DE07017349T1 - Epitaxialer Wafer und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, umfassend:
Durchführung epitaktischen Wachstums von Silicium auf einer Hauptoberfläche eines Wafers, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall;
Durchführen einer Vorbehandlung zur Oberflächenglättung einer Hauptoberfläche des Wafers unter Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung bei einer Temperatur von 100°C oder weniger, wobei dadurch ein Oxidfilm vorbestimmter Dicke gebildet wird, während die auf der Hauptoberfläche des Wafers adhärierten Partikel entfernt werden; und
Durchführen eines Oberflächenpolierschritts, wobei die Hauptoberfläche des Wafers spiegelpoliert wird.
Durchführung epitaktischen Wachstums von Silicium auf einer Hauptoberfläche eines Wafers, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall;
Durchführen einer Vorbehandlung zur Oberflächenglättung einer Hauptoberfläche des Wafers unter Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung bei einer Temperatur von 100°C oder weniger, wobei dadurch ein Oxidfilm vorbestimmter Dicke gebildet wird, während die auf der Hauptoberfläche des Wafers adhärierten Partikel entfernt werden; und
Durchführen eines Oberflächenpolierschritts, wobei die Hauptoberfläche des Wafers spiegelpoliert wird.
Claims (11)
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers, umfassend: Durchführung epitaktischen Wachstums von Silicium auf einer Hauptoberfläche eines Wafers, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall; Durchführen einer Vorbehandlung zur Oberflächenglättung einer Hauptoberfläche des Wafers unter Verwendung einer Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung bei einer Temperatur von 100°C oder weniger, wobei dadurch ein Oxidfilm vorbestimmter Dicke gebildet wird, während die auf der Hauptoberfläche des Wafers adhärierten Partikel entfernt werden; und Durchführen eines Oberflächenpolierschritts, wobei die Hauptoberfläche des Wafers spiegelpoliert wird.
- Verfahren zur Herstellung eines Siliciumwafers gemäß Anspruch 1, wobei die vorbestimmte Dicke des Oxidfilms in einem Bereich von 5 bis 30 Å liegt.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 1, wobei die Behandlungsflüssigkeit aus einer vorbestimmten Zusammensetzung eine Flüssigkeit ist, die ein Oxidationsmittel enthält.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 3, wobei das Oxidationsmittel Ozon ist und/oder eine wässrige Lösung von Wasserstoffperoxid.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, des Weiteren umfassend Durchführung einer Entfernung eines natürlichen Oxidfilms des Wafers vor der Vorbehandlung zur Oberflächenglättung.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Wafer, hergestellt aus einem Siliciumeinkristall, ein zweiseitig polierter {110}-Wafer ist.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 6, wobei nur die Hauptoberfläche oder sowohl die Hauptoberfläche und eine Rückoberfläche des Wafers im Oberflächenpolierschritt spiegelpoliert werden.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 7, des Weiteren umfassend einen Kantenpolierschritt vor dem Oberflächenpolierschritt zum Spiegelpolieren einer Oberfläche eines Kantenteils des Wafers.
- Verfahren zur Herstellung eines epitaktischen Wafers gemäß Anspruch 8, wobei die Vorbehandlung zur Oberflächenglättung bei mindestens einer Stufe durchgeführt wird, ausgewählt aus einer Stufe zwischen dem epitaktischen Wachstum und dem Kantenpolieren und einer Stufe zwischen dem Kantenpolierschritt und dem Oberflächenpolierschritt.
- Epitaktischer Wafer, hergestellt durch das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei die geringste bestimmte Größe von LPD, detektiert auf der Hauptoberfläche des epitaktischen Wafers, 100 nm oder weniger beträgt.
- Epitaktischer Wafer, hergestellt durch das Verfahren gemäß einem beliebigen der Ansprüche 1 bis 4, wobei die bestimmte Größe von LPD, vorliegend auf der Hauptoberfläche des epitaktischen Wafers, 100 nm oder weniger beträgt.
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