DE102007032058A1 - Sensor mit einer Messstelle, die von einem Passivierungsmittel bedeckt ist - Google Patents

Sensor mit einer Messstelle, die von einem Passivierungsmittel bedeckt ist Download PDF

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Abstract

Drucksensor (1, 11) mit einer Druckmessstelle, die von einem Passivierungsmittel (10) bedeckt ist, welches einen von einem Medium (9, 18, 19) hervorgerufenen Druck auf die Druckmessstelle überträgt und einen direkten Kontakt der Druckmessstelle mit dem Medium (9, 18, 19) verhindert, in dem Passivierungsmittel ein Stoff enthalten ist, der mit aggressiven Bestandteilen des Mediums (9, 18, 19), welche die Druckmessstelle schädigen können, eine Reaktion eingeht, wobei die Reaktion eine Azokupplung, eine Redoxreaktion oder/und eine Komplexierungsreaktion ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Sensor mit einer Messstelle, die von einem Passivierungsmittel bedeckt ist, durch welches ein Parameter des Mediums von der Druckmessstelle erfassbar ist, wobei das Passivierungsmittel einen direkten Kontakt zwischen Messstelle und dem Medium verhindert, wobei in dem Passivierungsmittel ein Stoff enthalten ist, der mit eindiffundierenden, aggressiven Bestandteilen des Mediums, welche die Messstelle schädigen können, reagiert und diese so von der Messstelle fernhält.
  • Um einen Druck oder eine Druckdifferenz zu messen, sind im Stand der Technik Drucksensoren mit siliziumhaltigen Sensorchips bekannt. Diese weisen bei Kontakt mit Medien, wie beispielsweise Luft, Wasser, SOx- oder/und NOx- Verbindungen eine erhöhte Korrosionsneigung auf. Daher schlägt der Stand der Technik vor, die Sensorchips durch eine Kapselung oder durch Bedecken mit einem Passivierungsmittel, vor direktem Kontakt mit aggressiven Medien bzw. den aggressiven Bestandteilen der Medien zu schützen.
  • Bei der Kapselung wird der Sensorchip vollständig von einem Gehäuse umschlossen. Eine Seite des Gehäuses ist als Membran ausgebildet und stellt somit einen drucksensitiven Bereich dar. Zudem ist das Gehäuse mit Passivierungsmittel, z. B. ein Silikonöl, gefüllt, welches den Druck, den das Medium auf die Membran ausübt, auf den Sensorchip überträgt. Nachteilig an einer solchen Lösung ist, dass die Membran eine materialspezifische Steifigkeit aufweist und kleine Druckänderungen nicht überträgt, wodurch der Sensor an Sensibilität verliert.
  • Zudem kann die Steifigkeit der Membran auch eine erhöhte Temperaturabhängigkeit hervorrufen, da der große Ausdehnungsko effizient des Silikonöls bei einer Temperaturänderung zu einer zusätzlichen Druckeinwirkung auf den Chip bzw. die Druckmessstelle führt.
  • Daher wird im Stand der Technik auch vorgeschlagen, die Sensorchips nur mit einem Passivierungsmittel zu bedecken und keine Membran oder dergleichen zu nutzen. Damit das Passivierungsmittel nicht von dem Sensorchip fließt, weist es eine hohe Viskosität auf und wird daher auch als Passivierungsgel bezeichnet. Das Vordringen der aggressiven Bestandteile des Mediums zu dem Sensorchip kann aber auch mit dem Passivierungsmittel nicht ganz verhindert werden, da das aggressive Medium bzw. dessen aggressive Bestandteile in das Passivierungsmittel eindiffundieren, bis zu dem Sensorchip vordringen und diesen so schädigen.
  • Um das zu verhindern, wird in der DE 10 2004 033 475 A1 das Eindiffundieren aggressiver Medien bzw. deren aggressiver Bestandteile in das Passivierungsmittel durch eine zusätzliche Platte im Passivierungsmittel gestoppt oder verzögert, wobei die mit einem Materialbeschichtet ist, welches die aggressiven Bestandteile mit der zusätzlichen Materialschicht chemisch reagieren. Nachteilig hierbei ist, dass die aggressiven Bestandteile des Mediums die Platte umgehen können und weiter in Richtung des Sensorchips vordringen. Zudem können zwischen der Platte und dem Passivierungsmittel kleine Hohlräume entstehen, in denen sich eindiffundierende Gase oder/und Flüssigkeiten sammeln. Solche Hohlräume entstehen auch regelmäßig durch eindiffundierte Gase, die bei einer schnellen Druckänderung nicht aus dem Passivierungsmittel ausdiffundieren können. Diese Gase perlen an der Platte aus und verursachen so neue Hohlräume.
  • Die DE 10 2004 033 475 A1 schildert als Variante, das Passivierungsmittel auch direkt mit basischen Verbindungen anzureichern. Damit können aber nur manche eindiffundierende Sub stanzen abgefangen werden und man ist hinsichtlich der Passivierungsmittel beschränkt.
  • Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zu Grunde, eine Möglichkeit zu schaffen, den Sensorchip vor verschiedensten aggressiven Medien bzw. den aggressiven Bestandteilen eines Mediums zu schützen.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Sensor der eingangs genannten Art gelöst, bei dem der Stoff mit aggressiven Bestandteilen des Mediums, welche die Messstelle schädigen können, eine Azokupplung, eine Redoxreaktion oder/und eine Komplexierungsreaktion eingeht. Vorteilhafterweise werden die aggressiven Bestandteile gebunden oder umgewandelt, so dass sie den Sensor nicht mehr schädigen können.
  • Das aggressive Medium ist insbesondere ein Abgas einer Brennkraftmaschine. Dieses enthält in der Regel Schwefeloxide (SOx, mit x = 1, 2 oder 3, oder ein Gemisch daraus), Stickoxide (NOx, mit x = 1 oder 2, oder ein Gemisch daraus), Salpetersäure, salpetrige Säure, Schwefelsäure, schweflige Säure, Kohlenwasserstoffe, Ruß, Kohlenmonoxid (CO) und/oder Kohlendioxid (CO2).
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist der Stoff im gesamten Passivierungsmittel verteilt. Diese Verteilung kann durch Lösen des Stoffes im Passivierungsmittel oder Ausbilden einer Dispersion erfolgen. Durch die Verteilung des Stoffes im gesamten Passivierungsmittel können eindiffundierende aggressive Medien bzw. deren Bestandteile zuverlässig am Vordringen zum Sensorchip gehindert werden, da ein Umgehen des verteilten Stoffes erschwert ist. Die disperse Phase kann eine Flüssig-Flüssig-Dispersion (Emulsion) oder eine Fest-Flüssig-Dispersion (Suspension) sein. Besonders bevorzugt ist eine im Wesentlichen gleichmäßige Verteilung des Stoffes im Passivierungsmittel.
  • Damit eine solche Schutzwirkung im gesamten Passivierungsmittel vorliegt, ist der Stoff vorteilhafterweise im gesamten Passivierungsmittel verteilt, wobei hier zwischen einem einphasigen oder zweiphasigem Passivierungsmittel unterschieden werden kann. Bei einem einphasigen Passivierungsmittel erfolgt die gleichmäßige Verteilung des Stoffes beispielsweise durch Lösen des Stoffes im Passivierungsmittel, wohingegen das zweiphasige Passivierungsmittel eine disperse Phase des Stoffes und/oder der Stoffe in flüssiger oder fester Form enthält. Besonders bevorzugt ist ein einphasiges Passivierungsmittel, weil dadurch mögliche Keimstellen für ein Ausperlen von Gasblasen bei einer Dekompression (also bei einem schnellen Druckabfall des Mediums) vermieden werden.
  • Das Passivierungsmittel gibt den Druck direkt an den Sensorchip bzw. die Messstelle weiter. Zudem wird so ein Sammeln und Vermischen der eindiffundierenden aggressiven Medien bzw. deren aggressiver Bestandteile, wie beispielsweise Gase und/oder Flüssigkeiten, im Passivierungsmittel vermieden. Bevorzugt weist das Passivierungsmittel bis zu 30 Volumenprozent des Stoffes auf.
  • Der Stoff geht mit den aggressiven Bestandteilen eine Azokupplung, eine Redoxreaktion und/oder eine Komplexierungsreaktion ein. Die Komplexierungsreaktion dient vornehmlich zur Bindung aggressiver Bestandteile des Mediums, indem die aggressiven Bestandteile in Form eines Komplexes gebunden werden, wohingegen die Azokupplung und die Redoxreaktion die Umwandlung der aggressiven Bestandteile in weniger aggressive Substanzen bewirken. Beides schützt die Druckmessstelle.
  • Eine Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass der Stoff eine Übergangsmetallverbindung enthält, mit der in der Regel besonders stabile Komplexe gebildet werden können.
  • In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung bindet oder wandelt der Stoff SOx, mit x = 1, 2 oder 3, und/oder NOx, mit x = 1 oder 2 um. Zur Bindung bzw. Umwandlung von Stickoxiden und/oder Schwefeloxiden kommen insbesondere Stoffe in Betracht, die mit NOx Komplexierungsreaktionen, Azokupplungen und/oder Redoxreaktionen sowie mit SOx Komplexierungsreaktionen und/oder Redoxreaktionen eingehen. So können beispielsweise für die Komplexierungsreaktion Übergangsmetalle, für die Azokupplung Amine und die Redoxreaktion Zeolithe genutzt werden.
  • In einer Ausgestaltung enthält der Stoff ein aromatisches Amin oder eine Mischung von aromatischen Aminen.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung umfasst das aromatische Amin Anilin, ein Anilinderivat, Naphtylamin und/oder ein Naphtylaminderivat. Aniline und Naphthylamine sowie deren Derivate weisen eine ausreichende Reaktivität in der Azokupplung auf und stellen ferner eine preisgünstige Stoffgruppe dar.
  • In einer weiteren Ausgestaltung umfasst das Anilinderivat eine Sulfanilsäure. Im Hinblick auf die Azokupplung, zeichnet sich die Sulfanilsäure durch ihre hohe Reaktivität aus, wodurch eine besonders schnelle Umwandlung aggressiver Bestandteile, insbesondere von Stickoxiden, erreicht werden kann.
  • In einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung umfasst der Stoff ein Zeolith, insbesondere ein silberhaltiges Zeolith. Zeolithe weisen auf Grund ihrer großen Oberfläche eine große Reaktionsfläche und somit ein großes Reaktionsvermögen auf. Die Silber-Ionen (Ag+) des silberhaltigen Zeolith reagieren beispielsweise mit leicht reduzierendem SO2.
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnungen im Prinzip beispielhalber noch näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 schematisch einen Absolut-Drucksensor mit einem Passivierungsmittel und
  • 2 schematisch einen Differenz-Drucksensor mit einem Passivierungsmittel.
  • In 1 ist ein Absolutdruck-Sensor 1 dargestellt, der einen Sensorchip 2 mit einer Druckmessstelle aufweist. Die Druckmessstelle umfasst eine ausbauchbare Membran 3 mit piezoresistiven Elementen (nicht dargestellt), welche der Ausbauchung der Membran 3 entsprechend ihren elektrischen Widerstand ändern. Diese Änderung wird mittels einer Wheatstonbrücke entweder von einer externen Elektronik (nicht dargestellt) oder von einer direkt auf dem Sensorchip 2 integrierten Elektronik (nicht dargestellt) erfasst. Der Sensorchip 2 ist auf einem Substrat 4 aus Glas oder Silizium aufgebracht, welches in einem Gehäuse, das durch eine Gehäuseunterseite 5 sowie eine Gehäusewand 6 gebildet wird, auf der Gehäuseunterseite 5, z. B. mit einer Klebeverbindung 7, fixiert ist, wodurch eine zuverlässige als auch eine im Wesentlichen spannungsfreie Befestigung realisiert ist.
  • Auf einer ersten, der Gehäuseunterseite 5 zugewanden Seite des Sensorchips 2, umschließt der Sensorchip 2 mit dem Substrat 4 eine Referenzdruckkammer 8, die die Druckmessstelle übergreift und ein Referenzmedium mit einem definierten Druck, dem Referenzdruck, einschließt. Der Referenzdruck kann entweder Atmosphärendruck oder bezogen auf diesen ein Überdruck oder ein Unterdruck (bis zum Vakuum) sein. Der Referenzdruck beaufschlagt die Membran 3 von einer Seite. Die andere, zweite Seite der Druckmessstelle wird vom Medium 9 mit dem zu messenden Druck beaufschlagt. Zum Schutz des Sensorchips 2, der Druckmessstelle, und deren Anschlüsse (z. B. Kontaktstellen oder Bonddrähte) ist der Chip von einem Passivierungsmittel 10 bedeckt. In der Bauweise der 1 ist der Sensorchip 2 derart mit dem Passivierungsmittel 10 bedeckt, dass das Gehäuse vollständig gefüllt ist. Der Druck des Mediums 9 wirkt somit auf das Passivierungsmittel 10, welches ihn an die Druckmessstelle bzw. die Membran 3 weiterleitet. Die Differenz zwischen Referenzdruck und dem Druck des Mediums 9 bewirkt eine Ausbauchung der Membran 3 und die piezoresistiven Elemente ändern entsprechend ihren elektrischen Widerstand, der von der Elektronik festgestellt wird. Der Druck im Medium 9 wird somit bezogen auf den Referenzdruck angezeigt.
  • Damit das Passivierungsmittel 10 zuverlässig auf den empfindlichen Bereichen verbleibt, weist es eine sehr geringe Fließneigung auf. Es wird daher auch als Passivierungsgel bezeichnet.
  • Um ein tiefes Eindringen des aggressiven Mediums 9 oder aggressiver Bestandteile des Mediums 9 in das Passivierungsmittel 10 zu verhindern oder zumindest zu erschweren, enthält das Passivierungsmittel 10 einen Stoff, der die aggressiven Bestandteile bindet und/oder in nicht aggressive Substanzen umwandelt. Mit dem Passivierungsmittel 10 bedeckte Bereiche werden so vor den aggressiven Bestandteilen des Mediums 9 geschützt. Eine gute Schutzwirkung wird erreicht, wenn der Stoff bis zu 30 Volumenprozent des Stoffes aufweist.
  • Wird der Drucksensor 1 in einem Abgas eingesetzt, sind aggressive Stoffe oder aggressive Bestandteile des Mediums 9 beispielsweise Salpetersäure, salpetrige Säure, Schwefelsäure, schweflige Säure, Stickoxide (NOx, mit x = 1 oder 2), Schwefeloxide (SOx, mit x = 1, 2 oder 3), Kohlenwasserstoffe, Ruß, Kohlenmonoxid (CO), Kohlendioxid (CO2) und Mischungen.
  • Mit Hilfe einer Azokupplung wird in einer Ausführungsform insbesondere NO und NO2 gebunden, wozu vorzugsweise als Stoff ein aromatisches Amin oder eine Mischung von aromatischen Aminen eingesetzt wird. Das NO oder NO2 bildet mit dem aromatischen Amin in Gegenwart von Säure ein Diazoniumion, das anschließend mit Aromaten, insbesondere einem aktivierten Aromaten, zu einer Azoverbindung reagiert. Bevorzugte aromatische Amine sind Anilin, Anilinderivate, Naphtylamin und Naphtylaminderivate. Besonders bevorzugt wird Sulfanilsäure in Kombination mit einem aktivierten Aromaten, beispielsweise einem Phenol oder Anilin eingesetzt.
  • Eine weitere Ausführungsform wandelt die aggressiven Bestandteile des Mediums 9 mittels einer Redoxreaktion zwischen dem im Passivierungsmittel 10 enthaltenen Stoff und einem aggressiven Bestandteil des Mediums 9 um. So kann beispielsweise SO2 zu SO3 oxidiert werden.
  • NO, mit x = 1 oder 2, kann mit Hilfe von Zeolithen, insbesondere silberhaltigen Zeolithen absorbiert werden. Die hier stattfindende Reaktion ist beginnend bei einer Chemisorption bis zur Redoxreaktion einstellbar. So können eindiffundierende aggressive Bestandteile des Mediums 9 neutralisiert oder/und in nicht aggressive neutrale Verbindungen umgewandelt werden.
  • Zur Bindung aggressiver Bestandteile des Mediums 9 wird in einer anderen Ausführungsform eine Komplexierungsreaktion verwendet. Ein Komplex ist eine Struktur, bei der ein Zentralteilchen, das in seiner Elektronenkonfiguration Lücken aufweist, von einem oder mehreren Molekülen oder Ionen umgeben ist. Die Liganden des Komplexes stellen jeweils mindestens ein freies Elektronenpaar für eine Bindung mit dem Zentralteilchen zur Verfügung. Als Zentralteilchen kommen insbesondere Übergangsmetalle in Betracht, insbesondere Eisen, Chrom, Mangan, Vanadium und Molybdän, die als Ionen vorliegen. Beispielsweise können SO, SO2, NO und NO2 durch Komplexbindung an ein Zentralteilchen gebunden werden. Die Bindung von NO oder NO2 erfolgt vorzugsweise durch Eisenkomplexe, insbesondere Blutlaugensalze oder Prussiate. Diese bilden besonders stabile Komplexe aus, beispielsweise mit NO und NO2, aus.
  • Zur Bindung oder Umwandlung von Stoffen wie Stickoxiden (NOx, entweder als Gemisch oder Reinsubstanz mit x = 1 oder 2) und Schwefeloxide (SOx, entweder als Gemisch oder Reinsubstanz mit x = 1, 2 oder 3) kommen insbesondere Stoffe in Betracht, die mit NOx Komplexierungsreaktionen, Azokupplungen und/oder Redoxreaktionen sowie mit SOx Redoxreaktionen oder Komplexierungsreaktionen eingehen.
  • Es ist auch möglich, dass ein Reaktionsprodukt nochmals ein aggressives Medium 9 bzw. dessen aggressiven Bestandteil bindet oder neutralisiert und so in nicht aggressive neutrale Verbindungen umwandeln und das weitere Eindringen in das Passivierungsmittel 10 verhindert oder zumindest erschwert.
  • Die Azokupplung, Redoxreaktion und/oder Komplexierungsreaktion können zum Unschädlichmachen der aggressiven Bestandteile des Mediums 9 einzeln, oder in Kombination, nebeneinander oder nacheinander eingesetzt werden. Beispielsweise kann SO2 in einer Komplexierungsreaktion unmittelbar an einem Metallkomplex gebunden werden oder es kann zunächst in einer Redoxreaktion zu SO3 umgesetzt werden, das anschließend durch Komplexierung gebunden wird. NO wiederum kann neben einer Azokupplung oder einer direkten Komplexierung auch in einer zweistufigen Reaktion gebunden werden, indem zuerst eine Redoxreaktion zu NO2 stattfindet und das NO2 anschließend durch eine Komplexierungsreaktion gebunden wird.
  • 2 zeigt einen Relativ-Drucksensor 11, der wiederum einen Sensorchip 12 mit einer Druckmessstelle mit einer ausbauchbaren Membran 13 aufweist. Das Gehäuse umfasst eine Gehäusewand 14 sowie einen Gehäusemittelsteg 15, der die Gehäusewände verbindet und somit zwei in entgegengesetzte Richtung geöffnete U-Profile hervorbringt. Beide U-Profile werden durch einen Durchbruch 16 des Gehäusemittelsteges 15 verbunden. Der Sensorchip 12 ist mittels Klebeverbindung 18 auf dem Gehäusemittelsteg 15 fixiert, wobei sich die Druckmessstelle über dem Durchbruch 16 befindet. Die ausbauchbare Membran 13 weist, wie auch bei der Bauweise gemäß 1, piezoresistive Elemente auf, die, abhängig von der Ausbauchung der Membran 13, ihren Widerstand ändern und so eine Erfassung der Ausbauchung durch die Elektronik ermöglichen.
  • Im Unterschied zum Drucksensor 1 ist die Druckmessstelle des Drucksensors 11 von beiden Seiten zugänglich, d. h. sie wird nicht einseitig von einer Referenzdruckkammer umschlossen. An jede Seite der Druckmessstelle wird eines der Medien 18, 19 herangeführt.
  • Damit der Sensorchip 12 und dessen Druckmessstelle 13 vor den aggressiven Medien 18, 19 oder den aggressiven Bestandteilen der Medien 18, 19 geschützt werden, ist der Sensorchip 12 nun auf beiden Seiten mit dem Passivierungsmittel 10 bedeckt. Die Medien beaufschlagen somit das Passivierungsmittel 10 mit einem Druck, der von dem Passivierungsmittel 10 an die Druckmessstelle weitergeleitet wird. Der direkte Kontakt der Druckmessstelle mit den Medien 18, 19 wird somit vermieden.
  • Die hier aufgeführten Erläuterungen beziehen sich beispielhaft auf einen Drucksensor. Selbstredend ist es auch möglich, mit dem Passivierungsmittel 10 andere Messstellen vor einem aggressiven Medium und/oder aggressiven Bestandteilen eines Mediums zu schützen, z. B. eine Temperaturmessstelle.
  • Für das Passivierungsmittel 10 werden im Allgemeinen fluorierte und nicht-fluorierte Silikongele sowie Perfluorpolyether, insbesondere Silikon-Verknüpfungen verwendet.
  • 1
    Absolut-Drucksensor
    2
    Sensorchip
    3
    Membran
    4
    Substrat
    5
    Gehäuseunterseite
    6
    Gehäusewand
    7
    Klebeverbindung
    8
    Reverenzdruckkammer
    9
    Medium
    10
    Passivierungsmittel
    11
    Differenz-Drucksensor 2
    12
    Sensorchip 2
    13
    Membran 2
    14
    Gehäusewand 2
    15
    Gehäusemittelsteg
    16
    Durchbruch
    17
    Klebeverbindung 2
    18, 19
    Medium
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 102004033475 A1 [0006, 0007]

Claims (10)

  1. Sensor (1, 11) mit einer Messstelle, die von einem Passivierungsmittel (10) bedeckt ist, durch welches ein im Medium (9, 18, 19) zu messenden Parameter von der Messstelle erfassbar ist und das einen direkten Kontakt des Mediums (9, 18, 19) mit der Messstelle verhindert, wobei in dem Passivierungsmittel (10) ein Stoff enthalten ist, der mit aggressiven Bestandteilen des Mediums (9, 18, 19), welche die Messstelle schädigen können, eine Reaktion eingeht, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff als Reaktion eine Azokupplung, eine Redoxreaktion oder/und eine Komplexierungsreaktion bewirkt.
  2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff im gesamten Passivierungsmittel (10) verteilt ist.
  3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff in dem Passivierungsmittel (10) gelöst ist oder in disperser Phase vorliegt.
  4. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff so ausgebildet ist, dass er SOx, oder/und NO bindet oder umwandelt.
  5. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff eine Übergangsmetallverbindung umfasst.
  6. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff ein aromatisches Amin oder eine Mischung von aromatischen Aminen umfasst.
  7. Sensor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das aromatische Amin Anilin, ein Anilinderivat, Naphtylamin und/oder ein Naphtylaminderivat umfasst.
  8. Sensor nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Anilinderivat Sulfanilsäure umfasst.
  9. Sensor nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Stoff ein Zeolith, insbesondere ein silberhaltiges Zeolith umfasst.
  10. Sensor nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Messstelle eine Druckmessstelle ist.
DE200710032058 2007-07-10 2007-07-10 Sensor mit einer Messstelle, die von einem Passivierungsmittel bedeckt ist Withdrawn DE102007032058A1 (de)

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