DE102006019373A1 - Substrate-free flip chip light emitting diode and method for its production - Google Patents

Substrate-free flip chip light emitting diode and method for its production Download PDF

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Abstract

Eine substratfreie LED-Vorrichtung ist vorgesehen. Die LED-Vorrichtung umfasst ein Substrat, eine epitaktische Schicht, aufgebracht auf dem Substrat, eine erste Elektrode, aufgebracht auf einem Teil der epitaktischen Schicht, eine zweite Elektrode, aufgebracht auf einem anderen Teil der epitaktischen Schicht, und eine Schutzschicht, aufgebracht über der epitaktischen Schicht. Es ist anzumerken, dass in der LED-Vorrichtung das Substrat zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst und dass die Schutzschicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein hochtransparentes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.A substrate-free LED device is provided. The LED device comprises a substrate, an epitaxial layer deposited on the substrate, a first electrode deposited on a portion of the epitaxial layer, a second electrode deposited on another portion of the epitaxial layer, and a protective layer deposited over the epitaxial layer Layer. It should be noted that in the LED device, for example, but not exclusively, the substrate comprises a substrate having high thermal conductivity, and that the protective layer comprises, for example, but not limited to, a highly transparent material having high thermal conductivity.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND THE INVENTION

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen eine lichtemittierende Diode und ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine substratfreie Flip Chip lichtemittierende Diode und ein Verfahren zu deren Herstellung.The The present invention generally relates to a light-emitting Diode and a method for its production. In particular, it concerns the present invention is a substrate-free flip-chip light-emitting Diode and a method for its production.

Beschreibung der zugehörigen Technikdescription the associated technology

Eine lichtemittierende Diode (LED) ist ein Halbleiterbauteil, das weitverbreitete Verwendung als lichtemittierende Vorrichtung gefunden hat. Der lichtemittierende Chip der LED umfasst generell Halbleiter aus Verbindungen der Gruppen III–V, wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs) oder Galliumnitrid (GaN). Das Prinzip der Lichtemission der LED ist die Umwandlung elektrischer Energie in Lichtenergie, die durch Anlegen von Strom an dem Halbleiter aus den Verbindungen, um Elektronen und Löcher zu erzeugen, erreicht wird. Anschließend wird überschüssige Energie von der Kombination von Elektronen und Löchern freigesetzt und so strahlt die LED Licht aus. Im Allgemeinen hat die LED die folgenden Vorteile: hohe Reaktionsgeschwindigkeit (im allgemeinen ungefähr 10–9 Sekunden), ausgezeichnetes monochromes Farblicht, geringe Größe, geringer Energieverbrauch, geringe Umweltbelastung (Quecksilberfrei), hohe Zuverlässigkeit und der Herstellungsprozess ist für Massenproduktion geeignet. Deshalb können LED in vielen Gebieten angewendet werden, zum Beispiel bei Ampeln, großflächigen Anzeigetafeln und Bildschirmen zahlreicher tragbarer elektronischer Vorrichtungen.A light emitting diode (LED) is a semiconductor device that has found widespread use as a light emitting device. The LED light-emitting chip generally comprises semiconductors of Group III-V compounds, such as gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), or gallium nitride (GaN). The principle of LED light emission is the conversion of electrical energy into light energy, which is achieved by applying current to the semiconductor from the connections to produce electrons and holes. Subsequently, excess energy is released from the combination of electrons and holes, and so the LED emits light. In general, the LED has the following advantages: high reaction speed (generally about 10 -9 seconds), excellent monochrome colored light, small size, low power consumption, low environmental impact (mercury-free), high reliability, and the manufacturing process is suitable for mass production. Therefore, LEDs can be used in many fields, for example, at traffic lights, large display panels, and screens of many portable electronic devices.

Prinzipiell beinhaltet eine grundlegende Struktur einer LED-Vorrichtung eine epitaktische p-leitende Schicht und eine n-leitende Verbindung der Gruppe III–V und eine lichtemittierende Schicht dazwischen. Die Effizienz der Lichtemission der LED-Vorrichtung ist abhängig von der inneren Quanteneffizienz der lichtemittierenden Schicht und der Effizienz der Lichtauskopplung der Vorrichtung. Ein Verfahren zur Steigerung der inneren Quanteneffizienz beinhaltet hauptsächlich eine Verbesserung der Qualität der lichtemittierenden Schicht und des Aufbaus der Struktur. Das Verfahren zur Erhöhung der Effizienz der Lichtauskopplung beinhaltet hauptsächlich eine Reduktion des Lichtverlusts, der durch die Absorption des von der lichtemittierenden Schicht ausgestrahlten Lichts durch die Reflektion des Lichts im Inneren der LED-Vorrichtung verursacht wird.in principle includes a basic structure of an LED device epitaxial p-type layer and an n-type compound of Group III-V and a light emitting layer therebetween. The efficiency of Light emission of the LED device is dependent on the internal quantum efficiency the light-emitting layer and the efficiency of light extraction the device. A method for increasing internal quantum efficiency includes mainly an improvement in quality the light-emitting layer and the structure of the structure. The Procedure for increasing The efficiency of light extraction mainly involves one Reduction of light loss caused by the absorption of the light-emitting layer of emitted light through the reflection of the light inside the LED device is caused.

Herkömmlicherweise wurde eine Vielzahl an LED Strukturen und Herstellungsverfahren entwickelt. Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel, das die LED Struktur und ihr Herstellungsverfahren gemäß dem US Patent Nr. 6,462,358 zeigt, beschrieben. 1A bis 1B sind Querschnitte, die schematisch ein Verfahren zur Herstellung einer herkömmlichen LED-Vorrichtung darstellen. Mit Bezug auf 1A beinhaltet die epitaktische Struktur 100 ein n-leitendes GaAs-Substrat 102, eine Ätzstopschicht 104, eine n-leitende untere (AlxGa1-x)n5In0,5P-Verkleidungsschicht 106 (0.5 ≤ x ≤ 1.0), eine aktive (AlxGa1-x)0.5In0.5P-Schicht 108 (0 ≤ x ≤ 0.45), eine p-leitende obere (AlxGa1-x)0.5In0.5P-Verkleidungsschicht 110 (0.5 ≤ x ≤ 1.0), eine p-leitende epitaktische Schicht 112 und eine Vielzahl p-leitender ohmscher Kontakte 114a und 114b.Conventionally, a variety of LED structures and manufacturing processes have been developed. Hereinafter, an embodiment showing the LED structure and its manufacturing method according to US Pat. No. 6,462,358 will be described. 1A to 1B Fig. 15 are cross sections schematically illustrating a method of manufacturing a conventional LED device. Regarding 1A includes the epitaxial structure 100 an n-type GaAs substrate 102 , an etch stop layer 104 , an n-type lower (Al x Ga 1-x ) n 5 In 0.5 P cladding layer 106 (0.5 ≦ x ≦ 1.0), an active (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P layer 108 (0 ≦ x ≦ 0.45), a p-type upper (Al x Ga 1-x ) 0.5 In 0.5 P cladding layer 110 (0.5 ≤ x ≤ 1.0), a p-type epitaxial layer 112 and a plurality of p-type ohmic contacts 114a and 114b ,

Mit Bezug auf 1B werden dann eine transparente Klebeschicht 122 und ein transparentes Substrat 124 über der p-leitenden epitaktischen Schicht 112 gebildet und bedecken die p-leitenden ohmschen Kontakte 114a und 114b. Das transparente Substrat 124 wird mit den p-leitenden ohmschen Kontakten 114a und 114b und der epitaktischen Schicht 112 verbunden, indem die transparente Klebeschicht 122 für eine Zeitlang Druck ausgesetzt und auf 250°C erhitzt wird. Die transparente Klebeschicht 122 besteht aus Bis-benzocyclobuten (BCB) im B-Zustand oder anderen transparenten, klebenden Materialien, wie Epoxid. Das transparente Substrat 124 beinhaltet ein polykristallines Substrat oder ein amorphes Substrat, wie Saphir-, Glas-, GaP-, GaAsP-, ZnSe-, ZnS-, ZnSSe-, oder SiC-Substrat.Regarding 1B then become a transparent adhesive layer 122 and a transparent substrate 124 over the p-type epitaxial layer 112 formed and cover the p-type ohmic contacts 114a and 114b , The transparent substrate 124 becomes with the p-type ohmic contacts 114a and 114b and the epitaxial layer 112 connected by the transparent adhesive layer 122 is exposed to pressure for a while and heated to 250 ° C. The transparent adhesive layer 122 Composed of bis-benzocyclobutene (BCB) in the B-stage or other transparent, adhesive materials, such as epoxy. The transparent substrate 124 includes a polycrystalline substrate or an amorphous substrate such as sapphire, glass, GaP, GaAsP, ZnSe, ZnS, ZnSSe, or SiC substrate.

Dann wird das Substrat 102 durch ein korrosives Ätzmittel geätzt. Wenn die Ätzstopschicht 104 aus lichtabsorbierenden Materialien besteht, wie GaInP oder AlGaAs, muss die Ätzstopschicht 104 durch die selbe Lösung entfernt werden. Dann wird unter Bezugnahme auf 1B, ein Teil der unteren Verkleidungsschicht 106, der aktiven Schicht 108 und der oberen Verkleidungsschicht 110 durch Trockenätz- oder Nassätzverfahren entfernt, um einen Teil der epitaktischen Schicht 112 freizulegen. Anschließend wird der untere Teil der freigelegten epitaktischen Schicht 112 entfernt, um einen Kanal 132 zu bilden, der den p-leitenden ohmschen Kontakt 114b freilegt. Dann wird ein n-leitender ohmscher Kontakt 134 auf der unteren Verkleidungsschicht 106 gebildet. Anschließend wird eine erste metallbindende Schicht 136 auf der epitaktischen Schicht 112 gebildet und der Kanal 132 wird mit Au oder Al gefüllt, um einen Elektrodenkanal 132 zu bilden, der den p-leitenden ohmschen Kontakt 114b anschließt. Dann wird eine zweite metallbindende Schicht 138 auf der n-leitenden ohmschen Kontaktschicht 134 gebildet. Schließlich wird eine epitaktische LED-Struktur 150 gebildet.Then the substrate becomes 102 etched by a corrosive etchant. When the etch stop layer 104 consists of light-absorbing materials, such as GaInP or AlGaAs, the Ätzstopschicht must 104 be removed by the same solution. Then, referring to 1B , a part of the lower cladding layer 106 , the active layer 108 and the upper cladding layer 110 removed by dry etching or wet etching to a portion of the epitaxial layer 112 expose. Subsequently, the lower part of the exposed epitaxial layer 112 removed to a channel 132 to form the p-type ohmic contact 114b exposes. Then an n-type ohmic contact 134 on the lower cladding layer 106 educated. Subsequently, a first metal-binding layer 136 on the epitaxial layer 112 formed and the channel 132 is filled with Au or Al to form an electrode channel 132 to form the p-type ohmic contact 114b followed. Then a second metal-binding layer 138 on the n-type ohmic contact layer 134 educated. Finally, an epitaxial LED structure 150 educated.

Dementsprechend ist die Effizienz der Wärmeleitung des Materials der Klebeschicht 122 und des oben beschriebenen Substrats 124 beim Verfahren zur Herstellung einer herkömmlichen LED-Vorrichtung niedrig, da die Klebeschicht 122 und das Substrat 124 transparent sein müssen. Deshalb ist die Lebenszeit der herkömmlichen LED-Vorrichtung eingeschränkt. Zusätzlich ist ein Substrat, das Licht besser überträgt, wie Saphir, sehr teuer. Wenn eine Substanz mit schlechter Lichtübertragung vorgesehen ist, können die Kosten geringer sein, aber die Effizienz der Lichtemission der herkömmlichen LED-Vorrichtung ist ebenfalls geringer. Außerdem muss für eine Verbesserung der Lichtübertragung der herkömmlichen LED-Vorrichtung die Oberfläche des transparenten Substrats 124 poliert werden, also ist der Prozess komplexer und der Ertrag des Prozesses geringer.Accordingly, the efficiency of heat conduction of the material of the adhesive layer is 122 and the substrate described above 124 in the process for producing a conventional LED device low because the adhesive layer 122 and the substrate 124 have to be transparent. Therefore, the lifetime of the conventional LED device is limited. In addition, a substrate that transmits light better, such as sapphire, is very expensive. If a substance having poor light transmission is provided, the cost may be lower, but the light emission efficiency of the conventional LED device is also lower. In addition, for improving the light transmission of the conventional LED device, the surface of the transparent substrate must be 124 polished, so the process is more complex and the yield of the process is lower.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Dementsprechend betrifft die vorliegende Erfindung eine substratfreie LED-Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung, wobei die LED-Vorrichtung kein herkömmliches transparentes Substrat benötigt. Deshalb sind die Kosten für die LED-Vorrichtung geringer, die Effizienz der Wärmeleitung ist verbessert und der Herstellungsprozess der LED-Vorrichtung ist vereinfacht.Accordingly The present invention relates to a substrate-free LED device and a method of manufacturing the same, wherein the LED device not a conventional one transparent substrate needed. That's why the costs are for the LED device lower, the efficiency of heat conduction is improved and the manufacturing process of the LED device is simplified.

Die Erfindung sieht ein Verfahren zur Herstellung einer LED vor. Das Herstellungsverfahren umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, die folgenden Schritte. Zunächst wird ein erstes Substrat vorgesehen und eine epitaktische Schicht wird auf dem ersten Substrat gebildet. Dann wird ein Verbindungssubstrat über der epitaktischen Schicht durch Aufbringen einer Klebeschicht zwischen der epitaktischen Schicht und dem Verbindungssubstrat gebildet. Dann wird das erste Substrat entfernt. Als nächstes wird eine erste Elektrode auf der epitaktischen Schicht gebildet. Dann wird ein Teil der epitaktischen Schicht entfernt, um eine entfernte epitaktische Schicht zu bilden. Als nächstes wird eine zweite Elektrode auf der entfernten epitaktischen Schicht gebildet. Dann wird ein zweites Substrat über der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode gebildet. Als nächstes werden das Verbindungssubstrat und die Klebeschicht entfernt und eine Schutzschicht wird über der epitaktischen Schicht gebildet.The The invention provides a method for producing an LED. The Manufacturing method includes, for example, but not limited to, the following Steps. First a first substrate is provided and an epitaxial layer is formed on the first substrate. Then, a bonding substrate over the epitaxial layer by applying an adhesive layer between the epitaxial layer and the interconnecting substrate. Then the first substrate is removed. Next, a first electrode formed on the epitaxial layer. Then part of the epitaxial layer becomes removed to form a remote epitaxial layer. When next becomes a second electrode on the removed epitaxial layer educated. Then, a second substrate over the first electrode and formed of the second electrode. Next, the connection substrate and the adhesive layer is removed and a protective layer is over the epitaxial layer formed.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das erste Substrat zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumcarbidsubstrat (SiC).For example, but not limited to, in one embodiment of the invention, the first substrate comprises gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ), or silicon carbide substrate (SiC).

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das Material der epitaktischen Schicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Halbleiter aus Verbindungen von zwei Elementen wie GaN, GaAs oder InN, Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen wie GaAlAs oder Halbleiter aus Verbindungen von vier Elementen wie AlInGaP.In an embodiment of the invention comprises the material of the epitaxial layer for Example, but not exclusive, Semiconductors made of compounds of two elements such as GaN, GaAs or InN, Semiconductors made of compounds of three elements such as GaAlAs or semiconductors from compounds of four elements like AlInGaP.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das Verbindungssubstrat zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Glas, Siliziumsubstrat oder Aluminiumoxidsubstrat (Al2O3).For example, but not exclusively, in one embodiment of the invention, the interconnect substrate comprises glass, silicon substrate, or alumina substrate (Al 2 O 3 ).

In einer Ausführungsform der Erfindung wird das erste Substrat durch einen Trockenätzvorgang entfernt.In an embodiment According to the invention, the first substrate is removed by a dry etching process.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht geringer als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode ist mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden.In an embodiment The invention is a remaining thickness of the removed epitaxial layer less than a thickness of a current distribution layer of the epitaxial Layer and the second electrode is connected to the current distribution layer connected to the epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht p-leitend, umfasst die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is p-type the first electrode has an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht n-leitend, umfasst die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is n-type the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung entspricht die Gesamtdicke der ersten Elektroden und der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und der entfernten epitaktischen Schicht.In an embodiment The invention relates to the total thickness of the first electrodes and the epitaxial layer of a total thickness of the second electrode and the removed epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das zweite Substrat ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie Silizium oder Keramik.In an embodiment According to the invention, the second substrate comprises a substrate with a high content thermal conductivity, like silicon or ceramics.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst die Schutzschicht ein hochtransparentes Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx).In one embodiment of the invention, the protective layer comprises a highly transparent substrate with high thermal conductivity, such as diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ).

Zusätzlich sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Diode (LED) vor. Das Herstellungsverfahren umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, die folgenden Schritte. Erstens ist ein erstes Substrat vorgesehen. Dann wird eine epitaktische Schicht auf dem ersten Substrat gebildet. Anschließend wird eine erste Elektrode auf der epitaktischen Schicht gebildet. Dann wird ein Teil der epitaktischen Schicht entfernt, um eine entfernte epitaktische Schicht zu bilden. Als nächstes wird eine zweite Elektrode auf der entfernten epitaktischen Schicht gebildet. Dann wird ein zweites Substrat über der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode gebildet. Als nächstes wird das erste Substrat entfernt und eine Schutzschicht wird über der epitaktischen Schicht gebildet.In addition, the present invention provides a method of manufacturing a light emitting diode (LED). The manufacturing method includes, for example, but not limited to, the following steps. First, a first substrate is provided. Then, an epitaxial layer is formed on the first substrate. Subsequently, a first electrode is formed on the epitaxial layer. Then, a part of the epitaxial layer is removed to form a remote epitaxial layer. When Next, a second electrode is formed on the removed epitaxial layer. Then, a second substrate is formed over the first electrode and the second electrode. Next, the first substrate is removed and a protective layer is formed over the epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das erste Substrat zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumcarbidsubstrat (SiC).For example, but not limited to, in one embodiment of the invention, the first substrate comprises gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ), or silicon carbide substrate (SiC).

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das Material der epitaktischen Schicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Halbleiter aus Verbindungen von zwei Elementen, wie GaN, GaAs oder InN, Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen, wie GaAlAs, oder Halbleiter aus Verbindungen von vier Elementen, wie AlInGaP.In an embodiment of the invention comprises the material of the epitaxial layer for Example, but not exclusive, Semiconductors made of compounds of two elements, such as GaN, GaAs or InN, Semiconductors made of compounds of three elements, such as GaAlAs, or Semiconductors made of compounds of four elements, such as AlInGaP.

In einer Ausführungsform der Erfindung wird das erste Substrat durch einen Trockenätzvorgang entfernt.In an embodiment According to the invention, the first substrate is removed by a dry etching process.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht geringer als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode ist mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden.In an embodiment The invention is a remaining thickness of the removed epitaxial layer less than a thickness of a current distribution layer of the epitaxial Layer and the second electrode is connected to the current distribution layer connected to the epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht p-leitend, umfasst die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is p-type the first electrode has an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht n-leitend, umfasst die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is n-type the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung entspricht die Gesamtdicke der ersten Elektroden und der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und der entfernten epitaktischen Schicht.In an embodiment The invention relates to the total thickness of the first electrodes and the epitaxial layer of a total thickness of the second electrode and the removed epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das zweite Substrat ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie Silizium oder Keramik.In an embodiment According to the invention, the second substrate comprises a substrate with a high content thermal conductivity, like silicon or ceramics.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst die Schutzschicht ein hochtransparentes Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, wie diamantartiger Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx) Des Weiteren sieht die Erfindung ein LED vor, das zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat, eine epitaktische Schicht, aufgebracht auf dem Substrat, eine erste Elektrode, aufgebracht auf einem Teil der epitaktischen Schicht, eine zweite Elektrode, aufgebracht auf einem anderen Teil der epitaktischen Schicht, und eine Schutzschicht, aufgebracht über der epitaktischen Schicht, umfasst. Es ist anzumerken, dass in der LED-Vorrichtung das Substrat zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst und die Schutzschicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, hochtransparentes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.In one embodiment of the invention, the protective layer comprises a highly transparent substrate with high thermal conductivity, such as diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ). The invention further provides an LED, which may be used, for example, but not exclusively, a substrate, an epitaxial layer deposited on the substrate, a first electrode deposited on a portion of the epitaxial layer, a second electrode deposited on another portion of the epitaxial layer, and a protective layer deposited over the epitaxial layer. It should be noted that in the LED device, for example, but not exclusively, the substrate comprises a substrate having high thermal conductivity and the protective layer comprises, for example, but not limited to, highly transparent material having high thermal conductivity.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das Material der epitaktischen Schicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Halbleiter aus Verbindungen von zwei Elementen, wie GaN, GaAs oder InN, Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen, wie GaAlAs, oder Halbleiter aus Verbindungen von vier Elementen, wie AlInGaP.In an embodiment of the invention comprises the material of the epitaxial layer for Example, but not exclusive, Semiconductors made of compounds of two elements, such as GaN, GaAs or InN, Semiconductors made of compounds of three elements, such as GaAlAs, or Semiconductors made of compounds of four elements, such as AlInGaP.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist eine verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht geringer als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode ist mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden.In an embodiment The invention is a remaining thickness of the removed epitaxial layer less than a thickness of a current distribution layer of the epitaxial Layer and the second electrode is connected to the current distribution layer connected to the epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht p-leitend, umfasst die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is p-type the first electrode has an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungsschicht n-leitend, umfasst die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode.In an embodiment According to the invention, the current distribution layer is n-type the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode.

In einer Ausführungsform der Erfindung entspricht die Gesamtdicke der ersten Elektroden und der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und der entfernten epitaktischen Schicht.In an embodiment The invention relates to the total thickness of the first electrodes and the epitaxial layer of a total thickness of the second electrode and the removed epitaxial layer.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das hoch wärmleitende Substrat des Substrats zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Silizium oder Keramik.In an embodiment The invention comprises the high thermal conductivity Substrate of the substrate, for example, but not exclusively, silicon or ceramics.

In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das hochtransparente Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit aus der Schutzschicht zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, diamantartigen Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx).In one embodiment of the invention, the highly transparent, high thermal conductivity material of the protective layer comprises, for example, but not limited to, diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ), or silicon nitride (SiN x ).

Dementsprechend wird in der LED-Vorrichtung der voliegenden Erfindung die Effizienz der Wärmeleitung verbessert und die Strukturstärke der LED-Vorrichtung beibehalten, da das Substrat der herkömmlichen LED durch das Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, das auf der anderen Seite der epitaktischen Schicht angebracht ist, ersetzt wird. Zusätzlich ist die Lichtübertragung der Oberfläche der LED-Vorrichtung ausgezeichnet und damit ist auch die Effizienz der Lichtemission der LED-Vorrichtung ausgezeichnet, da die hochtransparente Schutzschicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit vorgesehen ist. Außerdem muss die Oberfläche der LED-Vorrichtung der Erfindung nicht poliert werden. Dementsprechend sieht die vorliegende Erfindung eine LED-Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung mit hoher Effizienz der Lichtemission, hoher Effizienz der Wärmeleitung, niedrigen Kosten, einfachem Prozess und hohem Ertrag vor.Accordingly, in the LED device of the present invention, the efficiency of the heat conduction is improved and the structural strength of the LED device is maintained since the substrate of the LED device conventional LED is replaced by the substrate with high thermal conductivity, which is mounted on the other side of the epitaxial layer. In addition, the light transmission of the surface of the LED device is excellent, and hence the efficiency of the light emission of the LED device is also excellent because the highly transparent protective layer having high heat conductivity is provided. In addition, the surface of the LED device of the invention need not be polished. Accordingly, the present invention provides an LED device and a method of manufacturing the same with high efficiency of light emission, high efficiency of heat conduction, low cost, easy process and high yield.

Es ist zu beachten, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung und die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und dafür vorgesehen sind, weitere Erläuterungen zu der Erfindung, wie in den Ansprüchen dargelegt, zu bieten.It It should be noted that both the preceding general description and the following detailed description by way of example and intended are, further explanations to provide the invention as set forth in the claims.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENSHORT DESCRIPTION THE DRAWINGS

Die begleitenden Zeichnungen sind zum Zwecke des besseren Verständnisses der Erfindung eingefügt und sind in diese Spezifikation inkorporiert und stellen einen Teil von ihr dar. Die folgenden Zeichnungen zeigen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Grundlagen der Erfindung zu erläutern.The accompanying drawings are for the purpose of better understanding inserted the invention and are incorporated into this specification and make up a part from her. The following drawings show embodiments of the invention and together with the description to serve the To explain the principles of the invention.

1A bis 1B sind Querschnitte, die schematisch einen Prozess zur Herstellung einer herkömmlichen LED-Vorrichtung darstellen. 1A to 1B Fig. 15 are cross sections schematically illustrating a process for manufacturing a conventional LED device.

2A bis 2G sind Querschnitte, die schematisch ein Flussdiagramm für die Herstellung einer LED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. 2A to 2G 12 are cross-sectional views schematically illustrating a flowchart for manufacturing an LED device according to an embodiment of the present invention.

3A bis 3E sind Querschnitte, die schematisch ein Flussdiagramm für die Herstellung einer LED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. 3A to 3E 12 are cross-sectional views schematically illustrating a flowchart for manufacturing an LED device according to an embodiment of the present invention.

BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMENDESCRIPTION THE PREFERRED EMBODIMENTS

Die vorliegende Erfindung wird nun im Folgenden unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen, die bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, genauer beschrieben werden. Diese Erfindung kann jedoch viele verschiedene Ausführungen finden und sollte nicht als auf die hier dargestellten Ausführungsformen beschränkt verstanden werden, sondern vielmehr sind diese Ausführungsformen vorgesehen, damit diese Offenbarung detailliert und vollständig ist und den Schutzumfang der Erfindung dem Fachmann vollständig vermittelt. Gleiche Zeichen beziehen sich durchwegs auf gleiche Elemente.The The present invention will now be described below with reference to FIG the accompanying drawings, the preferred embodiments of Invention will be described in more detail. This invention can but many different designs and should not be considered as an embodiment of the present invention limited but these embodiments are rather in order for this disclosure to be detailed and complete and fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. The same signs refer to the same elements throughout.

2A bis 2G sind Querschnitte, die schematisch ein Flussdiagramm für die Herstellung einer LED-Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen. Unter Bezugnahme auf 2A ist erstens ein erstes Substrat 202 vorgesehen. In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das erste Substrat 202 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumkarbidsubstrat (SiC). 2A to 2G 12 are cross-sectional views schematically illustrating a flowchart for manufacturing an LED device according to an embodiment of the present invention. With reference to 2A First, it is a first substrate 202 intended. In one embodiment of the invention, the first substrate comprises 202 for example, but not limited to, gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ), or silicon carbide substrate (SiC).

Zusätzlich ist das erste Substrat 202 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, transparent oder nicht transparent. Daraufhin wird eine epitaktische Schicht 204 auf dem ersten Substrat 202 gebildet. In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst die epitaktische Schicht 204 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Halbleiter aus Verbindungen von zwei Elementen, wie GaN, GaAs oder InN, Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen, wie GaAlAs, oder Halbleiter aus Verbindungen von vier Elementen, wie AlInGaP.In addition, the first substrate 202 for example, but not exclusively, transparent or not transparent. Then an epitaxial layer becomes 204 on the first substrate 202 educated. In one embodiment of the invention, the epitaxial layer comprises 204 for example, but not limited to, semiconductors made of compounds of two elements such as GaN, GaAs or InN, semiconductors of compounds of three elements such as GaAlAs, or semiconductors of compounds of four elements such as AlInGaP.

Als nächstes wird unter Bezugnahme auf 2B ein Verbindungssubstrat 206 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, durch Verwendung eines Wärmepressverfahrens über der epitaktischen Schicht 204 durch eine Klebeschicht 208 aufgebracht. In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Temperaturbereich für das Wärmepressverfahren zum Beispiel in einem Bereich von ungefähr 200°C bis ungefähr 250°C liegen. Das Verbindungssubstrat 206 umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Glas, Siliziumsubstrat oder Aluminiumoxidsubstrat (Al2O3). Es ist anzumerken, dass das Verbindungssubstrat 206 lediglich zur Unterstützung der epitaktischen Schicht 204 und des ersten Substrats 202 vorgesehen ist, um Schaden oder Bruch zu verhindern. Deshalb werden das Verbindungssubstrat 206 und die Klebeschicht 208 in den späteren Verfahrensschritten entfernt werden. Dadurch können das Verbindungssubstrat 206 und die Klebeschicht 208 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, aus kostengünstigem, transparentem oder nicht transparentem Material bestehen. In der herkömmlichen LED-Vorrichtung müssen das Verbindungssubstrat 206 und die Klebeschicht 208 jedoch transparent sein und sind teuer.Next, referring to 2 B a compound substrate 206 for example, but not exclusively, by using a heat press process over the epitaxial layer 204 through an adhesive layer 208 applied. For example, in an embodiment of the present invention, the temperature range for the heat press method may be in a range of about 200 ° C to about 250 ° C. The connection substrate 206 For example, but not exclusively, glass, silicon substrate or alumina substrate (Al 2 O 3 ). It should be noted that the bonding substrate 206 just to support the epitaxial layer 204 and the first substrate 202 is intended to prevent damage or breakage. Therefore, the compound substrate becomes 206 and the adhesive layer 208 be removed in the later process steps. This allows the connection substrate 206 and the adhesive layer 208 For example, but not exclusively, made of inexpensive, transparent or non-transparent material. In the conventional LED device, the connection substrate 206 and the adhesive layer 208 however, be transparent and are expensive.

Dann wird das erste Substrat 202 unter Bezugnahme auf 2C zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, durch Trockenätz- oder Nassätzverfahren entfernt, unter Verwendung von z.B. einem Excimer Laser. Als nächstes, unter Bezugnahme auf 2D, wird eine Elektrode 212 auf der epitaktischen Schicht 204 gebildet. Dann wird ein Teil der epitaktischen Schicht 204 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, durch ein Ätzverfahren entfernt, um so eine entfernte epitaktische Schicht 204a zu bilden. Es ist anzumerken, dass, wie in 2D gezeigt, die verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht 204a geringer ist als die Dicke der Stromverteilungsschicht 210 der epitaktischen Schicht 204. Deshalb wird eine weitere Elektrode 214 auf der entferneten epitaktischen Schicht 204a gebildet und mit der Stromverteilungsschicht 210 der epitaktischen Schicht 204 verbunden. In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungunsschicht 210 n-leitend/p-leitend, umfasst die Elektrode 212 eine n-leitende/p-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode 214 eine p-leitende/n-leitende ohmsche Kontaktelektrode. Deshalb sind zwei Elektroden 212 und 214 auf derselben Seite der epitaktischen Schicht 204 vorgesehen. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung entspricht die Gesamtdicke der Elektroden 212 und der epitaktischen Schicht 204 genau oder beinahe der Gesamtdicke der Elektrode 214 und der entfernten epitaktischen Schicht 204a.Then the first substrate 202 with reference to 2C for example, but not exclusively, removed by dry etching or wet etching, using, for example, an excimer laser. Next, with reference to 2D , becomes an electrode 212 on the epitaxial layer 204 educated. Then part of the epitaxial layer becomes 204 for example, but not exclusively, removed by an etching process, so as to remove a remote epitaxial layer 204a to build. It should be noted that, as in 2D shown, the remaining thickness of the removed epitaxial layer 204a is less than the thickness of the power distribution layer 210 the epitaxial layer 204 , That's why there will be another electrode 214 on the removed epitaxial layer 204a formed and with the power distribution layer 210 the epitaxial layer 204 connected. In one embodiment of the invention, the power distribution layer is 210 n-type / p-type, includes the electrode 212 an n-type / p-type ohmic contact electrode and includes the second electrode 214 a p-type / n-type ohmic contact electrode. That's why there are two electrodes 212 and 214 on the same side of the epitaxial layer 204 intended. In another embodiment of the invention, the total thickness of the electrodes corresponds 212 and the epitaxial layer 204 exactly or almost the total thickness of the electrode 214 and the removed epitaxial layer 204a ,

Dann werden unter Bezugnahme auf 2E die Elektroden 212 und 214 auf einem zweiten Substrat 216 befestigt. Das zweite Substrat 216 umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Das Material des Siliziumsubstrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst Silizium oder Keramik. Deshalb werden unter Bezugnahme auf 2F das Verbindungssubstrat 206 und die Klebeschicht 208 durch zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Ätzverfahren entfernt. Dann wird unter Bezugnahme auf 2F eine Schutzschicht 218 über der epitaktischen Schicht 204 durch zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Abscheideverfahren gebildet. Die Schutzschicht 218 umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich ein hochtransparentes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit, bestehend aus diamantartigem Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx). Dann wird das ganze zweite Substrat 216 geschnitten und in eine Vielzahl von Flip-Chip-LED-Chips 220 geteilt. Dementsprechend hat der LED-Chip 220 eine ausgezeichnete Effizienz der Lichtemission und hohe Effizienz der Wärmeleitung, da die lichtemittierende Schicht nur durch die hochtransparente Schutzschicht 218 mit hoher Wärmeleitfähigkeit bedeckt ist. Zusätzlich wird die Strukturstärke des LED-Chips 220 beibehalten, da das Substrat des herkömmlichen LED-Chips durch das zweite Substrat 216 mit hoher Wärmeleitfähigkeit ersetzt wird. In einer Ausführungsform der Erfindung sind der LED-Chip 220 und das Herstellungsverfahren, das in 2A bis 2G dargestellt wird, zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, für Rotlicht/Gelblicht LED-Vorrichtungen mit einem Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen/vier Elementen vorgesehen.Then, referring to 2E the electrodes 212 and 214 on a second substrate 216 attached. The second substrate 216 For example, but not exclusively, it includes a substrate with high thermal conductivity. The material of the high thermal conductivity silicon substrate includes silicon or ceramic. Therefore, with reference to 2F the compound substrate 206 and the adhesive layer 208 by, for example but not exclusively, removing an etching process. Then, referring to 2F a protective layer 218 over the epitaxial layer 204 formed by, for example but not exclusively, a deposition process. The protective layer 218 For example, but not exclusively, includes a highly transparent high thermal conductivity material consisting of diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ), or silicon nitride (SiN x ). Then the whole second substrate becomes 216 cut and into a variety of flip-chip LED chips 220 divided. Accordingly, the LED chip has 220 excellent light emission efficiency and high thermal conduction efficiency, since the light-emitting layer only by the highly transparent protective layer 218 is covered with high thermal conductivity. In addition, the structural strength of the LED chip 220 maintained as the substrate of the conventional LED chip through the second substrate 216 is replaced with high thermal conductivity. In one embodiment of the invention, the LED chip 220 and the manufacturing process used in 2A to 2G is shown, for example, but not limited to, red light / yellow light LED devices with a three element / four element compound semiconductor.

Im Folgenden, ist eine weitere Ausführungsform für die Herstellung eines LED-Chips und einer LED-Vorrichtung der Erfindung vorgesehen. 3A bis 3E sind Querschnitte, die schematisch ein Flussdiagramm für die Herstellung einer LED-Vorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellen. Unter Bezugnahme auf 3A ist erstens ein erstes Substrat 302 vorgesehen. In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst das erste Substrat 302 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumkarbidsubstrat (SiC). Zusätzlich ist das erste Substrat 302 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, transparent oder nicht transparent. Daraufhin wird eine epitaktische Schicht 304 auf dem ersten Substrat 302 gebildet. In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst die epitaktische Schicht 304 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, Halbleiter aus Verbindungen von zwei Elementen, wie GaN, GaAs oder InN, Halbleiter aus Verbindungen von drei Elementen, wie GaAlAs, oder Halbleiter aus Verbindungen von vier Elementen, wie AlInGaP.In the following, another embodiment is provided for the manufacture of an LED chip and an LED device of the invention. 3A to 3E FIG. 15 are cross sections schematically illustrating a flowchart for manufacturing an LED device according to an embodiment of the present invention. FIG. With reference to 3A First, it is a first substrate 302 intended. In one embodiment of the invention, the first substrate comprises 302 for example, but not limited to, gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ), or silicon carbide substrate (SiC). In addition, the first substrate 302 for example, but not exclusively, transparent or not transparent. Then an epitaxial layer becomes 304 on the first substrate 302 educated. In one embodiment of the invention, the epitaxial layer comprises 304 for example, but not limited to, semiconductors made of compounds of two elements such as GaN, GaAs or InN, semiconductors of compounds of three elements such as GaAlAs, or semiconductors of compounds of four elements such as AlInGaP.

Dann, unter Bezugnahme auf 3B, wird eine Elektrode 312 auf der epitaktischen Schicht 304 gebildet. Dann wird ein Teil der epitaktischen Schicht 304 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, durch ein Ätzverfahren entfernt, um so eine entfernte epitaktische Schicht 304a zu bilden. Es ist anzumerken, dass, wie in 3B gezeigt, die verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht 304a geringer ist als die Dicke der Stromverteilungsschicht 310 der epitaktischen Schicht 304. Deshalb wird eine weitere Elektrode 314 auf der entferneten epitaktischen Schicht 304a gebildet und mit der Stromverteilungsschicht 310 der epitaktischen Schicht 304 verbunden. In einer Ausführungsform der Erfindung ist die Stromverteilungunsschicht 310 p-leitend/n-leitend, umfasst die Elektrode 312 eine n-leitende/p-leitende ohmsche Kontaktelektrode und umfasst die zweite Elektrode 314 eine p-leitende/n-leitende ohmsche Kontaktelektrode. Deshalb sind zwei Elektroden 312 und 314 auf derselben Seite der epitaktischen Schicht 304 vorgesehen. In einer anderen Ausführungsform der Erfindung entspricht die Gesamtdicke der Elektroden 312 und der epitaktischen Schicht 304 genau oder beinahe der Gesamtdicke der Elektrode 314 und der entfernten epitaktischen Schicht 304a.Then, referring to 3B , becomes an electrode 312 on the epitaxial layer 304 educated. Then part of the epitaxial layer becomes 304 for example, but not exclusively, removed by an etching process, such as a remote epitaxial layer 304a to build. It should be noted that, as in 3B shown, the remaining thickness of the removed epitaxial layer 304a is less than the thickness of the power distribution layer 310 the epitaxial layer 304 , That's why there will be another electrode 314 on the removed epitaxial layer 304a formed and with the power distribution layer 310 the epitaxial layer 304 connected. In one embodiment of the invention, the power distribution layer is 310 p-type / n-type, includes the electrode 312 an n-type / p-type ohmic contact electrode and includes the second electrode 314 a p-type / n-type ohmic contact electrode. That's why there are two electrodes 312 and 314 on the same side of the epitaxial layer 304 intended. In another embodiment of the invention, the total thickness of the electrodes corresponds 312 and the epitaxial layer 304 exactly or almost the total thickness of the electrode 314 and the removed epitaxial layer 304a ,

Dann werden unter Bezugnahme auf 3C die Elektroden 312 und 314 auf einem zweiten Substrat 316 befestigt. Das zweite Substrat 316 umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit. Das Material des Siliziumsubstrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst Silizium oder Keramik. Deshalb wird unter Bezugnahme auf 3D das erste Substrat 302 durch zum Beispiel aber nicht ausschließlich, Trockenätzverfahren, z.B. unter Verwendung eines Excimer Laser, entfernt. Dann wird unter Bezugnahme auf 3E eine Schutzschicht 318 über der epitaktischen Schicht 304 durch zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Abscheideverfahren gebildet. Die Schutzschicht 318 umfasst zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein hochtransparentes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit bestehend aus diamantartigem Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx). Dann wird das ganze zweite Substrat 316 geschnitten und in eine Vielzahl von Flip-Chip-LED-Chips 320 geteilt. Dementsprechend hat der LED-Chip 320 eine ausgezeichnete Effizienz der Lichtemission und hohe Effizienz der Wärmeleitung, da die lichtemittierende Schicht nur durch die hochtransparente Schutzschicht 318 mit hoher Wärmeleitfähigkeit bedeckt ist. Zusätzlich wird die Strukturstärke des LED-Chips 320 beibehalten, da das Substrat des herkömmlichen LED-Chips durch das zweite Substrat 316 mit hoher Wärmeleitfähigkeit ersetzt wird. In einer Ausführungsform der Erfindung sind der LED-Chip 320 und das Herstellungsverfahren, in 3A bis 3E gezeigt, zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, für eine LED-Vorrichtung mit Halbleitern aus Verbindungen von zwei Elementen, wie GaN, oder eine LED-Vorrichtung mit nitridenthaltenden Halbleitern zur Emission von blauem Licht oder grünem Licht vorgesehen.Then, referring to 3C the electrodes 312 and 314 on a second substrate 316 attached. The second substrate 316 For example, but not exclusively, it includes a substrate with high thermal conductivity. The material of the high thermal conductivity silicon substrate includes silicon or ceramic. Therefore, referring to 3D the first substrate 302 by, for example, but not limited to, dry etching, eg using an excimer laser. Then, referring to 3E a protective layer 318 over the epitaxial layer 304 formed by, for example but not exclusively, a deposition process. The protective layer 318 For example, but not exclusively, includes a highly transparent material having high thermal conductivity consisting of diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ). Then the whole second substrate becomes 316 cut and into a variety of flip-chip LED chips 320 divided. Accordingly, the LED chip has 320 excellent light emission efficiency and high thermal conduction efficiency, since the light-emitting layer only by the highly transparent protective layer 318 is covered with high thermal conductivity. In addition, the structural strength of the LED chip 320 maintained as the substrate of the conventional LED chip through the second substrate 316 is replaced with high thermal conductivity. In one embodiment of the invention, the LED chip 320 and the manufacturing process, in 3A to 3E for example, but not exclusively, for an LED device with semiconductors made of two-element compounds such as GaN, or an LED device with nitride-containing semiconductors for emitting blue light or green light.

In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann die Dicke der epitaktischen Schicht 304 in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm liegen und kann von dem Material der epitaktischen Schicht 304 abhängig sein. Zusätzlich kann die Dicke der epitaktischen Schicht 304 auch von dem entsprechenden Farbfilter davon abhängen, z.B. kann die Dicke der epitaktischen Schicht 304 für rotes Licht anders sein als diejenige für grünes Licht. Die Dicke der entfernten epitaktischen Schicht 304a kann in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 50 nm liegen und die Dicke der Elektroden 312 kann in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 200 nm liegen und die Dicke der Elektrode 314 kann in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis 200 nm liegen.In one embodiment of the present invention, the thickness of the epitaxial layer 304 in the range of about 100 nm to about 150 nm, and may be different from the material of the epitaxial layer 304 be dependent. In addition, the thickness of the epitaxial layer 304 also depend on the corresponding color filter thereof, for example, the thickness of the epitaxial layer 304 be different for red light than the one for green light. The thickness of the removed epitaxial layer 304a may range from about 30 nm to about 50 nm and the thickness of the electrodes 312 may be in a range of about 100 nm to 200 nm and the thickness of the electrode 314 may be in a range of about 100 nm to 200 nm.

Im Folgenden wird eine LED-Vorrichtung der Erfindung unter Bezugnahme auf 2G oder 3E beschrieben. Unter Bezugnahme auf 2G/3E umfasst die LED-Vorrichtung 220/320 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, das Substrat 216/316, die epitaktische Schicht 204/304, die Elektroden 212/312 und 214/314 und die Schutzschicht 218/318. Es ist anzumerken, dass das Substrat 216/316 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich, ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst und dass die Schutzschicht 218/318 zum Beispiel, aber nicht ausschließlich ein hochtransparentes Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst. Die Konfigurationen und Eigenschaften der Elemente der LED-Vorrichtung 220/320 sind in den obigen Ausführungsformen der Erfindung beschrieben und werden im Folgenden nicht mehr beschrieben werden.Hereinafter, an LED device of the invention will be described with reference to FIG 2G or 3E described. With reference to 2G / 3E includes the LED device 220 / 320 for example, but not exclusively, the substrate 216 / 316 , the epitaxial layer 204 / 304 , the electrodes 212 / 312 and 214 / 314 and the protective layer 218 / 318 , It should be noted that the substrate 216 / 316 For example, but not exclusively, a substrate with high thermal conductivity includes and that the protective layer 218 / 318 For example, but not exclusively, it includes a highly transparent substrate with high thermal conductivity. The configurations and properties of the elements of the LED device 220 / 320 are described in the above embodiments of the invention and will not be described below.

Dementsprechend ist in der LED-Vorrichtung der vorliegenden Erfindung die Effizienz der Wärmeleitung erhöht und die Strukturstärke der LED-Vorrichtung wird beibehalten, da das Substrat der herkömmlichen LED durch das Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit, das auf der anderen Seite der epitaktischen Schicht vorgesehen ist, ersetzt wird. Zusätzlich ist die Lichtübertragung der Oberfläche der LED-Vorrichtung ausgezeichnet und damit ist auch die Effizienz der Lichtemission der LED-Vorrichtung ausgezeichnet, da die hochtransparente Schutzschicht mit hoher Wärmeleitfähigkeit vorgesehen ist. Außerdem muss die Oberfläche der LED-Vorrichtung der Erfindung nicht poliert werden. Dementsprechend sieht die vorliegende Erfindung eine LED-Vorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung mit hoher Effizienz der Lichtemission, hoher Effizienz der Wärmeleitfähigkeit, nierigen Kosten, einfachem Verfahren und hohem Ertrag vor.Accordingly is the efficiency in the LED device of the present invention the heat conduction elevated and the structural strength the LED device is maintained because the substrate of the conventional LED through the substrate with high thermal conductivity, on the other Side of the epitaxial layer is provided, is replaced. In addition is the light transmission the surface the LED device is excellent and so is the efficiency the light emission of the LED device is excellent because the highly transparent Protective layer with high thermal conductivity is provided. Furthermore must be the surface the LED device of the invention are not polished. Accordingly The present invention provides an LED device and a method for their production with high efficiency of light emission, high Efficiency of thermal conductivity, low cost, easy process and high yield.

Dem Fachmann wird klar ersichtlich sein, dass zahlreiche Modifizierungen und Variationen der Struktur der vorliegenden Erfindung möglich sind, ohne dass von dem Schutzumfang oder Wesen der Erfindung abgewichen wird. Mit Hinblick auf das Vorangehende ist beabsichtigt, dass die vorliegende Erfindung Modifizierungen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, vorausgesetzt sie fallen in den Schutzumfang der folgenden Ansprüche und ihrer Äquivalente.the It will be apparent to those skilled in the art that numerous modifications and variations of the structure of the present invention are possible without that deviates from the scope or essence of the invention. In view of the foregoing, it is intended that the present Invention covers modifications and variations of this invention, provided they fall within the scope of the following claims and their equivalents.

Claims (48)

Ein Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Diode (LED), das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines ersten Substrats; Bilden einer epitaktischen Schicht auf dem ersten Substrat; Bilden eines Verbindungssubstrats über der epitaktischen Schicht durch Aufbringen einer Klebeschicht zwischen der epitaktischen Schicht und dem Verbindungssubstrat; Entfernen des ersten Substrats; Bilden einer ersten Elektrode auf der epitaktischen Schicht; Entfernen eines Teils der epitaktischen Schicht, um eine entfernte epitaktische Schicht zu bilden; Bilden einer zweiten Elektrode auf der entfernten epitaktischen Schicht; Bilden eines zweiten Substrats über der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode; Entfernen des Verbindungssubstrats und der Klebeschicht; und Bilden einer Schutzschicht über der epitaktischen Schicht.A manufacturing method of a light emitting diode (LED), comprising: Providing a first substrate; Form an epitaxial layer on the first substrate; Form a connection substrate via the epitaxial layer by applying an adhesive layer between the epitaxial layer and the interconnect substrate; Remove the first substrate; Forming a first electrode on the epitaxial layer; Removing part of the epitaxial Layer to form a remote epitaxial layer; Form a second electrode on the removed epitaxial layer; Form a second substrate over the first electrode and the second electrode; Remove the Bonding substrate and the adhesive layer; and Forming one Protective layer over the epitaxial layer. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das erste Substrat Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumcarbidsubstrat (SiC) umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the first substrate comprises gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ) or silicon carbide substrate (SiC). Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of two elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 3, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen GaN, GaAs oder InN umfasst.The manufacturing method according to claim 3, wherein the semiconductor comprising a compound of two elements GaN, GaAs or InN. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of three elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 5, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen GaAlAs umfasst.The manufacturing method according to claim 5, wherein the semiconductor comprising a compound of three elements GaAlAs. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of four elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 7, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen AlInGaP umfasst.The manufacturing method according to claim 7, wherein the semiconductor consisting of a compound of four elements AlInGaP. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das Verbindungssubstrat Glas, Siliziumsubstrat oder Aluminiumoxidsubstrat (Al2O3) umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the bonding substrate comprises glass, silicon substrate or alumina substrate (Al 2 O 3 ). Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das erste Substrat durch einen Trockenätzvorgang oder einen Nassätzvorgang entfernt wird.The manufacturing method according to claim 1, wherein the first Substrate by a dry etching or a wet etching process Will get removed. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei eine verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht geringer ist als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden ist.The manufacturing method according to claim 1, wherein a remaining one Thickness of the removed epitaxial layer is less than one Thickness of a current distribution layer of the epitaxial layer and the second electrode with the current distribution layer of the epitaxial Layer is connected. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Stromverteilungsschicht p-leitend ist, die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the power distribution layer p-type, the first electrode is an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Stromverteilungsschicht n-leitend ist, die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the power distribution layer n-type, the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei eine Gesamtdicke der ersten Elektroden und der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und der entfernten epitaktischen Schicht entspricht.The manufacturing method according to claim 1, wherein a total thickness the first electrode and the epitaxial layer of a total thickness corresponds to the second electrode and the removed epitaxial layer. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei das zweite Substrat ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the second Substrate comprises a substrate with high thermal conductivity. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 15, wobei ein Material des Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit Silizium oder Keramik umfasst.The manufacturing method according to claim 15, wherein a material of the substrate with high thermal conductivity Silicon or ceramic includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Schutzschicht ein hochtransparentes Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.The manufacturing method according to claim 1, wherein the protective layer a highly transparent substrate with high thermal conductivity. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 17, wobei ein Material des hochtransparenten Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit, diamantartigen Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx) umfasst.The manufacturing method according to claim 17, wherein a material of the highly transparent high thermal conductivity substrate comprises diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ). Ein Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Diode (LED), das Folgendes umfasst: Bereitstellen eines ersten Substrats; Bilden einer epitaktischen Schicht auf dem ersten Substrat; Bilden einer ersten Elektrode auf der epitaktischen Schicht; Entfernen eines Teils der epitaktischen Schicht, um eine entfernte epitaktische Schicht zu bilden; Bilden einer zweiten Elektrode auf der entfernten epitaktischen Schicht; Bilden eines zweiten Substrats über der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode; Entfernen des ersten Substrats; und Bilden einer Schutzschicht über der epitaktischen Schicht.A manufacturing method of a light emitting diode (LED), comprising: Providing a first substrate; Form an epitaxial layer on the first substrate; Form a first electrode on the epitaxial layer; Remove a part of the epitaxial layer to a distant epitaxial Layer to form; Forming a second electrode on the remote epitaxial layer; Forming a second substrate over the first electrode and the second electrode; Remove the first substrate; and Forming a protective layer over the epitaxial layer. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei das erste Substrat Galliumarsenid (GaAs), Aluminiumoxid (Al2O3) oder Siliziumcarbidsubstrat (SiC) umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein the first substrate comprises gallium arsenide (GaAs), alumina (Al 2 O 3 ) or silicon carbide substrate (SiC). Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of two elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 21, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen GaN, GaAs oder InN umfasst.The manufacturing method according to claim 21, wherein the semiconductor comprising a compound of two elements GaN, GaAs or InN. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of three elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 23, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen GaAlAs umfasst.The manufacturing method according to claim 23, wherein the semiconductor comprising a compound of three elements GaAlAs. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen umfasst.The production method according to claim 19, wherein a material of the epitaxial layer is ei NEN semiconductor comprises a compound of four elements. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 25, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen AlInGaP umfasst.The manufacturing method according to claim 25, wherein the semiconductor consisting of a compound of four elements AlInGaP. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei das erste Substrat durch einen Trockenätzvorgang entfernt wird.The manufacturing method according to claim 19, wherein the first Substrate by a dry etching Will get removed. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei eine verbleibende Dicke der entfernten epitaktischen Schicht geringer ist als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden ist.The manufacturing method according to claim 19, wherein a remaining one Thickness of the removed epitaxial layer is less than one Thickness of a current distribution layer of the epitaxial layer and the second electrode with the current distribution layer of the epitaxial Layer is connected. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei die Stromverteilungsschicht p-leitend ist, die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein the power distribution layer p-type, the first electrode is an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei die Stromverteilungsschicht n-leitend ist, die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein the power distribution layer n-type, the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei eine Gesamtdicke der ersten Elektroden und der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und der entfernten epitaktischen Schicht entspricht.The manufacturing method according to claim 19, wherein a total thickness the first electrode and the epitaxial layer of a total thickness corresponds to the second electrode and the removed epitaxial layer. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei das zweite Substrat ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein the second Substrate comprises a substrate with high thermal conductivity. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 32, wobei ein Material des Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit Silizium oder Keramik umfasst.The manufacturing method according to claim 32, wherein a material of the substrate with high thermal conductivity Silicon or ceramic includes. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 19, wobei die Schutzschicht ein hochtransparentes Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.The manufacturing method according to claim 19, wherein the protective layer a highly transparent substrate with high thermal conductivity. Das Herstellungsverfahren gemäß Anspruch 34, wobei ein Material des hochtransparenten Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit diamantartigen Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx) umfasst.The manufacturing method according to claim 34, wherein a material of the high-transparency high thermal conductivity substrate comprises diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ). Eine lichtemittierende Diodenvorrichtung (LED), die Folgendes umfasst: ein Substrat; eine epitaktische Schicht, aufgebracht auf dem Substrat; eine erste Elektrode, aufgebracht auf einem Teil der epitaktischen Schicht; eine zweite Elektrode, aufgebracht auf einem anderen Teil der epitaktischen Schicht; und eine Schutzschicht, aufgebracht über der epitaktischen Schicht; wobei das Substrat ein Substrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst und die Schutzschicht ein hochtransparentes Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit umfasst.A light emitting diode device (LED), which includes: a substrate; an epitaxial Layer applied on the substrate; a first electrode, deposited on a portion of the epitaxial layer; a second electrode applied on another part of the epitaxial Layer; and a protective layer applied over the epitaxial layer; wherein the substrate is a substrate with high thermal conductivity includes and the protective layer is a highly transparent material high thermal conductivity includes. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen umfasst.The LED device according to claim 36, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of two elements. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 37, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von zwei Elementen GaN, GaAs oder InN umfasst.The LED device of claim 37, wherein the semiconductor comprising a compound of two elements GaN, GaAs or InN. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen umfasst.The LED device according to claim 36, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of three elements. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 39, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von drei Elementen GaAlAs umfasst.The LED device of claim 39, wherein the semiconductor comprising a compound of three elements GaAlAs. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei ein Material der epitaktischen Schicht einen Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen umfasst.The LED device according to claim 36, wherein a material the epitaxial layer is a compound semiconductor of four elements. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 41, wobei der Halbleiter aus einer Verbindung von vier Elementen AlInGaP umfasst.The LED device of claim 41, wherein the semiconductor consisting of a compound of four elements AlInGaP. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei eine Dicke des anderen Teils der epitaktischen Schicht geringer ist als eine Dicke einer Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht und die zweite Elektrode mit der Stromverteilungsschicht der epitaktischen Schicht verbunden ist.The LED device of claim 36, wherein a thickness the other part of the epitaxial layer is less than one Thickness of a current distribution layer of the epitaxial layer and the second electrode with the current distribution layer of the epitaxial Layer is connected. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei die Stromverteilungsschicht p-leitend ist, die erste Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The LED device of claim 36, wherein the power distribution layer p-type, the first electrode is an n-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises a p-type ohmic contact electrode includes. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei die Stromverteilungsschicht n-leitend ist, die erste Elektrode eine p-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst und die zweite Elektrode eine n-leitende ohmsche Kontaktelektrode umfasst.The LED device of claim 36, wherein the power distribution layer n-type, the first electrode is a p-type ohmic contact electrode and the second electrode comprises an n-type ohmic contact electrode includes. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei eine Gesamtdicke der ersten Elektroden und des Teils der epitaktischen Schicht einer Gesamtdicke der zweiten Elektrode und des anderen Teils der epitaktischen Schicht entspricht.The LED device of claim 36, wherein a total thickness of the first electrodes and the portion of the epitaxial layer is one of a total thickness of the second electrode and the other portion of the second electrode epitaxial layer corresponds. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei ein Material des Substrats mit hoher Wärmeleitfähigkeit Silizium oder Keramik umfasst.The LED device according to claim 36, wherein a material of the substrate with high thermal conductivity Silicon or ceramic includes. Die LED-Vorrichtung gemäß Anspruch 36, wobei ein Material des hochtransparenten Materials mit hoher Wärmeleitfähigkeit diamantartigen Kohlenstoff (DLC), Siliziumoxid (SiO2) oder Siliziumnitrid (SiNx) umfasst.The LED device according to claim 36, wherein a material of the high-transparency material having high thermal conductivity comprises diamond-like carbon (DLC), silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiN x ).
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