DE10103621A1 - Dielektrische Paste, Beschichtungsverfahren und Heizelement - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Passivierungspaste zum Auftrag auf einen Schichtleiter, der auf einem keramischen Trägerkörper angeordnet ist, ein Beschichtungsverfahren zum Beschichten von auf einem keramischen Trägerkörper aufgebrachten Schichtleitern sowie ein Heizelement mit einem keramischen Drehkörper. DOLLAR A Eine erfindungsgemäße Passivierungspaste zum Auftrag auf einem Schichtleiter, der auf einem keramischen Trägerkörper, insbesondere einer Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid-Keramik angeordnet ist, ist zum Auftrag auf dem Trägerkörper abgewandten Seiten des Schichtleiters bestimmt. Dabei dient für die Passivierungspaste eine Dickschichtglaspaste als Grundmaterial. Derartige Dichtschichtglaspasten sind im Zusammenhang mit der Verwendung von Dickschicht- und Dünnschichtheizleitern bekannt und werden in unterschiedlichen Rezepturen angeboten und gehandelt. Gemäß der Erfindung wird dem Grundmaterial Dickschichtglaspaste zur Erzeugung der Passivierungspaste ein körniges, siliziumhaltiges Pulver beigemengt.

Description

Die Erfindung betrifft eine Passivierungspaste zum Auftrag auf einen Schichtleiter, der auf einem keramischen Träger­ körper angeordnet ist, ein Beschichtungsverfahren zum Be­ schichten von auf einem keramischen Trägerkörper aufgebrach­ ten Schichtleitern sowie ein Heizelement mit einem kera­ mischen Trägerkörper.

Es ist bekannt, Heizleiter oder Heizelemente auf einem keramischen Trägerkörper, hier insbesondere auf Silizium­ nitrid-Keramiken (SiN-Keramiken) oder Siliziumcarbid-Kerami­ ken (SiC-Keramiken) aufzubringen. Die Heizleiter oder Heiz­ elemente werden dabei direkt auf den keramischen Trägerkörper aufgebracht und dienen der Beheizung derselben. Hierzu werden die Heizleiter entweder mit Dickschicht- oder mit Dünn­ schichtverfahren auf den Trägerkörper aufgebracht. Derartige Heizleiter bestehen im wesentlichen aus metallischem oder oxidischem Material oder aus Mischungen derselben. Die Heizleiter dienen dabei als Widerstandsheizelement.

Die Heizleiter müssen dabei vor Oxidation und mechanischen Einflüssen geschützt werden. Um die Gefahr von Kurzschlüssen, Kriechströmen und dergleichen zu beseitigen, müssen die Heizleiter mit einem nicht leitenden Material abgedeckt werden. Um Schutz vor mechanischen Einflüssen, Oxidation und die elektrische Isolation des Heizleiters auch bei Einsatztemperaturen von 250°C bis 450°C effektiv erreichen zu können, werden hierzu vornehmlich Glasuren angewendet.

Dabei werden die Glasuren vornehmlich über Glaspasten er­ zeugt, die auf die Schicht-Heizleiter aufgetragen und dann eingebrannt werden.

Ein wesentliches Problem bei der Verwendung von Glaspasten, insbesondere bei Dickschichtglaspasten, die ausreichende Isolationseigenschaften besitzen, ist, daß die Silizium­ nitrid-Keramik bzw. die Siliziumcarbid-Keramik einen äußerst geringen Wärmeausdehnungskoeffizienten (ca. 2-4 × 10^-6 K^-1) aufweist, der darüber hinaus auch über den Temperaturbereich von 20°C bis 500°C nicht konstant ist. Dies entspricht nicht dem Wärmeausdehnungsverhalten von Glasuren. Durch die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten zwischen Heiz­ leiter und des keramischen Trägerkörper einerseits und der Dickschichtglasur andererseits, können Spannungen in der Glasur zur Rißbildung führen. Sobald Risse bestehen, kann Feuchtigkeit eindringen und Oxidationsreaktionen am Schicht­ heizleiter hervorrufen. Dies kann auf Dauer die Folge haben, daß gegebenenfalls der Heizleiter geschädigt wird.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine zur Beschichtung von auf keramischen Trägerkörpern angeordneten Schichtleitern eine geeignete Passivierungspaste zu erzeugen und Heizelemente herzustellen, die auf einem keramischen Trägerkörper ange­ ordnet sind und die eine Glasur aufweisen, die keine Tendenz zur Rißbildung hat. Die Aufgabe wird durch eine Passivierungspaste gemäß dem Anspruch 1 und ein die mit dem unabhängigen Anspruch 1 sowie durch ein Heizelement gemäß dem unabhängigen Anspruch 8 gelöst. Ein erfindungsgemäßes Beschichtungsverfahren zur Erzeugung einer rißfesten Glasur kann dem Anspruch 13 entnommen werden.

Eine erfindungsgemäße Passivierungspaste zum Auftrag auf einen Schichtleiter, der auf einem keramischen Trägerkörper, insbesondere einer Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid- Keramik angeordnet ist, ist zum Auftrag auf dem Trägerkörper abgewandten Seiten des Schichtleiters bestimmt. Dabei dient für die Passivierungspaste eine Dickschichtglaspaste als Grundmaterial. Derartige Dickschichtglaspasten sind im Zusammenhang mit der Verwendung von Dickschicht- und Dünn­ schichtheizleitern bekannt und werden in unterschiedlichen Rezepturen angeboten und gehandelt. Gemäß der Erfindung wird dem Grundmaterial Dickschichtglaspaste zur Erzeugung der dielektrischen Paste ein körniges, siliziumhaltiges Pulver, beispielsweise in Form eines Granulats beigemengt. Dabei liegt die mittlere Körnung (D50) des siliziumhaltigen Pulvers in der Passivierungspaste unterhalb von 30 µm.

Gemäß einer Ausgestaltung der Erfindung besteht das körnige, siliciumhaltige Pulver aus Siliziumnitrid oder Siliziumcar­ bid. Vorzugsweise besteht das Pulver ganz oder leicht über­ wiegend aus Siliziumnitrid.

Damit eine möglichst gute Einbettung des körnigen, silicium­ haltigen Pulvers in der später erzeugten Glasur erreicht wird, beträgt die mittlere Körnung (D50) des Pulvers vorzugsweise zwischen 0,6 und 1,5 µmm. Dabei ist zu beachten, daß das Siliziumnitrid- bzw. Siliziumcarbid-Pulver später in der Glasur eingebunden ist, jedoch derartige Teilchen nicht verschmolzen oder aufgelöst sind. Das körnige Pulver ist vielmehr in der Glasurschicht als körniges Material eingebet­ tet. Das Pulver erhöht im wesentlichen die Abriebfestigkeit des Materials und beeinflußt das Ausdehnungsverhalten bei Erwärmung. Dabei ist es förderlich, wenn eine möglichst geringe Körnung des Pulvers vorliegt, um eine möglichst gute Einbettung und eine möglichst gleichmäßige Verteilung des Materials über die Schicht erreichen zu können. Andererseits ist es auch vorteilhaft, um eine hohe Standfestigkeit des Materials zu erreichen, zumindest eine Beimengung gekörnten Materials mit relativ großen Korngrößen zu haben. Aus diesem Grund kann es vorteilhaft sein, wenn das siliziumhaltige körnige Pulver einen Anteil von bis zu 20% aufweist, dessen mittlere Körnung oberhalb von 20 µm, insbesondere bei ca. 40 µm liegt. Der Anteil dieses grob gekörnten Pulvers bewegt sich dabei vorzugsweise zwischen 10% und 17% bezogen auf die Gesamtmenge des Pulvers.

Gemäß bevorzugten Weiterführungen der Erfindung wird als Grundmaterial eine Dickschichtglaspaste verwendet, die üblicherweise für den Auftrag auf Nicht-Oxid-Keramiken bestimmt ist. Hier können insbesondere Dickschichtglaspasten verwendet werden, die für die Verwendung bei Aluminiumnitrid- Keramiken bestimmt sind. Dickschichtglaspasten, die als Grundmaterial Verwendung finden können und denen das körnige, siliciumhaltige Pulver beigemengt werden kann, bestehen im wesentlichen aus einer Glasfritte und Bindemitteln. Dabei spielt die Auswahl des Glases, aus dem die Glasfritte hergestellt wird, eine die Eigenschaften der Glasur wesent­ lich mitbestimmende Rolle. Aus diesem Grund werden auch unterschiedliche Dickschichtglaspasten zu unterschiedlichen Zwecken von verschiedenen Herstellern angeboten. Derartige Glaspasten sind für die weiterverarbeitenden Betriebe Zuta­ ten, die aus Katalogen bestellt werden, wobei die Auswahl der geeigneten Glaspaste letztendlich eine Material-Abstimmungs­ frage ist, die beispielsweise durch entsprechende Versuche und Testläufe durchgeführt werden kann.

Damit die Glasur ein möglichst gleichmäßiges Verhalten aufweist, ist es vorteilhaft, wenn das körnige, silizium­ haltige Pulver gleichmäßig in der Paste verteilt ist. Gemäß bevorzugten Ausgestaltungen der Erfindungen ist der Anteil des körnigen Pulvers an der dielektrischen Paste kleiner als 50% insbesondere geringer als 30% ist und liegt vorzugsweise, abhängig von der Glaspaste, beispielsweise um 20%. Dabei ist darauf zu achten, daß ausreichend Glaspaste präsent ist um die Bildung einer geschlossenen Schicht sicherzustellen.

Ein Heizelement mit einer Beschichtung gemäß der Erfindung weist einen keramischen Trägerkörper auf. Der keramische Trägerkörper besteht dabei insbesondere aus einer Silizium­ nitrid- oder Siliziumcarbid-Keramik. Auf der Trägerschicht ist ein Heizleiter angeordnet, der vorzugsweise als Schicht­ leiter ausgebildet ist. Es kann sich hierbei sowohl um Dünnschichtheizleiter als auch um Dickschichtheizleiter handeln. Der Schichtleiter ist an den nicht am Trägerkörper anliegenden Bereichen mittels einer Schicht beschichtet, die siliziumnitridhaltig und insbesondere glasartig ausgebildet ist.

Die siliziumnitridhaltige Schicht beinhaltet insbesondere in ein glasartiges Trägermaterial eingebettete Siliziumnitrid­ körner. Dabei liegt die Korngröße der Siliziumnitridkörner vorzugsweise bei unterhalb von 2 µm und die mittlere Körnung (D50) dieser Siliziumnitridkörner insbesondere zwischen 0,6 µm und 1,5 µm. Ein Teil der Siliziumnitridkörper kann auch eine Korngröße von mehr als 20 µm aufweisen. Dieser Teil der Siliziumnitridkörner beträgt vorzugsweise höchstens 20% der Gesamtzahl der Siliziumnitridkörper und liegt insbeson­ dere zwischen 10% und 17%. Vorzugsweise sind die Silizi­ umnitridkörner in der siliziumnitridhaltigen Schicht stochas­ tisch verteilt.

Gemäß vorteilhafter Ausgestaltungen der Erfindung beträgt die Schichtdicke der siliziumnitridhaltigen Schicht bis zu 50 µm und liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 20 µm und 50 µm. Die Schichtdicke wird dabei insbesondere von der erforder­ lichen Schichtdicke zur elektrischen Isolation des Schicht­ leiters und zur ausreichenden Einbettung der Siliziumnitrid­ körner bestimmt. Gleichzeitig muß eine ausreichende Gasdich­ tigkeit insbesondere gegenüber Sauerstoff gewährleistet sein, wodurch die Schichtdicke nach unten ebenfalls begrenzt wird. Andererseits ist man häufig aus Gründen des Materialver­ brauchs und des Platzbedarfs geneigt möglichst dünne Schich­ ten zu erzeugen.

Ein Verfahren zur Beschichtung eines keramischen Trägerkör­ pers, insbesondere aus Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid- Keramik mit einem darauf aufgebrachten Schichtleiter umfaßt die Schritte des Auftragens einer siliziumnitridhaltigen dielektrischen Paste im Bereich des Schichtleiters, das Trocknen der Paste und das anschließende Einbrennen.

Dabei erfolgt das Auftragen der dielektrischen Paste vorzugs­ weise durch Druckverfahren, insbesondere durch Siebdruck oder aber durch Aufspritzen. Die Aufgabe des Auftragens der Paste auf der Keramik und dem darauf angebrachten Heizleiter ist es, daß das Pulver gleichmäßig die nicht von dem keramischen Trägerkörper bedeckten Seiten des Schichtheizleiters bedeckt.

Dabei handelt es sich bei der dielektrischen Paste um eine Dickschichtglaspaste. Die Passivierungspaste beinhaltet ein körniges, siliziumnitridhaltiges Pulver.

Gemäß einer weiterführenden Ausgestaltung des erfindungsge­ mäßen Verfahrens erfolgt das Einbrennen insbesondere bei Temperaturen von ca. 850°C. Dabei erfolgt vorzugsweise während des Einbrennvorgangs ein Keramisieren der silicium­ haltigen, dielektrischen Paste.

Die vorstehenden und weiteren Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich alleine oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfä­ hige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird.

Nachfolgend ist die Erfindung auch noch anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher erläu­ tert; dabei zeigt:

Fig. 1 einen Schnitt durch einen erfindungsgemäßen Heizleiter,

Fig. 2 die Aufsicht auf einen erfindungsgemäßen Heizleiter; und

Fig. 3 das schematische Flußdiagramm eines erfin­ dungsgemäßen Verfahrens.

Die Fig. 1 und 2 zeigen die Aufsicht bzw. die Schnittdar­ stellung durch ein erfindungsgemäßes Heizelement 11. Das Heizelement 11 besteht insbesondere aus einem keramischen Trägerkörper 12. Es handelt sich dabei insbesondere um eine Siliziumnitrid-Keramik oder eine Siliziumcarbid-Keramik. Auf den keramischen Trägerkörper 12 ist der Schichtheizleiter 13 aufgebracht. Der Schichtheizleiter wird mit Ausnahme von zwei Kontaktierungsstellen 14 zum elektrischen Anschluß des Heizelements an eine Stromzufuhr, von einer aus einer dielek­ trischen Paste hergestellten, siliziumnitridhaltigen Schicht 15 abgedeckt. Die siliziumnitridhaltige Schicht 15 besteht aus einer glasartigen oder keramischen Schicht, die aus einem Schichtbild hervorgegangen ist, wobei als Schichtbildner die zur Herstellung der siliziumnitridhaltigen Schicht dienende Passivierungspaste eine Dickschichtglaspaste als Grundma­ terial dient. Derartige Dickschichtglaspasten beinhalten insbesondere vornehmlich Glasfritten, Bindemittel und gegebenenfalls auch weitere Hilfsstoffe wie z. B. Flußmittel. Zur Anpassung der thermischen Eigenschaften und zur Erzielung einer besseren Abriebfestigkeit und mechanischen Stabilität beinhaltet die Passivierungspaste ein körniges Pulver aus Siliziumnitrid. In die siliziumnitridhaltige Schicht 15 sind daher Körner 16, 17 aus Siliziumnitrid eingelagert. Die Körner sind teilweise komplett in die siliziumnitridhaltige Schicht eingebettet, teilweise ragen sie auch lokal über die Schichtgrenze hinaus. Sie bilden dabei Zonen besonders großer mechanischer Abriebfestigkeit. Die Schichtdicke der glasar­ tigen oder keramischen siliziumnitridhaltigen Schicht liegt dabei vorzugsweise zwischen 20 µm und 50 µm. Die Korngröße der darin eingelagerten Körner 17 liegt bei einer mittleren Korngröße von 1 µm, vorzugsweise zwischen 0,6 µm und 1,5 µm. Dabei ist höchstens ein Anteil von 20% des siliziumnitridhal­ tigen Pulvers 16 in einer Korngröße von etwa 30 µm präsent. Der Anteil des siliziumnitridhaltigen Pulvers, das eine Korngröße von mehr als 20 µm und vorzugsweise von ungefähr 30 µm aufweist, liegt bei weniger wie 20%, insbesondere zwischen 10% und 17%. Anders ausgedrückt, liegt der Anteil des siliziumnitridhaltigen Pulvers mit einer Körnung von mehr als 20 µm und einer mittleren Körnung von ungefähr 30 µm bei ca. 5% Anteil an der dielektrischen Paste. Der Anteil des siliziumnitridhaltigen Pulvers mit einer mittleren Korngröße D50 von weniger als 5 µm liegt vorzugsweise bei ungefähr 20% bis 25%, kann jedoch auch darüber liegen. Insgesamt gesehen ist es zu bevorzugen, wenn der Anteil des siliziumnitrid­ haltigen Pulvers höchstens 50% der dielektrischen Paste beträgt. Dies ist erforderlich, damit noch ausreichend Dickschichtglaspaste zur Bildung einer geschlossenen Schicht gegeben ist.

Dickschichtglaspasten, die kommerziell erhältlich sind und die besonders für die Verwendung im Zusammenhang mit der Erfindung geeignet sind, sind solche Dickschichtglaspasten, die zum Auftrag auf Nicht-Oxid-Keramiken bestimmt sind. Derartige Dickschichtglaspasten bestehen im wesentlichen aus einer Glasfritte und Bindemittel und sind in unterschied­ lichen Rezepturen und aufgrund unterschiedlicher Gläser als Ausgangsmaterial für die Glasfritte. Für die Auswahl einer geeigneten Dickschichtglaspaste ist insbesondere auf die Eignung zur Einbettung des siliziumnitridhaltigen Pulvers sowie auf die Eignung zur Bildung einer geschlossenen Schicht zu achten.

Die Fig. 3 zeigt das schematische Flußdiagramm eines erfin­ dungsgemäßen Verfahrens. Gemäß dem Verfahrensschritt 301 erfolgt zunächst der Auftrag der dielektrischen Paste auf den Heizleiter und die den Heizleiter umgebenen Bereiche des keramischen Trägerkörpers.

Anschließend erfolgt gemäß dem Schritt 302 das Trocknen der dielektrischen Paste. An dem Trocknungsprozeß kann sich auch noch ein Qualitätsprüfungsprozeß anschließen, weil zu diesem Zeitpunkt noch Mängel in der Beschichtung der mit der dielek­ trischen Paste ausgeglichen werden können. Es muß insbeson­ dere darauf geachtet werden, daß keine versehentlich unbe­ deckten Stellen vorhanden sind. Zum Auftragen der dielek­ trischen Paste gemäß dem Schritt 301 eignen sich insbesondere Druckverfahren wie das Siebdruckverfahren oder aber Spritz­ techniken.

An dem Schritt 302 schließt sich der Schritt 303 an. Gemäß diesem Schritt erfolgt ein Einbrennen der dielektrischen Paste und damit ein Umwandeln der Paste in eine Schicht. Vorzugsweise werden Schichten ausgebildet, die glasartig oder keramisch sind. Das Einbrennen erfolgt dann bei Tempera­ turen im Bereich von ca. 850°C, wobei die Einbrenntemperatur auch von der Auswahl der Dickschichtglaspaste abhängig ist.

An den Schritt 303 des Einbrennens schließt sich der Schritt 304 an, in dem ein Abkühlen vorgenommen wird. Anschließend ist das Heizelement fertig bearbeitet und steht zur Verwen­ dung bereit.

Derartige Heizelemente können beispielsweise bei Kochplatten, insbesondere bei Kochplatten in Verbindung mit Glaskeramik­ kochfeldern verwendet werden. Es können jedoch auch alle anderen Anwendungsbereiche, insbesondere bei allen Formen von Haushaltsgeräten in Frage kommen, bei denen Dickschichtheiz­ leiter oder Dünnschichtheizleiter zur Erwärmung von Gegen­ ständen, beispielsweise auch Wasser, herangezogen werden. Die Anwendung ist dabei selbstverständlich nicht auf Haushaltsge­ räte begrenzt. Vielmehr kann die Anwendung ganz allgemein bei allen auf keramischen Trägerkörpern aufgebrachte Schichtheiz­ leitern von Vorteil sein.

Claims (18)

1. Passivierungspaste zum Auftrag auf einem Schichtleiter, der auf einem keramischen Trägerkörper, insbesondere einer Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid-Keramik, angeordnet ist, wobei die Paste zum Auftrag auf dem Trägerkörper abgewandten Seiten des Schichtleiters bestimmt ist, wobei eine Dickschichtglaspaste als Grundmaterial für die Passivierungspaste dient, dadurch gekennzeichnet, daß die Paste ein körniges, silizium­ haltiges Pulver enthält, dessen Körnung geringer ist als 30 µm.

2. Passivierungspaste nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das körnige, siliziumhaltige Pulver aus Siliziumnitrid und/oder Siliziumcarbid, vorzugsweise aus Siliziumnitrid besteht.

3. Passivierungspaste nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere Körnung, des Primärpulvers zwischen 0,6 und 1,5 µm liegt.

4. Passivierungspaste nach einem der vorstehenden Ansprü­ che, dadurch gekennzeichnet, daß das Pulver einen Anteil von bis zu 20%, insbesondere zwischen 10 und 17% auf­ weist, dessen mittlere Körnung oberhalb von 20 µm, insbesondere bei ca. 30 µm liegt.

5. Passivierungspaste nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Glaspaste eine für den Auftrag auf Nicht-Oxid-Keramiken, insbeson­ dere für Aluminiumnitrid-Keramiken bestimmte Glaspaste verwendet wird.

6. Passivierungspaste nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Glaspaste im wesentlichen aus Glasfritte und Bindemitteln besteht.

7. Passivierungspaste nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das körnige siliziumhaltige Pulver gleichmäßig in der Paste verteilt ist.

8. Heizelement mit einem keramischen Trägerkörper, insbe­ sondere aus einer Siliziumnitrid- oder Siliziumcarbid- Keramik, mit einem auf dem Trägerkörper angeordneten, als Schichtleiter ausgebildeten Heizleiter, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtleiter (13) auf den nicht am Trägerkörper (12) anliegenden Seiten mittels einer siliziumnitridhaltigen Schicht (15), insbesondere glasartigen Schicht, beschichtet ist.

9. Heizelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die siliziumnitridhaltige Schicht (15) in ein insbeson­ dere glasartiges Trägermaterial eingebettete Silizium­ nitridkörner aufweist.

10. Heizelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngröße der Siliziumnitridkörner geringer ist als 30 µm, wobei die mittlere Primärkörnung insbesondere zwischen 0,6 und 1,5 µm liegt.

11. Heizelement nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil der Siliziumnitridkörner eine Korngröße von mehr als 30 µm, insbesondere von ca. 40 µm aufweist, wobei der Anteil der Siliziumnitridkörner mit einer Größe von mehr als 30 µm vorzugsweise 20% bezogen auf die Gesamt­ zahl der Siliziumnitridkörner nicht überschreitet und insbesondere zwischen 10 und 17% liegt.

12. Heizelement nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Siliziumnitridkörner in der siliziumnitridhaltigen Schicht stochastisch verteilt sind.

13. Heizelement nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der siliziumhal­ tigen Schicht 50 µm nicht übersteigt, insbesondere zwischen 20 µm und 50 µm beträgt.

14. Beschichtungsverfahren für auf keramischen Trägerkör­ pern, insbesondere aus Siliziumnitrid- oder Siliziumkar­ bid-Keramik aufgebrachte Schichtheizleiter, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest im Bereich des Schichtlei­ ters eine siliziumnitridhaltige Passivierungspaste aufgetragen wird und nach dem Auftragen getrocknet und anschließend eingebrannt wird.

15. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Auftragen der Passivierungspaste durch Druckverfahren, insbesondere Siebdruck oder Aufspritzen erfolgt.

16. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 15, dadurch gekenn­ zeichnet, daß es sich bei der Passivierungspaste um eine Dickschichtglaspaste handelt, die ein körniges, siliziumnitridhaltiges Pulver beinhalted.

17. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbrennen bei Temperaturen von ungefähr 850°C erfolgt.

18. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß bei dem Einbrennen ein keramisieren der siliziumhaltigen Passivierungspaste erfolgt.