DE102007026511A1

DE102007026511A1 - Flash-Speichereinrichtung und Löschverfahren hierfür

Info

Publication number: DE102007026511A1
Application number: DE102007026511A
Authority: DE
Inventors: Hee Youl Ichon Lee
Original assignee: Hynix Semiconductor Inc
Current assignee: SK Hynix Inc
Priority date: 2007-03-27
Filing date: 2007-06-08
Publication date: 2008-10-02
Also published as: US20080239828A1; TW200839772A; JP2008243347A; KR100843037B1; US7808829B2; CN101276646A; CN101276646B; TWI354292B

Abstract

In einer Flash-Speichereinrichtung kann eine Löschbetriebszeit verkürzt werden und eine Löschbetriebscharakteristik kann verbessert werden. Die Flash-Speichereinrichtung beinhaltet eine Vielzahl von Speicherzellenblöcken, einen Betriebssteuergenerator und ein Steuerglied. Jeder aus der Vielzahl der Speicherzellenblöcke beinhaltet Speicherzellen, welche mit einer Vielzahl von Wortleitungen verbunden sind. Ein Spannungsgenerator ist so aufgebaut, dass er eine Löschspannung an einem Speicherzellenblock anlegt, welcher für eine Löschoperation ausgewählt ist und ändert einen Pegel der Löschspannung, wenn ein Versuch der Löschoperation nicht erfolgreich ist. Ein Steuerglied ist so aufgebaut, um den Spannungsgenerator zu steuern, um eine erste Löschspannung an einem Speicherzellenblock anzulegen, welcher für eine Löschoperation ausgewählt ist. Die erste Löschspannung entspricht einer vorherigen Löschspannung, welche erfolgreich für das Vollenden einer vorherigen Löschoperation benutzt wurde. Die erste Löschspannung ist eine Löschspannung, welche in einem ersten Löschversuch für die Löschoperation benutzt wird.

Description

QUERVERWEISE AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität für das koreanische Patent mit der Anmeldenummer 10/2007-029616 , ausgestellt am 27. März 2007, welche hier in ihrer Gesamtheit als Referenz aufgenommen ist.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Flash-Speichereinrichtungen und spezieller ausgedrückt, auf ein Löschverfahren, in welchem eine Löschbetriebszeit verkürzt werden kann und die Löschbetriebscharakteristik verbessert werden kann.
Halbspeichereinrichtungen beinhalten nicht flüchtige Speichereinrichtungen, deren Daten nicht verloren gehen, sogar wenn die Versorgungsspannung abgeschaltet wird. Die nicht flüchtigen Speichereinrichtungen beinhalten die Flash-Speichereinrichtung. Die Flash-Speichereinrichtung beinhaltet eine NOR-Flash-Speichereinrichtung und eine NAND-Flash-Speichereinrichtung. Davon beinhaltet die NAND-Flash-Speichereinrichtung ein Speicherzellenfeld mit einer Vielzahl von Speicherzellenblöcken. Ein Löschbetrieb der NAND-Flash-Speichereinrichtung wird auf der Grundlage eines Speicherzellenblocks durchgeführt. Im Allgemeinen ist der Löschbetrieb der NAND-Flash-Speichereinrichtung durch Anwenden einer Spannung von 0 V für Wortleitungen, welche an die Speicherzellen angeschlossen sind, welche in einem ausgewählten Block beinhaltet sind und durch Anwenden einer hohen Spannung (z. B. 20 V) an dem Wannenbereich implementiert.
In der oben aufgebauten NAND-Flash-Speichereinrichtung muss eine zyklische Lösch-/Schreib-(E/W-)Charakteristik garantiert werden, um das Auftreten jeglicher Probleme (z. B. eines elektrischen charakteristischen Problems) zu verhindern, auch wenn wiederholt Schreib-(Programmier-) und Löschoperationen ausgeführt werden. Wenn E/W-Zyklen vielmals wiederholt werden, werden Elektronen in der Tunnel-Oxid-Schicht gefangen, so dass Schwellwertspannungen zur Zeit einer Programmieroperation und einer Löschoperation beeinflusst werden.
1 ist ein Graph, welcher die Variation in den Schwellwertspannungen in der Abhängigkeit der Anzahl wiederholter Programmieroperationen und Löschoperation darstellt.
Mit Bezug auf 1, da die Anzahl der Programmieroperationen und Löschoperationen sich erhöht, wird eine Schwellwertspannung einer Speicherzelle höher als eine Zielspannung. Mit anderen Worten, zur Zeit der Programmieroperation, wird die Speicherzelle schneller als normal programmiert, so dass die Programmieroperation mit der Schwellwertspannung ausgeführt wird, welche höher als die Zielspannung ist (nachfolgend wird dies als ein "schnelles Programmierphänomen" bezeichnet). Ferner, zur Zeit der Löschoperation wird die Speicherzelle langsamer als normal entladen, so dass die Löschoperation mit der Schwellwertspannung ausgeführt wird, welche höher als die Zielspannung ist (nachfolgend wird dies als ein "langsames Löschphänomen" bezeichnet).
Demnach, um die höheren Schwellwertspannungen zu überwinden, wird die Löschoperation in einer derartigen Weise ausgeführt, dass eine Löschspannung, welche an einem Wannenbereich angelegt ist, so erhöht wird, wie die erhöhte Schwellwertspannung zur Zeit der Löschoperation. Jedoch, da die Größe einer Zelle schrumpft, nimmt die Fläche der Tunnel-Oxydschicht ab, wodurch die E/W-Zykluscharakteristik weiter geschwächt wird.
2 ist ein Graph, welcher die Veränderung bei einem schnellen Programmierphänomen und bei einem langsamen Löschphänomen in Abhängigkeit von den Löschspannungen darstellt.
Aus 2 kann ersehen werden, dass eine Löschspannung, welche an dem Wannenbereich angelegt ist, zur Zeit der Löschoperation erhöht wird, so dass das schnelle Programmierphänomen und das langsame Löschphänomen groß werden, so dass die Schwellwertspannung nach der Programmieroperation sogar höher als eine Zielspannung ist. Außerdem wird zur Zeit der Löschoperation das langsame Löschphänomen auch groß, so dass die Schwellwertspannung nach der Löschoperation sogar höher als die Zielspannung ist. Wie oben beschrieben, ist das schnelle Programmierphänomen oder das langsame Löschphänomen empfindlich gegenüber dem Pegel der Löschspannung. Es macht es schwierig, eine hohe Löschspannung zu benutzen.
Dementsprechend, um die Phänomene zu verhindern kann zur Zeit einer ersten Löschoperation die Löschoperation durch allmähliches Erhöhen der Spannungsdifferenz zwischen dem Steuergate und dem Wannenbereich erhöht werden, nachdem mit einer niedrigen Spannungsdifferenz gestartet wurde. Diese Löschoperation beinhaltet ein Inkrementales-Stufen-Puls-Lösch-(ISPE-)Verfahren, welches die an der Wannenregion angelegte Löschspannung von einer niedrigen Spannung auf eine hohe Spannung erhöht und ein abnehmendes Stufen-Puls-Lösch-(PSPE-)Verfahren, welches die an dem Steuergate angelegte Spannung von einer hohen Spannung auf eine niedrige Spannung reduziert. Die Verfahren können die E/W-Zykluscharakteristik verbessern, indem inkremental die Spannungsdifferenz erhöht wird, nachdem mit einer niedrigeren Spannungsdifferenz zwischen dem Steuergate und dem Wannenbereich gestartet wurde. Jedoch besitzen diese Löschverfahren die folgenden Probleme.
Als erstes, da die Löschoperation mehrere Male wiederholt wird, während die Spannungsdifferenz zwischen dem Steuergerät und dem Wannenbereich erhöht wird, erhöht sich die gesamte Löschbetriebszeit.
Als nächstes, falls die Spannungsdifferenz zwischen dem Steuergate und dem Wannenbereich erhöht wird, um so die Löschoperationszeit zu reduzieren, wird sich die E/W-Zyklus-Charakteristik verschlechtern.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Entsprechend bezieht sich die vorliegende Erfindung auf eine Flash-Speichereinrichtung und ein Löschverfahren hierfür, in welchem eine Löschcharakteristik (E/W-Zykluscharakteristik) verbessert werden kann.
In einem Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird eine Flash-Speichereinrichtung geliefert, welche eine Vielzahl von Speicherzellenblöcken, einen Betriebsspannungsgenerator und ein Steuerglied beinhaltet. Jeder aus der Vielzahl der Speicherzellenblöcke beinhaltet Speicherzellen, welche an eine Vielzahl von Wortleitungen angeschlossen sind. Der Betriebsspannungsgenerator legt eine Löschoperationsspannung an einen ausgewählten Speicherzellenblock zur Zeit einer Löschoperation an und verändert den Pegel der entsprechend den Ergebnissen der Löschoperation. Das Steuerglied steuert den Betriebsspannungsgenerator, so dass eine Löschoperationsspannung, welche den gleichen Pegel wie den einer letzten Löschoperationsspannung besitzt, welche angelegt ist, wenn die Löschoperation normal beendet ist, als eine erste Löschoperationsspannung in einer neuen Löschoperation angelegt wird.
In einem anderen Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung wird ein Löschverfahren einer Flash-Speichereinrichtung geliefert, wobei die Schritte beinhaltet sind: Ausführen einer Löschoperation, während ein Pegel einer Löschoperationsspannung verändert wird, bis alle Speicherzellen, welche in einem Speicherzellenblock beinhaltet sind gelöscht sind, Speichern eines Datenwertes entsprechend einem Pegel einer Löschbetriebsspannung, welcher angelegt ist, wenn die Lösch operation des Speicherzellenblocks normal vollendet ist und Ausführen einer neuen Löschoperation eines Speicherzellenblocks, indem eine Löschoperationsspannung, welche einen Pegel entsprechend dem Datenwert besitzt, als eine erste Löschoperationsspannung eingestellt wird, wenn die neue Löschoperation beginnt.
In einem noch anderen Gesichtspunkt liefert die Erfindung ein Löschverfahren einer Flash-Speichereinrichtung, welches die Schritte beinhaltet: Einstellen eines Pegels einer Löschbetriebsspannung, welcher anzulegen ist, wenn eine Löschoperation beginnt, während der Pegel der Löschoperations-spannung verändert wird, bis alle Speicherzellen eines Speicherzellenblocks normal gelöscht sind, Einstellen eines Pegels einer neuen Löschbetriebsspannung, welcher anzulegen ist, wenn eine Löschoperation des Speicherzellenblocks beginnt, als den Pegel der Löschbetriebsspannung, welcher zuletzt in der Löschoperation angelegt ist; und Ausführen der neuen Löschoperation, während der Pegel der Löschbetriebsspannung, welche zuletzt in der Löschoperation angelegt ist, geändert wird; und Ausführen der neuen Löschoperation, während der Pegel der Lösch-Betriebsspannung geändert wird, bis alle Speicherzellen des Speicherzellenblocks normal gelöscht sind.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Graph, welcher die Veränderung in den Schwellwertspannungen in Abhängigkeit von der Anzahl einer Programmieroperation und einer Löschoperation, welche wiederholt durchgeführt werden, zeigt;
2 ist ein Graph, welcher die Veränderung bei einem schnellen Programmier-Phänomen und einem langsamen Lösch-Phänomen in Abhängigkeit von den Löschspannungen zeigt.
3 ist ein Schaltbild einer Flash-Speichereinrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
4 ist ein Flussschaltbild, welches ein Löschverfahren der Flash-Speichereinrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
BESCHREIBUNG DER SPEZIELLEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
Spezielle Ausführungsformen entsprechend der vorliegenden Erfindung werden mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Mit Bezug auf 3 beinhaltet die Flash-Speichereinrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung: ein Speicherzellenfeld 310, einen Seitenpuffer 320, einen Hochspannungsgenerator 330, ein X-Dekodierglied 340, eine Schalteinheit 350, einen Wannenvorspannungsgenerator 360 und ein Steuerglied 370.
Das Speicherzellenfeld 310 beinhaltet eine Vielzahl von Speicherzellenblöcken. Jeder der Speicherzellenblöcke beinhaltet eine Vielzahl von Zellketten (nur eine aus der Vielzahl der Zellketten wird der Bequemlichkeit wegen dargestellt). Die Zellkette besitzt eine Struktur, in welcher ein Drain-Auswahltransistor DST, eine Vielzahl von Speicherzellen C0 bis Cn und ein Quellenauswahltransistor SST in Reihe miteinander verbunden sind. Der Drain-Auswahltransistor DST, welcher in der Zellkette beinhaltet ist, ist an eine entsprechende Bit-Leitung BLn angeschlossen, und der Quellen-Auwahltransistor SST ist an eine gewöhnliche Quellenleitung CSL angeschlossen.
Mittlerweile sind die Gates der Drain-Auswahltransistoren DST, welche in den jeweiligen Zellketten beinhaltet sind, an eine Drain-Auswahlleitung DSL angeschlossen und die Gates der Quellenauswahltransistoren SST, welche in den jeweiligen Zellketten beinhaltet sind, sind an eine Quellen-Auswahlleitung SSL angeschlossen. Außerdem sind die Gates der Speicherzellen C0 bis Cn an Wortleitungen WL0 bis WLn jeweils angeschlossen, von welchen jede eine Seiteneinheit wird.
Die Bitleitungen BLn sind an den Seitenpuffer 320 angeschlossen, um Daten zu lesen, die in den Speicherzellen gespeichert sind oder um Eingangsdaten an die Bitleitungen BLn zu übertragen.
Das X-Dekodierglied 340 gibt ein Blockauswahlsignal BSELk aus, um einen aus der Vielzahl der Speicherzellenblöcke in Antwort auf ein Adresssignal ADD auszuwählen.
Der Hochspannungsgenerator 330 gibt Betriebsspannungen (nachfolgend hier als "Löschbetriebsspannungen"), welche für eine Löschoperation notwendig sind, an eine globale Drain-Auswahlleitung GDSL, eine Vielzahl von globalen Wortleitungen und eine globale Quellenauswahlleitung GSSL aus. Die Löschoperationsspannungen können variierende Pegel besitzen. Der Hochspannungsgenerator 330 kann auch Betriebsspannungen, welche für eine Programmieroperation oder eine Lese-operation notwendig sind, ebenso wie die Löschoperation, an die globale Drain-Auswahlleitung GDSL, die Vielzahl der globalen Wortleitungen GWL und die globale Quellenauswahlleitung GSSL, bei unterschiedlichen Pegeln ausgeben.
Der Wannen-Vorspannungsgenerator 360 legt die Spannung an einen Wannenbereich des Speicherzellenblocks zur Zeit der Löschoperation der Programmieroperation und der Leseoperation an. Speziell legt der Wannenvorspannungsgenerator 360 eine Wannenvorspannung Vwell einer hohen Spannung an den Wannenbereich zur Zeit der Löschoperation an. Der Hochspannungsgenerator 330 und der Wannenvorspannungsgenerator 360 können zusammen als ein "Betriebsspannungsgenerator" bezeichnet werden.
Die Schalteinheit 350 überträgt die Löschoperationsspannungen, welche von dem Hochspannungsgenerator 330 erzeugt sind, an die Drain-Auswahlleitung DSL, die Vielzahl der Wortleitungen WL0 bis WLn und an die Quellenauswahlleitung SSL eines ausgewählten Speicherzellenblocks in Antwort auf das Blockauswahlsignal BSELk des X-Dekodierglieds 340. Mit anderen Worten, die Schalteinheit 350 schließt die Drain-Auswahlleitung DSL, die Vielzahl der Wortleitungen WL0 bis WLn und die Quellenauswahlleitung SSL eines ausgewählten Blockes an die globale Drain-Auswahlleitung GDSL, die Vielzahl der globalen Wortleitungen GWL0 bis GWLn und an die globale Quellenauswahlleitung GSSL jeweils an, in Antwort auf das Blockauswahlsignal BSELk des X-Dekodiergliedes 340.
Die Schalteinheit 350 beinhaltet: ein Schaltelement S0, welches zwischen der globalen Quellenauswahlleitung GSSL und der Quellenauswahlleitung SSL angeschlossen ist, Schalteinheiten S1 bis Sn+1, welche zwischen den globalen Wortleitungen GWL0 bis GWLn und den Wortleitungen WL0 bis WLn jeweils angeschlossen sind, und ein Schaltelement Sn+2, welches zwischen der globalen Drain-Auswahlleitung GDSL und der Drain-Auswahlleitung DSL angeschlossen ist. Die Schaltelemente werden in Antwort auf das Blockauswahlsignal BSELk des X-Dekodierglieds 340 eingeschaltet.
Das Steuerglied 370 speichert einen Datenwert entsprechend einer Spannungsdifferenz, welche an einem Steuergate (nachfolgend als eine "Wortleitung" bezeichnet), und dem Wannenbereich angelegt ist, wenn eine Löschoperation, welche das ISPE-Verfahren, das DSPE-Verfahren oder eine Mischung aus diesen beiden benutzt, normal beendet ist. Wenn eine neue Löschoperation, nachdem eine Löschoperation in der obigen Weise vollendet ist, ausgeführt wird, gibt das Steuerglied 370 erste und zweite Steuersignalpegel 1 und -pegel 2 aus, um das Erzeugen einer Wortleitungsvorspannung des Hochspannungsgenerators 330 oder der Wannenvorspannung Vwell des Wannen vorspannungsgenerators 360 so zu steuern, dass die Löschoperation mit der zuvor gespeicherten Spannungsdifferenz ausgeführt wird, welche auf eine erste Spannungsdifferenz eingestellt ist. In diesem Fall kann das erste und zweite Steuersignal einen Datenwert annehmen, welcher einer Spannungsdifferenz entspricht.
Wenn eine neue Löschoperation gestartet wird, gibt der Wannenvorspannungsgenerator 360 die erste Wannenvorspannung Vwell mit dem gleichen Pegel wie den der Endwannenvorspannung Vwell in einer vorherigen Operation entsprechend dem ersten Steuersignalpegel 1 aus. Außerdem gibt der Hochspannungsgenerator 330 auch die Wortleitungsvorspannung aus, welche den gleichen Pegel besitzt, wie der der Endwortleitungsvorspannung, welche bei einer vorherigen Operation entsprechend dem zweiten Steuersignalpegel 2 angelegt ist.
In dem Obigen kann das Steuerglied 370 eine Spannungsdifferenz speichern, welche für alle Blöcke repräsentativ ist oder kann getrennt die Spannungsdifferenz auf einer Blockbasis speichern. Das Steuerglied 370 kann die Spannungsdifferenz wie folgt speichern.
Zuerst kann das Steuerglied 370 die Endwannenvorspannung Vwell speichern, welche an dem Wannenbereich in der Löschoperation angelegt ist, wobei das ISPE-Verfahren benutzt wird. Zum Beispiel kann die Löschoperation des ISPE-Verfahrens ausgeführt werden, während die Wannenvorspannung erhöht wird, welche an dem Wannenbereich angelegt ist, und die Löschverifizieroperation kann durch Verändern der Wannenvorspannung ausgeführt werden, wann immer die Löschoperation ausgeführt wird. Falls bestätigt wird, dass die Löschverifizieroperation normal an allen Speicherzellen durchgeführt wurde, speichert das Steuerglied 370 einen Datenwert entsprechend dem Endpegel einer Wannenvorspannung, welche an den Wannenbereich angelegt ist. Das heißt, das Steuerglied 370 speichert die höchste Wannenvorspannung Vwell, welche an dem Wannenbereich in der Löschoperation angelegt ist, wobei das ISPE-Verfahren benutzt wird.
Als zweites kann das Steuerglied 370 eine Endwortleitungsvorspannung speichern, welche an einer Wortleitung in der Löschoperation angelegt ist, wobei das DSPE-Verfahren benutzt wird. Zum Beispiel kann die Löschoperation, welche das DSPE-Verfahren nutzt, ausgeführt werden, während die Wortleitungsvorspannung, welche an der Wortleitung angelegt ist, abnimmt und die Lösch-Verifizieroperation kann durch Verändern der Wortleitungsvorspannung ausgeführt werden, wann immer die Löschoperation ausgeführt wird. Falls bestätigt wird, dass die Lösch-Verifizieroperation an allen Speicherzellen normal ausgeführt wurde, speichert das Steuerglied 370 einen Datenwert entsprechend dem Endpegel der Wortleitungsvorspannung, welche an der Wortleitung angelegt ist. Mit anderen Worten, das Steuerglied 370 speichert die niedrigste Wortleitungsvorspannung, welche an den Wortleitungen in dem Löschbetrieb angelegt ist, wobei das DSPE-Verfahren benutzt wird.
Als drittes kann das Steuerglied 370 die Wortleitungsvorspannung und die Endwannenvorspannung Vwell speichern, welche an der Wortleitung und dem Wannenbereich in der Löschoperation angelegt ist, welche durch Verändern der Wortleitungsspannung und der Wannenvorspannung zur gleichen Zeit ausgeführt wird. Zum Beispiel kann die Löschoperation durchgeführt werden, während die Wortleitungsvorspannung abnimmt, aber die Wannenvorspannung erhöht wird und die Lösch-Verifizieroperation kann durch Verändern der Vorspannungen ausgeführt werden, wann immer die Löschoperation durchgeführt wird. Falls bestätigt wird, dass die Lösch-Verifizieroperation normal an allen Speicherzellen ausgeführt wurde, speichert das Steuerglied 370 Datenwerte, entsprechend zu dem Pegel einer Endwortleitungsvorspannung, welche an der Wortleitung und einer Endwannenvorspannung Vwell, welche an dem Wannenbereich angelegt ist. Mit anderen Worten, das Steuerglied 370 speichert Datenwerte des Pegels der niedrigsten Wortlei tungsvorspannung, welche an der Wortleitung angelegt ist und des Pegels der höchsten Wannenvorspannung Vwell, welche an dem Wannenbereich in der Löschoperation angelegt ist.
4 ist ein Flussdiagramm, welches ein Löschverfahren der Flash-Speichereinrichtung entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
Mit Bezug auf 4, in dem Fall, wo eine Löschoperation ausgeführt wird, wird ein Löschbefehl im Schritt S401 eingegeben. Ein Adresssignal zum Spezifizieren eines Ziellöschblockes wird dann im Schritt S403 eingegeben.
Es gibt Speicherzellen in einem programmierten Zustand und Speicherzellen in einem gelöschten Zustand in einem aus der Vielzahl von Blöcken, welcher durch das Adresssignal ausgewählt ist. Die Speicherzellen des Löschzustands können Speicherzellen beinhalten, auf welchen die Programmieroperation nicht durchgeführt wurde, und Speicherzellen mit einer schnellen Löschrate. Im Allgemeinen besitzen diese Speicherzellen eine Schwellwertspannung, welche niedriger als die der verbleibenden Speicherzellen ist. Aufgrund dieser Tatsache können Schwellwertspannungen der Speicherzellen des gelöschten Zustands eine breite Schwellwertverteilung besitzen.
Um die Schwellwertspannungsverteilung einzuengen, wird eine Vorprogrammieroperation im Schritt S405 durchgeführt. Die Vorprogrammieroperation kann durch Anwenden einer Programmierspannung durchgeführt werden, welche niedriger als eine Spannung ist, welche bei einer allgemeinen Programmieroperation angewendet wird. Die Vorprogrammieroperation kann weggelassen werden, wenn dies passend ist.
Die Pegel der Löschoperationsspannungen, welche für die Löschoperation notwendig sind (z. B. die Wortleitungsvorspannung und die Wannenvorspannung) werden im Schritt S407 gesetzt. Dies dient dem Zweck des Kontrollierens einer Span nungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich zur Zeit der ersten Löschoperation, wobei das ISPE-Verfahren oder das DSPE-Verfahren benutzt wird. Bei dem herkömmlichen Verfahren besitzen die Wortleitungsvorspannung und die Wannenvorspannung einen konstanten Pegel und werden so angelegt, dass die Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich einen vorher festgelegten Pegel (z. B. 15 V) ergibt, an der Anfangsstufe der Löschoperation. In der vorliegenden Erfindung wird jedoch der Pegel der Wortleitungsvorspannung oder der Wannenvorspannung so eingestellt, dass die Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich abhängig von dem Löschzustand der Speicherzellen bei der Anfangsstufe der Löschoperation variieren kann. Ein Verfahren zum Einstellen der Pegel der Vorspannungen wird im Detail in einem nachfolgenden Schritt der Löschoperationsspannungsspeicherung (Schritt S415) beschrieben.
Falls die Pegel der Lösch-Betriebsspannungen eingestellt werden, wird die Löschoperation an einem Block durchgeführt, welcher entsprechend dem Adresssignal im Schritt S409 ausgewählt ist. Nachdem die Löschoperation vollendet ist, wird bestimmt, ob die Speicherzellen, welche in dem ausgewählten Block beinhaltet sind, im Schritt S411 normal gelöscht werden. Wenn als ein Ergebnis der Berechnung im Schritt 411 herauskommt, dass es Speicherzellen gibt, welche nicht normal gelöscht sind, wird die Löschoperation wieder durchgeführt. Bevor die Löschoperation wieder durchgeführt wird, werden die Pegel der Löschoperationsspannung, wie zum Beispiel der Wortleitungsvorspannung oder der Wannenvorspannung im Schritt S413 verändert.
Zum Beispiel kann der Pegel der Wannenvorspannung in dem Fall erhöht werden, wo die Löschoperation des ISPE-Verfahrens durchgeführt wird, oder der Pegel der Wortleitungsvorspannung kann erniedrigt werden, in dem Fall, wo die Löschoperation des DSPE-Verfahrens ausgeführt wird, oder der Pegel der Wannenvorspannung kann erhöht werden und der Pegel der Wortleitungsvorspannung kann erniedrigt werden, in dem Fall, wo die Löschoperation, welche eine Mischung des ISPE-Verfahrens und des DSPE-Verfahrens benutzt, ausgeführt wird.
Detaillierter ausgedrückt, in dem Fall, wo die Wannenvorspannung von 15 V anfangs in der Löschoperation des ISPE-Verfahrens angelegt ist, wenn Speicherzellen existieren, auf welchen die Löschoperation nicht normal durchgeführt wurde, werden die Löschoperation und die Lösch-Verifizieroperation wieder durch Erhöhen der anfangs angelegten Wannenvorspannung um eine vorher festgelegte Spannung (z. B. 0,5 V) ausgeführt. Die Wannenvorspannung wird erhöht, bis alle Speicherzellen entsprechend den Lösch-Verifizierergebnissen gelöscht sind und sie kann auf 15 V bis 20 V erhöht werden. In diesem Fall kann die Wannenvorspannung durch eine vorher festgelegte Spannung innerhalb eines Bereiches von 0,1 V bis 1,5 V erhöht werden. Entsprechend wird die Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich um so viel erhöht, wie die Spannung in der Wannenvorspannung verändert wird (innerhalb eines Bereichs von 0,1 V bis 1,5 V). In diesem Fall kann der Grad der Veränderung in der Wannenvorspannung sich abhängig von der Zellgröße, der Prozesscharakteristik und/oder der Testergebniswerte unterscheiden.
In der Löschoperation des DSPE-Verfahrens, falls es Speicherzellen gibt, auf welchen die Löschoperation nicht normal durchgeführt wurde, wird die Wortleitungsvorspannung, welche anfangs angelegt ist, um eine vorher festgelegte Spannung innerhalb eines Bereiches von 0,1 V bis 1,5 V erniedrigt. Eine Variationsbreite der Wortleitungsvorspannung kann sich abhängig von der Zellgröße, den Prozesscharakteristika und/oder den Testergebniswerten unterscheiden. Die Löschoperation und die Lösch-Verifizieroperation werden wieder unter Benutzung der erniedrigten Wortleitungsvorspannung durchgeführt, bis alle Speicherzellen entsprechend den Löschverifizierergebnissen gelöscht sind. Die Wortleitungsvorspannung kann auf 5 V bis 0 V erniedrigt werden. Außerdem, in dem Fall, wo eine negative Spannung benutzt wird, kann die Wortleitungsvorspannung bis hinunter zu 0 V bis –5 V erniedrigt werden, oder kann von einem positiven Wert (z. B. 3 V) auf einen negativen Wert (z. B. –3 V) erniedrigt werden.
Bei der Löschoperation, welche sowohl das ISPE-Verfahren als auch das DSPE-Verfahren nutzt, wird die Wannenvorspannung erhöht, während die Wortleitungsvorspannung durch Mischen der obigen Verfahren erniedrigt wird. Die Wortleitungsvorspannung und die Wannenvorspannung können zur gleichen Zeit so gesteuert werden, dass ein Inkrement der Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich das gleiche sein kann wie die Spannungsdifferenz in dem ISPE-Verfahren oder dem DSPE-Verfahren.
Wie bei den obigen Verfahren, nachdem der Pegel der Lösch-Betriebsspannung verändert ist, wird die Löschoperation wieder im Schritt S409 durchgeführt. Es wird dann bestimmt, ob die Lösch-Verifizieroperation normal auf allen Speicherzellen im Schritt S411 ausgeführt wurde.
Wenn, als Ergebnis der Bestimmung im Schritt S411 die Lösch-Verifizieroperation normal an allen Speicherzellen ausgeführt wurde, werden die Datenwerte für den Endpegel der Wannenvorspannung und der Endpegel der Wortleitungsvorspannung, welche in den Schritten S409, S411 und S413 angelegt wurden, im Schritt S415 gespeichert. Die Datenwerte entsprechen den Pegeln der Lösch-Betriebsspannungen, können durch Benutzen einer Cam-Zelle, eines Widerstands, einer Flip-Flop-Schaltung, eines Kondensators, eines ROMS und einer Abtastverstärkungsschaltung gespeichert werden, welche alle in dem Steuerglied beinhaltet sind (mit Bezug auf 370 in 3). Außerdem kann der Datenwert, welcher dem Pegel der Lösch-Betriebsspannungen entspricht, gespeichert werden, indem eine Speicherzelle, eine Kennungszelle und eine Ersatzzelle benutzt werden, welche in dem Speicherzellfeld beinhaltet sind. Die Pegel der Lösch-Betriebsspannungen können gespeichert werden, indem ein AD-Wandler benutzt wird. In diesem Fall, obwohl nicht in den Zeichnungen gezeigt, kann ein AD-Wandler zum Ändern des Pegels der Löschbetriebsspannung auf einen Datenwert zusätzlich beinhaltet sein. Außerdem kann die Anzahl der Löschoperationsschritte (S409) und der Lösch-Verifizierschritte (S411), welche durchgeführt wurden, gezählt werden und können als ein Datenwert gespeichert werden, welcher dem Pegel der Löschbetriebsspannung entspricht.
Die Pegel der Löschbetriebsspannungen, welche in dem obigen gespeichert sind, werden zum Pegel für eine Löschbetriebsspannung, welche anfangs in einer neuen Löschoperation angelegt ist, welche in dem ISPE-Verfahren, dem DSPE-Verfahren oder einer Mischung von beiden durchgeführt wird. Das heißt, sogar in dem Schritt des Einstellens (S407) der Löschspannung wird der Pegel einer ersten Löschoperationsspannung entsprechend dem Pegel der Löschbetriebsspannungen eingestellt, welcher in einer der Einrichtungen gespeichert ist.
In dem Fall, wo der Pegel der Löschbetriebsspannung auf einer Speicherzellenblockbasis gespeichert ist, steuert das Steuerglied (man beziehe sich auf 370 in 3) den Hochspannungsgenerator (man beziehe sich auf 330 in 3) und den Wannenvorspannungsgenerator 360, um eine Löschoperationsspannung eines Pegels anzulegen, welcher in dem entsprechenden Zellblock in Antwort auf das Adresssignal gespeichert ist.
In dem Speicherzellfeld kann eine Speicherzelle sein, welche die schnellste Löschrate besitzt und eine Speicherzelle sein, welche die langsamste Löschrate besitzt. In diesem Fall, wenn eine Differenz in der Schwellwertspannung zwischen einer Speicherzelle, welche die schnellste Löschrate besitzt und einer Speicherzelle, welche die langsamste Zellrate besitzt, sich erhöht, können die Schwellwertspannungsverteilungen verbreitert werden. Deshalb, um die Schwellwertspannungs verteilungen einzuengen, kann eine Nachprogrammieroperation im Schritt S417 durchgeführt werden. Falls die Nachprogrammieroperation durchgeführt wird, steigt die Schwellwertspannung der Speicherzelle, welche die schnellste Löschrate aufweist, schneller als die Schwellwertspannung der Speicherzelle, welche die langsamste Löschrate besitzt. Entsprechend können die Schwellwertspannungsverteilungen der Speicherzellen eingeengt werden.
Inzwischen wurde oben beschrieben, dass der Schritt (S415) des Speicherns der Löschoperationsspannung vor dem Schritt (S417) des Durchführens der Nachprogrammieroperation durchgeführt wird. Jedoch ist festzustellen, dass der Schritt (S415) des Speicherns der Löschoperationsspannung nach dem Schritt (S417) des Ausführens der Postprogrammieroperation durchgeführt werden kann.
Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, wird in dem Fall, wo ein anderer Speicherzellenblock gelöscht wird, ein anderes Adresssignal eingegeben und die Schritte S401 bis S417 werden wieder durchgeführt.
Das oben beschriebene Löschverfahren entsprechend einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend im Detail beschrieben. Die Löschoperation beginnt nicht immer bei einer konstanten Löschoperationsspannung, sondern startet bei einer Löschoperationsspannung, mit welcher alle Speicherzellen normal in der vorherigen Löschoperation gelöscht werden. Deshalb, wenn alle Speicherzellen normal gelöscht sind, wenn die Wannenvorspannung einen Bereich von 15 V bis 20 V auf einer 1V-Basis nutzt, und die Wannenvorspannung von 17 V in einer vorhergehenden Löschoperation angelegt ist, wird die Wannenvorspannung von 17 V anfangs von einer nachfolgenden Löschoperation angelegt und nutzt einen Bereich von 17 V bis 20 V. Demnach, da eine Änderung in der Wannenvorspannung reduziert wird, kann eine Löschbetriebszeit verkürzt werden. Entsprechend können die gleichen Vorteile erreicht werden, sogar bei der Löschoperation des DSPE-Verfahrens oder der Löschoperation, welche eine Mischung des ISPE-Verfahrens und des DSPE-Verfahrens nutzt, in welchem die Wortleitungsvorspannung verändert wird.
Außerdem, da der Bereich des Veränderns in der Löschoperationsspannung reduziert werden kann, kann auch die Breite in der Veränderung der Löschoperationsspannung reduziert werden. Das heißt, die Wannenvorspannung, welche um 1 V verändert wurde, kann um 0,5 V verändert werden, so dass weniger Beanspruchung auf die Speicherzellen ausgeübt wird. Zum Beispiel, wenn die Speicherzellen durch Anlegen der Wannenvorspannung von 17,2 V gelöscht werden können, würde ein Übersteigen von 0,8 V an die Speicherzellen angelegt werden, um sie zu löschen, wenn die Löschspannung um 1 V inkrementiert wird. Jedoch die übersteigende Spannung, welche angelegt wird, würde 0,3 V sein, wenn die Löschspannung um 0,5 V inkrementiert wird. Dies würde die Beanspruchung, welche an die Speicherzellen angelegt wird, reduzieren.
Es ist festzustellen, dass die Spannungsbedingungen, welche als ein Beispiel oben dargeboten wurden, abhängig von der Größe einer Speicherzelle, der Arten von Schichten, aus welchen eine Speicherzelle aufgebaut ist und/oder von einem Hochspannungspegel, der darin erzeugt wurde, verändert werden können.
Im Einzelnen wurde oben beschrieben, dass Daten entsprechend dem Pegel der niedrigsten Wortleitungsvorspannung oder der höchsten Wannenvorspannung, welche in der Löschoperation angelegt ist, auf einer Blockbasis gespeichert werden. Jedoch können die Daten auf einer ebenen Basis, welche eine Vielzahl von Blöcken beinhaltet, gespeichert werden.
Detaillierter ausgedrückt werden die Daten entsprechend dem Pegel der höchsten Wannenvorspannung oder der niedrigsten Wortleitungsvorspannung der Löschoperationen aller Blöcke, welche in der Ebene enthalten sind gespeichert, um die gesamte Ebene darzustellen. In diesem Fall werden Daten für jede Ebene gespeichert. Außerdem können die Daten auf einer Chip-Basis gespeichert werden. Außerdem können Daten entsprechend dem Pegel der höchsten Wannenvorspannung oder der niedrigsten Wortleitungsvorspannung der Löschoperationen aller Blöcke, welche in dem Chip beinhaltet sind, gespeichert werden, um den gesamten Chip darzustellen. In diesem Fall kann ein Datensatz für jeden Chip gespeichert werden. Der Pegel der Wortleitungsvorspannung oder der Wannenvorspannung, welche anfangs in der Löschoperation angelegt ist, wird in der gleichen Weise festgelegt, wie jeder Block, welcher in einer Ebene oder einem Chip, entsprechend den gespeicherten Daten, beinhaltet ist.
Wie oben beschrieben wird entsprechend der vorliegenden Erfindung eine Löschoperation des ISPE-Verfahrens oder des DSPE-Verfahrens parallel zu einer Lösch-Verifizieroperation durchgeführt, wobei eine Spannungsdifferenz zwischen dem Steuergate und dem Wannenbereich allmählich erhöht wird, eine Spannungsdifferenz wird zwischen dem Steuergate und dem Wannenbereich, wenn alle Speicherzellen normal gelöscht sind, gespeichert und eine Löschoperation des ISPE-Verfahrens oder des DSPE-Verfahrens wird durch Einstellen der gespeicherten Spannungsdifferenz einer nachfolgenden Löschoperation durchgeführt. Entsprechend kann eine Löschcharakteristik (E/W-Zykluscharakteristik) einer Speicherzelle verbessert werden, während eine Löschbetriebszeit verkürzt wird.
Spezieller ausgedrückt, eine Löschcharakteristik einer Speicherzelle, welche eine langsame Löschrate besitzt, kann verbessert werden und eine Programmcharakteristik einer Speicherzelle, welche eine schnelle Programmrate besitzt, kann entsprechend verbessert werden. Mit anderen Worten, wenn die Löschoperation und die Programmieroperation wiederholt mehrere tausende Mal in 1 durchgeführt wird, wird die Löschrate langsam. In diesem Fall kann ein Phänomen, in welchem eine Schwellwertspannung höher als eine Zielspannung nach der Programmieroperation wird, minimiert werden. Diese höhere Zielspannung wird durch Elektronen verursacht, welche in der Oxyd-Schicht eingefangen werden, was verursacht, dass die Programmrate höher als normal wird.
Obwohl die vorhergehende Beschreibung mit Bezug auf spezielle Ausführungsformen durchgeführt wurde ist davon auszugehen, dass Veränderungen und Modifikationen des vorliegenden Patents von Fachleuten durchgeführt werden können, ohne vom Geist und vom Umfang des vorliegenden Patents und der angehängten Ansprüche abzuweichen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

- KR 10/2007-029616 [0001]

Claims

Flash-Speichereinrichtung, welche aufweist: eine Vielzahl von Speicherzellenblöcken, wobei jeder Speicherzellenblock eine Vielzahl von Speicherzellen beinhaltet, welche an eine Vielzahl von Wortleitungen angeschlossen ist; einen Spannungsgenerator, welcher so aufgebaut ist, dass eine Löschspannung an einem Speicherzellenblock, welcher für eine Löschoperation ausgelegt ist, angelegt wird und Verändern eines Pegels der Löschspannung, wenn ein Versuch der Löschoperation nicht erfolgreich ist; und ein Steuerglied, welches so aufgebaut ist, um den Spannungsgenerator zu steuern, um eine erste Löschspannung an einem Speicherzellenblock, welcher für eine Löschoperation ausgewählt ist, anzulegen, wobei die erste Löschspannung einer vorherigen Löschspannung entspricht, welche erfolgreich zum Vollenden einer vorherigen Löschoperation benutzt wurde, wobei die erste Löschspannung eine Löschspannung ist, welche in einem ersten Löschversuch für die Löschoperation benutzt wird.
Flash-Speichereinrichtung nach Anspruch 1, welche ferner aufweist: ein X-Dekodierglied, um ein Blockauswahlsignal entsprechend einem Adresssignal zu erzeugen, um einen aus der Vielzahl von Speicherzellenblöcken auszuwählen; und eine Schalteinheit, um die Löschspannung an den ausgewählten Speicherzellenblock in Antwort auf das Blockauswahlsignal zu übertragen.
Flash-Speichereinrichtung nach Anspruch 1, wobei der Spannungsgenerator aufweist: einen Hochspannungsgenerator, um eine Wortleitungsvorspannung an die Wortleitungen anzulegen; und einen Wannenvorspannungsgenerator, um eine Wannenvorspannung an einen Wannenbereich des ausgewählten Speicherzellenblocks anzulegen.
Flash-Speichereinrichtung nach Anspruch 1, wobei das Steuerglied Information über eine Löschspannung speichert, welche erfolgreich eine Löschoperation vollendet, so dass eine nachfolgende Löschoperation mit einer Löschspannung starten kann, welche der gespeicherten Löschspannung entspricht.
Löschverfahren einer Flash-Speichereinrichtung, wobei das Verfahren aufweist: Durchführen einer Vielzahl von Löschversuchen, um eine erste Löschoperation zu vollenden, um einen ausgewählten Speicherzellenblock zu löschen, wobei eine Löschspannung nach jedem Löschversuch verändert wird, welcher nicht alle Speicherzellen in dem ausgewählten Speicherblock löscht; Speichern von Information über eine erste Löschspannung, welche für einen der Löschversuche benutzt wurde, welcher erfolgreich den ausgewählten Speicherblock während der ersten Löschoperation gelöscht hat; und Durchführen eines ersten Löschversuches einer zweiten Löschoperation auf einem Speicherzellenblock, wobei eine zweite Löschspannung benutzt wird, welche der gespeicherten ersten Löschspannung entspricht, wobei die zweite Löschoperation nach der ersten Löschoperation durchgeführt wird.
Löschverfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Löschoperation und die zweite Löschoperation ein inkrementales Stufen-Puls-Lösch-(ISPE)-Verfahren benutzt, welches eine Löschspannung nach jedem Löschversuch erhöht, welcher nicht erfolgreich die Löschoperation durchführt.
Löschverfahren nach Anspruch 6, wobei die erste Löschspannung und die zweite Löschspannung Spannungen sind, welche an einem Wannenbereich des Speicherzellenblocks angelegt sind.
Löschverfahren nach Anspruch 7, wobei eine Löschspannung innerhalb des Bereiches von 15 V bis 20 V entsprechend dem ISPE-Verfahren verändert wird.
Löschverfahren nach Anspruch 8, wobei eine Löschspannung um einen Betrag von 0,1 V bis 1,5 V nach jedem Löschversuch verändert wird, welcher nicht erfolgreich einen Speicherzellenblock löscht, welcher für die Löschoperation ausgewählt ist.
Löschverfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Löschoperation und die zweite Löschoperation ein abnehmendes Stufen-Puls-Lösch-(DSPE)-Verfahren benutzt, welches eine Löschspannung nach jedem Löschversuch erniedrigt, welcher nicht erfolgreich die Löschoperation durchführt.
Löschverfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Löschspannung und die zweite Löschspannung Spannungen sind, welche an Wortleitungen angelegt sind, welche zu dem ausgewählten Speicherzellenblock gehören.
Löschverfahren nach Anspruch 11, wobei eine Löschspannung um einen gegebenen Spannungsbetrag verändert wird, nachdem jeder Löschversuch, welcher nicht erfolgreich einen Speicherzellenbock, welcher für die Löschoperation ausgewählt ist, löscht, wobei der gegebene Spannungsbetrag im Bereich von 5 V bis 0 V, 0 V bis –5 V oder 3 V bis –3 V liegt.
Löschverfahren nach Anspruch 11, wobei eine Löschspannung um einen Betrag von 0,1 V bis 1,5 V nach jedem Löschversuch verändert wird, welcher nicht erfolgreich einen Speicherzellenblock löscht, welcher für die Löschoperation ausgewählt ist.
Löschverfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Löschoperation und die zweite Löschoperation durchgeführt werden, während die erste Löschspannung und die zweite Löschspannung verändert werden, so dass eine Spannungsdifferenz zwischen einer Wortleitung und einem Wannenbereich erhöht wird.
Löschverfahren nach Anspruch 14, wobei die erste Löschspannung und die zweite Löschspannung durch Abnehmen einer Vorspannung verändert werden, welche an der Wortleitung angelegt ist und durch Erhöhen einer Vorspannung, welche an dem Wannenbereich angelegt ist.
Löschverfahren nach Anspruch 14, wobei die Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich in einem Spannungsbetrag von 0,1 V bis 1,5 V verändert wird.
Löschverfahren nach Anspruch 5, wobei die erste Löschoperation oder die zweite Löschoperation beinhaltet: Eingeben eines Löschbefehlssignals zum Löschen des Speicherzellenblocks; Eingeben eines Adresssignals, um den Speicherzellenblock auszuwählen; Einstellen einer Löschspannung, welche an dem allerersten Löschversuch anzulegen ist, wobei die Information benutzt wird, welche über eine Löschspannung gespeichert ist, welche für eine vorhergehende Löschoperation benutzt wurde, welche erfolgreich vollendet wurde; Anwenden der Löschspannung aus dem Einstellschritt, um eine Schwellwertspannung der Speicherzellen zu erniedrigen; Detektieren der Schwellwertspannung der Speicherzelle; und Verändern der Löschspannung, welche entsprechend einem Ergebnis des Detektierens der Schwellwertspannung angelegt ist, wobei die Schwellwertspannung der Speicherzelle erniedrigt wird, indem die Löschspannung, welche angelegt ist, geändert wird, bis der Speicherzellenblock entsprechend dem Ergebnis des Detektierens der Schwellwertspannung erfolgreich gelöscht ist.
Löschverfahren nach Anspruch 17, wobei die Löschspannung, welche angelegt ist so verändert wird, dass eine Span nungsdifferenz zwischen einer Wortleitung, welche zu dem Speicherzellenblock gehört, und einem Wannenbereich des Speicherzellenblocks erhöht wird.
Löschverfahren nach Anspruch 18, welches ferner das Durchführen einer Vorprogrammieroperation des Speicherzellenblocks vor dem Erstellungsschritt aufweist.
Löschverfahren nach Anspruch 18, welches ferner das Durchführen einer Nach-Programmieroperation des Speicherzellenblocks aufweist, nachdem der Speicherzellenblock gelöscht wurde.
Löschverfahren einer Flash-Speichereinrichtung, welches aufweist: Einstellen eines Pegels einer Löschbetriebsspannung, welcher anzulegen ist, wenn eine Löschoperation beginnt; Durchführen der Löschoperation, während der Pegel der Löschbetriebsspannung verändert wird, bis alle Speicherzellen eines Speicherzellenblocks gelöscht sind; Einstellen eines Pegels einer neuen Löschbetriebsspannung, welcher anzulegen ist, wenn eine neue Löschoperation des Speicherzellenblocks beginnt, als Pegel der Löschbetriebsspannung, welcher zuletzt in der Löschoperation angelegt ist; und Durchführen der neuen Löschoperation, während der Pegel der Löschbetriebsspannung verändert wird, bis alle Speicherzellen des Speicherzellenblocks gelöscht sind.
Löschverfahren nach Anspruch 21, wobei die Löschoperation und die neue Löschoperation eine Inkrementales-Stufen-Puls-Lösch-(ISPE)-Verfahren nutzen.
Löschverfahren nach Anspruch 22, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung an einen Wannenbereich des Speicherzellenblocks angelegt werden.
Löschverfahren nach Anspruch 23, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung in dem Bereich von 15 V bis 20 V verändert werden.
Löschverfahren nach Anspruch 24, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung nach jedem Löschversuch um einen Betrag von 0,1 V bis 1,5 V verändert werden, welcher nicht erfolgreich einen Speicherzellenblock löscht, welcher für die Löschoperation ausgewählt ist.
Löschverfahren nach Anspruch 21, wobei die Löschoperation und die neue Löschoperation in einem abnehmenden Stufen-Puls-Lösch-(DSPE-)Verfahren durchgeführt wird.
Löschverfahren nach Anspruch 26, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung an Wortleitungen angelegt werden, welche zu dem Speicherzellenblock gehören.
Löschverfahren nach Anspruch 27, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung im Bereich von 5 V bis 0 V, 0 V bis –5 V oder 3 V bis –3 V verändert werden.
Löschverfahren nach Anspruch 27, wobei die Löschoperationsspannung und die neue Löschbetriebsspannung um einen Betrag von 0,1 V bis 1,5 V verändert werden.
Löschverfahren nach Anspruch 21, wobei die Löschoperation und die neue Löschoperation durchgeführt werden, während der Pegel der Löschbetriebsspannung und der Pegel der neuen Löschbetriebsspannung so verändert werden, dass eine Spannungsdifferenz zwischen einer Wortleitung und einem Wannenbereich erhöht wird.
Löschverfahren nach Anspruch 30, wobei der Pegel der Löschbetriebsspannung und der Pegel der neuen Löschbetriebsspannung durch Erniedrigen einer Vorspannung verändert wer den, welche an der Wortleitung angelegt ist und durch Erhöhen einer Vorspannung, welche an dem Wannenbereich angelegt ist.
Löschverfahren nach Anspruch 30, wobei die Spannungsdifferenz zwischen der Wortleitung und dem Wannenbereich um einen Betrag von 0,1 V bis 1,5 V verändert wird.
Löschverfahren nach Anspruch 21, wobei die Löschoperation oder die neue Löschoperation das Durchführen der Schritte beinhaltet von: Eingeben eines Löschbefehlssignals zum Löschen des Speicherzellenblocks; Eingeben eines Adresssignals, um den Speicherzellenblock auszuwählen; Einstellen des Pegels der Löschbetriebsspannung oder des Pegels der neuen Löschbetriebsspannung, welcher als erster an den Speicherzellenblock angelegt wird; Anlegen der Löschbetriebsspannung oder der neuen Löschbetriebsspannung, um eine Schwellwertspannung der Speicherzellen zu erniedrigen; Detektieren der Schwellwertspannung der Speicherzelle; und Verändern des Pegels der Löschbetriebsspannung oder des Pegels der neuen Löschbetriebsspannung, entsprechend einem Ergebnis des Detektierschritts, wobei die Schwellwertspannung der Speicherzelle durch Verändern des Pegels der Löschbetriebsspannung oder des Pegels der neuen Löschbetriebsspannung erniedrigt wird, bis der Speicherzellenblock bestimmt ist, welcher erfolgreich entsprechend dem Ergebnis des Detektierschritts gelöscht wurde.
Löschverfahren nach Anspruch 33, wobei der Pegel der Löschbetriebsspannung oder der Pegel der neuen Löschbetriebsspannung so verändert wird, dass eine Spannungsdifferenz zwischen einer Wortleitung, welche zu dem Speicherzellenblock gehört und einem Wannenbereich des Speicherzellenblocks erhöht wird.
Löschverfahren nach Anspruch 35, welches ferner das Durchführen einer Vorprogrammieroperation des Speicherzellenblocks vor dem Einstellschritt aufweist.
Löschverfahren nach Anspruch 34, welches ferner den Schritt des Durchführens einer Nach-Programmieroperation des Speicherzellenblocks aufweist, nachdem die Löschoperation des Speicherzellenblocks normal vollendet ist.