DE102005023479A1 - Thyristor mit Zündstufenstruktur - Google Patents
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Abstract
Description
- Die Erfindung betrifft einen Thyristor, vorzugsweise einen Thyristor mit Zündstufenstruktur (Amplifying Gate Struktur). Derartige Thyristoren mit Zündstufenstruktur weisen im Zentrum des Thyristors eine oder mehrere Zündstufen auf.
- Durch geeignete konstruktive Maßnahmen lässt sich bei einem Thyristor erreichen, dass bei dessen Zündung der Ort des ersten Spannungsdurchbruchs auf eine vorgegebene Stelle, beispielsweise eine Durchbruchsdiode, festgelegt ist.
- Die Zündung breitet sich dann ausgehend vom Ort des ersten Spannungsdurchbruchs zum Rand des Thyristors hin aus. Bei vorhandener Zündstufenstruktur ist das Zündverhalten des Thyristors vor allem durch eine oder mehrere in Zündausbreitungsrichtung aufeinanderfolgend angeordnete Zündstufen bestimmt. Im Fall mehrerer Zündstufen breitet sich die Zündung zunächst über eine erste Zündstufe und nachfolgend über alle weiteren Zündstufen von Zündstufe zu Zündstufe aus, bis zuletzt der Hauptthyristor erreicht ist und zündet.
- Die Zündung aufeinanderfolgender Zündstufen erfolgt zeitlich verzögert. Dabei kann es bei einer hohen Anstiegsgeschwindigkeit des Zündstroms zu einem Ausfall insbesondere der ersten Zündstufe kommen, wenn die nachfolgende Zündstufe den Strom nicht rechtzeitig übernimmt, so dass an der ersten Zündstufe eine erhöhte Stromdichte auftritt. Dies bewirkt eine starke Aufheizung des Halbleiters, was zu einer lokalen Aufschmelzung im Bereich der ersten Zündstufe führen kann. Derartige Probleme treten vor allem dann auf, wenn der Thyristor bei einer hohen anliegenden Spannung gezündet wird, da dann die Anstiegsgeschwindigkeit des Zündstroms besonders hoch ist.
- Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Thyristor mit Zündstufenstruktur so auszugestalten, dass es auch bei einer hohen Stromanstiegsgeschwindigkeit des Zündstroms nicht zu einer Zerstörung des Thyristors im Bereich der ersten Zündstufe kommt.
- Diese Aufgabe wird durch Thyristoren gemäß Anspruch 1 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
- Bei einem erfindungsgemäßen Thyristor ist der Verstärkungsfaktor des Teiltransistors, der aus der p-dotierten Basis, der n-dotierten Basis und dem p-dotierten Emitter gebildet ist, in einem Innenbereich des Thyristors durch geeignete Maßnahmen reduziert.
- Ein solcher Thyristor umfasst einen Halbleiterkörper, in dem in einer vertikalen Richtung aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter, eine n-dotierte Basis, eine p-dotierte Basis und ein n-dotierter Emitter angeordnet sind. Der Halbleiterkörper weist in einer zur vertikalen Richtung senkrechten lateralen Richtung aneinandergrenzend einen Innenbereich und einen Außenbereich auf. Der p-dotierte Emitter, die n-dotierte Basis und die p-dotierte Basis bilden einen Transistor mit einem von der lateralen Richtung abhängigen Verstärkungsfaktor. Dabei weist der Verstärkungsfaktor im Innenbereich einen Minimalwert auf, der kleiner ist als der Verstärkungsfaktor an jeder Stelle des Außenbereichs.
- Ein derartiger Thyristor kann über eine oder mehrere der nachfolgend genannten Maßnahmen realisiert werden.
- Eine erste solche Maßnahme sieht vor, die Dotierung des p-dotierten Emitters im Bereich der ersten Zündstufe lokal zu reduzieren.
- Eine zweite Maßnahme sieht eine Rekombinationszone vor, die in der n-dotierten Basis angeordnet ist. In einer derartigen Rekombinationszone ist die Dichte der Rekombinationszentren im Vergleich zu den an die Rekombinationszone angrenzenden Bereichen der n-dotierten Basis erhöht.
- Gemäß einer dritten Maßnahme, die bei Thyristoren mit einer Feldstoppzone einsetzbar ist, ist im Bereich der ersten Zündstufe die Dicke der Feldstoppzone in der vertikalen Richtung erhöht und/oder eine weitere Feldstoppzone vorzusehen.
- All diese Maßnahmen können in beliebiger Weise miteinander kombiniert werden, wobei zu beachten ist, dass sich die dritte Maßnahme auf Thyristoren bezieht, die eine Feldstoppzone aufweisen.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von bevorzugten Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren näher erläutert. In den Figuren zeigen:
-
1a –c einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines erfindungsgemäßen Thyristors, bei dem die Dotierung des p-dotierten Emitters im Bereich der ersten Zündstufe lokal reduziert ist, -
2a –b einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Thyristors, bei dem der p-dotierte Emitter im Innenbereich eine geringere Dicke aufweist als im Außenbereich, -
3 einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Thyristors, der im Bereich der ersten Zündstufe eine in der n-dotierten Basis angeordnete Rekombinationszone aufweist, -
4a einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Thyristors mit Feldstoppzone, die im Bereich der ersten Zündstufe eine erhöhte Dotierung aufweist, und -
4b einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Thyristors mit einer ersten Feldstoppzone und einer im Bereich der ersten Zündstufe angeordneten zweiten Feldstoppzone. -
1a zeigt einen Querschnitt durch einen Abschnitt eines Thyristors. Der Thyristor umfasst einen Halbleiterkörper1 mit einer Vorderseite11 und einer dieser gegenüberliegenden Rückseite12 . In dem Halbleiterkörper1 sind in einer vertikalen Richtung v ausgehend von der Rückseite12 aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter8 , eine n-dotierte Basis7 , eine p-dotierte Basis6 und ein n-dotierter Emitter5 angeordnet. Der n-dotierte Emitter5 ist üblicherweise mit hier nicht dargestellten Kathodenkurzschlüssen versehen. -
1a zeigt von dem Thyristor im Wesentlichen nur einen Zentralbereich, der sich in einer zur vertikalen Richtung v senkrechten lateralen Richtung r ausgehend von der Achse A-A' bis zum n-dotierten Emitter5 erstreckt. Von dem n-dotierten Emitter5 ist lediglich dessen dem Zentralbereich zugewandte Seite dargestellt. - In einer zur vertikalen Richtung v senkrechten lateralen Richtung r weist der Halbleiterkörper
1 aneinandergrenzend einen Innenbereich2 und einen Außenbereich3 auf. - Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform ist der Thyristor rotationssymmetrisch um eine vertikale Achse A-A'. Im Fall eines rotationssymmetrischen Thyristors wird die laterale Richtung r auch als radiale Richtung bezeichnet.
- An der Achse A-A' weist der Thyristor eine als Durchbruchdiode (Break Over Diode, BOD) ausgebildete Durchbruchstruktur
100 auf. Die Durchbruchdiode entsteht dadurch, dass sich ein Abschnitt71 der n-dotierten Basis7 weiter in Richtung der Vorderseite11 in die p-dotierte Basis6 hinein erstreckt als in den Bereichen außerhalb der Durchbruchstruktur100 . Hierdurch kommt es zu einer Krümmung des pn-Übergangs zwischen der p-dotierten Basis6 und der n-dotierten Basis7 sowohl auf der Achse A-A' zugewandten als auch auf der der Achse A-A' abgewandten Seite des Abschnitts71 . Dies hat zur Folge, dass die Durchbruchfeldstärke des Halbleiters im Bereich der Krümmungen zuerst erreicht wird, so dass der Ort des ersten Spannungsdurchbruchs des Thyristors auf die Durchbruchstruktur100 festgelegt ist. Die Zündung erfolgt also dann, wenn die am Thyristor anliegende Spannung so hoch ist, dass im Bereich der Durchbruchstruktur100 die Durchbruchfeldstärke des Halbleiters erreicht wird. - Eine weitere Möglichkeit zur Zündung des Thyristors besteht darin, im Bereich der Achse A-A' Licht auf die Vorderseite
11 des Halbleiterkörpers1 einzustrahlen. - Zwischen der Durchbruchstruktur
100 und dem n-dotierten Emitter5 ist eine Zündstufenstruktur angeordnet, die eine oder mehrere Zündstufen umfasst. Jede dieser Zündstufen weist einen n-dotierten Bereich auf, der sich ausgehend von der Vorderseite11 des Halbleiterkörpers1 in Richtung der n-dotierten Basis7 vorzugsweise ebenso weit in die p-dotierte Basis6 hinein erstreckt wie der n-dotierte Emitter5 . - Das vorliegende Ausführungsbeispiel gemäß
1a weist vier derartiger Zündstufen (Amplifying Gates, AG) auf, die mit AG1, AG2, AG3 und AG4 bezeichnet sind. Die Anzahl der Zündstufen AG1, AG2, AG3 und AG4 ist prinzipiell beliebig. - Während die erste Zündstufe AG1 im Innenbereich
2 angeordnet ist, befinden sich die restlichen Zündstufen AG2, AG3 und AG4 im Außenbereich3 . Die erste Zündstufe AG1 ist damit die am weitesten vom n-dotierten Emitter5 beabstandete Zündstufe. Jede der Zündstufen AG1, AG2, AG3 und AG4 umfasst einen sich ausgehend von der Vorderseite11 in Richtung der n-dotierten Basis7 in den Halbleiterkörper1 hinein erstreckenden stark n-dotierten Zündstufenemitter51 ,52 ,53 bzw.54 . - Die Grenze zwischen dem Innenbereich
2 und dem Außenbereich3 liegt vorzugsweise zwischen der dem n-dotierten Emitter5 zugewandten Seite des Zündstufenemitters51 der ersten Zündstufe AG1 und der dem n-dotierten Emitter5 abgewandten Seite des Zündstufenemitters52 der zweiten Zündstufe AG2. - Unterhalb des Zündstufenemitters
51 der ersten Zündstufe AG1 ist optional ein p-dotierter Abschnitt61 der p-dotierten Basis6 angeordnet, der sich in der vertikalen Richtung v vom ersten Zündstufenemitter51 bis zur n-dotierten Basis7 erstreckt und der eine niedrigere p-Dotierung aufweist, als die daran angrenzenden Abschnitte der p-dotierten Basis6 . - Der p-dotierte Emitter
8 , die n-dotierte Basis7 und die p-dotierte Basis6 bilden einen Transistor, der einen Verstärkungsfaktor αpnp aufweist. Dieser Verstärkungsfaktor αpnp ist ortsabhängig und variiert im Wesentlichen mit der lateralen Richtung r. Der Verstärkungsfaktor αpnp weist im Innenbereich2 einen Minimalwert αmin auf, der kleiner ist als der Verstärkungsfaktor αpnp an jeder Stelle des Außenbereichs3 bis auf eventuell den äußeren Randbereich des Hauptemitters. In dem äußeren Randbereich kann zur Verbesserung der Randsperrfähigkeit des Thyristors der Verstärkungsfaktor αpnp auch gleich oder sogar kleiner sein als im Innenbereich2 . - Eine derartige Absenkung des Verstärkungsfaktors αpnp kann durch eine oder mehrere geeignete Maßnahmen erreicht werden.
- Wie in
1a dargestellt ist, besteht eine erste Maßnahme zum Absenken des Verstärkungsfaktors αpnp darin, die Dotierung des p-dotierten Emitters8 im Innenbereich2 lokal abzusenken. Der p-dotierte Emitter8 weist einen ersten Abschnitt81 mit einer Dotierung p1 + sowie einen zweiten Abschnitt82 mit einer Dotierung p2 + auf. Dabei ist die Dotierung p2 + des zweiten Abschnitts82 geringer als die Dotierung p1 + des ersten Abschnitts81 des p-dotierten Emitters8 . - Der zweite Abschnitt
82 erstreckt sich in der lateralen Richtung r vorzugsweise über den gesamten Innenbereich2 . Des Weiteren ist die dem n-dotierten Emitter5 zugewandte Seite des zweiten Abschnitts82 des p-dotierten Emitters8 vorzugsweise weniger weit von der Achse A-A' beabstandet als die der Achse A-A' zugewandte Seite des zweiten Zündstufen-Emitters52 . - Der erste Abschnitt
81 und der zweite Abschnitt82 des p-dotierten Emitters8 werden vorzugsweise in einem Schritt hergestellt. Dies lässt sich beispielsweise dadurch erreichen, dass bei der Herstellung des p-dotierten Emitters8 auf der Rückseite12 des Halbleiterkörpers1 im Bereich des herzustellenden zweiten Abschnitts82 des p-dotierten Emitters8 eine strukturierte Maske angeordnet wird, so dass dort weniger Dotierstoffe in den Halbleiterkörper1 gelangen als im ersten Abschnitt81 . - Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß
1b ist gezeigt, dass sich der zweite Abschnitt82 in der vertikalen Richtung v nicht notwendigerweise über denselben Bereich erstrecken muss wie der erste Abschnitt81 des p-dotierten Emitters8 . Der zweite Abschnitt82 kann sich sowohl bis zur Rückseite12 erstrecken, er kann jedoch auch von dieser beabstandet sein. Ebenso kann sich der zweite Abschnitt82 bis zur n-dotierten Basis7 erstrecken oder alternativ von dieser beabstandet sein. - In
1c ist gezeigt, dass sich der zweite Abschnitt82 nicht notwendigerweise bis zur Achse A-A' erstrecken muss sondern ebenso von dieser beabstandet sein kann. - In diesem Fall ist der zweite Abschnitt
82 bei einem um die Achse A-A' im Wesentlichen rotationssymmetrischen Thyristor in einer zur Achse A-A' senkrecht verlaufenden Schnittebene kreisringförmig ausgebildet. - Eine weitere Möglichkeit zur Reduzierung des oben genannten Transistorverstärkungsfaktors αpnp zeigt
2a . - Hierbei wird die Absenkung des Transistorverstärkungsfaktors αpnp im Innenbereich
2 erreicht, indem der p-dotierte Emitter8 in einem Teilbereich101 des Innenbereiches2 eine Dicke d2 aufweist, die gegenüber der Dicke d3 des p-dotierten Emitters8 im Außenbereich3 reduziert ist. - Aus
2b geht hervor, dass der Bereich101 mit der reduzierten Dicke d2 des p- dotierten Emitters8 auch von der Achse A-A' beabstandet sein kann. - Eine dritte Möglichkeit zur Absenkung des erwähnten Transistorverstärkungsfaktors αpnp ist in
3 dargestellt. Innerhalb des Innenbereichs2 ist in der n-dotierten Basis7 eine Rekombinationszone4 angeordnet, die eine höhere Dichte an Rekombinationszentren aufweist als die sich daran anschließenden Abschnitte der n-dotierten Basis7 . Die Position dieser Rekombinationszone4 innerhalb der n-dotierten Basis7 ist vorzugsweise so gewählt, dass sie sich in den typischen Betriebszuständen des Thyristors in der quasi-neutralen Zone der n-dotierten Basis7 befindet. Als quasi-neutrale Zone ist der Bereich der n-dotierten Basis7 zu verstehen, in dem das elektrische Feld der Raumladungszone klein ist gegenüber seinem Maximalwert. Die Rekombinationszone4 ist bevorzugt weiter von der p-dotierten Basis6 beabstandet als vom p-dotierten Emitter8 . Insbesondere kann die Rekombinationszone4 auch an den p-dotierten Emitter8 angrenzen. - In der lateralen Richtung r reicht die Rekombinationszone
4 bevorzugt bis zur Achse A-A'. Alternativ kann sie jedoch auch von der Achse A-A' beabstandet sein. - Zur Herstellung einer solchen Rekombinationszone
4 eignet sich beispielsweise ein Implantationsverfahren, bei dem z.B. Protonen oder Heliumionen ausgehend von der Rückseite12 durch eine vor der Rückseite12 angeordnete Blende, z.B. eine Loch- oder Ringblende, implantiert werden. Bei einer nachfolgenden Temperaturbehandlung wird der Halbleiterkörper1 für eine Dauer von 30 Minuten bis zu 4 Stunden auf eine Temperatur zwischen 200°C und 350°C aufgeheizt. Damit soll ein Teil der durch die Bestrahlung in der Rekombinationszone4 erzeugten Defekte ausgeheilt werden, so dass nur noch solche Defekte zurückbleiben, die bei üblichen Betriebsbedingungen des Thyristors stabil sind. - Eine vierte Möglichkeit zur Reduzierung des Transistorverstärkungsfaktors αpnp im Innenbereich
2 ist im Ergebnis in4a gezeigt. Der Thyristor weist eine n-dotierte Feldstoppzone9 auf, die sich sowohl – wie in4a dargestellt – bis zum p-dotierten Emitter8 erstrecken als auch – wie nicht dargestellt – in der vertikalen Richtung v von diesem beabstandet sein kann. Eine Reduzierung des Transistorverstärkungsfaktors αpnp lässt sich erfindungsgemäß durch eine Modifikation der Feldstoppzone9 zumindest im Innenbereich2 erreichen. - Gemäß einer ersten Variante ist hierzu ein im Innenbereich
2 angeordneter zweiter Abschnitt92 der Feldstoppzone9 vorgesehen, der eine Dotierung n2 aufweist, die größer ist als die Dotierung n1 eines ersten Abschnitts91 der Feldstoppzone9 . - Eine zweite Variante besteht darin, dass die Feldstoppzone
9 einen ersten Abschnitt91 und einen zweiten Abschnitt92 umfasst, wobei der zweite Abschnitt92 im Innenbereich2 des Halbleiterkörpers2 angeordnet ist und wobei die Feldstoppzone9 im Innenbereich2 in der vertikalen Richtung v eine größere Dicke aufweist als im Außenbereich3 . - Bei dieser zweiten Variante ist es nicht notwendigerweise erforderlich, dass die Dotierung n2 des zweiten Abschnitts
92 größer gewählt ist als die Dotierung n1 des ersten Abschnitts91 . Die Dotierung n2 kann größer, gleich oder ggf. sogar kleiner als die Dotierung n1 gewählt werden. - Die Herstellung des zweiten Abschnitts
92 der Feldstoppzone9 kann sowohl bei der ersten als auch bei der zweiten Variante mittels einer von der Rückseite12 ausgehenden Wasserstoffimplantation mit anschließender Wärmebehandlung erfolgen. Bei der Wärmebehandlung wird der Halbleiterkörper1 vorzugsweise über einen Zeitraum zwischen 30 Minuten und 2 Stunden auf eine Temperatur zwischen 220°C und 500°C aufgeheizt. Anstelle von Wasserstoff können für die Implantation auch n-dotierende Teilchen verwendet werden. Um die zu implantierenden Teilchen in die gewünschten Bereiche einzubringen, wird in bekannter Weise eine geeignet geformte und vor der Rückseite12 des Halbleiterkörpers1 angeordnete Maske verwendet. - Die Herstellung des zweiten Abschnittes
92 der Feldstoppzone9 erfolgt vorzugsweise derart, dass zunächst ein erster Abschnitt91 erzeugt wird, der sich – wie in4b gezeigt – in der lateralen Richtung r bis zu der Achse A-A' erstreckt. - Bei der nachfolgenden Implantation werden Wasserstoff bzw. n-dotierende Teilchen in ein Gebiet eingestrahlt, das später den zweiten Abschnitt
92 bildet und das entweder vollständig in dem ursprünglichen ersten Abschnitt91 oder vollständig in der n-dotierten Basis7 angeordnet ist oder das sich sowohl mit dem ursprünglichen ersten Abschnitt91 als auch mit der n-dotierten Basis7 überlagert. Der zweite Abschnitt92 kann insbesondere auch in der vertikalen Richtung v vom ersten Ab schnitt91 beabstandet und damit vollständig von der n-dotierten Basis7 umschlossen sein. -
- A-A'
- Achse
- AG1
- erste Zündstufe
- AG2
- zweite Zündstufe
- AG3
- dritte Zündstufe
- AG4
- vierte Zündstufe
- d2
- Dicke des p-dotierten Emitters im Innenbereich
- d3
- Dicke des p-dotierten Emitters im Außenbereich
- r
- radiale oder laterale Richtung
- v
- vertikale Richtung
- 1
- Halbleiterkörper
- 2
- Innenbereich
- 3
- Außenbereich
- 4
- Rekombinationszone
- 5
- n-dotierter Emitter (Hauptemitter)
- 6
- p-dotierte Basis
- 7
- n-dotierte Basis
- 8
- p-dotierter Emitter
- 9
- Feldstoppzone
- 11
- Vorderseite des Halbleiterkörpers
- 12
- Rückseite des Halbleiterkörpers
- 51
- erster Zündstufen-Emitter (n-dotiert)
- 52
- zweiter Zündstufen-Emitter (n-dotiert)
- 53
- dritter Zündstufen-Emitter (n-dotiert)
- 54
- vierter Zündstufen-Emitter (n-dotiert)
- 61
- Abschnitt der p-dotierten Basis
- 71
- Abschnitt der n-dotierten Basis
- 81
- erster Abschnitt des p-dotierten Emitters
- 82
- zweiter Abschnitt des p-dotierten Emitters
- 91
- erster Abschnitt der Feldstoppzone
- 92
- zweiter Abschnitt der Feldstoppzone
- 100
- Durchbruchstruktur
- 101
- Bereich des p-dotierten Emitters mit reduzierter Di
- cke
Claims (17)
- Thyristor mit einem Halbleiterkörper (
1 ), in dem in einer vertikalen Richtung (v) aufeinanderfolgend ein p-dotierter Emitter (8 ), eine n-dotierte Basis (7 ), eine p-dotierte Basis (6 ) und ein n-dotierter Emitter (5 ) angeordnet sind, wobei der Halbleiterkörper (1 ) in einer zur vertikalen Richtung (v) senkrechten lateralen Richtung (r) aneinandergrenzend einen Innenbereich (2 ) und einen Außenbereich (3 ) aufweist, der p-dotierte Emitter (8 ), die n-dotierte Basis (7 ) und die p-dotierte Basis (6 ) einen Transistor mit einem von der lateralen Richtung (r) abhängigen Verstärkungsfaktor (αpnp) bilden, und der Verstärkungsfaktor (αpnp) im Innenbereich (2 ) einen Minimalwert (αmin) aufweist, der kleiner ist als der Verstärkungsfaktor (αpnp) an wenigstens annähernd jeder Stelle des Außenbereichs (3 ). - Thyristor nach Anspruch 1, bei dem der Verstärkungsfaktor (αpnp) in einem äußeren Randbereich des n-dotierten Emitters (
5 ) kleiner oder gleich dem Minimalwert des Verstärkungsfaktors (αpnp) im Innenbereich (2 ) ist. - Thyristor nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der p-dotierte Emitter (
8 ) einen im Außenbereich (3 ) angeordneten ersten Abschnitt (81 ) aufweist, dessen Dotierung (p1 +) größer ist als die Dotierung (p2 +) eines im Innenbereich (2 ) angeordneten zweiten Abschnitts (82 ) des p-dotierten Emitters (8 ). - Thyristor nach Anspruch 2, bei dem sich der Innenbereich (
2 ) des p-dotierten Emitters (8 ) in der lateralen Richtung (r) vollständig über den Innenbereich (2 ) erstreckt. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der p-dotierte Emitter (
8 ) im Innenbereich (2 ) einen Abschnitt (101 ) aufweist, in dem seine Dicke (d2) gegenüber seiner Dicke (d3) im Außenbereich (3 ) reduziert ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem der p-dotierte Emitter (
8 ) im Innenbereich (2 ) einen Abschnitt (102 ) aufweist, der zur Achse (A-A') beabstandet ist und in dem seine Dicke (d2) gegenüber der Dicke (d3) im Außenbereich und im vom Abschnitt (102 ) ringförmig eingeschlossenen Bereich reduziert ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer in der n-dotierten Basis (
7 ) angeordneten Rekombinationszone (4 ), in der die Dichte der Rekombinationszentren gegenüber der an die Rekombinationszone (4 ) angrenzenden Abschnitte des Halbleiterkörpers (1 ) erhöht ist. - Thyristor nach Anspruch 7, bei dem die Rekombinationszone (
4 ) von dem p-dotierten Emitter (8 ) beabstandet ist. - Thyristor nach Anspruch 7 oder 8, bei dem die Rekombinationszone (
4 ) durch Implantation von Protonen und/oder Heliumionen erzeugt ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer n-dotierten Feldstoppzone (
9 ), die in der n-dotierten Basis (7 ) angeordnet und stärker als diese dotiert ist. - Thyristor nach Anspruch 10, bei dem die Feldstoppzone (
9 ) einen ersten Abschnitt (91 ) und einen im Innenbereich (2 ) angeordneten zweiten Abschnitt (92 ) aufweist, wobei die Dotierung des zweiten Abschnitts (92 ) der Feldstoppzone (9 ) gegenüber der Dotierung des ersten Abschnitts (91 ) der Feldstoppzone (9 ) erhöht ist. - Thyristor nach Anspruch 11, bei dem der zweite Abschnitt (
92 ) der Feldstoppzone (9 ) auf der der p-dotierten Basis (7 ) zugewandten Seite des ersten Abschnitts (91 ) der Feldstoppzone (9 ) angeordnet ist und an deren ersten Abschnitt (91 ) angrenzt. - Thyristor nach Anspruch 11 oder 12, bei dem der zweite Abschnitt (
92 ) der Feldstoppzone (9 ) auf der der p-dotierten Basis (7 ) zugewandten Seite des ersten Abschnitts (91 ) der Feldstoppzone (9 ) angeordnet ist und von deren erstem Abschnitt (91 ) beabstandet ist. - Thyristor nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem der zweite Abschnitt (
92 ) der Feldstoppzone (9 ) durch Implantation von Wasserstoff und/oder n-dotierenden Teilchen, jeweils mit einem nachfolgenden Temperschritt, erzeugt ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche mit einer ersten Zündstufe (AG1), die einen ersten n-dotierten Zündstufen-Emitter (
51 ) aufweist, der im Innenbereich (2 ) angeordnet ist und sich ausgehend von der dem p-dotierten Emitter (8 ) gegenüberliegenden Seite (11 ) des Halbleiterkörpers (1 ) in die p-dotierte Basis (6 ) hinein erstreckt. - Thyristor nach Anspruch 15 mit einer zweiten Zündstufe (AG2), die einen zweiten n-dotierten Zündstufen-Emitter (
52 ) aufweist, der im Außenbereich (3 ) zwischen dem ersten n-dotierten Zündstufen-Emitter (51 ) und dem n-dotierten Emitter (5 ) angeordnet ist. - Thyristor nach einem der vorangehenden Ansprüche, der im Wesentlichen rotationssymmetrisch um eine im Innenbereich (
2 ) angeordnete Achse (A-A') ausgebildet ist.
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