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In
der Halbleiterindustrie werden zum Trockenätzen große
Mengen an Nichtmetallhalogeniden verwendet. Dazu gehören
insbesondere perfluorierte Verbindungen, wie Tetrafluorkohlenstoff
(CF4), Hexafluorethan (C2F6), Fluorkohlenwasserstoffe, wie Trifluormethan
(CHF3), Schwefelhexafluorid (SF6) und
Stickstofftrifluorid (NF3). Aus diesen Nichtmetallhalogeniden
werden in einem Plasma z. B. in einer Kammer oder dergleichen Prozessanlage
ionisierte Teilchen erzeugt, beispielsweise Fluorradikale, mit denen
das Halbleitersubstrat, beispielsweise ein Waver oder eine photovoltaische
Beschichtung geätzt wird.
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Die
Nichtmetallfluoride sind extrem reaktionsträg. Deshalb
wird nur ein kleiner Teil des zugeführten Nichtmetallhalogenids
in der Prozessanlage in ionisierte Teilchen zerlegt, während
der weitaus größte Teil aus der Prozessanlage
unverändert austritt. Aufgrund ihrer Reaktionsträgheit
werden die Nichtmetallfluoride von den Abgasreinigungsanlagen, die
in der Halbleiterindustrie verwendet werden, meist nicht erfasst
und damit an die Atmosphäre abgegeben.
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Perfluorierte
Verbindungen und dergleichen Nichtmetallfluoride zeichnen sich jedoch
durch hohe Klimawirksamkeit, d. h. ihr sogenanntes GWP (Greenhouse
Warming Potential) aus. Dies gilt insbesondere für Schwefelhexafluorid,
welches ein extrem hohes GWP besitzt. Darüber hinaus sind
einige dieser Nichtmetallhalogenide toxisch, beispielsweise Stickstofftrifluorid.
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Aus
DE 10 2006 006 289
A1 ist eine Vorrichtung bekannt, mit der mit einem Mikrowellengenerator
in einem Gasentladungsraum, dem über eine Leitung ein Nichtmetallfluorid
zugeführt wird, ein Plasma erzeugt wird, um ein ionisiertes Ätzgas
zu bilden. Die Gaszuleitung weist nur einen geringen Querschnitt auf,
um ein Durchzünden zu verhindern.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, ein wirksames Verfahren und eine wirksame
Vorrichtung zur Beseitigung von Nichtmetallhalogeniden aus Abgasen
einer Prozessanlage bereitzustellen, in der ein Prozess mit einem
Nichtmetallhalogenid durchgeführt wird.
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Dies
wird erfindungsgemäß mit dem im Anspruch 1 gekennzeichneten
Verfahren erreicht. In den Ansprüchen 2 bis 4 sind vorteilhafte
Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens
wiedergegeben. Der Anspruch 5 betrifft eine vorteilhafte Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens, welche durch die Merkmale der Ansprüche 7 bis
18 in vorteilhafter Weise weiter ausgebildet wird.
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In
der Prozessanlage wird nur ein Teil des Nichtmetallfluorids verbraucht.
Das heißt, aus der Prozessanlage tritt ein Abgas mit einem
hohen Anteil an Nichtmetallhalogeniden aus. Das aus der Prozessanlage
austretende Abgas wird erfindungsgemäß mit einem
Gas versetzt, das die Rekombination der aus dem Nichtmetallhalogenid
gebildeten, ionisierten Teilchen verhindert. Anschließend
wird das Abgas in ein Plasma übergeführt, in dem
das in ihm enthaltende Nichtmetallhalogenid vollständig
ionisiert wird. Die ionisierten Teilchen werden mit dem ihre Rekombination
vorhindernden Gas abgesättigt und können dann
beispielsweise durch Absorption mit einem Absorbens aus dem Abgas
entfernt werden.
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Das
Plasma, in das das Abgas, das mit dem die Rekombination der ionisierten
Teilchen verhindernden Gas versetzt worden ist, übergeführt
wird, wird vorzugsweise mit einem Mikrowellengenerator erzeugt.
Dabei kann es sich um Generatoren handeln, die bei den gebräuchlichen,
zugelassenen Frequenzen von 915 MHz, 2,45 GHz und 5,8 GHz arbeiten
und eine Leistung zwischen z. B. 300 W und 10 kW oder mehr erzeugen.
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Das
in der Prozessanlage beispielsweise zum Ätzen eines Halbleitersubstrats
verwendete Nichtmetallhalogenid, das dann zu einem grossen Teil
unverbraucht im Abgas der Prozessanlage vorhanden ist, kann beispielsweise
ein Fluorkohlenstoff, wie CF4 oder C2F6, ein Fluorkohlenwasserstoff,
wie CHF3 oder SF6 sowie
NF3 oder ein anderes klimawirksames und/oder
toxisches gasförmiges Nichtmetallhalogenid sein.
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Das
Gas, das dem Abgas zugesetzt wird, um die Rekombination der durch
das Plasma gebildeten ionisierten Teilchen zu verhindern, kann Sauerstoff, Wasserstoff,
Chlor, Wasser oder eine andere Verbindung enthalten, die mit den
aus dem Nichtmetallfluorid gebildeten ionisierten Teilchen umsetzbar
ist. Unter ionisierten Teilchen sind auch angeregte Teilchen zu
verstehen, insbesondere auch Radikale. Als mit dem Nichtmetallfluorid
umgesetzbare Verbindungen sind also insbesondere Radikalfänger
geeignet.
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Die
Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens weist eine Abgasleitung auf, mit der das aus der Prozessanlage
abgeführte, das Nichtmetallhalogenid enthaltende Abgas
einem Gasentladungsraum zugeführt wird, in dem mit dem Mikrowellengenerator
ein Plasma erzeugt wird. Ferner ist eine Zufuhrleitung vorgesehen,
mit der das Abgas mit dem Gas versetzt wird, das die Rekombination
von aus dem Nichtmetallhalogenid gebildeten ionisierten Teilchen
verhindert. Diese Zufuhrleitung ist vorzugsweise an die Abgasleitung
so angeschlossen, dass das Abgas mit dem die Rekombination der ionisierten
Teilchen verhinderten Gas vor Eintritt in den Gasentladungsraum
vermischt wird.
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Der
Gasentladungsraum wird vorzugsweise durch einen Kanal gebildet,
durch den das zu reinigende, mit dem die Rekombination ionisierter
Teilchen verhindernden Gas versetzte Abgas hindurch tritt. Das durch
den Kanal hindurch tretende Abgas wird vorzugsweise mit einer Pumpe
abgesaugt, die zugleich den für die Plasmabildung in dem
Gasentladungsraum erforderlichen Unterdruck von beispielsweise 0,1
bis 10 mbar erzeugt.
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Der
Kanal wird vorzugsweise durch ein Rohr aus einem dielektrischem
Material gebildet, insbesondere aus Keramik und zwar vorzugsweise
Aluminiumoxid. Der Innendurchmesser des Rohres kann beispielsweise
10 bis 100 mm betragen.
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Das
Rohr ist in einem Kühlkörper oder dergleichen
gekühltem Gehäuse angeordnet. Die Temperatur des
Plasmas in dem Rohr kann 1000°C und mehr betragen. Auf
der anderen Seite wird das Rohr auch von in der Produktionsanlage
gebildeten Verbindungen durchströmt, die in dem Kühlkörper
gekühlten Rohr kondensieren und sich abscheiden können.
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Vorzugsweise
wird daher zwischen dem Rohr und dem Kühlkörper
ein Spalt vorgesehen, sodass die Temperatur des Rohres auf einen
vorteilhaften Wert, beispielsweise im Bereich von 100 bis 500°C
eingestellt werden kann.
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Dazu
kann der Spalt zwischen dem Rohr und dem Kühlkörper
beispielsweise zwischen fünf hundertstel und einigen Millimetern
betragen. Durch die ganzflächige einstellbare Kühlung
des Rohres wird eine Kondensation bzw. Abscheidung von in der Produktionsanlage
erzeugten Verbindungen an der Rohrinnenwand sowie ein chemischer
Angriff auf das Rohr minimiert.
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Die
durch das Plasma entstehende Wärme wird über den
Spalt zum Kühlkörper und weiter zur Kühlflüssigkeit
im Kühlkörper weitergeleitet, wodurch eine definierte
Kühlung des Rohres ermöglicht wird. Die Wärmeleitung
zwischen Rohr und Kühlkörper erfolgt über
Wärmetransport durch Moleküle, die sich in dem
Spalt befinden, wobei der Abstand der mittleren freien Weglänge
der Moleküle etwa gleich groß oder kleiner als
die Spaltbreite ist, wodurch eine sehr effektive und definierte
Kühlung ermöglicht wird.
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In
dem Kühlmantel ist zur Bildung des Spalts vorzugsweise
ein Lager für das Rohr vorgesehen. Das Lager weist vorzugsweise
Ringe auf, in denen das Rohr angeordnet ist. Dazu werden insbesondere metallische
Ringe eingesetzt.
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Da
diese Ringe nur eine kleine Auflagefläche aufweisen, ist
eine im Wesentlichen ganzflächige Kühlung des
Rohres gewährleistet. Damit werden sogenannte „cold
spots" vermieden, die in der Regel die Ursache für den
Bruch eines Keramikrohres darstellen. Ferner braucht das Rohr, wenn
es ausgetauscht werden soll, lediglich aus den Lagerringen gezogen werden,
worauf ein neues Rohr in die Lagerringe geschoben werden kann.
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Die
Mikrowelle wird von dem Mikrowellengenerator vorzugsweise mit einem
linearem Hertzschen Oszillator in das Rohr eingestrahlt. Der Oszillator
ist vorzugsweise in einem Einkoppelkörper aus einem dielektrischen
Material angeordnet, welcher eine konkave Vertiefung aufweist, die
so ausgebildet ist, dass der Einkoppelkörper vollflächig
an dem Rohr anliegt. Der Einkoppelkörper besteht dabei
ebenfalls vorzugsweise aus Keramik, beispielsweise Aluminiumoxid.
Dabei sind vorteilhafterweise die Dielektrizitätskonstanten
des Rohrs und des Einkoppelkörpers ähnlich oder
gleich, um Reflexionen der Mikrowelle an der Kontaktfläche
der beiden Körper zu minimieren bzw. zu vermeiden.
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Der
lineare Hertzsche Oszillator ist in dem Einkoppelkörper
vorzugsweise derart angeordnet, dass die elektromagnetische Energie über
den Einkoppelkörper senkrecht zur Rohrachse in das Plasma
eingekoppelt wird.
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Die
Dimensionierung und Platzierung des linearen Hertzschen Oszillators
in dem Einkoppelkörper wird vorzugsweise derart gewählt,
dass die Energie der Mikrowelle möglichst gleichmäßig
in den Einkoppelkörper und von dort in das Rohr eingebracht wird.
Dies wird dadurch ermöglicht, dass die Länge des
Hertzschen Oszillators λ/2 oder ein Vielfaches davon beträgt.
Das heißt, bei einer Wellenlänge λ von etwa
4 cm in einem aus Keramik, beispielsweise Aluminiumoxid, bestehenden
Einkoppelkörper beträgt die Länge des
Oszillators vorzugsweise 2 cm oder ein Vielfaches davon.
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Zugleich
wird der Hertzsche Oszillator in dem Einkoppelkörper in
der Mitte bezogen auf die Achse des Einkoppelkörpers positioniert,
um eine möglichst gleichmäßige Abstrahlung
der elektromagnetischen Welle an beiden Enden des Oszillators zu gewährleisten,
sodass die Energie möglichst gleichmäßig
eingekoppelt wird, um eine gleichmäßige Plasmazone
in dem Rohr zu erzeugen.
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Dabei
ist besonders hervorzuheben, dass die sich von den Enden des Oszillators
ausbreitenden Wellen 180° phasenverschoben sind, sodass sich
die Wellen in der Symmetrieebene des Oszillators aufheben und somit
kein sogenannter „hot spot" an dem Rohr entsteht.
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Der
lineare Hertzsche Oszillator wird vorteilhaft seitlich in den beispielsweise
aus einem Block, Zylinder oder dergleichen Massivkörper
gebildeten Einkoppelkörper eingeführt. Die Mikrowelle
kann sich nun im Dielektrikum des Einkoppelkörpers und
weiter über das Rohr schließlich in den Gasentladungsraum im
Rohr ausbreiten, wo sie absorbiert wird, und wird durch zwei zylinderförmige
metallische Hohlleiter begrenzt, die aufeinander senkrecht stehen
und gleichzeitig als Kühlkörper dienen.
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Der
Durchmesser des zylindrischen Hohlleiters, der das Dielektrikum
an der Einkoppelstelle der Mikrowelle und in der Folge die Gasentladungskammer
und das die Kammer umgebende Dielektrikum umschließt, wird
so gewählt, dass er größer als die Grenzwellenlänge
ist, die zur Ausbreitung der elektromagnetischen Welle in mindestens
einem Grundmodus möglich ist. Die Feldkonfiguration der
elektromagnetischen Wellen in zylindrischen Hohlleitern wird am
besten in Zylinderkoordinaten dargestellt. In Zylinderkoordinaten
liefert die Lösung der Wellengleichung die Sessel-Funktionen.
Durch die entsprechende Wahl des Durchmessers des Hohlleiters wird die
Ausbildung einer vorteilhaften Anzahl von Moden der elektromagnetischen
Welle ermöglicht.
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Der
Abstand des Oszillators von dem Gasentladungsraum entspricht mindestens
etwa der Wellenlänge der Mikrowelle in dem dielektrischen
Material des Einkoppelkörpers, d. h. bei einem Einkoppelkörper
aus Keramik ca. 4 cm oder mehr.
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Es
wird nämlich ein Schwingkreis gebildet, in dem der Hertzsche
Oszillator die Induktivität und die Kapazität
darstellt und das Plasma in dem Rohr eine Ohmsche Last, die stark
schwanken kann. Wenn sich Induktivität, Kapazität
und Ohmsche Last in enger Nachbarschaft befinden, kann sich durch
Schwankungen der Ohmschen Last der Schwingkreis verstimmen, was
zur Folge hat, dass die Mikrowelle nicht vollständig in
den Oszillator eingekoppelt wird und zu einem Teil reflektiert wird.
Durch den Abstand zwischen dem Hertzschen Oszillator des Schwingkreises
und der Ohmschen Last (Plasma), der mindestens der Wellenlänge
der Mikrowelle in dem Einkoppelkörper entspricht, ist von
einer Entkopplung der Ohmschen Last mit der Kapazität des
Schwingkreises auszugehen. Damit ist die Eigenfrequenz des Schwingkreises
innerhalb kleiner Grenzen stabil und bleibt innerhalb der Schwankungsbreite
der Magnetronfrequenz.
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Befindet
sich der Hertzsche Oszillator nicht deutlich weiter als eine Wellenlänge
von der Ohmschen Last entfernt gilt die sogenannte „Nahfeldnäherung",
wo Retadierungseffekte der Mikrowelle noch keine Rolle spielen.
In diesem Falle kann der Resonator durch eine Trennung von induktiver
und kapazitiver Last beschrieben werden.
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Dem
Resonator lässt sich eine effektive Kapazität
zuordnen Ceff = (CKeramik × UKeramik +
CPlasma × UPlasma)/(UKeramik + UPlasma)
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Die
effektive Kapazität setzt sich zusammen aus den Volumina,
das die Keramik bzw. der Plasmaraum einnehmen, multipliziert mit
den jeweiligen spezifischen Kapazitäten. Der Beitrag der
Keramik pro Volumeneinheit ist wegen der relativen Dielektrizitätskonstante εr ≈ 10 um den Faktor 10 höher
einzusetzen als im Plasmaraum, wo von einem εr ≈ 1
auszugehen ist. Die Kapazität der Keramik berechnet sich
in erster Näherung aus der Querschnittsfläche der
Einkoppelkeramik mal Abstand des Hertzschen Oszillators zum Plasma-
oder Gasentladungsraum.
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Bei
der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind die Volumina
des Plasmaraums und der Keramik etwa gleich groß. Wegen
des 10 mal größeren εr der Keramik
ist jedoch der Beitrag der Keramik zur effektiven Kapazität
circa 90%.
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Für
die Abschätzung der relativen Verstimmung des Resonators
ist die Änderung der effektiven Kapazität ΔCeff relevant, die durch unterschiedliche Plasmabedingungen
(unterschiedliche Gase, Drücke, eingestrahlte Mikrowellenleistungen)
entstehen können. Die Kapazitätsänderung
wird dabei durch Abschirmungseffekte des Plasmas hervorgerufen.
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Vorteilhafterweise
ist die relative Verstimmung des Resonators kleiner als die Frequenzschwankungsbreite
des Magnetrons, die beispielsweise ωRes =
2,45 ± 0,01 GHz beträgt. Das heißt, dass
im vorliegenden Fall die relative Verstimmung weniger als 0,4% betragen
muss, damit die Mikrowellenleistung ohne Verluste in den Schwingkreis
eingespeist werden kann.
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Die
relative Verstimmung lässt sich beschreiben durch ΔωRes/ωRes = ½ΔCeff
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Geht
man von einer Kapazitätsänderung des Plasmaraums
von 5% durch unterschiedliche Plasmabedingungen aus, was durch Experimente
verifiziert wurde, so ist der Einfluß auf die relative
Verstimmung 0,25%.
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Vorteilhafterweise
wird das Keramikvolumen (Querschnitt × Abstand zum Plasmaraum)
so groß gewählt, dass sich die relative Verstimmung
des Schwingkreises in der Schwankungsbreite der Frequenz des Magnetrons
befindet. Aus dem Keramikvolumen kann dann ein minimaler Abstand
zwischen dem Hertzschen Oszillator und dem Plasmaraum festgelegt
werden.
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Nachstehend
ist die Erfindung anhand der beigefügten Zeichnung beispielhaft
näher erläutert. Darin zeigen jeweils schematisch
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1 eine
Prozessanlage, an der die erfindungsgemäße Abgasreinigungsvorrichtung
angeschlossen ist; und
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2 und 3 einen
Quer- bzw. Längsschnitt durch eine Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Abgasreinigungsvorrichtung.
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Gemäß
1 wird
einer Prozessanlage
1, beispielsweise einer Ätzkammer
zum Ätzen eines Siliziumhalbleitersubstrats gemäß dem
Pfeil
2 ein Nichtmetallhalogenid, z. B. CF
4 als Ätzgas
zugeführt. Dabei kann ein Ätzprozess durchgeführt
werden, bei dem mit einem Plasma aus dem Nichtmetallhalogenid angeregte
und/oder ionisierte Teilchen gebildet werden. Das Plasma der Prozessanlage
1 kann
dabei beispielsweise mit einer Vorrichtung nach
DE 10 2006 006 289 A1 erzeugt
werden.
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In
der Prozessanlage 1 wird nur ein Teil des Nichtmetallhalogenids,
also z. B. CF4 verbraucht. Der größte
Teil des Nichtmetallhalogenids tritt damit aus der Prozessanlage 1 als
Abgas aus, wobei er erfindungsgemäß, wie durch
den Pfeil 3 dargestellt, der erfindungsgemäßen
Abgasreinigungsvorrichtung 4 zugeführt wird, die
mit der Prozessanlage 1 durch die Abgasleitung 5 verbunden
ist.
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An
die Abgasleitung 5 ist eine Zufuhrleitung 6 angeschlossen, über
die dem Abgas gemäß dem Pfeil 7 ein Gas
beigemischt wird, das eine Rekombination von ionisierten Teilchen
verhindern soll, die in der Abgasreinigungsvorrichtung aus dem Nichtmetallhalogenid
gebildet werden. Das die Rekombination der ionisierten Teilchen
verhindernde Gas 7 kann z. B. Sauerstoff, Wasser oder eine
andere Verbindung enthalten, die mit den aus dem Nichtmetallfluorid
gebildeten ionisierten Teilchen umsetzbar ist.
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In
der Abgasreinigungsvorrichtung 4 wird das Nichtmetallhalogenid
in einem Plasma im Gasentladungsraum 25 ionisiert, wobei
die ionisierten Teilchen mit dem ihre Rekombination verhindernden Gas
abgesättigt werden, sodass sie sich nach dem Austritt aus
der Abgasreinigungsvorrichtung 4 beispielsweise mit einem
Absorptionsmittel entfernen lassen. Mit der Pumpe 8 wird
das Abgas aus der Abgasreinigungsvorrichtung 4 abgesaugt und
zugleich der für die Plasmabildung in der Abgasreinigungsvorrichtung 4 erforderliche
Unterdruck erzeugt.
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Die
Abgasreinigungsvorrichtung 4 weist gemäß 2 und 3 einen
Mikrowellengenerator 17 auf, der über einen Koaxialleiter 18 mit
einem als Koppelstift ausgebildeten linearen Hertzschen Oszillator 19 verbunden
ist. Der Mikrowellengenerator 17 besteht aus einer Hochspannungsversorgung
und einem Magnetronkopf, der vorteilhaft mit einem sogenannten Isolator
ausgerüstet ist, um die rücklaufende elektromagnetische
Welle zu einer Wasserlast abzulenken, wo sie dann absorbiert wird.
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Die
Mikrowelle wird über den Koaxialleiter 18 zum
Oszillator 19 übertragen, wobei die Impedanz des
Koaxialleiters 18 vorzugsweise zwischen 50 und 75 Ohm beträgt.
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Über
den Oszillator 19 wird die Mikrowelle in den z. B. aus
Keramik bestehenden Einkoppelkörper 20 eingestrahlt.
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Der
als Koppelstift ausgebildete Hertzsche lineare Oszillator 19 weist
eine Grundschwingung von λ/2 auf. Da der Oszillator 19 von
Keramik, beispielsweise Aluminiumoxid, ummantelt ist, beträgt
seine Länge beispielsweise bei einer Mikrowellenfrequenz von
2,45 GHz ca. 2 cm.
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Die
Mikrowelle breitet sich über das Dielektrikum des Einkoppelkörpers 20 und über
das dielektrische Rohr 21 aus, um in den Gasentladungsraum 25 einzutreten,
wo sie von dem Abgas 3, das zuvor mit dem eine Rekombination
verhindernden Gas 7 versetzt worden ist (1),
absorbiert wird und dadurch ein Plasma bildet. Der Einkoppelkörper 20 und das
Rohr 21, die senkrecht aufeinander stehen, sind von einem
metallischen Kühlkörper 28 ummantelt, der
die Mikrowelleneinstrahlung begrenzt und von allen Seiten durch
einen Wassermantel 29 gekühlt wird.
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Der
Abstand des Oszillators 19 zur oberen Begrenzung des Gasentladungsraumes 25 beträgt etwa
4 cm und entspricht damit der Wellenlänge λ der Mikrowelle
bei 2,45 GHz in Aluminiumoxid. Dadurch wird der Oszillator 19 von
der Ohmschen Last in dem Gasentladungsraum 25 entkoppelt.
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Der
Oszillator 19 ist weiter im Zentrum des Einkoppelkörpers 20 positioniert,
um eine möglichst gleichmäßige Abstrahlung
der elektromagnetischen Welle an beiden Enden des Oszillators zu
gewährleisten und eine möglichst gleichmäßige
Plasmazone in dem Rohr 21 zu erzeugen.
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Hervorzuheben
ist, dass die sich von den Enden des Oszillators 19 ausbreitenden
Wellen 180° phasenverschoben sind, sodass sich die Wellen
in der Symmetrieebene des Oszillators 19 aufheben und somit
kein sogenannter „hot spot" an dem Rohr 21 erzeugt
wird.
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Das
Rohr 21 ist derart gelagert, dass ein Spalt 22 definierter
Größe zwischen dem Kühlkörper 28 und
dem Rohr 21 von z. B. 0,05 bis einige Millimeter eingestellt
werden kann, um an der Innenwand des Rohres 21 eine Temperatur
von z. B. 100 bis 500°C einzustellen, durch die eine Kondensation
und Abscheidung von in dem Abgas 3 (1) enthaltenden
Verbindungen vermieden wird.
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Die
Lagerung des Rohres 21 erfolgt vorteilhaft auf metallischen
Ringen 23, die sowohl am Kühlkörper 28 als
auch auf dem Rohr 21 nur kleine Auflageflächen
aufweisen, um sogenannte „cold spots" auf dem rissempfindlichen
Rohr 21 zu vermeiden.
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Das über
die Leitung 5 der Abgasreinigungsvorrichtung 4 zugeführte
Abgas 3 (1) wird über einen
Gaseinlass 24 dem Gasentladungsraum 25 in dem
Rohr 21 zugeführt und über den Gasauslass 26 abgeführt.
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Zwischen
dem Einkoppelkörper 20 und dem Kühlkörper 28 befindet
sich eine Vakuumdichtung 27, die den Gasentladungsraum 25 von
der Atmosphäre trennt.
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Es
versteht sich, dass das Rohr 21 statt des in 2 gezeigten
kreisförmigen Querschnitts auch einen anderen Querschnitt
aufweisen, also beispielsweise elliptisch, prismatisch oder rechteckig
sein kann.
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Der
Einkoppelkörper 20 weist eine konkave Vertiefung 10 auf,
mit der er vollflächig an dem Rohr 21 anliegt.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - DE 102006006289
A1 [0004, 0041]