DE102005024634A1 - Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung sowie Verfahren zum Schutz eines Halbleiterschaltelements und einer Steuerschaltung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement (1) und eine Steuerschaltung (2) und ein Verfahren zu deren Schutz beschrieben, wobei das Halbleiterschaltelement (1) einen ersten Lastanschluss (3) zum Anlegen einer ersten, hohen Spannung, einen zweiten Lastanschluss (5) zum Anlegen eines Bezugspotentials und einen Steueranschluss (4) aufweist, der mit einem Ausgang (7) der Steuerschaltung (2) gekoppelt ist, die einen Versorgungspotentialanschluss (6) zum Anlegen einer zweiten, niedrigen Spannung aufweist. Erfindungsgemäß weist die Schutzschaltung ein steuerbares Schaltelement (11) auf, das zwischen dem Steueranschluss (4) und dem zweiten Lastanschluss (5) des Halbleiterschaltelements (1) verschaltet ist. Ferner ist eine das Schaltelement (11) steuernde Überwachungsschaltung (12) vorgesehen, der die zweite Spannung als Steuergröße zuführbar ist, wobei die Überwachungsschaltung (12) dazu ausgebildet ist, den Betriebszustand des Schaltelements (11) in Abhängigkeit der Höhe der zweiten Spannung zu steuern.
Description
- Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung sowie Verfahren zum Schutz eines Halbleiterschaltelements und einer Steuerschaltung
- Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung, wobei das Halbleiterschaltelement einen ersten Lastanschluss zum Anlegen einer ersten, hohen Spannung, einen zweiten Lastanschluss zum Anlegen eines Bezugspotentials und einen Steueranschluss aufweist, der mit einem Ausgang der Steuerschaltung gekoppelt ist, die einen Versorgungspotentialanschluss zum Anlegen einer zweiten, niedrigen Spannung aufweist.
- Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zum Schutz eines Halbleiterschaltelements und einer Steuerschaltung, wobei das Halbleiterschaltelement einen ersten Lastanschluss zum Anlegen einer ersten, hohen Spannung, einen zweiten Lastanschluss zum Anlegen eines Bezugspotentials und einen Steueranschluss aufweist, der mit einem Ausgang der Steuerschaltung gekoppelt ist, die einen ersten Versorgungspotentialanschluss zum Anlegen einer zweiten, niedrigen Versorgungsspannung aufweist.
- Die zur Ansteuerung des Halbleiterschaltelements verwendeten Steuerschaltungen liegen üblicherweise in der Form integrierter Schaltkreise vor. Bei dem Halbleiterschaltelement kann es sich beispielsweise um ein Leistungshalbleiterschaltelement, wie z.B. einen IGBT oder einen MOSFET handeln. An dessen ersten Lastanschluss wird eine hohe Spannung, z.B. 400 V, angelegt. Zum Betreiben der Steuerschaltung wird hingegen eine sehr viel niedrigere Spannung, z.B. 13 V, benötigt. Bei einer derartigen Anordnung können undefinierte Zustände des Steueranschlusses, verursacht durch eine nicht definierte Ansteuerung des Halbleiterschaltelements durch die Steuerschaltung, auftreten, so dass hierdurch sowohl das Halbleiterschaltele ment als auch die Steuerschaltung selbst zerstört werden können.
- Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, die aus dem Stand der Technik bekannten Nachteile zu vermeiden.
- Diese Aufgabe wird durch eine Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 sowie mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 9 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen.
- Die erfindungsgemäße Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung der oben beschriebenen Art weist ein steuerbares Schaltelement, das zwischen dem Steueranschluss und dem zweiten Lastanschluss des Halbleiterschaltelements verschaltet ist, und eine das Schaltelement steuernde Überwachungsschaltung auf, der die zweite Spannung als Steuergröße zuführbar ist, wobei die Überwachungsschaltung dazu ausgebildet ist, den Betriebszustand des Schaltelements in Abhängigkeit der Höhe der zweiten Spannung zu steuern.
- Die Zerstörung des Halbleiterschaltelements und der Steuerschaltung wird dadurch verhindert, dass ein sicherer Betriebszustand des Halbleiterschaltelements herbeigeführt wird, indem dessen Steueranschluss mit einem Bezugspotential verbunden wird. Diese Verbindung erfolgt dabei in Abhängigkeit der an dem Versorgungspotentialanschluss der Steuerschaltung anliegenden zweiten, niedrigen Spannung.
- Der Erfindung liegt hierbei der Gedanke zugrunde, dass ein eindeutiges Signal an dem Ausgang der Steuerschaltung erst dann gewährleistet ist, wenn die Steuerschaltung mit ihrer Nennspannung am Versorgungspotentialanschluss beaufschlagt ist. Dabei wird eine Abweichung innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbandes um die Nennspannung für das bestimmungsgemäße Funktionieren der Steuerschaltung toleriert. Die erfindungs gemäße Schutzschaltung verhindert damit insbesondere beim Ein- oder Ausschalten der Schaltungsanordnung, bei dem die Spannung an dem Versorgungspotentialanschluss stark schwanken kann, das Auftreten von undefinierten Zuständen des Steueranschlusses des Halbleiterschaltelements. Diese undefinierten Zustände werden dadurch begünstigt, dass in solchen Situationen der Ausgang der Steuerschaltung hochohmig geschaltet wird.
- Die Überwachungsschaltung ist dazu ausgebildet, das Schaltelement in einen leitenden Zustand zu verbringen bzw. zu halten, solange die zweite Spannung einen vorgegebenen Spannungswert nicht übersteigt und das Schaltelement in einen nicht leitenden Zustand zu verbringen bzw. zu halten, sobald die zweite Spannung den vorgegebenen Spannungswert überschreitet. In der Überwachungsschaltung kann damit eingestellt werden, wann, d.h. bei welchem Spannungswert an dem Versorgungspotentialanschluss, das zwischen dem Steueranschluss und dem zweiten Lastanschluss des Halbleiterschaltelements verschaltete Schaltelement von seinem nicht leitenden in seinen leitenden Zustand übergehen soll. Der vorgegebene Spannungswert kann fest voreingestellt sein. Die Überwachungsschaltung kann jedoch auch derart aufgebaut sein, dass eine variable Einstellung dieses vorgegebenen Spannungswerts ermöglicht wird.
- Der vorgegebene Spannungswert wird bevorzugt kleiner als eine an dem Versorgungspotentialanschluss der Steuerschaltung anzulegende Nennspannung gewählt. Der vorgegebene Spannungswert liegt dabei in einem Bereich, in welchem sichergestellt ist, dass bei dessen Überschreiten eine bestimmungsgemäße Funktion der Steuerschaltung, insbesondere definierte Zustände an dessen Ausgang, gewährleistet sind. Nur dann können Zustände des Halbleiterschaltelements vermieden werden, die eine Zerstörung des Halbleiterschaltelements selbst und infolgedessen der Steuerschaltung oder zugehöriger Komponenten nach sich ziehen können.
- Die Steuerschaltung ist bevorzugt als integrierter Baustein ausgebildet, während die das Schaltelement steuernde Überwachungsschaltung mit diskreten Bauelementen ausgebildet ist. Eine derartige Aufteilung weist den Vorteil auf, dass die zum Ansteuern des Halbleiterschaltelements herangezogene Steuerschaltung prinzipiell beliebiger Natur, z.B. von unterschiedlichen Herstellern, sein kann. Insbesondere muss nicht auf solche integrierte Steuerschaltungen zurückgegriffen werden, welche bereits eine Schutzbeschaltung aufweisen. Die gewählte Aufteilung ermöglicht damit eine besonders große Flexibilität bei dem Entwurf und der Gestaltung von Ansteuerungen für Halbleiterschaltelemente.
- In einer Variante der Erfindung weist die Überwachungsschaltung ein Mittel zum Leitendschalten des Schaltelements auf. Ferner weist die Überwachungsschaltung ein Mittel zum Sperren des Schaltelements auf, das bei einem Überschreiben des vorgegebenen Spannungswerts das Mittel zum Leitendschalten deaktivieren kann. Die Überwachungsschaltung kann gemäß dieser Ausgestaltung mit spannungs- bzw. stromgesteuerten Schaltelementen aufgebaut werden, welche die an dem Versorgungspotentialanschluss anliegende Spannung unmittelbar zur Ansteuerung des Schaltelements heranziehen.
- Alternativ kann die Überwachungsschaltung auch dazu ausgebildet sein, einen Soll-/Istwert-Vergleich durchzuführen, wobei der Istwert die an dem Versorgungspotentialanschluss anliegende Spannung und der Sollwert der vorgegebene Spannungswert sind. Die Überwachungsschaltung kann damit beispielsweise durch eine Komparatorschaltung oder eine Operationsverstärkerschaltung gebildet sein.
- Das erfindungsgemäße Verfahren weist die gleichen Vorteile auf, wie sie vorstehend in Verbindung mit der erfindungsgemäßen Schutzschaltung beschrieben wurden.
- Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Schutz eines Halbleiterschaltelements und einer Steuerschaltung wird die Höhe der an dem Versorgungspotentialanschluss der Steuerschaltung anliegenden zweiten Spannung überwacht und in Abhängigkeit der Höhe der an dem Versorgungspotentialanschluss anliegenden Spannung der Steueranschluss des Halbleiterschaltelements mit dessen zweiten Lastanschluss zur Vermeidung eines undefinierten Zustands des Halbleiterschaltelements verbunden. Die Verbindung bzw. der Kurzschluss zwischen dem Steueranschluss und dem zweiten mit Bezugspotential verbundenen Lastanschluss wird gemäß der Erfindung zumindest solange aufrechterhalten, bis die Steuerschaltung an ihrem Ausgang ein definiertes Steuersignal für das Halbleiterschaltelement abgeben kann. Gemäß dem vorliegenden Verfahren wird somit mit anderen Worten eine Überwachung der am Versorgungspotentialanschluss anliegenden zweiten Spannung vorgenommen, ob bereits eine Nennspannung (innerhalb eines definierten Toleranzbereiches) anliegt oder nicht.
- Hierzu wird der Steueranschluss des Halbleiterschaltelements mit dessen zweitem Lastanschluss verbunden, solange die an dem Versorgungspotentialanschluss der Steuerschaltung anliegende Spannung einen vorgegebenen Spannungswert nicht überstiegen hat.
- Ferner wird nach einem Übersteigen des vorgegebenen Spannungswerts der an dem Versorgungspotentialanschluss anliegenden Spannung, mit der ein bestimmungsgemäßer Betrieb der Steuerschaltung sichergestellt ist, die Verbindung zwischen dem Steueranschluss des Halbleiterschaltelements mit dessen zweiten Lastanschluss aufgetrennt.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels in der Figur näher beschrieben.
- Die einzige Figur zeigt eine Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement und eine Steuerschaltung.
- Ein Halbleiterschaltelement
1 , z.B. ein MOSFET oder ein IGBT, weist einen ersten Lastanschluss3 , einen Steueranschluss4 und einen zweiten Lastanschluss5 auf. In bekannter Weise ist der erste Lastanschluss3 mit einer ersten, hohen Spannung VDD verbunden. Die Spannung VDD kann beispielsweise im Bereich von 400 V liegen. Der zweite Lastanschluss5 ist mit einem Bezugspotential GND, z.B. dem Massepotential, verbunden. Der Steueranschluss4 ist in bekannter Weise über einen Gatevorwiderstand22 mit einem Ausgang7 einer Steuerschaltung2 verbunden. - Die Steuerschaltung
2 liegt in Form eines integrierten Bausteins vor, wie er vorkonfektioniert von verschiedenen Herstellern bezogen werden kann. In ebenfalls bekannter Weise ist der Ausgang7 über einen Entladewiderstand23 mit dem Bezugspotential GND verbunden. Als Eingänge weist die Steuerschaltung2 in ebenfalls bekannter Weise einen Versorgungspotentialanschluss6 zum Anlegen einer Versorgungsspannung VCC, einen Steuereingang8 , einen weiteren Steuereingang9 sowie einen Bezugspotentialanschluss10 auf. Der Versorgungspotentialanschluss6 ist in ebenfalls bekannter Weise mit einem Stützkondensator25 beschaltet, welcher mit seinem anderen Anschluss mit dem Bezugspotential GND verbunden ist. - Beim Ein- oder Ausschalten dieser Anordnung wird der Ausgang
7 der Steuerschaltung2 normalerweise in einen hochohmigen Zustand versetzt, so dass sich der Steueranschluss des Halbleiterschaltelements1 kurzzeitig in einem nicht definierten Zustand befindet. Während dieser Zeit kann sich der Steueranschluss statisch aufladen, was zur Zerstörung des Halbleiterschaltelements1 und/oder der Steuerschaltung2 führen kann. Eine solche Zerstörung kann ebenfalls durch eine auf dem Steueranschluss4 vorhandene Restladung verursacht werden. - Zur Vermeidung undefinierter Zustände an dem Steueranschluss
4 des Halbleiterschaltelements1 sieht die Erfindung die Verschaltung eines Schaltelements11 zwischen dem Steueranschluss4 und dem mit Bezugspotential verbundenen Lastanschluss5 vor. Im Ausführungsbeispiel ist das Schaltelement11 in Form eines pnp-Bipolartransistors ausgeführt. Prinzi piell kann jedoch jedes steuerbare Schaltelement, z.B. ein MOSFET, verwendet werden. Zum Schutz des Bipolartransistors11 ist noch eine zwischen dem Steueranschluss4 und dem Emitter des Bipolartransistors11 verschaltete Diode13 vorgesehen, die die Sperrspannung UBE des Bipolartransistors11 aufnehmen kann. Wäre das Schaltelement11 beispielsweise in Form eines MOSFETs vorgesehen, so wäre diese Diode entbehrlich. - Die Aufgabe des Schaltelements
11 besteht darin, den Steueranschluss4 und den mit Bezugspotential verbundenen Lastanschluss5 zumindest solange kurzzuschließen, solange an dem Ausgang7 der Steuerschaltung2 kein definiertes Ausgangssignal anliegt. Dies ist immer dann der Fall, wenn der Ausgang7 in der Steuerschaltung2 hochohmig geschaltet ist. Ein solcher Zustand ist in der Steuerschaltung2 dann vorgesehen, solange an dem Versorgungspotentialanschluss6 noch nicht die Nennspannung VCC anliegt. - Die Steuerung des Schaltelements
11 erfolgt demgemäß in Abhängigkeit der an dem Versorgungspotentialanschluss6 anliegenden Spannung. Das Schalten des Schaltelements11 wird durch eine Überwachungsschaltung12 vorgenommen, welcher als Eingangsgröße die an dem Versorgungspotentialanschluss6 anliegende Spannung zugeführt wird. - Im vorliegenden Ausführungsbeispiel ist die Überwachungsschaltung
12 in Form einer diskreten Bipolartransistor-Kombination ausgebildet. Ein Schaltelement14 in Form eines npn-Bipolartransistors ist mit seinem Kollektor über einen Widerstand20 mit dem Versorgungspotentialanschluss6 verbunden. Der Emitter des Bipolartransistors14 ist mit Bezugspotential GND verbunden. Die Basis des Bipolartransistors14 ist mit dem Kollektor eines ebenfalls als npn-Bipolartransistor ausgebildeten Schaltelements15 verbunden. Der Kollektor des Schaltelements15 ist über einen Widerstand19 zur Einstellung des Kollektorstroms ebenfalls mit dem Versorgungspotentialanschluss6 verbunden. Der Emitter des Bipolartransistors15 ist mit Bezugspotential GND verbunden. Die Basis des Bipolartransistors15 ist mit dem Knotenpunkt einer Zenerdiode und eines Widerstandes17 verbunden. Der Widerstand17 ist mit seinem anderen Anschluss mit Bezugspotential GND verbunden. Der andere Anschluss der Zenerdiode16 ist über einen Widerstand18 zur Einstellung des Stroms durch die Zenerdiode mit dem Versorgungspotentialanschluss6 gekoppelt. Ferner ist ein Widerstand21 vorgesehen, der mit einem Anschluss mit dem Knotenpunkt des Widerstands18 und der Zenerdiode16 verbunden ist, und der mit seinem anderen Anschluss mit dem Kollektor des Bipolartransistors14 verbunden ist. Der Kollektor des Bipolartransistors14 bildet einen Ausgang24 der Überwachungsschaltung und ist mit der Basis des Bipolartransistors11 verbunden. Ferner weist der Ausgang24 eine Verbindung zu einem Steuereingang9 (enabling) auf, wobei diese Verbindung optional und nicht zwingend ist. Der Steuereingang9 dient der Freigabe der Steuerschaltung2 . - Solange sich die an dem Versorgungspotentialanschluss
6 anliegende Spannung unterhalb eines für die sichere Funktion der Steuerschaltung2 benötigten Spannungsbereichs befindet, fließt ein Basisstrom in den Bipolartransistor14 . Hierdurch wird der Bipolartransistor14 leitend geschaltet und verbindet den Basisanschluss des Bipolartransistors11 mit dem Bezugspotential GND, so dass bei Vorhandensein einer positiven Spannung am Steueranschluss4 gegenüber dem Lastanschluss5 der Bipolartransistor11 einschaltet und eine leitende Verbindung zwischen dem Steueranschluss4 und dem Lastanschluss5 des Halbleiterschaltelements1 herstellt. Unabhängig vom Zustand des Ausgangs7 der Steuerschaltung2 wird damit die Gatespannung am Steueranschluss4 des Halbleiterschaltelements1 auf ein Potential gebracht, welches kleiner als die Schwellspannung des Halbleiterschaltelements zum Einschalten ist. - Übersteigt die am Versorgungspotentialanschluss anliegende Spannung einen vorgegebenen Spannungswert, welcher durch die Zenerdiode
16 eingestellt wird, so fließt durch die Zenerdiode16 ein Basisstrom in den Bipolartransistor15 . Der Bipo lartransistor15 beginnt zu leiten, wodurch er den Basisstrom des Bipolartransistors14 übernimmt, welcher daraufhin abschaltet. Diese Abschaltung des Bipolartransistors14 bewirkt ein Sperren des Bipolartransistors11 , wodurch am Ausgang7 der Steuerschaltung2 anliegende Impulse an den Steueranschluss4 des Halbleiterschaltelements1 geleitet werden können. - Der vorgegebene Spannungswert der an dem Versorgungspotentialanschluss
6 anliegenden Spannung wird im wesentlichen durch die Zenerdiode16 bestimmt. Ein mehrfaches Umschalten an der Schaltschwelle von einem leitenden in einen nicht leitenden Zustand des Bipolartransistors11 wird durch das Vorsehen des Widerstandes21 verhindert, der einen Hysteresewiderstand darstellt und damit beim Übersteigen des vorgegebenen Spannungswertes den Basisstrom des Bipolartransistors15 vergrößert, indem er einen zusätzlichen Basisstromanteil des Bipolartransistors15 freigibt. Der Widerstand17 verhindert ein unbeabsichtigtes Einschalten des Bipolartransistors15 , indem er einen Spannungsabfall in Höhe einer Basis-Emitter-Spannung erzwingt, und macht die Überwachungsschaltung unempfindlicher und störsicher. Mit dem Widerstand18 wird der durch die Zenerdiode fließende Strom, welche den Punkt des Einschaltens des Bipolartransistors15 bestimmt, eingestellt. - Die Überwachungsschaltung
12 könnte in einer anderen, nicht dargestellten Variante als Komparator- oder Operationsverstärkerschaltung aufgebaut sein, welche einen Soll-/Istwert-Vergleich der tatsächlich an dem Versorgungspotentialanschluss6 anliegenden Spannung mit einem vorgegebenen Referenzspannungswert vornimmt und dementsprechend eine Ansteuerung des Schaltelements11 veranlassen. - Die Überwachungsschaltung
12 und das Schaltelement11 werden bevorzugt in Form diskreter Bauelemente zur Beschaltung der Steuerschaltung2 vorgesehen. Denkbar wäre auch, die Funktionselemente der Überwachungsschaltung12 und des Schaltelements11 in einer von der Steuerschaltung2 unterschiedlichen integrierten Schaltung anzuordnen. Die Trennung der Überwachungsschaltung und des Schaltelements11 von der Steuerschaltung2 weist den Vorteil auf, dass beliebig ausgestaltete Steuerschaltungen2 zum Ansteuern des Halbleiterschaltelements1 herangezogen werden können. Die Steuerschaltung muss dazu nicht mehr aus diskreten Bauelementen aufgebaut oder mit speziellen Schaltkreisen zum Schutz des Halbleiterschaltelements versehen sein.
Claims (11)
- Schutzschaltung für ein Halbleiterschaltelement (
1 ) und eine Steuerschaltung (2 ), wobei das Halbleiterschaltelement (1 ) einen ersten Lastanschluss (3 ) zum Anlegen einer ersten, hohen Spannung (VDD), einen zweiten Lastanschluss (5 ) zum Anlegen eines Bezugspotentials und einen Steueranschluss (4 ) aufweist, der mit einem Ausgang (7 ) der Steuerschaltung (2 ) gekoppelt ist, die einen Versorgungspotentialanschluss (6 ) zum Anlegen einer zweiten, niedrigen Spannung aufweist, wobei die Schutzschaltung aufweist: – ein steuerbares Schaltelement (11 ), das zwischen dem Steueranschluss (4 ) und dem zweiten Lastanschluss (5 ) des Halbleiterschaltelements (1 ) verschaltet ist, und – eine das Schaltelement (11 ) steuernde Überwachungsschaltung (12 ), der die zweite Spannung als Steuergröße zuführbar ist, wobei die Überwachungsschaltung (12 ) dazu ausgebildet ist, den Betriebszustand des Schaltelements (11 ) in Abhängigkeit der Höhe der zweiten Spannung zu steuern. - Schutzschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungsschaltung (
12 ) dazu ausgebildet ist, – das Schaltelement (11 ) in einen leitenden Zustand zu verbringen bzw. zu halten, solange die zweite Spannung einen vorgegebenen Spannungswert nicht übersteigt, und – das Schaltelement (11 ) in einen nicht leitenden Zustand zu verbringen bzw. zu halten, sobald die zweite Spannung den vorgegebenen Spannungswert überschreitet. - Schutzschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der vorgegebene Spannungswert kleiner als eine an dem Versorgungspotentialanschluss (
6 ) der Steuerschaltung (2 ) anzulegende Nennspannung (VCC) ist. - Schutzschaltung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Steuerschaltung (
2 ) als integrierter Baustein ausgebildet ist. - Schutzschaltung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die das Schaltelement (
11 ) steuernde Überwachungsschaltung (12 ) mit diskreten Bauelementen ausgebildet ist. - Schutzschaltung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungsschaltung (
12 ) ein Mittel (10 ,20 ) zum Leitendschalten des Schaltelements (11 ) aufweist. - Schutzschaltung nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungsschaltung (
12 ) ein Mittel (15 ,16 ,17 ,18 ,19 ) zum Sperren des Schaltelements (11 ) aufweist, das bei einem Überschreiten des vorgegebenen Spannungswerts das Mittel (10 ,20 ) zum Leitendschalten deaktivieren kann. - Schutzschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Überwachungsschaltung (
12 ) dazu ausgebildet ist, einen Soll-/Istwert-Vergleich durchzuführen, wobei der Istwert die an dem Versorgungspotentialanschluss (6 ) anliegende Spannung und der Sollwert der vorgegebene Spannungswert ist. - Verfahren zum Schutz eines Halbleiterschaltelements (
1 ) und einer Steuerschaltung (2 ), wobei das Halbleiterschaltelement (1 ) einen ersten Lastanschluss (3 ) zum Anlegen einer ersten, hohen Spannung (VDD), einen zweiten Lastanschluss (5 ) zum Anlegen eines Bezugspotentials und einen Steueranschluss (4 ) aufweist, der mit einem Ausgang (7 ) der Steuerschaltung (2 ) gekoppelt ist, die einen ersten Versorgungspotentialanschluss (6 ) zum Anlegen einer zweiten, niedrigen Versorgungsspannung aufweist, bei dem – die Höhe der an dem Versorgungspotentialanschluss (6 ) der Steuerschaltung (2 ) anliegenden zweiten Spannung überwacht wird, und – in Abhängigkeit der Höhe der an dem Versorgungspotentialanschluss (6 ) anliegenden Spannung der Steueranschluss (4 ) des Halbleiterschaltelements (1 ) mit dessen zweiten Lastanschluss (5 ) zur Vermeidung eines undefinierten Zustands des Halbleiterschaltelements (1 ) verbunden wird. - Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Steueranschluss (
4 ) des Halbleiterschaltelements (1 ) mit dessen zweiten Lastanschluss (5 ) verbunden wird, solange die an dem Versorgungspotentialanschluss (6 ) der Steuerschaltung (2 ) anliegende Spannung einen vorgegebenen Spannungswert nicht überstiegen hat. - Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass nach einem Übersteigen des vorgegebenen Spannungswerts der an dem Versorgungspotentialanschluss (
6 ) anliegenden Spannung, mit der ein bestimmungsgemäßer Betrieb der Steuerschaltung (2 ) sichergestellt ist, die Verbindung zwischen dem Steueranschluss (4 ) des Halbleiterschaltelements (1 ) mit dessen zweiten Lastanschluss (5 ) aufgetrennt wird.
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- 2005-05-30 DE DE200510024634 patent/DE102005024634A1/de not_active Ceased
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