des Knotens des
Floating-Diffusions-Bereichs FD 131 eine Schwellspannung
Vth eines Vdd-Rx 123 wird, kann ein Elektron, das von der
Fotodiode 210 im oberen Teil eines Chips erzeugt wird,
vollständig
zum Knoten des Floating-Diffusions-Bereichs FD 131 entladen werden,
ohne dass eine Ladungs-Verteilung auftritt, indem eine Potentialdifferenz
zwischen den Seiten des Transfer-Transistors Tx 131 implementiert
wird.
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Das
heißt,
gemäß einer
Ausführung
wird ein P0/N–/P–-Wannen-Übergang, nicht ein N+/P–-Wannen-Übergang,
im ersten Substrat 100 ausgebildet, um es zu ermöglichen
eine + – Spannung
an den N–-Bereich 143 des
P0/N–/P–-Wannen-Übergangs anzulegen,
und während
einer Reset-Operation eines aktiven Bildpunkte-Sensors mit 4 Transistoren (APS)
eine Massespannung an P0 145 und die P-Wanne 141 anzulegen,
so dass am doppelten P0/N–/P-Wannen-Übergang
bei einer vorher festgelegten Spannung oder mehr, wie in einer Transistor-Struktur
mit einer bipolaren Sperrschicht (BJT) eine Abschnürung hervorgerufen
wird. Dies wird als Haftspannung (Pinning-Spannung) bezeichnet.
Daher wird zwischen Source und Drain des Transfer-Transistors Tx 121 eine
Potentialdifferenz erzeugt, um ein Ladungs-Verteilungs-Phänomen während der
Ein-/Aus-Operationen des Transfer-Transistors Tx zu verhindern.
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Daher
können,
anders als im Fall, in dem eine Fotodiode einfach mit einem N+-Übergang
wie in der verwandten Technik verbunden wird, Einschränkungen,
wie Sättigungs-Verringerung
und Empfindlichkeits-Verringerung gemäß der oben beschriebenen Ausführung vermieden
werden.
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Nach
dem Ausbilden des P0/N–/P–-Übergangs 140 kann
ein Verbindungs-Bereich eines ersten Leitungstyps 147 zwischen
der Fotodiode und dem Auslese-Schaltkreis ausgebildet werden, um
einen Pfad für
die schnelle Bewegung einer Fotoladung bereitzustellen, so dass
eine Dunkelstrom-Quelle minimiert und die Verringerung der Sättigung
und die Verringerung der Empfindlichkeit verhindern werden können.
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Zu
diesem Zweck kann auf der Oberfläche des
P0/N–/P–-Übergangs 140 ein
Verbindungs-Bereich des ersten Leitungstyps 147 für den ohmschen Kontakt
ausgebildet werden. Der N+-Bereich 147 kann so ausgebildet
werden, dass er den P0-Bereich 145 durchläuft und
den N–-Bereich 143 kontaktiert.
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Um
zu verhindern, dass der Verbindungs-Bereich des ersten Leitungstyps 147 eine Leckstrom-Quelle
wird, kann unterdessen die Breite des Verbindungs-Bereichs des ersten
Leitungstyps 147 minimiert werden. Zu diesem Zweck kann
in einer Ausführung
eine Zapfen-Implantation durchgeführt werden, nachdem ein Durchkontaktierungs-Loch
für einen
ersten Metallkontakt 151a geätzt wurde. Ausführungen
sind jedoch nicht darauf begrenzt. Zum Beispiel kann ein Ionenimplantations-Muster
(nicht gezeigt) ausgebildet werden, und der Verbindungs-Bereich eines ersten
Leitungstyps 147 kann dann ausgebildet werden, indem das
Ionenimplantations-Muster als Ionenimplantations-Maske verwendet
wird.
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Das
heißt,
ein Grund dafür,
in der oben beschriebenen Ausführung
nur einen Kontakt bildenden Teil lokal und stark mit N-Typ-Fremdatomen zu
dotieren, ist es, die Bildung eines ohmschen Kontaktes zu erleichtern
und dabei ein Dunkelsignal zu minimieren. Im Fall einer starken
Dotierung der gesamten Source des Transfer-Transistors kann das
Dunkelsignal durch eine ungesättigte
Bindung der Si-Oberflächenatome
vergrößert werden.
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Ein
Zwischenschicht-Dielektrikum 160 kann auf dem ersten Substrat 100 ausgebildet
werden, und die Verbindung 150 kann ausgebildet werden. Die
Verbindung 150 kann den ersten Metall-Kontakt 151a,
ein erstes Metall 151, ein zweites Metall 152, ein
drittes Metall 153 und einen vierten Metall-Kontakt 154a enthalten,
ist aber nicht darauf beschränkt.
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Die
Fotodiode 210 kann in einer kristallinen Halbleiterschicht
auf einem zweiten Substrat unter Verwendung eines Ionenimplantations-Verfahrens ausgebildet
werden, wie in 4 gezeigt. Zum Beispiel kann
eine Leitungs-Schicht eines zweiten Leitungstyps 216 im
unteren Teil der kristallinen Halbleiterschicht ausgebildet werden.
Danach kann eine Leitungs-Schicht
eines ersten Leitungstyps 214 auf der Leitungs-Schicht des zweiten
Leitungstyps 216 ausgebildet werden.
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Als
nächstes
kann mit Bezug auf 5 ein Graben T in der Fotodiode 210 ausgebildet
werden. Der Graben T kann an Grenzen zwischen Bildpunkten positioniert
werden, um Übersprechen
zu verhindern.
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Als
nächstes
kann eine Ionenimplantations-Schicht eines zweiten Leitungstyps 221 auf
der Oberfläche
des Grabens T ausgebildet werden. Zum Beispiel kann eine Ionenimplantations-Schicht eines zweiten
Leitungstyps 221 (P+) auf der Oberfläche des Grabens T durch eine
P-Typ-Ionenimplantation hoher Konzentration ausgebildet werden.
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Gemäß einer
Ausführung
kann Übersprechen
von Elektronen oder Löchern
verhindert werden, indem die Ionenimplantations-Schicht des zweiten Leitungstyps 221 zwischen
der Fotodiode 210 und der Lichtabschirmungs-Schicht 222 ausgebildet wird,
während
ferner eine elektrische Isolation durch die Ionenimplantations-Schicht
des zweiten Leitungstyps 221 erzielt werden kann.
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Als
nächstes
kann eine Lichtabschirmungs-Schicht 222 auf der Ionenimplantations-Schicht
des zweiten Leitungstyps 221 ausgebildet werden, indem
eine Metall-Abschirmungsschicht auf der Ionenimplantations-Schicht
des zweiten Leitungstyps 221 im Graben ausgebildet wird.
Zum Beispiel kann die Lichtabschirmungs-Schicht 222 ausgebildet
werden, indem eine lichtundurchlässige
Metall-Abschirmungsschicht auf der P+-Schicht 221 auf dem Graben
T ausgebildet wird. Dann kann die Lichtabschirmungs-Schicht 222 durch
CMP oder eine Rückätzung planarisiert
werden.
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Als
nächstes
werden mit Bezug auf 7 das erste Substrat 100 und
das zweite Substrat 200 so verbunden, dass die Fotodiode 210 sich
mit der Verbindung 150 deckt. An dieser Stelle kann bevor das
erste Substrat 100 und das zweite Substrat 200 miteinander
verbunden werden, die Verbindung ausgeführt werden, indem die Oberflächenenergie
einer zu verbindenden Oberfläche
durch Aktivierung mit Plasma erhöht
wird. In bestimm ten Ausführungen kann
die Verbindung mit einem Dielektrikum oder einer Metallschicht,
die auf einer Verbindungs-Schnittstelle
angeordnet sind, um die Verbindungskraft zu erhöhen, durchgeführt werden.
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Bei
einer Justierung ist es auch nicht erforderlich, dass zwischen der
Lichtabschirmungs-Schicht 222 und der Verbindung 150 Kontakt besteht.
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Als
nächstes
kann ein Teil des zweiten Substrates 200 unter Verwendung
eines Messers oder durch Rückenschliff
entfernt werden, so dass die Fotodiode 210 freigelegt werden
kann, wie in 8 gezeigt.
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Indessen
können
in einer anderen Ausführung
die Lichtabschirmungs-Schicht 222 und die Ionenimplantations-Schicht
des zweiten Leitungstyps 221 nach der Verbindung des ersten
Substrates 100 und des zweiten Substrates 200 ausgebildet
werden.
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Nach
dem Entfernen des Teils des zweiten Substrates 200 kann
eine Ätzung
durchgeführt
werden, mit der die Fotodiode für
jede Bildpunkt Einheit getrennt wird. Dann kann der geätzte Teil
mit einem Zwischenbildpunkt-Dielektrikum (nicht gezeigt) gefüllt werden.
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Mit
Bezug auf 9 können als nächstes Prozesse zum Ausbilden
einer oberen Elektrode 240 und eines Farbfilters (nicht
gezeigt) ausgeführt
werden.
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10 ist
eine Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors gemäß einer anderen Ausführung.
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Die
Ausführung
kann die technischen Charakteristiken der vorherigen Ausführung übernehmen.
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Indessen
kann gemäß dieser
Ausführung eine
Leitungs-Schicht 212 eines ersten Leitungs-Typs hoher Konzentration
auf der Leitungs-Schicht 214 des ersten Leitungs-Typs ausgebildet
werden, bevor der Graben ausgebildet wird. Zum Beispiel kann ferner
eine Leitungs-Schicht einer hohen Konzentration vom Typ N+ 212 auf
der Leitungs-Schicht 214 des ersten Leitungstyps ausgebildet
werden, indem eine flächendeckende
Innenimplantation auf der gesamten Oberfläche des zweiten Substrates 200 ohne
Maske ausgeführt
wird, so dass sie zum ohmschen Kontakt beitragen kann.
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11 ist
eine Querschnitts-Ansicht eines Bildsensors gemäß noch einer anderen Ausführung und
zeigt ein erstes Substrat, das eine Verbindung 150 enthält, im Detail.
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Der
Bildsensor gemäß einer
Ausführung kann
das erste Substrat 100 umfassen, das den Auslese-Schaltkreis 120 und
die Verbindung 150 enthält, wie
in 11 gezeigt. Diese Strukturen können anstelle der mit Bezug
auf 3 beschriebenen benutzt werden.
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Die
vorliegende Ausführung
kann die technischen Charakteristiken der vorherigen Ausführungen übernehmen.
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Anders
als bei der mit Bezug auf 3 beschriebenen
Ausführung
wird indessen ein Verbindungs-Bereich 148 eines ersten
Leitungstyps an einer Seite des elektrischen Sperrschicht-Bereichs 140 ausgebildet.
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Gemäß einer
Ausführung
kann ein N+-Verbindungsbereich 148 für einen ohmschen Kontakt neben
dem P0/N–/P–-Übergang 140 ausgebildet werden.
An dieser Stelle kann ein Prozess zum Ausbilden des N+-Verbindungsbereichs 148 und
eines M1C-Kontaktes 151a für eine Leckstrom-Quelle
sorgen, da das Bauelement mit einer an den P0/N–/P–-Übergang 140 angelegten
Rückwärts-Vorspannung
arbeitet, so dass ein elektrisches Feld EF auf der Si-Oberfläche erzeugt
werden kann. Dies tritt auf, weil ein Kristalldefekt, der während des
Prozesses zum Ausbilden des Kontaktes innerhalb des elektrischen
Feldes erzeugt wird, als Leckstrom-Quelle dient.
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Auch
im Fall, dass der N+-Verbindungsbereich 148 auf der Oberfläche des
P0/N–/P–-Übergangs 140 ausgebildet
wird, wird durch den N+/P0-Übergang 148/145 ein
elektrisches Feld hinzugefügt.
Dieses elektrische Feld dient auch als Leckstrom-Quelle.
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Daher
wird ein Layout bereitgestellt, in dem ein erster Kontakt-Zapfen 151a in
einem aktiven Bereich ausgebildet wird, der nicht mit einer P0-Schicht dotiert
ist, sondern einen N+- Verbindungsbereich 148 enthält. Durch
den N+-Verbindungsbereich 148 wird
der erste Kontakt-Zapfen 151a mit der N-Sperrschicht 143 verbunden.
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Gemäß einer
Ausführung
wird das elektrische Feld auf der Si-Oberfläche nicht erzeugt. Außerdem kann
ein Dunkelstrom eines dreidimensionalen integrierten CIS reduziert
werden.
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In
der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "beispielhafte Ausführung", usw., dass ein
spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, welches
bzw. welche in Verbindung mit der Aus führung beschrieben wird, in
mindestens einer Ausführung der
Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen
an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig
sämtlich
auf die gleiche Ausführung.
Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur
oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs
der Möglichkeiten
eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen
zu bewirken.
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Obwohl
Ausführungen
mit Bezug auf eine Anzahl erläuternder
Ausführungsbeispiele
beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip
und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind
viele Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der
Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachleute ersichtlich.