DE102004032912A1 - Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion - Google Patents

Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion Download PDF

Info

Publication number
DE102004032912A1
DE102004032912A1 DE102004032912A DE102004032912A DE102004032912A1 DE 102004032912 A1 DE102004032912 A1 DE 102004032912A1 DE 102004032912 A DE102004032912 A DE 102004032912A DE 102004032912 A DE102004032912 A DE 102004032912A DE 102004032912 A1 DE102004032912 A1 DE 102004032912A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
zone
arrangement according
device arrangement
zones
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004032912A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004032912B4 (de
Inventor
Peter Dr. Nelle
Wolfgang Horn
Hans-Joachim Dr. Schulz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE102004032912A priority Critical patent/DE102004032912B4/de
Publication of DE102004032912A1 publication Critical patent/DE102004032912A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004032912B4 publication Critical patent/DE102004032912B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7809—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors having both source and drain contacts on the same surface, i.e. Up-Drain VDMOS transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
    • H01L29/1075—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors
    • H01L29/1079—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/1083—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate with an inactive supplementary region, e.g. for preventing punch-through, improving capacity effect or leakage current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/167—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table further characterised by the doping material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
    • H01L29/32—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
    • H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
    • H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/8611—Planar PN junction diodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbauelementanordnung, die folgende Merkmale aufweist: DOLLAR A - einen Halbleiterkörper (100), mit einer ersten Halbleiterzone (11) eines ersten Leitungstyps, DOLLAR A - wenigstens eine, ausgehend von einer Seite (101) des Halbleiterkörpers (100), in der ersten Halbleiterzone (11) angeordnete erste aktive Bauelementzone (21) eines zweiten Leitungstyps, die an eine Anschlussklemme (K) gekoppelt ist, und wenigstens eine beabstandet zu der ersten aktiven Bauelementzone (21) angeordnete zweite aktive Bauelementzone (41) des zweiten Leitungstyps, DOLLAR A - eine Schutzanordnung, die eine zweite Halbleiterzone (31) des zweiten Leitungstyps, eine dritte Halbleiterzone (32) des ersten Leitungstyps, die stärker als die erste Halbleiterzone (11) dotiert ist, und eine vierte Halbleiterzone (33) des zweiten Leitungstyps aufweist, DOLLAR A - wobei die zweite und dritte Halbleiterzone (31, 32) kurzgeschlossen sind, die dritte Halbleiterzone (32) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) wenigstens abschnittsweise zwischen der zweiten (31, 33) und vierten Halbleiterzone angeordnet ist und die dritte und vierte Halbleiterzone (32, 33) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zwischen der ersten und zweiten aktiven Bauelementzone (21, 41) angeordnet sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion.
  • Zum besseren Verständnis der nachfolgenden Erfindung, wird das Problem einer Minoritätsladungsträger-Injektion aus einer Injektionszone in eine umgebende Halbleiterzone anhand von 1 zunächst erläutert. 1 zeigt eine Halbleiterbauelementanordnung in Seitenansicht im Querschnitt, die einen Halbleiterkörper bzw. ein Halbleitersubstrat 100 mit einer p-Grunddotierung aufweist. In diesen Halbleiterkörper 100 sind ausgehend von der Vorderseite 101 komplementär zu der Grunddotierung des Halbleiterkörpers 100 dotierte Halbleiterzonen 121, 141 zur Realisierung von Halbleiterbauelementen eingebracht. Diese Halbleiterzonen 121, 141 bilden aktive Bauelementzonen. Die Halbleiterzone 121 bildet in dem Beispiel den n-Emitter einer Leistungsdiode, die darüber hinaus eine n-Basis 122 und einen p-Emitter 123, die jeweils von dem n-Emitter 121 umgeben sind, aufweist. Der n-Emitter 121 und p-Emitter 123 weisen jeweils Anschlusskontakte zum Verschalten mit weiteren Bauelementen auf. Die weitere n-dotierte Halbleiterzone 141 kann in nicht näher dargestellter Weise Bestandteil eines weiteren Leistungsbauelements oder eines Logikbauelements sein.
  • Eine derartige Anordnung mit einem Halbleitersubstrat und mehreren in dem Halbleitersubstrat angeordneten, komplementär zu dem Substrat dotierten Halbleiterzonen ist insbesondere bei sogenannten "Smart Power ICs" vorhanden, bei denen Leistungsbauelemente und Logikbauelemente gemeinsam in einem Halbleiterkörper integriert sind. Die Isolation der einzelnen Bauelemente gegeneinander erfolgt über pn-Übergänge zwischen den Bauelementzonen und dem Substrat, die in Sperrrichtung gepolt sind. Bezugnehmend auf 1 wird eine Injektion von Elektronen aus den n-dotierten Halbleiterzonen 121, 141 in die umgebende p-dotierte Halbleiterzone des Halbleiterkörpers dann vermieden, wenn die pn-Übergänge zwischen diesen Halbleiterzonen und der umgebenden Halbleiterzonen in Sperrrichtung gepolt sind. Das Halbleitersubstrat 100 wird hierzu auf das niedrigste in der Gesamtschaltung vorkommende Potential, üblicherweise Masse, gelegt. Während des Betriebs einer solchen Schaltung können allerdings Situationen auftreten, bei denen Potentiale an den Anschlüssen das Leistungsbauelements auf negative Werte bezogen auf Massen absinken, wodurch Elektronen in das Substrat gelangen können. Eine solche Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Substrat und die Ausbreitung solcher Minoritätsladungsträger in dem Substrat ist unerwünscht, da diese Ladungsträger die Funktion weiterer in dem Substrat integrierter Bauelemente stören können.
  • Um eine Ausbreitung injizierter Minoritätsladungsträger in dem Substrat zu verhindern, ist es bekannt, einen Schutzring vorzusehen, der komplementär zu dem Substrat dotiert ist und der die Injektionszone umgibt. Dieser Schutzring, der an ein definiertes Potential angeschlossen ist, nimmt injizierte Minoritätsladungsträger auf und verhindert dadurch deren Ausbreitung im Substrat. Das Vorsehen eines solchen Schutzrings ist beispielsweise in der US 5,719,431 beschrieben. Die Ausbreitung von Ladungsträgern kann dabei dadurch noch weiter verringert werden, wenn in dem Halbleitersubstrat eine stark dotierte Schicht vom selben Leitungstyp wie das Substrat beabstandet zu der Injektionszone vorgesehen wird, was in der DE 198 40 031 C2 , der DE 199 53 333 A1 oder der DE 100 14 659 C2 beschrieben ist.
  • Außerdem ist es zur Verhinderung einer Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern bekannt, einen Schutzring vorzusehen, der komplementär zu dem Substrat dotiert ist, der die Injektionszone umgibt und der floatend – also nicht auf einem de finierten Potential liegend – angeordnet ist. Dieser Schutzring ist an eine benachbart angeordnete komplementär dotierte Halbleiterzone angeschlossen, die vom selben Leitungstyp wie das Substrat aber höher dotiert ist. Werden bei einer solchen Anordnung Minoritätsladungsträger in das Substrat injiziert und von dem Schutzring "eingefangen", baut sich an der komplementär dotierten Halbleiterzone ein Potential auf, das einer weiteren Minoritätsladungsträgerinjektion durch den Injektor entgegenwirkt. Eine solche Schutzanordnung ist beispielsweise in der DE 42 09 523 C1 , in der US 5,907,163 , in Gupta, S. et al.: "Improved Latch-Up Immunity in Junction-Isolated Smart Power ICs With Unbiased Guard Ring", IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, No. 12, Dezember 2001, oder in Gonnard, O. et al.: "Multi-ring Active Protection for Minority Carrier Injection Suppression in Smart Power Technology", Proceedings of 2001 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka, beschrieben.
  • Darüber hinaus besteht auch die Möglichkeit, die floatend angeordnete Schutzzone nicht ringförmig um den Injektor herum sondern nur auf einer Seite des Injektors auszubilden und darüber hinaus räumlich von der komplementär dotierten Halbleiterzone zu trennen, was beispielsweise in Peppiette, R.:" A New Protection Technique for Ground Recirculation Parasitics in Monolithic Power I.C.,s", Vol. 26, No. 1 (1994) beschrieben ist.
    •
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Halbleiterbauelementanordnung zur Verfügung zu stellen, die eine Schutzanordnung aufweist, die einer Injektion von Minoritätsladungsträgern aus einer aktiven Bauelementzone in eine komplementär dotierte, die aktive Bauelementzone umgebende Halbleiterzone entgegenwirkt und die eine Ausbreitung solcher Minoritätsladungsträger in dieser Halbleiterzone hemmt.
  • Dieses Ziel wird durch eine Halbleiterbauelementanordnung gemäß der Merkmale des Anspruchs erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Halbleiterbauelementanordnung umfasst einen Halbleiterkörper, mit einer ersten Halbleiterzone eines ersten Leitungstyps, sowie wenigstens eine ausgehend von einer Seite des Halbleiterkörpers in der ersten Halbleiterzone angeordnete erste aktive Bauelementzone eines zweiten Leitungstyps, die an eine Anschlussklemme gekoppelt ist, und wenigstens eine beabstandet zu der ersten aktiven Bauelementzone angeordnete zweite aktive Bauelementzone des zweiten Leitungstyps. Die Anordnung umfasst außerdem eine Schutzanordnung, die eine zweite Halbleiterzone des zweiten Leitungstyps, eine dritte Halbleiterzone des ersten Leitungstyps, die stärker als die erste Halbleiterzone dotiert ist, und eine vierte Halbleiterzone des zweiten Leitungstyps. Die zweite und dritte Halbleiterzone sind dabei kurzgeschlossen sind, die dritte Halbleiterzone ist in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers wenigstens abschnittsweise zwischen der zweiten und vierten Halbleiterzone angeordnet und die dritte und vierte Halbleiterzone trennen die erste und zweite aktive Bauelementzone in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers voneinander.
  • Die erste Halbleiterzone des Halbleiterkörpers ist dabei an ein vorgegebenes Potential, beispielsweise Masse angeschlossen. Die vierte Halbleiterzone ist vorzugsweise ebenfalls an ein vorgegebenes Potential angeschlossen, das beispielsweise dem Potential der ersten Halbleiterzone entspricht.
  • Werden bei dieser Halbleiteranordnung Minoritätsladungsträger aus der ersten aktiven Bauelementzone in die erste Halbleiterzone injiziert und gelangen diese Minoritätsladungsträger an die zweite Halbleiterzone, so nimmt die zweite Halbleiterzone ein gegenüber dem Potential der ersten Halbleiterzone unterschiedliches Potential an. Wegen des Kurzschlusses zwischen der zweiten und dritten Halbleiterzone findet zwischen der zweiten und dritten Halbleiterzone ein Minoritätsladungsträger-Majoritätsladungsträger-Fluss statt. Dieser Ladungsträgerfluss bewirkt ein von der dritten Halbleiterzone ausgehendes elektrisches Feld in der ersten Halbleiterzone, das der weiteren Injektion von Ladungsträgern aus der ersten aktiven Bauelementzone entgegenwirkt. Die vierte Halbleiterzone verhindert bei diesem Bauelement eine hochleitende Verbindung zwischen der dritten Halbleiterzone und einer benachbart zu der vierten Halbleiterzone im Bereich der ersten Seite gegebenenfalls angeordneten weiteren Halbleiterzone des ersten Leitungstyps, die auf einem Bezugspotential liegen kann. Die dritte Halbleiterzone wird dadurch auf ihrer gesamten Länge zwischen der zweiten und vierten Halbleiterzone auf einem eine Injektion von Ladungsträgern verhindernden Potential.
  • Die Schutzanordnung ist dabei umso wirkungsvoller, je breiter die dritte Halbleiterzone in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone ist. Die Abmessung dieser dritten Halbleiterzone in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone liegt beispielsweise im Bereich zwischen 50 μm und 5000 μm, vorzugsweise zwischen 50 μm und 500 μm.
  • Das Verhältnis zwischen den Abmessungen der dritten Halbleiterzone und der zweiten Halbleiterzone jeweils in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone beträgt vorzugsweise zwischen 1:1 und 100:1 beträgt. Absolutwerte für die Abmessung der dritten Halbleiterzone in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone liegen beispielsweise zwischen 20 μm und 70 μm, vorzugsweise zwischen 45 μm und 55 μm.
  • Maßgeblich bei der erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung ist, dass die dritte Halbleiterzone, ausgehend von der sich bei Injektion von Minoritätsladungsträgern ein elektrisches Feld ausbildet, das der weiteren Ladungsträgerinjektion entgegenwirkt, und die vierte Halbleiterzone zwischen der ersten und zweiten aktiven Bauelementzone angeord net sind, um eine Ausbreitung von Ladungsträgern aus der ersten aktiven Bauelementzone innerhalb der ersten Halbleiterzone zu der zweiten aktiven Bauelementzone zu verhindern. Die dritte und vierte Halbleiterzone können hierbei die erste aktive Bauelementzone in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers vollständig nach Art eines doppelten Schutzrings umgeben. Sofern die aktive Bauelementzone im Bereich eines Randes des Halbleiterkörpers angeordnet ist, besteht auch die Möglichkeit, dass die dritte und vierte Halbleiterzone so ausgebildet sind, dass sie den ersten aktiven Bauelementbereich nicht vollständig umschließen, dass sie jedoch bis an den Rand des Halbleiterkörpers reichen, um den aktiven Bauelementbereich von anderen Bereichen des Halbleiterkörpers zu trennen.
  • Bei einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die zweite Halbleiterzone die erste aktive Bauelementzone nicht vollständig umschließt. Insbesondere bei einer Ausführungsform, bei der ein Anschlusskontakt der ersten aktiven Bauelementzone nahe eines ersten Randes der ersten aktiven Bauelementzone angeordnet ist, ist die zweite Halbleiterzone benachbart zu einem dem ersten Rand gegenüberliegenden Rand der ersten aktiven Bauelementzone angeordnet.
  • Die dritte und vierte Halbleiterzone, können jeweils durch eine zusammenhängende dotierte Halbleiterzone gebildet sein. Darüber hinaus besteht auch die Möglichkeit, dass die dritte und/oder vierte Halbleiterzone jeweils eine Anzahl Halbleiterzonen umfassen die beabstandet zueinander angeordnet sind, wobei der Abstand zwischen einzelnen Halbleiterzonen jedoch kleiner ist als die jeweiligen Abmessungen dieser Halbleiterzonen.
  • Die Schutzwirkung der Schutzanordnung kann noch gesteigert werden, wenn in der ersten Halbleiterzone wenigstens eine Zone mit einer reduzierten Ladungsträgerlebensdauer für Ladungsträger des zweiten Leitungstyps vorhanden ist. Diese Zo ne reduzierter Ladungsträgerlebensdauer ist vorzugsweise in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet zu der wenigstens einen aktiven Bauelementzone angeordnet und sorgt für eine weitere Verringerung eines in dem Halbleiterkörper in lateraler Richtung fließenden Minoritätsladungsträgerquerstromes.
  • Eine solche Halbleiterzone mit verringerter Ladungsträgerlebensdauer kann auf verschiedene Weise realisiert werden.
  • Bei einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Zone reduzierter Ladungsträgerlebensdauer dadurch gebildet ist, dass die erste Halbleiterzone abschnittsweise höher dotiert ist als umliegende Bereiche der ersten Halbleiterzone. Die Absenkung der Ladungsträgerlebensdauer kann darüber hinaus durch Erzeugung thermischer Donatoren in einem Abschnitt der ersten Halbleiterzone gebildet sein. Solche thermischen Donatoren können beispielsweise im Bereich einer der ersten Seite gegenüberliegenden Seite des Halbleiterkörpers dadurch erzeugt werden, dass der Halbleiterkörper einer Temperung bei Temperaturen zwischen 430°C und 460°C, vorzugsweise in einer Wasserstoffatmosphäre, unterzogen wird. Die Dauer dieses Temperschrittes beträgt beispielsweise zwischen 15 und 60 Minuten, vorzugsweise etwa 15 Minuten.
  • Die Zone verringerter Ladungsträgerlebensdauer kann auch durch eine sogenannte Co-Dotierung des Halbleiterkörpers mit Kohlenstoff, Stickstoff, Sauerstoff in unterschiedlicher Konzentration erzeugt werden. Für eine solche Co-Dotierung erfolgt bekanntlich beim Ziehen des Halbleiterkristalls eine Dotierung des Kristalls mit Kohlenstoff. Vorzugsweise wird die Co-Dotierung mit einem Temperschritt kombiniert, durch den der Halbleiterkörper auf Temperaturen von etwa 430°C bis 460°C aufgeheizt wird.
  • Die Ladungsträgerlebensdauer kann darüber hinaus durch Einbringen von Schwermetallatomen, wie beispielsweise Gold, Pla tin oder Titan, erzeugt werden. Diese Schwermetallatome wirken als Rekombinationszentren und verringern dadurch die Ladungsträgerlebensdauer der Minoritätsladungsträger. Diese Schwermetallatome können beispielsweise durch Diffusion in den Halbleiterkörper eingebracht werden. Hierzu wird eine entsprechende Metallschicht auf eine der ersten Seite abgewandte Seite des Halbleiterkörpers aufgebracht, wobei der Halbleiterkörper anschließend einem Temperaturprozess unterworfen wird, während dem Metallatome aus der aufgebrachten Metallschicht in den Halbleiterkörper eindiffundieren. Vorzugsweise wird der Halbleiterkörper vor der Eindiffusion der Schwermetallatome einem RTA-Schritt (RTA = Rapid Thermal Annealing) in nitridierender Atmosphäre unterzogen. Durch diesen Prozess erhöht sich die Leerstellenkonzentration im Halbleiterkristallgitter, wodurch während des nachfolgenden Diffusionsschrittes eine größere Anzahl von Schwermetallatomen in den Halbleiterkörper eingelagert werden kann.
  • Darüber hinaus kann die Zone reduzierter Ladungsträgerlebensdauer durch Bestrahlung des Halbleiterkörpers mit hochenergetischen Elektronen oder durch Hochenergieimplantation von Ionen, wie beispielsweise Wasserstoffionen (Protonen) oder Heliumionen erzeugt werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen anhand von Figuren näher erläutert.
    •
  • 1 zeigt eine Halbleiterbauelementanordnung mit beabstandet zueinander in einem Substrat angeordneten aktiven Bauelementzonen nach dem Stand der Technik.
  • 2 zeigt ein ersten Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung in Seitenansicht im Querschnitt.
  • 3 zeigt die Bauelementanordnung gemäß 2 in Draufsicht für eine erste Ausführungsform der Schutzanordnung.
  • 4 zeigt die Halbleiterbauelementanordnung gemäß 2 in Draufsicht für eine zweite Ausführungsform der Schutzanordnung.
  • 5 zeigt die Halbleiterbauelementanordnung in Draufsicht für eine dritte Ausführungsform der Schutzanordnung.
  • 6 zeigt die Halbleiterbauelementanordnung in Draufsicht für eine vierte Ausführungsform der Schutzanordnung.
  • 7 zeigt ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement gemäß einer zweiten Ausführungsform in Seitenansicht im Querschnitt.
  • 8 zeigt die Halbleiterbauelementanordnung gemäß 7 in Draufsicht.
  • 9 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung mit einer in dem Halbleiterkörper angeordneten Halbleiterzone mit verringerter Ladungsträgerlebensdauer.
  • 10 zeigt ein als MODFET ausgebildetes Halbleiterbauelement in Seitenansicht im Querschnitt.
  • 11 veranschaulicht die Effizienz einer erfindungsgemäßen Schutzanordnung abhängig von einem Parameter der Schutzanordnung.
  • 12 zeigt eine Bauelementanordnung mit mehreren in einem Halbleiterkörper integrierten Bauelementen und einer Struktur zur Verhinderung einer Ausbreitung von Minoritätsladungsträgern.
  • In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Teile mit gleicher Bedeutung.
  • In der nachfolgenden Beschreibung sind Halbleiterzonen des ersten Leitungstyps p-dotierte Halbleiterzonen, während Halbleiterzonen des zweiten Leitungstyps n-dotierte Halbleiterzonen sind. Minoritätsladungsträger in p-dotierten Halbleiterzonen sind dabei Elektronen. Selbstverständlich ist die Erfindung auch auf solche Bauelemente anwendbar, bei denen die in den Figuren p-dotierten Zonen durch n-dotierte Zonen ersetzt sind, und die in den Figuren n-dotierten Zonen durch p-dotierte Zonen ersetzt sind.
  • Die Halbleiterbauelementanordnung gemäß 2 umfasst einen Halbleiterkörper 100 mit einer Vorderseite 101 und einer Rückseite 102 und mit einer p-dotierten ersten Halbleiterzone 11. Die Bezeichnung "Halbleiterkörper" umfasst im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung Halbleitersubstrate, in die unmittelbar aktive Bauelementzonen eingebracht sind, oder auch Halbleitersubstrate, auf die vor einer weiteren Bearbeitung mittels Epitaxie p-dotierte Halbleiterschichten aufgebracht sind, in die die aktiven Bauelementzonen eingebracht sind. Die erste Halbleiterzone 11 kann somit Bestandteil eines Halbleitersubstrats oder einer auf ein Halbleitersubstrat aufgebrachten Epitaxieschicht sein, was für die nachfolgende Beschreibung allerdings unerheblich ist, so dass diesbezüglich keine Unterscheidung getroffen wird. Die erste Halbleiterzone 11 wird nachfolgend auch als Substrat bezeichnet.
  • In diese erste Halbleiterzone 11 sind ausgehend von der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers n-dotierte aktive Bauelementzonen 21, 41 eingebracht, die in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 beabstandet zueinander angeordnet sind. Eine erste aktive Bauelementzone 21 ist in dem Ausführungs beispiel Bestandteil einer Leistungsdiode und bildet den n-Emitter 21 bzw. die Kathodenzone dieser Leistungsdiode. Die Diode umfasst neben diesem n-Emitter eine schwächer n-dotierte Basis 22, die von dem n-Emitter 21 umgeben ist, sowie eine von der n-Basis 22 umgebenen p-Emitter 23 bzw. eine Anodenzone. Der n-Emitter 21 sowie der p-Emitter 23 sind mittels Anschlusskontakten 24, 25 an der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 kontaktierbar.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass die n-dotierte erste aktive Bauelementzone 21 Bestandteil eines beliebigen Leistungsbauelements sein kann.
  • Bezugnehmend auf 10, die den Halbleiterkörper 100 lediglich im Bereich des Leistungsbauelementes zeigt, kann diese n-dotierte Halbleiterzone 21 auch Bestandteil eines n-leitenden MOSFET sein. Die schwächer n-dotierte Halbleiterzone 22 bildet dabei dessen Driftzone und die p-dotierte Halbleiterzone bildet dessen Body-Zone, in der wenigstens eine n-dotierte Source-Zone 26 angeordnet ist. Isoliert gegenüber der Body- und Source-Zone 23, 26 ist in hinlänglich bekannter Weise eine Gate-Elektrode 27 vorhanden, die mittels einer Isolationsschicht 28 gegenüber der Anschlusselektrode 25 und den Halbleiterzonen isoliert ist. Die Anschlusselektrode 25 bildet die Source-Elektrode und kontaktiert die Body-Zone 23 und die Source-Zone 26 gemeinsam.
  • Die zweite aktive Bauelementzone 41 ist in dem Ausführungsbeispiel gemäß 2 Bestandteil einer weiteren Diode, wobei die Kathodenzone dieser Diode durch die aktive zweite Bauelementzone 41 und eine Anodenzone dieser Diode durch eine p-dotierte Halbleiterzone 42 in der Kathodenzone 41 gebildet ist. Die n-dotierte aktive zweiter Bauelementzone 41 kann jedoch Bestandteil eines beliebigen in der ersten Halbleiterzone 11 integrierten Halbleiterbauelements sein und ist in 2 stellvertretend für eine Vielzahl von unterschiedlichen in der ersten Halbleiterzone 11 integrierten Halbleiter bauelementen dargestellt, die durch einen in Sperrrichtung betriebenen pn-Übergang zwischen dem Bauelement und der ersten Halbleiterzone 11 gegeneinander isoliert sind. Derartige während des Normalbetriebes sperrende pn-Übergänge werden bei der Halbleiterbauelementanordnung gemäß 2 durch die pn-Übergänge zwischen der ersten aktiven Bauelementzone 21 und der ersten Halbleiterzone 11 und der zweiten aktiven Bauelementzone 41 und der ersten Halbleiterzone 11 gebildet. Die neben dem Leistungsbauelement mit der aktiven ersten Halbleiterzone in dem Halbleiterkörper integrierten Bauelemente können Leistungsbauelemente oder Logikbauelemente sein.
  • Die erste Halbleiterzone 11 liegt auf Bezugspotential GND, üblicherweise Masse. Kommt es während des Betriebes der in dem Halbleiterkörper 11 integrierten Schaltung zu einem Betriebszustand, bei dem der Anschluss 24 des n-Emitters 21 auf ein Potential kleiner als das Bezugspotential GND des Halbleitersubstrats gelegt wird, so werden Elektronen in die erste Halbleiterzone 11 injiziert, die dort Minoritätsladungsträger sind. Um dieser Injektion von Minoritätsladungsträgern von der als Injektorzone wirkenden ersten aktiven Bauelementzone in das Halbleitersubstrat 11 entgegenzuwirken und um eine Ausbreitung solcher Minoritätsladungsträger in dem Substrat 11 zu anderen aktiven Bauelementzonen 41 zu verhindern, umfasst die Halbleiterbauelementanordnung eine Schutzanordnung, die im Bereich der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 zwischen der ersten und zweiten aktiven Bauelementzone 21, 41 angeordnet ist.
  • Diese Schutzanordnung umfasst eine zweite Halbleiterzone 31, die komplementär zu der ersten Halbleiterzone 11 dotiert ist und die in lateraler Richtung beabstandet zu der Injektorzone 21 angeordnet ist. An diese zweite Halbleiterzone 31 schließt sich in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers eine p-dotierte dritte Halbleiterzone 32 an, die stärker als die erste Halbleiterzone 11 dotiert ist und die mittels eines an der Vorderseite 101 angeordneten Kurzschlusskontaktes 34 mit der zweiten Halbleiterzone 31 kurzgeschlossen ist. Des Weiteren umfasst die Schutzanordnung eine sich in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 an die dritte Halbleiterzone 32 anschließende vierte Halbleiterzone 33, die n-dotiert ist und die mittels eines Anschlusskontaktes 35 an ein definiertes Potential angeschlossen ist. Dieses Potential ist vorzugsweise identisch mit dem Bezugspotential GND, an welches das Halbleitersubstrat 11 angeschlossen ist.
  • Die Dotierung der zweiten, dritten und vierten Halbleiterzonen liegt beispielsweise jeweils zwischen 1017 cm–3 und 1020 cm–3.
  • Werden bei der erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung Elektronen ausgehend von der Injektionszone 21 in das Halbleitersubstrat 11 injiziert und gelangen diese Elektronen an die floatend angeordnete zweite Halbleiterzone 31, so nimmt diese zweiter Halbleiterzone ein negatives Potential an. Über den Kurzschlusskontakt 34 kommt es zu einem Ladungsträgerfluss zwischen der zweiten und dritten Halbleiterzone 31, 32, wodurch auch die dritte Halbleiterzone 32 ein negatives Potential annimmt. Die dritte Halbleiterzone 32 ist in lateraler Richtung von den n-dotierten zweiten und vierten Halbleiterzonen 31, 33 eingeschlossen und grenzt damit entweder an stark n-dotierte Halbleiterzonen 31, 33 oder das schwach p-dotierte und damit hochohmige Halbleitersubstrat 11 an. Das an der dritten Halbleiterzone 31 durch injizierte Elektronen hervorgerufene negative Potential breitet sich dadurch über die gesamte dritte Halbleiterzone 32 aus, woraus im Bereich dieser dritten Halbleiterzone 32 ein elektrisches Feld in dem Halbleitersubstrat 11 resultiert, das nach Art einer Potentialbarriere wirkt und das einer weiteren Injektion von Ladungsträgern in das Halbleitersubstrat 11 entgegenwirkt.
  • Wesentlich für das Funktionieren ist hierbei, dass die zweite Halbleiterzone 32 von weiteren stark p-dotierten Halbleiter zonen, die beispielsweise auf Bezugspotential liegen, getrennt ist. Solche stark p-dotierten Halbleiterzonen sind beispielsweise zwischen der zweiten Halbleiterzone 31 und der Injektionszone 21 oder auf der der dritten Halbleiterzone 32 abgewandten Seite der vierten Halbleiterzone 33 vorhanden. Diese stark p-dotierten Halbleiterzonen 36, 37 dienen beispielsweise zum Anschließen des Halbleitersubstrats 11 über die Vorderseite 101 an Bezugspotential. Die Trennung der dritten Halbleiterzone 32 von diesen weiteren stark p-dotierten Halbleiterzonen 36, 37 erfolgt dabei entweder über die stark n-dotierten zweiten und vierten Halbleiterzonen 31, 32 oder über das schwach p-dotierte, und damit hochohmige Halbleitersubstrat 11. Diese zweiten und vierten Halbleiterzonen 31, 33 verhindern somit eine hochleitende Verbindung zwischen der dritten Halbleiterzone 32 und den stark p-dotierten Halbleiterzonen 36, 37. Die dritte Halbleiterzone 33 wird dadurch auf ihrer gesamten Länge zwischen der zweiten und vierten Halbleiterzone 31, 33 auf einem eine Injektion von Ladungsträgern verhindernden Potential gehalten.
  • Die Effizienz der erfindungsgemäßen Schutzanordnung steigt mit zunehmender Breite der dritten Halbleiterzone 32 in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 ausgehend von der Injektorzone 21. Die Breite d1 dieser dritten Halbleiterzone 32 in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers 100 beträgt beispielsweise zwischen 50 μm und 5000 μm, vorzugsweise zwischen 50 μm und 500 μm. Die Breite d2 der n-dotierten zweiten Halbleiterzone 31 in dieser lateralen Richtung beträgt hingegen zwischen 20 μm und 70 μm, vorzugsweise zwischen 45 μm und 55 μm. Das Breitenverhältnis d1/d2 zwischen der Breite der dritten Halbleiterzone 32 und der Breite der zweiten Halbleiterzone 31 beträgt vorzugsweise zwischen 1:1 und 100:1.
  • Während bei herkömmlichen Schutzanordnungen zur Verhinderung einer Injektion von Minoritätsladungsträgern in ein Halbleitersubstrat bereits bei Spannungen von –1 V zwischen der Injektorzone und dem Halbleitersubstrat die Grenze für eine wirksame Unterdrückung einer Minoritätsladungsträgerinjektion erreicht ist, bietet die erfindungsgemäße Schutzanordnung selbst bei Spannungen zwischen –3 V und –10 V zwischen der Injektorzone 21 und dem Halbleitersubstrat 11 noch einen effektiven Schutz vor einer Injektion von Minoritätsladungsträgern in das Halbleitersubstrat 11. Wie erläutert nimmt dabei die Effektivität mit zunehmender Breite d1 der dritten Halbleiterschicht 32 zu.
  • 11 veranschaulicht die Effizienz der Schutzanordnung abhängig von der Breite d1 der dritten Halbleiterzone 32. Die Effizienz der Anordnung berechnet sich dabei aus dem Quotienten zwischen dem in lateraler Richtung auf der dem Injektor 21 abgewandten Seite der Schutzanordnung noch messbaren Minoritätsladungsträgerstrom und dem von dem Injektor 21 in das Halbleitersubstrat 11 injizierten Ladungsträgerstrom. Wie das Simulationsergebnis in 11 zeigt, beträgt bei einer Breite d2 der dritten Halbleiterzone 32 von 200 μm der noch messbare Minoritätsladungsträgerstrom nur noch das 10–10-fache des tatsächlich injizierten Minoritätsladungsträgerstromes.
  • Maßgeblich für das Funktionieren der Schutzanordnung ist, dass die dritte Halbleiterzone 32 und die sich an die dritte Halbleiterzone 32 anschließende vierte Halbleiterzone 33 die Injektionszone 21 im Bereich der Vorderseite 101 von weiteren n-dotierten aktiven Bauelementzonen, in dem dargestellten Beispiel der aktiven Bauelementzone 41, trennen, die durch injizierte Minoritätsladungsträger beeinträchtigt werden könnten. Um dies zu gewährleisten gibt es verschiedene Realisierungsmöglichkeiten, die nachfolgend anhand der 3 bis 6 näher erläutert werden. Diese Figuren zeigen den Halbleiterkörper 100 jeweils in Draufsicht auf die Vorderseite 101, wobei in diesen Figuren aus Gründen der Übersichtlichkeit auf die Darstellung der auf die Vorderseite 101 aufgebrachten Anschlusskontakte verzichtet ist. Darüber hinaus ist von dem Leistungsbauelement lediglich die Injektionszone 21 dargestellt.
  • 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei der die zweite, dritte und vierte Halbleiterzone 31, 32, 33 der Schutzanordnung die Injektionszone 21 vollständig ringförmig umgeben, um die Injektionszone 21 dadurch von der weiteren n-dotierten Halbleiterzone 41 räumlich zu trennen.
  • Um ein ordnungsgemäßes Funktionieren der Schutzanordnung zu gewährleisten, ist es bezugnehmend auf 4 nicht unbedingt erforderlich, dass die vierte Halbleiterzone 33 als zusammenhängende Halbleiterzone ausgebildet ist. Vielmehr besteht auch die Möglichkeit, diese Halbleiterzone 33 durch eine Vielzahl beabstandet zueinander angeordneter stark n-dotierter Halbleiterzonen 331 zu realisieren, wobei die Abstände zwischen diesen Halbleiterzonen 331 klein im Vergleich zu den Abmessungen dieser Halbleiterzonen 331 sind. Die Anordnung mit den beabstandet zueinander angeordneten n-dotierten Halbleiterzonen 331 umschließt dabei die Injektionszone 21 im Bereich der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers, um diese von der weiteren n-dotierten Halbleiterzone 41 räumlich zu trennen, bzw. um die Injektionszone 21 und die weitere n-dotierte Halbleiterzone räumlich auseinanderzuziehen.
  • Darüber hinaus besteht bezugnehmend auf 5 auch die Möglichkeit, die dritte Halbleiterzone 32 nicht als zusammenhängende Halbleiterzone sondern durch mehrere beabstandet zueinander angeordnete Halbleiterzone 321 zu realisieren, die jeweils mit der zweiten Halbleiterzone 31 kurzgeschlossen sind, wie in 5 schematisch dargestellt ist. Wie bereits erläutert, ist hierbei darauf zu achten, dass die einzelne Halbleiterzone 321 dieser dritten Halbleiterzone 32 entweder durch das schwach p-dotierte Halbleitersubstrat 11 oder durch die stark n-dotierten Halbleiterzonen 31, 33 gegenüber weiteren, beispielsweise auf Bezugspotential GND befindlichen stark p-dotierten Halbleiterzonen getrennt sind, um dadurch sicher zu stellen, dass die Teilzonen 321 dieser dritten Halbleiterzone 32 das Potential der zweiten Halbleiterzone 31 annehmen.
  • Selbstverständlich besteht auch die Möglichkeit, die inselartige Realisierung der vierten Halbleiterzone gemäß 4 mit der inselartigen Realisierung der dritten Halbleiterzone 32 gemäß 5 zu kombinieren.
  • 6 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung in Draufsicht, bei der die Injektionszone 21 im Bereich eines seitlichen Randes 102 des Halbleiterkörpers 100, in dem dargestellten Beispiel im Bereich zweier solcher Ränder, also einer Ecke diese Halbleiterkörpers 100 angeordnet ist. Zur Trennung der Injektionszone 21 gegenüber weiteren aktiven Bauelementzonen ist es hierbei ausreichend, wenn die Schutzanordnung ebenfalls bis an den Rand 102 bzw. die Ränder des Halbleiterkörpers 100 reicht, um die Injektionszone 21 dadurch von weiteren aktiven Bauelementbereichen zu trennen. Das Bauelement weist einen Randabschluss auf, der in 6 als schraffierte Fläche dargestellt ist. Die Schutzanordnung 31, 32, 33 weist dabei vorzugsweise einen Abstand zu dem Randabschluss auf, der beispielsweise zwischen 10 μm und 100 μm beträgt.
  • Bei der bislang erläuterten Halbleiterbauelementanordnung ist die zweite Halbleiterzone 31 benachbart zu der dritten Halbleiterzone 32 angeordnet, mit der sie kurzgeschlossen ist.
  • 7 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementanordnung, bei der die zweite Halbleiterzone 31 und die dritte Halbleiterzone 32 räumlich getrennt voneinander angeordnet sind. Eine Draufsicht auf diese Halbleiteranordnung gemäß 7 ist in 8 gezeigt.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Injektionszone 21 in Draufsicht in etwa rechteckförmig ausgebildet. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist in Figur auf eine Darstellung der Halbleiterzonen 22, 23 und des Anschlusses 25 verzichtet. Der Anschlusskontakt 24 ist in dem Beispiel im Bereich eines Randes 211 dieser Injektionszone 21 angeordnet ist. Der Anschlusskontakt kann allerdings auch umlaufend um die Injektionszone 21 angeordnet sein, was in den 7 und 8 gestrichelt dargestellt ist. Die zweite n-dotierte Halbleiterzone 31 ist bei diesem Ausführungsbeispiel beabstandet zu einem gegenüberliegenden Rand 212 der Injektionszone 21 angeordnet. Die Injektionszone 21 ist in dem Beispiel ebenfalls im Bereich eines Randes 102 des Halbleiterkörpers 100 angeordnet. Die dritte und vierte Halbleiterzone 32, 33 erstrecken sich dabei benachbart zueinander jeweils beabstandet zu der Injektionszone 21 bis an den Rand 102 des Halbleiterkörpers 100, um die Injektionszone 21 von weiteren n-dotierten aktiven Bauelementbereichen 41 zu trennen. Die zweite Halbleiterzone 31 und die dritte Halbleiterzone 32 weisen jeweils Anschlusskontakte 38, 39 auf, die kurzgeschlossen sind.
  • Vorzugsweise ist zwischen der n-dotierten Halbleiterzone 31 und der Injektionszone 21 ebenfalls eine stark p-dotierte Halbleiterzone vorhanden, die in den 7 und 8 mit dem Bezugszeichen 38 bezeichnet ist. Diese Halbleiterzone 38 liegt ist über einen Anschlusskontakt 39 vorzugsweise an ein vorgegebenes Potential, beispielsweise das Potential des Substrats 11, angeschlossen. Diese Maßnahme trägt zur Steigerung der Effizienz der Schutzanordnung bei. Vorzugsweise ist die Injektionszone 21 in lateraler vollständig von den stark p-dotierten Halbleiterzonen 36, 38 vollständig umgeben.
  • Bei einem Transistor gemäß 10 als Leistungsbauelement, dessen Body- und Source-Zonen 23, 26 über die Source-Elektrode 25 kurzgeschlossen sind, fließt bei negativem Drain-Potential ein Teil des Drain-Stromes bereits über die dann in Flussrichtung gepolte Body-Diode, also die Diode zwischen der Body-Zone 23 und der Driftzone 22 bzw, der Drain-Zone 21 an die Source-Elektrode 25 ab, sofern diese auf Bezugspotential liegt.
  • Diese Möglichkeit besteht nicht bei einem Transistor, der keinen solchen Kurzschluss zwischen Source- und Body-Zone aufweist. Ein solcher Transistor ist in Seitenansicht im Querschnitt in 12 dargestellt. Um auch bei einem solchen Bauelement bereits durch Maßnahmen im Leistungsbauelement die Injektion von Ladungsträgern in das Substrat 11 zu reduzieren, ist bei diesem Bauelement auf der dem Drain-Anschluss D, 24 abgewandten Seite der Drain-Zone 21 eine stark p-dotierte Halbleiterzone 51 vorhanden, die sich an die Drain-Zone 21 anschließt und die auf Bezugspotential liegt. Der pn-Übergang zwischen dieser Halbleiterzone 51 und der Drain-Zone 21 sperrt während des Normalbetriebes, wenn ein positives Potential an dem Drain-Anschluss D, 24 anliegt.
  • Die Effizienz der erfindungsgemäßen Schutzanordnung kann dadurch gesteigert werden, dass Maßnahmen zur Reduzierung der Ladungsträgerlebensdauer in dem Halbleitersubstrat 11 getroffen werden. Während die im Bereich der Vorderseite 101 des Halbleiterkörpers 100 angeordnete Schutzanordnung mit den zweiten, dritten und vierten Halbleiterzonen 31, 32, 33 das Potential in der ersten Halbleiterzone 11 unterhalb der Injektorzone 21 absenkt, um so einer weiteren Minoritätsladungsträgerinjektion entgegenzuwirken, sorgt eine Absenkung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer in der ersten Halbleiterzone 11 dafür, dass Minoritätsladungsträger, die in die erste Halbleiterzone 11 gelangen wirkungsvoll "beseitigt" werden, um dadurch eine weitere Ausbreitung dieser Minoritätsladungsträger in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers zu verhindern.
  • Vorteilhafterweise wird die Minoritätsladungsträgerlebensdauer in der gesamten ersten Halbleiterzone 11 unterhalb der Injektorzone reduziert. Allerdings führt bereits eine Reduktion der Ladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterzone beabstandet zu der Injektorzone zu einer Verbesserung, wie nachfolgend noch erläutert wird. 9 zeigt schematisch eine solche Halbleiterzone 12 mit verringerter Ladungsträgerlebensdauer, die im Anschluss an die Rückseite 103 des Halbleiterkörpers 100 in der ersten Halbleiterzone 11 gebildet ist.
  • Zur Reduzierung der Ladungsträgerlebensdauer in dem Halbleitersubstrat 11 können verschiedene Maßnahmen getroffen werden.
  • Zum Einen besteht die Möglichkeit, das Halbleitersubstrat 11 insgesamt oder zumindest im Bereich der Rückseite 103 stärker zu dotieren, um dadurch die Konzentration an Rekombinationszentren für die Minoritätsladungsträger zu erhöhen.
  • Derartige Rekombinationszentren können darüber hinaus durch thermische Donatoren gebildet sein. Derartige thermische Donatoren werden erzeugt, indem das Halbleitersubstrat 11, beispielsweise nach Abschluss der Verfahrensschritte zur Herstellung der im Bereich der Vorderseite 101 angeordneten Halbleiterbauelemente einer Temperung bei Temperaturen im Bereich von 450°C unterzogen wird. Der Temperschritt findet hierbei vorzugsweise in einer Wasserstoffatmosphäre statt, die die Bildung thermischer Donatoren in dem Halbleitersubstrat 11 begünstigt. Neben der Atmosphäre, in welcher die Temperung stattfindet, kann die Konzentration an thermischen Donatoren in dem Halbleitersubstrat 11 auch über die Temperatur des Temperschrittes eingestellt werden. Die Temperatur wird hierfür auf einen Wert zwischen 420°C und 480°C, vorzugsweise auf einen Wert zwischen 440°C und 460°C eingestellt.
  • Zur Herstellung von Rekombinationszentren in dem Halbleitersubstrat 11, die eine Reduktion der Minoritätsladungsträgerlebensdauer hervorrufen, besteht weiterhin die Möglichkeit, das Halbleitersubstrat 11 einer Co-Dotierung, beispielsweise mit Kohlenstoff-, Stickstoff- oder Sauerstoffatomen zu unterziehen. Diese Co-Dotierung kann vorzugsweise mit einer Temperung des Halbleitersubstrats 11 bei Temperaturen im Bereich von 450°C kombiniert werden.
  • Rekombinationszonen zur Verringerung der Minoritätsladungsträgerlebensdauer lassen sich auch durch Einbringen von Schwermetallatomen, beispielsweise Gold-, Platin- oder Titan-Atomen in das Halbleitersubstrat 11 erzeugen. Diese Schwermetallatome werden beispielsweise über die Rückseite 103 in das Halbleitersubstrat 100 eindiffundiert. Hierzu wird die Rückseite 103 mit einer entsprechenden Schwermetallschicht belegt, und der Halbleiterkörper wird anschließend auf eine Diffusionstemperatur aufgeheizt, bei der Schwermetallatome aus der Belegschicht in das Halbleitersubstrat 11 eindiffundieren. Diese Eindiffusion kann verstärkt werden, indem das Halbleitersubstrat 11 vor dem Aufbringen der Schwermetallschicht einem RTA-Schritt (RTA = Rapid Thermal Annealing) in einer nitridierenden Atmosphäre unterzogen wird. Bei einem solchen RTA-Schritt in nitridierender Atmosphäre werden verstärkt Leerstellen in dem Kristallgitter des Halbleiterkörpers gebildet, in die anschließend Schwermetallatome während des Diffusionsschrittes eingelagert werden können.
  • Zur Herstellung von Rekombinationszentren in dem Halbleitersubstrat 11 besteht außerdem die Möglichkeit, nach Abschluss der Prozessschritte zur Herstellung der Halbleiterbauelemente das Halbleitersubstrat 11 über die Rückseite 103 mit hochenergetischen Elektronen zu bestrahlen. Die Bestrahlungsenergie liegt hierfür beispielsweise bei 10-20 MeV bei Bestrahlungsdosen zwischen 1012 und 1013 Elektronen pro Quadratzentimeter (Elektronen/cm2) Außerdem besteht zur Herstellung von Rekombinationszentren die Möglichkeit die Rückseite 103 des Halbleiterkörpers mit Wasserstoff- oder Heliumionen zu bestrahlen. Diese Bestrahlung führt zu partiellen Schädigungen des Kristallgitters des Halbleiterkörpers, die wiederum als Rekombinationszentren wirken.
  • Wie bereits erläutert, führt bereits eine Reduktion der Ladungsträgerlebensdauer im Bereich der Rückseite 103 des Halbleiterkörpers 100 zu einer erhöhten Effizienz der Schutzanordnung, wie Simulationen für eine Schutzringanordnung gemäß 2 gezeigt haben. Der Simulation lag ein Halbleiterkörper mit einer Dicke von 380 μm mit einer Elektronenlebensdauer im Substrat 11 von 100 μs zugrunde. Dabei wurde eine Halbleiterzone 12 mit verringerter Ladungsträgerlebensdauer betrachtet, die sich um d4 = 100 μm in vertikaler Richtung in Richtung der Vorderseite 101 erstreckt. Eine Absenkung der Ladungsträgerlebensdauer in dieser Halbleiterzone 12 auf 1 μs im Vergleich zu 100 μs im übrigen Halbleitersubstrat 11 führte zu einer Reduktion des Minoritätsladungsträgerquerstromes in dem Halbleitersubstrat 11 um einen Faktor 10. Eine weitere Reduktion der Minoritätsladungsträgerlebensdauer in der Halbleiterzone 12 auf 10 ns ergab eine Reduktion des Querstromes um eine Faktor 16.
  • Bereits eine Halbleiterzone 12, deren Dicke nur in etwa ein Viertel der Dicke der Halbleiterscheibe 100 ausmacht und in der die Ladungsträgerlebensdauer reduziert ist, kann somit zu einer erheblichen Steigerung der Effizienz der Schutzanordnung führen. Dies ist insbesondere von Bedeutung, da Maßnahmen zur Reduzierung der Ladungsträgerlebensdauer im Bereich einer Seite, im vorliegenden Fall der Rückseite 103, des Halbleiterkörpers 100 besonders einfach durchführbar sind. Erwähnt seien hierzu insbesondere die zuvor genannten Diffusions- und Bestrahlungsverfahren.
    • 100
    Halbleiterkörper
    101
    Vorderseite
    102
    Rand
    103
    Rückseite
    11
    p-dotierte Halbleiterzone, Halbleitersubstrat
    111
    p-dotierte Halbleiterzone
    121, 122
    n-dotierte Halbleiterzone
    123
    p-dotierte Halbleiterzone
    141
    n-dotierte Halbleiterzone
    21
    n-Emitter, Drain-Zone, Injektionszonen
    22
    n-Basis, Driftzone
    23
    p-Emitter, Body-ZOne
    24, 25
    Anschlusskontakte, Source-Anschluss
    31, 33
    n-dotierte Halbleiterzonen
    32, 36, 37, 38
    p-dotierte Halbleiterzonen
    321
    p-dotierte Halbleiterzone
    331
    n-dotierte Halbleiterzone
    39
    Anschlusskontakt
    41
    n-dotierte Halbleiterzone, aktive Bauelementzone
    42
    p-dotierte Halbleiterzone
    51
    p-dotierte Halbleiterzone
    A
    Anodenanschluss
    D
    Source-Anschluss
    G
    Gate-Anschluss
    K
    Kathodenanschluss

Claims (20)

  1. Halbleiterbauelementanordnung, die folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterkörper (100), mit einer ersten Halbleiterzone (11) eines ersten Leitungstyps, – wenigstens eine ausgehend von einer Seite (101) des Halbleiterkörpers (100) in der ersten Halbleiterzone (11) angeordnete erste aktive Bauelementzone (21) eines zweiten Leitungstyps, die an eine Anschlussklemme (K) gekoppelt ist, und wenigstens eine beabstandet zu der ersten aktiven Bauelementzone (21) angeordnete zweite aktive Bauelementzone (41) des zweiten Leitungstyps, – eine Schutzanordnung, die eine zweite Halbleiterzone (31) des zweiten Leitungstyps, eine dritte Halbleiterzone (32) des ersten Leitungstyps, die stärker als die erste Halbleiterzone (11) dotiert ist, und eine vierte Halbleiterzone (33) des zweiten Leitungstyps aufweist, – wobei die zweite und dritte Halbleiterzone (31, 32) kurzgeschlossen sind, die dritte Halbleiterzone (32) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) wenigstens abschnittsweise zwischen der zweiten (31, 33) und vierten Halbleiterzone angeordnet ist und die dritte und vierte Halbleiterzone (32, 33) in einer lateralen Richtung des Halbleiterkörpers (100) zwischen der ersten und zweiten aktiven Bauelementzone (21, 41) angeordnet sind.
  2. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 1, bei der die dritte und vierte Halbleiterzone (32, 33) die erste aktive Bauelementzone (21) in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers vollständig umgeben.
  3. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die zweite Halbleiterzone (31) die erste aktive Bauelementzone in lateraler Richtung des Halbleiterkörpers (100) vollständig umgibt.
  4. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der ein Anschlusskontakt (24) zum Anschließen der ersten aktiven Bauelementzone (21) an die Anschlussklemme (K) im Bereich der ersten Seite (101) des Halbleiterkörpers (100) nahe eines ersten Randes der ersten aktiven Bauelementzone (21) angeordnet ist, wobei die zweite Halbleiterzone (31) benachbart zu einem dem ersten Rand gegenüberliegenden Rand der ersten aktiven Bauelementzone (21) angeordnet ist.
  5. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die vierte Halbleiterzone (33) mehrere jeweils beabstandet zueinander angeordnete Abschnitte (331) des zweiten Leitungstyps umfasst.
  6. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die dritte (32) Halbleiterzone mehrere jeweils beabstandet zueinander angeordnete Abschnitte (321) des ersten Leitungstyps umfasst.
  7. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die erste Halbleiterzone (11) und die vierte Halbleiterzone (33) an eine Klemme für ein erstes Bezugspotential (GND) angeschlossen sind.
  8. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Abmessung der dritten Halbleiterzone (32) in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone zwischen 50 μm und 5000 μm, vorzugsweise zwischen 50 μm und 500 μm beträgt.
  9. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die Abmessung der zweiten Halbleiterzone in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone (21) zwischen 20 μm und 70 μm, vorzugsweise zwischen 45 μm und 55 μm etwa beträgt.
  10. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der das Verhältnis zwischen den Abmessungen der dritten Halbleiterzone (32) und der zweiten Halbleiterzone (31) zwischen jeweils in einer Richtung ausgehend von der ersten aktiven Bauelementzone (21) zwischen 1:1 und 100:1 beträgt.
  11. Halbleiterbauelementanordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der in der ersten Halbleiterzone (11) wenigstens eine Zone mit einer reduzierten Ladungsträgerlebensdauer für Ladungsträger des zweiten Leitungstyps vorhanden ist.
  12. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer in einer vertikalen Richtung des Halbleiterkörpers beabstandet zu der ersten aktiven Bauelementzone (21) angeordnet ist.
  13. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer eine höhere Dotierung als die übrigen Bereich der ersten Halbleiterzone aufweist.
  14. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei der in der Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer thermische Donatoren vorhanden sind.
  15. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei der in der Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer Schwermetallatome vorhanden sind.
  16. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 15, bei der die Schwermetallatome Gold-Atome, Platin-Atome, Titan-Atome sind.
  17. Halbleiterbauelementanordnung, nach Anspruch 11 oder 12, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer eine Co-Dotierung aufweist.
  18. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer durch eine Bestrahlung des Halbleiterkörpers mit Elektronen gebildet ist.
  19. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 11 oder 12, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer durch eine Ionenbestrahlung des Halbleiterkörpers zur Bewirkung von Gitterschäden des Halbleiterkristallgitters gebildet ist.
  20. Halbleiterbauelementanordnung nach Anspruch 19, bei der die Zone (12) reduzierter Ladungsträgerlebensdauer durch eine Ionenbestrahlung des Halbleiterkörpers mit Wasserstoffionen oder Heliumionen gebildet ist.
DE102004032912A 2004-07-07 2004-07-07 Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion Expired - Fee Related DE102004032912B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004032912A DE102004032912B4 (de) 2004-07-07 2004-07-07 Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004032912A DE102004032912B4 (de) 2004-07-07 2004-07-07 Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004032912A1 true DE102004032912A1 (de) 2006-01-26
DE102004032912B4 DE102004032912B4 (de) 2012-02-16

Family

ID=35511530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004032912A Expired - Fee Related DE102004032912B4 (de) 2004-07-07 2004-07-07 Halbleiterbauelementanordnung mit einer Schutzanordnung zur Reduzierung einer Minoritätsladungsträger-Injektion

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102004032912B4 (de)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4209523C1 (de) * 1992-03-24 1993-03-11 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5514901A (en) * 1994-05-17 1996-05-07 Allegro Microsystems, Inc. Epitaxial island with adjacent asymmetrical structure to reduce collection of injected current from the island into other islands
US5545917A (en) * 1994-05-17 1996-08-13 Allegro Microsystems, Inc. Separate protective transistor
US5907163A (en) * 1995-06-19 1999-05-25 Reliance Electric Industrial Company Self-biased moat for parasitic current suppression in integrated circuits
DE19953333A1 (de) * 1999-11-05 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Realisierung von einer stark dotierten vergrabenen Schicht
DE10014659C2 (de) * 2000-03-24 2002-08-01 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnung und entsprechende Herstellungsverfahren
DE19840031C2 (de) * 1998-09-02 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0821678B2 (ja) * 1987-05-29 1996-03-04 日産自動車株式会社 半導体装置
DE4411869C2 (de) * 1994-04-06 1997-05-15 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einer integrierten Treiberschaltungsanordnung
US6747294B1 (en) * 2002-09-25 2004-06-08 Polarfab Llc Guard ring structure for reducing crosstalk and latch-up in integrated circuits

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4209523C1 (de) * 1992-03-24 1993-03-11 Siemens Ag, 8000 Muenchen, De
US5514901A (en) * 1994-05-17 1996-05-07 Allegro Microsystems, Inc. Epitaxial island with adjacent asymmetrical structure to reduce collection of injected current from the island into other islands
US5545917A (en) * 1994-05-17 1996-08-13 Allegro Microsystems, Inc. Separate protective transistor
US5907163A (en) * 1995-06-19 1999-05-25 Reliance Electric Industrial Company Self-biased moat for parasitic current suppression in integrated circuits
DE19840031C2 (de) * 1998-09-02 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Halbleiteranordnung
DE19953333A1 (de) * 1999-11-05 2001-05-31 Infineon Technologies Ag Anordnung zur Realisierung von einer stark dotierten vergrabenen Schicht
DE10014659C2 (de) * 2000-03-24 2002-08-01 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnung und entsprechende Herstellungsverfahren

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Gonnard, O. et al.: "Multi-ring Active Protection for Minority Carrier Injection Supression in Smart Power Technology", Proceedings of 2001 Internat- ional Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka
Gonnard, O. et al.: "Multi-ring Active Protection for Minority Carrier Injection Supression in SmartPower Technology", Proceedings of 2001 Internat- ional Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Osaka *
Gupta, S. et al.: "Improved Latch-Up Immunity in Junction-Isolated Smart Power ICs With Unbiased Guard Ring", IEEE Electron Device Letters, Vol. 22 , No. 12, Dezember 2001
Gupta, S. et al.: "Improved Latch-Up Immunity in Junction-Isolated Smart Power ICs With Unbiased Guard Ring", IEEE Electron Device Letters, Vol. 22, No. 12, Dezember 2001 *
Pepiette, R.:"A New Protection Technique for Ground Recirculation Parasitics in Monolithic Power I.C., s", Vol. 26, No. 1 (1994) beschrieben ist. *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004032912B4 (de) 2012-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102009002944B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112017000064T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE10330571B4 (de) Vertikales Leistungshalbleiterbauelemente mit Injektionsdämpfungsmittel im Randbereich und Herstellungsverfahren dafür
DE102007036147B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Rekombinationszone
DE102007015304B4 (de) Rückwärtsleitender (RC-) IGBT mit senkrecht angeordneter Ladungsträgerlebensdaueranpassung und Verfahren zur Herstellung eines rückwärtsleitenden IGBT
DE102010039258B4 (de) Transistorbauelement mit reduziertem Kurzschlussstrom
DE102008008152B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE102005043913B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer dotierten Zone in einem Halbleiterkörper
DE102018215731B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102006001252B4 (de) Bipolares Leistungshalbleiterbauelement mit einem p-Emitter und höher dotierten Zonen in dem p-Emitter und Herstellungsverfahren
WO2000042662A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit mesa-randabschluss
DE112006001791B4 (de) Non-Punch-Through Hochspannungs-IGBT für Schaltnetzteile und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102006024504A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit vertikaler Gatezone und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2004030103A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vergrabenen stoppzone in einem halbleiterbauelement und halbleiterbauelement mit einer vergrabenen stoppzone
DE3856150T2 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung
DE102005049506A1 (de) Vertikales Halbleiterbauelement
EP1611613B2 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE10240107B4 (de) Randabschluss für Leistungshalbleiterbauelement und für Diode sowie Verfahren zur Herstellung einer n-leitenden Zone für einen solchen Randabschluss
DE112021002169T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102019202108A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE4039012C2 (de) Mos-Halbleiterbauelement
DE102004017723A1 (de) In Rückwärtsrichtung sperrendes Halbleiterbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1539090B1 (de) Integrierte Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102005032074B4 (de) Halbleiterbauelement mit Feldstopp
EP0700095B1 (de) Abschaltbarer Thyristor für hohe Blockierspannungen und kleiner Bauelementdicke

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8181 Inventor (new situation)

Inventor name: NELLE, PETER, DR., 80993 MUENCHEN, DE

Inventor name: SCHULZE, HANS-JOACHIM, DR., 85521 OTTOBRUNN, DE

Inventor name: HORN, WOLFGANG, VILLACH, AT

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20120517

R082 Change of representative

Representative=s name: ,

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee