DE102004029911A1 - Production of inorganic layers on a substrate comprises using a hot gas stream and a carrier gas stream containing a precursor which is cooler than the hot gas stream - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung anorganischer Schichten auf einem Substrat unter Verwendung eines Heißgasstroms und eines einen Precursor enthaltenden Trägergasstroms.The The invention relates to a method and an assembly for the production inorganic layers on a substrate using a Hot gas stream and a carrier gas stream containing a precursor.
CVD (chemical vapor deposition)-Prozesse gehören seit langem zum Stand der Technik, was bspw. aus der Monographie "THIN FLIM PROCESSES" von J. L. Vossen und W. Kern hervorgeht. Diesen Prozessen ist gemeinsam, dass in beheizten Gasen Verbindungen zur Reaktion gebracht und auf begrenzenden Oberflächen abgeschieden werden. Dabei spielt die Temperatur der einen Reaktionsraum begrenzenden Oberflächen eine erhebliche Rolle. Ebenso ist es bekannt, einen Gasstrom oder ein Gasgemisch auf eine Substratoberfläche mit einer vorgegebenen Temperatur zu lenken und auf dieser eine Schichtbildung zu erzeugen. Hierzu wird auch auf die verwiesen. Die hierzu erforderlichen hohen Substrattemperaturen schränken die Materialauswahl und die Abscheideraten ein.CVD (Chemical vapor deposition) processes have long been part of the state of the art Technique, which, for example, from the monograph "THIN FLIM PROCESSES" by J. L. Vossen and W. Kern emerges. These processes have in common that in heated gases compounds reacted and deposited on confining surfaces become. The temperature of a reaction space limiting plays surfaces a significant role. It is also known, a gas stream or a gas mixture on a substrate surface with a predetermined To direct temperature and to create a layer formation on this. Reference is also made to this. The required high Restrict substrate temperatures the material selection and the deposition rates.
Bekannt
sind auch die sogenannten Plasma-Remote-Verfahren, die sowohl im
Vakuum als auch bei Normaldruck arbeiten, siehe z. B.
Weiterhin gehören Verfahren zum Stand der Technik, bei denen in das Plasma oder in eine Brenngas- oder Knallgasflamme Partikel eingeführt werden, die in dem Plasma oder der Flamme eingeschmolzen und als Schicht auf ein Substrat abgeschieden werden. Die damit erzeugten Schichten sind vergleichsweise dick und in ihrer Verteilung wie auch in ihrer Struktur inhomogen.Farther belong Prior art method in which in the plasma or in a fuel gas or oxyhydrogen flame particles are introduced, which melted in the plasma or the flame and as a layer deposited on a substrate. The layers produced with it are comparatively thick and in their distribution as well as in their structure inhomogeneous.
Bekannt
sind auch Verfahren, bei denen in eine Brenn- oder Knallgasflamme
metallorganische Verbindungen eingebracht und durch Verbrennungsprozesse,
die im Regelfall Hydrolyseprozesse darstellen, auf begrenzenden
Oberflächen
abgeschieden werden. Diese als Flammenhydrolyseverfahren, CCVD-Combustion
oder CVD-Verfahren bekannten Verfahren sind bspw. in
Durch die Erfindung sollen die aufgezeigten Mängel vermieden werden. Ihr liegt die Aufgabe zu Grunde ein Verfahren und eine Anordnung zu schaffen, die bei relativ geringem und gut kontrollierbarem Wärmeeintrag und hoher Materialvielfalt sowohl der beschichtbaren Substrate als auch der Schichten selbst die Herstellung homogener, haftfester Schichten mit deutlich höheren Abscheideraten ermöglicht.By the invention intended to avoid the identified shortcomings. you the task is based on a method and an arrangement create, with relatively low and easily controllable heat input and high material diversity of both the coatable substrates as also the layers themselves producing homogeneous, more adhesive Layers with significantly higher Abscheideraten allows.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des ersten und siebzehnten Patentanspruchs gelöst und durch die Merkmale der Unteransprüche vorteilhaft ausgestaltet. Für die Erfindung ist es wesentlich, dass ein heißer Gasstrom, der auch aus einer Flamme oder einem Plasma bestehen kann, mit einem Precursor zusammengeführt wird, welcher aus einer metallorganischen Verbindung, einem Metallhalogenid oder einer anderen verdampfbaren Metallverbindung besteht und in ein Trägergas eingebettet ist. Beide Gasströme werden im oberflächennahen Bereich eines zu beschichtenden Substrats derart zusammengeführt, dass der den Precursor enthaltende kühlere Trägergasstrom der Aufheizung der Substratoberfläche durch den Heißgasstrom entgegenwirkt. Der oberflächennahe Bereich liegt zwischen nahezu Null und 30 mm, vorzugsweise 1 und 10 mm; die Temperatur des Heißgasstroms liegt im Allgemeinen zwischen 500 und 2000°C, die Temperatur des Gasgemischs in der Nähe des Substrats übersteigt regelmäßig 500°C nicht. Das heiße Gas kann auch durch einen Gleich- oder Wechselstrombogen oder durch eine Funkenentladung erzeugt werden oder ein Mikrowellenplasma darstellen.These The object is achieved by the features of the first and seventeenth claims solved and advantageously designed by the features of the subclaims. For the Invention it is essential that a hot gas stream, which also out a flame or a plasma, with a precursor together which is composed of an organometallic compound, a metal halide or another vaporizable metal compound and in a carrier gas is embedded. Both gas streams be near the surface Area of a substrate to be coated merged in such a way that the cooler containing the precursor Carrier gas stream the heating of the substrate surface by the hot gas flow counteracts. The near-surface Range is between nearly zero and 30 mm, preferably 1 and 10 mm; the temperature of the hot gas stream is generally between 500 and 2000 ° C, the temperature of the gas mixture near of the substrate exceeds regularly 500 ° C not. The hot Gas can also by a DC or AC arc or by a Sparks discharge generated or represent a microwave plasma.
Metallorganische Precursorsubstanzen sind vorzugsweise silizium-, titan-, zirkon-, aluminium-, zinn-, wolfram-, molybdän-, eisen-, nickel-, zink- und silberhaltige Verbindungen. Von den Halogeniden sind die des Siliziums, Titans und des Aluminiums besonders geeignet. Als Precursorsubstanzen, die nicht zu den vorgenannten beiden Gruppen gehören, sind Carbonyle und Hydride. Als Trägergasstrom für die Precursormoleküle kann Luft, Stickstoff, Inertgase aber auch Sauerstoff dienen. Diesem Trägergasstrom können zusätzlich Wasserdampf, oxidierende Gase (wie O2 oder O3) Ammoniak (NH3) oder andere Stickstoff enthaltende gasförmige Verbindungen zugesetzt sein. Der Anteil an den Zusätzen übersteigt im Regelfall die Konzentration des Precursors nicht oder steht in einem stöchiometrischen Verhältnis zu den umzusetzenden oder zu oxidierenden Precursorbestandteilen. Die Precursormoleküle in den Gasstrom einzeln oder als Mischung eingebracht werden. In einem Schichtherstellungsvorgang können nacheinander oder gleichzeitig unterschiedliche Heißgase und/oder Precursoren in unterschiedlichen Mengen zugeführt werden.Organometallic precursor substances are preferably silicon, titanium, zirconium, aluminum, tin, tungsten, molybdenum, iron, nickel, zinc and silver compounds. Of the halides, those of silicon, titanium and aluminum are particularly suitable. As precursor substances which do not belong to the aforementioned two groups, carbonyls and hydrides. The carrier gas stream for the precursor molecules can be air, nitrogen, inert gases but also oxygen. In addition, steam, oxidizing gases (such as O 2 or O 3 ), ammonia (NH 3 ) or other nitrogen-containing gaseous compounds may be added to this carrier gas stream. The proportion of the additives as a rule does not exceed the concentration of the precursor or is in a stoichiometric ratio to the reacted or to be oxidized precursor components. The precursor molecules in the gas stream can be introduced individually or as a mixture. In a layer production process, different hot gases and / or precursors can be supplied in different amounts in succession or simultaneously.
Das erfindungsgemäße Verfahren basiert auf den bekannten Reaktionen des CVD-Verfahrens. Eine besondere Bedeutung kommt dabei der hydrolytischen Zersetzung von hydrolysierenden Precursorverbindungen infolge des Heißgasstroms zu. Durch die Brenngasflamme bzw. das Plasma entstehen H2O sowie dessen Zersetzungsprodukte, wie OH-Radikale und Sauerstoffatome oder deren entsprechende Ionen. Im Einzelfall kommt es zur Bildung von Oxiden bzw. im Fall von thermischen Zersetzungsprozessen auch von Nitriden, Carbiden oder von Metallschichten, die sich an der Substratoberfläche definiert ablagern. Dabei wird die adsorptive Bindung der Precursormoleküle an der Substratoberfläche mit der Bildung von nanomeren Produktvorstufen in der Gasschicht gekoppelt, die sich beim Zusammentreffen des Trägergasstroms und des Heißgasstroms im Oberflächenbereich ausbilden. Die Gasströme müssen so dimensioniert sein, dass der precursorhaltige Trägergasstrom den Heißgasstrom im oberflächennahen Bereich unterschichtet bzw. dass eine optimale Durchwirkungszone an der Oberfläche ausgebildet wird. Durch das Verhältnis der Gasströme ist neben der chemischen Umsetzung auch die Oberflächentemperatur des Substrats steuerbar. Das macht es möglich, neben Metall-, Keramik- und Glassubstraten auch solche aus Kunststoff zu verwenden.The inventive method is based on the known reactions of the CVD method. Of particular importance is the hydrolytic decomposition of hydrolyzing precursor compounds due to the hot gas flow. The fuel gas flame or the plasma produces H 2 O and its decomposition products, such as OH radicals and oxygen atoms or their corresponding ions. In individual cases, oxides or, in the case of thermal decomposition processes, nitrides, carbides or metal layers which deposit on the substrate surface are formed. In this case, the adsorptive binding of the precursor molecules to the substrate surface is coupled with the formation of nanometric product precursors in the gas layer, which form when the carrier gas flow and the hot gas flow coincide in the surface region. The gas streams must be dimensioned so that the precursor-containing carrier gas stream undercuts the hot gas stream in the near-surface region or that an optimum zone of penetration is formed on the surface. Due to the ratio of the gas flows, the surface temperature of the substrate can be controlled in addition to the chemical reaction. This makes it possible to use not only metal, ceramic and glass substrates but also those made of plastic.
Die geometrische Gestaltung der Austrittsöffnungen der Mittel zur Zuführung des Heißgasstroms und des Trägergasstroms erlaubt die Einstellung und Optimierung der Beschichtung auf unterschiedlichen Substratgeometrien. Die erfindungsgemäße Anordnung für die Abscheidung anorganischer Schichten auf Substraten ist so getroffen, dass ein oder mehrere precursorhaltige Gasströme mit einem oder mehreren heißen Gasströmen, welche insbesondere Flammen- oder Plasmaströme sind, gekoppelt auf die Oberfläche geführt werden. Die einzelnen Mittel und Elemente, welche die precursorhaltigen Trägerströme zuführen, befinden sich gegenüber den Mitteln und Elementen, welche die heißen Gasströme zuführen, grundsätzlich in unterschiedlichen Abständen zueinander sowie in unterschiedlichen Winkelstellungen zueinander und zur zu beschichtenden Substratoberfläche. Hierzu sind die Mittel und Elemente zueinander und zur Substratoberfläche dreidimensional relativ bewegbar. Dabei beträgt der Winkel α zwischen den geometrischen Achsen der Mittel zur Zuführung des Heißgasstroms und zur Zuführung des Trägerstroms 0 bis 180°, vorzugsweise 0 bis 100°, und der Winkel y zwischen der Normalen zur Substratfläche und der geometrischen Achse zur Zuführung des Trägergasstroms 0 bis 90°. Die Austrittsöffnungen des Mittels zur Zuführung des Heißgasstroms und des Mittels zur Zuführung des Trägergases mit dem Precursor vom Substrat befinden sich in Bereichen a und b zwischen 0 und 50 mm, vorzugsweise ca. 20 mm, wobei der Abstand b der Austrittsöffnung des Trägergasstroms vom Substrat im Allgemeinen kleiner ist als der Abstand α der Austrittsöffnung der Zuführung des Heißgasstroms. Der Abstand der Austrittsöffnungen des Mittels zur Zuführung des Heißgasstroms und des Mittels zur Zuführung des Trägergasstroms in einer zur jeweiligen Normalen auf dem Substrat senkrechten Projektionsebene beträgt 0 bis 10 cm, vorzugsweise 0 bis 5 cm. Jedes Zuführungsmittel kann eine oder mehrere Austrittsöffnungen (Düsen) unterschiedlicher Größe und Form aufweisen. Sind die Austrittsöffnungen als nebeneinander und/oder nacheinander liegende Schlitze gestaltet, so haben sie vorteilhaft eine Breite von 0,1 bis 20 mm, vorzugsweise von 0,5 bis 5 mm. Diese Größenverhältnisse gelten auch für kreisförmige oder andere Düsenöffnungen. Die Mittel zur Zuführung des Heißgasstroms und/oder des Trägergasstroms können im Bedarfsfall aus einer porösen Keramik oder einem metallischen Schwamm bestehen. Dabei ist es von Vorteil, wenn die Mittel zur Zuführung des Trägergasstroms selbst temperierbar oder von einer temperierbaren Wand umgeben sind. Es ist auch günstig, zwischen den Mitteln zur Zuführung des Heißgasstroms und den Mitteln zur Zuführung des Trägergasstroms Elemente zur thermischen Abschirmung einzufügen, deren variierbare Abstände vom Substrat kleiner sind als der Abstand der Mittel zur Zuführung des Heißgasstroms vom Substrat und nicht kleiner als 2 mm sein sollen. Die thermische Abschirmung kann als Luft- oder Wasserkühlung oder durch wärmeisolierende Materialien realisiert sein. Schließlich können die vorstehend beschriebenen Mittel und Elemente auf einem gemeinsamen Träger einstellbar angeordnet sein. Auch ist es möglich, die erfindungsgemäße Anordnung in Richtung der Beschichtungsbewegung und quer dazu zur Gewährleistung einer rationellen Beschichtung mehrfach anzuordnen.The geometric design of the outlet openings of the means for feeding the Hot gas stream and the carrier gas stream allows the adjustment and optimization of the coating on different Substrate geometries. The inventive arrangement for the deposition inorganic layers on substrates is made such that one or several precursor-containing gas streams with one or more hot ones Gas streams, which are in particular flame or plasma streams, coupled to the surface guided become. The individual agents and elements which supply the precursor-containing carrier streams are located opposite the means and elements which supply the hot gas streams, basically in different distances to each other and in different angular positions to each other and to the substrate surface to be coated. These are the means and elements relative to each other and to the substrate surface three-dimensionally relative movable. It is the angle α between the geometric axes of the means for supplying the hot gas stream and for the supply of the carrier stream 0 to 180 °, preferably 0 to 100 °, and the angle y between the normal to the substrate surface and the geometric axis for feeding the carrier gas stream 0 to 90 °. The outlet openings the means for feeding of the hot gas stream and the means for feeding the carrier gas with the precursor from the substrate are in areas a and b between 0 and 50 mm, preferably about 20 mm, the distance b the outlet opening the carrier gas stream From the substrate is generally smaller than the distance α of the outlet opening of the feed of the hot gas stream. The distance between the outlet openings the means for feeding of the hot gas stream and the means for feeding the carrier gas stream in a plane perpendicular to the respective normal on the substrate projection plane is 0 to 10 cm, preferably 0 to 5 cm. Each delivery means may be one or several outlet openings (Nozzles) different size and shape exhibit. Are the outlet openings designed as side by side and / or successive slots, so they have advantageously a width of 0.1 to 20 mm, preferably from 0.5 to 5 mm. These proportions also apply to circular or other nozzle openings. The means of delivery of the hot gas stream and / or the carrier gas stream can if necessary from a porous Ceramic or a metallic sponge. It is from Advantage, if the means of delivery the carrier gas stream self-tempered or surrounded by a temperature-controlled wall. It's also cheap between the means for feeding the Hot gas stream and the means for supplying the Carrier gas stream Insert elements for thermal shielding whose variable distances from the Substrate are smaller than the distance of the means for feeding the Hot gas stream should be from the substrate and not smaller than 2 mm. The thermal Shielding can be used as air or water cooling or through heat insulating Be realized materials. Finally, the means described above and elements arranged on a common support adjustable be. It is also possible the inventive arrangement in the direction of the coating movement and across it to ensure to arrange a rational coating several times.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der schematischen Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:The Invention will be explained in more detail below with reference to the schematic drawing. It demonstrate:
In
In
Während in
Auch
in
Das
zu den
In
In
In
Abweichend
von
In
den
In
jedem Mittel zur Zuführung
des Trägergasstroms
Beim
Beschichten des Substrats
Mit
der in den
Zur
Beschichtung eines Glassubstrats mit TiOx kommt
die Anordnung gemäß
Das
Verfahren der Beschichtung gestaltet sich mit dieser modifizierten
Anordnung nach
Die
gemäß Vorstehendem
modifizierte Anordnung der
Alle in der Beschreibung, den nachfolgenden Ansprüchen und der Zeichnung dargestellten Merkmale können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination miteinander erfindungswesentlich sein.All in the description, the following claims and the drawing Features can both individually and in any combination with each other invention essential be.
- 1111
- HeißgasstromHot gas stream
- 12, 19, 20, 31, 32, 33, 3412 19, 20, 31, 32, 33, 34
- Mittel zur Zuführung des Heißgasstromsmedium to the feeder of the hot gas stream
- 1313
- TrägergasstromCarrier gas stream
- 14, 29, 3014 29, 30
- Mittel zur Zuführung des Trägergasstromsmedium to the feeder the carrier gas stream
- 15, 2815 28
- Substratesubstrates
- 1616
- Projektionsebeneprojection plane
- 1717
- Normale (Senkrechte)normal (Vertical)
- 1818
- Doppelpfeil (Relativbewegung)double arrow (Relative movement)
- 21, 2221 22
- thermische Abschirmungenthermal shields
- 23, 24, 2523 24, 25
- Trägercarrier
- 26, 2726 27
- Anordnungenarrangements
- 121, 122, 124, 141, 142,121 122, 124, 141, 142,
- 144, 292, 302, 311, 321,144 292, 302, 311, 321,
- 331, 341331 341
- Ausströmöffnungen, AustrittsöffnungenOutflow openings, outlet openings
- 123, 143123 143
- Schlitzeslots
- 151, 291, 301151 291, 301
- Oberflächensurfaces
- 152, 281152 281
- anorganische Schichteninorganic layers
- 293, 303293, 303
- Hohlräumecavities
- 294, 304294, 304
- PrallplattenFlapper
- 295, 305295, 305
- Trägergascarrier gas
- X-X, Y-Y, X1-X1,XX, YY, X 1 -X 1 ,
- X2-X2 X 2 -X 2
- geometrische Achsengeometric axes
- a, a1, a2, b, c, c1, c2, d,a, a 1 , a 2 , b, c, c 1 , c 2 , d,
- d1, d2, e, e1, e2, f1, f2 d 1 , d 2 , e, e 1 , e 2 , f 1 , f 2
- Abstände, MittenabständeDistances, center distances
- α, α1, α2, β1, β2, γα, α 1 , α 2 , β 1 , β 2 , γ
- Winkelangle
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