DE102004021747A1 - Strip conductor structure used in the production of circuit boards comprises a metal layer arranged on metal cores produced by breaking up electrically non-conducting metal compounds by electromagnetic radiation - Google Patents

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Abstract

Strip conductor structure arranged on a transparent electrically non-conducting carrier material comprises a metal layer arranged on metal cores produced by breaking up electrically non-conducting metal compounds by electromagnetic radiation. The metal compounds are thermally stable non-soluble inorganic and/or organic nano-scale metal compounds which are resistant in aqueous acidic or alkaline metallization baths. An independent claim is also included for a process for the production of a strip conductor structure.

Description

Die Erfindung betrifft Leiterbahnstrukturen auf einem insbesondere transparenten, elektrisch nicht leitenden Trägermaterial, die aus Metallkeimen und einer nachfolgend auf diese aufgebrachten Metallschicht bestehen, wobei die Metallkeime durch Aufbrechen von feinstverteilt in dem Trägermaterial enthaltenen elektrisch nicht leitenden Metallverbindungen durch elektromagnetische Strahlung entstanden sind. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen sowie ein transparentes, nichtleitendes Trägermaterial.The The invention relates to printed conductor structures on a particularly transparent, electrically non-conductive substrate, those from metal seeds and one subsequently applied to them Metal layer, wherein the metal nuclei by breaking of finely divided contained in the carrier material Electrically non-conductive metal compounds by electromagnetic Radiation has arisen. Furthermore, the invention relates to a Method for producing the printed conductor structures and a transparent, non-conductive carrier material.

Leiterbahnstrukturen der genannten Art sowie ein Verfahren zu deren Herstellung sind in der Praxis bereits bekannt geworden, bei denen zur Herstellung feiner, festhaltender Leiterbahnstrukturen in ein nicht leitendes Trägermaterial nicht leitende Metallchelatkomplexe oder anorganische Metallverbindungen eingebracht und von diesen mittels Laserstrahlung strukturiert Metallisierungskeime abgespalten werden, die in den bestrahlten Teilflächen eine nachfolgende chemisch-reduktive Metallisierung initiieren.Interconnect structures of the type mentioned and a process for their preparation are already known in practice in which for the production fine, retaining conductor track structures in a non-conductive support material non-conductive metal chelate complexes or inorganic metal compounds introduced and of these by means of laser radiation structured metallization be split off, which in the irradiated areas a subsequent initiate chemical-reductive metallization.

Derartige Verfahren sind beispielsweise einsetzbar für die Herstellung von Schaltungsträgern aus thermoplastischen Kunststoffen mittels des Spritzgieß-Verfahrens. Gegenüber alternativen Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Spritzgieß-Schaltungsträgern, den genannten „Moulded Interconnect Devices" oder „MIDs" weisen diese Verfahren den Vorteil auf, dass die Werkzeugkosten vergleichsweise niedrig gehalten werden können. Außerdem kann die Zahl der erforderlichen Prozessschritte verringert werden, da der unzersetzte Metallchelatkomplex oder die unzersetzte anorganische Metallverbindung in den nichtbestrahlten Bereichen auf der Oberfläche des Schaltungsträgers verbleiben kann. Es ist somit eine sehr wirtschaftliche Herstellung auch mittelgroßer Stückzahlen möglich, wobei eine besonders feine Auflösung des Strukturbildes erreicht werden kann.such Methods are for example used for the production of circuit boards thermoplastic materials by means of the injection molding process. Across from alternative method of manufacturing three-dimensional injection molded circuit boards, the called "Molded Interconnect Devices "or" MIDs "exhibit these methods the advantage that the tooling costs comparatively low can be kept. In addition, can the number of required process steps are reduced because the undecomposed metal chelate complex or the undecomposed inorganic metal compound can remain in the non-irradiated areas on the surface of the circuit substrate. It is thus a very economical production of medium-sized quantities possible, being a particularly fine resolution of the structure image can be achieved.

Den genannten Vorteilen stehen die Nachteile gegenüber, dass die verwendeten organischen und anorganischen Wirksubstanzen nicht in der Polymermatrix aufgelöst werden können. Die Einzelpartikel haben äußere Abmessungen im μm-Bereich um 1 bis 10 μm und ergeben deshalb nach Zusatz in der Kunststoffmatrix eine gedeckte, undurchsichtige Einfärbung des Systems.The These advantages are contrasted with the disadvantages that the organic and inorganic active substances are not dissolved in the polymer matrix can. The individual particles have external dimensions in the μm range around 1 to 10 μm and therefore give, after addition in the plastic matrix, a covered, opaque coloring of the system.

Bereits der Zusatz geringster Mengen der Wirksubstanzen von weit unter 1% in die Kunststoffmatrix führt zu einer Eintrübung, die jegliche Lichtleitung durch die Lichtstreuung an den Partikeln verhindert. Die Leiterplattenstrukturen auf transparenten Träger-Werkstoffen, die eine ungestreute Lichtleitung ermöglichen sind aber für opto-elektronische Systeme erforderlich, besonders dann, wenn die Verbindung zu konventionellen Schaltungen erreicht werden soll.Already the addition of very small amounts of the active substances of far less than 1% leads into the plastic matrix to a cloudiness, the any light conduction through the light scattering on the particles prevented. The printed circuit board structures on transparent carrier materials, which allow an unscattered light pipe but are opto-electronic Systems required, especially if the connection to conventional Circuits should be achieved.

Außerdem erfordert der Wirksubstanzenzusatz vergleichsweise große Mengen, um eine wirksame Keimbildung durch elektromagnetische Strahlung für den nachfolgenden Metallschichtaufbau zu gewährleisten, so dass das Eigenschaftsbild der Standardkunststoffe nicht erreicht werden kann. Wichtige Gebrauchseigenschaften des Trägermaterials, wie Bruchdehnung und Kaltschlagzähigkeit werden dadurch beeinträchtigt oder können nur auf Kosten anderer Eigenschaften realisiert werden, so dass für jeden Anwendungsfall spezielle Rezepturen zu formulieren sind.Also required the active substance additive comparatively large amounts to an effective Nucleation by electromagnetic radiation for the subsequent metal layer construction to ensure, so that the property picture of standard plastics is not reached can be. Important functional properties of the carrier material, such as elongation at break and cold impact toughness are affected by it or can only be realized at the expense of other properties, so that for each Use case to formulate special recipes.

Von Nachteil ist auch bei bestimmten Anwendungen, die eine bleifreie Löttechnik erfordern, die mit den vorgenannten Verfahren zu geringer Haftfestigkeit der Leiterbahnen bei Löttemperatur führen, so dass solche Schaltungen nicht zuverlässig gelötet werden können.From Disadvantage is also in certain applications, which is a lead-free Soldering require, with the aforementioned methods too low adhesion the conductor tracks at soldering temperature to lead, so that such circuits can not be reliably soldered.

Insbesondere durch die hohe Absorption der elektromagnetischen Strahlung im Trägermaterial entstehen feinste Aufschmelzungen an den Strukturen, die keine Feinstleiterstrukturierung unter 150 μm ermöglichen und nicht zur gewünschten Rauhigkeit für höchste Haftfestigkeiten der Schichten führen.Especially caused by the high absorption of the electromagnetic radiation in the carrier material finest fusions on the structures that no Feinstleiterstrukturierung allow under 150 microns and not to the desired Roughness for highest Adhesive strength of the layers lead.

Aufgabe der Erfindung ist es, einfach und sicher herzustellende, feinste Leiterbahnstrukturen auf insbesondere transparenten Schaltungsträgern zur Verfügung zu stellen, die in dem Trä germaterial mit vergleichsweise geringem Anteil an keimbildenden Zusätzen wirksam werden und die insbesondere die Transparenz des Trägermaterials erhalten. Weiterhin ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein einfaches und sicheres Verfahren zur Herstellung von feinsten Leiterbahnstrukturen auf transparenten Trägermaterialien zu schaffen, wobei ein Compoundieren, Spritzgießen von Hochleistungs-Kunststoffen und gegebenenfalls auch Gießen bei Lacksystemen möglich sein soll sowie ein geeignetes transparentes, elektrisch nicht leitendes Trägermaterial zu schaffen.task The invention is to produce easy and safe, finest Conductor structures on particular transparent circuit carriers available put, which in the Trä germaterial effective with a comparatively low proportion of nucleating additives and in particular the transparency of the support material receive. It is another object of the present invention Simple and safe process for the production of the finest printed conductor structures on transparent substrates to create, using a compounding, injection molding of high performance plastics and if necessary, watering possible with paint systems should be as well as a suitable transparent, electrically non-conductive support material to accomplish.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Anspruchs 1 bzw. der Ansprüche 15 und 27 gelöst. Die weitere Ausgestaltung der Erfindung sind den jeweiligen Unteransprüchen zu entnehmen.These The object is achieved by the features of claim 1 or claims 15 and 27 solved. The further embodiment of the invention are the respective dependent claims remove.

Erfindungsgemäß sind also die elektrisch nicht leitenden, thermisch hochstabilen Metallverbindungen aus ultrafeinen Partikeln mit Nanodimensionen in charakteristischen Größen unter 200 nm, in wässrigen, sauren oder alkalischen Metallisierungsbädern beständigen und nicht löslichen anorganischen und/oder organischen Metallverbindungen gebildet, die in nichtbestrahlten Bereichen unverändert bleiben.According to the invention, therefore, the electrically non-conductive, thermally highly stable metal compounds of ultrafine particles with nanodimensio NEN in characteristic sizes below 200 nm, formed in aqueous, acidic or alkaline Metallisierungsbädern resistant and non-soluble inorganic and / or organic metal compounds, which remain unchanged in non-irradiated areas.

Indem die elektrisch nicht leitenden Metallverbindungen ein Partikelsystem mit Nanodimensionen bilden, deren Einzelpartikel äußere Abmessungen kleiner 200 nm haben, bleiben daher die wesentlichen Gebrauchseigenschaften des Trägermaterials, wie Bruchdehnung und Schlagzähigkeit oder die optischen Eigenschaften, insbesondere die Transparenz des Trägermaterials erhalten.By doing the electrically non-conductive metal compounds a particle system form nanodimensions whose individual particles have external dimensions less than 200 nm, therefore remain the essential performance characteristics of the carrier material, such as Elongation at break and impact strength or the optical properties, in particular the transparency of the support material receive.

Indem die Eigenschaften des Kunststoffes, ausschließlich auch mit nano-skaligen Hilfs-, Füll- und Verstärkungsstoffen, die ebenfalls aus ultrafeinen Partikeln mit Nanodimensionen in charakteristischen Größen unter 200 nm bestehen, eingestellt werden, bleibt hierdurch die Transparenz des Trägers bestehen.By doing the properties of the plastic, exclusively with nano-scale Auxiliaries, fillers and reinforcing materials, also made of ultrafine particles with nanodimensions in characteristic Sizes below 200 nm are set, this leaves the transparency of the carrier consist.

Das Partikelsystem mit Nanodimensionen der elektrisch nicht leitenden Metallverbindungen führt außerdem dazu, dass der Anteil der Oberflächenatome pro Partikel extrem hoch ist. Demzufolge sind nur noch Zusätze bis zu 1% von nano-skaligen Metallverbindungen erforderlich, die dazu führen, dass das Eigenschaftsbild nach Zusatz dieser nanoskaligen Metallverbindungen zu Standardkunstoffen erhalten bleibt und wichtige mechanische Werte, wie Bruchdehnung und Schlagzähigkeit erhöht werden. Dadurch können einzelne Rezepturen für mehrere Anwendungsfälle ohne Einschränkungen nutzbar gemacht werden.The Particle system with nanodimensions of electrically non-conductive Metal compounds leads Furthermore to that the proportion of the surface atoms extremely high per particle. As a result, only additions are up to 1% of nano-scale metal compounds required to do so lead that the property picture after adding these nanoscale metal compounds to standard plastics and important mechanical values, such as elongation at break and impact resistance elevated become. Thereby can individual recipes for several use cases without restrictions be made usable.

Überraschend wurde auch festgestellt, dass durch die zugesetzten nanoskaligen Metallverbindungen, Hilfsstoffen, Füllstoffen und/oder Verstärkungsstoffen eine hyperaktive Oberfläche gebildet wird, die zu einer hohen Haftfestigkeit der darauf aufgebauten Metallschicht von über 10 N/cm führt. Dadurch ist auch bei Löttemperatur mit bleifreien Loten eine zuverlässige Verbindungstechnik möglich.Surprised was also found that by the added nanoscale Metal compounds, auxiliaries, fillers and / or reinforcing materials a hyperactive surface is formed, which leads to a high adhesive strength of the built-up Metal layer of over 10 N / cm leads. This is also at soldering temperature a reliable one with lead-free solders Connection technology possible.

Überrascht hat auch der Effekt, dass durch die geringen Anteile an nano-skaliger Wirksubstanz geringere Leistungseinträge zur Spaltung durch Laserstrahlung erforderlich sind. Dadurch gibt es kaum noch Aufschmelzungen bei der Strukturbildung, was wiederum eine feinere Strukturierung mit Leiterbahnbreiten und -abständen unter 100 μm ermöglicht.Surprised also has the effect that due to the low levels of nano-scale Active substance lower power inputs for cleavage by laser radiation required are. As a result, there are hardly any melting structuring, which in turn results in a finer structuring Track widths and distances below 100 μm allows.

Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen ist dadurch, dass eine nanoskalige, thermisch hochstabile, in wässrigen sauren oder alkalischen Metallisierungbädern beständige anorganische oder organische Metallverbindung in das Trägermaterial eingemischt wird, dass das Trägermaterial zu Bauteilen verarbeitet oder für Bauteile als Beschichtung aufgetragen wird und dass im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen mittels einer elektromagnetischen Strahlung nanoskalige Metallkeime, insbesondere der d- und f-Gruppenelemente des Periodischen Systems, freigesetzt und diese dann chemisch-reduktiv zu einer geschlossenen Metallschicht metallisiert werden, insbesondere auch erreicht worden, dass das Trägermaterial transparent bleibt und in den nichtbestrahlten Bereichen in und auf der Oberfläche ohne Störung elektrischer Funktionen verbleiben kann. Die nanoskaligen anorganischen und organischen Metallverbindungen sind derart temperaturbeständig, dass ein Compoundieren bzw. Spritzgießen auch moderner Hochtemperatur-Kunststoffe möglich ist.at the method according to the invention for the production of the conductor track structures is characterized in that a nanoscale, thermally highly stable, in aqueous acidic or alkaline Metallisierungbädern stable inorganic or organic metal compound in the carrier material is mixed in that the carrier material processed into components or for Components is applied as a coating and that in the field of to be generated conductor track structures by means of electromagnetic radiation nanoscale metal nuclei, in particular the d and f group elements of the periodic system, released and this then chemically-reductive to a metallized closed metal layer, in particular also has been achieved that the carrier material remains transparent and in the non-irradiated areas in and on the surface without disorder electrical functions may remain. The nanoscale inorganic and organic metal compounds are so temperature resistant that a compounding or injection molding of modern high-temperature plastics is possible.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass mittels der elektromagnetischen Strahlung gleichzeitig nanoskalige Metallkeime der d- und f-Gruppenelemente des Periodischen Systems freigesetzt werden und hierdurch eine hyperaktive, haftvermittelnde Oberfläche mit Nanopartikeln entsteht.According to one preferred embodiment of Invention is provided that by means of the electromagnetic radiation simultaneously nanoscale metal nuclei of the d and f group elements of the Periodic System, thereby rendering a hyperactive, adhesion-promoting surface created with nanoparticles.

Im Rahmen der Erfindung ist vorgesehen, dass dem chemischen Aufbau zufolge analoge anorganische und organische Metallverbindungen der d- und f-Gruppenelemente eingesetzt werden, die aber als wesentliches physikalisch-chemisches Merkmal eine nanoskalige Beschaffenheit ausweisen.in the The scope of the invention provides that the chemical structure according to analogous inorganic and organic metal compounds of d and f group elements are used, but as essential physico-chemical characteristic a nanoscale texture identify.

Nach einer besonders vorteilhaften Weiterbildung der vorliegenden Erfindung werden mittels der elektromagnetischen Strahlung gleichzeitig nanoskalige Metallkeime des Trägermaterials freigesetzt, so dass ein Abtrag unter Ausbildung einer haftvermittelnden Oberfläche erfolgt.To a particularly advantageous embodiment of the present invention become simultaneously nanoscale by means of the electromagnetic radiation Metal nuclei of the carrier material released, leaving a removal under training of an adhesion-promoting surface he follows.

Die nanoskaligen Metallverbindungen sind Metalloxide oder Metalloxidgemische, beispielsweise Monoxide oder höhere Oxide wie insbesondere Spinelle, Rutile, Hematite oder Priderite, oder von Metallen der d- und f-Gruppe des Periodischen Systems mit Nichtmetallen gebildet.The nanoscale metal compounds are metal oxides or metal oxide mixtures, for example, monoxides or higher Oxides, in particular spinels, rutiles, hematites or priderites, or metals of the d and f groups of the periodic system Nonmetals formed.

Besonders Erfolg versprechend erweist sich auch eine Abwandlung, bei der die nanoskaligen Metalloxidgemische oder nanoskaligen höheren Oxide ein oder mehrere der 2-wertigen Metalle Fe(II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu und eines oder mehrere der 3- oder 4-wertigen Metalle Al, Fe(III), Cr, Ti enthalten.Especially Promising also proves a modification in which the nanoscale metal oxide mixtures or nanoscale higher oxides or more of the divalent metals Fe (II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu and one or more of the 3- or 4-valent metals Al, Fe (III), Cr, Ti included.

Vorzugsweise ist das transparente, nichtleitende Trägermaterial ein thermoplastischer Kunststoff oder Lack oder ein duroplastischer Kunststoff oder Lack. Das transparente Trägermaterial kann aber auch von anderen geeigneten nicht leitenden Materialien, wie z.B. von einem Nanokeramikwerkstoff gebildet werden oder einen palladium- oder kupferhaltigen, nanoskaligen Metallchelatkomplex enthalten.Preferably, the transparent, non-conductive carrier material is a thermoplastic or lacquer or a thermosetting plastic or lacquer. The transparent support material can also be of other suitable non-conductive Materials such as are formed by a nanoceramic material or contain a palladium- or copper-containing, nanoscale metal chelate complex.

Das transparente, nicht leitende Trägermaterial wird vorteilhaft mit einem oder mehreren nanoskaligen Hilfsstoffen, Füllstoffen und/oder Verstärkungsstoffen mit charakteristischen Partikelgrößen unter 200 nm modifiziert, die in herkömmlicher Weise das Eigenschaftsbild des transparenten Trägermaterials mitbestimmen, aber verfahrenstechnisch vor allem die Funktion eines Dispergators wahrnehmen, die eine Agglomeration der nanoskaligen Metallverbindungen verhindern und dadurch dazu beitragen nanoskalige Effekte, wie insbesondere die Transparenz des Trägermaterials, die niedrigen Zusatzkonzentrationen an nanoskaligen Metallverbindungen, die extrem hohe Haftfestigkeit der aufgebauten Metallschicht, geringere Leistungseinträge zum Aufbrechen der nanoskaligen Metallverbindungen und die Vermeidung von Aufschmelzungen bei der Laserstrukturierung, wirksam zu machen. Die dadurch vereinzelt gehaltenen Partikel mit Abmessungen unter 200 nm realisieren die wirksamen nanoskaligen Effekte, wie die Transparenz des Trägermaterials, die niedrigen Zusatzmengen an nanoskalien Metallverbindungen, die extrem hohe Haftfestigkeit der aufgebauten Metallschicht, die geringe Leistungsaufnahme zum Aufbrechen der nanoskaligen Metallverbindungen und die Vermeidung von Aufschmelzungen bei der Laserstrukturierung.The transparent, non-conductive carrier material is advantageous with one or more nanoscale excipients, fillers and / or reinforcing materials modified with characteristic particle sizes below 200 nm, in conventional To co-determine the property image of the transparent carrier material, but procedurally above all the function of a dispersant perceive an agglomeration of the nanoscale metal compounds prevent and thereby contribute nanoscale effects, in particular the transparency of the carrier material, the low additional concentrations of nanoscale metal compounds, the extremely high adhesive strength of the built-up metal layer, lower performance records for breaking up the nanoscale metal compounds and avoiding them of reflows during laser structuring, to make them effective. The thus kept isolated particles with dimensions below 200 nm realize the effective nanoscale effects, such as transparency the carrier material, the low levels of added nanoscale metal compounds, the extremely high adhesion of the built-up metal layer, the low Power consumption for breaking up the nanoscale metal compounds and avoiding reflow in laser structuring.

Vorteilhaft ist es, wenn zur Freisetzung der Metallkeime von d- und f-Gruppenelementen die elektromagnetische Strahlung eines Lasers eingesetzt wird. Die hierbei angewandte Wellenlänge kann in einem weiten Bereich zwischen 0,152 μm und 11,0 μm liegen. Vorzugsweise sind Excimerlaser mit Wellenlängen von 152 nm, 192 nm, und 248 nm einsetzbar. Ebenso kann aber auch die schnelle Schreibgeschwindigkeit der frequenzvervielfachten Nd:YAG- Laser mit Wellenlängen von 266 nm, 355 nm, 532 nm und Nd-Laser mit 1060 nm und hohen Leistungen genutzt werden.Advantageous it is when to release the metal nuclei of d and f group elements the electromagnetic radiation of a laser is used. The this applied wavelength can be in a wide range between 0.152 microns and 11.0 microns. Preferably Excimer laser with wavelengths of 152 nm, 192 nm, and 248 nm can be used. Likewise, but also the fast writing speed of the frequency-multiplied Nd: YAG lasers with wavelengths of 266 nm, 355 nm, 532 nm and Nd laser with 1060 nm and high powers be used.

Im Folgenden wird die Erfindung an einem Ausführungsbeispiel erläutert:
In einem Compounder werden 90,0 Massenteile eines amorphen und transparenten Polycarbonat-Copolymer-Granulates, 5,0 Massenteile nanoskalige Kieselsäure einer Fraktion von Partikeln unter 200 nm, und 4,0 Massenteile eines Nanotones mit Partikeln unter 200 nm mit 1,0 Massenteile eines nanoskaligen Hämatits, das als Hauptbestandteil Eisen und Chrom enthält, zu Granulat verarbeitet. Das transparente Granulat wird anschließend im Spritzgießverfahren zu einem transparenten Bauteil, z.B. einem für optoelektronische Funktionen vorgesehenen dreidimensionalen Leitungsträger verarbeitet. Das gespritzte Bauteil wird dann mit einem frequenzverdreifachten Nd:YAG-Laser knapp über der Ablationsschwelle strukturiert, bei der die nanoskaligen Keime der Elemente, hier vorrangig nanoskaliges Eisen und nanoskaliges Chrom, freigelegt werden. Nach Beseitigung der Ablationsrückstände durch eine Wasserstrahlreinigung bei 150 bar mit entionisiertem Wasser, erfolgt die Metallschichtbildung in einem handelsüblichen chemisch-reduktiven Kupferbad bei 45°C. In den bestrahlten Bereichen sind nun die Kupferleiterbahnen auf einem sonst vollständig transparenten, optoelektronisch nutzbaren Bauteil als dreidimensionales Leiterplattenbild aufgebaut.The invention is explained below using an exemplary embodiment:
In a compounder are 90.0 parts by mass of amorphous and transparent polycarbonate copolymer granules, 5.0 parts by mass of nanoscale silica of a fraction of particles below 200 nm, and 4.0 parts by mass of a nanotone with particles below 200 nm with 1.0 parts by mass of a nanoscale hematite, which contains iron and chromium as the main component, into granules. The transparent granules are subsequently processed by injection molding into a transparent component, for example a three-dimensional conductor carrier provided for optoelectronic functions. The injected component is then patterned with a frequency-tripled Nd: YAG laser just above the ablation threshold, exposing the nanoscale nuclei of the elements, primarily nanoscale iron and nanoscale chromium. After removal of the Ablationsrückstände by a water jet cleaning at 150 bar with deionized water, the metal layer is formed in a commercially available chemical-reductive copper bath at 45 ° C. In the irradiated areas, the copper interconnects are now constructed on an otherwise completely transparent, opto-electronically usable component as a three-dimensional circuit board image.

Claims (30)

Leiterbahnstrukturen auf einem insbesondere transparenten, elektrisch nicht leitenden Trägermaterial, die aus Metallkeimen und einer nachfolgend auf diese aufgebrachten Metallschicht bestehen, wobei die Metallkeime durch Aufbrechen von feinstverteilt in dem Trägermaterial enthaltenen elektrisch nicht leitenden Metallverbindungen durch elektro-magnetische Strahlung entstanden sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallverbindungen von ultrafeinen Partikeln mit Nanodimensionen in charakteristischen Größen unter 200 nm, thermisch hochstabilen, in wässrigen, sauren oder alkalischen Metallisierungsbädern beständigen und nicht löslichen anorganischen und/oder organischen nanoskaligen Metallverbindungen gebildet sind, die in nichtbestrahlten Bereichen unverändert bleiben.Conductor structures on a particular transparent, electrically non-conductive support material consisting of metal nuclei and a subsequently applied to this metal layer, wherein the metal nuclei are formed by breaking up finely distributed in the substrate contained electrically non-conductive metal compounds by electromagnetic radiation, characterized in that the metal compounds of ultrafine particles having nanodimensions in characteristic sizes below 200 nm, thermally highly stable inorganic and / or organic nanoscale metal compounds which are stable and non-soluble in aqueous, acidic or alkaline metallization baths and remain unchanged in unirradiated areas. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der elektromagnetischen Strahlung gleichzeitig nanoskalige Metallkeime des Trägermaterials freigesetzt werden und ein Abtrag unter Ausbildung einer haftvermittelnden Oberfläche erfolgt.Printed conductor structures according to Claim 1, characterized that by means of electromagnetic radiation at the same time nanoscale Metal nuclei of the carrier material be released and carried out a removal to form an adhesion-promoting surface. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metallverbindungen von Metallen der d- und f-Gruppe des Periodischen Systems mit Nichtmetallen gebildet sind.Printed conductor structures according to claim 1 or 2, characterized characterized in that the nanoscale metal compounds of metals the d and f group of the periodic system are formed with non-metals. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metallverbindungen Metalloxide oder Metalloxidgemische sind.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the nanoscale metal compounds metal oxides or metal oxide mixtures. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxide Monoxide der d- und f-Metalle des Periodischen Systems sind.Printed conductor structures according to Claim 4, characterized the nanoscale metal oxides are monoxides of the d and f metals of the periodic system. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxide höhere Oxide sind.Printed conductor structures according to claim 4 or 5, characterized in that the nanoscale Me talloxides are higher oxides. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen höheren Oxide Spinelle, Rutile, Hematite oder Priderite sind.Printed conductor structures according to Claim 6, characterized that the nanoscale higher Oxides are spinel, rutile, hematite or priderite. Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 4 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxidgemische oder nanoskaligen höheren Oxide ein oder mehrere der zweiwertigen Metalle Fe(II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu und eines oder mehrere der 3- und/oder 4-wertigen Metalle Al, Fe(III), Cr, Ti enthalten.Printed conductor structures according to claim 4 or 6, characterized characterized in that the nanoscale metal oxide or nanoscale higher Oxides one or more of the divalent metals Fe (II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu and one or more of the 3- and / or 4-valent metals Al, Fe (III), Cr, Ti. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht leitende Trägermaterial einen palladium- und/oder kupferhaltigen, nanoskaligen Metallchelatkomplex enthält.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the non-conductive substrate a palladium- and / or copper-containing, nanoscale metal chelate complex contains. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass vom chemischen Aufbau her Verbindungen eingesetzt werden, die aber als wesentliches physikalisch-chemisches Merkmal einer nanoskalige Beschaffenheit ausweisen.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the chemical structure compounds are used, but as essential physico-chemical Identify characteristic of a nanoscale texture. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht leitende Trägermaterial ein thermoplastischer Kunststoff oder Lack ist.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the non-conductive substrate a thermoplastic or paint is. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das insbesondere transparente, nicht leitende Trägermaterial einen oder mehrere nanoskalige Hilfsstoffe, Füllstoffe und/oder Verstärkungsstoffe mit charakteristischen Größen unter 200 nm enthält.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the particular transparent, non-conductive support material one or more nanoscale excipients, fillers and / or reinforcing agents with characteristic sizes below 200 nm. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht leitende Trägermaterial ein duroplastischer Kunststoff oder Lack ist.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the non-conductive substrate a thermosetting plastic or paint is. Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht leitende Trägermaterial eine nanoskalige Keramik ist.Conductor structures according to at least one of the preceding Claims, characterized in that the non-conductive substrate a nanoscale ceramic is. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine oder mehrere nanoskalige, nicht leitende, in wässrigen sauren oder alkalischen Metallisierungsbädern beständige und nicht lösliche anorganische oder organische Metallverbindungen in das Trägermaterial eingemischt werden, das Trägermaterial zu Bauteilen verarbeitet oder auf Bauteile als Beschichtung aufgetragen wird und dass im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstrukturen mittels einer elektromagnetischen Strahlung nanoskalige Metallkeime, insbesondere der d- und f-Gruppe des Periodischen Systems freigesetzt und diese dann chemisch reduktiv zu einer geschlossenen Metallschicht metallisiert werden.Method for producing the printed conductor structures according to claim 1, characterized in that one or more nanoscale, non-conductive, in aqueous acidic or alkaline metalizing stable and not soluble inorganic or organic metal compounds in the carrier material are mixed, the carrier material processed into components or applied to components as a coating and that in the area of the interconnect structures to be produced nanoscale metal nuclei by means of electromagnetic radiation, especially the d and f groups of the periodic system released and then these are chemically reductively metallized to a closed metal layer become. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der elektromagnetischen Strahlung gleichzeitig nanoskalige Metallkeime des Trägermaterials freigesetzt werden und ein Abtrag unter Ausbildung einer haftvermittelnden Oberfläche durchgeführt wird.Method for producing the printed conductor structures according to claim 15, characterized in that by means of the electromagnetic radiation at the same time nanoscale metal nuclei of the carrier material are released and a removal is carried out to form an adhesion-promoting surface. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metallverbindungen von Metallen der d- und f-Gruppe des Periodischen Systems mit Nichtmetallen gebildet werden.Method for producing the printed conductor structures according to claim 15 or 16, characterized in that the nanoscale Metal compounds of metals of the d and f group of the periodic system with Non-metals are formed. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metallverbindungen Metalloxide oder Metalloxidgemische sind.Method for producing the printed conductor structures according to at least one of the claims 15 to 17, characterized in that the nanoscale metal compounds Metal oxides or metal oxide mixtures are. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxide Monoxide der d- und f- Metalle des Periodischen Systems sind.Method for producing the printed conductor structures according to claim 18, characterized in that the nanoscale Metal oxides are monoxides of the d and f metals of the Periodic Table. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxide höhere Oxide sind.Method for producing the printed conductor structures according to claim 18 or 19, characterized in that the nanoscale Metal oxides higher Oxides are. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen höheren Oxide Spinelle, Rutile, Hematite oder Priderite sind.Method for producing the printed conductor structures according to claim 20, characterized in that the nanoscale higher Oxides are spinel, rutile, hematite or priderite. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach Anspruch 18 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die nanoskaligen Metalloxidgemische oder nanoskaligen höheren Oxide ein oder mehrere der zweiwertigen Metalle Fe(II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu und eines oder mehrere der 3- und/oder 4-wertigen Metalle Al, Fe(III), Cr, Ti enthalten.Method for producing the printed conductor structures according to claim 18 or 20, characterized in that the nanoscale Metal oxide mixtures or nanoscale higher oxides one or more the divalent metals Fe (II), Zn, Mn, Co, Ni, Cu and one or more more of the 3- and / or 4-valent metals Al, Fe (III), Cr, Ti included. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass das nicht leitende Trägermaterial einen palladium- und/oder kupferhaltigen, nanoskaligen Metallchelatkomplex enthält.Method for producing the printed conductor structures according to at least one of the claims 15 to 22, characterized in that the non-conductive substrate a palladium- and / or copper-containing, nanoscale metal chelate complex contains. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass mittels der elektro-magnetischen Strahlung gleichzeitig nanoskalige Metallkeime der d- und f-Gruppe des Periodischen Systems freigesetzt werden und durch Ablation eine hyperaktive, haftvermittelnde Oberfläche mit Nanopartikeln entsteht.Method for producing the printed conductor structures according to at least one of the claims che 15 to 23, characterized in that by means of the electro-magnetic radiation simultaneously nano-scale metal nuclei of the d and f group of the Periodic System are released and created by ablation hyperactive, adhesion-promoting surface with nanoparticles. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 24, dadurch gekennzeichnet, dass dem chemischen Aufbau Verbindungen zugesetzt werden, die als wesentliches Merkmal eine nanoskaligen Beschaffenheit aufweisen.Method for producing the printed conductor structures according to at least one of the claims 15 to 24, characterized in that the chemical structure compounds be added, as an essential feature of a nanoscale nature exhibit. Verfahren zur Herstellung der Leiterbahnstrukturen nach zumindest einem der Ansprüche 15 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente, nichtleitende Trägermaterial ein thermoplastischer Kunststoff ist.Method for producing the printed conductor structures according to at least one of the claims 15 to 25, characterized in that the transparent, non-conductive support material a thermoplastic is. Transparentes, nicht leitendes Trägermaterial aufweisend einen oder mehrere nanoskalige Hilfsstoffe, Füllstoffe und/oder Verstärkungsstoffe mit charakteristischen Größen unter 200 nm, die in herkömmlicher Weise das Eigenschaftsbild transparenter Kunststoffe mitbestimmen, und als nanoskaliger Füllstoffe wesentlich auch die Funktion von Dispergatoren erfüllen, die eine Agglomerisation der nanoskaligen Metallverbindungen verhindern.Transparent, non-conductive carrier material having one or more nanoscale excipients, fillers and / or reinforcing agents with characteristic sizes below 200 nm, which in conventional To co-determine the property picture of transparent plastics, and as nanoscale fillers also substantially fulfill the function of dispersants, the prevent agglomeration of the nanoscale metal compounds. Trägermaterial nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente, nicht leitende Trägermaterial ein duroplastischer Kunststoff oder Lack ist.support material according to claim 27, characterized in that the transparent, non-conductive carrier material a thermosetting plastic or paint is. Trägermaterial nach zumindest einem der Ansprüche 27 oder 28, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente, nicht leitende Trägermaterial eine nanoskalige Keramik ist.support material according to at least one of the claims 27 or 28, characterized in that the transparent, not conductive substrate one nanoscale ceramic is. Trägermaterial nach zumindest einem der Ansprüche 27 bis 29, dadurch gekennzeichnet, dass durch elektro-magnetische Laserstrahlung des Wellenlängenbereiches von 0,152 bis 11,0 μm das Aufbrechen der nanoskaligen Metallverbindungen erfolgt.support material according to at least one of the claims 27 to 29, characterized in that by electromagnetic Laser radiation of the wavelength range from 0.152 to 11.0 μm the breaking up of the nanoscale metal compounds takes place.
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