DE102004006777A1 - Gestapelte piezoelektrische Einrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

Gestapelte piezoelektrische Einrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben Download PDF

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Abstract

Um eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, welche kostengünstig und hinsichtlich der Bondfestigkeit zwischen einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht herausragend ist, bereitzustellen, umfaßt die piezoelektrische Einrichtung piezoelektrische Schichten und nicht weniger als 50 Gewichtsprozent von Cu enthaltende innere Elektrodenschichten, die abwechselnd gestapelt sind. Zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht gibt es einen Diffusionsbereich, der durch wechselseitige Diffusion von Komponenten der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht in die andere Schicht erzeugt wird und zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu umfaßt. Der Duffusionsbereich belegt nicht weniger als 90 Prozent der Fläche eines Übergangs zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht, und die Dicke des Diffusionsbereichs beträgt nicht mehr als 10 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht. Ein die piezoelektrische Schicht bildendes piezoelektrisches Material umfaßt bevorzugt PZT, welches ein Pb(Zr,TI)O¶3¶-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, und Elemente von Pb, Cu und O koexistieren in dem Diffusionsbereich.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, die für einen piezoelektrischen Aktuator und dergleichen verwendet wird, und ein Verfahren zur Herstellung derselben.
  • Eine piezoelektrische Einrichtung ist durch das Erzeugen einer Kraft oder einer Verschiebung, wenn an sie Spannung angelegt wird, und durch das Erzeugen einer Spannung, wenn sie mit Kraft beaufschlagt wird, gekennzeichnet, und hat einen weiten Anwendungsbereich, wie beispielsweise für verschiedene Aktuatoren und Sensoren. Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, welche ein Konzept ist, welches einen gestapelten piezoelektrischen Aktuator mit einer Vielzahl von piezoelektrischen Schichten einschließt, wird häufig verwendet, um eine große erzeugte Kraft oder Verschiebung zu erhalten, wenn sie für einen Aktuator und dergleichen verwendet wird.
  • Eine übliche gestapelte piezoelektrische Einrichtung nutzt ausgehend von Beschränkungen im Herstellungsprozeß ein teures Metall, wie beispielsweise Ag/Pd, als Material für innere Elektroden, so daß daher die Herstellungskosten dazu neigen, mit zunehmender Anzahl gestapelter Schichten bemerkenswert hoch zu werden.
  • Um eine Kostenreduktion zu versuchen, offenbart zum Beispiel die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2000-340851, daß eine innere Elektrode durch nicht-elektrolytisches Aufplattieren von Cu bzw. Verkupfern erzeugt wird. Die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2001-244519 offenbart, daß piezoelektrisches Material und eine Cu-Folie in dem Bereich von 500 bis 700 °C direkt gebondet werden. Eine nach diesem Stand der Technik hergestellte gestapelte piezoelektrische Einrichtung weist jedoch eine unzureichende Bondfestigkeit für einen Betrieb bei hoher Last auf, so daß es ihr an Zuverlässigkeit fehlt. Außerdem offenbart die japanische ungeprüfte Patentveröffentlichung Nr. 2001-244519, daß ein Bonden bei einer Temperatur von nicht weniger als bzw. über 800 °C nicht bevorzugt wird, weil dies die Qualität des piezoelektrischen Materials verschlechtert.
  • Die Erfindung erfolgte in Anbetracht der Probleme des Standes der Technik, und es liegt ihr die Aufgabe zugrunde, eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, die kostengünstig und hinsichtlich der Bondfestigkeit zwischen einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht herausragen ist, sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben zu schaffen.
  • In Übereinstimmung mit einem ersten Aspekt der Erfindung wird eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung bereitgestellt, gekennzeichnet durch piezoelektrische Schichten, die aus einem piezoelektrischen Material bestehen, und Kupfer enthaltenden inneren Elektrodenschichten, wobei jede der piezoelektrischen Schichten mit jeder der inneren Elektrodenschichten abwechselnd gestapelt ist, die innere Elektrodenschicht nicht weniger als 50 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält, und zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht ein Diffusionsbereich vorhanden ist, der durch die Diffusion einer Komponente von jeder Schicht zu der anderen Schicht erzeugt wird und zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu umfaßt.
  • Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung gemäß der Erfindung verwendet, wie vorstehend erwähnt wurde, ein Cu-basiertes Material, das nicht weniger als 50 Gewichtsprozent des Elements CU enthält, als eine innere Elektrodenschicht. Daher können verglichen mit bekannten gestapelten piezoelektrischen Einrichtungen, die ein Edelmetall, wie beispielsweise Ag/Pd und dergleichen, verwenden, die Materialkosten signifikant reduziert werden, und kann eine billigere gestapelte piezoelektrische Einrichtung erhalten werden.
  • Darüber hinaus weist die gestapelte piezoelektrische Einrichtung einen zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht erzeugten Diffusionsbereich auf. Der Diffusionsbereich wird durch wechselseitige Diffusion von Komponenten der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht zu der bzw. in die andere(n) Schicht erzeugt und umfaßt zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materi als und Cu, das die innere Elektrodenschicht bildet. Da dieser Diffusionsbereich in einem Übergang zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht existiert, bonden sich beide Schichten mit ausreichender Bondfestigkeit aneinander.
  • Somit stellt die Erfindung eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung bereit, welche kostengünstig ist und eine ausreichend hohe Bondfestigkeit zwischen einer inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht aufweist, durch Verwenden von Cu als eine Hauptkomponente einer inneren Elektrodenschicht und Erzeugen eines Diffusionsbereichs zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht.
  • In Übereinstimmung mit einem zweiten Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren bereitgestellt zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung, die aus einem piezoelektrischen Material bestehende piezoelektrische Schichten und Cu enthaltenden inneren Elektrodenschichten umfaßt, wobei jede der piezoelektrischen Schichten abwechselnd mit jeder der inneren Elektrodenschichten gestapelt ist, gekennzeichnet durch:
    einen piezoelektrische Schicht-Kalzinierungsschritt des Kalzinierens einer ungebrannten Keramikplatte, um eine piezoelektrische Schicht zu erhalten;
    einen Stapelherstellungsschritt des Stapelns der piezoelektrischen Schichten abwechselnd mit Schichten von Cu enthaltendem Elektrodenmaterial, um einen Stapel herzustellen; und
    einen Heizbondschritt des Bondens von aus dem Elektrodenmaterial bestehenden inneren Elektrodenschichten und der piezoelektrischen Schichten durch Erwärmen des Stapels auf eine Temperatur höher als 750 °C und nicht höher als der Schmelzpunkt von Cu in einer oxidationshemmenden Atmosphäre, um das Cu am Oxidieren zu hindern, während der Stapel in der Stapelrichtung mit einer vorbestimmten Last beaufschlagt wird.
  • Ein Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung führt den Stapelherstellungsschritt und den Heizbondschritt nach dem Durch führen des piezoelektrische Schicht-Kalzinierungsschritts zum Erhalten einer kalzinierten Schicht wie vorstehend erwähnt durch. Daher kann die gestapelte piezoelektrische Einrichtung ohne jeglichen Einfluß auf die Kalzinierungsbehandlung zum Erhalten von piezoelektrischen Schichten hergestellt werden.
  • Der Heizbondschritt wird, wie vorstehend erwähnt wurde, in einer oxidationshemmenden Atmosphäre zum Verhindern, daß Cu oxidiert, durchgeführt, während der Stapel in der Stapelrichtung mit einer vorbestimmten Last beaufschlagt wird. Die Heiztemperatur wird auf den Temperaturbereich höher als 750 °C und nicht höher als der Schmelzpunkt von Cu gesteuert. Wenn die Heiztemperatur nicht höher als 750 °C ist, kann eine ausreichende Bondfestigkeit einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht nicht erhalten werden. Wenn andererseits die Heiztemperatur höher als der Schmelzpunkt von Cu ist, welcher etwa bei 1083 °C liegt, besteht ein Problem dahingehend, daß es schwierig ist, homogene innere Elektrodenschichten zu erzeugen.
  • Die dem Stapel zugeführte Last muß groß genug sein, um eine piezoelektrische Schicht und ein Elektrodenmaterial ausreichend zu bonden, ohne eine Beschädigung an einer piezoelektrischen Schicht zu verursachen, und der optimale Wert der Last schwankt mit der Zusammensetzung des die piezoelektrische Schicht bildenden piezoelektrischen Materials, der Dicke einer piezoelektrischen Schicht und dergleichen. Wenn zum Beispiel eine piezoelektrische Schicht PZT mit einer Dicke von etwa 100 Mikrometern ist, beträgt die Last bevorzugt 1 bis 10 Mpa.
  • Durch Durchführen des Heizbondschritts unter den vorstehend erwähnten Bedingungen tritt ein Diffusionsphänomen zwischen einer inneren Elektrodenschicht mit einer Cu-Basis und einer piezoelektrischen Schicht auf, und wird ein zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu umfassender Diffusionsbereich erzeugt. Durch Erzeugen dieses Diffusionsbereichs in einem Übergang zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht kann die Bondfe stigkeit beider Schichten ausreichend erhöht bzw. verbessert werden.
  • Somit kann ein Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung bereitstellen, welche durch Verwenden von Cu als Hauptkomponente einer inneren Elektrodenschicht kostengünstig ist und eine herausragende Bondfestigkeit zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht aufweist.
  • Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 ein Diagramm, das die Struktur einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung gemäß einem Beispiel 1 darstellt;
  • 2 ein Diagramm, das einen Diffusionsbereich zwischen einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht in einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung gemäß Beispiel 1 darstellt;
  • 3 ein Diagramm, das die Form eines als eine innere Elektrodenschicht verwendeten Elektrodenmaterials gemäß Beispiel 1 darstellt;
  • 4 eine perspektivische Explosionsansicht, die das Stapeln von piezoelektrischen Schichten und inneren Elektrodenschichten gemäß Beispiel 1 darstellt;
  • 5 ein Diagramm, das die Beaufschlagung einer Last auf einen Stapel in der Stapelrichtung in einem Heizbondschritt gemäß Beispiel 1 darstellt;
  • 6 ein Diagramm, das ein Ausführungsbeispiel der Verwendung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung gemäß Beispiel 1 darstellt;
  • 7 ein Diagramm, das das Bondfestigkeitsverhältnis jeder Probe in einem Beispiel 3 darstellt;
  • 8 ein Diagramm, das die piezoelektrische Konstante d31 jeder Probe in einem Beispiel 4 darstellt;
  • 9 ein Diagramm, das den Zustand der Erzeugung einer oxidationshemmenden Atmosphäre in dem Heizbondschritt bei der Vorbereitung einer Probe E1 in Beispiel 4 darstellt; und
  • 10 ein Diagramm, das eine Änderung der Cu-Konzentration in dem Diffusionsbereich in einem Beispiel 5 darstellt.
  • Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung gemäß der Erfindung umfaßt eine Vielzahl von inneren Elektrodenschichten und eine Vielzahl von piezoelektrischen Schichten, wobei jede innere Elektrodenschicht abwechselnd mit jeder piezoelektrischen Schicht gestapelt ist. Die Dicke und die Fläche jeder inneren Elektrodenschicht und jeder piezoelektrischen Schicht sowie die Anzahl von Schichten werden in Übereinstimmung mit der beabsichtigten Verwendung der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung ausgewählt. Die gestapelte piezoelektrische Einrichtung kann eine Struktur mit einem Pufferteil, einem Dummy- bzw. Blindteil, und dergleichen am Ende in der Stapelrichtung eines Stapels von abwechselnd gestapelten inneren Elektrodenschichten und piezoelektrischen Schichten haben. Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung hat üblicherweise eine Struktur, die mit inneren Elektrodenschichten verbindende externe Elektroden umfaßt, um den inneren Elektrodenschichten über die externen Elektroden Spannung zuzuführen und piezoelektrische Wirkungen zu erhalten.
  • Die innere Elektrodenschicht der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung enthält nicht weniger als 50 Gewichtsprozent von Cu. Wenn der Cu-Gehalt kleiner ist als 50 Gewichtsprozent, bestehen Probleme wie beispielsweise eine Abnahme in der Leitfähigkeit der inneren Elektrodenschicht. Obwohl das zulässige Maximum des Cu-Gehalts 100 Gewichtsprozent ist, ist es praktisch schwierig, aufgrund von Beschränkungen bei der Produktion von Cu enthaltendem Material 100 Gewichtsprozent von Cu zu verwirklichen. Materialien, welche eine hohe Reinheit von Cu enthalten können, wie beispielsweise Cu-Folie und Cu-Plattierungsfilm, können als ein Material zum Erzeugen der inneren Elektrodenschicht verwendet werden, wie noch zu beschreiben ist.
  • Der Gehalt des Elements Cu in der inneren Elektrodenschicht ist bevorzugt nicht geringer als 95,0 Gewichtsprozent. In einem solchen Fall wird die Leitfähigkeit der gesamten inneren Elektrodenschicht leicht sichergestellt, wobei Vorteil aus der herausragenden Leitfähigkeit von Cu gezogen wird.
  • Der Gehalt des Elements Cu in der inneren Elektrodenschicht ist am stärksten bevorzugt nicht geringer als 99,0 Gewichtsprozent. Hierdurch kann eine sehr herausragende Leitfähigkeit sichergestellt werden, um die Verschiebungsleistung der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung zu verbessern.
  • Die innere Elektrodenschicht besteht bevorzugt aus einem reinen Kupfermetall, das nicht weniger als 99,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält. In diesem Fall wird, da die innere Elektrodenschicht unter Verwendung eines reinen Kupfermetalls erzeugt wird, die innere Elektrodenschicht leicht erzeugt. Die Form des reinen Kupfermetalls schließt Cu-Folie (Kupferfolie) ein, ist aber nicht hierauf beschränkt.
  • Die innere Elektrodenschicht kann auch aus Kupferlegierungen bestehen, die nicht weniger als 95 Gewichtsprozent des Elements Cu enthalten. In diesem Fall können verschiedene Kupferlegierungen verwendet werden. Bestimmte Beispiele von Kupferlegierungen schließen ein Beryllium-Kupfer, ein Rotmessing, eine Phosphorbronze und dergleichen ein.
  • Der Diffusionsbereich belegt bevorzugt nicht weniger als 90 Prozent der Fläche des Übergangs zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht, und die Dicke des Diffusionsbereichs beträgt bevorzugt nicht mehr als 10 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht.
  • Der Diffusionsbereich kann zum Beispiel durch Analysieren eines Abschnitts eines Bondabschnitts einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht mittels einer Elementaranalyse mit einem Röntgen-Mikroanalysator (EPMA) und dergleichen identifiziert werden. Die Dicke dieses Diffusionsbereichs kann durch eine Änderung der Cu-Konzentration und dergleichen ermittelt werden. Wenn der Diffusionsbereich nur in weniger als 90 Prozent der Fläche des gesamten Übergangs ausgebildet ist, besteht die Möglichkeit, daß eine ausreichende Bondfestigkeit nicht erhalten werden kann. Wenn die Dicke des Diffusionsbereichs 10 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht überschreitet, besteht das Problem, daß die piezoelektrischen Eigenschaften einer piezoelektrischen schlechter werden. Andererseits ist, da die Verbesserungswirkung hinsichtlich der Bondfestigkeit nicht ausreichend erhalten wird, wenn die Dicke des Diffusionsbereichs zu klein ist, eine untere Grenze der Dicke des Diffusionsbereichs bevorzugt 0,1 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht.
  • Der Diffusionsbereich ist bevorzugt ein Bereich mit einer Cu-Konzentration von 1 Prozent bzw. Gewichtsprozent bis 0,95A Gewichtsprozent, worin A den Cu-Element-Gehalt in Gewichtsprozent in der inneren Elektrodenschicht repräsentiert. Die Erzeugung eines Diffusionsbereichs, in welchem sich die Cu-Konzentration in dem vorstehend erwähnten Bereich ändert, kann die Bondfestigkeit bzw. Bondstärke zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht verbessern, sicher dank des Diffusionsbereichs. Die Cu-Konzentration ist mit einem EPMA überwachbar.
  • Die Dicke des Diffusionsbereichs beträgt bevorzugt zwischen 0,001 bis 1 Mikrometer. Wenn die Dicke des Diffusionsbereichs kleiner ist als 0,001 Mikrometer, besteht die Möglichkeit, daß die Diffusion in den Diffusionsbereich unzureichend ist und die Bondfestigkeit abnimmt. Wenn andererseits die Dicke des Diffusionsbereichs 1 Mikrometer übersteigt, besteht die Möglichkeit, daß eine Abnahme in der elektrischen Leitfähigkeit der inneren Elektrodenschicht und eine Abnahme des elektrischen Widerstands der piezoelektrischen Schicht verursacht wird. Um hinsichtlich hoher Bondfestigkeit und guten Eigenschaften kompatibel zu sein, wird bevorzugt, den Diffusionsbereich mit einer Dicke in dem vorstehend erwähnten Bereich zu erzeugen.
  • Es wird bevorzugt, daß der Diffusionsbereich kontinuierlich an beiden Seiten eines Übergangs der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht existiert und sich der Übergang in dem Diffusionsbereich befindet, und daß ein Teil des Diffusionsbereichs näher an der inneren Elektrodenschicht als der Übergang einen Sauerstoff (O)-Gehalt von nicht mehr als 10 Gewichtsprozent hat. Dadurch kann Cu2O daran gehindert werden, durch ein weiteres Fortschreiten der Diffusion zur Zeit einer nachfolgenden praktischen Verwendung erzeugt zu werden.
  • Widerstand wird bevorzugt, daß ein die piezoelektrische Schicht bildendes piezoelektrisches Material PZT umfaßt, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit Perovskitstruktur ist, und daß Elemente von Pb, Cu und O in dem Diffusionsbereich koexistieren bzw. nebeneinander bestehen.
  • Verschiedene Keramikmaterialien, die piezoelektrische Eigenschaften ausüben, können als ein die piezoelektrische Schicht bildendes piezoelektrisches Material verwendet werden. Insbesondere ist das vorstehend erwähnte PZT (Blei Zirkonat Titanat) das für eine piezoelektrische Schicht einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung am meisten geeignete, da es sehr herausragende piezoelektrische Eigenschaften hat. Wenn dieses PZT verwendet wird, koexistieren Pb und O, die in PZT enthalten sind, und Cu der inneren Elektrodenschicht in dem Diffusionsbereich.
  • Die gestapelte piezoelektrische Einrichtung ist bevorzugt ein piezoelektrischer Aktuator für einen Injektor, der als eine Antriebsquelle eines Injektors verwendet wird. Ein Injektor ist in einem Automobil und dergleichen eingebaut und wird als Kraftstoffeinspritzausrüstung einer Brennkraftmaschine verwendet, und die Umgebung, in der er verwendet wird, ist sehr hart. Daher ist ein Injektor mit der eingebauten piezoelektrischen Einrichtung mit einer herausragenden Bondfestigkeit als ein piezoelektrischer Aktuator hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der Dauerhaftigkeit bzw. Haltbarkeit herausragend.
  • Ein Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung umfaßt zumindest einen piezoelektrische Schicht-Kalizinierungsschritt, einen Stapelherstellungsschritt, und einen Heizbondschritt.
  • Kalzinierungsbedingungen in dem piezoelektrische Schicht-Kalzinierungsschritt können in Übereinstimmung mit der Art des die piezoelektrische Schicht bildenden piezoelektrischen Materials geeignet ausgewählt werden. Da eine piezoelektrische Schicht üblicherweise ein Oxid ist, wird die Kalzinierung in einer oxidierenden Atmosphäre durchgeführt.
  • Die Heiztemperatur in dem Heizbondschritt ist bevorzugt nicht niedriger als 850 °C. Es wird stärker bevorzugt, die Heiztemperatur auf einen Temperaturbereich höher als 850 °C und nicht höher als der Schmelzpunkt von Cu zu steuern. Erwärmen auf eine Temperatur höher als 850 °C kann die Bondfestigkeit einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht sicher weiter verbessern.
  • Verschiedene Materialien können als ein zwischen den piezoelektrischen Schichten angeordnetes Elektrodenmaterial in dem Stapelherstellungsschritt verwendet werden.
  • Zum Beispiel ist das Elektrodenmaterial bevorzugt Cu-Folie. In diesem Fall kann eine Solldicke der inneren Elektrodenschicht leicht durch die Dicke der Cu-Folie (Kupferfolie) gesteuert werden, und kann eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, die hinsichtlich der dimensionalen Genauigkeit herausragend ist, vergleichsweise leicht hergestellt werden. Es wird bevorzugt, Cu-Folie (Kupferfolie) zu verwenden, die nicht weniger als 99,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält.
  • Das Elektrodenmaterial kann auch ein Cu-Plattierungsfilm sein, der bevorzugt auf der Oberfläche der piezoelektrischen Schicht erzeugt wird. In diesem Fall kann das Elektrodenmaterial leicht durch Erzeugen eines Cu-Plattierungsfilms (Kupferplattierungsfilms) auf einer Oberfläche oder beiden Oberflächen einer oder beider von piezoelektrischen Schichten, die eine innere Elektrodenschicht zwischen sich einschließen, angeordnet werden.
  • Es wird bevorzugt, daß ein piezoelektrisches Material, das die piezoelektrische Schicht bildet, PZT umfaßt, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, und daß der Stapel in dem Heizbondschritt auf eine Temperatur von nicht weniger als 955 °C erwärmt wird. Durch Erwärmen auf eine Temperatur von nicht weniger als 955 °C in dem Heizbondschritt wirken Cu in dem Elektrodenmaterial und Pb in dem PZT so, daß eine Cu-reiche Phase gebildet wird, welche eine Wirkung dahingehend zeigt, daß die Zwischenräume in dem Übergang zwischen der Cu-Folie und dem PZT gefüllt werden, um einen homogenen und zufriedenstellenden Diffusionsbereich zu erhalten, so daß die Bondfestigkeit der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht weiter verbessert werden kann.
  • Die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt kann durch Plazieren des Stapels in einem Ofen, Füllen der Umgebung des Stapels mit Keramikoxidpulver bzw. Oxidkeramikpulver, und Evakuieren des Inneren des Ofens auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa erhalten werden.
  • Beispiele des Keramikoxidpulvers beinhalten PZT, Bleizirkonat, Zirkondioxid, Aluminiumdioxid und dergleichen. In diesem Fall ist ein Vakuumgrad bei der Evakuierung bevorzugt 1 × 104 Pa bis 105 Pa, wie vorstehend erwähnt wurde. In dem Fall von weniger als 1 × 10–4 Pa besteht ein mögliches Problem darin, daß eine Verschlechterung von PZT gefördert werden kann. Andererseits besteht in dem Fall von mehr als 105 Pa ein mögliches Problem darin, daß Cu oxidiert werden kann. Es wird stärker bevorzugt, daß der Vakuumgrad nicht mehr als 102 Pa beträgt. In diesem Fall ist es notwendig, nur vor der Wärmebehandlung zu evakuieren und nur die Luftdichtheit zum Beibehalten des Vakuumzustands während des Erwärmens aufrecht zu erhalten.
  • Die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt kann auch durch Evakuieren des Inneren des Ofens, in welchem der Stapel plaziert ist, auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 bis 105 Pa und danach Einleiten eines Inertgases in den Ofen so, daß ein Druck von nicht weniger als 1 Pa in dem Ofen aufrecht erhalten werden kann. Bestimmte Beispiele des Inertgases schließen Stickstoff, Argon und dergleichen ein. In diesem Fall ist ein Vakuumgrad bei einer Evakuierung vor dem Einleiten von Inertgas bevorzugt 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa.
  • In dem Fall von weniger als 1 × 10–4 Pa besteht ein mögliches Problem darin, daß eine Verschlechterung von PZT gefördert werden kann. Andererseits besteht in dem Fall von mehr als 105 Pa ein mögliches Problem darin, daß Cu oxidiert werden kann. Es wird stärker bevorzugt, daß der Vakuumgrad nicht mehr als 102 Pa beträgt. Wenn der Druck in dem Ofen durch die Einleitung des Inertgases weniger als 1 Pa ist, besteht ein mögliches Problem darin, daß während dem Erwärmen eine Verschlechterung des PZT gefördert werden kann. Der maximale Wert des Drucks in dem Ofen ist bevorzugt ein atmosphärischer Druck, um erhöhte Ausrüstungskosten aufgrund des zusätzlich erforderlichen Drukkerzeugungsmechanismus zu vermeiden.
  • Die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt kann auch durch Evakuieren des Inneren des Ofens, in welchem der Stapel plaziert ist, auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 Pa und danach Steuern des Sauerstoffteildrucks in dem Ofen in dem vorbestimmten Bereich erhalten werden. In diesem Fall ist der Vakuumgrad bei dem Evakuieren bevorzugt 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa. In dem Fall von weniger als 1 × 10–4 Pa besteht ein mögliches Problem darin, daß eine Verschlechterung von PZT gefördert werden kann. Andererseits besteht in dem Fall von mehr als 105 Pa ein mögliches Problem darin, daß Sauerstoff nicht ausreichend ausgeleitet werden kann, und daß eine nachfolgende Steuerung des Sauerstoffteildrucks schwierig sein kann. Es wird stärker bevorzugt, daß der Vakuumgrad bei dem Evakuieren nicht mehr als 102 Pa beträgt. Der Sauerstoffteildruck nach der Evakuierung kann zum Beispiel durch Installieren eines Manometers und eines Sauerstoffanalysators in dem Ofen und Einleiten von Sauerstoffgas so, daß der vorbestimmte Druck und die vorbestimmte Konzentration in dem Ofen aufrecht erhalten werden können, gesteuert werden.
  • BEISPIELE
  • Beispiel 1
  • Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung und ein Verfahren zur Herstellung derselben gemäß einem Beispiel der Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die 1 bis 6 erklärt.
  • Eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 gemäß diesem Beispiel umfaßt piezoelektrische Schichten 11, die aus einem piezoelektrischen Material bestehen, und innere Elektrodenschichten 21, die Cu enthalten, und jede der piezoelektrischen Schichten 11 ist abwechselnd mit jeder der inneren Elektrodenschichten 21 gestapelt, wie in 1 gezeigt ist.
  • Die innere Elektrodenschicht 21 enthält nicht weniger als 95 Gewichtsprozent von Cu. Zwischen den inneren Elektrodenschichten 21 und den piezoelektrischen Schichten 11 gibt es einen Diffusionsbereich 3, welcher durch wechselseitige Diffusion von Komponenten der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht zu der bzw. in die andere(n) Schicht erzeugt wird, und umfaßt zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu in der inneren Elektrodenschicht, wie in 2 gezeigt ist.
  • Eine detaillierte Erklärung wird nachstehend gegeben.
  • Um die vorstehend erwähnte gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 herzustellen, wird ein piezoelektrische Schicht-Kalzinierungsschritt des Kalzinierens einer ungebrannten Keramikplatte als ein piezoelektrisches Material durchgeführt, um die piezoelektrische Schicht 11 zu erhalten.
  • In diesem Beispiel wurde, um PZT als die vorstehend erwähnte piezoelektrische Schicht 11 zu übernehmen, eine ungebrannte Platte wie folgt vorbereitet. Zunächst wurden Pulver von Bleioxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Nioboxid, Strontiumkarbonat und dergleichen, die die Hauptmaterialien des piezoelektrischen Materials bilden, abgewogen, um eine vorbestimmte Zusammensetzung zu erhalten. Diese Komponentenelemente wurden jedoch unter Berücksichtigung der Flüchtigkeit der Bleikomponente mit 1 bis 2 Prozent mehr Blei als in der stöchiometrischen Zusammensetzung angereichert. Das so vorbereitete Material wurde in einem Mischer trocken gemischt und danach bei 800 bis 950 °C kalziniert.
  • Darauffolgend wurde reines Wasser und ein Dispergiermittel zu dem resultierenden kalzinierten Pulver hinzugefügt, um einen Brei zu erzeugen, welcher mittels einer Perl- bzw. Kugelmühle naß gemahlen wurde. Das so gemahlene Pulver wurde getrocknet, entfettet, mit einem Lösungsmittel, einem Binder, einem Plasticizer, einem Dispergiermittel und dergleichen versetzt und in einer Kugelmühle gemischt. Danach wurde der resultierende Brei in einer Vakuumeinrichtung unter Rühren mittels einer Rühreinrichtung entgast, um die Viskosität zu steuern.
  • Darauffolgend wurde der Brei mittels einer Abziehklingenmaschine zu einer ungebrannten Platte einer vorbestimmten Dicke ausgeformt.
  • Die resultierende ungebrannte Platte wurde in einer Presse gestanzt oder durch einen Schneider geschnitten, in eine kreisförmige Form mit einem Durchmesser von 15 mm. Natürlich kann die ungebrannte Platte in Übereinstimmung mit einer gewünschten Form einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung in eine quadratische Form, eine elliptische Form, eine faßförmige Form, oder dergleichen ausgeformt werden.
  • Darauffolgend wurde in diesem Beispiel die ungebrannte Platte bei 400 bis 700 °C in einem elektrischen Ofen für eine vorbestimmte Dauer entfettet und danach bei 900 bis 1200 °C für eine vorbestimmte Dauer kalziniert, um eine piezoelektrische Schicht 11 zu erhalten. Somit wurde in diesem Beispiel eine kalzinierte piezoelektrische Schicht 11 mit einer Dicke von 100 Mikrometern und hauptsächlich aus PZT, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, bestehend erhalten.
  • Darauffolgend wurde, wie in den 4 und 5 gezeigt ist, ein Stapelherstellungsschritt durchgeführt, um die erhaltenen piezoelektrischen Schichten 11 abwechselnd mit Schichten von Cu enthaltendem Elektrodenmaterial 20 zu stapeln, um einen Stapel herzustellen.
  • In diesem Beispiel wurde eine aus Cu mit einer Reinheit von 99,9 Prozent bestehende Kupferfolie mit einer Dicke von 3 Mi krometern als Elektrodenmaterial 20 verwendet. Die verwendete Kupferfolie hatte eine Form, die durch Abschneiden eines Teils eines Kreises mit einem Durchmesser von 15 Millimetern in einer geraden Linie innerhalb des Umfangs so, daß ein Abstand a von dem Umfang 4 mm sein kann, wie in 3 gezeigt ist, erhalten wurde. Jedes Elektrodenmaterial 20 wurde so plaziert, daß sich der abgeschnittene Teil desselben auf der gegenüberliegenden Seite befinden konnte, abwechselnd mit dem des nächsten Elektrodenmaterials, wie in den 4 und 5 gezeigt ist, und piezoelektrische Schichten 11 und Elektrodenmaterialien 20 wurden so gestapelt, daß fehlende Abschnitte 119, an denen das Elektrodenmaterial 20 (interne Elektrodenschicht 21) die piezoelektrische Schicht 11 nicht bedeckt, mit einer Abwechslung von rechts und links erzeugt werden konnten, so daß ein Stapel 100 wie in den 1 und 5 gezeigt erhalten wurde. In diesem Beispiel wurden fünfzig (50) piezoelektrische Schichten 11 gestapelt.
  • Darauffolgend wurde wie in 5 gezeigt ein Heizbondschritt des Bondens der inneren Elektrodenschichten 21, die aus dem Elektrodenmaterial 20 bestehen, und der piezoelektrischen Schichten 11 durch Erwärmen des Stapels 100 auf eine Temperatur höher als 850 °C und nicht höher als der Schmelzpunkt von Cu in einer oxidationshemmenden Atmosphäre zum Verhindern des Oxidierens von Cu, während der Stapel 100 in der Richtung des Stapelns mit einer vorbestimmten Last F beaufschlagt wurde, durchgeführt.
  • Im Einzelnen wurde der Stapel 100 in einem Ofen plaziert, während eine Last F von etwa 3 MPa in der Richtung des Stapelns zugeführt wurde. Darauffolgend wurde das Innere des Ofens, in welchem der Stapel 100 plaziert wurde, auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–2 Pa evakuiert, und wurde danach N2-Gas als Inertgas so in den Ofen eingeleitet, daß ein Druck von 10 Pa in dem Ofen aufrecht erhalten werden konnte.
  • Im Einzelnen wurde der Stapel bei einer Temperatur von 960 °C für etwa 10 Minuten erwärmt. Es wird gedacht, daß durch Erwärmen auf eine solche Temperatur in dem Übergang zwischen einer inneren Elektrodenschicht 21 (Elektrodenmaterial 20) und einer piezoelektrischen Schicht 11 Cu in dem Elektrodenmaterial und Pb in PZT eine aus Cu und Pb bestehende Cu-reiche flüssige Phase ausbildet, welche die Erzeugung einer Diffusionsschicht fördert.
  • In einer in Übereinstimmung mit dem vorstehend erwähnten Heizbondschritt erhaltenen gestapelten piezoelektrischen Einrichtung 1 bonden eine piezoelektrische Schicht 11 und eine innere Elektrodenschicht 21 fest aneinander, während jede innere Elektrodenschicht 21 abwechselnd zu der gegenüberliegenden Seite freiliegt, wie in 1 gezeigt ist.
  • In diesem Beispiel wurde, wie in 2 gezeigt ist, ein Abschnitt parallel zu der Stapelrichtung eines Übergangs zwischen einer piezoelektrischen Schicht 11 und einer inneren Elektrodenschicht 21 mittels einem Röntgen-Mikroanalysator (EPMA) analysiert. Das Ergebnis zeigte, daß ein Diffusionsbereich mit einer Dicke t von etwa 20 Nanometern, in welchem Elemente von Pb, Cu und O koexistieren, in dem Übergang zwischen einer piezoelektrischen Schicht 11 und einer inneren Elektrodenschicht 21 erzeugt wurde.
  • Die gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 gemäß diesem Beispiel nutzt ein Cu-basiertes Material mit einem Gehalt von 95 Gewichtsprozent Cu als eine innere Elektrodenschicht 21. Daher können verglichen mit bekannten gestapelten piezoelektrischen Einrichtungen, die ein Edelmetall wie beispielsweise Ag/Pd einsetzen, die Materialkosten signifikant reduziert werden, und kann eine billigere gestapelte piezoelektrische Einrichtung erhalten werden.
  • Die vorstehend erwähnte gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 weist einen zwischen einer piezoelektrischen Schicht 11 und einer inneren Elektrodenschicht 21 ausgebildeten Diffusionsbereich auf. Dieser Diffusionsbereich wird durch wechselseitige Diffusion von Komponenten einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht zu der anderen Schicht erzeugt und enthält Pb und O, welches Komponenten eines piezoelektrischen Materials sind, das eine piezoelektri sche Schicht 11 bildet, und Cu, welches eine innere Elektrodenschicht bildet, wie vorstehend erwähnt wurde. Eine innere Elektrodenschicht 21 und eine piezoelektrische Schicht 11 sind mit einer ausreichenden Bondfestigkeit aneinander gebondet, weil der Diffusionsbereich in dem Übergang zwischen ihnen existiert.
  • Das heißt, eine gestapelte piezoelektrische Schicht 1 gemäß der Erfindung weist eine ausreichend hohe Bondfestigkeit zwischen einer inneren Elektrodenschicht 21 und einer piezoelektrischen Schicht 11 auf und ist kostengünstig.
  • Als Nächstes wird zur Bezugnahme eine beispielhafte praktische Verwendung der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung 1 gemäß diesem Beispiel erklärt. Zunächst wird ein Epoxy-basiertes Harz über die periphere Seitenoberfläche der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung 1 aufgebracht und in Vakuum entgast, und dann bei einer Temperatur von 180 °C für 10 Minuten wärmebehandelt. Dadurch werden die fehlenden Abschnitte 119, welches Lücken zwischen einer piezoelektrischen Schicht 11 und einer anderen piezoelektrischen Schicht 11 sind, die aus den abgeschnittenen Teilen der aus Cu-Folien wie vorstehend erwähnt hergestellten inneren Elektrodenschichten 21 resultieren, mit einer aus dem Epoxy-basierten Harz bestehenden Füllung 118 gefüllt.
  • Darauffolgend wird, wie in 6 gezeigt ist, nach dem Schleifen der peripheren Seitenoberfläche der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung auf den Durchmesser von 10 mm ein Paar von externen Elektroden 31, 32 durch Aufbeschichten eines Epoxy-basierten elektrisch leitenden Klebers, der einen Ag-Füller enthält, auf zwei gegenüberliegende Flächen mit den fehlenden Abschnitten 119 der peripheren Seitenoberfläche erzeugt. Außerdem werden Leitungsdrähte 33, 34 mit den externen Elektroden 31, 32 verbunden.
  • Die so erzeugte gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 kann durch Tauchen derselben in ein isolierendes Öl und Polarisieren derselben durch Anlegen einer Gleichspannung über die Leitungsdrähte 33, 34 zu einer gestapelten piezoelektrischen Ein richtung (gestapelter piezoelektrischer Aktuator) gemacht werden, welche bei praktischer Verwendung ein Ausführungsbeispiel ist.
  • Beispiel 2
  • dIn diesem Beispiel wurde anstelle eines aus einer Kupferfolie bestehenden Elektrodenmaterials 20 in Beispiel 1 ein Cu-Film mit einer Dicke von 3 Mikrometern als ein Elektrodenmaterial durch nicht-elektrolytisches Plattieren auf beide der Hauptebenen einer piezoelektrischen Schicht 11 erzeugt. Plattierte piezoelektrische Schichten und nicht-plattierte piezoelektrische Schichten wurden abwechselnd gestapelt und dann heizgebondet, auf dieselbe Art und Weise wie in Beispiel 1, um eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung zu erhalten.
  • Die Auswertung des Zustands der Bondung zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht der erhaltenen gestapelten piezoelektrischen Einrichtung durch Betrachten eines Abschnitts derselben zeigte, daß die gestapelte piezoelektrische Einrichtung dieses Beispiels einen ebenso guten Bondungszustand hatte wie der von Beispiel 1.
  • Beispiel 3
  • In diesem Beispiel wurden, um die Überlegenheit der in Beispiel 1 erhaltenen gestapelten piezoelektrischen Einrichtung 1 weiter zu klären, Vergleichsproben einschließlich einer konventionellen Probe vorbereitet, und wurde ein Test zum Vergleichen der Bondfestigkeit der Proben durchgeführt.
  • Die konventionelle Probe wurde wie folgt vorbereitet: Zunächst wurde eine ungebrannte Platte auf dieselbe Art und Weise wie in Beispiel 1 erzeugt, und wurde ein Elektrodenmaterial auf eine Seite der ungebrannten Platte durch Sieb- bzw. Rasterdrucken gedruckt. Eine Paste aus Silber und Palladium (nachstehend in Kurzform als eine Ag/Pd-Paste bezeichnet) mit einem Ag/Pd-Verhältnis von 7/3 wurde als das Elektrodenmaterial verwendet.
  • Darauffolgend wurden die bedruckten ungebrannten Platten gestapelt, um einen Stapel zu erzeugen, welcher mittels einer Warmwasser-Gummipresse und dergleichen thermokompressionsgebondet wurde, bei 400 bis 700 °C in einem elektrischen Ofen entfettet, und bei 900 bis 1200 °C kaliziniert, um eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung als konventionelle Probe zu erhalten, welche als Probe C1 bezeichnet wird.
  • Zusätzlich zu der gestapelten piezoelektrischen Einrichtung von Beispiel 1, welche als Probe E1 bezeichnet wird, wurden Proben C1 und C3 als Vergleichsbeispiele auf dieselbe Art und Weise wie in Beispiel 1 vorbereitet, mit der Ausnahme, daß die Heiztemperatur in dem Heizbondschritt auf 800 °C bzw. 850 °C geändert wurde.
  • Die Bondfestigkeit zwischen einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht der Proben E1, C1, C2 und C3 wurde mittels einem Zugtest in der Stapelrichtung jeder Probe gemessen. Der gemessene Wert wurde als ein Bondfestigkeitsverhältnis ausgedrückt, welches als ein Verhältnis der Bondfestigkeit jeder Probe zu der Bondfestigkeit der konventionellen Probe C1 definiert ist.
  • Die Testergebnisse sind in 7 gezeigt, welche Probennummern entlang der Abszisse und ein Bondfestigkeitsverhältnis entlang der Ordinate aufweist.
  • Wie aus 7 ersichtlich ist, hatte die gestapelte piezoelektrische Einrichtung 1 gemäß Beispiel 1 (Probe E1) eine herausragende Bondfestigkeit gleich der der konventionellen Probe (Probe C1).
  • Demgegenüber wiesen die Proben C2 und C3, welche in dem Heizbondschritt bei einer Temperatur von nicht mehr als 850 °C erwärmt wurden, eine unterlegene bzw. kleinere Bondfestigkeit gegenüber der der konventionellen Probe (Probe C1) auf. Als Ursache wird betrachtet, daß eine Heiztemperatur von nicht mehr als 850 °C eine Kupferfolie als ein Elektrodenmaterial nicht ausreichend weich macht und daher eine Kupferfolie nicht genügend in Kontakt mit einem piezoelektrischen Material bringt, um einen Diffusionsbereich zwischen einer inneren Elektrodenschicht und einer piezoelektrischen Schicht herzustellen.
  • Beispiel 4
  • In diesem Beispiel wurde die Wirkung geprüft, welche die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt in einem Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung auf eine dielektrische Eigenschaft einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung unter Verwendung einer einzelnen Platte von piezoelektrischem Material, das für eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung verwendet wurde, hat.
  • Zunächst wurde Gold auf beide Hauptebenen einer kalzinierten piezoelektrischen Scheibe mit einem Durchmesser von 15 mm und einer Dicke von 100 Mikrometern, welche in dem Heizbondschritt nicht der oxidationshemmenden Atmosphäre ausgesetzt war, dampfabgeschieden, um eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe mit einer Goldabscheidung (Probe C4) als ein als Basis verwendetes Vergleichsbeispiel vorzubereiten.
  • Als Nächstes wurde eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe derselben oxidationshemmenden Atmosphäre wie der in dem Heizbondschritt in Beispiel 1 ausgesetzt, und danach wurde Gold auf beide Hauptebenen der piezoelektrischen Scheibe dampfabgeschieden, um eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe mit einer Goldabscheidung (Probe E2) vorzubereiten. Obwohl die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt in Beispiel 1 durch Einleiten eines Inertgases in den Ofen bei einem vorbestimmten Druck, nachdem der Ofen wie vorstehend erwähnt evakuiert wurde, bereitgestellt wurde, wurde eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe bei einem Vakuumgrad von 10–2 Pa ohne Einleitung von Inertgas, nachdem der Ofen auf einen solchen Vakuumgrad evakuiert wurde, erwärmt, und wurde danach Gold auf beide Hauptebenen der wärmebehandelten piezoelektrischen Scheibe dampfabgeschieden, um eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe mit einer Goldabscheidung (Probe C5) als ein Vergleichsbeispiel vorzubereiten.
  • Außerdem wurde, wie in 9 gezeigt ist, eine kalzinierte piezoelektrische Scheibe 11 in einem Ofen plaziert, wurde die Peripherie der kalzinierten piezoelektrischen Scheibe 11 mit Keramikoxidpulver 92 gefüllt, und wurde dann das Innere des Ofens auf einen Vakuumgrad von 10–2 Pa evakuiert, um eine oxidationshemmende Atmosphäre zu erhalten, in der die kalzinierte piezoelektrische Platte 11 erwärmt wurde, und danach wurde Gold auf beide Hauptebenen der wärmebehandelten piezoelektrischen Scheibe dampfabgeschieden, um eine piezoelektrische Scheibe mit einer Goldabscheidung (Probe E3) vorzubereiten. In diesem Fall wurde Bleizirkonat mit einem mittleren Partikeldurchmesser von etwa 10 Mikrometern als Keramikoxidpulver 92 verwendet.
  • Dann wurde jede Probe zum Ermitteln einer piezoelektrischen Konstanten d31 (pm/V), welche eine der piezoelektrischen Eigenschaften ist, getestet.
  • Bei diesem Test wurde ein Impedanzmeßinstrument verwendet. Eine Oberfläche jeder Probe wurde mit dem positiven (+) Anschluß des Impedanzmeßinstruments verbunden, und die andere Oberfläche wurde mit dem negativen (-) Anschluß verbunden. Die Resonanzfrequenz und die Gegenresonanzfrequenz wurden gemessen, und die piezoelektrische Konstante d31 wurde berechnet.
  • Das Ergebnis ist in 8 gezeigt, welche die Proben-Nr. entlang der Abszisse und die piezoelektrische Konstante d31 (pm/V) entlang der Ordinate führt.
  • Wie aus 8 ersichtlich ist, hatten die Proben E2 und E3 eine piezoelektrische Eigenschaft äquivalent zu der von Probe C4, welche nicht der oxidationshemmenden Atmosphäre ausgesetzt war. Die Probe C5 ist hinsichtlich der piezoelektrischen Eigenschaft in Bezug auf die Probe C4 um etwa 20 Prozent unterlegen.
  • Das vorstehend erwähnte Ergebnis zeigte, daß nur eine Evakuierung für eine oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt unzureichend war, und daß zusätzliche Maßnahmen notwendig waren.
  • Die zusätzlichen Maßnahmen beinhalten das Laden von Inertgas, wie beispielsweise Stickstoff, in den Ofen bei einem Druck von nicht weniger als 1 Pa nach der Evakuierung, Steuern eines Sauerstoffteildrucks in dem Ofen auf einen vorbestimmten Druck nach der Evakuierung, und dergleichen.
  • Beispiel 5
  • In diesem Beispiel wurde der Abschnitt in der Stapelrichtung der in Beispiel 1 vorbereiteten gestapelten elektrischen Einrichtung mittels EPMA mit einem Strahldurchmesser von 1 Nanometer gemessen. Ein Ergebnis ist in 10 gezeigt, welche den Abstand von dem Übergang nahe dem Diffusionsbereich entlang der Abszisse und die Cu-Konzentration (Gewichtsprozent) entlang der Ordinate führt.
  • Da reines Cu mit einer Reinheit von 99,9 Prozent als eine innere Elektrodenschicht 21 verwendet wurde, wird A', ausgedrückt durch 0,95A, zu etwa 95 Gewichtsprozent. Der Abstand von der Position A', an der die Cu-Konzentration 95 Prozent beträgt, über den Übergang zu einer Position B, an der die Cu-Konzentration 1 Gewichtsprozent beträgt, betrug etwa 20 nm, wie aus 10 ersichtlich ist.
  • Beispiel 6
  • In diesem Beispiel wurde ein Abschnitt in der Stapelrichtung der in Beispiel 1 vorbereiteten gestapelten piezoelektrischen Einrichtung 1 mittels EDX analysiert, um den Sauerstoffgehalt an vier Punkten (1, 3, 5 und 10 Nanometer ausgehend von der Schnittstelle) des Diffusionsbereichs auf der Seite der inneren Elektrodenschicht zu ermitteln.
  • Das Ergebnis zeigte, daß der Sauerstoffgehalt kleiner als 8 Gewichtsprozent war.
  • Um eine gestapelte piezoelektrische Einrichtung, welche kostengünstig und hinsichtlich der Bondfestigkeit zwischen einer piezoelektrischen Schicht und einer inneren Elektrodenschicht herausragend ist, bereitzustellen, umfaßt die piezoelektrische Einrichtung piezoelektrische Schichten und nicht weniger als 50 Gewichtsprozent von Cu enthaltende innere Elektrodenschichten, die abwechselnd gestapelt sind. Zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht gibt es einen Diffusionsbereich, der durch wechselseitige Diffusion von Komponenten der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht in die andere Schicht erzeugt wird und zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu umfaßt. Der Diffusionsbereich belegt nicht weniger als 90 Prozent der Fläche eines Übergangs zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht, und die Dicke des Diffusionsbereichs beträgt nicht mehr als 10 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht. Ein die piezoelektrische Schicht bildendes piezoelektrisches Material umfaßt bevorzugt PZT, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, und Elemente von Pb, Cu und O koexistieren in dem Diffusionsbereich.

Claims (19)

  1. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung, gekennzeichnet durch piezoelektrische Schichten, die aus einem piezoelektrischen Material bestehen, und Kupfer enthaltenden inneren Elektrodenschichten, wobei jede der piezoelektrischen Schichten mit jeder der inneren Elektrodenschichten abwechselnd gestapelt ist, die innere Elektrodenschicht nicht weniger als 50 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält, und zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht ein Diffusionsbereich vorhanden ist, der durch die wechselseitige Diffusion von Komponenten der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht zu der anderen Schicht erzeugt wird und zumindest eine Komponente des piezoelektrischen Materials und Cu umfaßt.
  2. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Elektrodenschicht nicht weniger als 95,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält.
  3. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Elektrodenschicht nicht weniger als 99,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält.
  4. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Elektrodenschicht aus einem reinen Kupfermetall besteht, das nicht weniger als 99,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält.
  5. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Elektrodenschicht aus einer Kupferlegierung besteht, die nicht weniger als 95,0 Gewichtsprozent des Elements Cu enthält.
  6. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsbereich nicht weniger als 90 Prozent der Fläche des Übergangs zwischen der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht einnimmt, und die Dicke des Diffusionsbereichs nicht mehr als 10 Prozent der Dicke der inneren Elektrodenschicht beträgt.
  7. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsbereich ein Bereich mit einer Cu-Konzentration von 1 Prozent bis 0,95A Gewichtsprozent ist, wobei A den Kupferelementgehalt in Gewichtsprozent in der inneren Elektrodenschicht repräsentiert.
  8. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Diffusionsbereichs von 0,001 bis 1 Mikrometer beträgt.
  9. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Diffusionsbereich kontinuierlich in beiden Seiten eines Übergangs der inneren Elektrodenschicht und der piezoelektrischen Schicht existiert, und sich der Übergang in dem Diffusionsbereich befindet, und wobei ein Teil des Diffusionsbereichs näher an der inneren Elektrodenschicht als an dem Übergang einen Sauerstoffgehalt von nicht mehr als 10 Gewichtsprozent aufweist.
  10. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das die piezo elektrische Schicht bildende piezoelektrische Material PZT umfaßt, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, und Elemente von Pb, Cu und O in dem Diffusionsbereich koexistieren.
  11. Gestapelte piezoelektrische Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, welche ein piezoelektrischer Aktuator für einen Injektor ist, der als eine Antriebsquelle eines Injektors verwendet wird.
  12. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung, die aus einem piezoelektrischen Material bestehende piezoelektrische Schichten und Cu enthaltenden inneren Elektrodenschichten umfaßt, wobei jede der piezoelektrischen Schichten abwechselnd mit jeder der inneren Elektrodenschichten gestapelt ist, gekennzeichnet durch: einen piezoelektrische Schicht-Kalzinierungsschritt des Kalzinierens einer ungebrannten Keramikplatte, um eine piezoelektrische Schicht zu erhalten; einen Stapelherstellungsschritt des Stapelns der piezoelektrischen Schichten abwechselnd mit Schichten von Cu enthaltendem Elektrodenmaterial, um einen Stapel herzustellen; und einen Heizbondschritt des Bondens von aus dem Elektrodenmaterial bestehenden inneren Elektrodenschichten und der piezoelektrischen Schichten durch Erwärmen des Stapels auf eine Temperatur höher als 750 °C und nicht höher als der Schmelzpunkt von Cu in einer oxidationshemmenden Atmosphäre, um das Cu am Oxidieren zu hindern, während der Stapel in der Stapelrichtung mit einer vorbestimmten Last beaufschlagt wird.
  13. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach Anspruch 12, gekennzeichnet durch ein Erwärmen des Stapels auf eine Temperatur höher als 850 °C in dem Heizbondschritt.
  14. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial eine Cu-Folie ist.
  15. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Elektrodenmaterial ein auf der Oberfläche der piezoelektrischen Schicht erzeugter Kupferplattierungsfilm ist.
  16. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das die piezoelektrische Schicht bildende piezoelektrische Material PZT umfaßt, welches ein Pb(Zr,Ti)O3-basiertes Oxid mit einer Perovskitstruktur ist, und der Stapel in dem Heizbondschritt auf eine Temperatur von nicht weniger als 955 °C erwärmt wird.
  17. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt durch Plazieren des Stapels in einem Ofen, Füllen der Umgebung des Stapels mit Keramikoxidpulver, und Evakuieren des Inneren des Ofens auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa erhalten wird.
  18. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt durch Evakuieren des Inneren des Ofens, in welchem der Stapel plaziert ist, auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa erhalten wird, und danach ein Inertgas so in den Ofen eingeleitet wird, daß ein Druck von nicht weniger als 1 Pa in dem Ofen aufrecht erhalten werden kann.
  19. Verfahren zur Herstellung einer gestapelten piezoelektrischen Einrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die oxidationshemmende Atmosphäre in dem Heizbondschritt durch Evakuieren des Inneren des Ofens, in welchem der Stapel plaziert ist, auf einen Vakuumgrad von 1 × 10–4 Pa bis 105 Pa erhalten wird, und danach ein Sauerstoffteildruck in dem Ofen in dem vorbestimmten Bereich gesteuert wird.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006031085A1 (de) * 2006-03-16 2007-09-20 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US20150076967A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer piezoelectric element

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005042520A1 (de) * 2004-09-07 2006-03-30 Denso Corp., Kariya Gestapeltes piezoelektrisches Element und Herstellungsverfahren für dasselbe
US20060202152A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Tdk Corporation Piezoelectric ceramic composition, production method thereof, piezoelectric element and fabrication method thereof
JP2006276994A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Toshiba Tec Corp ゲートシステム
WO2008004700A1 (fr) * 2006-07-04 2008-01-10 Ngk Insulators, Ltd. Capteur à film piézoélectrique
KR100852396B1 (ko) * 2006-10-20 2008-08-14 한국기계연구원 초음파를 이용한 세정장치
DE102007008266A1 (de) * 2007-02-20 2008-08-21 Siemens Ag Piezoaktor und Verfahren zum Herstellen eines Piezoaktors
DE102007046077A1 (de) * 2007-09-26 2009-04-02 Epcos Ag Piezoelektrisches Vielschichtbauelement
KR101054650B1 (ko) * 2011-02-16 2011-08-05 이재경 아킬레스근 파열 환자용 신발
JP2012256582A (ja) * 2011-02-18 2012-12-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 電気化学素子用電極の製造方法
JP5709991B2 (ja) * 2011-05-30 2015-04-30 京セラ株式会社 圧力センサ
DE102012101351A1 (de) 2012-02-20 2013-08-22 Epcos Ag Vielschichtbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Vielschichtbauelements
WO2013133320A1 (ja) * 2012-03-09 2013-09-12 株式会社ニコン 積層圧電素子及びその製造方法
TWI518050B (zh) * 2013-01-29 2016-01-21 佳能股份有限公司 壓電材料、壓電元件、及電子設備

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730308A (en) 1980-07-29 1982-02-18 Tdk Electronics Co Ltd Electrode pasge for porcelain capacitor
US5163209A (en) * 1989-04-26 1992-11-17 Hitachi, Ltd. Method of manufacturing a stack-type piezoelectric element
JPH04317311A (ja) * 1991-04-16 1992-11-09 Tdk Corp 積層セラミックコンデンサ
JPH04334076A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Hitachi Ltd 積層型圧電素子とその製造方法
DE20023051U1 (de) * 1999-12-16 2003-01-09 Epcos Ag Piezoelektrisches Bauelement
JP2001244519A (ja) * 2000-03-01 2001-09-07 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 圧電素子の製造方法
JP2002054526A (ja) 2000-05-31 2002-02-20 Denso Corp インジェクタ用圧電体素子
JP2001340851A (ja) 2000-06-02 2001-12-11 Nippon Denko Kk ホウ素含有排水の処理方法及び処理装置
JP2002314156A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Denso Corp 圧電体素子
JP4225033B2 (ja) * 2001-12-14 2009-02-18 株式会社日本自動車部品総合研究所 セラミック積層体とその製造方法
DE10201641A1 (de) * 2002-01-17 2003-08-07 Epcos Ag Piezoelektrisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006031085A1 (de) * 2006-03-16 2007-09-20 Epcos Ag Elektrisches Vielschichtbauelement
US8022605B2 (en) 2006-03-16 2011-09-20 Epcos Ag Electrical multi-layer component
US20150076967A1 (en) * 2013-09-17 2015-03-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer piezoelectric element
US9780289B2 (en) * 2013-09-17 2017-10-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer piezoelectric element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004266261A (ja) 2004-09-24
US7073265B2 (en) 2006-07-11
JP4590868B2 (ja) 2010-12-01
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