DE102008019667A1 - LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung - Google Patents
LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008019667A1 DE102008019667A1 DE102008019667A DE102008019667A DE102008019667A1 DE 102008019667 A1 DE102008019667 A1 DE 102008019667A1 DE 102008019667 A DE102008019667 A DE 102008019667A DE 102008019667 A DE102008019667 A DE 102008019667A DE 102008019667 A1 DE102008019667 A1 DE 102008019667A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- platform
- recess
- led module
- led chip
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Ein LED-Modul (1) umfasst eine Plattform (2), welche eine Ausnehmung (3) aufweist, wobei die Ausnehmung (3) einen zentralen Abschnitt mit einem Boden und einem vergrößerten Abschnitt (26) zeigt, der den zentralen Abschnitt umgibt. Ein LED-Chip (5) ist auf dem Boden des zentralen Abschnitts angeordnet. Ein Bonddraht (4) führt vom LED-Chip (5) zum Boden des vergrößerten Abschnitts (26), um eine erste Elektrode des LED-Chips (5) zu kontaktieren.
Bei einer Ausführungsform ist der Bonddraht elektrisch mit der Rückseite der Plattform (2) mittels eines Durchgangskontakts verbunden, der vom Boden des vergrößerten Abschnitts durch die Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2) führt. Bei einer anderen Ausführungsform führt ein erster leitender Pfad von einer ersten Elektrode des LED-Chips über die Seitenwand der Ausnehmung (3) zur Fläche der Plattform (2) und von dort über eine Seitenwand der Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2). Ein zweiter leitender Pfad, der gegenüber dem ersten leitenden Pfad elektrisch isoliert ist, führt von einer zweiten Elektrode des LED-Chips (5) über die Seitenwand der Ausnehmung (3) zur Fläche der Plattform (2) und dort über eine Seitenwand der Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2).
Bei einer Ausführungsform ist der Bonddraht elektrisch mit der Rückseite der Plattform (2) mittels eines Durchgangskontakts verbunden, der vom Boden des vergrößerten Abschnitts durch die Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2) führt. Bei einer anderen Ausführungsform führt ein erster leitender Pfad von einer ersten Elektrode des LED-Chips über die Seitenwand der Ausnehmung (3) zur Fläche der Plattform (2) und von dort über eine Seitenwand der Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2). Ein zweiter leitender Pfad, der gegenüber dem ersten leitenden Pfad elektrisch isoliert ist, führt von einer zweiten Elektrode des LED-Chips (5) über die Seitenwand der Ausnehmung (3) zur Fläche der Plattform (2) und dort über eine Seitenwand der Plattform (2) zur Rückseite der Plattform (2).
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet von Festkörper-Beleuchtung.
- Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf das Gebiet von LED-Modulen, welche eine Plattform haben, auf welcher zumindest ein LED-Chip (LED-Die) befestigt ist. Der LED-Chip kann insbesondere ein monochromatischer LED-Chip sein, beispielsweise ein blaulicht-emittierender LED-Chip. Wie bekannt, wird bei Anordnungen einer Schicht, welche Farbkonversionspartikel aufweist, auf dem Chip durch die Farbkonversionspartikel zumindest ein Teil des Lichts, welches von dem LED-Chip emittiert wird, umgesetzt (üblicherweise abwärts-umgesetzt), so dass eine Mischung des Spektrums, welches ursprünglich durch den LED-Chip emittiert wird, und des Spektrums, welches durch die Umsetzung der Farbkonversionspartikel erzeugt wird, vom LED-Modul emittiert wird. Über dieses Verfahren kann beispielsweise ein weißlicht-emittierendes LED-Modul bereitgestellt werden.
- In der jüngsten Vergangenheit wurde das SMD-Verfahren für die LED-Packungsausbildung entwickelt. Die SMD-Technik hat den Vorteil, die LED-Komponentengröße zu minimieren.
- Um einen sogenannten vertikalen LED-Chip und einen nach oben gerichteten horizontalen LED-Chip ('Face UP', FU) auf einer Packung zu befestigen (welche beispielsweise aus Silizium hergestellt ist), wird üblicherweise eine Metallisierung in einer geätzten Ausnehmung der Plattform erzeugt, um den LED-Chip zu befestigen. Zusätzlich wird zumindest eine Bandverbindung (üblicherweise aus Gold hergestellt) verwendet, um die Oberseitenelektrode des LED-Chips mit dem elektrischen Pfad zu verbinden, welche zur Rückseite der Plattform führt.
- Die elektrische Verbindung zwischen der Vorderseite des Wafers, auf welchem der LED-Chip (bzw. die LED-Chips) befestigt ist, und der Rückseite des Wafers, wo üblicherweise die Spannungsversorgung und elektrische Schaltung angeordnet ist, werden durch Flächenmetallisierung als elektrische Schaltung realisiert.
- Üblicherweise ist die Minimierung der Komponentengröße der LED-Packung ein wichtiges Erfordernis für moderne LED-Anwendungen, beispielsweise bei Mobiltelefonen, tragbaren Anzeigeeinrichtungen, Hintergrundbeleuchtungen für LCDs, usw.. Außerdem erfordert die Optik, beispielsweise bei Verwendung von Linsen, eine Minimierung der Lichtquelle selbst.
- Die vorliegende Erfindung befasst sich daher mit der Aufgabe, ein Verfahren vorzuschlagen, um insbesondere ein LED-Modul, welches einen Chip in einer Ausnehmung einer Plattform hat, zu minimieren.
- Diese Aufgabe wird mittels der Merkmale der unabhängigen Patentansprüche gelöst, wobei die abhängigen Ansprüche weiter die Zentralidee der vorliegenden Erfindung entwickeln.
- Gemäß einem ersten Merkmal der Erfindung wird ein LED-Modul vorgeschlagen, welches zumindest ein Durchgangsloch in der Plattform hat, und welches aufweist:
- – eine
Plattform, welche eine Ausnehmung hat, wobei die Ausnehmung (
3 ) einen zentralen Abschnitt mit einem Boden und einem stufenweisen-vergrößerten Abschnitt hat, der den zentralen Abschnitt (25 ) umgibt, - – zumindest einen LED-Chip, der auf dem Boden des zentralen Abschnitts angeordnet ist,
- – einen Bonddraht, welcher vom LED-Chip zum Boden des vergrößerten Abschnitts führt, um eine erste Elektrode des LED-Chips zu kontaktieren, wobei der Bondddraht elektrisch mit der Rückseite der Plattform mittels einer Durchgangskontaktierung verbunden ist, die vom Boden des vergrößerten Abschnitts durch die Plattform zur Rückseite der Plattform führt.
- Das LED-Modul kann außerdem eine Durchgangskontaktierung im Boden des zentralen Abschnitts aufweisen, welche eine zweite Elektrode des LED-Chips kontaktiert.
- Die Plattform kann beispielsweise aus Silizium hergestellt werden.
- Ein Farbkonversionsmedium kann vorgesehen sein, um den zentralen Abschnitt der Ausnehmung aufzufüllen, wobei die Oberseite des Farbkonversionsmediums im Wesentlichen mit dem Boden des vergrößerten Abschnitts der Ausnehmung fluchten kann.
- Der vergrößerte Abschnitt der Ausnehmung kann mit einem transparenten Medium ausgefüllt sein, welches vorzugsweise keine Farbkonversions- und/oder Streupartikel aufweist.
- Alternativ kann der vergrößerte Abschnitt der Ausnehmung mit einem transparenten Medium aufgefüllt sein, welches Farbkonversions- und/oder Streupartikel aufweist.
- Die Farbkonversionspartikel im vergrößerten Abschnitt der Ausnehmung können so ausgewählt sein, dass sie Licht in ein erstes Spektrum umsetzen, während die Farbkonversionspartikel im zentralen Abschnitt Licht in ein zweites Spektrum umsetzen, welches gegenüber dem ersten Spektrum verschieden ist.
- Der vergrößerte Abschnitt kann mit einer Kalotte ('Globe Top') aufgefüllt werden, der sich über die Oberseite der Plattform erstreckt.
- Alternativ kann der vergrößerte Abschnitt mit einem Medium aufgefüllt sein, welches mit der Oberseite der Plattform abschliesst.
- Der zentrale Abschnitt der Ausnehmung kann die Querschnittsform eines Quadrats oder Rechtecks zeigen.
- Der vergrößerte Abschnitt kann die Querschnittsform eines Kreises zeigen.
- Der Boden des zentralen Abschnitts kann eine Dicke kleiner als 300 μm zeigen, vorzugsweise zwischen 50 und 150 μm.
- Der vergrößerte Abschnitt kann einen Durchmesser zwischen 2 mm bis 4 mm vorzugsweise 2,0 mm bis 3,0 mm haben.
- Die Plattform kann – in einer Aufsicht – die Querschnittsform eines Quadrats oder Rechtecks zeigen.
- Die Wände, welche den vergrößerten Abschnitt begrenzen, können beispielsweise integriert mit dem Bereich der Plattform hergestellt sein, welche die zentrale Ausnehmung begrenzen. In diesem Fall können der vergrößerte Abschnitt und der zentrale Abschnitt der Ausnehmung durch einen zweistufigen Ätzprozess erzeugt werden, beispielsweise einen anisotropischen Ätzprozess in Silizium.
- Alternativ können die Wände, die den vergrößerten Abschnitt begrenzen, separat zu dem Bereich der Plattform befestigt sein, welcher die zentrale Ausnehmung begrenzt.
- Eine Metallisierungsschicht auf dem Boden der zentralen Ausnehmung kann vorgesehen sein, um eine Elektrode des LED-Chips mit der Durchgangskontaktierung zu verbinden.
- Die Durchgangskontaktierung im Boden des zentralen Abschnitts der Ausnehmung kann gegenüber dem Chip versetzt sein, d. h., außerhalb der Konturen des LED-Chips (der Chips) liegen, wenn von vorne aus betrachtet.
- Der Bonddraht kann elektrisch mit der Rückseite der Plattform mittels einer weiteren Durchgangskontaktierung verbunden sein, welche vom Boden des vergrößerten Abschnitts über die Plattform zur Rückseite der Plattform führt.
- Ein weiterer Gesichtspunkt der Erfindung bezieht sich auf eine Siliziumplattform, welche eine Ausnehmung hat, mit einem zentralen Abschnitt und einem vergrößerten Abschnitt, wobei die Siliziumplattform für die Verwendung in einem LED-Modul bestimmt ist.
- Ein weiteres Merkmal der Erfindung bezieht sich auf ein LED-Modul, bei dem eine oder mehrere Elektroden des LED-Chips über seitliche Metallisierungspfade kontaktiert sind, wobei das Modul aufweist:
- – eine Plattform, welche eine Ausnehmung hat,
- – zumindest einen LED-Chip, der auf dem Boden der Ausnehmung angeordnet ist,
- – einen ersten elektronisch leitenden Pfad, der von einer ersten Elektrode des LED-Chips über die Seitenwand der Ausnehmung zu der zur Fläche der Plattform und von dort über eine Seitenwand der Plattform zur Rückseite der Plattform führt, und
- – einen zweiten leitenden Pfad, der vom ersten leitenden Pfad elektrisch isoliert ist, welcher von einer zweiten Elektrode des LED-Chips über die Seitenwand der Ausnehmung zu der zur Plattform und von dort über eine Seitenwand der Plattform zur Rückseite der Plattform führt.
- Weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile werden für den Fachmann deutlich, wenn er die nachfolgende Beschreibung mehrerer unterschiedlicher Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung liest, wenn diese in Verbindung mit den Figuren der angehängten Zeichnungen betrachtet wird.
-
1 zeigt eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der ein LED-Chip, der in einer Ausnehmung einer Plattform angeordnet ist, elektrisch über einen seitlichen elektrisch leitenden Pfad (Metallisierungspfad) bzw. eine Bondverbindung kontaktiert ist; -
2 zeigt eine Ansicht der Vorderseite (FS) und der Rückseite (BS) des LED-Moduls von1 ; -
3 zeigt eine perspektivische Ansicht einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, welche einen vertikalen LED-Chip hat (eine Elektrode, welche an der Oberseite des LED-Chips ist, und wobei die andere Elektrode an deren Bodenseite ist); -
4 zeigt eine Querschnittsseitenansicht der Ausführungsform von3 ; -
5 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der der LED-Chip in der Ausnehmung der Plattform über eine Bondverbindung an der Oberseite bzw. einem Durchgangsloch kontaktiert ist; -
6 zeigt eine noch weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der ein FU-befestigter LED-Chip ('Face Up') in der Ausnehmung der Plattform über zwei Bonddrähte kontaktiert ist; -
7 zeigt eine Ausführungsform, bei welcher die Elektroden eines vertikalen LED-Chips über einen Metallisierungspfad bzw. einen Bonddraht kontaktiert sind; -
8 zeigt eine Querschnittsansicht der Ausführungsform von7 ; und -
9 zeigt eine Modifikation der Ausführungsform von7 und8 . -
1 ,2 : - Ausführungsform mit seitlichem Metallisierungspfad (Pfade)
- (Oberflächenstrompfade):
- Unter Bezug auf
1 und2 wird eine Ausführungsform erläutert, bei welcher zumindest eine oder vorzugsweise sogar zwei Elektroden eines LED-Chips, welche in einer Ausnehmung in einer Plattform (beispielsweise Siliziumplattform) angeordnet sind, mit elektrischen Kontakten an der Rückseite der Plattform über zumindest einen seitlichen Metallisierungspfad, der einen Flächenstrompfad bildet, verbunden sind. -
1 zeigt allgemein ein LED-Modul1 , welches ausgebildet ist, Licht eines definierten Spektrums zu erzeugen. Das LED-Modul1 umfasst eine Plattform, welche beispielsweise aus Silizium hergestellt werden kann (Silizium-Wafer). Die Plattform zeigt eine Ausnehmung3 am Boden4 , bei dem ein LED-Chip5 angeordnet ist, der in der Lage ist, Licht eines bestimmten Spektrums zu emittieren. Die Vertiefung, welche durch die Ausnehmung3 begrenzt ist, kann mit einem transparenten Medium6 aufgefüllt werden, welches Farbkonversionspartikel und/oder Streupartikel umfassen kann. - Bei der in
1 gezeigten Ausführungsform ist die Oberseite7 der Füllung6 in der Ausnehmung3 so ausgebildet, dass sie im Wesentlichen bündig mit der Oberseite8 der Siliziumplattform ist. - Die Seitenwände
9 der Ausnehmung3 sind in der1 vertikal, können jedoch auch geneigt sein, so dass die Ausnehmung3 in Richtung auf den oberen Rahmen, gesehen in der1 , sich öffnet. - Die Seitenwände
9 können reflektierend ausgebildet sein (durch Oberflächenbehandlung und/oder Metallisierung, beispielsweise Al oder Ag), wenn dies gewünscht wird. - Um eine erste Elektrode
10 an der Oberseite11 des LED-Chips und eine zweite Elektrode12 , welche an der Bodenfläche des LED-Chips5 vorgesehen ist, zu kontaktieren, können verschiedene Lösungswege eingeschlagen werden. Bei der in1 gezeigten Ausführungsform wird die Elektrode10 an der Oberseite11 des LED-Chips5 über einen Bonddraht14 kontaktiert, welcher beispielsweise aus Gold hergestellt sein kann, und welcher ausgehend über der Oberseite7 der Füllung6 der Ausnehmung3 zu einem Bondkontakt (Bond pad)15 führt, welche auf der Oberseite8 der Plattform2 angeordnet ist. Der elektrisch leitende Pfad verläuft dann von dem Bondkontakt15 über eine Seitenwand16 der Plattform2 zur Rückseite (hinteren Seite)17 der Plattform2 . - Die Elektrode
12 , welche an der Bodenfläche13 des LED-Chips5 angeordnet ist, ist über einen elektrisch leitenden Metallisierungspfad, welcher von dem Boden4 der Plattform2 über eine Seitenwand19 der Vertiefung (Ausnehmung)3 zur Oberseite8 der Plattform2 und dann über eine Seitenwand19 (unterschiedlich zur Seitenwand16 der ersten oben erwähnten Elektrode) führt, mit einem elektrischen Kontakt20 kontaktiert, welcher an der Rückseite (hinteren Seite) der Siliziumplattform2 angeordnet ist. Die elektrischen Kontakte20 ,21 sind voneinander über einen Isolationsspalt22 getrennt. - Es sei angemerkt, dass auch anstelle der Verwendung einer Bondkontaktierung
14 für die erste Elektrode10 auf der Oberseite11 des LED-Chips5 ein anderer Metallisierungspfad ähnlich gegenüber dem Metallisierungspfad19 , jedoch elektrisch isoliert davon, verwendet werden kann. - Um den Bonddraht
14 mechanisch zu schützen, wird üblicherweise eine zweite transparente Schicht (in1 nicht gezeigt) auf dem Kopf des LED-Moduls aufgebracht, so dass diese den Bonddraht14 einkapselt. - In der Ausführungsform von
1 weist die Siliziumplattform neue Durchgangslöcher auf.2 zeigt eine Ansicht der Vorderseite (FS) und der Hinterseite (Rückseite (BS)) des Moduls1 der Ausführungsform von1 . - Wie man ersehen kann, kann die Ausnehmung
3 eine im Wesentlichen rechteckige oder quadratische Querschnittsform aufweisen. Außerdem können die äußeren Konturen der Siliziumplattform quadratisch oder rechteckig sein. Die Vorderseite zeigt den Bondkontakt15 für den Bonddraht14 (welcher in2 nicht gezeigt ist). Der elektrisch leitende Pfad19 ist außerdem schematisch in2 gezeigt (Vorderseite). - Der Bondkontakt
15 für den Bonddraht14 kann gegenüber dem Metallisierungspfad19 durch eine isolierende Schicht13 isoliert sein, welche beispielsweise durch Siliziumoxid gebildet sein kann. -
3 bis9 : - Ausführungsformen mit einem Durchgangsloch (Durchgangslöcher) in der Plattform
- Mit Hilfe von
3 bis9 werden nun Ausführungsformen erläutert, bei denen die elektrischen Kontakte des LED-Chips, welche in einer Ausnehmung einer (beispielsweise Silizium)-Plattform angeordnet sind, mit elektrischen Kontakten auf der hinteren Seite der Plattform über Durchgangslöcher, welche die Plattform durchqueren, verbunden sind. - Jedes Durchgangsloch kann mit der in Verbindung stehenden Elektrode des LED-Chips über einen Metallisierungspfad oder einen Bonddraht verbunden sein. Die Durchgangslöcher können im zentralen Abschnitt und/oder im vergrößerten Abschnitt der Ausnehmung in der Plattform vorgesehen sein, was einen Freiheitsgrad in Bezug auf konstruktive Optionen ergibt.
- Es sei angemerkt, dass sich die Ausführungsformen nach
3 ,4 ,5 und7 ,8 ,9 auf vertikale Chips beziehen. Ein vertikaler Chip hat je eine Elektrode auf jeder Seite des Chips. Daher verbindet zumindest ein Bonddraht die Oberseitenkathode, während die Anode auf der Chipunterseite über beispielsweise einen Goldpfad in der geätzten Ausnehmung verbunden ist. - Wie nachstehend ausführlicher erläutert wird, beziehen sich die Ausführungsformen der
3 ,4 ,5 auf Ausbildungen, bei denen die Anode, welche das Durchgangsloch kontaktiert, in der Ausnehmung ist, während die Ausführungsformen von7 ,8 ,9 den Fall beschreiben, dass Durchgangslöcher für beide Elektroden des LED-Chips die Plattform außerhalb der Ausnehmung queren und somit in einem dickeren Bereich der Plattform sind (im Vergleich zur reduzierten Dicke des Bodens der Ausnehmung der Plattform). - Unter Bezug auf
3 wird nun eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert. Ein Vertikal-LED-Modul1 , welches eine Siliziumplattform2 aufweist, und ein LED-Chip5 , welcher in einer Ausnehmung3 angeordnet ist, ist vorgesehen. Wie man in3 und4 ersehen kann, umfasst diese Ausnehmung3 einen ersten zentralen Abschnitt25 am Boden4 , auf dem (von dem ?) der LEC-Chip5 angeordnet ist. - Zusätzlich ist ein zweiter vergrößerter Abschnitt
26 über dem zentralen Abschnitt25 angeordnet. - Der erste zentrale Abschnitt
25 und der zweite vergrößerte Abschnitt26 der Ausnehmung3 können beispielsweise über einen zweistufigen (anisotropischen) Ätzprozess hergestellt werden. - Die erste Elektrode
10 an der Oberseite des LED-Chips5 wird über einen Bonddraht14 über den zentralen Abschnitt25 geführt und auf ein Bond pad15 geführt, welches auf einer Bodenfläche27 des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 angeordnet ist. Um das Bond pad15 des Bonddrahts14 mit der hinteren Seite der Plattform2 zu verbinden, wird bei dieser Ausführungsform zumindest über einen Durchgangskontakt28 , welcher metallisiert sein kann, dieser über die Plattform (beispielsweise Siliziumplattform)2 zum hinteren Seitenkontakt20 geführt. - Dieser Durchgangskontakt sowie alle anderen Durchgangskontakte, welche im Rahmen der Erfindung erwähnt wurden, können beispielsweise durch ein hohes Bildseitenverhältnis-DRIE (Tief-Reaktions-Ionenätzen) hergestellt werden.
- Die Elektrode
12 des LED-Chips5 , welche an der Bodenfläche13 des LED-Chips5 angeordnet ist, ist wiederum über eine Metallisierungsschicht18 kontaktiert. Bei der Ausführungsform nach3 und4 ist jedoch diese Metallisierungsschicht18 auch in Kontakt mit einem zweiten Durchgangsloch29 , welches im Boden4 der Siliziumplattform2 angeordnet ist. Dieses zweite Durchgangsloch29 ist in dem Sinne versetzt, dass dies außerhalb der Konturen des LED-Chips15 angeordnet ist (bei Betrachtung von oben). Der zweite Durchgangskontakt29 führt wiederum zu rückseitigen Kontakten21 . - Wenn der zweite Durchgangskontakt
29 außerhalb der Konturen des LED-Chips5 liegt und dieser bzgl. der Metallisierungsschicht18 versetzt ist, können Probleme vermieden werden, welche durch das Durchgangsloch29 auftreten könnten, welche die Metallisierungsebene18 für den LED-Chip uneben macht und somit ein Hindernis für ein präzises Löten des LED-Chips an den Boden4 über die Metallisierungsebene18 darstellt. - Bei der Ausführungsform nach
3 und4 ist angedeutet, dass die Wände30 , welche den zweiten vergrößerten Abschnitt der Ausnehmung3 begrenzen, integriert mit dem Teil31 der Plattform2 hergestellt sein können, wobei das Teil31 den ersten zentralen Abschnitt25 der Ausnehmung3 begrenzt und außerdem den Boden4 der Plattform2 umfasst. - Es sei jedoch angemerkt, dass das Teil der Siliziumplattform
2 , welches die Wände30 des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 umfasst, auch als ein separates Teil (beispielsweise Ring) auf dem Teil31 befestigt sein kann. - Wie insbesondere man aus
1 ersehen kann, kann der zentrale Abschnitt25 der Ausnehmung3 eine rechteckige oder quadratische Form aufweisen. - Der zweite vergrößerte Abschnitt
26 kann eine kreisförmige oder elliptische Form aufweisen. - Der erste zentrale Abschnitt
25 der Ausnehmung3 kann mit einem Konversionsmedium aufgefüllt sein, d. h., einer Matrix, beispielsweise ein Kunstharz, in welchem Farbkonversionspartikel verteilt sind. - Vorzugsweise ist das Material, welches zum Auffüllen des zweiten vergrößerten Abschnitts
26 der Ausnehmung3 verwendet wird, transparent, und umfasst keine Farbkonversionspartikel. Bei der Ausführungsform von4 ist die Füllung für den zweiten vergrößerten Abschnitt26 in Wirklichkeit ein sogenannter 'Globe Top' (Kalotte)24 , welcher unter Verwendung der Seitenwände30 des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 als Eingrenzung verteilt ist. - Bei der Ausführungsform von
5 besteht der wesentliche Unterschied darin, dass das Material31 , welches zum Füllen des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 verwendet wird, so ist, dass es mit der Oberseite8 der Siliziumplattform2 bündig ist. - Wie man aus
3 ,4 und5 ersehen kann, ist vorzugsweise die Füllung des ersten zentralen Abschnitts25 der Ausnehmung3 so, dass das Material32 , welches für diese Füllung verwendet wird, bündig ist mit dem Boden27 des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 . - In jedem Fall wird gemäß den Ausführungsformen von
1 –6 die Bondverbindung14 immer durch das erste Material33 laufen, welche vorzugsweise die Farbkonversionspartikel aufweisen, wobei der Bogen24 der Bondverbindung14 , welche zum Bond pad15 führt, durch eine separat vorgesehene zweite transparente Matrix geschützt ist. - Die in
6 gezeigte Ausführungsform ist insbesondere für FU-Chip-Packung geeignet. Bei einem FU-Montage-Chip liegt sowohl die Anode wie auch die Kathode auf der Oberseite des LED-Chips, so dass es zumindest zwei Bondverbindungen, welche die Chip-Oberseite kontaktieren, für die Anode bzw. die Kathode gibt. - Daher ist bei der Ausführungsform von
6 , anstelle das Durchgangsloch26 zu haben, auch die zweite Elektrode des LED-Chips5 elektrisch über eine zweite Bondverbindung35 kontaktiert, welche zu einem zweiten Bond pad36 führt, welches auch an dem Boden27 des zweiten vergrößerten Abschnitts26 der Ausnehmung3 angeordnet ist. Dieses zweite Bond pad36 ist elektrisch mit rückseitigen Kontakten21 des LED-Moduls1 bei der Ausführungsform von6 über einen zweiten Durchgangskontakt37 verbunden. Beide Durchgangskontakte, welche in5 gezeigt sind, sind vergleichbar und haben die gleiche Länge. Das Vorlegen der beiden Durchgangslöcher (Durchgangskontakte) nach außen von dem zentralen Abschnitt der Ausnehmung minimiert die räumlichen Anforderungen und erlaubt die Herstellung kompakter LED-Module. - Unter Bezug auf
7 bis9 wird nun eine weitere Ausführungsform der Erfindung erläutert, bei der zwei Durchgangslöcher den Boden des vergrößerten Abschnitts der Ausnehmung mit der Rückseite der Plattform verbinden, wobei eines der Durchgangslöcher mit einer Elektrode des LED-Chips über eine Bonddrahtverbindung verbunden ist und das andere unter Verwendung eines Metallisierungspfads über den Boden und einer Seitenwand des zentralen Abschnitts der Ausnehmung. Wenn beide Durchgangslöcher (Durchgangskontakte) vom zentralen Abschnitt der Ausnehmung nach außen verlegt werden, minimiert dies die räumlichen Anforderungen und erlaubt die Herstellung kompakterer LED-Module. - Vorzugsweise hat der vergrößerte Abschnitt
26 der Ausnehmung3 bei den Ausführungsformen von3 bis6 (welcher die Querschnittsform eines Kreises hat) einen Durchmesser von zwischen 2 mm bis 4 mm, vorzugsweise 2,0 mm bis 3,0 mm. - Vorzugsweise hat der Boden des zentralen Abschnitts
25 eine Dicke von weniger als 300 μm, vorzugsweise zwischen 50 μm und 150 μm. - Wie in
7 und8 gezeigt ist, gibt es bei dieser Ausführungsform den Unterschied gegenüber der Ausführungsform von6 , dass ein Metallisierungspfad38 , der die Anode des LED-Chips5 verbindet, die Bonddrahtverbindung35 von5 ersetzt. - Gemäß der in
9 gezeigten Modifikation sind die Seitenwände des zentralen Abschnitts geneigt (im Gegensatz zu den vertikalen Wänden der Ausführungsform, welche in7 und8 gezeigt ist) und können beispielsweise durch Füssigphasenätzen erzeugt werden. Der Metallisierungspfad wird über den geneigten Wänden des zentralen Abschnitts der Ausnehmung aufgebracht.
Claims (21)
- LED-Modul (
1 ), welches aufweist: – eine Plattform (2 ), welche eine Ausnehmung (3 ) hat, wobei die Ausnehmung (3 ) einen zentralen Abschnitt (25 ) mit einem Boden (4 ) und einen sich stufenweisen vergrößernden Abschnitt (26 ) hat, der den zentralen Abschnitt (25 ) umgibt, – zumindest einen LED-Chip (5 ), der auf dem Boden (4 ) des zentralen Abschnitts (25 ) angeordnet ist, – einen Bonddraht (4 ), welcher vom LED-Chip (5 ) zum Boden des vergrößerten Abschnitts (26 ) führt, um eine erste Elektrode des LED-Chips (5 ) zu kontaktieren, wobei der Bonddraht (4 ) elektrisch mit der Rückseite der Plattform (2 ) mittels eines Durchgangskontakts verbunden ist, der vom Boden des vergrößerten Abschnitts durch die Plattform (2 ) zur Rückseite der Plattform (2 ) führt. - LED-Modul (
1 ) nach Anspruch 1, welches außerdem einen Durchgangskontakt im Boden (4 ) des zentralen Abschnitts (25 ) aufweist, der eine zweite Elektrode des LED-Chips (5 ) kontaktiert. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Farbkonversionsmedium den zentralen Abschnitt (25 ) der Ausnehmung (3 ) füllt, wobei die Oberseite des Farbkonversionsmediums im Wesentlichen so angeordnet ist, dass sie dem Boden des vergrößerten Abschnitts (26 ) der Ausnehmung (3 ) bündig abschliesst. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) der Ausnehmung (3 ) mit einem transparenten Medium aufgefüllt ist, welches vorzugsweise keine Farbkonversions- und/oder Streupartikel aufweist. - LED-Modul (
1 ) nach Anspruch 4, wobei die Farbkonversionspartikel im vergrößerten Abschnitt (26 ) der Ausnehmung (3 ) so ausgewählt sind, dass sie Licht in ein erstes Spektrum umsetzen, während die Farbkonversionspartikel im zentralen Abschnitt (25 ) Licht in ein zweites Spektrum umsetzen, welches gegenüber dem ersten Spektrum verschieden ist. - LED-Modul (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der zentrale Abschnitt (26 ) der Ausnehmung (3 ) mit einem transparenten Medium ohne Farbkonversionspartikel gefüllt ist, und der vergrößerte Abschnitt (26 ) mit einem Medium gefüllt ist, welches Farbkonversionspartikel aufweist. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) mit einem Globe Top aufgefüllt ist, der sich über der Oberseite (8 ) der Plattform (2 ) erstreckt. - LED-Modul (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) mit einem Medium gefüllt ist, welches mit der Oberseite der Plattform (2 ) bündig ist. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der zentrale Abschnitt (25 ) der Ausnehmung (3 ) eine Querschnittsform eines Quadrats oder eines Rechtecks hat, eine Dicke zeigt von weniger als 300 μm, vorzugsweise zwischen 50 und 150 μm. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) die Querschnittsform eines Kreises hat. - LED-Modul (
1 ) nach Anspruch 10, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) einen Durchmesser von 200 mm bis 400 mm, vorzugsweise 2,0 mm bis 3,0 mm hat. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Wände (30 ), welche den vergrößerten Abschnitt (26 ) begrenzen, integriert mit dem Bereich (31 ) der Plattform (2 ) ausgebildet sind, welche die zentrale Ausnehmung (3 ) begrenzen und den Boden (4 ) umfassen. - LED-Modul (
1 ) nach Anspruch 12, wobei der vergrößerte Abschnitt (26 ) und der zentrale Abschnitt (25 ) der Ausnehmung (3 ) durch einen zweistufigen Ätzprozess hergestellt sind. - LED-Modul (
1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Wände (30 ), welche den vergrößerten Abschnitt (26 ) begrenzen, als separates Teil an dem Bereich (31 ) der Plattform (2 ) angebracht sind, welche die zentrale Ausnehmung (3 ) begrenzen. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Metallisierungsschicht auf dem Boden der zentralen Ausnehmung (3 ) eine Elektrode des LED-Chips (5 ) mit dem Durchgangskontakt verbindet. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Durchgangskontakt im Boden des zentralen Abschnitts (25 ) der Ausnehmung (3 ) in der Aufsicht außerhalb der Konturen des LED-Chips (5 ) (der Chips) liegt. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Bonddraht (14 ) mit der Rückseite der Platteform (2 ) mittels eines weiteren Durchgangskontakts elektrisch verbunden ist, der vom Boden des vergrößerten Abschnitts durch die Plattform (2 ) zur Rückseite der Plattform (2 ) führt. - Siliziumplattform (
2 ), welche eine Ausnehmung (3 ) hat, mit einem zentralen Abschnitt und einen vergrößerten Abschnitt (26 ), wobei die Siliziumplattform (2 ) zur Verwendung in einem LED-Modul (1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgebildet ist. - LED-Modul (
1 ), welches aufweist: – eine Plattform (2 ), welche eine Ausnehmung (3 ) hat, – zumindest einen LED-Chip (5 ), der auf dem Boden der Ausnehmung (3 ) angeordnet ist, – einen ersten leitenden Pfad, der von einer ersten Elektrode des LED-Chips (5 ) über die Seitenwand der Ausnehmung (3 ) zu der zur Fläche der Plattform (2 ) und von dort über eine Seitenwand der Plattform (2 ) zur Rückseite der Plattform (2 ) führt, und – einen zweiten leitenden Pfad, der vom ersten leitenden Pfad elektrisch isoliert ist, welcher von einer zweiten Elektrode des LED-Chips über die Seitenwand der Ausnehmung (3 ) zu der zur Plattform (2 ) und von dort über eine Seitenwand der Plattform (2 ) zur Rückseite der Plattform (2 ) führt. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Plattform (2 ) aus Silizium hergestellt ist. - LED-Modul (
1 ) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Plattform (2 ) – in der Aufsicht – die Querschnittsform eines Quadrats oder Rechtecks hat.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008019667A DE102008019667A1 (de) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung |
PCT/EP2009/002388 WO2009127326A2 (en) | 2008-04-18 | 2009-04-01 | Led module having a platform with a central recession |
CN200980113439.2A CN101971379B (zh) | 2008-04-18 | 2009-04-01 | 具有带中心凹部的托座的led模块 |
US12/935,559 US8716730B2 (en) | 2008-04-18 | 2009-04-01 | LED module having a platform with a central recession |
EP09732939.5A EP2263268B1 (de) | 2008-04-18 | 2009-04-01 | Led-modul mit einer plattform mit zentraler einbuchtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008019667A DE102008019667A1 (de) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008019667A1 true DE102008019667A1 (de) | 2009-10-22 |
Family
ID=40843359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008019667A Withdrawn DE102008019667A1 (de) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8716730B2 (de) |
EP (1) | EP2263268B1 (de) |
CN (1) | CN101971379B (de) |
DE (1) | DE102008019667A1 (de) |
WO (1) | WO2009127326A2 (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD738832S1 (en) * | 2006-04-04 | 2015-09-15 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) package |
US9780268B2 (en) | 2006-04-04 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US9082921B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-07-14 | Cree, Inc. | Multi-die LED package |
US9172012B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-10-27 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitter packages and related methods |
US9666762B2 (en) | 2007-10-31 | 2017-05-30 | Cree, Inc. | Multi-chip light emitter packages and related methods |
US9735198B2 (en) | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
US10134961B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-11-20 | Cree, Inc. | Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods |
US10222032B2 (en) | 2012-03-30 | 2019-03-05 | Cree, Inc. | Light emitter components and methods having improved electrical contacts |
CN105531829B (zh) * | 2013-09-10 | 2018-08-14 | 赫普塔冈微光有限公司 | 紧凑光电模块以及用于这样的模块的制造方法 |
JP6569785B1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-09-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI765569B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-05-21 | 健策精密工業股份有限公司 | 導線架結構及其製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6376902B1 (en) * | 1997-07-29 | 2002-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelectronic structural element |
GB2386378A (en) * | 2002-03-05 | 2003-09-17 | Agilent Technologies Inc | Coated phosphor filler and LED comprising the coated phosphor filler |
EP1441395A2 (de) * | 1996-06-26 | 2004-07-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement |
DE102005037455A1 (de) * | 2005-08-09 | 2007-03-01 | Wei-Jen Hsu | Weißlicht-Leuchtdiode |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3227295B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2001-11-12 | 松下電工株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
DE19638667C2 (de) | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP4336137B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2009-09-30 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
TWI239670B (en) | 2004-12-29 | 2005-09-11 | Ind Tech Res Inst | Package structure of light emitting diode and its manufacture method |
JP2006245020A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 発光ダイオード素子とその製造方法 |
KR101181112B1 (ko) | 2005-10-27 | 2012-09-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드, 발광 다이오드 제조 방법 및 발광 다이오드 모듈 |
KR100703218B1 (ko) * | 2006-03-14 | 2007-04-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP2007288050A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008016565A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光素子収容体及びその製造方法、及び発光装置 |
-
2008
- 2008-04-18 DE DE102008019667A patent/DE102008019667A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-04-01 WO PCT/EP2009/002388 patent/WO2009127326A2/en active Application Filing
- 2009-04-01 EP EP09732939.5A patent/EP2263268B1/de not_active Not-in-force
- 2009-04-01 CN CN200980113439.2A patent/CN101971379B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-01 US US12/935,559 patent/US8716730B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1441395A2 (de) * | 1996-06-26 | 2004-07-28 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Lichtabstrahlendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement |
US6376902B1 (en) * | 1997-07-29 | 2002-04-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Optoelectronic structural element |
GB2386378A (en) * | 2002-03-05 | 2003-09-17 | Agilent Technologies Inc | Coated phosphor filler and LED comprising the coated phosphor filler |
US7326583B2 (en) * | 2004-03-31 | 2008-02-05 | Cree, Inc. | Methods for packaging of a semiconductor light emitting device |
DE102005037455A1 (de) * | 2005-08-09 | 2007-03-01 | Wei-Jen Hsu | Weißlicht-Leuchtdiode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101971379B (zh) | 2014-04-02 |
US20110309396A1 (en) | 2011-12-22 |
EP2263268A2 (de) | 2010-12-22 |
WO2009127326A2 (en) | 2009-10-22 |
US8716730B2 (en) | 2014-05-06 |
EP2263268B1 (de) | 2016-01-06 |
WO2009127326A3 (en) | 2010-04-15 |
CN101971379A (zh) | 2011-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102008019667A1 (de) | LED-Modul mit einer Plattform mit einer Zentralausnehmung | |
EP1004145B1 (de) | Optoelektronisches bauelement | |
DE102004033106B4 (de) | System und Verfahren für eine verbesserte thermische LED-Leitfähigkeit | |
DE202010018639U1 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung | |
DE102004009998A1 (de) | Licht ausstrahlendes Element und Licht ausstrahlende Vorrichtung mit dem Licht ausstrahlenden Element und Verfahren zur Herstellung des Licht ausstrahlenden Elements | |
DE112016000731T5 (de) | Lichtaussendeelement und leuchtdiode | |
DE202009018568U1 (de) | Lichtemittierende Diode und lichtemittierende Vorrichtung | |
WO2009132618A1 (de) | Oberflächenmontierbares leuchtdioden-modul und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren leuchtdioden-moduls | |
DE202019005298U1 (de) | Leuchtdiode, Leuchtdiodenmodul und Anzeigevorrichtung mit dem Leuchtdiodenmodul | |
DE102013205894A1 (de) | Formgehäuse und Leuchtbauelement | |
DE112008004058T5 (de) | Substrat für Baugruppe mit lichtemittierendem Element und Baugruppe mit lichtemittierendem Element | |
WO2021105453A1 (de) | Bauteil für ein display und verfahren zur herstellung eines bauteils | |
EP2888745A1 (de) | Elektrische bauelementanordnung | |
EP2452547B1 (de) | Elektronisches bauteil | |
DE112013000768B4 (de) | Leuchtdiodeneinheit | |
DE102019122628B4 (de) | Lichtemittierendes Vorrichtungspaket und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Vorrichtungspakets | |
DE102010049961A1 (de) | Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip, einem Trägersubstrat und einer Folie und ein Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP3424081A1 (de) | Csp led modul mit verbesserter lichtemission | |
DE212021000420U1 (de) | LED-Halterung, Leuchtdiode, leitfähige Basis und Leuchteinheitsmodul | |
DE112018007215T5 (de) | Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen | |
EP2345076B1 (de) | Oberflächenmontierbare vorrichtung | |
DE102014116080A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE102011000120B4 (de) | Elektronische lichtemittierende Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102014102292A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements | |
DE102016115224A1 (de) | Elektronische Vorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
ON | Later submitted papers | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TRIDONIC JENNERSDORF GMBH, AT Free format text: FORMER OWNER: LEDON LIGHTING JENNERSDORF GMBH, JENNERSDORF, AT Effective date: 20110502 |
|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20141211 |
|
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |