DE10135047A1 - Verfahren zum Herstellen eines Leiters und Verfahren zur Bildung eines Musters - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Leiters und Verfahren zur Bildung eines Musters

Info

Publication number
DE10135047A1
DE10135047A1 DE10135047A DE10135047A DE10135047A1 DE 10135047 A1 DE10135047 A1 DE 10135047A1 DE 10135047 A DE10135047 A DE 10135047A DE 10135047 A DE10135047 A DE 10135047A DE 10135047 A1 DE10135047 A1 DE 10135047A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
forming
area
base material
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10135047A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiko Ezura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Publication of DE10135047A1 publication Critical patent/DE10135047A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
    • H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76885—By forming conductive members before deposition of protective insulating material, e.g. pillars, studs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren zum Bilden eines feinen Leiters mit einem hohen Genauigkeitsgrad angegeben. Das Verfahren zum Bilden eines Leiters umfaßt einen Prozeß zum Bilden eines ersten Films (106) auf einem Basismaterial (100), einen Prozeß zum Bilden eines zweiten Films (108) auf dem ersten Film, einen Prozeß zum Bilden eines ersten Öffnungsbereichs (110) in dem zweiten Film, so daß der zweite Film ein vorbestimmtes Muster hat, einen Prozeß zum Entfernen eines Bereichs des ersten Films, derart, daß der zweite Film als eine Haube dient, einen Prozeß zum Bilden eines Leiters (114a) auf dem Basismaterial unter Verwendung des ersten Films und des zweiten Films als Masken und einen Prozeß zum Entfernen des ersten Films und des zweiten Films.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Leiters und auf ein Verfahren zur Bildung eines Musters. Insbesondere bezieht sich die vorliegende Erfindung auf ein Verfahren zum Her­ stellen eines Leiters, das mehrere Maskenschichten verwendet, um einen feinen Leiter zu bilden.
Fig. 1 zeigt einen Zwischenprozeß eines herkömmlichen Verfahrens zum Herstellen eines Leiters. Gemäß diesem Verfahren wird, um einen Leiter 14 zu bilden, zuerst ein Abdeckmittel 12 auf ein Basismaterial 10 aufge­ bracht. Es wird dann ein vorbestimmten Muster gebil­ det durch Belichten und Entwickeln des Abdeckmittels 12. Als Nächstes wird unter Verwendung des Abdeckmit­ tels 12 als einer Maske ein Leiter 14 durch Zerstäu­ ben oder dergleichen aufgebracht. Der auf das Abdeck­ mittel 12 aufgebrachte Leiter 14 wird teilweise ent­ fernt durch allmähliches Entfernen des Abdeckmittels 12 unter Verwendung eines flüssigen Entwicklers, so daß der Leiter 14 nur auf dem vorbestimmten Bereich des Basismaterials 10 verbleibt. Wie in Fig. 1(a) ge­ zeigt ist, kann eine Öffnung 16, welche sich in der Richtung der Belichtungsrichtung erstreckt, gebildet werden durch Steuern eines Belichtungsparameters, wenn das Abdeckmittel 12 belichtet wird.
Während die Miniaturisierung von Halbleitervorrich­ tungen in den letzten Jahren fortgeschritten ist, wurde damit begonnen, ein Belichtungssystem, daß ei­ nen Elektronenstrahl verwendet, einzusetzen, um Lei­ ter wie Elektroden und Drähte, welche auf Halbleiter­ vorrichtung angeordnet sind, zu bilden. Bei diesem Belichtungssystem wird ein Elektronenstrahl- Abdeckmittel verwendet. Wenn jedoch ein Elektronen­ strahl auf ein Elektronenstrahl-Abdeckmittel ge­ strahlt wird, bewirkt die Energie des Elektronen­ strahls, daß die obere Schicht des Elektronenstrahl- Abdeckmittels schmilzt. Als eine Folge wird, wie in Fig. 1(b) gezeigt ist, ein Öffnungsbereich, welcher sich in der Richtung der Bestrahlung mit dem Elektro­ nenstrahl verengt oder im Wesentlichen vertikal ge­ formt ist, gebildet. Daher ist die Bildung eines Öff­ nungsbereichs, welcher sich in der Richtung der Be­ strahlung mit dem Elektronenstrahl in der Breite er­ weitert, wie in Fig. 1(a) gezeigt ist, sehr schwie­ rig.
Wenn ein Leiter 14 gebildet wird durch Aufstäuben oder dergleichen unter Verwendung eines Abdeckmittels 12 für eine Maske, welche einen Öffnungsbereich auf­ weist, der im Wesentlichen vertikal geformt ist oder sich in der Richtung der Bestrahlung mit dem Elektro­ nenstrahl nach unten verengt, kommt der Bereich des Leiters 14, der auf das Basismaterial 10 aufgebracht ist, in Kontakt mit dem Bereich des Leiters 14, der auf das Abdeckmittel 12 aufgebracht ist, wie in Fig. 1(b) gezeigt ist. In diesem Fall ist es sehr schwie­ rig, einen Leiter 14 mit einer vorbestimmten Form auf dem Basismaterial 10 durch Entfernen des Abdeckmit­ tels 12 zu bilden. Darüber hinaus ist die Dicke des auf dem Basismaterial 10 zu bildenden Leiters 14 durch die Dicke des Abdeckmittels 12 begrenzt. Da die Dicke des Elektronenstrahl-Abdeckmittels 12 ausrei­ chend klein gemacht werden soll, war es sehr schwie­ rig, einen dicken Leiter 14 zu bilden.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Bildung eines Leiters sowie ein Verfahren zur Bildung eines Musters anzugeben, welche die vorgenannten Schwierigkeiten des Standes der Technik überwinden.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die in den unabhängi­ gen Ansprüchen beschriebenen Kombinationen. Die ab­ hängigen Ansprüche definieren weitere vorteilhafte und beispielhafte Kombinationen der vorliegenden Er­ findung.
Gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Bilden eines Leiters einen Prozeß zum Bilden eines ersten Films auf einem Basis­ material, einen Prozeß zum Bilden eines zweiten Films auf dem ersten Film, wobei der zweite Film durch ein bestimmtes Ätzmittel langsamer geätzt wird als der erste Film, einen Prozeß zum Bilden eines ersten Öff­ nungsbereichs auf dem zweiten Film, so daß der zweite Film ein vorbestimmtes Muster hat, einen Prozeß zum Bilden eines Lochbereichs auf dem ersten Film durch Entfernen eines ersten Bereichs des ersten Films un­ terhalb des ersten Öffnungsbereichs und eines zweiten Bereichs des ersten Films, welcher angrenzend an den ersten Bereich des ersten Films gebildet ist, unter Verwendung eines bestimmten Ätzmittels, einen Prozeß zum Bilden eines Lochbereichs, welcher durch den er­ sten Film hindurchdringt, einen Prozeß zum Bilden ei­ nes Leiters innerhalb des Lochbereichs auf einem Be­ reich des Basismaterials, und einen Prozeß zum Ent­ fernen des ersten Films und des zweiten Films. In diesem Fall kann ein Prozeß zum Entfernen des ersten und des zweiten Films, nachdem der Leiter in dem Lochbereich gebildet wurde, hinzugefügt werden.
Darüber hinaus ist es bevorzugt, daß der Prozeß zum Bilden des zweiten Films einen Prozeß zum Aufbringen eines Elektronen-Abdeckmittels, das auf einen aufge­ strahlten Elektronenstrahl reagiert, auf den ersten Film enthält, und der Prozeß zum Bilden des ersten Öffnungsbereichs einen Prozeß zum Belichten des Elek­ tronenstrahl-Abdeckmittels und einen Prozeß zum Ent­ wickeln des Elektronenstrahl-Abdeckmittels enthält. Es ist weiterhin bevorzugt, daß der Prozeß zum Bilden des ersten Films einen Prozeß zum Bilden eines Film, welcher weniger auf den Elektronenstrahl als das Elektronenstrahl-Abdeckmittel reagiert, enthält.
Weiterhin kann ein Prozeß zum Entfernen eines Be­ reichs der Oberflächenschicht des Basismaterials hin­ zugefügt werden. Darüber hinaus kann der Prozeß des Entfernens eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials einen Prozeß zum Entfernen eines er­ sten Bereichs der Oberflächenschicht des Basismateri­ als, welcher unterhalb des Lochbereichs ist, und ei­ nes zweiten Bereichs der Oberflächenschicht des Ba­ sismaterials, welcher an den ersten Bereich der Ober­ flächenschicht des Basismaterials angrenzt, enthal­ ten.
Darüber hinaus kann der Prozeß zum Bilden eines Loch­ bereichs einen Prozeß zum Bilden eines zweiten Öff­ nungsbereichs auf dem ersten Film durch Entfernen zu­ mindest des ersten Bereichs des ersten Films, der un­ ter dem ersten Öffnungsbereich liegt, einen Prozeß zum Entfernen eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials und einen Prozeß zum Schaffen ei­ nes Lochbereichs durch Entfernen eines Bereichs des ersten Films, welcher in der Nachbarschaft des zwei­ ten Öffnungsbereichs liegt, enthalten. Darüber hinaus kann der Prozeß zum Entfernen eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials einen Prozeß zum Entfernen eines ersten Bereichs der Oberflächen­ schicht des Basismaterials, welcher unterhalb des zweiten Öffnungsbereichs ist, und eines zweiten Be­ reichs der Oberflächenschicht des Basismaterials, welcher einen benachbarten Bereich des ersten Be­ reichs der Oberflächenschicht bildet, enthalten.
Darüber hinaus kann der Prozeß zum Bilden eines zwei­ ten Öffnungsbereichs einen Prozeß zum Entfernen zu­ mindest eines Bereichs des ersten Films unterhalb des ersten Öffnungsbereichs durch ein anisotropes Ätzen enthalten.
Gemäß dem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung umfaßt ein Verfahren zum Bilden eines Musters einen Prozeß zum Bilden eines Films auf einem Basismateri­ al. einen Prozeß zum Bilden eines Elektronenstrahl- Abdeckmittels, welches mit einem aufgestrahlten Elek­ tronenstrahl reagiert, auf dem Film, einen Prozeß zum Bilden eines Öffnungsbereichs auf dem Elektronen­ strahl-Abdeckmittel durch Belichten und Entwickeln des Elektronenstrahl-Abdeckmittels in der Weise, daß das Elektronenstrahl-Abdeckmittel ein vorbestimmtes Muster hat, und einen Prozeß zum Bilden eines Lochbe­ reichs auf dem Film durch Entfernen eines ersten Be­ reich des Films unterhalb des Öffnungsbereichs und eines zweiten Bereichs des Films, welcher dem ersten Bereich des Films benachbart ist.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von in den Fi­ guren dargestellten Ausführungsbeispielen näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Zwischenprozeß des herkömmlichen Ver­ fahrens zum Bilden eines Leiters,
Fig. 2 ein Verfahren zum Herstellen eines Leiters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung,
Fig. 3 ein Verfahren zum Herstellen eines Leiters gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, und
Fig. 4 ein Verfahren zum Herstellen eines Leiters gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 zeigt ein Verfahren zum Bilden eines Leiters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Er­ findung. Zuerst wird, wie in Fig. 2(a) gezeigt ist, ein Basismaterial 100 hergestellt.
Fig. 2(b) zeigt einen Prozeß zum Bilden eines ersten Films 106 und einen Prozeß zum Bilden eines zweiten Films 108. Es ist wünschenswert, daß der erste Film 106 unter Verwendung eines Materials gebildet wird, welches schwer zu entfernen ist, wenn ein Bereich des zweiten Films 108 in dem später beschriebenen Prozeß zum Bilden einer ersten Öffnung entfernt wird. Genau­ er gesagt, es ist wünschenswert, daß ein Material zum Bilden des ersten Films 106 zweckmäßig so ausgewählt wird, daß der erste Film 106 beträchtlich langsamer als der zweite Film 108 durch das zum Entfernen des zweiten Films 108 zu verwendende Ätzmittel wie einen flüssigen Entwickler, eine Ätzlösung oder ein Ätzgas geätzt wird. Weiterhin ist es in dem später beschtie­ benen Prozeß zum Bilden eines Lochbereichs wünschens­ wert, daß ein zweckmäßiges Material zum Bilden des ersten Films 106 so ausgewählt wird, daß der erste Film 106 beträchtlich schneller als der zweite Film 108 durch ein zum Entfernen eines Bereichs des ersten Films 106 zu verwendendes Ätzmittel wie einen flüssi­ gen Entwickler, eine Ätzlösung oder ein Ätzgas geätzt wird. Der erste Film 106 kann unter Verwendung eines Materials mit einem Adhäsionsgrad zu dem Basismateri­ al 100, der höher ist als der Adhäsionsgräd des zwei­ ten Films 108 zu dem ersten Film 106, gebildet wer­ den. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der erste Film 106 gebildet unter Verwendung eines organischen Materials, das Zyklopentanon (C5H8O) ent­ hält. Es ist wünschenswert, daß zumindest 90% des or­ ganischen Materials aus Zyklopentanon (C5H8O) beste­ hen.
In dem Fall, daß der zweite Film 108 unter Verwendung eines Materials wie eines Abdeckmittels, das fotoemp­ findlich gegenüber einer Lichtquelle mit einer vorbe­ stimmten Wellenlänge ist, gebildet ist, ist es wün­ schenswert, daß ein Material zum Bilden des ersten Films 106 geeignet so ausgewählt ist, daß es eine ge­ ringere Fotoempfindlichkeit gegenüber der Lichtquelle als zur Bildung des zweiten Films 108 verwendete Ma­ terial hat. Es ist weiterhin wünschenswert, daß ein Material zum Bilden des ersten Films 106 geeignet so ausgewählt wird, daß, wenn der zweite Film 108 unter Verwendung eines flüssigen Entwicklers entwickelt wird, der erste Film 106 durch den flüssigen Entwick­ ler mit einer Geschwindigkeit, die beträchtlich ge­ ringer ist als die Geschwindigkeit, mit der der Be­ reich, auf welchem der erste Öffnungsbereich zu bil­ den ist, entfernt wird, entfernt wird, wobei sich der Bereich entweder auf den Bereich des zweiten Films 108, der durch die Lichtquelle belichtet wird, oder den verbleibenden Bereich des zweiten Films 108, der nicht durch die Lichtquelle belichtet wird, bezieht.
Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist der er­ ste Film 106 in dem folgenden Prozeß unter Verwendung eines Materials gebildet, das eine beträchtlich ge­ ringere Neigung hat, mit einem Elektronenstrahl zu reagieren, d. h. mit einem geringeren Grad, als das Material, das zur Bildung des zweiten Films 108 ver­ wendet wird, und das auch in einem bestimmten flüssi­ gen Entwickler löslich ist. Zuerst wird ein Zwischen­ stoff, der ein Material zum Bilden des ersten Films 106 ist, durch ein Schleuderbeschichtungsverfahren auf das Basismaterial 100 aufgebracht. Der Zwischen­ stoff wird auf dem Basismaterial 100 niedergeschlagen beispielsweise durch Aufbringen des Zwischenstoffs auf das Basismaterial 100, während das Basismaterial 100 mit einer Geschwindigkeit zwischen 1000 und 3000 Umdrehungen pro Minute während einer Zeitdauer zwi­ schen 60 Sekunden und 180 Sekunden gedreht wird. In diesem Fall ist es bevorzugt, daß der erste Film 106 (Zwischenstoff) mit einer Dicke zwischen 50 nm und 300 nm (Nanometer) aufgebracht wird. Es ist weiterhin bevorzugt, daß der erste Film 106 (Zwischenstoff) mit einer Dicke zwischen 100 nm und 200 nm aufgebracht wird. Als Nächstes wird durch Wärmebehandlung (Bac­ ken) des Zwischenstoffs während 5 Minuten bei einer Temperatur von 160°C unter Verwendung einer heißen Platte der erste Film 106 auf dem Basismaterial 100 gebildet.
Der zweite Film 108 wird auf dem ersten Film 106 ge­ bildet. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der zweite Film 108 in dem folgenden Prozeß unter Verwendung eines Elektronenstrahl-Abdeckmittels, wel­ ches mit einem aufgestrahlten Elektronenstrahl rea­ giert, gebildet. Zuerst wird ein Elektronenstrahl- Abdeckmittel auf den ersten Film 106 mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgebracht. Als Nächstes wird das Elektronenstrahl-Abdeckmittel wäh­ rend 3 Minuten bei der Temperatur von 120°C unter Verwendung einer heißen Platte gebacken, um einen zweiten Film 108 auf dem ersten Film 106 zu bilden. Der zweite Film 108 wird mit einer Dicke von z. B. zwischen 200 nm und 1000 nm gebildet. Für den Fall, daß der erste Film 106 auch unter Verwendung eines Abdeckmittels gebildet wird, kann der erste Film 106 gebildet wird durch mehrmaliges Aufbringen des Ab­ deckmittels auf das Basismaterial 100.
Der erste Film 106 und/oder der zweite Film 108 kön­ nen beispielsweise unter Verwendung eines anorgani­ schen Materials wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder dergleichen gebildet werden. Darüber hinaus können der erste Film 106 und/oder der zweite Film 108 unter Verwendung eines Halbleiters, eines metallischen Ma­ terials oder dergleichen gebildet werden. In diesem Fall ist es auch wünschenswert, daß der erste Film 106 unter Verwendung eines Materials gebildet wird, das durch ein bestimmtes Ätzmittel schneller geätzt wird als der zweite Film 108, wenn ein Lochbereich in dem ersten Film 106 gebildet wird.
Fig. 2(c) zeigt einen Prozeß zum Bilden des ersten Öffnungsbereichs 110. Der erste Öffnungsbereich 110 wird gebildet durch Entfernen eines Bereichs des zweiten Films 108. Z. B. kann in dem Fall, daß der zweite Film 108 eine Fotoempfindlichkeit hat, der er­ ste Öffnungsbereich 110 gebildet werden durch Belich­ ten und Entwickeln des zweiten Films 108. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß der Durchmesser und/oder die Breite des ersten Öffnungsbereichs 110 zwischen 50 nm und 250 nm liegt. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der erste Öffnungsbereich 110 durch den folgenden Prozeß gebildet. Zuerst wird unter Verwendung eines Elektronenstrahl- Belichtungsgeräts ein Elektronenstrahl auf einen vor­ bestimmten Bereich des zweiten Films 108, welcher ein Elektronenstrahl-Abdeckmittel ist, gestrahlt. In die­ sem Fall ist es in dem später beschriebenen Prozeß, wenn der Bereich, in welchem ein Leiter auf dem Ba­ sismaterial 100 zu bilden ist, enger ist als der Be­ reich, auf welchem der Leiter nicht zu bilden ist, wünschenswert, daß das Elektronenstrahl-Abdeckmittel, das den zweiten Film 108 bildet, vom positiven Typ ist. Durch Bilden des zweiten Films 108 unter Verwen­ dung eines Elektronenstrahl-Abdeckmittels vom positi­ ven Typ kann die Zeitdauer für das Belichten mit dem Elektronenstrahl in einem beträchtlichen Maße ver­ kürzt werden.
Als Nächstes wird der erste Öffnungsbereich 110 auf dem zweiten Film 108 so gebildet, daß der zweite Film 108 ein vorbestimmtes Muster hat, indem der Bereich des Elektronenstrahl-Abdeckmittels entfernt wird, auf welchen ein Elektronenstrahl gestrahlt wurde. In die­ sem Fall kann der erste Öffnungsbereich 110 im We­ sentlichen vertikal zu der Ebene gebildet werden, in welcher der erste Film 106 das Basismaterial 100 be­ rührt. Alternativ kann der erste Öffnungsbereich 110 so gebildet werden, daß er sich in der Richtung von dem zweiten Film 108 zu dem Basismaterial 100 er­ streckt.
Fig. 2(d) zeigt eine Prozeß zum Bilden des Lochbe­ reichs 112. Es ist wünschenswert, daß der Lochbereich 112 gebildet wird durch Entfernen eines ersten Be­ reichs des ersten Films 106, welcher am Boden des er­ sten Öffnungsbereichs 110 liegt, und eines zweiten Bereichs des ersten Films 106, welcher eine angren­ zende Nachbarschaft des ersten Bereichs des ersten Films 106 bildet. Genauer gesagt, es ist wünschens­ wert, daß der Lochbereich 112 gebildet wird durch Entfernen eines Bereichs des ersten Films 106 in ei­ ner solchen Weise, daß der zweite Film 108 eine Haube bildet.
Es ist wünschenswert, daß der Lochbereich 112 durch ein Entfernungsverfahren gebildet wird, welches den ersten Film 106 selektiv entfernt. Genauer gesagt, der Lochbereich 112 kann gebildet werden unter Ver­ wendung eines Ätzmittels, das den zweiten Film 108 langsamer als den ersten Film 106 ätzt. Bei dem vor­ liegenden Ausführungsbeispiel wird der Lochbereich 112 gebildet unter Verwendung eines flüssigen Ent­ wicklers, indem ein erster Bereich des ersten Films 106, der am Boden des ersten Öffnungsbereichs 110 liegt, und ein zweiter Bereich des ersten Films 106, welcher eine angrenzende Nachbarschaft des ersten Be­ reichs des ersten Films 106 bildet, entfernt werden. Es ist bevorzugt, daß der flüssige Entwickler in der Lage ist, den ersten Film 106 selektiv zu entwickeln (zu entfernen). Z. B. kann ein schwach alkalischer flüssiger Entwickler verwendet werden.
In dem Prozeß der Bildung des Lochbereichs 112 kann die Größe des Lochbereichs 112 gesteuert werden, in­ dem die Dauer der Ätzzeit des ersten Films 106 ge­ steuert wird. Alternativ kann die Größe des Lochbe­ reichs 112 gesteuert werden, indem die Konzentration des Ätzmittels gesteuert wird.
Fig. 2(e) zeigt einen Prozeß zum bilden eines Leiters 114. Der Leiter 114 wird gebildet durch Aufbringen eines leitender Materials. Bei dem vorliegenden Aus­ führungsbeispiel wird der Leiter 114 gebildet durch Dampfabscheidung eines leitenden Materials. Genauer gesagt, ein Leiter 114a wird gebildet, wenn das lei­ tende Material durch den Öffnungsbereich 110 und den Lochbereich 112 hindurchgeht und das Basismaterial 100 erreicht, und das auf den zweiten Film 108 aufge­ brachte leitende Material bildet einen Leiter 114b. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß der Leiter 114a mit einer Dicke zwischen 100 nm und 500 nm ge­ bildet wird.
In dem Prozeß des Bildens des Leiters 114 dienen der zweite Film 108 und der erste Film 106 als Hauben. Daher ist es unwahrscheinlich, daß der Leiter 114 an der inneren Wand des Lochbereichs 112 haftet, welche aus der Seitenwand des ersten Films 106 besteht. Als eine Folge kann der Leiter 114a in einer solchen Wie­ se gebildet werden, daß der Leiter 114a nicht in Be­ rührung mit dem Leiter 114b kommt. Darüber hinaus kann, selbst für den Fall, daß die Filmdicke des Lei­ ters 114 groß ist, indem die Dicke des ersten Films 106 erhöht wird, der Leiter 114a in einer solchen Weise gebildet werden, daß er nicht in Berührung mit dem Leiter 114b gelangt.
Fig. 2(f) zeigt einen Prozeß zum Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108. Durch Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108 wird der Leiter 114b entfernt (abgehoben). Als eine Folge verbleibt nur der Leiter 114a auf dem Basismaterial 100. Es ist wünschenswert, daß der erste Film 106 und der zweite Film 108 durch Verwendung eines Ätzmittels entfernt werden, welches in der Lage ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zweiten Film 108 aufzu­ lösen. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wer­ den der ersten Film 106 und der zweite Film 108 durch Verwendung eines flüssigen Entwicklers entfernt, wel­ cher in der Lade ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zweiten Film 108 aufzulösen. Bei einem ande­ ren Ausführungsbeispiel kann der Leiter 114b entfernt werden, indem nur der zweite Film 108 entfernt wird. In diesem Fall kann ein isolierender Film oder ein Metallfilm weiterhin auf den ersten Film 106 aufge­ bracht werden. Alternativ kann der Leiter 114b als ein anderer Draht verwendet werden, ohne daß der er­ ste Film 106 und der zweite Film 108 entfernt werden.
Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel der vor­ liegenden Erfindung. Fig. 3(a) zeigt einen Zustand, in welchem ein Lochbereich 112 durch den Prozeß ge­ bildet wurde, welcher mit Bezug auf die Fig. 2(a) bis (d) erläutert wurde. Bei dem vorliegenden Ausfüh­ rungsbeispiel hat das Basismaterial 100 eine erste Schicht 102 und eine zweite Schicht 104.
Fig. 3(b) zeigt einen Prozeß zum Entfernen eines Be­ reichs der Oberflächenschicht des Basismaterials 100. Es ist wünschenswert, daß ein Bereich der Oberflä­ chenschicht des Basismaterials 100 entfernt wird un­ ter Verwendung des ersten Films 106 als einer Maske. In dem Fall, daß das Basismaterial 100 mehrere Schichten hat, kann die Schicht benachbart dem ersten Film 106 entfernt werden. Bei dem vorliegenden Aus­ führungsbeispiel wird ein Bereich der zweiten Schicht 104, welche Teil der Oberflächenschicht des Basisma­ terials 100 ist, durch Naßätzung entfernt. Genauer gesagt, ein erster Bereich der zweiten Schicht 104, welche am Boden des Lochbereichs 112 ist und Teil der Oberflächenschicht des Basismaterials 100 ist, und ein zweiter Bereich der zweiten Schicht 104, welche eine angrenzende Nachbarschaft für den ersten Bereich der zweiten Schicht 104 ist, werden durch Naßätzung entfernt.
In dem Prozeß der Bildung eines Lochteils 112 werden ein erster Bereich des ersten Films 106, welcher di­ rekt unter dem Öffnungsbereich 110 liegt (siehe Fig. 2(c)) und ein weiter Bereich des ersten Films 106, welcher eine angrenzende Nachbarschaft zu dem ersten Bereich des ersten Films 106 bildet, entfernt. Wie in Fig. 2(c) und Fig. 3(a) und (b) gezeigt ist, kann in dem Prozeß des Entfernens eines Bereichs der zweiten Schicht 104, welche die Oberflächenschicht des Basis­ materials 100 bildet, der Bereich des Entfernens der zweiten Schicht 104 gesteuert werden, indem der Be­ trag des Entfernens des zweiten Bereichs des ersten Films 106 in dem Prozeß der Bildung des Lochbereichs 112 gesteuert wird. Darüber hinaus kann in dem Prozeß des Entfernens eines Bereichs der zweiten Schicht 104 (der Oberflächenschicht) des Basismaterials 100 durch Steuern der Dauer der Ätzzeit des Bereichs der zwei­ ten Schicht 104 der Bereich des Entfernens der zwei­ ten Schicht 104 gesteuert werden.
Fig. 3(c) zeigt einen Prozeß zum Bilden eines Leiters 114. Ein Leiter 114 wird gebildet durch Aufbringen eines leitenden Materials. Bei dem vorliegenden Aus­ führungsbeispiel wird ein Leiter 114 durch Dampfab­ scheidung eines leitenden Materials gebildet. Genauer gesagt, wird ein Leiter 114a gebildet, wenn das lei­ tende Material durch den Öffnungsbereich 110 und den Lochbereich 120 hindurchgeht und die erste Schicht 102 des Basismaterials 100 erreicht, und das auf den zweiten Film 108 aufgebrachte leitende Material bil­ det einen Leiter 114b.
Fig. 3(d) zeigt einen Prozeß zum Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108. Durch Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108 wird der Leiter 114b entfernt (abgehoben). Als eine Folge verbleibt nur der Leiter 114a auf der ersten Schicht 102 des Basismaterials 100. Es ist wünschenswert, daß der erste Film 106 und der zweite Film 108 entfernt werden durch Verwendung eines Ätzmittels, das in der Lage ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zweiten Film 108 aufzulösen. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel werden der erste Film 106 und der zweite Film 108 entfernt durch Verwendung eines flüs­ sigen Entwicklers, der in der Lage ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zweiten Film 108 aufzu­ lösen.
Ein Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) mit einer ersten Schicht 102, welche als eine Träger­ lieferungsschicht dient, und einer zweiten Schicht 104, welche als eine Deckschicht der ersten Träger­ lieferungsschicht 102 dient, kann für das Basismate­ rial 100 verwendet werden. Eine auf dem HEMT gebilde­ te Gateelektrode kann durch den Leiter 114a gebildet werden. In diesem Fall ist es wünschenswert, daß eine Sourceelektrode und/oder eine Drainelektrode auf der oberen Schicht der ersten Schicht 102 oder der zwei­ ten Schicht 104 gebildet werden.
Fig. 4 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel des Ver­ fahrens zum Bilden eines Leiters nach der vorliegen­ den Erfindung. Fig. 4(a) zeigt einen Zustand, in wel­ chem ein erster Öffnungsbereich 110 durch die Prozes­ se gebildet wurde, welche mit Bezug auf die Fig. 2(a) bis (c) erläutert wurden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel hat das Basismaterial 100 eine erste Schicht 102 und eine zweite Schicht 104.
Fig. 4(b) zeigt einen Prozeß zum Bilden eines zweiten Öffnungsbereichs 116. Es ist wünschenswert, daß der zweite Öffnungsbereich 116 gebildet wird durch Ent­ fernen zumindest des Bereichs der ersten Schicht 106, der am Boden des ersten Öffnungsbereichs 110 liegt. Darüber hinaus ist es wünschenswert, daß der zweite Öffnungsbereich 116 durch ein anisotropes Ätzen ge­ bildet wird. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der zweite Öffnungsbereich 116 durch ein ani­ sotropes Ätzen gebildet, indem zumindest der Bereich der ersten Schicht 106 entfernt wird, der an dem Bo­ den des ersten Öffnungsbereichs 110 liegt. Es ist wünschenswert, daß die Breite des zweiten Öffnungsbe­ reichs 116 geringer ist als oder im Wesentlichen gleich ist der Breite des ersten Öffnungsbereichs 110. Alternativ kann der zweite Öffnungsbereich 116 durch ein anisotropes Ätzen in einer solchen Weise gebildet werden, daß seine Breite in der Richtung des Ätzvorgangs abnimmt.
Fig. 4(c) zeigt einen Prozeß zum Entfernen eines Be­ reichs der Oberflächenschicht des Basismaterials 100. Es ist wünschenswert, einen Bereich der Oberflächen­ schicht des Basismaterials 100 unter Verwendung des ersten Films 106 als einer Maske zu entfernen. In dem Fall, daß das Basismaterial 100 mehrere Schichten hat, kann die dem ersten Film 106 benachbarte Schicht entfernt werden. Bei dem vorliegenden Ausführungsbei­ spiel wird ein Bereich der zweiten Schicht 104, wel­ che die Oberflächenschicht des Basismaterials 100 bildet, durch Naßätzung entfernt. Genauer gesagt, der erste Bereich der zweiten Schicht 104 unterhalb des zweiten Öffnungsbereichs 116, welche Teil der Ober­ flächenschicht des Basismaterials 100 ist, und ein zweiter Bereich des ersten Films 106, welcher eine angrenzehde Nachbarschaft für den vorgenannten ersten Bereich des ersten Films 106 ist, werden durch Naßät­ zen entfernt. In diesem Fall ist es bevorzugt, ein Ätzmittel zu verwenden, welches die zweite Schicht 104 ausreichend schneller als die erste Schicht 102 ätzt.
In dem Prozeß des Bildens des zweiten Öffnungsbe­ reichs 116 wird dieser geschaffen durch Entfernen ei­ nes Bereichs des ersten Films 106 über ein anisotro­ pes Ätzen. Als eine Folge kann in dem Prozeß des Ent­ fernens eines Bereichs der Oberflächenschicht des Ba­ sismaterials 100 der Bereich der zweiten Schicht 104, welcher zu entfernen ist, eng gemacht werden. Darüber hinaus kann in Fig. 4(c) der Bereich der zweiten Schicht 104, der durch das anisotrope Ätzen beschä­ digt, ist, entfernt werden.
Fig. 4(d) zeigt einen Prozeß zum Bilden eines Lochbe­ reichs 112. Es ist wünschenswert, daß der Lochbereich 112 gebildet wird durch Entfernen eines Seitenwandbe­ reichs des ersten Films 106, welcher den zweiten Öff­ nungsbereich 116 umgibt. Genauer gesagt, es ist wün­ schenswert, den Lochbereich 112 zu bilden, indem ein Seitenwandbereich des ersten Films 106 in einer sol­ chen Weise entfernt wird, daß der zweite Film 108 als eine Haube über dem Lochbereich 112 dient.
Es ist wünschenswert, daß der Lochbereich 112 durch ein Ätzverfahren gebildet wird, durch welches der er­ ste Film 106 selektiv entfernt werden kann. Genauer gesagt, der Lochbereich 112 kann gebildet werden un­ ter Verwendung eines Ätzmittels, das den ersten Film 106 ausreichend schneller als den zweiten Film 108 ätzt. Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel wird der Lochbereich. 112 gebildet durch Verwendung eines flüssigen Entwicklers, indem zuerst einer erster Be­ reich des ersten Films 106, welcher unter dem ersten Öffnungsbereich 110 liegt (siehe Fig. 2(b)) entfernt wird, und dann weiterhin ein zweiter Bereich des er­ sten Films 106 benachbart dem vorerwähnten ersten Be­ reich des ersten Film 106 (siehe Fig. 2(d)) entfernt wird. In diesem Fall ist es bevorzugt, einen flüssi­ gen Entwickler zu verwenden, der in der Lage ist, den ersten Film 105 selektiv zu entwickeln (zu entfer­ nen). Z. B. kann ein schwach alkalischer flüssiger Entwickler verwendet werden.
Fig. 4(e) zeigt einen Prozeß zum Bilden eines Leiters 114. Der Leiter 114 wird gebildet durch Aufbringen eines leitenden Materials. Bei dem vorliegenden Aus­ führungsbeispiel wird der Leiter 114 durch Dampfab­ scheidung eines leitenden Materials aufgebracht. Ge­ nauer gesagt, ein Leiter 114a wird gebildet, wenn das leitende Material durch den Öffnungsbereich 110 und den Lochbereich 112 hindurchgeht und die erste Schicht 102 des Basismaterials 100 erreicht, und das auf den zweiten Film 108 aufgebrachte leitende Mate­ rial bildet einen Leiter 114b.
Fig. 4(f) zeigt einen Prozeß um Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108. Durch Entfernen des ersten Films 106 und des zweiten Films 108 wird der Leiter 114b entfernt (abgehoben). Als eine Folge verbleibt nur der Leiter 114a auf der ersten Schicht 102 des Basismaterials 100. Es ist bevorzugt, daß der erste Film 106 und der zweite Film 108 entfernt wer­ den durch Verwendung eines Ätzmittels, das in der La­ ge ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zwei­ ten Film 108 aufzulösen. Bei dem vorliegenden Ausfüh­ rungsbeispiel werden der erste Film 106 und der zwei­ te Film 108 entfernt durch Verwendung eines flüssigen Entwicklers, der in der Lage ist, sowohl den ersten Film 106 als auch den zweiten Film 108 aufzulösen.
Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann bei­ spielsweise ein HEMT mit einer ersten Schicht 102, welche als eine Trägerlieferungsschicht dient, und einer zweiten Schicht 104, welche als eine Deck­ schicht der ersten Trägerlieferungsschicht 102 dient, für das Basismaterial 100 verwendet werden. Eine auf dem HEMT gebildete Gateelektrode kann durch den Lei­ ter 114a gebildet werden. In diesem Fall ist es wün­ schenswert, daß eine Sourceelektrode und/oder eine Drainelektrode auf der oberen Schicht der ersten Schicht 102 oder der zweiten Schicht 104 gebildet werden. Darüber hinaus kann das Basismaterial 100 ein Teil eines Fotoleiters sein. In diesem Fall ist es bevorzugt, daß der Leiter 114a in der Form eines Kam­ mes auf dem Basismaterial 100 gebildet wird.
In dem Prozeß des Bildens eines zweiten Öffnungsbe­ reichs 116 wird dieser durch Entfernen eines Bereichs des ersten Films 106 mittels eines anisotropen Ätzens gebildet. Als eine Folge kann in dem Prozeß des Ent­ fernens eines Bereichs des Basismaterials 100 die Fläche des zu entfernenden Bereichs der zweiten Schicht 104, welches der zu entfernende Bereich der Oberflächenschicht des Basismaterials 100 ist, ge­ steuert werden. Indem die Fläche des zu entfernenden Bereichs der zweiten Schicht 104 gesteuert wird, kann der Abstand zwischen der Drain und der Source gesteu­ ert werden. Als eine Folge können Eigenschaften des HEMT wie die Gatespannung und der Drainstrom gesteu­ ert werden. Darüber hinaus kann in dem Fall, daß eine Vorrichtung mit einem Leiter wie ein HEMT auf einer Halbleiterscheibe installiert saird, der Grad der Ge­ nauigkeit der Bildung des Leiters innerhalb der Halb­ leiterscheibe bemerkenswert verbessert werden.
Wie vorstehend erläutert ist, kann gemäß der vorlie­ genden Erfindung ein feines Muster gebildet werden.

Claims (9)

1. Verfahren zum Bilden eines Leiters, welches die Schritte aufweist:
Bilden eines ersten Films auf einem Basismateri­ al;
Bilden eines zweiten Films auf dem ersten Film, wobei der zweite Film durch ein vorbestimmten Ätzmittel langsamer geätzt wird als der erste Film;
Bilden eines ersten Öffnungsbereichs in dem zweiten Film derart, daß der zweite Film ein vorbestimmtes Muster hat;
Bilden eines Lochbereichs in dem ersten Film durch Entfernen eines ersten Bereichs des ersten Films, welcher sich unter dem ersten Öffnungsbe­ reich befindet, und eines zweiten Bereichs des ersten Films, welcher benachbart dem ersten Be­ reich des ersten Films ist, unter Verwendung des vorbestimmten Ätzmittels; und
Bilden eines Leiters in dem Lochbereich auf ei­ nem Bereich des Basismaterials.
2. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt zum Bilden eines zweiten Films einen Schritt zum Aufbringen eines Elektronenstrahl-Abdeckmittels, welches mit einem aufgestrahlten Elektronen­ strahl reagiert, auf dem ersten Film aufweist, und worin der Schritt des Bildens eines ersten Öffnungsbereichs die Schritte:
Belichten des Elektronenstrahl-Abdeckmittels und
Entwickeln des Elektronenstrahl-Abdeckmittels
aufweist.
3. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens eines ersten Films den Schritt des Bil­ dens eines Films, welcher mit dem Elektronen­ strahl schwächer reagiert als das Elektronen­ strahl-Abdeckmittel, aufweist.
4. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch den Schritt des Entfer­ nens eines Bereichs einer Oberflächenschicht des Basismaterials.
5. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Entfernens eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials den Schritt des Entfernens eines ersten Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials, der sich unterhalb des Lochbe­ reichs befindet, und eines zweiten Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials, der sich benachbart dem ersten Bereich der Oberflächen­ schicht des Basismaterials befindet, aufweist.
6. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens eines Lochbereichs die Schritte auf­ weist:
Bilden eines zweiten Öffnungsbereichs in dem er­ sten Film durch Entfernen zumindest eines ersten Bereichs des ersten Films, welcher sich unter­ halb des ersten Öffnungsbereichs befindet;
Entfernen eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials; und
Bilden des Lochbereichs durch Entfernen eines zweiten Bereichs des ersten Films, welcher sich benachbart dem ersten Bereich des ersten Films befindet.
7. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Sehritt des Entfernens eines Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials den Schritt des Entfernens eines ersten Bereichs der Oberflächenschicht des Basismaterials, welcher sich unter dem zweiten Öffnungsbereich befindet, und eines zweiten Be­ reichs der Oberflächenschicht des Basismateri­ als, welcher sich benachbart dem ersten Bereich der Oberflächenschicht des Basismaterials befin­ det, enthält.
8. Verfahren zum Bilden eines Leiters nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Bildens eines zweiten Öffnungsbereichs den Schritt des Entfernens zumindest eines Bereichs des ersten Films, welcher sich unter dem ersten Öffnungsbereich befindet, unter Verwendung eines anisotropen Ätzens enthält.
9. Verfahren zum Bilden eines Musters, welches die Schritt aufweist:
Bilden eines Films auf einem Basismaterial;
Bilden eines Elektronenstrahl-Abdeckmittels, welches mit einem aufgestrahlten Elektronen­ strahl reagiert, auf dem Film;
Bilden eines Öffnungsbereichs in dem Elektronen­ strahl-Abdeckmittel durch Belichten und Entwic­ keln des Elektronenstrahl-Abdeckmittels in der Weise, daß das Elektronenstrahl-Abdeckmittel ein vorbestimmtes Muster hat; und
Bilden eines Lochbereichs in dem Film durch Ent­ fernen eines ersten Bereichs des Films, welcher sich unter dem Öffnungsbereich befindet, und ei­ nes zweiten Bereichs des Films, welcher benach­ bart dem ersten Bereich des Films ist.
DE10135047A 2000-07-11 2001-07-09 Verfahren zum Herstellen eines Leiters und Verfahren zur Bildung eines Musters Withdrawn DE10135047A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000210285A JP2002025935A (ja) 2000-07-11 2000-07-11 導体部材形成方法、パターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10135047A1 true DE10135047A1 (de) 2002-04-04

Family

ID=18706571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10135047A Withdrawn DE10135047A1 (de) 2000-07-11 2001-07-09 Verfahren zum Herstellen eines Leiters und Verfahren zur Bildung eines Musters

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20020009881A1 (de)
JP (1) JP2002025935A (de)
DE (1) DE10135047A1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0213695D0 (en) * 2002-06-14 2002-07-24 Filtronic Compound Semiconduct Fabrication method
FR2914781B1 (fr) * 2007-04-03 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de depots localises
JP5867467B2 (ja) * 2013-09-03 2016-02-24 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
DE102014111482A1 (de) * 2014-08-12 2016-02-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US20020009881A1 (en) 2002-01-24
JP2002025935A (ja) 2002-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3130122C2 (de)
DE2611158C2 (de) Verfahren zum Verformen eines einkristallinen Siliciumkörpers
EP0057738B1 (de) Verfahren zum Herstellen und Füllen von Löchern in einer auf einem Substrat aufliegenden Schicht
DE2460988C2 (de) Verfahren zum Niederschlagen eines Musters aus einem dünnen Film auf einem anorganischen Substrat
DE3851125T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit Schaltungsmaterial gefüllter Rille.
EP0012859B1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat
DE2754396A1 (de) Verfahren zum herstellen von duennfilmmustern
DE102016100766A1 (de) Strukturierung von durchkontaktierungen durch mehrfachfotolithografie und mehrfachätzung
DE3203898C2 (de)
DE2723944C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Anordnung aus einer strukturierten Schicht und einem Muster
DE68920291T2 (de) Verfahren zum Herstellen von leitenden Bahnen und Stützen.
EP0001429A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmmustern unter Anwendung der Abhebetechnologie
DE19929239A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern
EP0002669A1 (de) Verfahren zum Entfernen von Material von einem Substrat durch selektive Trockemätzung und Anwendung dieses Verfahrens bei der Herstellung von Leitungsmustern
DE3933965A1 (de) Mesfet und verfahren zu dessen herstellung
EP0057254A2 (de) Verfahren zur Erzeugung von extremen Feinstrukturen
DE19520768A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Dünnfilmwiderstand
DE69615642T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE19524846A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer feinen, ringförmigen Ladungsspeicherelektrode in einer Halbleitervorrichtung unter Benutzung einer Phasensprungmaske
DE4342817A1 (de) Verfahren zur Bildung eines Kontaktloches für eine Metall-Leitung in einem Halbleiter-Bauelement
DE10135047A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Leiters und Verfahren zur Bildung eines Musters
DE2111633A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Oberflaechen-Feldeffekt-Transistors
EP0013728A1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen
DE2331393C2 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Feldeffekttransistoren und ladungsgekoppelten Halbleitervorrichtungen
DE102009046259A1 (de) Stärkere Haftung eines PECVD-Kohlenstoffs auf dielektrischen Materialien durch Vorsehen einer Haftungsgrenzfläche

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8130 Withdrawal