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Die
Erfindung betrifft eine Spannungspumpe mit einer Einschaltsteuerung,
die eine über
die Versorgungsspannung hinaus erhöhte Ausgangsspannung liefert.
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Spannungspumpen
werden in integrierten Schaltungen eingesetzt, um aus der der integrierten Schaltung
zugeführten
Versorgungsspannung eine darüber
hinausgehende höhere
Spannung zu erzeugen, die von schaltungsinternen Funktionseinheiten angefordert
wird. Beispielsweise in integrierten Halbleiterspeichern, insbesondere
bei dynamischen Speichern mit wahlfreiem Zugriff, sogenannten DRAMs (Dynamic
Random Access Memories), verläuft
der Zugriff zum Schreiben und Lesen auf eine Speicherzelle über einen
Zugriffstransistor. Damit beim Auslesen aus einer Speicherzelle
das relativ kleine den Speicherzustand angebende Signal möglichst
vollständig
und unverfälscht
ausgelesen wird, ist es erforderlich, daß der Zugriffstransistor vollständig leitend
geschaltet ist. Der Zugriffstransistor ist zu diesem Zweck mit einer über der
Versorgungsspannung liegenden Steuerspannung anzusteuern. Entsprechend
der matrixartigen, in Zeilen und Spalten aufgeteilten Anordnung
des Speicherzellenfeldes sind mehrere Zugriffstransistoren gemeinsam
an eine Wortleitung angeschlossen. Beim Zugriff auf eine Zeile des
Speicherzellenfeldes wird die Wortleitung mit der betragsmäßig oberhalb
der Versorgungsspannung liegenden Wortleitungsansteuerspannung beaufschlagt.
Bei herkömmlichen
DRAMs beträgt
die Versorgungsspannung bezogen auf Masse (0V) etwa 3,3V; die Wortleitungsspannung
liegt oberhalb von 3,3V, beispielsweise bei 3,5V.
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Zur
Erzeugung dieser erhöhten
Ausgangsspannung dient die Spannungspumpe. Eingangsseitig wird ihr
die Versorgungsspannung zugeführt
und ausgangsseitig gibt sie die erhöhte Wortleitungspannung ab.
Bei Spannungspumpen darf die Spannungs differenz zwischen deren Eingangs-
bzw. Versorgungsspannung und deren Ausgangsspannung nicht zu groß sein.
Diese Bedingung ist nur im normalen Betrieb gewährleistet. Beim Einschalten
der Versorgungsspannung jedoch, wenn diese beispielsweise rampenartig
nach oben ansteigt, hat die Spannungspumpe nicht genügend Leistung,
der Eingangs- bzw. Versorgungsspannung zu folgen. Die Eingangsspannung
der Spannungspumpe steigt schneller als die Ausgangsspannung. Es
entstehen Zuverlässigkeitsprobleme
an Transistoren. Spannungspumpen arbeiten heutzutage ab einer Mindestversorgungsspannung
ab 1,5V zuverlässig.
Bei niedriger Versorgungsspannung ist die Spannungspumpe aus Sicherheitsgründen abzuschalten.
Trotzdem sollte die erhöhte
Ausgangsspannung möglichst
frühzeitig
zur Verfügung
stehen. Die Betriebsbereitschaft der Spannungspumpe sollte daher
möglichst
schnell nach dem Anlegen von Versorgungsspannung hergestellt sein.
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Im
Stand der Technik sind verschiedene Spannungspumpen bekannt geworden.
In der
EP 0 684 686
A2 ist eine Spannungspumpe gezeigt, bei der zwischen dem
Eingangsanschluß und
dem Ausgangsanschluß zum
Abgriff der erhöhten
Ausgangsspannung Schiebeelemente angeordnet sind, die einen MOS-Transistor
umfassen, der über
eine Schiebekapazität
von einem Takt angesteuert wird. Eingangsseitig weist die Schiebeschaltung
einen MOS-Transistor auf, dessen Gate- und Drain-Anschlüsse miteinander
verbunden sind. Parallel zu dieser Anordnung wird der Eingangsanschluß direkt über einen
weiteren Transistor an den Ausgangsanschluß gekoppelt, dessen Gate- und
Drain-Anschlüsse
miteinander verbunden sind. Nach einem Einschalten der Versorgungsspannung
wird die Ausgangsspannung relativ zügig auf das gewünschte höhere Ausgangsspannungsniveau
hochgepumpt.
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In
der
FR 2 759 507 A1 ist
eine Spannungspumpe gezeigt, bei der zwischen dem Eingangs- und dem
Ausgangsanschluß ein
Spannungsschiebeelement geschaltet ist, das einen n-Kanal-MOS- Transistor umfaßt, dessen
Gate-Anschluß über einen
Schiebekondensator von einem Taktsignal angesteuert wird. Der Substratanschluß des Schiebetransistors ist über die
Drain-Source-Strecke
je eines Transistors an den Eingangs- und den Ausgangsanschluß gekoppelt.
Die Gate-Elektroden dieser Transistoren sind mit dem Ausgangsanschluß bzw. dem
Eingangsanschluß gekoppelt.
Zwischen Schiebekapazität
und Eingangsanschluß kann
ein weiterer Transistor vorgesehen werden, dessen Gate-Elektrode
vom Ausgangsanschluß angesteuert
wird.
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In
der
JP 02-276465 A ,
Patent Abstract of Japan, Abschnitt E, 1991, Band 15, Nr. 40 (E-1028)
ist eine Spannungspumpenschaltung gezeigt, die eine erste und eine
zweite Spannungspumpe enthält.
Parallel zu dem Eingangs- und Ausgangsanschluß der ersten Spannungspumpe
ist ein zwei in Reihe geschaltete MOS-Transistoren umfassender Umschalter
vorgesehen. Der Umschalter dient dazu, um beim Hochlaufen der Versorgungsspannung
die zweite Spannungspumpe zuerst mit der Eingangsspannung zu versorgen
und anschließend
nach dem Erreichen einer ausreichend hohen Ausgangsspannung den Eingang
der zweiten Spannungspumpe auf den Ausgang der ersten Spannungspumpe
zu schalten.
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Die
Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Spannungspumpe mit Einschaltsteuerung
anzugeben, die beim Hochfahren der Versorgungsspannung betriebssicher
ist und möglichst
schnell eine gepumpte Ausgangsspannung bereitstellt.
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Gemäß der Erfindung
wird diese Aufgabe durch eine Spannungspumpe mit einer Einschaltsteuerung
gelöst,
die umfaßt:
einen Anschluß für eine Versorgungsspannung,
einen Anschluß für eine erhöhte Ausgangsspannung,
eine Schaltungsanordnung zur Einschaltsteuerung der Spannungspumpe, die
wiederum umfaßt:
einen ersten Transistor, dessen gesteuerte Strecke zwischen den
Anschluß für die Versorgungsspannung
und den Anschluß für die erhöhte Ausgangsspannung
geschaltet ist, der einen Substratanschluß und einen Steueranschluß aufweist,
einen Um schalter, der eingangsseitig an den Anschluß für die Versorgungsspannung
und den Anschluß für die erhöhte Ausgangsspannung
angeschlossen ist und einen Ausgang aufweist, der an den Substratanschluß des ersten
Transistors angeschlossen ist und an den Steueranschluß des ersten Transistors
gekoppelt ist und durch den wechselweise der Anschluß für die Versorgungs spannung
oder der Anschluß für die erhöhte Ausgangsspannung
an seinen Ausgang schaltbar ist, einen zweiten Transistor, dessen
gesteuerte Strecke zwischen den Ausgang des Umschalters und den
Steueranschluß des ersten
Transistors geschaltet ist, einen dritten Transistor, dessen gesteuerte
Strecke zwischen einen Anschluß für ein Bezugspotential
und den Steueranschluß des
ersten Transistors geschaltet ist, und einen Anschluß für ein Steuersignal,
in Abhängigkeit dessen
die Spannungspumpe, der zweite und der dritte Transistor schaltbar
sind.
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Die
Einschaltsteuerung in der Spannungspumpe gemäß der Erfindung sorgt dafür, daß bis zum Erreichen
der Betriebsbereitschaft der Spannungspumpe, wenn also eine für den sicheren
Betrieb der Spannungspumpe ausreichend hohe Ausgangsspannung anliegt,
der Ausgang für
die erhöhte
Spannung mit der extern anliegenden Versorgungsspannung vorgeladen
wird. Dann wird die Spannungspumpe (oder bei Parallelbetrieb werden
mehrere Spannungspumpen) zugeschaltet. Dabei ist der Anschluß für die erhöhte Pumpspannung
von der extern zugeführten
Versorgungsspannung zu entkoppeln. Dies wird in der Einschaltsteuerung
gemäß der Erfindung
durch den ersten Transistor erreicht, welcher zwischen den Anschluß für die externe
Versorgungsspannung und den Anschluß für die gepumpte Ausgangsspannung
geschaltet ist und entsprechend angesteuert wird.
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Vorteilhafterweise
wird der Substratanschluß dieses
ersten Transistors von einem Umschalter gesteuert, der dann, wenn
die externe Versorgungsspannung an den Ausgang weitergeschaltet
wird, diese externe Versorgungsspannung an den Substratanschluß anschließt, und
dann, wenn die externe Versorgungsspannung vom Ausgang entkoppelt
ist, die gepumpte Ausgangsspannung an den Substratanschluß weiterleitet.
Der Substratanschluß des
ersten Transistors liegt in diesen Fällen jeweils auf der höheren der
extern zugeführten
oder der gepumpten Ausgangsspannung. Der erste Transistor ist vorzugsweise
ein p-Kanal-MOS-Transistor, welcher in einer n-dotierten Wan ne angeordnet
ist. Durch die genannte Ansteuerung des Substratanschlusses bzw,
der Wanne, in welcher das Substrat des ersten Transistors angeordnet
ist, wird verhindert, daß Lodung
von den Source-/Drainanschlüssen
dieses Transistors in die Wanne abfließt.
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Die
beiden Eingänge
des Umschalters sind an die Anschlüsse des gesteuerten Strompfads
dieses ersten Transistors angeschlossen. Ausgangsseitig ist der
Umschalter an den Substratanschluß bzw, den Wannenanschluß des ersten
Transistors angeschlossen. Die Transistoren des Umschalters sind p-Kanal-MOS-Transistoren.
Deren Gateanschlüsse sind
kreuzweise an die Eingangsanschlüsse
des Umschalters angeschlossen. Das bedeutet, daß der Gateanschluß des mit
dem einen Eingangsanschluß des
Umschalters verbundenen Transistors an den jeweils anderen Eingang
angeschlossen ist.
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Das
Steuersignal, welches die Betriebsbereitschaft der Spannungspumpe
angibt, steuert einen zweiten Transistor an, der den Steueranschluß des ersten
Transistors mit Bezugspotential (Masse) verbindet, wenn die Ladungspumpe
betriebsbereit geworden ist. Ansonsten ist dieser zweite Transistor
gesperrt. Dann wird der Ausgang des Umschalters, welcher in diesem
Betriebszustand die gepumpte Ausgangsspannung führt, über einen dritten Transistor an
den Steueranschluß des
ersten Transistors angelegt. Dadurch wird erreicht, daß der Anschluß für die externe
Versorgungsspannung vom Anschluß für die gepumpte
Ausgangsspannung – wie
oben bereits ausgeführt – entkoppelt
ist.
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Der
zweite Transistor ist ein Transistor des anderen Kanaltyps, also
ein n-Kanal-MOS-Transistor. Der dritte Transistor ist vom gleichen
Typ wie die Transistoren des Umschalters bzw. des ersten Transistors,
also ein p-Kanal-MOS-Transistor. Der zweite und dritte Transistor
werden gleichzeitig vom Signal, welches die Betriebsbereitschaft
der Spannungspumpe an gibt, angesteuert, sind daher wechselweise leitend
oder gesperrt.
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Das
die Betriebsbereitschaft der Spannungspumpe steuernde Signal wird
aus einer Logikschaltung erzeugt, der eingangsseitig wiederum den
Betriebszustand kennzeichnende Steuerungssignale zugeführt werden.
So wird dieser Logikschaltung ein zweites Steuersignal zugeführt, welches
anzeigt, daß die
integrierte Schaltung überhaupt
betriebsbereit ist, und ein drittes Steuersignal, welches anzeigt,
daß die Mindestspannung
für einen
sicheren Betrieb der Spannungspumpe erreicht ist. Durch geeignete
Logikelemente wird aus beiden Signalen das erste Steuersignal erzeugt,
welches die Betriebsbereitschaft der Spannungspumpe steuert. Im
Detail wird in der Logikeinrichtung das zweite Steuersignal einem
Inverter zugeführt,
welcher an den ersten Eingang eines Nicht-ODER-Gatters (NOR-Gatter)
angelegt wird. Das dritte Steuersignal wird direkt an einen zweiten
Eingang des NOR-Gatters angelegt. Der Ausgang der Logikeinrichtung
wird vom Ausgang des NOR-Gatters gebildet.
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Durch
die beschriebene Spannungspumpe mit Einschaltsteuerung wird erreicht,
daß die
gepumpte Ausgangsspannung möglichst
frühzeitig nach
Anlegen der Versorgungsspannung bereitstellbar ist, trotzdem aber
die Spannungspumpe erst dann eingeschaltet wird, wenn eine ausreichend hohe
Mindestbetriebsspannung von extern an die integrierte Schaltung
angelegt wird. Die Einschaltsteuerung erfordert nur relativ wenige
Bauelemente und zeichnet sich daher durch einen geringen Platzbedarf bei
integrierter Realisierung aus. Das Layout der Einschaltsteuerung
ist dadurch bedingt relativ einfach.
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Nachfolgend
wird die Erfindung anhand der in Zeichnung dargestellten Figuren
im Rahmen eines Ausführungsbeispielen
im Detail erläutert.
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Es
zeigen:
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1 eine Ausführung einer
Ausgangspumpe gemäß der Erfindung
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2 Zeitverläufe von
in der Schaltung der 1 enthaltenen
Spannungen und Signalen.
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Die 1 zeigt eine Spannungspumpe 7,
die von einer Schaltungsanordnung zur Einschaltsteuerung angesteuert
wird. Der Spannungspumpe 7 wird die externe Versorgungsspannung
VEXT zugeführt, die
an einem Anschluß 3 der
die Schaltungsanordnung aufnehmenden integrierten Schaltung von
außen
zuführbar
ist. Die externe Versorgungsspannung VEXT beträgt beispielsweise 3,3V und
ist auf Bezugspotential von OV bezogen, welches durch einen Masseanschluß 31 bereitgestellt
wird. Ein Ausgangsanschluß 71 der
Spannungspumpe 7 stellt im eingeschwungenen Betrieb der
Spannungspumpe eine Spannung VPP an einem Anschluß 4 bereit,
welche oberhalb der Versorgungsspannung VEXT, beispielsweise bei
3,5V liegt. Von der erhöhten
Pumpspannung VPP, die den übrigen
Funktionseinheiten der integrierten Schaltung an einem Anschluß bereitgestellt
wird, werden beispielsweise die Wortleitungen eines DRAMs getrieben.
Die Spannungspumpe 7 nimmt ihren Betrieb auf, wenn das
ihr zugeführte Steuersignal
VPPPON einen High-Pegel einnimmt.
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Über einen
Schalttransistor 1 ist der Anschluß zur Zuführung des Versorgungspotentials VEXT
mit dem Anschluß 4 zum
Abgriff der erhöhten Ausgangsspannung
VPP gekoppelt. Der Transistor 1 ist ein p-Kanal-MOS-Transistor.
Der die Source-/Drain-Dotierungsgebiete verbindende gesteuerte Pfad
des Transistors 1 ist zwischen die Anschlüsse 3 und 4 geschaltet.
An diese Anschlüsse
sind außerdem
die Eingänge
eines Umschalters 2 angeschlossen, dessen Ausgang 23 an
den Substratanschuß des
Transistors 1 angeschlossen ist. Durch den Umschalter 2 wird – je nach
Schaltzustand – entweder die
am Anschluß 3 anliegende
externe Versorgungsspannung VEXT oder die am Ausgangsanschluß 4 anliegende
erhöhte
Pumpspannung VPP ausgangsseitig an seinem Anschluß 23 weitergeleitet
und dem Substratanschluß des
Transistors 1 zugeführt.
Der Gateanschluß des
Transistors 1 ist über
einen n-Kanal-MOS-Transistor 6 mit dem Bezugspotentialanschluß 31 verbindbar.
Der Steueranschluß,
d.h. der Gateanschluß des
Transistors 6 wird vom Signal VPPPON gesteuert. Darüber hinaus
ist der Ausgang 23 des Umschalters 2 über einen
p-Kanal-MOS-Transistor 5 mit dem Gateanschluß des Transistors 1 verbunden.
Der Transistor 5 wird ebenfalls vom Signal VPPPON gesteuert.
Die Transistoren 5, 6 sind komplementär leitend
bzw. gesperrt oder gesperrt bzw. leitend geschaltet.
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Insgesamt
wird durch die Beschaltung des Transistors 1, einerseits
strompfadseitig durch den Umschalter 2 und andererseits
gateseitig durch die Transistoren 5, 6 bewirkt,
daß dann,
wenn die Spannungspumpe 7 noch nicht in Betrieb ist und
das Steuersignal VPPPON einen High-Pegel einnimmt, der Transistor 5 sperrt
und der Transistor 6 leitend ist und den Gateanschluß des Transistors 1 mit
dem Masseanschluß 3 verbindet.
Der Transistor 1 ist dann leitend und versorgt den Ausgangsanschluß 4 mit
der externen Versorgungsspannung VEXT vom Anschluß 3.
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Wenn
die Spannungspumpe 7 in Betrieb ist, was durch einen Low-Pegel
des Steuersignals VPPPON angezeigt wird, ist der Transistor 5 leitend
und der Transistor 6 gesperrt. Der Umschalter 2 schaltet die
externe Versorgungsspannung VEXT am Anschluß 3 über seinen
Ausgang 23 und den leitend geschalteten Transistor 5 an
den Gate-Anschluß des Transistors 1 weiter.
Der Transistor 1 ist dann gesperrt und am Ausgangsanschluß 4 liegt
die von der Spannungspumpe 7 erzeugte erhöhte Ausgangsspannung
VPP an. Der Umschalter 2 verbindet dann den Anschluß 4 mit
seinem Ausgang 23. Die erhöhte Ausgangsspannung VPP liegt
außerdem
am Substratanschluß 23 des
Transistors 1 an.
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Der
Signalverlauf der extern zugeführten Versorgungsspannung
VEXT und der Ausgangsseitig zu erzeugenden erhöhten Ausgangsspannung VPP sowie
der Steuersignale VPPON, VPPPON1 und VPPPON2 ist in der 2 dargestellt. Zum Zeitpunkt
t0 wird die Versorgungsspannung VEXT eingeschaltet
und steigt bis zu ihrem Maximalwert von 3,5V an. Wenn zum Zeitpunkt
t1 die Versorgungsspannung VEXT einen Schwellwert
erreicht hat, wird das zweite Steuersignal VPPPON1 aktiviert. Während dieser
Zeit ist der Transistor 1 eingeschaltet und lädt den Ausgangsanschluß 4 über den
Spannungseingangsanschluß 3 auf.
Wenn der Abstand zwischen Ausgangsspannung VPP und Eingangsspannung
VEXT zum Zeitpunkt t2 einen ausreichend
geringen Wert erreicht hat, wird das dritte Steuersignal VPPPON2
aktiviert, so daß die
Spannungspumpe 7 anläuft
und der Ausgangsanschluß 4 nunmehr
vom Ausgang 71 der Spannungspumpe 7 versorgt wird. Die
Ausgangsspannung VPP steigt an und liegt im eingeschwungenen Zustand
t3 oberhalb der Versorgungsspannung VEXT.
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Der
Umschalter 2 weist im Detail einen ersten p-Kanal-MOS-Transistor 22 auf,
dessen gesteuerte Strecke zwischen den Anschluß 3 und einen gemeinsamen
Knoten 24 geschaltet ist, welcher gleichzeitig auch den
Ausgang 23 des Umschalters 2 bildet. Die gesteuerte
Strecke, d.h. die Drain-Source-Strecke eines weiteren p-Kanal-MOS-Transistors 21 ist
zwischen den Anschluß 4 und
den gemeinsamen Knoten 24 geschaltet. Der Gateanschluß des Transistors 22 ist
mit dem Drainanschluß des
Transistors 21 bzw. dem mit dem Anschluß 4 verbundenen Eingang
des Umschalters 2 verbunden. Der Gateanschluß des Transistors 21 ist
mit dem Drainanschluß des
Transistors 22 bzw. dem mit dem Anschluß 3 verbundenen Eingang
des Umschalters 2 verbunden. Die Gateanschlüsse der
Transistoren 21, 22 sind daher über Kreuz
mit den Drainanschlüssen gekoppelt.
Der Umschalter 2 stellt sich so ein, daß jeweils die höhere der
an ihn eingangsseitig anliegenden Spannungen VEXT oder VPP an den
Ausgang 23 weitergeleitet wird.
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Die
Schaltung ist beispielsweise in einem p-Substrat realisiert. Die
p-Kanal-Transistoren 21, 22 liegen in diesem Fall
in einer n-Wanne. Die n-Wanne ist an den gemeinsamen Knoten 24 angeschlossen.
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Das
Steuersignal VPPPON zur Ansteuerung der Spannungspumpe 7 wird
von einer Logikeinrichtung 8 an ihrem Ausgang 85 erzeugt.
Der Anschluß 85 ist
mit den Gateanschlüssen
der Transistoren 5, 6 sowie dem entsprechenden
Steuereingang der Spannungspumpe 7 verbunden. Eingangsseitig
an einem Anschluß 83 wird
der Logikeinrichtung ein zweites Steuersignal VPPPON1 zugeführt, welches angibt,
daß Versorgungsspannung
an die Schaltung angelegt ist und der Einschaltvorgang (Power-On) beginnt.
An einem anderen Eingang 84 der Logikschaltung 8 wird
ein weiteres Steuersignal VPPPON2 zugeführt, welches angibt, daß die Ausgangsspannung
VPP einen ausreichend hohen Mindestwert erreicht hat, so daß die Spannungspumpe 7 ihren
Betrieb aufnehmen kann. Im Detail weist die Logikeinrichtung 8 einen
Inverter 81 auf, der an den Anschluß 83 eingangsseitig
angeschlossen ist. Außerdem
weist die Logikeinrichtung 8 ein NOR-Gatter 82 auf, das eingangsseitig
mit dem Ausgang des Inverters 81 sowie dem Anschluß 84 verbunden
ist. Der Ausgang 85 der Logikschaltung 8 wird
vom Ausgang des NOR-Gatters 82 gebildet.
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Der
Transistor 1 ist als p-Kanal-MOS-Transistor in einer n-Wanne im Halbleitersubstrat
der integrierten Schaltung angeordnet. Der Wannenanschluß wird vom
Ausgang 23 des Umschalters 2 jeweils auf die höhere der
am Ausgang 4 bereitgestellten Versorgungsspannung VEXT
oder VPP gelegt. Dadurch werden etwaige Leckströme zwischen den Drain-/Sourcegebieten
des Transistors 1 und dem Wannengebiet vermieden.
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Die
gezeigte Ansteuerschaltung weist nur fünf Transistoren auf sowie den
Aufwand für
die Logikschaltung 8. Insgesamt ist der zusätzliche
Bauelementebedarf für
die Einschaltsteuerung relativ gering. Die gezeigte Schaltung bietet
den Vorteil, daß die
am Anschluß bereitgestellte
Ausgangsspannung VPP unmittelbar nach dem Einschalten bereits auf die
externe Versorgungsspannung VEXT vorgeladen ist, und anschließend beim
Erreichen der Mindestspannung für
den sicheren Betrieb der Spannungspumpe 7 von der von der
Spannungspumpe 7 ausgangsseitig bereitgestellten Pumpspannung
versorgt wird, wobei über
den Transistor 1 die Ausgangsanschluß 4 vom Spannungsanschluß 3 entkoppelt
wird. Eine möglichst
schnelle Bereitstellung einer gepumpten, erhöhten Ausgangsspannung VPP wird
erreicht, indem der Betrieb der Spannungspumpe 7 trotzdem unter
sicheren Randbedingungen verläuft.
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- 1
- Transistor
- 2
- Umschalter
- 21
- Transistor
- 22
- Transistor
- 23
- Ausgang
(Umschalter)
- 24
- Knoten
- 3
- Versorgungsspannungsanschluß
- 31
- Bezugspotentialanschluß
- 4
- Ausgangsspannungsanschluß
- 5
- Transistor
- 6
- Transistor
- 7
- Spannungspumpe
- 8
- Logikeinrichtung
- 81
- Inverter
- 82
- NOR-Gatter
- 83
- Eingang
(Inverter)
- 84
- Eingang
(Inverter)
- 85
- Ausgang
(Inverter)
- VPPPON
- Steuersignal
- VPPPON1
- zweites
Steuerssignal
- VPPPON2
- drittes
Steuersssignal
- VEXT
- Versorgungsspannung
- VPP
- Ausgangsspannung