DE102007047088A1 - Photovoltaic module with at least one solar cell - Google Patents

Photovoltaic module with at least one solar cell Download PDF

Info

Publication number
DE102007047088A1
DE102007047088A1 DE102007047088A DE102007047088A DE102007047088A1 DE 102007047088 A1 DE102007047088 A1 DE 102007047088A1 DE 102007047088 A DE102007047088 A DE 102007047088A DE 102007047088 A DE102007047088 A DE 102007047088A DE 102007047088 A1 DE102007047088 A1 DE 102007047088A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photovoltaic module
light
layer
module according
solar cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102007047088A
Other languages
German (de)
Inventor
Martin Buskuehl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Buskuehl Martin Dr
Original Assignee
Buskuehl Martin Dr
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Buskuehl Martin Dr filed Critical Buskuehl Martin Dr
Priority to DE102007047088A priority Critical patent/DE102007047088A1/en
Priority to PCT/DE2008/001608 priority patent/WO2009043340A2/en
Priority to EP08836224A priority patent/EP2212917A2/en
Publication of DE102007047088A1 publication Critical patent/DE102007047088A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Abstract

Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht ausgebildet ist, wobei unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht ein Licht verstärkendes Material ausgebildet ist.Photovoltaic module with at least one solar cell, which has an energy-generating layer, at the radiation backside a first contact layer is formed and at the radiation front side, a second contact layer is formed, wherein below a side facing away from the radiation of the first contact layer, a light-amplifying material is formed.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht („Rückseitenkontakt") ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht („Frontkontakt") ausgebildet ist.The The present invention relates to a photovoltaic module having at least a solar cell having an energy-generating layer, at the radiation back side a first contact layer ("backside contact") is formed and at the radiation front side of a second contact layer ("front contact") is trained.

Ein solches Fotovoltaik-Modul ist aus dem Stand der Technik allgemein bekannt. Ein großes Ziel in der Fotovoltaik ist, Licht auf die Solarzellen zu konzentrieren, um die Lichtintensität zu steigern. Wenn die Intensität des auf die Solarzellen auftreffenden Lichts gesteigert wird, können die Solarzellen kleiner ausfallen, leistungsstärker werden und damit einen höheren Wirkungsgrad erzielen. Die ist in vielen Fällen kostengünstiger und effektiver im Vergleich zu einer bislang üblichen Bauweise mit kristallinen Halbleiterzellen oder Dünnschichtzellen aus ganz unterschiedlichen Materialien.One such photovoltaic module is well known in the art known. A big goal in photovoltaics is light to focus on the solar cells to the light intensity to increase. When the intensity of the solar cells Incident light is increased, the solar cells smaller, more powerful and thus a higher Achieve efficiency. This is cheaper in many cases and more effective compared to a hitherto conventional design with crystalline semiconductor cells or thin-film cells made of very different materials.

Auf der anderen Seite ist aber für die Konzentrierung des Lichtes auf die Solarzellen ein erheblicher Aufwand zu betreiben. Die dazu verwendeten Systeme sind häufig kompliziert und bestehen aus Linsen oder Spiegeln, die im Stand der Technik zahlreich beschrieben sind. Mit diesen Systemen ausgerüstete Fotovoltaik-Module können in Abhängigkeit vor Sonnenstand über zwei Achsen nachgeführt werden. Eine solche Nachführung ist für eine gute Konzentration des Lichtes zwingend erforderlich, denn nur mit Hilfe der Nachführung ist es möglich, dafür zu sorgen, dass das auftreffende Licht immer senkrecht auf die Solarzelle gerichtet ist. Der Einsatz solcher nachführbaren Fotovoltaik-Module mit höherem Wirkungsgrad ist aber nur in großen Solarkraftwerken üblich, da die Nachführung der Module auf Hausdächern bereits auf statischen Gründen nur schwer zu realisieren ist.On The other side, however, is for the concentration of light a considerable effort to operate on the solar cells. The to used systems are often complicated and exist of lenses or mirrors, many of which are described in the prior art are. Photovoltaic modules equipped with these systems can depend on in front of the sun two axes are tracked. Such a tracking is imperative for a good concentration of light, because only with the help of tracking it is possible Make sure that the incident light is always vertical the solar cell is directed. The use of such trackable However, photovoltaic modules with higher efficiency is only usual in large solar power plants, as the tracking the modules on rooftops already on static grounds difficult to realize.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, ein Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle dahingehend weiterzubilden, dass eine Verstärkung des auf die Solarzelle einfallenden Lichts und eine Erhöhung des Wirkungsgrades einer Solarzelle auch ohne komplizierte Nachführungssysteme möglich wird.The Object of the present invention is therefore a photovoltaic module with at least one solar cell to the effect that an amplification of the light incident on the solar cell and an increase in the efficiency of a solar cell as well possible without complicated tracking systems becomes.

Die Aufgabe wird dadurch gelöst, dass unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der zweiten Kontaktschicht („Frontkontakt") ein Licht verstärkendes Material ausgebildet ist.The Task is solved by that below one of the radiation opposite side of the second contact layer ("front contact") a light-amplifying material is formed.

Die Licht verstärkende Schicht führt in dem erfindungsgemäßen Fotovoltaik-Modul dazu, dass auch nicht senkrecht einfallende Lichtstrahlen derart verstärkt werden, dass sogar eine größere Intensität erhalten wird, als wenn diese senkrecht auf die Solarzelle einfallen würden. Die Licht verstärkende Schicht führt zu einer erhöhten Strahlungsabsorption in der Energie erzeugenden Schicht und steigert damit den Wirkungsgrad der Solarzelle bzw. des Fotovoltaik-Moduls.The Light amplifying layer leads in the inventive Photovoltaic module in addition to that not perpendicularly incident light rays be strengthened so that even a larger Intensity is obtained as if this is perpendicular to the solar cell would invade. The light amplifying layer leads to increased radiation absorption in the energy-generating layer and thus increases the efficiency the solar cell or the photovoltaic module.

Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die Licht verstärkende Schicht Kleinstpartikel aufweist. Die Kleinstpartikel bewirken, dass das einfallende Licht in der Umgebung der Kleinstpartikel durch verschiedene physikalische Effekte verstärkt wird. Diese Verstärkung führt zu der erhöhten Strahlungsabsorption und der bereits genannten erhöhten Elektronenausbeute in der Energie erzeugenden Schicht.One Another advantage of the present invention is that the light amplifying layer has minute particles. The tiny particles cause the incident light in the Environment of the smallest particles by different physical effects is reinforced. This reinforcement leads to the increased radiation absorption and the already mentioned increased electron yield in the energy-producing Layer.

Dieser Effekt wird in Verbindung mit der Verstärkung von Signalen in der Infrarotspektroskopie beschrieben. Dadurch strahlen die Nanopartikel ihrerseits ein eigenes, elektromagnetisches Feld ab, das sich mit dem einfallenden Feld überlagert. Die Folge davon ist, dass das gesamte Feld verstärkt wird und einen erhöhten Fotostrom erzeugen kann. Der Effekt selbst ist physikalisch noch nicht komplett verstanden, wird aber in der IR-Spektroskopie unter dem Begriff SEIRA (Surface Enhanced Infrared Absorption) im Bereich der Forschung zur Verstärkung der IR-Absorption verwendet. Dadurch kann die Nachweisgrenze in der IR-Spektroskopie um mehrere Vielfache gesenkt werden.This Effect becomes in connection with the amplification of signals described in infrared spectroscopy. As a result, the nanoparticles radiate In turn, a separate, electromagnetic field that deals with superimposed on the incident field. The consequence of this is that the entire field is amplified and increased Can generate photocurrent. The effect itself is still physical not completely understood, but in the IR spectroscopy under the Term SEIRA (Surface Enhanced Infrared Absorption) in the field used in research to enhance IR absorption. Thus, the detection limit in the IR spectroscopy by several Multiples are lowered.

Ein weiterer Vorteil gemäß vorliegender Erfindung ist, dass die Energie erzeugende Schicht einen p-leitenden, Licht absorbierenden Halbleiter umfasst, auf dessen dem Licht zugewandten Seite die Licht verstärkende Schicht aufgebracht ist. Neben einer in der Energie erzeugenden Schicht integrierten Ausbildung der Licht verstärkenden Schicht ist es nunmehr auch möglich, die Licht verstärkende Schicht separat auf der Energie erzeugenden Schicht aufzubringen.One Another advantage of the present invention is that the energy generating layer is a p-type, light absorbing semiconductor, on the light-facing Side of the light-reinforcing layer is applied. Next a training integrated into the energy generating layer the light amplifying layer it is now also possible the light amplifying layer separately on the energy apply generating layer.

Ein weiterer Vorteil des Fotovoltaik-Moduls gemäß vorliegender Erfindung besteht darin, dass die Kleinstpartikel eine Vorrichtung der Geometrie und Anordnung haben. In einer vorbestimmten Geometrie und Anordnung ist hier gemeint, dass je nach Anwendung neben einer zufälligen Streuung der Kleinstpartikel in der Licht verstärkenden Schicht auch eine gezielte Anordnung und Geometrie der Kleinstpartikel an sich durchgeführt werden kann, um eine bestimmte Wirkung zu erzielen. So kann mit einer bestimmten Anordnung und Geometrie ein ganz bestimmter Wirkungsgrad an bestimmten Stellen an einer Solarzelle erzielt werden.One Another advantage of the photovoltaic module according to the present Invention is that the microparticles a device of geometry and arrangement. In a predetermined geometry and arrangement here means that depending on the application in addition to a random scattering of the smallest particles in the light amplifying Layer also a targeted arrangement and geometry of the smallest particles in itself can be performed to a certain effect to achieve. So can with a specific arrangement and geometry a very specific efficiency at certain points on a Solar cell can be achieved.

Für eine bestimmte Anwendung kann es von Vorteil sein, dass die Kleinstpartikel Ellipsoide sind. Mit Ellipsoiden haben sich gute Wirkungsgrade in der Infrarotspektroskopie ergeben.For a particular application may be beneficial to having the smallest particles Ellipsoids are. Ellipsoids have good efficiencies in of infrared spectroscopy.

Weitere Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der weiteren Unteransprüche.Further Advantages of the present invention will become apparent from the features the further subclaims.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird am Folgenden anhand der einzigen Figur näher beschrieben. Das heißt, in der Figur ist schematisch eine nicht maßstabsgetreue Anordnung eines möglichen Aufbaus einer Solarzelle eines erfindungsgemäßen Fotovoltaik-Moduls mit Verstärkungseffekt dargestellt.A Embodiment of the present invention will be described below described in more detail with reference to the single figure. This means, in the figure is schematically a not to scale Arrangement of a possible construction of a solar cell Inventive photovoltaic module with reinforcing effect shown.

Das Fotovoltaik-Modul gemäß vorliegender Erfindung umfasst wenigstens eine Solarzelle 10. Die Solarzelle 10 umfasst eine zentrale und Energie erzeugende Schicht 5 mit einem gleitenden, Licht absorbierenden Halbleiter, der aus kristallinen oder anderen Materialien, zum Beispiel auf der Basis von Silizium oder Germanium (Si oder Ge) oder aus Verbindungen, wie zum Beispiel CIGS oder aus organischen Stoffen, aufgebaut sein kann. In anderen Ausführungsformen sind auch ganz andere Stoffe und Elementkombinationen möglich. Diese Energie erzeugende Schicht ist auf einer Strahlungsrückseite mit einer ersten elektrischen Kontaktschicht 7 („Rückseitenkontakt") versehen, die häufig aus Molybdän besteht, und auf der Strahlungsvorderseite mit einer zweiten Kontaktschicht 1 („Frontkontakt") ist ein Licht verstärkendes Material 3 ausgebildet. Dieses Licht verstärkende Material 3 kann in der Energie erzeugenden Schicht 5 oder auf dieser ausgebildet sein. In der vorliegenden Ausführungsform ist auf der dem Licht zugewandten Seite der Energie erzeugenden Schicht 5 mit p-Leiter, das heißt, an der Strahlungsvorderseite, das Licht verstärkende Material 3 als Schicht ausgebildet. Dieses Licht verstärkende Material 3 beinhaltet Kleinstpartikel 3.1, die insbesondere Nano- oder Mikropartikel sind und aus einem Metall bestehen. Zum Beispiel können die Metalle der Kleinstpartikel 3.1 ausgewählt sein aus der Gruppe bestehend aus Edelmetallen, wie zum Beispiel Gold, Silber oder Platin, oder aus Kupfer, Indium, Zinn, Palladium und Eisen. Die Aufzählung ist nicht abschließend, da auch andere Metalle eingesetzt werden können. Die Kleinstpartikel können beliebige Geometrien aufweisen, sind in der vorliegenden Ausführungsform aber als Ellipsoide dargestellt. Auch die Anordnung der Kleinstpartikel 3.1 kann beliebig erfolgen. Neben einer zufälligen Streuung können gezielte Anordnungen vorgenommen werden, um besondere Wirkungsgrade an bestimmten Bereichen einer Solarzelle zu erzielen. Die Kleinstpartikel 3.1 sind in der Licht verstärkenden Schicht 3 eingebettet. Die Licht verstärkende Schicht 3 ist in der vorliegenden Ausführungsform eine n-leitende Halbleiterschicht, die auf der Energie erzeugenden p-leitenden Schicht 5 aufgebracht ist.The photovoltaic module according to the present invention comprises at least one solar cell 10 , The solar cell 10 includes a central and energy generating layer 5 with a sliding, light-absorbing semiconductor which may be composed of crystalline or other materials, for example based on silicon or germanium (Si or Ge) or of compounds such as CIGS or of organic substances. In other embodiments, completely different substances and combinations of elements are possible. This energy-generating layer is on a radiation backside with a first electrical contact layer 7 ("Backside contact"), which often consists of molybdenum, and on the radiation front side with a second contact layer 1 ("Front contact") is a light-amplifying material 3 educated. This light reinforcing material 3 can in the energy generating layer 5 or be trained on this. In the present embodiment, on the light-facing side of the energy-generating layer 5 with p conductor, that is, at the radiation front, the light amplifying material 3 formed as a layer. This light reinforcing material 3 contains tiny particles 3.1 , which are in particular nano- or microparticles and consist of a metal. For example, the metals of the minute particles 3.1 be selected from the group consisting of precious metals, such as gold, silver or platinum, or of copper, indium, tin, palladium and iron. The list is not exhaustive, as other metals can be used. The microparticles can have any desired geometries, but are shown in the present embodiment as ellipsoids. Also, the arrangement of the smallest particles 3.1 can be done arbitrarily. In addition to a random scattering targeted arrangements can be made to achieve specific efficiencies in certain areas of a solar cell. The smallest particles 3.1 are in the light-enhancing layer 3 embedded. The light amplifying layer 3 in the present embodiment, is an n-type semiconductor layer formed on the energy-generating p-type layer 5 is applied.

In der vorliegenden Ausführungsform sind die Kleinstpartikel 3.1 in einem Abstand zueinander angeordnet. Es kann aber auch Ausführungsformen geben, in denen ein solcher Abstand nicht immer vorliegen muss. Es kann ebenfalls Anwendungen geben, in denen die Kleinstpartikel 3.1 zur Umgebung hin elektrisch isoliert sind.In the present embodiment, the minute particles are 3.1 arranged at a distance from each other. But there may also be embodiments in which such a distance does not always have to be present. There may also be applications in which the smallest particles 3.1 are electrically isolated to the environment.

Die zweite Kontaktschicht 1 an der Strahlungsvorderseite ist einer einfallenden Strahlung zugewandt und ist üblicherweise eine TCO-Schicht (TCO = Transparent Contacted Oxside) gebildet.The second contact layer 1 at the radiation front side faces an incident radiation and is usually a TCO layer (TCO = Transparent Contacted Oxside) formed.

Die Deposition der Licht verstärkenden Schicht 3 mit den Kleinstpartikeln 3.1 im Nanometerbereich oder Mikrometerbereich kann auf unterschiedliche Art und Weise erfolgen. Auch der Ort der Deposition ist abhängig von den jeweiligen Solarzelltypen. Zum Beispiel erfordern kristalline Zellen aus Silizium eine andere Deposition als Dünnschichtzellen aus zum Beispiel CdTe amorphem Silizium oder den unterschiedlichen CIS-Zusammensetzungen. Ebenso können Unterschiede in der Verarbeitungs- und/oder Herstellungspraxis der verschiedenen Hersteller von Fotovoltaikzellen für unterschiedliche Geometrien und Produktionsschritte verantwortlich sein.The deposition of the light-enhancing layer 3 with the smallest particles 3.1 in the nanometer or micrometer range can be done in different ways. The location of the deposition also depends on the respective solar cell types. For example, crystalline cells of silicon require deposition other than thin film cells of, for example, CdTe amorphous silicon or the different CIS compositions. Similarly, differences in the processing and / or manufacturing practices of the various photovoltaic cell manufacturers may account for different geometries and production steps.

Gängige Möglichkeiten der Herstellung sind zum Beispiel physikalische Bedampfungs- und Zerstäubungsverfahren, lithografische Verfahren, die Deposition fertiger Nano- bzw. Mikropartikel zum Beispiel mit Hilfe von Drucktechniken, wie sie zum Beispiel Nanosolar Inc. aus Palo Alto (Kalifornien, USA) anwendet ( DE 10 2005 003 842 A1 ) oder mittels Selbstaggregation oder Tauchprozesse. Auch über chemische Methoden ist die Herstellung von Nano- bzw. Mikropartikel auf der Oberfläche möglich.Common production possibilities are, for example, physical vapor deposition and sputtering processes, lithographic processes, the deposition of finished nanoparticles or microparticles, for example by means of printing techniques, as used, for example, by Nanosolar Inc. of Palo Alto (California, USA) ( DE 10 2005 003 842 A1 ) or by self-aggregation or dipping processes. Also by chemical methods, the production of nano- or microparticles on the surface is possible.

Das eine Vielzahl unterschiedlicher Solarzellen Bauarten gibt, ist die hier beschriebene Anordnung nur als ein Ausführungsbeispiel anzusehen, das im konkreten Fall auch vollständig anders aufgebaut sein kann. Zum Beispiel könnte es möglich sein, dass die Licht verstärkende Schicht 3 mit den Nanopartikeln 3.1 direkt in die p-leitende Schicht 5 eingebaut ist oder aber auch zusätzliche Schichten mit besonderen Eigenschaften erforderlich sind.The variety of different solar cell types, the arrangement described here is only to be regarded as an exemplary embodiment, which may be constructed completely different in the specific case. For example, it could be possible for the light enhancing layer 3 with the nanoparticles 3.1 directly into the p-type layer 5 is installed or additional layers with special properties are required.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 102005003842 A1 [0018] DE 102005003842 A1 [0018]

Claims (10)

Fotovoltaik-Modul mit wenigstens einer Solarzelle, die eine Energie erzeugende Schicht aufweist, an deren Strahlungsrückseite eine erste Kontaktschicht ausgebildet ist und an deren Strahlungsvorderseite eine zweite Kontaktschicht ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb einer der Strahlung abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (1) ein Licht verstärkendes Material (3) ausgebildet ist.Photovoltaic module with at least one solar cell, which has an energy-generating layer, on the radiation rear side of which a first contact layer is formed and on the front side of which a second contact layer is formed, characterized in that below one side facing away from the radiation of the first contact layer ( 1 ) a light reinforcing material ( 3 ) is trained. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Licht verstärkende Material (3) Kleinstpartikel (3.1) aufweist.Photovoltaic module according to claim 1, characterized in that the light-amplifying material ( 3 ) Micro particles ( 3.1 ) having. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Energie erzeugende Schicht (5) einen p-leitenden Licht absorbierenden Halbleiter umfasst, auf dessen dem Licht zugewandten Seite das Licht verstärkende Material (3) als Schicht aufgebracht ist.Photovoltaic module according to claim 1 or 2, characterized in that the energy-generating layer ( 5 ) comprises a p-type light-absorbing semiconductor, on the light-facing side of which the light-amplifying material ( 3 ) is applied as a layer. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (3.1) eine vorbestimmte Geometrie und Anordnung haben.Photovoltaic module according to claim 2 or 3, characterized in that the microparticles ( 3.1 ) have a predetermined geometry and arrangement. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (3.1) ausgewählt sind aus der Gruppe bestehend aus Ellipsoiden, Zylindern, Quadern.Photovoltaic module according to claim 4, characterized in that the microparticles ( 3.1 ) are selected from the group consisting of ellipsoids, cylinders, cuboids. Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Licht verstärkende Schicht (3) eine n-leitende Halbleiterschicht ist, in welche die Kleinstpartikel (3.1) eingebettet sind.Photovoltaic module according to one of Claims 2 to 5, characterized in that the light-intensifying layer ( 3 ) is an n-type semiconductor layer into which the microparticles ( 3.1 ) are embedded. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (3.1) zur umgebenden, Licht verstärkenden Schicht (3) isoliert sind.Photovoltaic module according to claim 6, characterized in that the smallest particles ( 3.1 ) to the surrounding light-intensifying layer ( 3 ) are isolated. Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (3.1) aus Metall sind.Photovoltaic module according to one of claims 2 to 7, characterized in that the microparticles ( 3.1 ) are made of metal. Fotovoltaik-Modul nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Metall ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Gold, Silber, Platin, Kupfer, Indium, Zinn, Palladium, Eisen.Photovoltaic module according to claim 8, characterized in that that the metal is selected from the group of gold, silver, platinum, copper, indium, tin, palladium, iron. Fotovoltaik-Modul nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Kleinstpartikel (3.1) eine Größe im Nano- oder Mikrobereich haben.Photovoltaic module according to one of claims 2 to 9, characterized in that the smallest particles ( 3.1 ) have a size in the nano or micro range.
DE102007047088A 2007-10-01 2007-10-01 Photovoltaic module with at least one solar cell Withdrawn DE102007047088A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007047088A DE102007047088A1 (en) 2007-10-01 2007-10-01 Photovoltaic module with at least one solar cell
PCT/DE2008/001608 WO2009043340A2 (en) 2007-10-01 2008-09-26 Photovoltaic module having at least one solar cell
EP08836224A EP2212917A2 (en) 2007-10-01 2008-09-26 Photovoltaic module having at least one solar cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102007047088A DE102007047088A1 (en) 2007-10-01 2007-10-01 Photovoltaic module with at least one solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102007047088A1 true DE102007047088A1 (en) 2009-04-09

Family

ID=40418027

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102007047088A Withdrawn DE102007047088A1 (en) 2007-10-01 2007-10-01 Photovoltaic module with at least one solar cell

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2212917A2 (en)
DE (1) DE102007047088A1 (en)
WO (1) WO2009043340A2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008514C2 (en) * 2012-03-21 2013-09-25 Inter Chip Beheer B V Solar cell.
CN106663704A (en) * 2014-07-30 2017-05-10 京瓷株式会社 Quantum dot solar cell

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012029559A1 (en) * 2010-09-01 2012-03-08 コニカミノルタホールディングス株式会社 Organic photoelectric conversion element
JP2012074569A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Jx Nippon Oil & Energy Corp Photoelectric conversion element
DE202011103301U1 (en) 2011-06-30 2011-10-20 Martin Buskühl Nanoparticles for a solar technology plant and a solar cell with such nanoparticles
JP6373552B2 (en) * 2011-10-26 2018-08-15 住友化学株式会社 Photoelectric conversion element

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005003842A1 (en) 2004-02-19 2005-10-20 Nanosolar Inc Production of a photovoltaic cell on a solution basis

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482778A (en) * 1983-04-19 1984-11-13 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar energy converter using surface plasma waves
JPS6068663A (en) * 1983-09-26 1985-04-19 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Amorphous silicon solar battery
CN101432889A (en) * 2004-06-18 2009-05-13 超点公司 Nanostructured materials and photovoltaic devices including nanostructured materials
JP2006066550A (en) * 2004-08-25 2006-03-09 Sharp Corp Photoelectric conversion element
JP2007073794A (en) * 2005-09-08 2007-03-22 Univ Of Tokyo Plasmon resonant photoelectric conversion element and manufacturing method therefor
US20070119496A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Massachusetts Institute Of Technology Photovoltaic cell
US8791359B2 (en) * 2006-01-28 2014-07-29 Banpil Photonics, Inc. High efficiency photovoltaic cells
WO2008028130A1 (en) * 2006-09-01 2008-03-06 William Marsh Rice University Compositions for surface enhanced infrared absorption spectra and methods of using same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005003842A1 (en) 2004-02-19 2005-10-20 Nanosolar Inc Production of a photovoltaic cell on a solution basis

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2008514C2 (en) * 2012-03-21 2013-09-25 Inter Chip Beheer B V Solar cell.
CN106663704A (en) * 2014-07-30 2017-05-10 京瓷株式会社 Quantum dot solar cell
CN106663704B (en) * 2014-07-30 2018-07-27 京瓷株式会社 quantum dot solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
EP2212917A2 (en) 2010-08-04
WO2009043340A2 (en) 2009-04-09
WO2009043340A3 (en) 2010-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010017461B4 (en) Solar cell, solar cell manufacturing process and test method
EP1875517B1 (en) Heterocontact solar cell with inverted geometry of its layer structure
EP1891681A1 (en) Concentrator photovoltaic device, pv concentrator module formed therefrom and production process therefor
DE102007047088A1 (en) Photovoltaic module with at least one solar cell
DE202010018465U1 (en) solar cell module
DE102008055028A1 (en) solar cell
EP2758993B1 (en) Thin film solar module having series connection and method for the series connection of thin film solar cells
DE102012205258A1 (en) Photoelectrochemical cell, system and method for light-driven generation of hydrogen and oxygen with a photo-electrochemical cell and method for producing the photo-electrochemical cell
DE102009053776A1 (en) Emitter formation with a laser
EP2850661B1 (en) Hetero-contact solar cell and method for the production thereof
EP2742533A2 (en) Solar module with reduced power loss and process for the production thereof
DE112008003495T5 (en) Method for producing a photovoltaic cell and photovoltaic cell
DE102006059417A1 (en) Photovoltaic device with holographic structure for deflecting incident solar radiation, as well as manufacturing method thereof
DE202008017971U1 (en) Thin-film solar cell with conductor track electrode
DE102009054630B4 (en) Method for producing a photovoltaic device
DE102011010077A1 (en) Photovoltaic solar cell and process for its production
DE102010017246A1 (en) Solar cell module and manufacturing method therefor
DE102013203061A1 (en) Semiconductor component, in particular solar cell and method for producing a metallic contacting structure of a semiconductor device
DE102011054794A1 (en) Mixed sputtering targets and their use in cadmium sulfide layers of cadmium telluride thin film photovoltaic devices
DE102011109817A1 (en) Thin-film solar cell and process for its production
DE102010015848A1 (en) Solar module or solar cell with optically functional weather-resistant surface layer
DE202013003610U1 (en) solar cell module
DE102012002263A1 (en) Thin film solar cell and method of making same
DE102014200352A1 (en) A radiation detector apparatus and method of operating a radiation detector apparatus
DE102009028393A1 (en) solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee