DE10113030A1 - Plasma coating process, especially plasma-assisted chemical vapor deposition process, for coating a substrate with a metallic coating, comprises exposing substrate in reaction chamber to process gas flowing through chamber - Google Patents

Abstract

Plasma coating process, especially a plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD) process, comprises exposing a substrate in a reaction chamber to a process gas flowing through the chamber. A plasma is produced at least once during passage of the process gas through the chamber so that the substrate is coated especially with a metallic coating. Preferred Features: At least one coating is produced. At least one first and at least one second coating process is carried out for each layer. During the first coating process the process gas flows over the substrate in a first direction and during the second coating process in a second direction opposite to the first. Preferably, at least three coating processes are carried out, consisting of alternate first and second coating processes. Independent claims are also included for: (a) a device used for the above coating process; and (b) a substrate support used for holding a substrate in the device.

Description

Die Erfindung betrifft ein Plasmabeschichtungsverfahren, insbesondere ein PACVD-Verfahren. Plasmabeschichtungsverfahren, bei denen ein Substrat, insbesondere ein Kunststoffsubstrat mittels Plasmabeschichtung mit einer dünnen, geschlossenen, insbesondere metallhaltigen Schicht beschichtet werden, sind beispielsweise aus der EP 0 897 997 A1 bekannt. Darüber hinaus ist es auch aus der EP 0 881 197 A2 bekannt, eine Beschichtung mittels eines PACVD-Verfahrens (Plasma Activated Chemical Vaper Deposition) zu erzeugen.The invention relates to a plasma coating process, especially a PACVD procedure. Plasma coating process, in which a substrate, in particular a plastic substrate by means of plasma coating with a thin, closed, in particular metal-containing layer are coated known for example from EP 0 897 997 A1. Furthermore it is also known from EP 0 881 197 A2, a coating using a PACVD process (Plasma Activated Chemical Vaper Deposition).

Darüber hinaus ist in der nicht vorveröffentlichten DE 199 45 299, der Stammanmeldung zu dieser Zusatzanmeldung, beschrieben, ein PACVD-Verfahren zyklisch vorzunehmen und vor jeder Plasma­ erzeugung erneut die ursprüngliche Prozessgas-Atmosphäre herzu­ stellen, also die Gasatmosphäre, in der das Plasma erzeugt wird, zu regenerieren. Auch in der Doktorarbeit "Beschichtung von Kunststoffen mit titan- und tantalhaltigen Materialien durch plasmaaktivierte chemische Gasphasenabscheidung", Universität Erlangen-Nürnberg von Frank Brehme (Tag der Promotion 17.12.1999) ist, beispielsweise auf den Seiten 105 bis 107, beschrieben, wie mittels einer Prozessgasregeneration entweder durch periodisches Erzeugen des Plasmas bei konstantem Gasstrom oder auch durch Spülen der Prozessgasatmosphäre zwischen zwei Plasmaerzeugungen eine Verbesserung der Beschichtungsqualität der Beschichtungseffizienz bei der Beschichtung von dreidimen­ sionalen Substraten erreicht werden kann.In addition, the unpublished DE 199 45 299, the parent application to this additional application, describes to carry out a PACVD process cyclically and to produce the original process gas atmosphere again before each plasma generation, that is to say the gas atmosphere in which the plasma is generated to regenerate. Also in the doctoral thesis "Coating of plastics with titanium and tantalum-containing materials by plasma-activated chemical vapor deposition", University of Erlangen-Nuremberg by Frank Brehme (day of doctorate 17.12.1999 ) is described, for example on pages 105 to 107, as using a Process gas regeneration can be achieved either by periodically generating the plasma with a constant gas flow or also by purging the process gas atmosphere between two plasma generations to improve the coating quality of the coating efficiency when coating three-dimensional substrates.

Wird bei einer plasmaaktivierten chemischen Gasphasenabscheidung (PACVD) das Plasma periodisch erzeugt und unterbrochen, so ergibt sich nicht, wie es zu erwarten wäre, eine über die in Strömungsrichtung gesehene Längsrichtung des Substrates gleich­ mäßige Schichtdicke, sondern vielmehr eine in Strömungsrichtung linear abnehmende Schichtdicke. Eine derartige Entwicklung ist äußerst überraschend, da aufgrund der gepulsten Durchführung mit der zwischenzeitlichen Prozessgasregeneration eine gleichmäßige Schichtdickenbildung bei der Abscheidung zu erwarten wäre, da das Prozessgas in gleichmäßiger Konzentration während der Plas­ maerzeugung vorhanden ist. Auch wird die gleichmäßige Beladung der Prozessgasatmosphäre mit abzuscheidender Precursor-Substanz durch den möglichst laminaren Prozeßgasfluß im Reaktionsgefäß eher gefördert denn behindert. Daher ist eine Verarmung des Prozessgases mit Precursor-Substanz über die Länge des Ström­ ungsweges in der Reaktorkammer und daher die eintretende wegabhängige Variation der Schichtdicke nicht zu erwarten.Used in plasma-activated chemical vapor deposition (PACVD) the plasma is generated periodically and interrupted, see above does not result, as would be expected, from one in Direction of flow seen longitudinal direction of the substrate the same moderate layer thickness, but rather one in the direction of flow linearly decreasing layer thickness. Such a development is extremely surprising because of the pulsed implementation with an even process gas regeneration Layer thickness formation during the deposition would be expected because the process gas in a uniform concentration during the plas generation is available. Even loading is even the process gas atmosphere with the precursor substance to be separated due to the possibly laminar process gas flow in the reaction vessel encouraged rather than disabled. Therefore, impoverishment of the Process gas with precursor substance over the length of the flow ungsweg in the reactor chamber and therefore the entering path-dependent variation of the layer thickness is not to be expected.

Demgegenüber ist es Aufgabe der Erfindung, die Bildung möglichst gleichmäßiger Schichten mittels einer plasmaaktivierten chemi­ schen Gasabscheidung (PACVD), (Plasma Activated Chemical Vaper Deposition) zu erreichen.In contrast, it is an object of the invention, the education as possible uniform layers using a plasma-activated chemi gas separation (PACVD), (Plasma Activated Chemical Vaper Deposition).

Das Erreichen möglichst gleichmäßiger Schichtdicken, mit Schichtdickenabweichungen möglichst im Bereich von unterhalb von 5% und insbesondere mit Schichtdickenabweichungen die maximal zwischen weniger als 1% und bis zu 5% liegen, werden beispiels­ weise bei der Beschichtung von optischen Gläsern, ob diese nun aus einem Kunststoff-Material oder tatsächlich aus Glas herge­ stellt sind, mit die optischen und mechanischen Eigenschaften der Linse beeinflussenden Beschichtungen benötigt. So muß z. B. zur Erzeugung von sogenannten Anti-Reflex-Schichten bei Bril­ lengläsern (optische Linsen aus Glas oder Kunststoff) die Schichtdicke mit einer maximalen Abweichung von 5% über die Ausdehnung der Linse hinweg erzeugt werden. Dabei handelt es sich beispielsweise um Schichten die eine Schichtdicke in der Größe von einem Viertel der Wellenlänge des Lichts im optisch sichtbaren Bereich aufweist. Über diese Schichten wird erreicht, dass keine sichtbare Reflektion an der Linse der Brille ent­ steht. Es ist auch bekannt, sehr dünne Schichten zur Beein­ flussung der chromatischen Eigenschaften von Linsen, beispiels­ weise bei Teleobjektiven zur Korrektur der sogenannten chromatischen Aberration also des unterschiedlichen Brech­ verhaltens bei unterschiedlicher Wellenlänge, auf Linsen aufzu­ tragen. Bei allen derartigen Anwendungen einer plasmaktivierten Gasphasenabscheidung ist es jedoch für die Erzielung der gewünschten optischen Eigenschaften wichtig, dass die maximale Schichtdickenabweichung weniger als 5% beträgt. Auch die mecha­ nischen Eigenschaften, beispielsweise die Kratzfestigkeit von Kunststoffgläsern, kann durch aufgetragene Beschichtungen verbessert werden.Achieving layer thicknesses that are as uniform as possible with Layer thickness deviations in the range from below if possible  5% and in particular with deviations in layer thickness the maximum are between less than 1% and up to 5%, for example wise when coating optical glasses, whether they are made of a plastic material or actually made of glass are with the optical and mechanical properties coatings affecting the lens. So z. B. for the production of so-called anti-reflective layers in glasses lengläsern (optical lenses made of glass or plastic) die Layer thickness with a maximum deviation of 5% over the Expansion of the lens are generated. This is what it is about for example, layers that have a layer thickness in the Size of a quarter of the wavelength of light in the optical visible area. Through these layers it is achieved that there is no visible reflection on the lens of the glasses stands. It is also known to coat very thin layers Flow of the chromatic properties of lenses, for example as with telephoto lenses to correct the so-called chromatic aberration of different refraction behave at different wavelengths, on lenses wear. In all such applications a plasma activated However, vapor deposition is essential for achieving that desired optical properties important that the maximum Layer thickness deviation is less than 5%. The mecha too African properties, such as the scratch resistance of Plastic glasses, can by applied coatings be improved.

Die Aufgabe der Erfindung wird bei Zugrundelegen der gattungs­ gemäßen Merkmale erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Weitere unabhängige Ansprüche betreffen die Ausgestaltung einer Vor­ richtung zur Durchführung des Verfahrens gemäß der Erfindung sowie eines Substratträgers, der geeignet ist, mit dem erfin­ dungsgemäßen Verfahren zu beschichtende Substrate, wie Linsen, die für den optischen Spektralbereich bestimmt sind, während der Durchführung des Verfahrens aufzunehmen.The object of the invention is based on the genus features according to the invention by a method with the characterizing features of claim 1 solved. Further independent claims relate to the design of a pre direction for performing the method according to the invention and a substrate carrier that is suitable with the inventions Processes according to the invention to be coated, such as lenses,  which are intended for the optical spectral range, during the Implementation of the procedure.

Bei einem erfindungsgemäßen Plasmabeschichtungsverfahren, insbesondere einem PACVD-Verfahren, wird das Substrat in eine Reaktionskammer eingebracht und in der Reaktionskammer eine Prozessgas-Atmosphäre erzeugt. Hierzu durchströmt das Prozessgas die Reaktionskammer. Zur Beschichtung des Substrates mit dem Schichtbildner, der in Form einer den Schichtbildner beinhal­ tenden Precursor-Substanz Teil der Prozessgas-Atmosphäre ist, wird wenigstens einmal ein Beschichtungsvorgang durchgeführt, wobei während des Beschichtungsdurchganges wenigstens einmal ein Plasma erzeugt und damit eine Beschichtung des Substrates mit dem Schichtbildner erzeugt wird. Gemäß der Erfindung wird wenigstens eine Schicht auf dem Substraterzeugten und zur Erzeugung einer Schicht auf dem Substrat jeweils wenigstens ein erster und wenigstens ein zweiter Beschichtungsvorgang durchgeführt. Dabei wird das Substrat in der Reaktionskammer vom Prozessgas während erster Beschichtungsvorgänge in einer ersten Überströmungsrichtung überströmt. Während der zweiten Beschich­ tungsvorgänge wird das Substrat in der Reaktionskammer vom Prozessgas in einer zweiten Überströmungsrichtung überströmt, die der ersten Überströmungsrichtung entgegengesetzt ist.In a plasma coating process according to the invention, especially a PACVD process, the substrate is in a Reaction chamber introduced and in the reaction chamber Process gas atmosphere created. For this purpose, the process gas flows through the reaction chamber. To coat the substrate with the Layering agent, which includes the layering agent in the form of a tendency precursor substance is part of the process gas atmosphere, a coating process is carried out at least once, wherein at least once during the coating run Generates plasma and thus a coating of the substrate the layer former is generated. According to the invention generated at least one layer on the substrate and to Generation of a layer on the substrate at least one first and at least a second coating process carried out. The substrate in the reaction chamber is from Process gas during the first coating processes in a first Overflow direction overflows. During the second coating tion processes, the substrate in the reaction chamber from Process gas overflows in a second overflow direction the first overflow direction is opposite.

Mittel der Durchführung eines Beschichtungsvorgangs mit einer Überströmung des Substrates in der Reaktionskammer in einer Richtung und der Durchführung eines zweiten Beschichtungs­ vorganges mit einer Überströmung des Substrates in der Reaktionskammer in der entgegengesetzten Durchströmungsrichtung wird gemäß der Erfindung eine Kompensation der linearen Schichtdickenabnahme dahingehend erreicht, dass über die gesamte zu beschichtende Fläche hinweg eine Abweichung der Schichtdicke von dem vorgegebenen Sollwert von weniger als 5% erreichbar ist. Insbesondere sind Schichtdickenabweichungen über die Fläche hinweg von weniger als 2% bis 3%, bis hinunter zu einer Schichtdickenabweichung von weniger als 1% erreichbar. Die Umkehrung der Überströmungsrichtung des Substrates kann beispielsweise durch ein Verdrehen des Substrates um 180° bezüglich einer rechtwinklig zur Strömungsrichtung verlaufenden Schwenkachse erfolgen. Gemäß bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung erfolgt das Umkehren der Überströmungsrichtung durch ein Umkehren der Durchströmungsrichtung der Reaktionskammer durch das Prozessgas.Means of carrying out a coating process with a Overflow of the substrate in the reaction chamber in one Direction and implementation of a second coating process with an overflow of the substrate in the Reaction chamber in the opposite flow direction is a compensation of the linear according to the invention Layer thickness reduction achieved that over the entire surface to be coated a deviation of the layer thickness less than 5% of the specified setpoint. In particular, there are deviations in layer thickness over the surface away from less than 2% to 3%, down to one  Layer thickness deviation of less than 1% achievable. The Reversal of the overflow direction of the substrate can for example by rotating the substrate through 180 ° with respect to a perpendicular to the flow direction Swivel axis. According to a preferred embodiment of the Invention reverses the direction of overflow by reversing the flow direction of the reaction chamber through the process gas.

Gemäß bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung besteht während eines Beschichtungsvorganges ein stationärer Strömungszustand des Prozessgases in der Reaktionskammer. Gemäß bevorzugter Ausgestaltung der Erfindung handelt es sich bei dem stationären Strömungszustand um einen Zustand laminarer Strömung konstanter Strömungsgeschwindigkeit. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn während der Durchführung erster Beschichtungsvorgänge und der Durchführung zweiter Beschichtungsvorgänge ein gleicher stationärer Strömungszustand besteht, also insbesondere die Strömungsgeschwindigkeit in der ersten Überströmungsrichtung der Strömungsgeschwindigkeit in der zweiten Überströmungsrichtung des Substrates entspricht. Dabei werden Strömungsgeschwin­ digkeiten die im Bereich zwischen 0,1 cm/s und 10 cm/s liegen bevorzugt. Die Strömungsgeschwindigkeit des Prozessgases mit dem darin enthaltenen Schichtbildner ist dabei im wesentlichen dadurch limitiert, dass es gewährleistet sein muß, dass in den Bereichen, in denen mit Substrat beschichtet wird, eine möglichst laminare Strömung erreicht wird. Das Entstehen von Turbulenzen in der laminaren Strömung könnte zu größeren Schichtdickenabweichungen führen.According to a preferred embodiment of the invention, during a steady flow state during a coating process of the process gas in the reaction chamber. According to preferred Embodiment of the invention is the stationary Flow state constant by a state of laminar flow Flow rate. It is particularly advantageous if during the implementation of the first coating operations and the implementation of two coating operations the same there is a steady state of flow, in particular that Flow velocity in the first overflow direction of the Flow velocity in the second direction of overflow corresponds to the substrate. Thereby flow velocities frequencies between 0.1 cm / s and 10 cm / s prefers. The flow rate of the process gas with the The layer former contained therein is essentially limited by the fact that it must be guaranteed that in the Areas in which the substrate is coated, a flow that is as laminar as possible is achieved. The emergence of Turbulence in the laminar flow could lead to larger ones Deviations in layer thickness lead.

Um eine möglichst gleichmäßige Schichtdicke mit dem erfin­ dungsgemäßen Verfahren zu erreichen, ist es vorteilhaft, wenn die Beschichtungsdauer der durchgeführten ersten und zweiten Beschichtungsvorgänge einander entsprechen. Um die Entsprechung der Beschichtungsdauern der ersten und zweiten Beschichtungsvorgänge sicherzustellen, kann zum einen die Beschichtungsdauer eines Beschichtungsvorganges dadurch bestimmt werden, dass die Zeit gemessen wird, während der ein Plasma erzeugt wird - wobei dann auch unterschiedliche Plasma-Erzeugungsdauern innerhalb eines Beschichtungsvorganges vorgenommen werden können - also die Beschichtungsdauern der Beschichtungsvorgänge voneinander unabhängig sind. Alternativ oder ergänzend hierzu ist es auch möglich, dass die Dauer der Plasmaerzeugung und dazwischen­ geschalteter Phasen der Prozessgasregeneration konstant ist und zyklisch aufeinander abfolgt. In diesem Fall genügt es zur Bestimmung der Beschichtungsdauer die Anzahl der durchgeführten Zyklen mitzuzählen. Ein Beschichtungsvorgang besteht also aus einer Anzahl Zyklen, ein Zyklus aus einer Plasmaregeneration und einer Plasmaerzeugung.In order to achieve a layer thickness that is as uniform as possible with the invent To achieve the method according to the invention, it is advantageous if the coating time of the first and second performed Coating operations correspond to each other. To the equivalent the coating times of the first and second coating processes  to ensure, on the one hand, the coating duration of a coating process can be determined in that the Time is measured during which a plasma is generated - whereby then also different plasma generation times within a coating process can be carried out - that is the coating times of the coating processes from one another are independent. Alternatively or in addition, it is also possible that the duration of plasma generation and in between switched phases of the process gas regeneration is constant and follows each other cyclically. In this case, it is sufficient Determination of the coating time the number of carried out Count cycles. A coating process therefore consists of a number of cycles, a cycle from a plasma regeneration and a plasma generation.

Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung erfolgt das Beschichtungsverfahren so, dass wenigstens drei Beschich­ tungsvorgänge durchgeführt werden, wobei abwechselnd erste und zweite Beschichtungsvorgänge aufeinanderfolgen. Dies kann insbesondere dadurch realisiert werden, dass drei Beschichtungs­ vorgänge, nämlich ein erster, dann ein zweiter und anschließend wiederum ein erster Beschichtungsvorgang durchgeführt werden. Dabei wird die Beschichtungsdauer der beiden ersten Beschich­ tungsvorgänge halb so groß gewählt wie die des zweiten Beschichtungsvorganges. Somit ergibt sich für die Gesamtdauer, also der Summe aus den zwei ersten Beschichtungsvorgängen eine gleiche Beschichtungsdauer wie für den zweiten Beschichtungs­ vorgang. Unter entsprechender Anpassung des Verhältnis zwischen dem Beschichtungsdauern können so auch anstelle der drei Beschichtungsvorgänge vier, fünf oder noch mehr Beschichtungs­ vorgänge durchgeführt werden, wobei immer alternierend ein erster und ein zweiter Beschichtungsvorgang, also eine Durch­ strömung der Reaktionskammer in der ersten Durchströmungs­ richtung und in der zweiten, der ersten entgegengesetzten Durchströmungsrichtung erfolgt. According to an advantageous embodiment of the invention the coating process so that at least three coating tion operations are carried out, alternating first and second coating processes follow one another. This can in particular can be realized in that three coating operations, namely a first, then a second and then again a first coating process can be carried out. The coating time of the first two coats selected half the size of the second Coating process. So for the total duration, that is, the sum of the first two coating processes same coating time as for the second coating process. With appropriate adjustment of the relationship between the coating duration can also be used instead of the three Coating operations four, five or even more coats operations are carried out, always alternating first and a second coating process, i.e. a through flow of the reaction chamber in the first flow direction and in the second, the first opposite Flow direction takes place.  

Gemäß vorteilhafter Ausgestaltungen erfolgt zwischen den ersten und zweiten Beschichtungsvorgängen das Abwarten eines Warte­ intervalls. Die Einführung des Warteintervalls dient zum einen der besseren Regeneration der Prozessgasatmosphäre und zum anderen dem Herstellen von, von der Umkehrung der Überströmungs­ richtung des Substrats, nicht mehr beeinflusster Strömungs­ verhältnisse. Dies kann insbesondere dann der Fall sein, wenn ein stationärer, vorzugsweise laminarer Strömungszustand in der ganzen Reaktionskammer wieder hergestellt werden muß. Das Abwarten eines Warteintervalls zwischen den ersten und zweiten Beschichtungsvorgängen hat darüber hinaus auch noch den Vorteil, dass sich in der Reaktionskammer wieder ein Zustand einstellt, wie er zu Beginn des ersten durchgeführten Beschichtungs­ vorganges nahezu bestanden hat. Die Temperatur in der Prozess­ kammer kann wieder auf die Ausgangstemperatur zurückgeführt werden, auch die Temperatur des Substrates kann sich wieder auf den Ausgangswert abkühlen. Das Einführen des Warteintervalls erhöht insgesamt gesehen also die Gleichmäßigkeit der Bedingungen, unter denen die Beschichtungsvorgänge nacheinander durchgeführt werden. Über diese Gleichmäßigkeit der Reaktions­ bedingungen wird auch eine weitere Verbesserung der Gleichmäßig­ keit der Schichtdicke und somit eine Reduktion der Schicht­ dickenabweichung erzielt. Die Dauer des Warteintervalls bestimmt sich unter anderem in Abhängigkeit der Länge der durchgeführten Plasmaerzeugung und der Anzahl der Zyklen der Plasmaerzeugungen während des vorhergehenden Beschichtungsvorgangs. In der Regel wird die Dauer des Warteintervalls bis zu 60 Sekunden betragen und liegt insbesondere ca. bei 30 Sekunden, die Untergrenze liegt bei wenigen Sekunden, ist aber durch die Zeit, die das Gas benötigt, um die Reaktionskammer zu durchströmen nach unten begrenzt.According to advantageous embodiments, there is between the first and second coating processes, waiting for a wait interval. The introduction of the waiting interval serves on the one hand the better regeneration of the process gas atmosphere and others creating, reversing the overflow direction of the substrate, flow no longer influenced relationships. This can be the case in particular if a stationary, preferably laminar flow state in the whole reaction chamber must be restored. The Wait for a waiting interval between the first and second Coating processes also have the advantage that a state occurs again in the reaction chamber, like he did at the beginning of the first coating process almost passed. The temperature in the process chamber can be returned to the initial temperature the temperature of the substrate can also rise again cool the initial value. The introduction of the waiting interval Seen overall, the uniformity of the Conditions under which the coating operations are carried out one after the other be performed. About this uniformity of the reaction Conditions will also further improve uniformity speed of the layer thickness and thus a reduction in the layer thickness deviation achieved. The duration of the waiting interval determines among other things depending on the length of the performed Plasma generation and the number of cycles of plasma generation during the previous coating process. Usually the waiting period will be up to 60 seconds and is in particular about 30 seconds, the lower limit is a few seconds, but is by the time the gas needed to flow down through the reaction chamber limited.

Wie schon dargelegt, kann ein Beschichtungsvorgang aus einer Anzahl von mehreren aufeinanderfolgenden Zyklen bestehen, wobei in jedem Zyklus zunächst eine geeignete Prozessgasatmosphäre erzeugt wird und anschließend für eine bestimmte Plasmabrenn­ dauer ein Plasma erzeugt wird. Dabei liegt die Dauer der Plasmaerzeugung, also die Brenndauer, in Abhängigkeit des Verbrauches der Precursor-Substanz, die in dem Prozessgas enthalten ist, beispielsweise in einem Bereich zwischen einer und zehn Sekunden und liegt vorzugsweise ungefähr bei zwei bis fünf Sekunden. Die Erzeugung der Prozessgasatmosphäre dauert dann in jedem Zyklus ca. fünf bis sechs Sekunden, beträgt maximal bis zu zwanzig Sekunden und als Schätzwert immer unge­ fähr das Doppelte der Brenndauer des Plasmas. Das Erzeugen einer geeigneten Prozessgasatmosphäre kann insbesondere durch eine kontinuierliche Zufuhr von Prozessgas vorzugsweise in statio­ närer, laminarer Durchströmung der Reaktionskammer erfolgen. Dabei erfolgt die Durchströmung der Reaktionskammer nicht nur während der Phase der Prozessgas-Regeneration in einem Zyklus, sondern auch während des Erzeugens eines Plasmas. Dies ist allein schon deshalb von Vorteil, weil dann Strömungsdifferenzen in der Reaktionskammer zu Beginn und am Ende der Prozessgas­ einleitung nicht auftreten. Der Zeitbedarf für einen vollstän­ digen Gasaustausch in der Reaktionskammer bemisst sich nach dem Volumen und der Strömungsgeschwindigkeit in der Reaktionskammer, liegt aber in der Regel zwischen drei und zwanzig Sekunden, so dass in einem Zyklus die Prozessgasregeneration innerhalb dieses Zeitintervalls gewählt wird. Es ist aufgrund der stets gleich­ förmigen Durchführung der einzelnen Zyklen möglich, die Dauer eines Beschichtungsvorganges über die Anzahl der durchgeführten Zyklen zu bestimmen. Die Anzahl der durchgeführten Zyklen für die Durchführung eines Beschichtungsvorganges liegt dabei vor­ zugsweise zwischen 20 und 100, dies führt zu Dauern eines Be­ schichtungsvorganges in der Größenordnung von ca. 5 Minuten.As already explained, a coating process from a Number of several consecutive cycles, where  a suitable process gas atmosphere in each cycle is generated and then for a certain plasma flame plasma is continuously generated. The duration of the Plasma generation, i.e. the burning time, depending on the Consumption of the precursor substance in the process gas is included, for example in a range between one and ten seconds, and is preferably about two to five seconds. The process gas atmosphere takes time to generate then about five to six seconds in each cycle up to a maximum of 20 seconds and always as an estimate drive twice the burning time of the plasma. The creation of a a suitable process gas atmosphere can in particular by a continuous supply of process gas preferably in statio nary, laminar flow through the reaction chamber. The flow through the reaction chamber not only takes place during the process gas regeneration phase in one cycle, but also during the creation of a plasma. This is advantageous simply because flow differences in the reaction chamber at the beginning and at the end of the process gas introduction does not occur. The time required for a complete The gas exchange in the reaction chamber is based on the Volume and flow rate in the reaction chamber, but is usually between three and twenty seconds, so that in one cycle the process gas regeneration within this Time interval is selected. It is always the same due to the form of the individual cycles possible, the duration a coating process on the number of carried out To determine cycles. The number of cycles performed for a coating process is carried out preferably between 20 and 100, this leads to the duration of a loading layering process in the order of about 5 minutes.

Es ist möglich, dass nach Durchführung einer bestimmten Anzahl von Zyklen eine Evakuierung der Reaktionskammer mit anschlies­ sender neuer Befüllung mit einer Prozessgasatmosphäre erfolgt. It is possible that after performing a certain number of cycles an evacuation of the reaction chamber transmitter is filled with a process gas atmosphere.  

Das Evakuieren und neue Befüllen mit Prozessgas sorgt für eine noch sicherere Erneuerung der Prozessgasatmosphäre und Herstellung des Grundzustandes. Dabei kann zwischen dem Evakuieren und dem Wiederbefüllen mit Prozessgas noch ein Spülen der Reaktionskammer mit einem inerten Gas erfolgen. Obgleich es möglich ist, auch nach einer Anzahl von Zyklen eines Beschichtungsvorgangs eine solche Spülung und Evakuierung vorzunehmen, ist es vorteilhaft, diese Maßnahme nur dann vorzunehmen, wenn ein Wechsel zwischen einem ersten und einem zweiten Beschichtungsvorgang erfolgt.The evacuation and new filling with process gas ensures a even safer renewal of the process gas atmosphere and Establishment of the basic state. You can choose between the Evacuate and rinse with process gas the reaction chamber with an inert gas. Although it is is possible, even after a number of cycles Such a flushing and evacuation process it is advantageous to take this measure only then to make when switching between a first and a second coating process takes place.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist darin zu sehen, dass mehrere Schichten auf ein Substrat aufgetragen werden können, ohne dass es hierzu erforderlich wäre, das Substrat aus der Reaktionskammer zu entfernen oder diese zu belüften. Dies erfolgt insbesondere dadurch, dass das Prozessgas zum Erzeugen der unterschiedlichen Schichten verändert wird. Hierzu wird insbesondere die Beladung des Prozessgases mit Precursor- Substanz verändert. Es ist so zum Beispiel möglich, unterschied­ liche Schichtfolgen, wie A-B-C, A-B oder A-B-A-B zu erzeugen, wobei jeder der Buchstaben, A, B, C hierbei einen Schichttyp, also die Erzeugung einer Schicht mit einem bestimmten Schichtbildner, repräsentiert.Another advantage of the invention is that multiple layers can be applied to a substrate, without it being necessary to remove the substrate from the Remove the reaction chamber or ventilate it. This takes place in particular in that the process gas for generation of the different layers is changed. To do this in particular the loading of the process gas with precursor Substance changed. For example, it is possible to differentiate to generate layer sequences such as A-B-C, A-B or A-B-A-B where each of the letters, A, B, C here is a layer type, thus the creation of a layer with a certain one Shifting agent represented.

Bei einer erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrates mit einer vorzugsweise metallhaltigen Schicht, die besonders zu einer Durchführung nach einem Verfahren gemäß der Erfindung geeignet ist, wird das Substrat in einer Reaktions­ kammer angeordnet. Zur Umkehr der Überströmrichtung des Subs­ trates kann beispielsweise eine Substrat-Schwenkvorrichtung vorgesehen sein, die es erlaubt, das Substrat um 180° gegenüber der Strömungsrichtung zu verschwenken, ohne die Reaktionskammer zu belüften. In a device according to the invention for coating a Substrate with a preferably metal-containing layer, the especially for implementation according to a method according to the Invention is suitable, the substrate in one reaction chamber arranged. To reverse the overflow direction of the subs Trates can, for example, a substrate swivel device be provided, which allows the substrate to be opposed by 180 ° to pivot the flow direction without the reaction chamber to ventilate.  

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung weist die Reaktions­ kammer eine Gaszufuhrleitung und, in aller Regel auf der der Gaszufuhrleitung gegenüberliegenden Seite der Reaktionskammer eine Gasabfuhrleitung auf. Mittels einem Plasmaerreger, beispielsweise durch einen Sender im Radiofrequenzbereich von 13,56 MHz oder aber auch 27,12 MHz, einem Mikrowellensender (eingekoppelte Frequenz im Bereich von 2,1 GHz) oder aber ein Gleichstrom-Plasmaerzeuger, kann in der Reaktionskammer ein Plasma erzeugt werden. Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung sind Gaszufuhrleitung und Gasabfuhrleitung so ausgebildet, dass die Strömungsrichtung des Prozessgases in der Reaktionskammer umkehrbar ist. Die Umkehrung der Strömungsrichtung in der Reaktionskammer kann insbesondere dadurch erreicht werden, dass die Gaszufuhr über die eigentliche Gasabfuhrleitung und die Gasabfuhr über die eigentliche Gaszufuhrleitung erfolgt. Gemäß einer weiterführenden vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung ist hierzu vorgesehen, dass die Gaszufuhrleitungen und die Gasabfuhrleitungen beiderseits der Reaktionskammer einen gemeinsamen Leitungsabschnitt aufweisen. Jeweils ein gemeinsamer Leitungsabschnitt führt von einem Stellventil zu einem Anschluß für die Gasleitungen an der Reaktionskammer. Über das Stellventil, das elektrisch schaltbar ist, und auch als Ventilanordnung aus mehreren Ventilen ausgebildet sein kann, erfolgt die Verbindung je eines der gemeinsamen Leitungs­ abschnitte mit der Gaszufuhrleitung und des anderen gemeinsamen Leitungsabschnittes mit der Gasabfuhrleitung. Dabei kann in besonders einfacher Weise die Betriebssicherheit der Vorrichtung dadurch verbessert werden, dass das wenigstens eine Stellventil derart ausgebildet bzw. angesteuert ist, dass stets eine Gaszufuhrleitung und eine Gasabfuhrleitung mit der Reaktions­ kammer, jeweils über einen gemeinsamen Leitungsabschnitt, verbunden ist.According to one embodiment of the invention, the reaction chamber a gas supply line and, usually on the Gas supply line opposite side of the reaction chamber a gas discharge line. Using a plasma exciter for example by a transmitter in the radio frequency range of 13.56 MHz or 27.12 MHz, a microwave transmitter (coupled frequency in the range of 2.1 GHz) or one DC plasma generator, can be in the reaction chamber Plasma are generated. According to a development of the invention gas supply line and gas discharge line are designed such that the flow direction of the process gas in the reaction chamber is reversible. The reversal of the flow direction in the Reaction chamber can in particular be achieved in that the gas supply via the actual gas discharge line and the Gas is removed via the actual gas supply line. According to a further advantageous embodiment of the invention it is provided that the gas supply lines and the Gas discharge lines on both sides of the reaction chamber have common line section. One in each case Line section leads from a control valve to a connection for the gas lines at the reaction chamber. About the Control valve that is electrically switchable, and also as Valve arrangement can be formed from a plurality of valves, one of the common lines is connected sections with the gas supply line and the other common Line section with the gas discharge line. Here, in the operational safety of the device in a particularly simple manner can be improved in that the at least one control valve is designed or controlled such that always one Gas supply line and a gas discharge line with the reaction chamber, each via a common line section, connected is.

Gemäß vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung ist der Mün­ dungsbereich von Gasleitungen in die Reaktionskammer jeweils als Diffusor-Bereich ausgebildet. Zwischen den beiden Diffusor- Bereichen erstreckt sich ein Arbeitsbereich, wobei mittels der Gestaltung der Diffusor-Bereiche in dem Arbeitsbereich eine möglichst gleichförmige, insbesondere laminare Strömung gleich­ mäßiger und gleichförmiger Strömungsgeschwindigkeit erzeugbar ist. Hierzu können insbesondere am Übergang vom Diffusor-Bereich zum Arbeitsbereich Strömungsleitmittel angeordnet sein. Hierbei ist zu beachten, dass im gesamten Arbeitsbereich der Gradient der Strömungsgeschwindigkeit quer zur Strömungsrichtung mög­ lichst gering sein sollte.According to an advantageous embodiment of the invention, the Mün range of gas lines in the reaction chamber each as  Diffuser area formed. Between the two diffuser A work area extends by means of the Design of the diffuser areas in the work area as uniform as possible, in particular laminar flow moderate and uniform flow rate can be generated is. This can be done in particular at the transition from the diffuser area flow guide means to be arranged. in this connection it should be noted that the gradient in the entire work area the flow velocity possible across the flow direction should be as low as possible.

Damit voneinander verschiedene Schichten innerhalb der gleichen Reaktionskammer erzeugt werden können, kann die Reaktionskammer alternativ mit unterschiedlichen Prozessgasquellen verbunden werden. Die Beladung des Trägergases mit Precursor-Substanz, zur Bildung des Prozessgases, erfolgt beispielsweise über Bubbler, so dass eine derartige Prozessgasquelle aus einer Trägergas­ zufuhr und einem Bubbler besteht.So different layers within the same Reaction chamber can be generated, the reaction chamber alternatively connected to different process gas sources become. The loading of the carrier gas with precursor substance for Formation of the process gas, for example via bubblers, so that such a process gas source from a carrier gas feed and a bubbler.

Zur Halterung der Substrate in der Reaktionskammer können Substratträger vorgesehen sein, die so ausgebildet sind, dass das Substrat zumindest auf zwei normal zur Strömungsrichtung ausgerichteten Flächen beschichtbar ist, d. h. im Strömungs­ bereich des Prozeßgases durch die Reaktionskammer liegen. Dies ist insbesondere bei Linsen dann der Fall, wenn die Linse in ihrem Rand gehalten wird und die gewölbten, also lichtbrechenden Flächen der Linse der Strömung ausgesetzt sind. Die Beschich­ tung wird mit in der Prozessgas-Atmosphäre der Reaktionskammer in Form eines Precursor bevorrateten Schichtbildner, dann auf den optisch wirksamen Flächen der Linse erzeugt. Dadurch, dass die Linse mit zwei Flächen, nämlich ihrer Lichteinfallseite und ihrer Lichtausfallseite der Prozessgas-Strömung ausgesetzt ist, erfolgt die beidseitige Beschichtung in einem gleichzeitig ablaufenden Beschichtungsvorgang. Es ist nicht notwendig, zuerst die eine Seite der Linse zu beschichten und anschließend die andere Seite der Linse. Dadurch werden die Beschichtungs­ prozesse der Linsen, die herkömmlich zunächst auf der einen und dann auf der anderen Seite vorgenommen wurden, beispielsweise durch Sputtern, erheblich verkürzt.Can be used to hold the substrates in the reaction chamber Substrate carriers can be provided which are designed such that the substrate at least two normal to the direction of flow aligned surfaces is coatable, d. H. in the flow area of the process gas through the reaction chamber. This is particularly the case with lenses when the lens is in its edge is held and the arched, i.e. refractive Surfaces of the lens are exposed to the flow. The Beschich tion is in the process gas atmosphere of the reaction chamber in the form of a precursor-stored layer former, then on the optically effective surfaces of the lens. As a result of that the lens with two surfaces, namely its light incidence side and is exposed to the process gas flow on its light failure side, the coating on both sides takes place simultaneously ongoing coating process. It is not necessary first to coat one side of the lens and then the  other side of the lens. This will make the coating processes of the lenses, which are traditionally first on one and then made on the other side, for example by sputtering, significantly shortened.

Es ist vorteilhaft, wenn in der Reaktionskammer wenigstens eine Reihe von wenigstens zwei hintereinander angeordneten, zuein­ ander beabstandeten Substraten so angeordnet ist, dass sich zwischen den Substraten eine laminare Prozessgasströmung ausbilden kann. Durch diese Anordnung der Substrate in Reihen quer zur Strömungsrichtung wird es ermöglicht, die Anzahl der in einem Beschichtungsvorgang beschichtbaren Substrate zu erhöhen. Dem gleichen Zweck dient es, wenn quer zur Strömungsrichtung wenigstens zwei nebeneinander angeordnete Reihen vorgesehen sind, wobei jede Reihe aus wenigstens einem Substrat gebildet wird. Darüber hinaus ist es alternativ oder zusätzlich möglich, mehrere Ebenen mit Substraten in Strömungsrichtung gesehen hintereinander anzuordnen, wobei in jeder der Ebenen wenigstens eine Reihe aus wenigstens einem Substrat vorgesehen ist. Insge­ samt gesehen kann Substrat in der Reaktionskammer also in einer Art dreidimensionalen räumlichen Gitterstruktur angeordnet werden. Durch diese Möglichkeit wird die "Packungsdichte" der Substrate gegenüber herkömmlichen Verfahren bezüglich dem Volumen der Reaktionskammer deutlich erhöht. Dennoch können alle Substrate mit gleicher Schichtdicke beschichtet werden und darüber hinaus kann noch die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke erhöht, also die Schichtdickenabweichung der Beschichtung verringert werden.It is advantageous if at least one in the reaction chamber Row of at least two arranged one behind the other on spaced substrates is arranged so that a laminar process gas flow between the substrates can train. This arrangement of the substrates in rows transverse to the direction of flow, it is possible to determine the number of in a coating process to increase coatable substrates. It serves the same purpose when transverse to the direction of flow at least two rows arranged next to each other are provided are, each row being formed from at least one substrate becomes. In addition, it is alternatively or additionally possible seen several levels with substrates in the flow direction to be arranged one behind the other, at least in each of the levels a row of at least one substrate is provided. IMP EXP Seen together, the substrate in the reaction chamber can therefore be in one Art three-dimensional spatial grid structure arranged become. Through this possibility the "packing density" of the Substrates compared to conventional methods regarding Volume of the reaction chamber increased significantly. Still everyone can Substrates are coated with the same layer thickness and in addition, the uniformity of the layer thickness increased, i.e. the layer thickness deviation of the coating be reduced.

Damit die Qualität der Beschichtung in allen Bereichen möglichst gleichmäßig ist, wird vorgesehen, dass in der Reaktionskammer Halter für die Befestigung von wenigstens einem Substratträger ausgebildet sind, die so quer zur Strömungsrichtung verlaufen und die so ausgebildet sind, dass in den Bereichen, in denen Substrat zur Beschichtung angeordnet ist, keine Störung des stationären Strömungszustandes, also insbesondere der laminaren Strömung, eingeleitet wird.So that the quality of the coating in all areas as possible is even, it is provided that in the reaction chamber Holder for the attachment of at least one substrate carrier are formed, which run transversely to the direction of flow and which are designed so that in the areas where Substrate is arranged for coating, no interference with the  steady flow state, in particular the laminar Flow, is initiated.

Gemäß der Erfindung ist es vorteilhaft, die Substratträger zur Beschichtung mit einer insbesondere metallhaltigen Schicht so auszubilden, dass der Substratträger zu den zu beschichtenden, normal zur Durchströmungsrichtung der Reaktionskammer ausgerich­ teten Flächen des Substrates eine flächenbündige Anlage aus­ bildet. Die Ausbildung der möglichst flächenbündigen Anlage stellt sicher, dass die laminare, bzw. stationäre Strömung durch die Überströmung der übergangsstelle zwischen Substratträger und Substrat nicht gestört wird und Turbulenzen sowie Bereiche ver­ stärkter oder abgeschatteter Prozessgas-Strömung nicht entstehen. Diese Maßnahme dient dem Zweck, eine möglichst gleichmäßige Schicht auf dem Substrat zu erzeugen.According to the invention, it is advantageous to the substrate carrier Coating with a layer containing metal in particular form that the substrate carrier to the to be coated, aligned normal to the flow direction of the reaction chamber surfaces of the substrate from a flush system forms. The formation of the most flush-fitting system possible ensures that the laminar or stationary flow through the overflow of the transition point between substrate carrier and Substrate is not disturbed and turbulence and areas ver not stronger or shaded process gas flow arise. This measure serves the purpose of one if possible to produce a uniform layer on the substrate.

Gemäß bevorzugter Ausgestaltung weist der Substratträger in den Anströmrichtungen eine substratfreie Anströmfläche auf, wobei sich im Bereich der Anströmfläche Perturbationen aus der Anströmung des Substratträger beruhigen und sich für Substrat aufnehmende Bereiche des Substratträgers eine stationäre, vorzugsweise laminare Strömung ergibt. Die Anströmkanten können dabei in der Reaktionskammer quer zu den Durchströmungsrich­ tungen ausgerichtet sein und sind gemäß bevorzugter Ausge­ staltung wenigstens zwei Zentimeter breit. Zur Halterung des Substratträgers in der Reaktionskammer können an dem Substrat­ träger darüber hinaus Halter abragen. Die Halter sind dabei zumindest auch quer zur Strömungsrichtung seitlich vom Substrat­ träger abragend ausgebildet. Auch im Bereich des Übergangs von Halter zum eigentlichen Substratträger sind substratfreie An­ strömflächen ausgebildet. Auch diese Anströmflächen dienen dazu, Störungen der Strömung und des stationären Strömungszustandes zumindest in den Bereich zu vermeiden, in denen Substrat ange­ ordnet ist. According to a preferred embodiment, the substrate carrier has in the Inflow directions on a substrate-free inflow surface, wherein perturbations in the area of the inflow surface Inflow to the substrate carrier calm down and look for substrate receiving areas of the substrate support a stationary, preferably laminar flow results. The leading edges can thereby in the reaction chamber transverse to the flow direction lines are aligned and are according to preferred Ausge design at least two centimeters wide. To hold the Substrate carrier in the reaction chamber can on the substrate The carrier also protrudes from the holder. The holders are there at least also laterally to the flow direction laterally from the substrate carrier excellently trained. Also in the area of the transition from Holders for the actual substrate carrier are substrate-free flow surfaces formed. These inflow surfaces also serve Disruptions to the flow and the steady state of the flow to avoid at least in the area where substrate is indicated is arranged.  

Das vorliegende Verfahren und die hierfür geeigneten Vorrich­ tungen und Hilfsmittel können, wie bereits dargelegt, insbeson­ dere zur Beschichtung von Substraten mit metallhaltigen Substan­ zen verwendet werden. Als Substrate können dabei insbesondere Linsen, insbesondere vorzugsweise Linsen deren Arbeitsbereich im optischen Spektralbereich also den Bereich des sichtbaren Lichtes liegt, verwendet werden. Derartige Linsen finden sich in fotografischen Systemen beispielsweise bei Objektiven von Kameras und optischen Instrumenten genauso wie bei Brillen­ gläsern in großer Häufigkeit wieder. Diese Linsen müssen gege­ benenfalls mit mehreren voneinander verschiedenen, optisch aktiven Beschichtungen beschichtet werden, deren Schichtdicke über die Linsenfläche betrachtet eine Abweichung der Schicht­ dicke von höchsten jeweils 5% aufweist. Die Schichtdicken liegen dabei im Bereich eines Bruchteils, also insbesondere bei einem Halben oder einem Viertel, der Wellenlänge des Lichtes. Hierzu werden derartige Substrate-Linsen - sowohl mit niedrig­ brechenden als auch mit hochbrechenden Schichtbildner beschich­ tet. Als Schichtbildner kommen insbesondere metallhaltige Ver­ bindungen, vorzugsweise Metalloxide in Frage. Es handelt sich beispielsweise bei niedrigbrechenden Schichtbildnern um Silizi­ umoxid, hochbrechende Schichtbildner können beispielsweise auf der Basis von Titanoxid, Hafniumoxid, Zinkoxid, Nickeloxid und Tantaloxid gebildet werden. Dabei ist die metallische Substanz in der Regel in einem zu verdampfenden Precursor enthalten, während der Sauerstoff als Oxidbildner in dem zugeführten Prozessgas in Form von Sauerstoff enthalten ist. In sauerstoff­ freier Atmosphäre können auch rein metallische Beschichtungen und Kombinationen aus metallischen Schichtbildner und bei­ spielsweise Kohlenstoff oder Stickstoff als weiterer Komponente, also nichtmetallischen Atomen, gebildet werden. Metallhaltige Schichten können sowohl auf Kunststoffoberflächen (Beispiel: Kunststoff-Gläser für Brillen) als auch auf Gläsern aufgetragen werden. Schichtdicken, insbesondere für metallhaltige Schichtbildner bemessen sich dabei typischerweise an der Wellenlänge des sichtbaren Lichtes von 500 nm bis 700 nm, sind jedoch im wesentlichen von den beabsichtigten Anwendungszweck abhängig. Meist liegen gewünschte Schichtdicken im Bereich zwischen 10 und 100 nm. Das Beschichtungsverfahren kann auch bei relativ niederen Temperaturen ausgeführt werden. Der mögliche Temperaturbereich erstreckt sich von der Zimmertemperatur weg auf Temperaturen etwas oberhalb von 100°C. Insbesondere bei der Beschichtung von Linsen aus Kunststoffen ist es wichtig, dass die Beschichtungstemperatur in der Reaktionskammer möglichst niedrig ist, damit eine Formveränderung der Substrate während der Beschichtung nicht eintritt. Hierbei empfehlen sich insbesondere Prozesstemperaturen von 40°C bis ca. 80°C meist jedoch von unter 60°. In diesem Temperaturbereich erfolgt einerseits eine qualitativ gute Beschichtung und andererseits keine Veränderung des Substrates. Die Temperatur, die in der Reaktionskammer während des Beschichtungsvorganges herrscht, ist auch wesentlich von dem Druck der Prozessgasatmosphäre abhängig. Der Druck der Prozessgas-Atmosphäre während der Ausführung des Prozesses liegt insbesondere im Bereich zwischen 0,1 mbar und 10 mbar. Ebenso liegt der Volumenstrom des Prozessgases in einer Größenordnung von 0,02 bis 10 Liter pro Minute. Ein weiteres wesentliches Einflusskriterium auf die Schichtbildung stellt die Beladung der Prozessgas-Atmosphäre mit Precursor-Substanz dar. Diese Beladung ist abhängig von der Temperatur, bei der der Beschichtungsprozeß durchgeführt wird sowie der Precursor- Substanz selbst. Als Precursor-Substanzen werden meist Feststoffe verwendet, für den Fall der Ausbildung einer metallhaltigen Schicht kann beispielsweise Tetracisaminotitan als Precursor-Substanz verwendet werden. Die Wahl der Precursor- Substanz beeinflusst selbstverständlich wesentlich die Zusammensetzung der Schicht, die auf dem Substrat ausgebildet wird.The present procedure and the suitable device As already explained, aids and aids can in particular for coating substrates with metal-containing substances zen can be used. In particular, as substrates Lenses, particularly preferably lenses whose working area in the optical spectral range, the range of the visible Light lies, can be used. Such lenses can be found in photographic systems, for example with lenses from Cameras and optical instruments as well as glasses glasses again in great frequency. These lenses have to be optionally with several different ones, optically active coatings are coated, the layer thickness viewed a deviation of the layer over the lens surface thickness of maximum 5% each. The layer thicknesses are thereby in the region of a fraction, that is, in particular in the Half or a quarter, the wavelength of light. For this such substrates are lenses - both with low refractive as well as with high refractive index layering tet. In particular, metal-containing Ver come as layer formers bonds, preferably metal oxides in question. It is about for example with low refractive index film formers around silicon umoxid, high refractive index layer formers, for example the basis of titanium oxide, hafnium oxide, zinc oxide, nickel oxide and Tantalum oxide are formed. Here is the metallic substance usually contained in a precursor to be evaporated, while the oxygen as an oxide generator in the supplied Process gas is contained in the form of oxygen. In oxygen Purely metallic coatings can also be used in a free atmosphere and combinations of metallic film formers and for example carbon or nitrogen as a further component, that is, non-metallic atoms. metal-containing Layers can be applied to both plastic surfaces (example: Plastic glasses for glasses) as well as applied to glasses become. Layer thicknesses, especially for those containing metal Layer formers are typically measured on the  Visible light wavelength from 500 nm to 700 nm however, essentially from the intended application dependent. The desired layer thicknesses are usually in the range between 10 and 100 nm. The coating process can also be carried out at relatively low temperatures. The possible Temperature range extends from room temperature at temperatures slightly above 100 ° C. Especially with the Coating plastic lenses it is important that the coating temperature in the reaction chamber if possible is low so that a change in the shape of the substrates during the coating does not occur. Here are recommended especially process temperatures from 40 ° C to approx. 80 ° C mostly however less than 60 °. Is done in this temperature range on the one hand a good quality coating and on the other hand no change in the substrate. The temperature in the Reaction chamber prevails during the coating process also significantly dependent on the pressure of the process gas atmosphere. The pressure of the process gas atmosphere during the execution of the Process is in particular in the range between 0.1 mbar and 10 mbar. The volume flow of the process gas is also in one On the order of 0.02 to 10 liters per minute. Another one The essential influencing criterion on the layer formation is the Loading the process gas atmosphere with precursor substance. This loading depends on the temperature at which the Coating process is carried out and the precursor Substance itself. Mostly used as precursor substances Solids used in the event of training metal-containing layer can, for example, tetracisaminotitanium can be used as a precursor substance. The choice of precursor Substance, of course, significantly influences the Composition of the layer formed on the substrate becomes.

Die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei möglichst niederen Temperaturen hat auch den Vorteil, dass unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Schichtbildner und dem Substrat wenig ins Gewicht fallen und damit eine bessere Anhaftung des Schichtbildners auf dem Substrat erzielbar ist. Relativ kalte Abscheidungsprozesse liegen in einem Temperatur­ bereich von unterhalb 100°C, insbesondere unterhalb von 80°C und meist etwas von 40°C, obgleich auch Temperaturen unterhalb von 40°C denkbar sind. Die Substratträger müssen, aufgrund der Tatsache, dass sie einem Plasma ausgesetzt werden, aus einem nichtleitenden, nichtmetallischen Material bestehen. Aufgrund der Möglichkeit, aufgetragene Schichten einfach von der Ober­ fläche des Materials des Substratträger zu entfernen, kommt insbesondere Teflon in Frage. Das Teflon ist auch gegenüber den eingeleiteten elektromagnetischen Wellen, die der Erzeugung des Plasmas in der Reaktionskammer dienen, wenig empfindlich und daher von guter Eignung.The implementation of the method according to the invention if possible low temperatures also has the advantage of being different  Coefficient of thermal expansion between the layering agent and the substrate is of little importance and thus a better one Adhesion of the layer former on the substrate can be achieved. Relatively cold deposition processes lie in one temperature range below 100 ° C, in particular below 80 ° C and mostly something of 40 ° C, although temperatures below 40 ° C are conceivable. The substrate carrier must, due to the Fact that they are exposed to plasma from a non-conductive, non-metallic material. by virtue of the ability to simply apply layers from the top to remove surface of the material of the substrate carrier comes especially Teflon in question. The Teflon is also opposite to that initiated electromagnetic waves, the generation of the Plasmas serve in the reaction chamber, little sensitive and therefore of good suitability.

Die vorstehenden und weiteren Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungs­ form der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen dar­ stellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Nachfol­ gend wird die Erfindung noch anhand der in der Zeichnung darge­ stellten Ausführungsbeispiele näher erläutert; dabei zeigt:The above and other features go beyond the Claims also from the description and the drawings the individual features each individually or too several in the form of sub-combinations in one execution form of the invention and be implemented in other fields and advantageous and protectable versions can provide for which protection is claimed here. Nachfol Gend the invention is still based on the Darge in the drawing presented embodiments explained in more detail; shows:

Fig. 1 das Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens; . Figure 1 shows the flowchart of a method according to the invention;

Fig. 2 das Flussdiagramm eines Beschichtungsvorganges eines erfindungsgemäßen Verfahrens; . Figure 2 shows the flow diagram of a coating process of a method according to the invention;

Fig. 3 einen Substratträger gemäß der Erfindung in schema­ tischer Darstellung; Figure 3 shows a substrate support according to the invention in a schematic representation.

Fig. 4a eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und Fig. 4a shows an apparatus for performing the method and

Fig. 4b die schematische Darstellung einer Reaktionskammer mit einem darin angeordneten Substrat während eines ersten und eines zweiten Beschichtungsvorganges. FIG. 4b is a schematic representation of a reaction chamber having a substrate disposed therein during a first and a second coating process.

Die Fig. 1 zeigt das Flussdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens. Fig. 1 shows the flowchart of a method according to the invention.

Gemäß dem Schritt 101 wird zunächst das Substrat in die Reak­ tionskammer eingebracht. Hierzu wird vorab das Substrat in einem Substratträger befestigt und der Substratträger anschließend mittels seiner und in der Reaktionskammer ausgebildeter Halter­ ungen dort feststehend und lageunveränderlich gehalten werden. Anschließend erfolgt gemäß dem Schritt 102 ein Evakuieren der Reaktionskammer. Dabei wird die Reaktionskammer in aller Regel auf einen Druck evakuiert, der weit geringer ist, als der Druck bei dem das Beschichtungsverfahren durchgeführt wird. Diese Maßnahme dient dazu, möglichst wenig Störungen aus der Atmosphäre in die Prozessgas-Atmosphäre hinüberzunehmen. In diesem Zusammenhang können auch Spülungen mit Inertgasen durchgeführt werden. Es ist beispielsweise möglich, die Reaktionskammer auf einen Druck unterhalb von 10^-2 mbar zu evakuieren. Derartige Drücke sind mit modernen Pumpenanordnungen noch relativ einfach und schnell zu erreichen, gewährleisten andererseits jedoch auch, dass nur wenige Gase aus der Atmos­ phäre weiterhin in der Reaktionskammer enthalten sind.According to step 101 , the substrate is first introduced into the reaction chamber. For this purpose, the substrate is fastened in advance in a substrate support and the substrate support is then held there by means of its holders formed in the reaction chamber and is fixed there and unchangeable in position. The reaction chamber is then evacuated in accordance with step 102 . As a rule, the reaction chamber is evacuated to a pressure which is far lower than the pressure at which the coating process is carried out. This measure serves to transfer as few disturbances as possible from the atmosphere into the process gas atmosphere. In this context, flushing with inert gases can also be carried out. For example, it is possible to evacuate the reaction chamber to a pressure below 10 ^-2 mbar. Such pressures are still relatively easy and quick to achieve with modern pump arrangements, but on the other hand also ensure that only a few gases from the atmosphere are still contained in the reaction chamber.

Gemäß dem Schritt 103 erfolgt nach dem Evakuieren der Reaktionskammer das Erzeugen der Prozessgasatmosphäre. Hierzu wird Prozessgas über die Prozessgaszufuhrleitung in die Reaktionskammer eingeleitet. Dabei kann es von Vorteil sein, wenn gleichzeitig Prozessgas auch über die Prozessgasabfuhr­ leitung evakuiert wird und so eine Durchströmung mit Prozessgas für eine bestimmte Zeit erreicht wird. Auch muß der für die Durchführung des Verfahrens geeignete Prozessgas-Druck erreicht werden. Beschichtungsverfahren werden in der Regel bei Drücken zwischen 0,1 mbar und 10 mbar durchgeführt. Bevorzugt sind Prozessgasdrücke im Bereich zwischen einem oder 2 mbar, da in der Regel bei diesen Drücken Prozeßgastemperaturen im Bereich von 40°C bis 100°C, insbesondere um 60°C möglich werden, die eine wünschenswert geringe Prozeß-Temperatur darstellen.According to step 103 , the process gas atmosphere is generated after the reaction chamber has been evacuated. For this purpose, process gas is introduced into the reaction chamber via the process gas supply line. It can be advantageous if process gas is also evacuated via the process gas discharge line at the same time and flow of process gas is thus achieved for a certain time. The process gas pressure suitable for carrying out the method must also be achieved. Coating processes are usually carried out at pressures between 0.1 mbar and 10 mbar. Process gas pressures in the range between one or 2 mbar are preferred, since at these pressures process gas temperatures in the range from 40 ° C. to 100 ° C., in particular around 60 ° C., are possible, which represent a desirably low process temperature.

Nach dem Durchführen des Schrittes 103 wird gemäß dem Schritt 104 eine gewisse Mindestwartezeit im Bereich von bis zu einer Minute, insbesondere um ca. 30 Sekunden abgewartet. Während dieser Wartezeit wird die Reaktionskammer kontinuierlich in einer Durchströmungsrichtung von dem Prozessgas durchströmt. Die Wartezeit dient dazu, den Aufbau einer linearen Strömung in der Reaktionskammer abzuwarten. Nach Ablauf der Wartezeit wird gemäß den Schritten 105 und 106 ein erster Beschichtungsvorgang durchgeführt. Gemäß dem Schritt 106 wird überprüft, ob das Abbruchkriterium, das dem Abbruch des ersten Beschichtungsvor­ ganges zugeordnet ist, erfüllt ist. Erst wenn dieses Abbruch­ kriterium erfüllt ist, wird zum Schritt 107 übergegangen, an­ sonsten wird weiterhin gemäß dem Schritt 105 der erste Beschich­ tungsvorgang durchgeführt.After step 103 has been carried out , step 104 waits for a certain minimum waiting time in the range of up to one minute, in particular by approximately 30 seconds. During this waiting time, the process gas flows continuously through the reaction chamber in a flow direction. The waiting time serves to wait for a linear flow to build up in the reaction chamber. After the waiting time has elapsed, a first coating process is carried out in accordance with steps 105 and 106 . According to step 106 , it is checked whether the termination criterion that is associated with the termination of the first coating process has been met. It is only when this termination criterion is met that the process proceeds to step 107 , otherwise the first coating process continues to be carried out in accordance with step 105 .

Als Abbruchkriterium für den Beschichtungsvorgang kann dabei sowohl das Abwarten einer gewissen Zeitspanne, insbesondere einer bestimmten Beschichtungsdauer, also einer Zeitdauer der Erzeugung eines Plasmas oder aber die Durchführung einer bestimmten Anzahl von Zyklen, wie sie in der Fig. 2 dargestellt sind, bewertet werden. Soweit als Abbruchkriterium für den ersten Beschichtungsvorgang die Brenndauer des Plasmas gewertet wird, so können hierfür alle Werte im Bereich von einer bis zu ca. 3 Minuten herangezogen werden. Die Anzahl von Beschichtungs­ zyklen gemäß der, wie sie nachfolgend in der Fig. 2 noch darge­ stellt werden, sie als Abbruchkriterium gewertet wird, wird dabei zwischen 20 und 100 gewertet. Die Anzahl der Zyklen die durchgeführt werden, bevor der Beschichtungsvorgang abgebrochen wird bzw. die Brenndauer des Plasmas die als solches Kriterium gewertet wird, ist dabei in erster Linie von der gewünschten Schichtdicke abhängig und daher geeignet zu wählen.As a termination criterion for the coating process, both waiting for a certain period of time, in particular a certain coating period, that is, a period of time for generating a plasma, or performing a certain number of cycles, as shown in FIG. 2, can be evaluated. Insofar as the burning time of the plasma is rated as the termination criterion for the first coating process, all values in the range from one to about 3 minutes can be used for this. The number of coating cycles according to which, as will be shown in FIG. 2 below, is evaluated as a termination criterion, is between 20 and 100. The number of cycles that are carried out before the coating process is interrupted or the burning time of the plasma, which is evaluated as such a criterion, is primarily dependent on the desired layer thickness and is therefore to be selected appropriately.

Sobald im Schritt 106 festgestellt wurde, dass das Abbruch­ kriterium erfüllt ist, wird zum Schritt 107 übergegangen. Gemäß dem Schritt 107 wird beispielsweise durch Betätigung des wenigs­ tens einen elektrisch schaltbaren Stellventil die Strömungs­ richtung umgekehrt. Nunmehr wird also die Reaktionskammer nicht mehr in der ersten Strömungsrichtung vom Prozessgas durchströmt, sondern in der zweiten, der ersten entgegengesetzten Durchström­ ungsrichtung. Gemäß dem Schritt 108 wird wiederum eine Wartezeit beispielsweise im Bereich von 30 Sekunden, wobei die Wartezeit des Schrittes 108 der Wartezeit des Schrittes 104 entspricht, durchgeführt.As soon as it has been determined in step 106 that the termination criterion has been met, the process moves on to step 107 . According to step 107 , the flow direction is reversed, for example, by actuating the at least one electrically switchable control valve. Now the reaction chamber is no longer flowed through by the process gas in the first flow direction, but rather in the second flow direction opposite to the first flow direction. According to step 108 , a waiting time is again carried out, for example in the range of 30 seconds, the waiting time of step 108 corresponding to the waiting time of step 104 .

Nach Beendigung der Wartezeit wird gemäß dem Schritt 109 ein zweiter Beschichtungsvorgang durchgeführt, der sich von dem ersten Beschichtungsvorgang im wesentlichen dadurch unterschei­ det, dass die Durchströmung der Reaktionskammer nunmehr in der zweiten, der ersten Durchströmungsrichtung entgegengesetzten Durchströmungsrichtung erfolgt. Entsprechend dem Schritt 106 wird in dem Schritt 110 überprüft ob das Abbruchkriterium für die Beendigung des zweiten Beschichtungsvorgangs erfüllt wird. Dabei kann sich das Abbruchkriterium von dem Wert, bei dem der Abbruch des Beschichtungsvorganges des zweiten Beschichtungs­ vorganges durchgeführt wird, von dem Abbruchkriterium des ersten Beschichtungsvorganges gemäß dem Schritt 106 unterscheiden, wobei der Art nach ein gleiches Kriterium, also wiederum die Dauer der Plasmaerzeugung oder die Anzahl durchgeführter Zyklen einer zyklischen Beschichtung herangezogen wird, der Wert der Größe jedoch kann abweichen. Im vorliegenden Beispiel wird das Abbruchkriterium für den Schritt 110 für die Beendigung des zweiten Beschichtungsvorganges insbesondere doppelt so groß sein wie das Abbruchkriterium in dem Schritt 106 für die Beendigung des ersten Beschichtungsvorganges. Solange das Abbruchkriterium des Schrittes 110 noch nicht erfüllt ist, wird der zweite Beschichtungsvorgang gemäß dem Schritt 109 weiter durchgeführt.After the end of the waiting time, a second coating process is carried out in accordance with step 109 , which differs from the first coating process essentially in that the flow through the reaction chamber now takes place in the second flow direction opposite to the first flow direction. According to step 106 , step 110 checks whether the termination criterion for ending the second coating process is met. The termination criterion can differ from the value at which the termination of the coating process of the second coating operation is carried out from the termination criterion of the first coating operation according to step 106 , the type of the same criterion, i.e. again the duration of the plasma generation or the Number of cycles of a cyclic coating carried out is used, but the value of the size may vary. In the present example, the termination criterion for step 110 for ending the second coating process will in particular be twice as large as the termination criterion in step 106 for ending the first coating process. As long as the termination criterion of step 110 has not yet been met, the second coating process according to step 109 continues.

Sobald das Abbruchkriterium des Schrittes 110 erfüllt wird, wird gemäß dem Schritt 111 die Strömungsrichtung in der Reaktions­ kammer wiederum umgekehrt. Von der zweiten Durchströmungs­ richtung des Prozessgases durch die Reaktionskammer wird nun wieder in die erste, der zweiten entgegengesetzten Durchström­ ungsrichtung gewechselt. Die nachfolgenden Schritte 112 bis 114 entsprechen den vorher schon durchgeführten Schritten 104 bis 106. Es wird gemäß dem Schritt 112 wiederum eine Wartezeit zur Erzeugung möglichst stationärer Reaktionsbedingungen in der Reaktionskammer abgewartet. Anschließend wird gemäß dem Schritt 113 ein erster Beschichtungsvorgang durchgeführt, da nunmehr die Durchströmungsrichtung des Prozessgases durch die Reaktions­ kammer wiederum der ersten Durchströmungsrichtung entspricht. Gemäß dem Schritt 114 wird überprüft, ob das Abbruchkriterium für den ersten Beschichtungsvorgang, das insbesondere gleich gewählt ist wie das Abbruchkriterium des Schrittes 106, erfüllt ist. Falls dieses Kriterium nicht erfüllt ist, wird weiterhin der erste Beschichtungsvorgang gemäß dem Schritt 113 durchge­ führt. Andernfalls wird zum Schritt 115 übergegangen.As soon as the termination criterion of step 110 is met, the flow direction in the reaction chamber is again reversed according to step 111 . From the second flow direction of the process gas through the reaction chamber, the first flow direction, the second opposite flow direction, is changed again. The subsequent steps 112 to 114 correspond to the steps 104 to 106 which have already been carried out. In accordance with step 112 , a waiting time for generating reaction conditions which are as stationary as possible is again waited for in the reaction chamber. A first coating process is then carried out in accordance with step 113 , since the direction of flow of the process gas through the reaction chamber now corresponds to the first direction of flow. According to step 114 , it is checked whether the termination criterion for the first coating process, which in particular is selected to be the same as the termination criterion of step 106 , is met. If this criterion is not met, the first coating process according to step 113 continues to be carried out. Otherwise, the process proceeds to step 115 .

Gemäß dem Schritt 115 wird nun abgefragt, ob über die soeben aufgetragene Schicht noch eine weitere Schicht, beispielsweise eine Schicht mit einer anderen Zusammensetzung aufgetragen werden soll. Soweit dies der Fall ist, wird zum Schritt 103 zurückgesprungen, gemäß dem zunächst einmal die für die weitere Beschichtung erforderliche Prozessgasatmosphäre erzeugt wird und anschließend die Schritte des vorher dargestellten Verfahrens, nämlich die Schritte 104 bis 114 für die weitere aufzutragende Schicht durchgeführt werden. Wird dagegen im Schritt 115 festgestellt, dass keine weitere Schicht erzeugt werden soll, so wird zum Schritt 116 übergegangen.According to step 115 , a query is now made as to whether another layer, for example a layer with a different composition, should be applied over the layer just applied. If this is the case, the process jumps back to step 103 , according to which the process gas atmosphere required for the further coating is first generated and then the steps of the previously described method, namely steps 104 to 114 , are carried out for the further layer to be applied. If, on the other hand, it is determined in step 115 that no further layer is to be produced, then a transition is made to step 116 .

Gemäß dem Schritt 116 wird die Reaktionskammer nun wieder mit normaler Atmosphäre belüftet, um danach gemäß dem Schritt 117 das wunschgemäß beschichtete Substrat aus der Reaktionskammer entnehmen zu können. Nach der Entnahme des Substrates ist die Reaktionskammer zur Aufnahme und zur Einbringung eines neuen Substrates bereit, womit wiederum der Schritt 101 durchgeführt werden kann und ein neuer Beschichtungsvorgang beginnen kann.According to step 116 , the reaction chamber is now ventilated again with a normal atmosphere, in order then to be able to remove the desired coated substrate from the reaction chamber according to step 117 . After removal of the substrate, the reaction chamber is ready to receive and insert a new substrate, with which step 101 can be carried out and a new coating process can begin.

In dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel der Erfindung werden insgesamt drei Beschichtungsvorgänge durch­ geführt, nämlich zunächst ein erster, dann ein zweiter und anschließend wiederum ein erster Beschichtungsvorgang. Erfin­ dungsgemäße Verfahren können auch durchgeführt werden, wenn zunächst ein erster und danach ein zweiter Beschichtungsvorgang durchgeführt wird. Es ist auch möglich, mehrmals alternierend hintereinander erste und zweite Beschichtungsvorgänge durchzu­ führen. Im wesentlichen muß nur beachtet werden, dass sowohl erste als auch zweite Beschichtungsvorgänge durchgeführt werden und dass möglichst die Beschichtungsdauern nach dem ersten Beschichtungsvorgang den Beschichtungsdauern nach dem zweiten Beschichtungsvorgängen entsprechen. Dies ist beispielsweise dann der Fall, wenn in dem in der Fig. 1 dargestellten Ausführungs­ beispiel die beiden ersten Beschichtungsvorgänge genau halb so lange andauern wie der zweite Beschichtungsvorgang.In the exemplary embodiment of the invention shown in FIG. 1, a total of three coating processes are carried out, namely first a first, then a second and then again a first coating process. Methods according to the invention can also be carried out if first a first and then a second coating process is carried out. It is also possible to carry out first and second coating processes alternately in succession. Basically, it only has to be observed that both first and second coating processes are carried out and that the coating times after the first coating process correspond to the coating times after the second coating processes. This is the case, for example, if, in the embodiment shown in FIG. 1, the two first coating processes last exactly half as long as the second coating process.

Die Fig. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel für einen Beschich­ tungsvorgang, wie er in den Schritten 105, 109 und 113 der Fig. 1 Anwendung finden kann. Dabei betreffen die Schritte 201 bis 205 des Beschichtungsvorgangs gemäß der Fig. 2 jeweils die Durchführung des Beschichtungsvorganges, während der Schritt 206 die Überprüfung des Abbruchkriteriums des Beschichtungsvorgangs gemäß den Schritten 106, 110 und 114 der Fig. 1 wiedergeben kann. Fig. 2 shows an embodiment of a coating process, as it can be used in steps 105 , 109 and 113 of FIG. 1 application. Steps 201 to 205 of the coating process according to FIG. 2 each relate to the execution of the coating process, while step 206 can reflect the check of the termination criterion of the coating process according to steps 106 , 110 and 114 of FIG. 1.

Bei einem Beschichtungsverfahren gemäß diesem Ausführungs­ beispiel wird gemäß Schritt 201 das Plasma gezündet. Die Zündung des Plasmas wird dabei insbesondere durch die Aktivierung einer Radiofrequenzquelle im Bereich von 13,56 MHz oder aber durch einen entsprechenden Mikrowellen-Plasmagenerator erzeugt. An­ schließend wird gemäß dem Schritt 202 überprüft, ob die gewünschte Brenndauer, von beispielsweise 3 Sekunden, abgewartet wurde. Solange dies nicht der Fall ist, wird das Plasma gemäß dem Schritt 201 weiter aufrecht erhalten, ansonsten wird zum Schritt 203 übergegangen. Übliche Plasmabrenndauern liegen dabei im Bereich von weniger als 10 Sekunden, insbesondere bei 2 bis 5 Sekunden.In a coating method according to this embodiment, the plasma is ignited according to step 201 . The ignition of the plasma is generated in particular by the activation of a radio frequency source in the range of 13.56 MHz or by an appropriate microwave plasma generator. It is then checked according to step 202 whether the desired burning time, for example 3 seconds, has been waited for. As long as this is not the case, the plasma is maintained in accordance with step 201 , otherwise the process continues to step 203 . Usual plasma burning times are in the range of less than 10 seconds, in particular 2 to 5 seconds.

Gemäß dem Schritt 203 wird die Plasmaerzeugung beendet, indem die Erregung innerhalb der Reaktionskammer durch den Plasmaer­ zeuger, beispielsweise die radiofrequente Energiequelle beendet wird. Gemäß den Schritten 204 und 205 wird nun durch Fortsetzung der Durchströmung der Reaktionskammer mit Prozessgas eine bestimmte Regenerationszeit in der Durchströmungsrichtung, die der Durchströmungsrichtung der Erzeugung des Plasmas entspricht also in der ersten Durchströmungsrichtung oder in der zweiten Durchströmungsrichtung, fortgeführt. Gemäß dem Schritt 205 wird überprüft, ob die gewünschte Regenerationszeit, die in der Größenordnung von 5 bis 20 Sekunden liegt und insbesondere bei ca. 5 bis 10 Sekunden liegt, erreicht wurde. Solange dies nicht der Fall ist, wird zum Schritt 204 zurückgekehrt, andernfalls wird zum Schritt 206 gesprungen.According to step 203 , the plasma generation is ended by the excitation within the reaction chamber by the plasma generator, for example the radio frequency energy source, being ended. According to steps 204 and 205 , by continuing the flow of process gas through the reaction chamber, a specific regeneration time in the flow direction, which corresponds to the flow direction of the generation of the plasma in the first flow direction or in the second flow direction, is continued. According to step 205 , it is checked whether the desired regeneration time, which is of the order of 5 to 20 seconds and in particular is approximately 5 to 10 seconds, has been reached. As long as this is not the case, the process returns to step 204 , otherwise the process jumps to step 206 .

Gemäß dem Schritt 206 wird überprüft, ob das Abbruchkriterium für den entsprechenden Beschichtungsvorgang, also die gewünschte Anzahl an Zyklen, wobei ein Zyklus jeweils aus Durchführung der Schritte 201 bis 205 besteht, erreicht wurde. Eine typische Zyklenzahl liegt dabei bei 20 bis 100 Zyklen. Wenn dies nicht der Fall ist, wird zum Schritt 201 zurückgesprungen oder der nächste Zyklus beginnt. Andernfalls wurde der Beschichtungs­ vorgang ordnungsgemäß abgeschlossen und es wird zum nächsten Verfahrensschritt, der sich an die Durchführung des Beschich­ tungsvorgangs anschließt, beispielsweise die Umkehrung der Strömungsrichtung in der Reaktionskammer gemäß den Schritten 107 und 111 der Fig. 1 übergegangen.According to step 206 , a check is carried out to determine whether the termination criterion for the corresponding coating process, that is to say the desired number of cycles, one cycle each consisting of carrying out steps 201 to 205 . A typical number of cycles is 20 to 100 cycles. If this is not the case, the process jumps back to step 201 or the next cycle begins. Otherwise, the coating process has been properly completed and the next process step following the execution of the coating process, for example the reversal of the direction of flow in the reaction chamber according to steps 107 and 111 of FIG. 1, is proceeded to.

Durch Verfahren gemäß den Fig. 1 und 2 können gleichmäßige Schichten aus Siliziumdioxid und Titandioxid (SiO₂ und TiO₂) bei niedrigen Temperaturen von kleiner 60°C auf Kunststoff- und Glassubstraten hergestellt werden. Die gleichmäßige Beschichtung wird dabei durch die Prozeßführung, nämlich der Durchströmung der Reaktionskammer in der ersten Durchströmungsrichtung und in der zweiten Durchströmungsrichtung erreicht. Da es gleichzeitig möglich ist, mit Vorrichtungen gemäß den Fig. 3, 4a und 4b eine hohe Anzahl von Substraten in vergleichsweise kleinen, kosten­ günstigen Reaktoren in einem Schritt zu beschichten, erfolgt die Beschichtung zu erheblich geringeren Beschichtungskosten als herkömmliche Beschichtungsverfahren, denen durch eine zweidimen­ sionale Beschichtung bei gleicher Kammergröße nur eine wesent­ lich kleinere Menge an Substraten beschichtet werden kann. Zur Erzeugung einer Titandioxidschicht kann beispielsweise der Precursor Titaniumisopropoxid (TIP) verwendet werden, der bei 25°C mittels eines Bubblers verdampft und mit dem Trägergas O₂ mit 0,1 l/min in den Reaktor transportiert werden kann. Im Reaktor befindet sich das zu beschichtende Substrat, z. B. ein Kunststoffbrillenglas des Typs CR 39, das in einem Substrat­ halter befestigt ist. Nachdem das beladene Glas 30 Sekunden durch den Reaktor geströmt ist und dabei einen Druck von bei­ spielsweise 0,6 mbar herrscht, wird mit einer Zeittaktung von 3 Sekunden Plasma gezündet und 6 Sekunden Plasma nicht gezündet eine zyklische Beschichtung in einer ersten Richtung durchge­ führt. Dabei wird zur Plasmaerzeugung eine Plasmaleistung von beispielsweise 350 Watt vom Plasmaerreger in die Reaktionskammer eingekoppelt. Nach einer Zeitdauer von 5 Minuten wird die Strömungsrichtung des Prozessgases in der Reaktionskammer umgekehrt und unter gleichen Bedingungen nach einer Wartezeit von 30 Sekunden der zweite Beschichtungsvorgang durchgeführt, mit gleichen Bedingungen. Es resultiert dann eine gleichmäßige beidseitige Titandioxid-Beschichtung des Glases mit einer Beschichtung von ca. 60 nm Schichtdicke und einer Schichtdickenabweichung von weniger als 5%.By methods shown in FIGS. 1 and 2, uniform layers of silicon dioxide and titanium dioxide (SiO ₂ and TiO ₂₎ can be produced at low temperatures of less than 60 ° C on plastic and glass substrates. The uniform coating is achieved by the process control, namely the flow through the reaction chamber in the first flow direction and in the second flow direction. Since it is also possible with devices according to Fig. 3, 4a and 4b, a high number of substrates in relatively small, cost-favorable reactors in a step of coating, the coating is carried out at significantly lower coating cost than conventional coating method, which zweidimen by a sional coating with the same chamber size, only a much smaller amount of substrates can be coated. To produce a titanium dioxide layer, the precursor titanium isopropoxide (TIP) can be used, for example, which evaporates at 25 ° C. using a bubbler and can be transported into the reactor at 0.1 l / min with the carrier gas O ₂ . In the reactor is the substrate to be coated, e.g. B. a plastic lens of the type CR 39 , which is attached to a substrate holder. After the loaded glass has flowed through the reactor for 30 seconds and there is a pressure of, for example, 0.6 mbar, plasma is ignited with a timing of 3 seconds and 6 seconds of plasma are ignited and a cyclic coating is carried out in a first direction. For plasma generation, a plasma power of, for example, 350 watts is coupled into the reaction chamber from the plasma exciter. After a period of 5 minutes, the flow direction of the process gas in the reaction chamber is reversed and the second coating process is carried out under the same conditions after a waiting time of 30 seconds, with the same conditions. This then results in a uniform titanium dioxide coating on both sides of the glass with a coating of approximately 60 nm layer thickness and a layer thickness deviation of less than 5%.

Zur Durchführung einer Beschichtung mit Siliziumdioxid kann der Precursor Hexaethyldisiloxan (HEDSO) erfolgen. Der Precursor wird bei 20°C mittels eines Bubblers verdampft und mit dem Trägergas O₂ mit einem Volumenstrom von 0,1 l/min in den Reaktor transportiert. Im Reaktor befindet sich das zu beschichtende Substrat, beispielsweise wiederum ein Kunststoffbrillenglas CR 39, das in einem Substrathalter befestigt ist. Nachdem in der Reaktionskammer der Prozessdruck von beispielsweise 0,6 mbar erzeugt worden ist und das Prozessgas für eine Wartezeit von ca. 30 Sekunden in der ersten Strömungsrichtung durch die Reaktions­ kammer geströmt ist, wird ein zyklisches Beschichtungsverfahren durchgeführt, bei dem für eine Zeitdauer von 2 Sekunden ein Plasma mit einer eingekoppelten Plasmaleistung von ca. 200 W erzeugt wird, und anschließend für eine Regenerationszeit von 4 Sekunden die Reaktionskammer ohne Präsenz eines Plasmas gespült wird. Nach einer Zeitdauer von 5 Minuten bzw. nach Durchführung einer entsprechenden Anzahl von Zyklen wird die Strömungsricht­ ung umgekehrt und dann zunächst wiederum eine Wartezeit von beispielsweise 30 Sekunden abgewartet und dann mit Durchströmung der Reaktionskammer in der entgegengesetzten zweiten Durchström­ ungsrichtung die Beschichtung wiederum für eine Zeitdauer von 5 Minuten durchgeführt, wobei in jedem Zyklus für 2 Sekunden ein Plasma mit einer Leistung von 200 W eingekoppelt und anschlies­ send 4 Sekunden kein Plasma eingekoppelt wird und somit die Reaktionskammer mit Prozessgasatmosphäre der Reaktionskammer regeneriert wird. Es resultiert daraus beispielsweise eine gleichmäßige beidseitige SiO₂-Beschichtung mit einer Schichtdicke von 90 nm und einer Schichtdickenabweichung von weniger als 5%.The precursor hexaethyldisiloxane (HEDSO) can be used to carry out a coating with silicon dioxide. The precursor is evaporated at 20 ° C. using a bubbler and transported into the reactor with the carrier gas O ₂ at a volume flow of 0.1 l / min. The substrate to be coated is located in the reactor, for example again a CR 39 plastic spectacle lens , which is fastened in a substrate holder. After the process pressure of, for example, 0.6 mbar has been generated in the reaction chamber and the process gas has flowed through the reaction chamber in the first flow direction for a waiting time of approximately 30 seconds, a cyclic coating process is carried out, in which for a period of 2 Seconds a plasma with a coupled plasma power of approx. 200 W is generated, and then the reaction chamber is rinsed without the presence of a plasma for a regeneration time of 4 seconds. After a period of 5 minutes or after a corresponding number of cycles has been carried out, the direction of flow is reversed and then a waiting time of, for example, 30 seconds is waited for, and then the coating in turn flows through the reaction chamber in the opposite second flow direction for a period of 5 minutes, wherein a plasma with a power of 200 W is coupled in for 2 seconds in each cycle and then no plasma is coupled in for 4 seconds and the reaction chamber is thus regenerated with the process gas atmosphere of the reaction chamber. This results, for example, in a uniform SiO ₂ coating on both sides with a layer thickness of 90 nm and a layer thickness deviation of less than 5%.

Beide Schichttypen können auch dadurch hergestellt werden, dass z. B. 5 mal jeweils nach 2 Minuten die Strömungsrichtung gewechselt wird, also insgesamt sechs Beschichtungsvorgänge durchgeführt werden, nämlich drei mal abwechselnd je ein erster Beschichtungsvorgang und darauf nachfolgend ein zweiter Beschichtungsvorgang. Die Durchführung einer größeren Anzahl an Umkehrungen der Strömungsrichtung der Reaktionskammer mit dem Prozessgas hat den Vorteil, dass Schwankungen im Prozeß besser ausgeglichen werden. Nachteilig ist die sich geringfügig erhö­ hende Prozessdauer.Both types of layers can also be produced in that z. B. 5 times after 2 minutes the flow direction is changed, i.e. a total of six coating processes be carried out, namely three times alternately, a first Coating process and then a second one Coating process. Carrying out a larger number of Reversals of the flow direction of the reaction chamber with the Process gas has the advantage that fluctuations in the process are better be balanced. The disadvantage is that it increases slightly process time.

Dabei können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren auf einem Substrat, beispielsweise einer optischen Linse, auch mehrere voneinander verschiedene Schichten unmittelbar hintereinander und aufeinander erzeugt werden. Hierzu ist es nicht erforder­ lich, die Reaktionskammer zu belüften. Dies hat schon deshalb einen Vorteil, weil die Schichten dann unmittelbar aufeinander aufgetragen werden können, ohne dass die Gefahr einer Verschmutzung der ersten Schicht besteht, die dann zwischen den beiden Schichten eingeschlossen ist und beispielsweise eine Verschlechterung der optischen Qualität zur Folge hätte. Es ist dabei möglich, unterschiedliche Schichtfolgen herzustellen, beispielsweise können hintereinander drei verschiedene Schichten, nämlich eine Schicht A, eine Schicht B und eine Schicht C erzeugt werden, oder aber eine abwechselnde Folge gleichartiger Schichten, z. B. zunächst eine Schicht des Typs A, dann eine Schicht des Typs B, nachfolgend wieder eine Schicht des Typs A und abschließend beispielsweise eine Schicht des Typs B. So wird in der Optik, z. B. zur Entspiegelung von Linsen auf der Linsenoberfläche eine Beschichtung mit Titanoxid (TiO₂) und nachfolgend mit Siliciumoxid (SiO₂) aufgetragen, wobei es zur Erzielung eines verbesserten Entspiegelungseffektes günstiger ist, vier Schichten zu bilden als lediglich zwei, so dass die Schichtfolge A-B-A-B vorliegt, wobei die Schicht des Typs A Titanoxid als Schichtbildner beinhaltet, während die Schicht des Typs B Siliciumoxid als Schichtbildner beinhaltet.In this case, the method according to the invention can also be used to produce a plurality of layers which are different from one another directly on top of one another and on top of one another, for example an optical lens. It is not necessary to vent the reaction chamber. This is advantageous because the layers can then be applied directly to one another without the risk of contamination of the first layer, which is then trapped between the two layers and, for example, would result in a deterioration in the optical quality. It is possible to produce different layer sequences. For example, three different layers, namely a layer A, a layer B and a layer C, can be created one after the other, or an alternating sequence of similar layers, e.g. B. first a layer of type A, then a layer of type B, then again a layer of type A and finally, for example, a layer of type B. B. for anti-reflective coating on the lens surface, a coating with titanium oxide (TiO ₂ ) and subsequently with silicon oxide (SiO ₂ ) is applied, it being more favorable to achieve an improved anti-reflective effect to form four layers than only two, so that the layer sequence ABAB is present, the type A layer containing titanium oxide as a layer former, while the type B layer contains silicon oxide as a layer former.

Die Fig. 3 zeigt einen Substratträger, wie er beispielsweise aus Teflon herstellbar ist und mit Substraten, beispielsweise Brillengläsern 12 versehen werden kann. Die Substrate 12 werden dabei im Substratträger so gehalten, dass zwei Flächen der Durchströmung der Reaktionskammer mit dem Prozessgas ausgesetzt sind. Diese Flächen sind dabei jeweils normal zu der ersten Durchströmungsrichtung I und der zweiten Durchströmungsrichtung II, wie sie mit den Pfeilen seitlich des Substratträgers 11 angedeutet wurden. Der Substratträger weist dabei einen Subs­ trattragebereich 15 und den Substrattragebereich allseits umgebende Anströmflächen 13, in denen kein Substrat befestigt werden kann auf. Die Anströmflächen sind sowohl seitlich, also in Strömungsrichtung des Prozessgases als auch quer zur Strömungsrichtung des Prozessgases in der Reaktionskammer vor und hinter dem Substrattragebereich ausgebildet. Die Anström­ flächen dienen dazu, Störungen der Strömung des Prozeessgases, die durch die Kanten des Substratträgers 11 verursacht werden, abklingen zu lassen, so dass in Substrattragebereich 15, indem die Substrate befestigt werden können, stets eine stationäre Prozessgasströmung, vorzugsweise laminare Prozessgas-Strömung vorhanden ist. Die Substrate sind dabei nebeneinander in Reihen angeordnet, wobei eine Reihe im gewählten Beispiel aus vier nebeneinanderliegenden Substraten besteht. In Strömungsrichtung gesehen sind mehrere, hier fünf, Ebenen von Substratreihen anordenbar, so dass auf einer Fläche in dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel insgesamt 20 Substrate, also 20 Linsen oder Brillengläser angeordnet werden können. Durch die Anordnung mehrerer in der Fig. 3 dargestellter Substratträger in der Richtung normal zu der Fläche des dargestellten Substratträgers und quer zur Durchströmungsrichtung zur ersten Durchströmungs­ richtung und zur zweiten Durchströmungsrichtung I und II kann die Anzahl der Substrate in der Reaktionskammer noch vergrößert werden. Es entsteht so eine Art dreidimensionales Gitter von Substraten in der Reaktionskammer, wobei dabei zu beachten ist, dass die Substratträger in der Reaktionskammer so ausreichend voneinander beabstandet sind, dass die Durchströmung der Reaktionskammer zwischen zwei Substratträgern nicht zu sehr behindert wird und auch in diesem Bereich eine laminare Strömung mit der gewünschten Volumenstrom erzeugt wird. Damit keine Störungen der laminaren Strömung durch den Übergang der Subs­ tratbereiche am Rand des Substrates im Übergang vom Substrat­ träger zum Substrat und umgekehrt erzeugt wird, ist darauf zu achten, dass der Substratträger möglichst genau flächenbündig an die Substrate anschließt. Werden Substrate unterschiedlicher Materialstärke beschichtet, so muß dafür jeweils ein davon verschiedener Substratträger herangezogen werden. Außerdem ist es aus strömungstechnischer Sicht sehr ungünstig, wenn nicht alle Plätze, in die ein Substrat eingebracht werden kann, belegt sind, da sich in diesem Bereich Störungen der möglichst laminar auszubildenden Strömung erzeugt werden. FIG. 3 shows a substrate carrier such as can be produced, for example, from Teflon and can be provided with substrates, for example spectacle lenses 12 . The substrates 12 are held in the substrate carrier in such a way that two surfaces are exposed to the process gas flowing through the reaction chamber. These surfaces are normal to the first flow direction I and the second flow direction II, as indicated by the arrows on the side of the substrate carrier 11 . The substrate carrier has a substrate support area 15 and inflow surfaces 13 surrounding the substrate support area on all sides, in which no substrate can be attached. The inflow surfaces are formed laterally, that is in the flow direction of the process gas and also transversely to the flow direction of the process gas in the reaction chamber in front of and behind the substrate support area. The inflow surfaces serve to allow disruptions in the flow of the process gas, which are caused by the edges of the substrate carrier 11 , to subside, so that a steady-state process gas flow, preferably laminar process gas flow, is always present in the substrate support region 15 , in which the substrates can be attached is. The substrates are arranged side by side in rows, with one row in the selected example consisting of four adjacent substrates. When viewed in the direction of flow, several, here five, levels of substrate rows can be arranged, so that a total of 20 substrates, that is to say 20 lenses or spectacle lenses, can be arranged on one surface in the exemplary embodiment shown here. By arranging a plurality of substrate carriers shown in FIG. 3 in the direction normal to the surface of the substrate carrier shown and transversely to the flow direction to the first flow direction and to the second flow direction I and II, the number of substrates in the reaction chamber can be increased. This creates a kind of three-dimensional grid of substrates in the reaction chamber, whereby it should be noted that the substrate carriers in the reaction chamber are sufficiently spaced from one another that the flow through the reaction chamber between two substrate carriers is not impaired too much and also in this area laminar flow is generated with the desired volume flow. In order that no disturbances of the laminar flow are generated by the transition of the subsection areas at the edge of the substrate in the transition from the substrate carrier to the substrate and vice versa, it must be ensured that the substrate carrier connects as flush as possible to the substrates. If substrates of different material thickness are coated, a different substrate carrier must be used for each. In addition, it is very unfavorable from the point of view of fluid dynamics if not all the places into which a substrate can be introduced are occupied, since in this area disturbances of the flow which is to be formed as laminar as possible are generated.

Mit einer Komponente quer zur Strömungsrichtung ragen schräg seitlich von dem Substratträger Halter 14 ab. Die Halter 14 dienen der Befestigung des Substratträgers in der Reaktions­ kammer. Die Halter sind dabei zur Vermeidung von Störungen der Strömung im Bereich der Anströmflächen 13 am Substratträger 11 ausgebildet. In Strömungsrichtung gesehen liegt kein Bereich der Halter 14 innerhalb des Substrattragebereiches 15 des Substrat­ trägers 11, so dass sichergestellt ist, dass Störungen des Strömungszustandes, die von den Haltern bedingt sind, keinen Einfluß auf das Strömungsverhalten des Prozessgases im Substrat­ tragebereich und somit die Beschichtung der Substrate mit dem Schichtbildner haben. With a component transverse to the direction of flow, holders 14 project laterally from the substrate carrier. The holder 14 are used to attach the substrate carrier in the reaction chamber. The holders are designed to avoid disturbances of the flow in the area of the inflow surfaces 13 on the substrate carrier 11 . Seen in the flow direction, there is no area of the holder 14 within the substrate support area 15 of the substrate support 11 , so that it is ensured that disturbances in the flow state, which are caused by the holders, have no influence on the flow behavior of the process gas in the substrate support area and thus the coating of the Have substrates with the layering agent.

Die Fig. 4a zeigt in schematischer Darstellung eine Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens. Bei dieser Vorrichtung kann eine Reaktionskammer 20 in den beiden Durchströmungsrichtungen I und II von Prozessgas durchströmt werden. Mittels dem Plasma­ generator 21 kann in der Reaktionskammer 20 ein Plasma erzeugt werden und damit das in der Reaktionskammer 20 eingebrachte Substrat beschichtet werden.The Fig. 4a shows a schematic representation of an apparatus for performing a method. In this device, process gas can flow through a reaction chamber 20 in the two flow directions I and II. A plasma can be generated in the reaction chamber 20 by means of the plasma generator 21 and the substrate introduced into the reaction chamber 20 can thus be coated.

Damit die Durchströmung der Reaktionskammer 20 in den beiden Durchströmungsdichtungen möglich ist, führt von jedem Ende der Reaktionskammer ein gemeinsamer Leitungsabschnitt 22, 23 zu dem Stellventil. Mittels dem elektrisch ansteuerbaren Stellventil 24 kann jeder der beiden gemeinsamen Leitungsabschnitte 22, 23 wechselweise entweder mit der Absaugleitung 28 oder der Gaszu­ fuhrleitung 29 verbunden werden. Darüber hinaus ist in dem dar­ gelegten Ausführungsbeispiel eine Zwischenstellung 0 gegeben, indem keine Durchströmung der Reaktionskammer erfolgt. Befindet sich das Schaltventil in der Ventilstellung I, so ist die Gaszu­ fuhrleitung 29 mit dem ersten gemeinsamen Leitungsabschnitt 22 verbunden und der zweite gemeinsame Leitungsabschnitt 23 ist mit der Absaugleitung 28 fluidisch verbunden, demgemäß erfolgt eine Durchströmung der Reaktionskammer 20 in der ersten Durchström­ ungsrichtung I. Befindet sich das Stellventil 24 jedoch in der Schaltstellung II, so ist die Gaszufuhrleitung 29 fluidisch mit dem zweiten gemeinsamen Leitungsabschnitt 23 verbunden, hingegen ist die Absaugleitung 28 mit dem ersten gemeinsamen Leitungsab­ schnitt 22 verbunden, so dass die Durchströmung der Reaktions­ kammer 20 in der zweiten Durchströmungsrichtung II erfolgt. Zur Erzeugung eines gleichmäßigen Durchströmung der Reaktionskammer 20 ist im Strömungspfad der Absaugleitung 28 die Absaugpumpe 27 angeordnet mit der das Prozessgas aus der Reaktionskammer 20 herausgesaugt wird. Das Prozessgas wird dabei von einer Prozessgasquelle zugeführt. Eine Prozessgasquelle kann zur Erzeugung des Prozessgases, also der Beladung des Trägergases, beispielsweise O₂, mit Precursor-Substanz in dem Strömungspfad der Gaszufuhrleitung 29 einen Bubbler 25 aufweisen. Als Quelle für das Trägergas kann dabei beispielsweise seine dargestellte Gaszufuhrpumpe 26 dienen, über die das Trägergas, beispielsweise Sauerstoff aus einem Vorratsbehälter herausgepumpt wird, oder aber eine entsprechend mit Druck beaufschlagte Gasquelle für Trägergas vorgesehen sein. Die Beladung mit Precursor-Substanz erfolgt beispielsweise in einem Bubbler 25. Um die Durchführung eines Verfahrens zu ermöglichen, bei dem mehrere Schichten unterschiedlicher Schichtbildner hintereinander erzeugt werden können, ist es möglich, wie in der Figur dargestellt, mehrere Prozessgasquellen 35a, 35b, 35c vorzusehen, die jeweils aus einer Gaszufuhrleitung 29a, einem Bubbler 25a, 25b bzw. 25c und einer gemeinsamen Quelle 26 für das Trägergas bestehen. Über die Zuströmventile 36a, 36b ist es dann möglich, eine der Prozess­ gasquellen 35a, 35b, 35c fluidisch mit der Gaszufuhrleitung 29 zu verbinden, die dann zu dem Stellventil 24 führt. Hierzu wird das von der gemeinsamen Quelle 26 kommende Trägergas mittels der Zuströmventile 36a, 36b durch den entsprechenden Bubbler 25a, 25b bzw. 25c, der jeweils mit zugehöriger Precursor-Substanz befüllt ist, geleitet und dann an der Gaszufuhrleitung 29 eingekoppelt.So that the flow through the reaction chamber 20 is possible in the two flow seals, a common line section 22 , 23 leads from each end of the reaction chamber to the control valve. By means of the electrically controllable control valve 24 , each of the two common line sections 22 , 23 can be alternately connected to either the suction line 28 or the gas supply line 29 . In addition, an intermediate position 0 is given in the exemplary embodiment shown by no flow through the reaction chamber. If the switching valve is in the valve position I, then the gas supply line 29 is connected to the first common line section 22 and the second common line section 23 is fluidly connected to the suction line 28 , accordingly the reaction chamber 20 is flowed through in the first flow direction I. However, the control valve 24 is in the switching position II, the gas supply line 29 is fluidly connected to the second common line section 23 , however, the suction line 28 is connected to the first common line section 22 , so that the flow through the reaction chamber 20 in the second Flow direction II takes place. To generate a uniform flow through the reaction chamber 20 , the suction pump 27 is arranged in the flow path of the suction line 28 , with which the process gas is sucked out of the reaction chamber 20 . The process gas is supplied from a process gas source. A process gas source can have a bubbler 25 in the flow path of the gas supply line 29 to generate the process gas, ie the loading of the carrier gas, for example O ₂ , with precursor substance. The gas supply pump 26 , for example, can be used as the source for the carrier gas, via which the carrier gas, for example oxygen, is pumped out of a storage container, or a correspondingly pressurized gas source for carrier gas can be provided. The precursor substance is loaded, for example, in a bubbler 25 . In order to enable a method to be carried out in which a plurality of layers of different layer formers can be produced one after the other, it is possible, as shown in the figure, to provide a plurality of process gas sources 35 a, 35 b, 35 c, each from a gas supply line 29 a, a Bubbler 25 a, 25 b and 25 c and a common source 26 for the carrier gas exist. Via the inflow valves 36 a, 36 b, it is then possible to fluidly connect one of the process gas sources 35 a, 35 b, 35 c to the gas supply line 29 , which then leads to the control valve 24 . For this purpose, the carrier gas coming from the common source 26 is passed by means of the inflow valves 36 a, 36 b through the corresponding bubbler 25 a, 25 b or 25 c, each of which is filled with the associated precursor substance, and then coupled to the gas supply line 29 ,

Die Fig. 4b zeigt in schematischer Darstellung die Anordnung des Substrates 12, im Substratträger 11 und dessen Halterung mittels der Halter 14 innerhalb der Reaktionskammer 20, sowie dem als Plasmagenerator 21 dienenden Hochfrequenzgenerator RF. In der Zeichnung links ist die Situation für die Durchströmung I der Reaktionskammer in der ersten Durchströmungsrichtung und rechts die Durchströmung der Reaktionskammer 20 in der zweiten Durchströmungsrichtung II dargestellt. Abgesehen von den beiden einander entgegengesetzten Durchströmungsrichtungen und den entsprechend gegenläufigen Strömungspfeilen, die die Strömungs­ richtung darstellen soll, entsprechen die Figur der linken und rechten Seite einander. Dabei ist die Reaktionskammer in Durchströmungsrichtung gesehen spiegelsymmetrisch ausgebildet damit in beiden Durchströmungsrichtungen gleiche Strömungsver­ hältnisse herrschen. Zur Reaktionskammer führt der erste gemeinsame Leistungsabschnitt 22 und von der Reaktionskammer weg führt der zweite gemeinsame Leitungsabschnitt 23. Die Reaktions­ kammer 20 besteht dabei aus einem Arbeitsbereich 30 und je einem dem Arbeitsbereich 30 vorgeschalteten und nachgeschalteten Diffusor-Bereich 31. In den Diffusor-Bereichen 31 und insbeson­ dere am Übergang des Diffusor-Bereiches 31 zum Arbeitsbereich 30 können Strömungsleitmittel 32 angeordnet sein. Der Diffusor- Bereich und die Strömung 31 und die Strömungsleitmittel 32 dienen dabei jeweils der Erzeugung einer möglichst gleichmäs­ sigen, stationären und insbesondere laminaren Strömung innerhalb des Arbeitsbereiches 30. Im Arbeitsbereich 30 ist mittels der Halter 14 und dem Substratträger 11 das Substrat 12 gehalten. Mittels der Diffusor-Abschnitte 31 und der Strömungsleitmittel 32 muß insbesondere in allen Richtungen quer zur Strömungs­ richtung I, II sichergestellt werden, dass die Strömungsge­ schwindigkeit des Prozessgases möglichst gleich groß ist. Abweichungen in der Strömungsgeschwindigkeit können einen Einfluß auf die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke und die Dicke der erzielten Beschichtung haben und damit der Qualität des Verfahrens abträglich sein. FIG. 4b shows a schematic representation of the arrangement of the substrate 12, the substrate support 11 and its support by means of the holder 14 within the reaction chamber 20, and which serves as a plasma generator 21 high-frequency generator RF. In the drawing on the left the situation for the flow I of the reaction chamber in the first flow direction and on the right the flow through the reaction chamber 20 in the second flow direction II is shown. Apart from the two opposite flow directions and the corresponding opposite flow arrows, which should represent the flow direction, the figure on the left and right side correspond to each other. The reaction chamber is mirror-symmetrical in the flow direction so that the same flow conditions prevail in both flow directions. The first common power section 22 leads to the reaction chamber and the second common line section 23 leads away from the reaction chamber. The reaction chamber 20 consists of a working area 30 and one upstream and downstream of the working area 30 diffuser area 31st In the diffuser areas 31 and in particular at the transition from the diffuser area 31 to the working area 30 , flow guide means 32 can be arranged. The diffuser area and the flow 31 and the flow guide means 32 each serve to generate a steady and, in particular, laminar flow within the working area 30 that is as uniform as possible. The substrate 12 is held in the working area 30 by means of the holder 14 and the substrate carrier 11 . By means of the diffuser sections 31 and the flow guide means 32 , in particular in all directions transverse to the flow direction I, II, it must be ensured that the speed of the process gas is as large as possible. Deviations in the flow rate can have an influence on the uniformity of the layer thickness and the thickness of the coating achieved and can thus be detrimental to the quality of the process.

Claims (37)

1. Plasmabeschichtungsverfahren, insbesondere PACVD-Verfah­ ren, wobei ein Substrat in eine Reaktionskammer einge­ bracht und eine Prozeßgas-Atmosphäre erzeugt wird, wobei das Prozeßgas die Reaktionskammer durchströmt, wobei für Beschichtungsvorgänge während der Durchströmung der Re­ aktionskammer mit Prozeßgas wenigstens einmal ein Plasma erzeugt und so eine Beschichtung des Substrats insbeson­ dere mit einer metallhaltigen Schicht erfolgt, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine Schicht erzeugt wird und daß für die Erzeugung jeder Schicht wenigstens ein erster und wenigstens ein zweiter Beschichtungsvorgang durchgeführt wird, wobei das Substrat vom Prozeßgas während erster Beschichtungsvorgänge in einer ersten Überströmungsrichtung und während zweiter Beschich­ tungsvorgänge in einer zweiten, der ersten Überströ­ mungsrichtung entgegengesetzten Überströmungsrichtung durchströmt wird.1. Plasma coating process, in particular PACVD procedural ren, wherein a substrate is introduced into a reaction chamber and a process gas atmosphere is generated, the process gas flowing through the reaction chamber, wherein for coating processes during the flow through the reaction chamber with process gas at least once generates a plasma and such a coating of the substrate in particular with a metal-containing layer, characterized in that at least one layer is produced and that at least a first and at least a second coating process is carried out for the production of each layer, the substrate being separated from the process gas during first coating processes the first overflow direction and during the second coating operations in a second flow direction opposite to the first overflow direction. 2. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Änderung der Überströmungsrichtung des Substrates die Durchströmungsrichtung in der Reaktionskammer (20) umgekehrt wird.2. Plasma coating method according to claim 1, characterized in that to change the overflow direction of the substrate, the flow direction in the reaction chamber ( 20 ) is reversed. 3. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß während Beschichtungsvorgängen ein stationärer Strömungszustand des Prozeßgases in der Reaktionskammer (20) besteht.3. Plasma coating method according to claim 2, characterized in that there is a stationary flow state of the process gas in the reaction chamber ( 20 ) during coating processes. 4. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß während Beschichtungsvorgängen eine laminare Strömung konstanter Strömungsgeschwindigkeit erzeugt wird.4. Plasma coating method according to claim 3, characterized characterized in that during coating operations laminar flow constant flow rate is produced. 5. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strö­ mungsgeschwindigkeit in der ersten Überströmungsrichtung der Strömungsgeschwindigkeit in der zweiten Überström­ ungsrichtung entspricht.5. Plasma coating process according to one of the preceding the claims, characterized in that the currents flow rate in the first overflow direction the flow velocity in the second overflow direction corresponds. 6. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Strö­ mungsgeschwindigkeit zwischen 0,1 cm/s und 10 cm/s liegt.6. Plasma coating process according to one of the preceding the claims, characterized in that the currents speed between 0.1 cm / s and 10 cm / s lies. 7. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschich­ tungsdauern der durchgeführten ersten und zweiten Be­ schichtungsvorgänge einander entsprechen.7. Plasma coating process according to one of the preceding the claims, characterized in that the Beschich duration of the first and second loading stratification processes correspond to each other. 8. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens drei Beschichtungsvorgänge durchgeführt werden, wobei abwechselnd erste und zweite Beschichtungsvorgänge aufeinander folgen. 8. Plasma coating process according to one of the preceding the claims, characterized in that at least three coating operations are carried out, whereby alternating first and second coating processes follow each other.   9. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß drei Beschichtungsvorgänge, nämlich ein erster, dann ein zweiter und anschließend wiederum ein erster Beschichtungsvorgang durchgeführt wird, wobei insbesondere die Beschichtungsdauer der ersten Be­ schichtungsvorgänge halb so groß ist, wie die des zweiten Beschichtungsvorganges.9. Plasma coating method according to claim 7, characterized characterized in that three coating processes, namely a first, then a second and then again a first coating process is carried out, in particular the coating time of the first loading layering processes is half as large as that of the second coating process. 10. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen ersten und zweiten Beschichtungsvorgängen ein Wartein­ tervall abgewartet wird.10. Plasma coating process according to one of the preceding the claims, characterized in that between first and second coating operations waited for. 11. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Dauer des Warteintervalles bis zu 60 s, insbesondere circa 30 s beträgt.11. Plasma coating method according to claim 9, characterized characterized in that the duration of the waiting interval to 60 s, in particular approximately 30 s. 12. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Be­ schichtungsvorgang aus mehreren aufeinanderfolgenden Zyklen besteht, wobei in jedem Zyklus eine geeignete Prozeßgasatmosphäre erzeugt und ein Plasma für eine Plasmabrenndauer erzeugt wird.12. Plasma coating method according to one of the preceding the claims, characterized in that a Be layering process from several successive Cycles, with a suitable one in each cycle Process gas atmosphere generated and a plasma for a Plasma burning time is generated. 13. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Plasmabrenndauer, zwischen 1 Sekunde und 10 Sekunden beträgt.13. Plasma coating method according to claim 12, characterized characterized in that the plasma burning time, between 1 Seconds and 10 seconds. 14. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß vor einer Plasmaerzeugung ein Erzeugen einer geeigneten Prozeßgas-Atmosphäre erfolgt, indem insbesondere eine kontinuierliche Zufuhr von Prozeßgas vorzugsweise in stationärer, laminarer Durchströmung der Reaktionskammer (20) für ein bestimm­ tes Zeitintervall vorgenommen wird, wobei das Zeitintervall vorzugsweise dem Zeitbedarf für einen Gasaustausch in der Reaktionskammer (20) wenigstens entspricht und insbesondere zwischen 3 Sekunden und 20 Sekunden be­ trägt.14. Plasma coating method according to claim 12 or 13, characterized in that prior to plasma generation, a suitable process gas atmosphere is generated, in particular by continuously supplying process gas, preferably in a stationary, laminar flow through the reaction chamber ( 20 ), for a specific time interval , wherein the time interval preferably corresponds at least to the time required for a gas exchange in the reaction chamber ( 20 ) and in particular between 3 seconds and 20 seconds. 15. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Dauer eines Beschichtungsvorganges über die Anzahl durchzuführender Zyklen bestimmt wird, wobei die Anzahl der Zyklen vor­ zugsweise zwischen 20 und 100 liegt.15. Plasma coating method according to one of the claims 12 to 14, characterized in that the duration of a Coating process on the number to be carried out Cycles is determined with the number of cycles before preferably between 20 and 100. 16. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß nach Durchführung einer Anzahl von Zyklen eine Evakuierung der Reaktions­ kammer (20) mit anschließender neuer Befüllung mit einer Prozeßgas-Atmosphäre erfolgt, wobei insbesondere nach dem Evakuieren und vor dem Erzeugen der Prozeß­ gasatmosphäre ein Spülen der Reaktionskammer (20) mit einem inerten Gas erfolgt.16. Plasma coating method according to one of claims 12 to 15, characterized in that after performing a number of cycles, an evacuation of the reaction chamber ( 20 ) with subsequent new filling with a process gas atmosphere takes place, in particular after the evacuation and before generating the Process gas atmosphere, the reaction chamber ( 20 ) is flushed with an inert gas. 17. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Evakuieren mit anschließender neuer Befüllung mit Prozeßgas-Atmosphäre der Reaktions­ kammer (20) dann erfolgt, wenn ein Wechsel zwischen erstem und zweitem Beschichtungsvorgang erfolgt.17. Plasma coating method according to claim 15, characterized in that the evacuation with subsequent new filling with process gas atmosphere of the reaction chamber ( 20 ) takes place when there is a change between the first and second coating process. 18. Plasmabeschichtungsverfahren nach einem der vorhergehen­ den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Folge von wenigstens zwei Schichten erzeugt wird, wobei benachbarte Schichten voneinander unterscheidbar sind.18. Plasma coating method according to one of the preceding the claims, characterized in that a consequence is generated from at least two layers, wherein neighboring layers are distinguishable from each other. 19. Plasmabeschichtungsverfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erzeugen unterschiedlicher Schichten Beschichtungsvorgänge in unterschiedlichen Prozeßgasatmosphären, insbesondere durch Beladung des Trägergases mit unterschiedlichen Precursor-Substanzen durchgeführt werden.19. Plasma coating method according to claim 18, characterized characterized in that for generating different Layers of coating processes in different Process gas atmospheres, in particular by loading the  Carrier gas with different precursor substances be performed. 20. Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrates mit einer vorzugsweise metallhaltigen Schicht, insbesondere nach einem Verfahren gemäß einem der vorhergehenden An­ sprüche, wobei das Substrat in einer Reaktionskammer (20) angeordnet ist, wobei die Reaktionskammer (20) mit einer Gaszufuhrleitung (29) und einer Gasabfuhrleitung versehen ist, wobei durch ein Plasmaerreger in der Reaktionskammer (20) ein Plasma in der Prozeßgasat­ mosphäre erzeugbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die relative Zuordnung von Substrat zu Gaszufuhrleitung (29) und Gasabfuhrleitung derart ausgebildet ist, daß die Ab­ strömrichtung des Prozeßgases relativ zum Substrat umkehrbar ist.20. Device for coating a substrate with a preferably metal-containing layer, in particular according to a method according to one of the preceding claims, wherein the substrate is arranged in a reaction chamber ( 20 ), the reaction chamber ( 20 ) having a gas supply line ( 29 ) and a Gas discharge line is provided, wherein a plasma can be generated in the process gas atmosphere by a plasma exciter in the reaction chamber ( 20 ), characterized in that the relative assignment of the substrate to the gas supply line ( 29 ) and the gas discharge line is designed such that the flow direction of the process gas is relative is reversible to the substrate. 21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszufuhrleitung (29) und die Gasabfuhrleitung so ausgebildet sind, daß die Strömungsrichtung des Prozeßgases in der Reaktionskammer (20) umkehrbar ist.21. The apparatus according to claim 20, characterized in that the gas supply line ( 29 ) and the gas discharge line are designed so that the flow direction of the process gas in the reaction chamber ( 20 ) is reversible. 22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszufuhrleitungen (29) und die Gasabfuhrlei­ tungen beiderseits der Reaktionskammer (20) einen gemeinsamen Leitungsabschnitt aufweisen, wobei insbeson­ dere über wenigstens ein elektrisch schaltbares Stell­ ventil (24) die fluidische Verbindung eines gemeinsamen Leitungsabschnittes entweder mit einer Gaszufuhrleitung (29) oder einer Gasabfuhrleitung durchführbar ist.22. The apparatus according to claim 21, characterized in that the gas supply lines ( 29 ) and the gas discharge lines on both sides of the reaction chamber ( 20 ) have a common line section, in particular via at least one electrically switchable control valve ( 24 ) the fluidic connection of a common line section can be carried out either with a gas supply line ( 29 ) or a gas discharge line. 23. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Stellventil (24) derart ausgebildet bzw. angesteuert ist, daß stets eine Gaszufurleitung und eine Gasabfuhrleitung mit der Reaktionskammer (20) verbunden ist.23. The device according to claim 22, characterized in that at least one control valve ( 24 ) is designed or controlled such that a gas supply line and a gas discharge line are always connected to the reaction chamber ( 20 ). 24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Mündungsbereich von Gasleitungen in die Reaktionskammer (20) jeweils als Diffusor-Bereich (31) ausgebildet ist und daß sich zwischen den beiden Diffusor-Bereichen (31) ein Arbeitsbereich (30) er­ streckt, wobei in dem Arbeitsbereich (30) eine Gasström­ ung erzeugbar ist, die quer zur Strömungsrichtung gesehen möglichst gleichförmig ist.24. Device according to one of claims 20 to 23, characterized in that the mouth region of gas lines in the reaction chamber ( 20 ) is in each case designed as a diffuser region ( 31 ) and that between the two diffuser regions ( 31 ) there is a working region ( 30 ) he stretches, a gas flow being able to be generated in the working area ( 30 ), which is as uniform as possible seen transversely to the direction of flow. 25. Vorrichtung nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß im Diffusor-Bereich (31) insbesondere am Übergang zum Arbeitsbereich (30) Strömungsleitmittel (32) zur Erzeugung einer gleichmäßigen und laminaren Strömung angeordnet sind.25. The device according to claim 24, characterized in that in the diffuser area ( 31 ) in particular at the transition to the work area ( 30 ) flow guide means ( 32 ) are arranged to produce a uniform and laminar flow. 26. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß in der Reaktionskammer (20), insbe­ sondere in deren Arbeitsbereich (30), Substratträger (11) anordenbar sind, die derart ausgebildet sind, daß das Substrat zumindest auf zwei annähernd in der Ström­ ungsrichtung liegenden Flächen beschichtbar ist.26. Device according to one of claims 21 to 25, characterized in that in the reaction chamber ( 20 ), in particular in particular in its working area ( 30 ), substrate supports ( 11 ) can be arranged, which are designed such that the substrate at least approximately two surfaces lying in the direction of flow can be coated. 27. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß quer zur Strömungsrichtung wenig­ stens eine Reihe von wenigstens zwei hintereinander angeordneten, zueinander beabstandeten Substraten so angeordnet ist, daß zwischen den Substraten eine lamina­ re Prozeßgasströmung ausgebildet sein kann.27. The device according to one of claims 21 to 26, characterized characterized that little across the flow direction at least a row of at least two in a row arranged, mutually spaced substrates so is arranged that a lamina between the substrates re process gas flow can be formed. 28. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 27, dadurch gekennzeichnet, daß quer zur Strömungsrichtung wenig­ stens zwei nebeneinander angeordnete Reihen vorgesehen sind, wobei jede Reihe aus wenigstens einem Substrat gebildet wird.28. Device according to one of claims 21 to 27, characterized characterized that little across the flow direction least two rows arranged next to each other  are, each row of at least one substrate is formed. 29. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß in Stömungsrichtung gesehen mehrere Ebenen mit Substraten versehbar sind, wobei in jeder der Ebenen wenigstens eine Reihe aus wenigstens einem Substrat vorgesehen ist.29. Device according to one of claims 21 to 28, characterized characterized that seen in the direction of flow several Layers are provided with substrates, each in at least one row of at least one of the levels Substrate is provided. 30. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 20 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß in der Reaktionskammer (20) Halter (14) für die Befestigung von wenigstens einem Substrat­ träger (11) ausgebildet sind, die quer zur Strömungs­ richtung verlaufen und die so ausgebildet sind, daß im Substratbereich keine Störungen der laminaren Störung entstehen.30. Device according to one of claims 20 to 29, characterized in that in the reaction chamber ( 20 ) holder ( 14 ) for the attachment of at least one substrate carrier ( 11 ) are formed, which extend transversely to the flow direction and which are formed that there are no laminar disturbances in the substrate area. 31. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21-30, dadurch gekennzeichnet, daß für die Zufuhr von Prozeßgasen mit unterschiedlichen Schichtbildnern mehrere Prozeßgas­ quellen (35) alternativ zueinander mit der Reaktions­ kammer (20) fluidisch miteinander verbindbar sind.31. The device according to any one of claims 21-30, characterized in that for the supply of process gases with different layer formers, several process gas sources ( 35 ) alternatively to one another with the reaction chamber ( 20 ) are fluidically connectable. 32. Vorrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Prozeßgaskammern der Beladung des Prozeß­ gases mit unterschiedlichen Precursor-Substanzen dient.32. Device according to claim 31, characterized in that each of the process gas chambers loading the process gases with different precursor substances. 33. Vorrichtung nach Anspruch 31 oder 32, dadurch gekenn­ zeichnet, daß eine Prozeßgasquelle (35) aus einem mit Trägergas durchströmten Bubbler (25) besteht.33. Apparatus according to claim 31 or 32, characterized in that a process gas source ( 35 ) consists of a bubbler ( 25 ) through which carrier gas flows. 34. Substratträger (11) für die Beschichtung eines Substra­ tes mit einer metallhaltigen Schicht, insbesondere zur Verwendung in einer Vorrichtung nach einem der Ansprüche 23 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß der Substratträger (11)er Aufnahmen zur Anordnung von Substraten aufweist, wobei die Aufnahmen so ausgebildet sind, daß der Substratträger (11) zu den zu beschichtenden, normal zur Durchströmungsrichtung der Reaktionskammer (20) auszurichtenden Flächen des Substrates eine flächenbün­ dige Anlage ausbildet, die eine laminare Überströmung der Übergangsstelle zwischen Substratträger (11) und Substrat nicht perturbiert.34. substrate carrier ( 11 ) for coating a substrate with a metal-containing layer, in particular for use in a device according to one of claims 23 to 31, characterized in that the substrate carrier ( 11 ) it has receptacles for the arrangement of substrates, the Recordings are designed so that the substrate carrier ( 11 ) to the to be coated, normal to the flow direction of the reaction chamber ( 20 ) to be aligned surfaces of the substrate forms a surface-flush system that does not perturb a laminar overflow of the transition point between substrate carrier ( 11 ) and substrate. 35. Substratträger (11) nach Anspruch 34, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Substratträger (11) in den Anström­ richtungen eine substratfreie Anströmfläche (13) auf­ weist, wobei sich im Bereich der Anströmfläche (13) Perturbationen aus der Anströmung des Substratträger (11)s beruhigen und sich für substrataufnehmender Bereiche des Substratträgers (11) eine laminare Strö­ mung ergibt.35. substrate carrier ( 11 ) according to claim 34, characterized in that the substrate carrier ( 11 ) in the inflow directions has a substrate-free inflow surface ( 13 ), wherein in the region of the inflow surface ( 13 ) perturbations from the inflow of the substrate carrier ( 11 ) s calm and there is a laminar flow for substrate-receiving areas of the substrate carrier ( 11 ). 36. Substratträger (11) nach einem der Ansprüche 34 oder 35, dadurch gekennzeichnet, daß die Anströmkanten in der Reaktionskammer (20) quer zu den Durchströmungsrichtun­ gen ausgerichtet und wenigstens 2 cm breit sind.36. substrate carrier ( 11 ) according to any one of claims 34 or 35, characterized in that the leading edges in the reaction chamber ( 20 ) are aligned transversely to the flow directions and are at least 2 cm wide. 37. Substratträger (11) nach einem der Ansprüche 33 bis 36, dadurch gekennzeichnet, daß von dem Substratträger (11) Halter (14) zur Befestigung der Substratträger (11) einer Reaktionskammer (20) abragen, wobei die Halter (14) quer zur Strömungsrichtung seitlich von Substrat­ träger (11) abragen und wobei die Halter (14) im Bereich einer substratfreien Durchströmfläche ausgebildet sind.37. substrate carrier ( 11 ) according to any one of claims 33 to 36, characterized in that from the substrate carrier ( 11 ) holder ( 14 ) for fastening the substrate carrier ( 11 ) of a reaction chamber ( 20 ) protrude, the holder ( 14 ) transverse to Project the flow direction laterally from the substrate carrier ( 11 ) and the holders ( 14 ) are formed in the region of a substrate-free flow area.