DE10058931A1 - Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler - Google Patents
Gemusterter Strahlungsenergie-WandlerInfo
- Publication number
- DE10058931A1 DE10058931A1 DE10058931A DE10058931A DE10058931A1 DE 10058931 A1 DE10058931 A1 DE 10058931A1 DE 10058931 A DE10058931 A DE 10058931A DE 10058931 A DE10058931 A DE 10058931A DE 10058931 A1 DE10058931 A1 DE 10058931A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- energy converter
- substrate
- radiant energy
- converter according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/30—Auxiliary coatings, e.g. anti-reflective coatings
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/225—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption for spectrally selective absorption
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/20—Details of absorbing elements characterised by absorbing coatings; characterised by surface treatment for increasing absorption
- F24S70/25—Coatings made of metallic material
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
- F24S70/60—Details of absorbing elements characterised by the structure or construction
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft einen gemusterten Strahlungsenergie-Wandler zur Umwandlung von Strahlungsenergie in Wärmeenergie, der ein Substrat aufweist, das mit einer oder mehreren Schichten wenigstens teilweise überzogen ist, von denen wenigstens eine als Strahlung absorbierende Schicht ausgebildet ist, wobei sich die Dicke und/oder chemische Zusammensetzung von wenigstens einer der Schichten parallel zur Oberfläche des Substrats periodisch ändert. Weiter beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung des gemusterten Strahlungsenergie-Wandlers sowie dessen Verwendung in Sonnenkollektoren.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft einen gemusterten Strahlungsenergie-Wandler
zur Umwandlung von Strahlungsenergie in Wärmenergie, ein Verfahren zu seiner
Herstellung sowie seine Verwendung.
Die CH-Patentschrift 581 812 offenbart einen Sonnenkollektor, dessen sonnenbe
strahlbare Kollektorfläche Erhöhungen aufweist, wobei es sich um Erhöhungen
des Substrats handelt, auf die die sonnenbestrahlbare Kollektorfläche aufgebracht
ist.
Aus der WO-A-9 726 488 sind farbige, in Sonnenkollektoren einsetzbare Strah
lungsenergie-Wandler (Absorber) bekannt, bei denen eine Strahlung absorbieren
de Schicht auf ein Substrat wie ein Blech aufgebracht ist. Jedoch kommt es auf
grund der allgemein hohen Anforderungen an einen perfekten optischen Eindruck
wegen Fehlern bei der Beschichtung von Blechen mit der Strahlung absorbieren
den Schicht oder bei der Weiterverarbeitung der beschichteten Bleche zu einem
hohen Ausschuß. Auch kann es vorkommen, daß sich durch die Art der Weiter
verarbeitung Wellen im beschichteten Blech nicht vermeiden lassen, die dann als
unschön oder wertmindernd empfunden werden. Insbesondere bei der Weiterver
arbeitung von Blechen, auf die eine selektiv absorbierende Schicht wie in WO-A-
9 726 488 offenbart, aufgebracht wurde, gibt es immer wieder Ausschuß durch
Oberflächenfehler, die schon bei der Beschichtung oder bei der Weiterverarbei
tung in die Oberfläche eingebracht worden sind.
Üblicherweise wird bei Sonnenkollektoren die über den Stahlungsenergie-
Wandler umgewandelte Wärme über ein Rohrsystem abtransportiert, das eine
Wärmetauscherflüssigkeit aufweist. Beim Auflöten oder Aufschweißen des Rohr
systems an den Absorber kommt es jedoch immer wieder zu Flecken auf der Ab
sorberfläche und Wellen und Beulen im Blech. Ein Ausschuß in diesem Ferti
gungsstadium ist mit hohen Kosten verbunden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung bestand nun darin, einen Strahlungs
energie-Wandler zu schaffen, der auch bei leichten Produktionsfehlern hohen äs
thetischen und technischen Anforderungen gerecht wird, so daß sich der Aus
schuß verringert.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird ein gemusteter Strahlungsenergie-Wandler (Ab
sorber) vorgeschlagen, der ein Substrat aufweist, das mit einer oder mehreren
Schichten überzogen ist, wobei sich die Dicke und/oder chemische Zusammenset
zung von wenigstens einer der Schichten parallel zur Oberfläche des Substrats
periodisch verändert. Durch diese periodische Veränderung der Schichtparameter
wird eine periodische Änderung der Helligkeit und/oder des Farbeindrucks der
Oberfläche des Strahlungsenergie-Wandlers hervorgerufen. Wenigstens eine der
Schichten, mit denen das Substrat überzogen ist, ist als Strahlung absorbierende
Schicht ausgebildet.
Zwar wurde von den Erfindern festgestellt, daß je nach Gestaltung der Schicht ein
Verlust an Wirkungsgrad auftreten kann, jedoch ist für den Niedrigtemperaturbe
reich dieser Verlust tolerabel, da die Minderleistung durch eine geringfügige Er
höhung der Kollektorfläche kompensiert werden kann. Diese Mehrkosten durch
den größeren Materialeinsatz können aber um ein Vielfaches durch eine Verringe
rung des Ausschusses aufgewogen werden.
Somit betrifft die Erfindung einen gemusterten Strahlungsenergie-Wandler (Ab
sorber) zur Umwandlung von Strahlungsenergie in Wärmeenergie, der ein Sub
strat umfaßt, das mit einer oder mehreren Schichten wenigstens teilweise überzo
gen ist, von denen wenigstens eine als Strahlung absorbierende Schicht ausgebildet
ist, wobei der Strahlungsenergie-Wandler dadurch gekennzeichnet ist, daß
sich die Dicke und/oder die chemische Zusammensetzung wenigstens einer der
Schichten parallel zur Oberfläche des Substrats periodisch ändert. Darüber hinaus
betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Strahlungsenergie-
Wandlers, das dadurch gekennzeichnet ist, daß eine oder mehrere Schichten, von
denen wenigstens eine als Strahlung absorbierende Schicht ausgebildet wird, mit
tels eines Vakuumbeschichtungsverfahrens oder eines naßchemischen Verfahrens
derart auf ein Substrat aufgebracht werden, daß sich die Dicke und/oder die che
mische Zusammensetzung von wenigstens einer der Schichten parallel zur Ober
fläche des Substrats periodisch ändert. Außerdem betrifft die Erfindung die Ver
wendung des Strahlungsenergie-Wandlers in einem Sonnenkollektor und/oder als
dekorative Schicht. Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in der
nachfolgenden Beschreibung, den Figuren und den Unteransprüchen beschrieben.
Bei den Figuren zeigen:
Fig. 1a eine schematische Darstellung einer Apparatur zur Herstellung eines er
findungsgemäß bevorzugten Strahlungsenergie-Wandlers mit einem
Streifenmuster;
Fig. 1b eine schematische Darstellung der in Fig. 1a verwendeten Maske;
Fig. 1c einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäß bevorzugten Strahlungs
energie-Wandler, bei dem die Schichtdicke der Antireflexschicht
(Schicht 2) periodisch variiert wird;
Fig. 1d einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäß bevorzugten Strahlungs
energie-Wandler, bei dem die Änderung der Schichtdicke stetig erfolgt;
Fig. 1e eine schematische Darstellung einer wellenförmigen Maske zur Erzeu
gung einer stetigen Schichtdickenänderung;
Fig. 1f einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäß bevorzugten Strahlungs
energie-Wandler, bei dem die Schichtdicke der Absorberschicht (Schicht
1) periodisch variiert wird;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Apparatur zur Herstellung eines er
findungsgemäß bevorzugten Strahlungsenergie-Wandlers mit einem
Streifenmuster, wobei die Position der verwendeten Gasdüsen relativ
zum zu beschichtenden Band (Substrat) angedeutet ist;
Fig. 3a eine schematische Darstellung einer Apparatur zur Herstellung eines
Strahlungsenergie-Wandlers mit einem Karomuster; und
Fig. 3b eine perspektivische Darstellung eines erfindungsgemäß bevorzugten
Strahlungsenergie-Wandlers mit einem Karomuster.
Vorliegend soll durch den Begriff "gemusterter Strahlungsenergie-Wandler" aus
gedrückt werden, daß es sich um Strahlungsenergie-Wandler oder Absorber han
delt, die nicht homogen mit einer einfarbigen Schicht überzogen sind. Des weite
ren bedeutet vorliegend der Begriff "periodisch" regelmäßig auftretend oder re
gelmäßig wiederkehrend.
Die Oberfläche des Substrats ist wenigstens teilweise, vorzugsweise vollständig,
mit einer oder mehreren Schichten überzogen, wobei sich die Dicke und/oder
chemische Zusammensetzung von wenigstens einer der Schichten parallel zur
Oberfläche des Substrats periodisch ändert. Im folgenden bezieht sich der Begriff
"die variierende Schicht" auf die Schicht, bei der sich erfindungsgemäß die Dicke
und/oder chemische Zusammensetzung periodisch parallel zur Oberfläche des
Substrats ändert. Vorzugsweise erfolgt diese Änderung in einem für das Auge
wahrnehmbaren Abstand. Damit ist nicht eine kolumnare Mikrostruktur gemeint,
wie sie in der WO-A-9 517 533 offenbart ist. Diese kolumnare Mikrostruktur ent
steht beim Aufwachsen einer Schicht auf ein Substrat. Hierbei auftretende Unregelmäßigkeiten
in der Schichtdicke liegen im Mikrobereich und sind für das Auge
nicht wahrnehmbar. Vorzugsweise ändert sich die Dicke und/oder chemische Zu
sammensetzung der variierenden Schicht in einem periodischen Abstand im Be
reich von 1 bis 40 cm, vorzugsweise von 3 bis 9 cm, stärker bevorzugt von 4 bis 7 cm.
Bevorzugt treten wenigstens 3, stärker bevorzugt 10 bis 30, noch stärker be
vorzugt 12 oder 15, periodische Änderungen der Dicke oder der chemischen Zu
sammensetzung der variierenden Schicht auf einer Strecke von einem Meter auf.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung verläuft die periodische Ände
rung in einer Gerade, also längs oder quer zu den Kanten des Strahlungsenergie-
Wandlers, so daß ein Streifenmuster entsteht. Sie kann aber auch in beliebigen
anderen geometrischen Formen verlaufen, beispielsweise karoförmig, wabenför
mig, rautenförmig, kreisförmig, ellipsenförmig, schneckenförmig oder in Form
eines Penrose-Musters. Ein Beispiel für einen Strahlungsenergie-Wandler mit
einer periodischen Änderung der Schichtdicke ist schematisch in Fig. 1c, 1d, 1f
und 3b gezeigt.
Durch die erfindungsgemäße periodische Änderung der Dicke und/oder chemi
schen Zusammensetzung der variierenden Schicht parallel zur Oberfläche des
Substrats entsteht für einen Betrachter bei Draufsicht auf den Strahlungsenergie-
Wandler der Eindruck eines Musters, beispielsweise eines Streifen-, Wellblech-,
Karo-, Waben-, Rauten- oder Penrose-Musters. Dieses Muster lenkt den Betrach
ter von Fehlern in der Beschichtung des Strahlungsenergie-Wandlers ab und er
möglicht somit eine Verrringerung des Ausschusses. Das menschliche Gehirn
nimmt Strukturen durch Kontraste mit dem Hintergrund wahr. Durch das erfin
dungsgemäß erzielte Muster wird auf dem Strahlungsenergie-Wandler der Hinter
grund nun durch einen Helldunkel- oder einen Farbkontrast strukturiert, so daß
sich der Kontrast zu einem Fehler auf der Oberfläche des Strahlungsenergie-
Wandlers, wie beispielsweise einer Welle oder Beule, fließend oder willkürlich
ändert. Da der Kontrast nicht mehr eindeutig zuordenbar ist, wird das Erkennen
des Fehlers erschwert. Außerdem können mit dem Muster architektonisch interes
sante Gestaltungseffekte erzielt werden.
Vorteilhafterweise ist der Strahlungsenergie-Wandler an jedem Punkt seiner
Oberfläche bezüglich Schichtdicke und chemischer Zusammensetzung gleich wie
am Punkt ' mit
' = + n1 1 + 1 + n2 2 + 2,
wobei 1 und 2 fundamentale Translationsvektoren sind, 1 und 2 Differenz
vektoren sind und n1 und n2 beliebige ganze Zahlen sind, wobei gilt:
||/|| ≦ 25%.
Vorzugsweise enthält die variierende Schicht wenigstens ein Metall der Neben
gruppenelemente des Periodensystems oder eine Verbindung des Metalls mit
Stickstoff und/oder Sauerstoff und/oder Kohlenstoff oder eine Legierung des
Metalls mit einem oder mehreren anderen Metallen. Bei dem Metall handelt es
sich vorzugsweise um ein Metall der Gruppe IVA, VA oder VIA des Periodensy
stems, besonders bevorzugt um ein Metall der Gruppe NA des Periodensystems,
vorzugsweise um Titan. Daneben ist auch eine Verbindung oder Legierung von
Titan bevorzugt. Bevorzugte Verbindungen, insbesondere keramische Verbindun
gen, haben die Formel MCxNyOz, wobei M = Ti, Zr und/oder Hf; x, y, z = 0 bis
2,1; x + y + z = 0,01 bis 4, insbesondere x + y + z = 0,01 bis 2. Dabei liegt das
Verhältnis von Metall zu Kohlenstoff zu Stickstoff zu Sauerstoff von 1 : (0 bis
2,1) : (0 bis 2,1) : (0 bis 2,1), bevorzugt von 1 : (0 bis 1,0) : (0 bis 1,0) : (0 bis
2,0), besonders bevorzugt von 1 : (0 bis 0,5) : (0 bis 0,5) : (0 bis 1,5) vor. Die obi
gen Verhältnisse beziehen sich auf die Teilchenanzahl bzw. Molverhältnisse. Als
zusätzliche Metalle kann die variierende Schicht neben Titan, Zirkonium und/oder
Hafnium auch Niob, Tantal, Wolfram, Molybdän oder deren Legierungen enthal
ten, was sich vorteilhaft auf die Korrosionsbeständigkeit der Schicht auswirkt.
Ferner können solche Legierungen günstige mechanische Eigenschaften aufwei
sen. Als Material für die Schicht eignen sich auch Materialien wie sie in WO-A- 9 726 488,
DE-C-43 44 258 und DE-A-195 06 188 beschrieben sind. Besonders
bevorzugt ist eine Schicht aus Titanoxycarbonitrid oder Titanoxynitrid, insbeson
dere aus Titanoxycarbonitrid.
Der Mittelwert der Dicke der variierenden Schicht liegt vorzugsweise im Bereich
von 10 bis 10000 nm, bevorzugt von 30 bis 4000 nm, ganz bevorzugt von 50 bis
2000 nm. Die Abweichung vom Mittelwert durch Schichtdickenänderung liegt
hierbei im Bereich von (±) 1 bis 60%, insbesondere 2 bis 30%, stärker bevorzugt
3 bis 15%. Die genannte Schichtdicke sorgt dafür, daß auch Biegungen des
Strahlungsenergie-Wandlers ohne Beschädigung toleriert werden können.
Eine Änderung der chemischen Zusammensetzung der variierenden Schicht kann
vom Fachmann im Rahmen fachüblicher Versuche erreicht werden. In einer be
vorzugten Ausführungsform wird diese Änderung bei Schichten aus Metallver
bindungen über eine Änderung des Anteils an wenigstens einer Komponente, aus
gewählt aus Stickstoff, Sauerstoff und Kohlenstoff, erreicht. In einer anderen be
vorzugten Ausführungsform ist bei Schichten aus wenigstens zwei verschiedenen
Metallen der Anteil der Metalle zueinander verändert. Bei einer Änderung in der
chemischen Zusammensetzung kann der Anteil einer Komponente um 1 bis 100
Atom-%, bevorzugt um 10 bis Atom-30%, bezogen auf das Metall, variieren.
Der Strahlungsenergie-Wandler kann neben der die Strahlung absorbierenden
Schicht eine oder mehrere zusätzliche Schichten, vorzugsweise eine zusätzliche
Schicht, umfassen. Dabei kann die Strahlung absorbierende Schicht mit dieser
zusätzlichen Schicht oder diesen zusätzlichen Schichten überzogen sein. Es be
steht auch die Möglichkeit, daß eine oder mehrere dieser zusätzlichen Schichten
zwischen dem Substrat und der Strahlung absorbierenden Schicht liegen. Von den
zusätzlichen Schichten können eine oder mehrere dieser Schichten in einem Wel
lenlängenbereich oder verschiedenen Wellenlängenbereichen optisch transparent
sein. Derartige Schichten bestehen aus dielektrischen Verbindungen oder Gläsern.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung handelt es sich
bei der variierenden Schicht um die die Strahlung absorbierende Schicht, die ins
besondere so ausgestaltet ist, wie es oben bei der Beschreibung der variierenden
Schicht beschrieben wurde.
In einer anderen bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Schicht als An
tireflexschicht ausgebildet, wie sie beispielsweise beschrieben ist in Goetzberger,
B. Voß, J. Knobloch; Sonnenenergie: Photovoltaik; S. 125-127; B. G. Teubner,
Stuttgart 1994. Bevorzugt besteht eine derartige Schicht aus einem Silizium-
haltigen Glas, Siliziumdioxid oder einem Dielektrikum, beispielsweise ZrO2,
HfO2, Y2O3, TiO2, SiO2, Al2O3, SnO2 oder Si3N4, insbesondere besteht die Antire
flexschicht aus einem Silizium-haltigen Glas, das Li2O, B2O3, F, Na2O, Al2O3,
SiO2, K2O, Fe2O3, Sb2O3 und/oder BaO enthält. Die Schichtdicke der Antireflex
schicht beträgt vorzugsweise 70 bis 120 nm. Es besteht auch die Möglichkeit, daß
eine periodische Änderung der Schichtdicke und/oder chemischen Zusammenset
zung sowohl bei der die Strahlung absorbierenden Schicht als auch bei der Antire
flexschicht vorliegt. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ändert sich
der solare Absorptionsgrad durch die Änderung der Schichtdicke der Antireflex
schicht nicht um mehr als ±2%. Der durchschnittliche Absorptionsgrad, über die
gesamte Fläche gemittelt, ist größer als 90%.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die variierende Schicht des
Strahlungsenergie-Wandlers durch ein Vakuum-Beschichtungsverfahren, bei
spielsweise PVD, PECVD oder CVD, oder durch ein naßchemisches Verfahren
auf ein Substrat aufgebracht worden. Geeignete Substrate sind aus einem Metall,
wie Kupfer, Aluminium, Molybdän, Silber, Gold, Wolfram, Nickel, Chrom, Zir
konium, Titan, Hafnium, Tantal, Niob, Vanadium, Eisen oder deren Legierungen,
wie z. B. Edelstahl. Andere geeignete Substrate bestehen aus einer Keramik, Glas,
Kunststoff, kohlenstofffaserhaltigen Werkstoffen oder Verbundwerkstoffen. Be
vorzugt besteht das Substrat aus Kupfer, Aluminium oder Edelstahl.
In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist der Strahlungse
nergie-Wandler als selektiver Absorber ausgebildet. Insbesondere handelt es sich
hierbei um ein Absorber-Reflektor-Tandern mit einer zusätzlichen Antireflex
schicht.
Zur Herstellung des erfindungsgemäßen Strahlungsenergie-Wandlers wird die
variierende Schicht mittels eines Vakuum-Beschichtungsverfahrens oder eines
naßchemischen Verfahrens auf das Substrat aufgebracht, wobei Vakuum-
Beschichtungsverfahren besonders bevorzugt sind. Zweckmäßigerweise handelt
es sich hierbei um PVD (physical vapour deposition), CVD (chemical vapour
deposition), PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition) oder Ionen
plattieren, insbesondere PVD-Verfahren, wie reaktives Aufdampfen, Sputtern,
reaktive Plasmaprozesse, oder das in DE-A-195 06 188 oder WO-A-9 726 488
beschriebene Verfahren. Allgemein wird zur Aufbringung der Schicht auf das
Substrat insbesondere wie folgt verfahren: Zunächst einmal wird das Substrat in
einer Vakuumkammer positioniert und auf 20 bis 500°C, bevorzugt auf 100 bis
400°C, besonders bevorzugt auf 200 bis 350°C erwärmt. Zur Beschichtung wird
in der Kammer mittels Verdampfung, vorzugsweise Elektronenstrahl-
Verdampfung, bei einem Vakuum von 10-5 bis 10-2 mbar, bevorzugt von 10-4 bis
10-2 mbar, besonders bevorzugt von 10-4 bis 5.10-3 mbar das Metall oder die Le
gierung, wie oben definiert, verdampft. Sollen Metallverbindungen aufgebracht
werden, werden zusätzlich entsprechende Prozeßgase, wie Sauerstoff, Stickstoff
und/oder Kohlenstoff-haltige Gase, wie z. B. Kohlendioxid, Methan oder Ethin, in
die Vakuumkammer eingeleitet.
In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird ein reaktives PVD-
Verfahren eingesetzt, bei dem wenigstens ein Metall mittels einer Verdampfer
quelle verdampft wird. In Abhängigkeit vom Material der variierenden Schicht
wird zweckmäßigerweise wenigstens ein Prozeßgas eingeleitet, das mit dem ver
dampften Metall auf dem Substrat zu der die variierenden Schicht bildenden Ver
bindung reagiert. Zur Erzielung der erfindungsgemäßen Änderung der Dicke
und/oder chemischen Zusammensetzung der variierenden Schicht sind verschie
dene Vorgehensweisen möglich, die im folgenden näher beschrieben werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Substrat relativ zu wenigstens
einer Verdampferquelle bewegt. Dabei wird zwischen wenigstens einer Verdamp
ferquelle und dem Substrat wenigstens eine Maske eingebracht, deren geometri
sche Anordnung ggf. während des Aufbringungsverfahrens periodisch geändert
wird. Bei der Maske kann es sich beispielsweise um eine kamm- oder rechenför
mige Maske oder wellenförmige Maske handeln. Fig. 1a zeigt schematisch die
Durchführung eines Verfahrens zur Erzeugung eines Streifenmusters über die
Änderung der Schichtdicke mittels einer Maske. Hierbei wird durch Einbringen
einer kammförmigen Maske (Grundkamm) zwischen die Verdampfer und dem
sich mit konstanter Geschwindigkeit darüber hinwegbewegenden, zu beschichten
den Band (Substrat) die Länge der Strecke variiert, auf der verdampftes Material
auf dem Band kondensiert. Dabei kann die Maske periodisch über die Bandbreite
bewegt werden. Bei einer geeigneten Maske liegt die Breite der Zinken und der
Abstände dazwischen im Bereich von 1 bis 40 cm, vorzugsweise von 3 bis 9 cm.
Wie in Fig. 1b gezeigt, wird dabei die maximale Beschichtungsbreite L2, auf der
ohne Maske Verdampfermaterial auf dem Band kondensieren kann, durch die
Maske mit Zinken der Länge L1 um maximal 60%, vorzugsweise um 1 bis 20%
reduziert. Abhängig von der Verdampfungscharakteristik der eingesetzten Ver
dampfer wird dadurch die Schichtdicke an den Stellen, an denen die Maske ein
wirkt, um den Betrag verkleinert, um die die maximal bedampfbare Strecke redu
ziert wird. So zeigt Fig. 1c einen Querschnitt durch ein gemäß Fig. 1a beschich
tetes Band, das einen bevorzugten Strahlungsenergie-Wandler mit einer die
Strahlung absorbierenden Schicht 1 und einer Antireflexschicht 2 darstellt. Wäh
rend die Schicht 1 eine konstante Dicke aufweist, ändert sich die Dicke der
Schicht 2 um 1 bis 60%. Abhängig vom Abstand h der Maske zum zu beschich
tenden Band kann auch ein fließender Übergang zwischen den Streifen erzeugt
werden. Je größer der Abstand ist, desto weicher ist der Übergang. So ändert sich
bei dem Strahlungsenergie-Wandler von Fig. 1d die Dicke der Schicht 2 stetig, so
daß ein fließender Übergang im Farbeindruck oder in der Helligkeit entsteht. Die
ser Effekt kann auch durch die Verwendung einer wellenförmigen Maske erzielt
werden, wie in Fig. 1e gezeigt.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird auf eine Strahlung
absorbierende Schicht als variierende Schicht eine Antireflexschicht aufgebracht,
wobei die Maske nur beim Aufbringen dieser Schicht eingeführt wird. Dadurch
verschiebt sich die Wellenlänge, bei der die maximale Reflexionsminderung auf
tritt, in den kurzwelligeren Bereich, so daß ein anderer Farbeindruck entsteht.
Dies wird eingehend in WO-A-9 726 488 beschrieben. Auf diese Weise wird ein
Strahlungsenergie-Wandler erzeugt, der für das Auge ein Streifenmuster entlang
der Bewegungsrichtung des Substrats zeigt. Beispielsweise lassen sich dadurch
bei einem selektiven Absorber Streifen von abwechselnd blau (Reflexionsmini
mum bei 600 nm) und hellblau (Reflexionsminimum bei 650 nm) oder zum Bei
spiel blau (Reflexionsminimum bei 600 nm) und rotviolett (Reflexionsminimum
bei 550 nm) erzeugen.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform besteht das Substrat aus Kup
fer oder Aluminium mit einer Dicke von 0,12 bis 0,6 mm, die Absorberschicht
besteht aus einer Titancarboxynitrid-Schicht oder Titanoxynitrid-Schicht mit einer
Dicke von 30 bis 120 nm und die Antireflexschicht besteht aus SiO2 mit einer
Dicke von 30 bis 200 nm. Dabei wird sowohl die Absorberschicht wie auch die
Antireflexschicht im Roll-Coating-Aufdampfverfahren mittels Elektronenstrahl
verdampfern bei einer Substrattemperatur zwischen 20°C und 400°C aufgebracht.
Der Abstand zwischen Verdampfern und Substrat beträgt zwischen 0,3 m und 0,9 m.
Die Länge L2 des maximalen Beschichtungsbereichs (vgl. Fig. 1b oder 1e)
liegt zwischen 0,3 m und 2 m. Das Verhältnis der Zinkenlänge L1 zur Länge L2
des Beschichtungsbereichs L1/L2 (vgl. Fig. 1b oder 1e) liegt zwischen 10 und
40%. Der Abstand h zwischen Maske und Substrat beträgt zwischen 0,01 m und
0,2 m.
Bei Verwendung einer Maske mit verschieden langen Zinken lassen sich auch
Streifen mit mehr als 2 verschiedenen Farben erzeugen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird nicht die Schichtdicke der
Antireflexschicht, sondern die Schichtdicke der Absorberschicht periodisch vari
iert, wie in Fig. 1f gezeigt anhand Schicht 1 (Absorberschicht) und Schicht 2
(Antireflexschicht). Dabei wird die Maske nur beim Aufbringen der Absorber
schicht eingeführt: Aus so lassen sich verschiedenfarbige Streifen erzeugen, da
das optische System des Reflektor-Absorber-Tandems hier periodisch variiert.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird sowohl die Schichtdicke der
Antireflexschicht als auch der Absorberschicht variiert, wobei die Variation der
Schichtdicke auch unterschiedliche Perioden und Phasenlagen aufweisen kann.
In weiteren bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung wird die gewünschte
Änderung der Schichtdicke und/oder chemischen Zusammensetzung über die
geometrische Anordnung von wenigstens zwei Verdampferquellen erreicht, deren
geometrische Anordnung ggf. periodisch geändert werden kann. Insbesondere
kann auch die Aufdampfrate von wenigstens einem verdampften Metall peri
odisch geändert werden. In einer alternativen bevorzugten Ausgestaltung der Er
findung, bei der wenigstens ein Prozeßgas eingeleitet wird, wird die gewünschte
Änderung der Schichtdicke und/oder chemischen Zusammensetzung der variie
renden Schicht über die geometrische Anordnung von wenigstens zwei Gasdüsen
zur Einleitung von Prozeßgasen erreicht, wobei deren geometrische Anordnung
ggf. wiederum periodisch geändert werden kann. Es besteht auch die Möglichkeit,
daß hier der Gasfluß von wenigstens einem Prozeßgas periodisch geändert wird
oder daß bei Einleiten von wenigstens zwei unterschiedlichen Prozeßgasen die
Gaszusammensetzung periodisch geändert wird. Auf diese Weise wird eine Ände
rung der chemischen Zusammensetzung der variierenden Schicht erzielt.
Fig. 2 zeigt ein weiteres bevorzugtes Ausführungsbeispiel, bei dem ein Strah
lungsenergie-Wandler mit einem Streifenmuster über periodisch angebrachte
Gasdüsen erzeugt wird. Aus Rother/Vetter, Plasma-Beschichtungsverfahren und
Hartstoffschichten, S. 188, Leipzig 1992, ist bekannt, daß der Farbeindruck von
Titancarbonitridschichten von der Zusammensetzung der Schicht abhängig ist wie
folgt:
So wird in Fig. 2 ein Rechen aus Gasdüsen zwischen dem Substrat und den Ver
dampfern eingebracht, bei dem abwechselnd aus einer Düse Stickstoff (Gas 1)
und aus der nächsten Düse Methan (Gas 2) eingeleitet wird. Es ist auch möglich,
unterschiedliche Gasgemische einzuleiten. Dadurch ändert sich die Gasverteilung
über dem Substrat periodisch und bei der Reaktion mit dem verdampften Metall
entstehen Verbindungen unterschiedlicher chemischer Zusammensetzung, was bei
Draufsicht den Eindruck eines Streifenmusters vermittelt. Hierbei kann z. B. ein
Muster aus silbernen und goldenen Streifen erzeugt werden.
Fig. 3a zeigt eine Apparatur zur Herstellung eines Strahlungsenergie-Wandlers
mit Karomuster mittels Masken. Wie in Fig. 1a wird auch in Fig. 3a eine kamm
förmige Maske verwendet. Zusätzlich dazu werden senkrecht zu den Zinken des
Kammes Metallstreifen mit derselben Geschwindigkeit wie das zu beschichtende
Band (Substrat) bewegt. Auf dem Rückweg der Metallstreifen klappen diese
durch die Schwerkraft nach unten, so daß sie die Bedampfung nicht beeinflussen.
Daher bezeichnet man dieses Bauteil auch als Klappkamm. Ist der Weg der Me
tallstreifen gleich dem der Länge des Zinken des Kamms, so entsteht ein Karomu
ster mit nur zwei Farbschattierungen, vgl. Fig. 3b. Ist der Weg dagegen ungleich
dem der Zinken des Kamms, so entsteht ein Muster mit drei verschiedenen Far
beindrücken. Mit Hilfe eines Klappkammes ist es auch möglich, beliebige Muster
auf das Substrat aufzubringen, wie z. B. Schriftzüge. Dabei wird in die Klappen
eine Öffnung in Form des gewünschten Musters eingebracht.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird bevorzugt als In-Line- oder Roll-Coating-
Verfahren durchgeführt.
Die erfindungsgemäßen Strahlungsenergie-Wandler finden Verwendung in Son
nenkollektoren und/oder als dekorative Schicht. Insbesondere eignen sie sich in
Sonnenkollektoren, beispielsweise als Dach- und Fassadenverkleidungen für Häu
ser und andere Bauobjekte, insbesondere Hochhäuser und Bürohäuser. Der erfin
dungsgemäße Strahlungsenergie-Wandler kann auch in ein Fensterelement inte
griert sein, das aneinandergereiht oder flächig kombiniert werden können. Auch
auf öffentlichen Plätzen oder in Schwimmbädern kann er eingesetzt werden. Hier
bei wird der gewünschte dekorative Effekt mit gleichzeitiger Energiegewinnung
kombiniert. Der erfindungsgemäße Strahlungsenergie-Wandler ist natürlich in
jeder Art von Kollektoren einsetzbar, insbesondere für Vakuum-, Flach- oder
Röhrenkollektoren.
Anders als bei der CH-Patentschrift 581 812, bei der Erhöhungen im Substrat
vorliegen, handelt es sich erfindungsgemäß um Änderungen in der Dicke oder
Zusammensetzung einer Schicht, also - im Sinne der CH 581 812 - um Änderun
gen in der Dicke oder chemischen Zusammensetzung einer Schicht der sonnenbe
strahlbaren Kollektorfläche.
Claims (20)
1. Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler zur Umwandlung von Strah
lungsenergie in Wärmeenergie, der ein Substrat aufweist, das mit einer
oder mehreren Schichten wenigstens teilweise überzogen ist, von denen
wenigstens eine als Strahlung absorbierende Schicht ausgebildet ist, da
durch gekennzeichnet, daß sich die Dicke und/oder die chemische Zu
sammensetzung von wenigstens einer der Schichten parallel zur Oberflä
che des Substrats periodisch ändert.
2. Strahlungsenergie-Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sich die Dicke und/oder chemische Zusammensetzung der wenig
stens einen Schicht in einem periodischen Abstand im Bereich von 1 bis
40 cm ändert.
3. Strahlungsenergie-Wandler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß er an jeden Punkt seiner Oberfläche bezüglich Schicht
dicke und chemischer Zusammensetzung gleich ist wie am Punkt ' mit
' = + n1 1 + 1 + n2 2 + 2,
wobei 1 und 2 fundamentale Translationsvektoren sind, 1 und 2 Dif ferenzvektoren sind, und n1 und n2 beliebige ganze Zahlen sind, wobei gilt:
||/|| ≦ 25%.
' = + n1 1 + 1 + n2 2 + 2,
wobei 1 und 2 fundamentale Translationsvektoren sind, 1 und 2 Dif ferenzvektoren sind, und n1 und n2 beliebige ganze Zahlen sind, wobei gilt:
||/|| ≦ 25%.
4. Strahlungsenergie-Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß es sich bei der wenigstens einen Schicht um eine
Antireflexschicht handelt.
5. Strahlungsenergie-Wandler nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,
daß die Antireflexschicht aus einem Silizium-haltigen Glas, Siliziumdi
oxid oder einem Dielektrikum ausgewählt aus ZrO2, HfO2, Y2O3, TiO2,
SiO2, Al2O3, SnO2 oder Si3N4 besteht, insbesondere aus einem Silizium-
haltigen Glas, das Li2O, B2O3, F, Na2O, Al2O3, SiO2, K2O, Fe2O3, Sb2O3
und/oder BaO enthält.
6. Strahlungsenergie-Wandler nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß es sich bei der wenigstens einen Schicht um eine
Strahlung absorbierende Schicht handelt.
7. Strahlungsenergie-Wandler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die die Strahlung absorbierende Schicht eine Verbindung zwischen
einem oder mehreren Metallen der Nebengruppenelemente des Perioden
systems mit Stickstoff und/oder Sauerstoff und/oder Kohlenstoff enthält,
insbesondere daß sie Titanoxycarbonitrid oder Titanoxynitrid aufweist.
8. Strahlungsenergie-Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß der Mittelwert der Dicke der wenigstens ei
nen Schicht im Bereich von 10 bis 10000 nm liegt, wobei für die periodi
sche Änderung die Abweichung vom Mittelwert im Bereich von (±) 1
bis 60% liegt.
9. Strahlungsenergie-Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß eine oder mehrere der Schichten durch ein
Vakuumbeschichtungsverfahren oder naßchemisches Verfahren auf das
Substrat aufgebracht worden sind.
10. Strahlungsenergie-Wandler nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet,
daß das Substrat aus einem Metall, einer Metallegierung, einer Keramik,
Glas, Kunststoff, einem kohlenstofffaserhaltigen Werkstoff oder einem
Verbundwerkstoff besteht.
11. Strahlungsenergie-Wandler nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß er als selektiver Absorber ausgebildet ist.
12. Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsenergie-Wandlers nach einem
der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine oder
mehrere Schichten, von denen wenigstens eine als Strahlung absorbie
rende Schicht ausgebildet wird, mittels eines Vakuumbeschichtungsver
fahrens oder naßchemischen Verfahrens derart auf ein Substrat aufge
bracht werden, daß sich die Schichtdicke und/oder die chemische Zu
sammensetzung von wenigstens einer der Schichten parallel zur Oberflä
che des Substrats periodisch ändert.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Vakuum
beschichtungsverfahren ein reaktives PVD-Verfahren eingesetzt wird, bei
dem wenigstens ein Metall mittels einer Verdampferquelle verdampft
wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat
relativ zu wenigstens einer der Verdampferquellen bewegt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß zwi
schen wenigstens einer der Verdampferquellen und dem Substrat wenig
stens eine Maske eingebracht wird, deren geometrische Anordnung ggf.
periodisch geändert wird.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet,
daß die periodische Änderung der Schichtdicke und/oder chemischen Zu
sammensetzung über die geometrische Anordnung von wenigstens zwei
Verdampferquellen erreicht wird, deren geometrische Anordnung ggf.
periodisch geändert wird.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet,
daß die Aufdampfrate von wenigstens einem verdampften Metall peri
odisch geändert wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens ein Prozeßgas eingeleitet wird, das mit dem verdampften
Metall auf dem Substrat zu der die Schicht bildenden Verbindung rea
giert, wobei die periodische Änderung der Schichtdicke und/oder chemi
schen Zusammensetzung über die geometrische Anordnung von wenig
stens zwei Gasdüsen zur Einleitung von Prozeßgasen erreicht wird, deren
geometrische Anordnung ggf. periodisch geändert wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens ein Prozeßgas eingeleitet wird, das mit dem verdampften
Metall auf dem Substrat zu der die Schicht bildenden Verbindung rea
giert, wobei der Gasfluß von wenigstens einem Prozeßgas periodisch ge
ändert wird oder daß bei Einleitung von wenigstens zwei unterschiedli
chen Prozeßgasen die Gaszusammensetzung periodisch geändert wird.
20. Verwendung eines Strahlungsenergie-Wandlers nach einem der Ansprü
che 1 bis 11 oder hergestellt gemäß einem der Ansprüche 12 bis 19, in
einem Sonnenkollektor und/oder als dekorative Schicht.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10058931A DE10058931A1 (de) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler |
PCT/EP2001/013752 WO2002044629A1 (de) | 2000-11-28 | 2001-11-26 | Gemusterter strahlungsenergie-wandler |
AU2002221894A AU2002221894A1 (en) | 2000-11-28 | 2001-11-26 | Patterned radiation energy converter |
EP01998779A EP1340026A1 (de) | 2000-11-28 | 2001-11-26 | Gemusterter strahlungsenergie-wandler |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10058931A DE10058931A1 (de) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10058931A1 true DE10058931A1 (de) | 2002-06-20 |
Family
ID=7664900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10058931A Ceased DE10058931A1 (de) | 2000-11-28 | 2000-11-28 | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1340026A1 (de) |
AU (1) | AU2002221894A1 (de) |
DE (1) | DE10058931A1 (de) |
WO (1) | WO2002044629A1 (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004019061B4 (de) * | 2004-04-20 | 2008-11-27 | Peter Lazarov | Selektiver Absorber zur Umwandlung von Sonnenlicht in Wärme, ein Verfahren und eine Vorrichtung zu dessen Herstellung |
DE102011075081A1 (de) * | 2010-12-07 | 2012-06-14 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Organisches lichtemittierendes Leuchtmittel, sowie Vorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19601238A1 (de) * | 1996-01-15 | 1997-07-24 | Miladin Dr Lazarov | Farbiger Strahlungsenergie-Wandler, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH581812A5 (en) | 1975-06-03 | 1976-11-15 | Moser Paul | Flat solar energy collector with modified surface - has square pyramids on surface for facilitating cleaning of surface |
BR7800749A (pt) * | 1977-02-09 | 1978-11-28 | Dornier System Gmbh | Processo para a fabricacao de superficies seletivamente absorventes |
US4309261A (en) * | 1980-07-03 | 1982-01-05 | University Of Sydney | Method of and apparatus for reactively sputtering a graded surface coating onto a substrate |
JPS5773177A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-07 | Seiko Epson Corp | Formation of white surface |
FR2494396A1 (fr) * | 1980-11-19 | 1982-05-21 | Patents Researches Establishme | Produit en feuille a conduction thermique transversale unidirectionnelle et ses applications |
US4582111A (en) * | 1981-06-29 | 1986-04-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Radiation absorbing surfaces |
JPS6053745B2 (ja) * | 1981-07-31 | 1985-11-27 | アルバツク成膜株式会社 | 二元蒸着によつて不均質光学的薄膜を形成する方法 |
JPS5845443A (ja) * | 1981-09-12 | 1983-03-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 太陽熱吸収体 |
JPS60181264A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 製膜方法およびその装置 |
US4797317A (en) * | 1984-09-27 | 1989-01-10 | Gila River Products, Inc. | Solar control window film |
JP3446835B2 (ja) * | 1991-03-27 | 2003-09-16 | Hoya株式会社 | ガラス光学素子用プレス成形型 |
DE4344258C1 (de) * | 1993-12-23 | 1995-08-31 | Miladin P Lazarov | Material aus chemischen Verbindungen mit einem Metall der Gruppe IV A des Periodensystems, Stickstoff und Sauerstoff, dessen Verwendung und Verfahren zur Herstellung |
DE19506188C2 (de) | 1995-02-22 | 2003-03-06 | Miladin Lazarov | Implantat und dessen Verwendung |
ATE270720T1 (de) * | 1995-04-07 | 2004-07-15 | Inst Solartechnik Hochschule R | Verfahren zur beschichtung von sonnenkollektoren |
-
2000
- 2000-11-28 DE DE10058931A patent/DE10058931A1/de not_active Ceased
-
2001
- 2001-11-26 WO PCT/EP2001/013752 patent/WO2002044629A1/de not_active Application Discontinuation
- 2001-11-26 AU AU2002221894A patent/AU2002221894A1/en not_active Abandoned
- 2001-11-26 EP EP01998779A patent/EP1340026A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19601238A1 (de) * | 1996-01-15 | 1997-07-24 | Miladin Dr Lazarov | Farbiger Strahlungsenergie-Wandler, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002221894A1 (en) | 2002-06-11 |
WO2002044629A1 (de) | 2002-06-06 |
EP1340026A1 (de) | 2003-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2646513C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer wärmereflektierenden Natron-Kalk-Silikatglasscheibe | |
EP2231539B1 (de) | Substrat mit einer sol-gel-schicht und verfahren zur herstellung eines verbundmaterials | |
DE102007058927B4 (de) | Substrat mit einer Sol-Gel-Schicht und Verfahren zur Herstellung eines Verbundmaterials sowie dessen Verwendung | |
DE102009022059A1 (de) | Strahlungsselektive Absorberbeschichtung und Absorberrohr mit strahlungsselektiver Absorberbeschichtung | |
DE10150738C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glasrohres mit strahlungsabsorbierender alterungsbeständiger Beschichtung sowie desssen Verwendung | |
DE102007058926B4 (de) | Solarglas und Verfahren zur Herstellung eines Solarglases sowie dessen Verwendung | |
EP3660550A2 (de) | Reflektierendes verbundmaterial mit einem aluminium-träger und mit einer silber-reflexionsschicht | |
DE3119682A1 (de) | "verfahren zur herstellung einer maske fuer die mustererzeugung in lackschichten mittels strahlungslithographie" | |
DE102006007797A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung sowie dessen Verwendung | |
DE2925309A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines vorformlings zur bildung einer lichtleitfaser | |
DE202011003479U1 (de) | Strukturierte Siliziumschicht für ein optoelektronisches Bauelement und optoelektronisches Bauelement | |
DE102012109691B4 (de) | Solarabsorber-Schichtsystem mit Gradientenschicht und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102004060982B3 (de) | Beschichtung für einen Solarabsorber | |
DE10058931A1 (de) | Gemusterter Strahlungsenergie-Wandler | |
DE2347525C3 (de) | Sonnenschutzglas | |
EP1838640B1 (de) | Feinlaminare barriereschutzschicht | |
DE4425140C1 (de) | Strahlungswandler zur Umsetzung von elektromagnetischer Strahlung in Wärme und von Wärme in elektromagnetische Strahlung | |
DE19640800C2 (de) | Wärmedämmendes Schichtsystem für transparente Substrate | |
DE2757750C3 (de) | Wärmereflektierende Scheibe mit TiO↓2↓-Schicht in Rutilmodifikation sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE102007062876A1 (de) | Selektive Solarabsorberschicht und Verfahren für das Herstellen derselben | |
DE2854213A1 (de) | Verfahren zur herstellung von zu isolierscheiben verarbeitbaren, infrarotreflektierenden fensterscheiben und durch das verfahren hergestellte fensterscheiben sowie isolierscheiben | |
DE2925380C2 (de) | Wärmereflektierende, TiO↓2↓-beschichtete Scheibe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung | |
EP1754690B1 (de) | Verglasungselement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10042194B4 (de) | Wärmereflektierendes Schichtsystem für transparente Substrate und Verfahren zur Herstellung | |
AT408979B (de) | Verglasungsscheibe und verfahren zu ihrer herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: TINOX GMBH ENTWICKLUNG UND PRODUKTION SOLARER ENER |
|
8131 | Rejection |