DE102004052452A1 - Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] Chemical compound [O-2].[O-2].[S-2].[Gd+3].[Gd+3] MCVAAHQLXUXWLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung (7). Eine auf einem Substrat (1) aufgenommene Halbleiterschicht (2) ist von einer Konverterschicht (6, 9) überlagert. Die Halbleiterschicht (2) ist Bestandteil eines aus einer Vielzahl von Detektorelementen (D) gebildeten Detektorarrays. Zur Steigerung der Empfindlichkeit der Detektorelemente (D) ist vorgesehen, dass die Halbleiterschicht (2) aus einem polykristallinen Halbleitermaterial hergestellt ist.
Description
- Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
- Aus "Digitale Detektorsysteme für die Projektionsradiographie" aus Fortschr. Röntgenstr. 2001 (RöFo 2001), Band 173, Seiten 1137 bis 1146, Thieme Verlag Stuttgart, sind Strahlungsdetektoren für Röntgenstrahlung bekannt. Bei den bekannten Strahlungsdetektoren ist eine auf einem Substrat aufgenommene Halbleiterschicht von einer Konverterschicht überlagert. Die Halbleiterschicht ist aus amorphem Silizium hergestellt und ist Bestandteil eines Detektorarrays mit einer Vielzahl von Detektorelementen. Jedem Detektorelement ist zur seriellen Erfassung der Signale als Schaltelement ein Transistor zugeordnet. Die analogen Signale weisen einen erheblichen Rauschanteil auf. Der Rauschanteil erschwert besonders die Erfassung von schwachen Signalen.
- Um den Patienten möglichst wenig zu belasten, wird versucht, die Dosisleistung gering zu halten. Infolgedessen sind die von den Detektorelementen gelieferten Signale mitunter sehr schwach. Für eine möglichst genaue Erfassung solcher schwachen Signale ist es erforderlich, dass die Empfindlichkeit der Detektorelemente gesteigert wird.
- Aufgabe der Erfindung ist es, die Nachteile nach dem Stand der Technik zu beseitigen. Es soll insbesondere ein möglichst einfach und kostengünstig herzustellender Strahlungsdetektor mit einer verbesserten Empfindlichkeit angegeben werden.
- Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Zweckmäßige Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 17.
- Nach Maßgabe der Erfindung ist vorgesehen, dass die Halbleiterschicht aus einem polykristallinen Halbleitermaterial hergestellt ist. – Polykristallines Halbleitermaterial ermöglicht es, jedes Detektorelement mit einer komplexen Schaltung zur Erfassung, Be- und Verarbeitung der Signale zu versehen. Es können lange Signalwege sowie damit verbundene Störungen vor der Be- bzw. Verarbeitung der Signale vermieden werden. Die Signale können unmittelbar nach der Entstehung verstärkt und verarbeitet werden. Schwache Signale können im Wesentlichen ohne Störungen, insbesondere ohne Rauschanteile, erfasst werden. Die Empfindlichkeit des Strahlungsdetektors zur Erfassung von Signalen, insbesondere von schwachen Signalen, kann deutlich verbessert werden. Ferner können die Reaktionszeiten, Schaltzeiten, Totzeiten und dgl. des Strahlungsdetektors verkürzt werden.
- Im Sinne der vorliegenden Erfindung ist der Begriff "Halbleiterschicht" allgemein zu verstehen. Es kann sich dabei um eine Schicht handeln, die nicht durchgehend ist. Die Schicht kann strukturiert sein. Sie kann leitende und isolierende Abschnitte nebeneinander und/oder übereinander aufweisen. Abgesehen davon kann es sich bei der Halbleiterschicht im Sinne der vorliegenden Erfindung auch um eine Abfolge von Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften handeln. Dabei können Schichten in der Schichtabfolge auch isolierende Eigenschaften aufweisen oder metallische Leiter enthalten. Die Halbleiterschicht kann insbesondere eine Vielzahl integrierter Schaltungen aufweisen, wobei jede der integrierten Schaltungen zumindest einem Pixel zugeordnet ist.
- Nach einer Ausgestaltung ist das Substrat aus Glas hergestellt. Glas ist kostengünstig verfügbar. Es ist inert und kann ohne großen Aufwand verarbeitet werden. Das Halbleitermaterial ist vorzugsweise aus Silizium gebildet.
- Nach einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung weist das Halbleitermaterial eine Elektronenbeweglichkeit von mehr als 50 cm2/Vs, vorzugsweise von mehr als 250 cm2/Vs auf. Damit können Strahlungsdetektoren mit einer hohen Empfindlichkeit, kurzen Reaktions- bzw. Totzeiten hergestellt werden. Polykristallines Silizium mit einer Elektronenbeweglichkeit von mehr als 50 cm2/Vs kann beispielsweise mit einem Niedrigtemperaturverfahren, z. B. durch Bestrahlung mit einem Laser, aus amorphem Silizium hergestellt werden. Derartiges polykristallines Silizium wird auch als Low-Temperature-Poly-Silicon (LTPS) bezeichnet. Die Elektronenbeweglichkeiten von LTPS liegen im Bereich von etwa 100 bis 700 cm2/Vs.
- Noch höhere Elektronenbeweglichkeiten können mit polykristallinem Silizium erreicht werden, bei denen die Körner noch größer sind. Derartiges polykristallines Silizium wird auch als Continuous-Grain-Silicon (CGS) bezeichnet. Bei CGS können Elektronenbeweglichkeiten von etwa 600 m2/Vs und mehr erreicht werden. Die polykristallinen Halbleitermaterialien LTPS und CGS können, z. B. auf einem Glassubstrat, großflächig hergestellt werden. Folglich ist es möglich, großflächige Strahlungsdetektoren mit einer hohen Empfindlichkeit herzustellen.
- Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung weist jedes Detektorelement des Detektorarrays eine integrierte Schaltung auf. Die integrierte Schaltung ermöglicht eine Bebzw. Verarbeitung der Signale im Strahlungsdetektor. Lange Signalwege zwischen Erfassung und Be- und Verarbeitung können vermieden werden. Außerhalb des Detektorarrays angeordnete Schaltungen sowie Signalwege können weggelassen oder vereinfacht werden. Die integrierte Schaltung ermöglicht eine im Wesentlichen störungsarme Be- und Verarbeitung der Signale. Die Signale können unmittelbar nach ihrem Entstehen erfasst, verstärkt und verarbeitet werden. Die Empfindlichkeit des Strahlungsdetektors kann deutlich verbessert werden.
- Die integrierte Schaltung kann eine Schaltung zur Verarbeitung der Signale oder eine Schaltung zur Filterung der Signa le aufweisen. Mit der Schaltung zur Filterung können z. B. Rauschsignale unterdrückt werden. Die so verarbeiteten Signale sind besonders exakt. Die integrierte Schaltung kann ferner eine Schaltung zum Ermitteln der Anzahl der ein Signal erzeugenden Strahlungsquanten aufweisen. Eine auf den Strahlungsdetektor einfallende Strahlung kann damit besonders genau detektiert werden. Ferner kann die integrierte Schaltung eine Schaltung zur energieaufgelösten Erfassung von Strahlung aufweisen. Es können einzelne Strahlungsquanten erfasst werden. – Mit den vorgeschlagenen integrierten Schaltungen ist möglich, einen wesentlichen Teil der Be- und Verarbeitung der Signale beim Detektorelement durchzuführen. Die vom vorgeschlagenen Strahlungsdetektor gelieferten Signale können ohne weiteres von einer herkömmlichen Auswerteelektronik weiterverarbeitet werden.
- Nach einer Ausgestaltung der Erfindung weist das Substrat eine Dicke von 50 μm bis 2000 μm auf. Die Halbleiterschicht kann eine Dicke im Bereich von 0,1 μm bis 10 μm aufweisen.
- Nach einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung sind die Detektorelemente des Detektorarrays kleiner als 1 mm, vorzugsweise kleiner als 300 μm. Derartige Detektorarrays weisen Ortsauflösung zur Detektion von Strahlung von zumindest 0,5 Linienpaaren auf. Die Größe des Detektorarrays kann 2 × 2 cm bis 50 × 50 cm betragen. Im Wesentlichen ist die Größe des Detektorarrays lediglich durch die herstellbare Größe der polykristallinen Halbleiterschichten begrenzt.
- Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist die Konverterschicht aus einem Material zur unmittelbaren Umwandlung von Strahlung in elektrische Ladungssignale hergestellt. Die Konverterschicht kann im Wesentlichen aus Selen (Se) oder Cadmiumtellurid (CdTe) hergestellt sein.
- Nach einer weiteren Ausgestaltung ist die Konverterschicht aus einem Szintillatormaterial hergestellt. Bei dem Szintil latormaterial kann es sich z. B. um Cäsiumjodid (CsI) oder Gadoliniumoxisulfid handeln. Das Szintillatormaterial wandelt die auf die Konverterschicht einfallende Strahlung in Lichtsignale um. Zur Erfassung und Umwandlung der Lichtsignale in elektrische Ladungssignale ist bei jedem Detektorelement eine Fotodiode vorgesehen. Die davon erzeugten Ladungssignale können mit Schaltungen der Halbleiterschicht erfasst und ggf. be- und verarbeitet werden. Bei der Fotodiode kann es sich um eine PIN-Diode handeln. Es ist auch möglich, dass die Fotodiode eine organische Fotodiode ist. Die Fotodioden können ein Fotodiodenarray bilden, welches zwischen der Halbleiterschicht und der Konverterschicht angeordnet ist. Damit ist es möglich, nahezu die gesamte Einfallsfläche mit Fotodioden zu belegen. Das ermöglicht die Realisierung eines besonders hohen Füllfaktors, d. h. der Quotient aus Detektionsfläche und Detektorfläche ist besonders groß. Jedes Detektorelement kann in diesem Fall mehrere Fotodioden umfassen, deren Signale zusammengefasst und an eine für das Detektorelement vorgesehene integrierte Schaltung weitergeleitet werden.
- Im Folgenden wird die Erfindung beispielhaft anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 schematisch einen Aufbau eines ersten Strahlungsdetektors, -
2 schematisch ein Detektorelement des ersten Strahlungsdetektors der1 und -
3 schematisch einen Aufbau eines zweiten Strahlungsdetektors. - In den
1 bis3 sind, sofern nicht anders beschrieben, funktionell ähnliche Elemente mit denselben Bezugszeichen bezeichnet. -
1 zeigt schematisch einen Aufbau eines ersten Strahlungsdetektors. Auf einem, beispielsweise aus Glas hergestelltem Substrat1 ist eine polykristalline Halbleiterschicht2 aufgenommen. Die Halbleiterschicht2 weist ein Schaltungsarray mit einer Vielzahl von schachbrettartig angeordneten integrierten Schaltungen3 auf. Auf dem Schaltungsarray ist ein Fotodiodenarray4 mit einer Vielzahl von Fotodioden5 aufgebracht. Die Fotodioden5 sind im Wesentlichen deckungsgleich über den integrierten Schaltungen3 angeordnet. Auf das Fotodiodenarray4 ist eine, z. B. aus Gadoliniumoxisulfid hergestellte, Szintillatorschicht6 aufgebracht. Jede integrierte Schaltung3 bildet zusammen mit der ihr zugeordneten Fotodiode5 sowie einem darüber befindlichen Anteil der Konverterschicht6 einen Detektor D. Die Detektoren D sind – ebenso wie die integrierten Schaltungen3 – schachbrettartig angeordnet und bilden ein Detektorarray. -
2 zeigt schematisch ein Detektorelement D des Detektorarrays des ersten Strahlungsdetektors der1 . Auf dem Substrat1 ist eine integrierte Schaltung3 aufgenommenen. Auf der integrierten Schaltung3 ist eine Fotodiode5 aufgebracht. Auf die Fotodiode5 ist eine Szintillatorschicht6 aufgebracht. Eine auf die Szintillatorschicht6 einfallende Strahlung, z. B. Röntgenstrahlung, ist mit dem Bezugszeichen7 bezeichnet. Ein in der Szintillatorschicht6 erzeugtes Lichtsignal ist mit dem Bezugszeichen8 bezeichnet. Das Lichtsignal8 wird von der Fotodiode5 in ein elektrisches Ladungssignal9 umgewandelt. Mit A ist eine der einfallenden Strahlung zugewandte Detektorfläche, mit B eine zur Erfassung der Lichtsignale8 verfügbare Detektionsfläche der Fotodiode5 bezeichnet. - Die Funktion der Vorrichtung ist folgende:
Die auf die Szintillatorschicht6 einfallende Strahlung7 wird in der Szintillatorschicht6 in das Lichtsignal8 umgewandelt. Die Szintillatorschicht6 kann aus Materialien wie z. B. CsI, CdTe oder Gadoliniumoxisulfid hergestellt sein. Das über der Fotodiode5 erzeugte Lichtsignal8 wird zur Detektionsfläche B der Fotodiode5 geleitet. Die Fotodiode5 kann z. B. eine aus Silizium hergestellte PIN-Diode sein. Bei der Fotodiode5 kann es sich auch um eine organische Fotodiode handeln. Im Falle der organischen Fotodiode kann das Fotodiodenarray in besonders einfacher Weise, z. B. durch ein Druckverfahren, auf die Halbleiterschicht2 aufgebracht werden. In der Fotodiode5 wird das Lichtsignal8 in ein elektrisches Ladungssignal9 umgewandelt. Das Ladungssignal9 wird von der integrierten Schaltung3 erfasst. Zur Herstellung der integrierten Schaltung3 kann Halbleitermaterial wie z. B. aus Silizium hergestelltes LTPS oder CGS verwendet werden. Die integrierte Schaltung3 kann Schaltungen zur Verarbeitung bzw. zur Filterung der Ladungssignale9 aufweisen. Mit einer Filterung ist es möglich, die Strahlung7 im Wesentlichen frei von Rauschsignalen zu erfassen. Es ist auch möglich Schaltungen vorzusehen, welche eine Ermittlung der Anzahl der ein Ladungssignal9 erzeugenden Strahlungsquanten oder eine energieaufgelöste Erfassung der Strahlung7 ermöglichen. Mit derartigen Schaltungen ist es möglich, die Ladungssignale9 unmittelbar nach ihrer Entstehung und unter Vermeidung von Störungen zu erfassen, zu be- und verarbeiten. Die Empfindlichkeit des Strahlungsdetektors und die Qualität der Erfassung der Strahlung7 können deutlich verbessert werden. - Die Größe der Detektionsfläche B der Fotodiode
5 entspricht im Wesentlichen der Größe der Detektorfläche A. Der Füllfaktor, d. h. das Verhältnis von Detektionsfläche B zu Detektorfläche A, liegt nahezu bei1 . Mit der über der integrierten Schaltung3 angeordneten Fotodiode5 kann vermieden werden, dass in der Detektionsfläche Schaltungselemente, wie z. B. Transistoren, angeordnet sind. Schaltungselemente in der Detektionsfläche führen zu einer unerwünschten Reduktion des Füllfaktors. Die Anordnung bzw. Größe der integrierten Schaltungen3 ist lediglich durch die Abmessungen der Detektorfläche A begrenzt. -
3 zeigt schematisch einen Aufbau eines zweiten Strahlungsdetektors. Auf einem Substrat1 ist eine polykristalline Halbleiterschicht2 aufgenommen. Die Halbleiterschicht2 weist ein Schaltungsarray mit einer Vielzahl von schachbrettartig angeordneten integrierten Schaltungen3 auf. Auf das Schaltungsarray ist eine Konverterschicht10 zur unmittelbaren Umwandlung einer auf den Strahlungsdetektor einfallenden Strahlung7 in ein elektrisches Ladungssignal9 aufgebracht. Bei einer solchen Konverterschicht10 kann es sich beispielsweise um eine aus dotiertem Selen oder Cadmiumtellurid hergestellte Schicht handeln. - Die Funktion der Vorrichtung ist folgende:
In der Konverterschicht10 wird die darauf einfallende Strahlung7 in ein elektrisches Ladungssignal9 umgewandelt und von der integrierten Schaltung3 erfasst. Die Erfassung, die Be- bzw. Verarbeitung des Ladungssignals9 kann in Analogie zu dem Strahlungsdetektor der1 und2 erfolgen. Der Unterschied zwischen dem Strahlungsdetektor der1 und2 zu dem der3 liegt lediglich in der Art der Erzeugung der Ladungssignale9 .
Claims (17)
- Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung (
7 ), bei welchem eine auf einem Substrat (1 ) aufgenommene Halbleiterschicht (2 ) von einer Konverterschicht (6 ,10 ) überlagert ist, wobei die Halbleiterschicht (2 ) Bestandteil eines aus einer Vielzahl von Detektorelementen (D) gebildeten Detektorarrays zur ortsaufgelösten Erfassung der Intensität darauf einfallender Strahlung (7 ) ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterschicht (2 ) aus einem polykristallinen Halbleitermaterial hergestellt ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 1, wobei das Substrat (
1 ) aus Glas hergestellt ist. - Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Halbleitermaterial aus Silizium gebildet ist.
- Strahlungsdetektor nach Anspruch 3, wobei das Halbleitermaterial eine Elektronenbeweglichkeit von mehr als 50 cm2/Vs, vorzugsweise von mehr als 250 cm2/Vs aufweist.
- Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei jedes Detektorelement (D) des Detektorarrays eine integrierte Schaltung (
3 ) aufweist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 5, wobei die integrierte Schaltung (
3 ) zumindest eine der folgenden Schaltungen aufweist: Schaltung zur Verarbeitung der Signale (9 ), Schaltung zur Filterung der Signale (9 ), Schaltung zum Ermitteln der Anzahl der ein Signal (9 ) erzeugenden Strahlungsquanten, Schaltung zur energieaufgelösten Erfassung der Strahlung (7 ). - Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat (
1 ) eine Dicke von 50 μm bis 2000 μm aufweist. - Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Halbleiterschicht (
2 ) eine Dicke von 0,1 μm bis 10 μm aufweist. - Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Detektoren (
3 ) des Detektorarrays kleiner als 1 mm, vorzugsweise kleiner als 300 μm sind. - Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Größe des Detektorarrays 2 × 2 cm bis 50 × 50 cm ist.
- Strahlungsdetektor nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Konverterschicht (
10 ) aus einem Material zur unmittelbaren Umwandlung von Strahlung (7 ) in elektrische Ladungssignale (9 ) hergestellt ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 11, wobei das Material im Wesentlichen aus Selen oder Cadmiumtellurid hergestellt ist.
- Strahlungsdetektor nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Konverterschicht (
6 ) aus einem Szintillatormaterial hergestellt ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 13, wobei das Szintillatormaterial im Wesentlichen aus Cäsiumjodid oder Gadoliniumoxisulfid hergestellt ist.
- Strahlungsdetektor nach Ansprüchen 13 und 14, wobei das Detektorelement (D) des Detektorarrays zumindest eine Fotodiode (
5 ) zum Umwandeln von im Szintillatormaterial erzeugten Lichtsignalen (8 ) in elektrische Ladungssignale (9 ) aufweist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 15, wobei die Fotodiode (
5 ) eine PIN-Diode ist. - Strahlungsdetektor nach Anspruch 15, wobei die Fotodiode (
5 ) eine organische Fotodiode ist.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004052452A DE102004052452B4 (de) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung |
JP2007538390A JP2008518451A (ja) | 2004-10-28 | 2005-10-20 | 放射線を検出する放射線検出器 |
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PCT/EP2005/055416 WO2006045747A1 (de) | 2004-10-28 | 2005-10-20 | Strahlungsdetektor zur erfassung von strahlung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004052452A DE102004052452B4 (de) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102004052452A1 true DE102004052452A1 (de) | 2006-05-04 |
DE102004052452B4 DE102004052452B4 (de) | 2008-05-29 |
Family
ID=35481291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102004052452A Expired - Fee Related DE102004052452B4 (de) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | Strahlungsdetektor zur Erfassung von Strahlung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7663117B2 (de) |
JP (1) | JP2008518451A (de) |
DE (1) | DE102004052452B4 (de) |
WO (1) | WO2006045747A1 (de) |
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-
2005
- 2005-10-20 US US11/664,031 patent/US7663117B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-20 JP JP2007538390A patent/JP2008518451A/ja not_active Withdrawn
- 2005-10-20 WO PCT/EP2005/055416 patent/WO2006045747A1/de active Application Filing
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE102004052452B4 (de) | 2008-05-29 |
US7663117B2 (en) | 2010-02-16 |
WO2006045747A1 (de) | 2006-05-04 |
JP2008518451A (ja) | 2008-05-29 |
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