JPS60181264A - 製膜方法およびその装置 - Google Patents
製膜方法およびその装置Info
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- JPS60181264A JPS60181264A JP3404684A JP3404684A JPS60181264A JP S60181264 A JPS60181264 A JP S60181264A JP 3404684 A JP3404684 A JP 3404684A JP 3404684 A JP3404684 A JP 3404684A JP S60181264 A JPS60181264 A JP S60181264A
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- JP
- Japan
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- substrate
- mask plate
- film
- vapor deposition
- evaporation
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は蒸着材料を飛翔させて膜を形成する製膜方法お
よびその装置に関し、特に基板上の蒸着膜の膜厚に分布
をもたせることを可能にする製膜方法およびその装置に
関するものである。
よびその装置に関し、特に基板上の蒸着膜の膜厚に分布
をもたせることを可能にする製膜方法およびその装置に
関するものである。
従来技術
真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティング等の
方法により蒸着材料を飛翔させて基板上に薄膜を形成す
る従来技術においては、蒸着材料を基板上に一様に分布
させ、均一な膜厚を有する薄膜を得ることが行なわれて
きた。
方法により蒸着材料を飛翔させて基板上に薄膜を形成す
る従来技術においては、蒸着材料を基板上に一様に分布
させ、均一な膜厚を有する薄膜を得ることが行なわれて
きた。
一方、（イ）基板上のある点の膜厚を最大にし、他の任
意の点での膜厚は前記の点から離れるに従い薄（なって
いくもの、（ロ）基板上のある線の膜厚を最大にし、他
の任意の点での膜厚は前記の線から離れるに従い薄くな
っていくもの、等は膜厚の差による反射率の違いを利用
することにより、例えば、ＣＲＴでの画像再生時におけ
る位置決めセンサーとして利用価値がある。
意の点での膜厚は前記の点から離れるに従い薄（なって
いくもの、（ロ）基板上のある線の膜厚を最大にし、他
の任意の点での膜厚は前記の線から離れるに従い薄くな
っていくもの、等は膜厚の差による反射率の違いを利用
することにより、例えば、ＣＲＴでの画像再生時におけ
る位置決めセンサーとして利用価値がある。
しかしながら、上記の如き所定の膜厚分布を有する薄膜
は従来技術では製造することができなかった。
は従来技術では製造することができなかった。
■ 発明の目的
本発明の第１の目的は、所望の膜厚分布を有する薄膜を
得ることを可能にした製膜方法を提供することである。
得ることを可能にした製膜方法を提供することである。
本発明の第２の目的は、上記製膜方法に適する製膜装置
を提供することである。
を提供することである。
■ 発明の具体的構成
本発明の上記第１の目的は、蒸着材料を飛翔させて基板
上に膜を形成する製膜方法において、蒸発源と前記基板
を設置した基板支持体との間に所定形状の開口部を有す
るマスク板を設け、前記基板支持体と前記マスク板の少
なくとも一方を駆動させ前記基板と前記マスク板を相対
的な周期運動させながら、前記基板上に膜を形成するこ
とを特徴とする製膜方法により達成される。
上に膜を形成する製膜方法において、蒸発源と前記基板
を設置した基板支持体との間に所定形状の開口部を有す
るマスク板を設け、前記基板支持体と前記マスク板の少
なくとも一方を駆動させ前記基板と前記マスク板を相対
的な周期運動させながら、前記基板上に膜を形成するこ
とを特徴とする製膜方法により達成される。
本発明の上記第２の目的は、蒸着材料を飛翔させて基板
上に膜を形成する製膜装置において、真空槽内に設けた
蒸発源と、該蒸発源に対向する位置に前記基板を支持す
る基板支持体と、前記蒸発源と前記基板支持体に設置し
た基板との間に所定形状の開口部を有するマスク板とを
設け、前記基板支持体と前記マスク板の少なくとも一方
に周期運動をする駆動機構を設けたことを特徴とする製
膜装置により達成される。
上に膜を形成する製膜装置において、真空槽内に設けた
蒸発源と、該蒸発源に対向する位置に前記基板を支持す
る基板支持体と、前記蒸発源と前記基板支持体に設置し
た基板との間に所定形状の開口部を有するマスク板とを
設け、前記基板支持体と前記マスク板の少なくとも一方
に周期運動をする駆動機構を設けたことを特徴とする製
膜装置により達成される。
以下、本発明を実施するための装置について図面を用い
て説明する。
て説明する。
第１図に前記装置の一例を示す。図において、真空槽１
は、排気系２により真空度Ｉ Ｘ １Ｏ−５（Ｔｂｒｒ
：］以上に排気される如くなっている。蒸着材料３は加
熱装置４により加熱され飛翔蒸気を発生し、蒸発源を形
成する。ここで、加熱装置４としては、抵抗加熱法、電
子ビーム法、レーザービーム法、イオンビーム法等任意
の加熱方式が採用できる。
は、排気系２により真空度Ｉ Ｘ １Ｏ−５（Ｔｂｒｒ
：］以上に排気される如くなっている。蒸着材料３は加
熱装置４により加熱され飛翔蒸気を発生し、蒸発源を形
成する。ここで、加熱装置４としては、抵抗加熱法、電
子ビーム法、レーザービーム法、イオンビーム法等任意
の加熱方式が採用できる。
本発明でいう「飛翔」とは種々の方法により蒸着材料が
飛翔空間を経て基板上に被着することをいうものである
。
飛翔空間を経て基板上に被着することをいうものである
。
また、蒸着材料３としては、公知の薄膜形成材 ５−
料に用いられる金属、金属化合物、合金等が使用でき、
例えば、位置決めセンサーを形成する場合には、式、Ｖ
ｖ％Ｍ、 Ｓｒ等の金属、それらの合金、酸化物、フッ
化物、硫化物等である。
例えば、位置決めセンサーを形成する場合には、式、Ｖ
ｖ％Ｍ、 Ｓｒ等の金属、それらの合金、酸化物、フッ
化物、硫化物等である。
基板５は、基板支持体６上前記蒸発源側にピン等を介し
て設置される。該基板５と蒸発源との間に、両者を結ぶ
線に対し鉛直にマスク板７を設置し、該マスク板には所
定形状の開口部７ａが設けられている。さらに、前記基
板支持体６と前記マスク板７の少なくとも一方は駆動機
構８により周期運動をする如くなっている。駆動機構８
は、モーターの回転を直接または複数の歯車等を組み合
わせて適度の速度に調節して回転運動を与えるもの、あ
るいはまた、モーターの回転をカム、ロンドを介して往
復運動に変換して、前記基板支持体６および／または前
記マスク板７に周期運動を与えるものである。
て設置される。該基板５と蒸発源との間に、両者を結ぶ
線に対し鉛直にマスク板７を設置し、該マスク板には所
定形状の開口部７ａが設けられている。さらに、前記基
板支持体６と前記マスク板７の少なくとも一方は駆動機
構８により周期運動をする如くなっている。駆動機構８
は、モーターの回転を直接または複数の歯車等を組み合
わせて適度の速度に調節して回転運動を与えるもの、あ
るいはまた、モーターの回転をカム、ロンドを介して往
復運動に変換して、前記基板支持体６および／または前
記マスク板７に周期運動を与えるものである。
基板５の形状は、その目的、規模等に応じて、例えば、
円形、正方形、長方形、円筒形等任意に選択でき、その
材質は、ポリエチレンテレフタレ４− 一ト、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリプロ
ピレン、セルローストリアセテート、ポリイミド、ポリ
カーボネート等のプラスチック類、Ｃｕ。
円形、正方形、長方形、円筒形等任意に選択でき、その
材質は、ポリエチレンテレフタレ４− 一ト、ポリエチレン−２，６−ナフタレート、ポリプロ
ピレン、セルローストリアセテート、ポリイミド、ポリ
カーボネート等のプラスチック類、Ｃｕ。
Ａ４ Ｚｎ等の金属、ガラス、ニー−セラミック（例え
ば、窒化ホウ素、炭化ケイ素等）等任意のものが用いら
れる。
ば、窒化ホウ素、炭化ケイ素等）等任意のものが用いら
れる。
前記マスク板７は、真空槽１内を汚染しない材質、例え
ば、ＳＵＳあるいは表面をテフロン加工等した種々の薄
板等からなり、蒸発源からの蒸着材料３の飛翔気流を制
御するものである。該マスク板７に設げられた開口部７
ａの形状は、例えば、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、
（ｄ）、（ｅＪに示す如く種々の開口率分布を有するも
のが用いることができる。第２図（ａ）に示すスリット
屋開口部７ａを有するマスク板７を用いる場合、基板５
および／またはマスク板７を回転させながら蒸着材料３
を飛翔させることにより基板５上に形成される薄膜は中
心部が厚く、端部に向かって連続的に薄くなる膜厚分布
を有するものが得られる。第２図（ｂ）および第２図（
６）に示されるマスク板７を用いる場合も第２図（ａ）
に示されるものを用いる場合と同じ操作で同様の薄膜が
得られ、第２図ｆｂ）のものは特に膜厚分布の傾斜が大
きなものが得られる。第２図（Ｃ）および第２図（ｄ）
に示されるマスク板７を用いる場合、基板５とマスク板
７とを図に向かって上下方向に相対的に往復運動させな
がら基板５上に薄膜を形成することにより、第２図（Ｃ
）のマスク板７を用いた場合、図に向かって左に薄く右
に厚い左右方向に膜厚分布を有する薄膜が、第２図ｆｄ
）のマスク板７を用いた場合、図に向かって上に薄く、
下に厚い上下方向に膜厚分布を有する薄膜がそれぞれ得
られる。
ば、ＳＵＳあるいは表面をテフロン加工等した種々の薄
板等からなり、蒸発源からの蒸着材料３の飛翔気流を制
御するものである。該マスク板７に設げられた開口部７
ａの形状は、例えば、第２図（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、
（ｄ）、（ｅＪに示す如く種々の開口率分布を有するも
のが用いることができる。第２図（ａ）に示すスリット
屋開口部７ａを有するマスク板７を用いる場合、基板５
および／またはマスク板７を回転させながら蒸着材料３
を飛翔させることにより基板５上に形成される薄膜は中
心部が厚く、端部に向かって連続的に薄くなる膜厚分布
を有するものが得られる。第２図（ｂ）および第２図（
６）に示されるマスク板７を用いる場合も第２図（ａ）
に示されるものを用いる場合と同じ操作で同様の薄膜が
得られ、第２図ｆｂ）のものは特に膜厚分布の傾斜が大
きなものが得られる。第２図（Ｃ）および第２図（ｄ）
に示されるマスク板７を用いる場合、基板５とマスク板
７とを図に向かって上下方向に相対的に往復運動させな
がら基板５上に薄膜を形成することにより、第２図（Ｃ
）のマスク板７を用いた場合、図に向かって左に薄く右
に厚い左右方向に膜厚分布を有する薄膜が、第２図ｆｄ
）のマスク板７を用いた場合、図に向かって上に薄く、
下に厚い上下方向に膜厚分布を有する薄膜がそれぞれ得
られる。
また、第２図（ａ）に示されるマスク板７を用い、基板
５および／またはマスク板７を変速ギヤ、変速カム等を
用いて往復運動の速度を周期的に変化させることにより
、運動方向に膜厚分布を有する薄膜を得ることもでき、
同様の方法で第２図（ｂ）および第２図ＦＣ）のマスク
板７を用いれば、運動方向の膜厚分布以外に運動方向に
垂直な開口部７ａに応じた膜厚分布も得られ、二次元的
な膜厚分布の制御も可能である。
５および／またはマスク板７を変速ギヤ、変速カム等を
用いて往復運動の速度を周期的に変化させることにより
、運動方向に膜厚分布を有する薄膜を得ることもでき、
同様の方法で第２図（ｂ）および第２図ＦＣ）のマスク
板７を用いれば、運動方向の膜厚分布以外に運動方向に
垂直な開口部７ａに応じた膜厚分布も得られ、二次元的
な膜厚分布の制御も可能である。
さらに、マスク板７を前記基板５と蒸発源との間に所定
の間隔をおいて重ねる如くして複数用いることも膜厚分
布の傾斜を滑らかにする目的等に有効である。
の間隔をおいて重ねる如くして複数用いることも膜厚分
布の傾斜を滑らかにする目的等に有効である。
なお、本発明では前述の如く、基板５およびマスク板７
の少なくとも一方を駆動させ、基板５とマスク板７とが
相対的な周期運動をする関係により効率的に目的を達せ
られるものであるが、相対的な周期運動を得るために蒸
発源を移動させることによっても類似の効果を期待でき
る。
の少なくとも一方を駆動させ、基板５とマスク板７とが
相対的な周期運動をする関係により効率的に目的を達せ
られるものであるが、相対的な周期運動を得るために蒸
発源を移動させることによっても類似の効果を期待でき
る。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明を実施例により、さらに具体的に説明する
が、本発明がこれにより限定されるものではない。
が、本発明がこれにより限定されるものではない。
実施例１
中心部の膜厚が大きく、端部方向に連続的に膜厚の減少
する円形位置決めセンサー用反射板の製造 第１図に示した装置において要部を拡大した第３図に示
した如くの配置、即ち、蒸発源と基板支になるように第
２図（ａ）に示したマスク板７を設置する。ここで前記
基板支持体６には回転軸を介してモーターの回転運動を
伝達する駆動装置８の回転軸が、基板支持体６０回転中
心、該基板支持体６上に設置された円形の基板５の回転
中心に一致するように設けられている。さらに、この回
転中心の延長線上に前記マスク板７の開口部７ａの中心
、蒸着材料３としてのＡＩと加熱装置４からなる蒸発源
の中心が位置するように設置されている。
する円形位置決めセンサー用反射板の製造 第１図に示した装置において要部を拡大した第３図に示
した如くの配置、即ち、蒸発源と基板支になるように第
２図（ａ）に示したマスク板７を設置する。ここで前記
基板支持体６には回転軸を介してモーターの回転運動を
伝達する駆動装置８の回転軸が、基板支持体６０回転中
心、該基板支持体６上に設置された円形の基板５の回転
中心に一致するように設けられている。さらに、この回
転中心の延長線上に前記マスク板７の開口部７ａの中心
、蒸着材料３としてのＡＩと加熱装置４からなる蒸発源
の中心が位置するように設置されている。
上記の如き位置関係にある装置において、真空槽１内の
圧力３ Ｘ １０−’（Ｔｏｒｒ〕、基板５の回転速度
２６ｒＩ）ｍ、開口部７ａのスリット幅５〜１０朋、長
さ１゜αの条件でＡｌ蒸着材料を抵抗加熱により蒸発、
飛翔させ、中心部９９．８％、端部５％の反射率を有し
、中心部から端部にかけて連続的に膜厚の減少する半径
５ｃＩｆＬの円形位置決めセンサー用反射板を得た。
圧力３ Ｘ １０−’（Ｔｏｒｒ〕、基板５の回転速度
２６ｒＩ）ｍ、開口部７ａのスリット幅５〜１０朋、長
さ１゜αの条件でＡｌ蒸着材料を抵抗加熱により蒸発、
飛翔させ、中心部９９．８％、端部５％の反射率を有し
、中心部から端部にかけて連続的に膜厚の減少する半径
５ｃＩｆＬの円形位置決めセンサー用反射板を得た。
なお、反射率は小西六写真工業（株）製マイクロデンシ
トメータＰＤＭ５で測定した。
トメータＰＤＭ５で測定した。
実施例２
幅方向に膜厚の変化する矩形位置決めセンサー用反射板
の製造 第４図に要部を示した装置、即ち、蒸発源と基板支持体
６上蒸発源に対向して設置された矩形基板５との間に、
両者を結ぶ方向に対し直交し、基板５と平行になるよう
に第２図（ａ）に示したマスク板７を設置する。ここで
マスク板７には、モーターの回転運動をカム、ロンドを
介して第４図に示した方向（基板幅方向）の往復運動に
変換し、その正逆の移動速度が、正方向の移動速度、遅
−中一速一中一連、逆方向の移動速度、遅−中一速一中
一遅の一往復運動を行なわせる駆動装置８′が設けられ
ると共に該マスク板７を所定方向にのみ往復運動させる
ガイドレール９が設けられている。
の製造 第４図に要部を示した装置、即ち、蒸発源と基板支持体
６上蒸発源に対向して設置された矩形基板５との間に、
両者を結ぶ方向に対し直交し、基板５と平行になるよう
に第２図（ａ）に示したマスク板７を設置する。ここで
マスク板７には、モーターの回転運動をカム、ロンドを
介して第４図に示した方向（基板幅方向）の往復運動に
変換し、その正逆の移動速度が、正方向の移動速度、遅
−中一速一中一連、逆方向の移動速度、遅−中一速一中
一遅の一往復運動を行なわせる駆動装置８′が設けられ
ると共に該マスク板７を所定方向にのみ往復運動させる
ガイドレール９が設けられている。
上記の如き装置において、真空槽１内の圧力２０ｃＩｒ
Ｌ／秒）の条件で、Ｍ蒸着材料を抵抗加熱により蒸発、
飛翔させ、各部の反射率において厚い部分９９％、中間
部分３０％、薄い部分５％となる薄膜の幅方向中央で最
小で、両端部方向に連続的に増加する矩形位置決めセン
サー用反射板を得た。
Ｌ／秒）の条件で、Ｍ蒸着材料を抵抗加熱により蒸発、
飛翔させ、各部の反射率において厚い部分９９％、中間
部分３０％、薄い部分５％となる薄膜の幅方向中央で最
小で、両端部方向に連続的に増加する矩形位置決めセン
サー用反射板を得た。
本実施例の往復運動の場合、基本的なマスク板７の運動
パターンは第５図（ａ）の如くとなる。さらに、位置と
絶対速度に関するグラフで表わすと第５図（ｂ）の如き
山型のプロファイルとなる。ここで、絶対速度−００点
、即ち、図に向かって右端、左端が往復運動の折り返し
点で膜厚が最大となり、絶対速度が最大の点、即ち、速
度分布の山型プロファイルの頂部に対応する薄膜幅方向
中央部の位置で膜厚が最小となる。また、膜厚、反射率
およびマスク板移動速度との間には下記の如き近似的関
係がある。
パターンは第５図（ａ）の如くとなる。さらに、位置と
絶対速度に関するグラフで表わすと第５図（ｂ）の如き
山型のプロファイルとなる。ここで、絶対速度−００点
、即ち、図に向かって右端、左端が往復運動の折り返し
点で膜厚が最大となり、絶対速度が最大の点、即ち、速
度分布の山型プロファイルの頂部に対応する薄膜幅方向
中央部の位置で膜厚が最小となる。また、膜厚、反射率
およびマスク板移動速度との間には下記の如き近似的関
係がある。
膜厚■反射率■１速度１
膜厚分布を薄膜幅方向に点線で示すと第５図（ｂ）に示
す如くの中央に薄く端部に厚い分布となる。
す如くの中央に薄く端部に厚い分布となる。
■ 発明の具体的効果
以上説明した如く、本発明においては、中心部から円形
３６０°方向に膜厚分布変化をつけたもの、あるいは、
矩形幅方向（または長さ方向）に膜厚分布変化をつけた
もの等の薄膜が容易に得られるものである。
３６０°方向に膜厚分布変化をつけたもの、あるいは、
矩形幅方向（または長さ方向）に膜厚分布変化をつけた
もの等の薄膜が容易に得られるものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は本発明
に用いる装置の説明図、第２図はマスク板の平面図、第
３図は第１図の要部拡大斜視図、第４図は本発明に用い
る他の装置の要部拡大斜視図、第５図（ａ）はマスク板
と基板との相対運動パターン、第５図（ｂ）は第５図（
ａ）における絶対速度と基板位置と膜厚との相関を示す
モデル図である。 １・・・真空槽、３・・・蒸着材料、４・・・加熱装置
、５・・・基板、６・・・基板支持体、７・・・マスク
板、７ａ・・・開口部、８，８′−・・駆動装置時 許
出 願 人 小西六写真工業株式会社第３図 第４図 特開昭ＧＯ−１８１２６４（５） 第５図 （Ｑ） （ｂ） １膜ｌ？品方６リイ亥１プー
に用いる装置の説明図、第２図はマスク板の平面図、第
３図は第１図の要部拡大斜視図、第４図は本発明に用い
る他の装置の要部拡大斜視図、第５図（ａ）はマスク板
と基板との相対運動パターン、第５図（ｂ）は第５図（
ａ）における絶対速度と基板位置と膜厚との相関を示す
モデル図である。 １・・・真空槽、３・・・蒸着材料、４・・・加熱装置
、５・・・基板、６・・・基板支持体、７・・・マスク
板、７ａ・・・開口部、８，８′−・・駆動装置時 許
出 願 人 小西六写真工業株式会社第３図 第４図 特開昭ＧＯ−１８１２６４（５） 第５図 （Ｑ） （ｂ） １膜ｌ？品方６リイ亥１プー
Claims (2)
- （１）蒸着材料を飛翔させて基板上に膜を形成する製膜
方法において、蒸発源と前記基板を設置した基板支持体
との間に所定形状の開口部を有するマスク板を設け、前
記基板支持体と前記マスク板の少なくとも一方を駆動さ
せ前記基板と前記マスク板を相対的な周期運動させなが
ら、前記基板上に膜を形成することを特徴とする製膜方
法。 - （２）蒸着材料を飛翔させて基板上に膜を形成する製膜
装置において、真空槽内に設けた蒸発源と、該蒸発源に
対向する位置に前記基板を支持する基板支持体と、前記
蒸発源と前記基板支持体に設置した基板との間に所定形
状の開口部を有するマスク板とを設け、前記基板支持体
と前記マスク板の少なくとも一方に周期運動をする駆動
機構を設けたことを特徴とする製膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3404684A JPS60181264A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 製膜方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3404684A JPS60181264A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 製膜方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60181264A true JPS60181264A (ja) | 1985-09-14 |
Family
ID=12403367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3404684A Pending JPS60181264A (ja) | 1984-02-24 | 1984-02-24 | 製膜方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60181264A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR100340732B1 (ko) * | 2000-05-26 | 2002-06-20 | 천웅기 | 진공증착장치의 가열용기 |
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