DD272532A1 - Verfahren zur beseitigung von gedeckten und transparenten defekten auf hartschichtschablonen - Google Patents

Abstract

Die Erfindung ist in der Mikroelektronik im Prozess der Schablonenherstellung sowie zur Rueckgewinnung von durch Benutzung im Zyklus I der Bauelementefertigung verschlissenen Schablonen anwendbar. Zur Belichtung des Fotolackes im Defektbereich wird erfindungsgemaess eine Eisenoxidschablone als Blende eingesetzt. In diese Eisenoxidschablone sind Fenster verschiedener Form und Groesse eingeaetzt, welche es gestatten, das Belichtungsfenster optimal der Defektform anzupassen. Anschliessend wird die Lackschicht entwickelt, dann partiell geaetzt oder bedampft und der Lack entfernt. Durch den Einsatz der Eisenoxidschablone wird eine hohe Genauigkeit sowie eine produktive Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels eines fotolithografischen Verfahrens erreicht.

Description

Anwendungsggebiet der Erfindung

Die Erfindung dient der Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen. Das Verfahren ist im Prozeß der Schablonenherstellung sowie zur Rückgewinnung von durch Benutzung im Zyklus I der Bauelementefertigung verschlissenen Schablonen anwendbar.

Charakteristik des bekannten Standes der Technik

Die bekannten Verfahren zur Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen basieren entweder auf einem fotolithografischen Prozeß oder auf dem Einsatzenergiereicher Strahlung. Der fotolithografische Prozeß geht von der Belichtung einer lichtempfindlichen Maskierungsschicht mittels eines Spot-Mikroskopes mit verstellbarer Schlitzblende in x- und y-Richtung aus. Im nachfolgenden Entwicklungsprozeß wird ein durch die Blendengröße des Spot-Mikroskopes bestimmtes Gebiet, innerhalb dessen der zu beseitigende Defekt liegt, freigelegt. Durch Ätzen oder Bedampfen und anschließendes Entfernen der Lackschicht wird der Prozeß der Beseitigung der Defekte abgeschlossen. Der Nachteil des Verfahrens besteht in seiner geringen Genauigkeit. Um den Defekt ist eine Randzone von 5μηι Breite, in der keine Strukturen liegen dürfen, notwendig. Ansonsten besteht die Gefahr der Verletzung dieser Strukturen. Eine Verbesserung in der Genauigkeit, jedoch auch eine Erhöhung der Geräte kosten, bringt der Einsatz von Laserstrahlen zur Beseitigung von Defekten. Hier wird ein rokussierter Laserstrahl zum Verdampfen gedeckter Defekte bzw. die laserinduzierte Abscheidung einer Schicht hoher optischer Dichte aus der Gasphase im Bereich transparenter Defekte genutzt. Die notwendige Sicherheitszone um den Defekt verringert sich gegenüber dem fotolithografischen Verfahren auf die Hälfte. Das gegenwärtig am genauesten arbeitende Verfahren zur Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen basiert auf dem Einsatz eines lonenstrahles, der analog dem Laserstrahl wirl.t, ;"doch im Submikrometerbereriche fokussiert werden kann. Dementsprechend sind auch Defektbeseitigungen im Submikrometar möglich. Die Gerätekosten sind aber noch höher.

Ziel der Erfindung

Ziel der Erfindung ist es, ein kostengünstiges fotolithografisches Verfahren zum Einsatz ^f.u bringen, welches zu einer höhren Genauigkeit als die bisher praktizierten fotolithografischen Verfahren führt.

Darlegung des Wesens der Erfindung

Daraus leitet sich die zu lösende technische Aufgabe so ab, ein Verfahren zu entwickeln, mit dem Defekte auf Hartschichtschablonen einfach, produktiv und mit hoher Genauigkeit beseitigt werden. Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe so gelöst, daß für die Belichtung des Fotolackes im Deiektberoich eine Eisenoxidschablone als Blende eingesetzt wird. In diese Eisenoxidschablone sind Fenster verschiedener Form und Ciröße eingeälzt, welche es gestatten, das Belichtungsfenster optimal der Defektform und -größe anzupassen. Eine Justierung des Beiichtungsfensters zum Defekt erfolgt mit Gelblicht, da die Eisenoxidschablone im Gelblicht optisch transparent ist.

Die Belichtung des Defektes erfolgt anschließend mit UV-Licht und ermöglicht eine exakte Abbildung des bestimmten Fensters im Fotolack. Nachfolgend wird die Lackschicht entwickelt, dann partiell geätzt oder bedampft und der Lack entfernt.

Durch den Einsatz der Eisenoxidschablone mit verschiedenen Fenstern als Blende und Justierung unter Gelblicht wird eine hohe Genauigkeit sowie produktive Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels eines fotolithografischen Verfahrens erreicht.

Ausführungsbeispiele

Die Erfindung soll nachfolgend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Das Ausführungsbeispiel hat die Beseitigung von Defekten auf Hartschichtschablonen mittels Auflichtmikroskop und eines fotolithografschen Verfahrens zum Inhalt. Verwendet wird ein Auflichtmikroskop mit einer Beleuchtungsquelle, deren Spektrum den nahen UV-Bereich mit * überstreicht (z. B. Xenon-Hochdrucklampe). Auf den Mikroskopkreuztisch wird die mit Positivlack beschichtete, defekte Schablone aufgelegt. In den Auflichtstrahlengang wird ein Gelbfilter eingeschwenkt. Anschließend wird das Auflicht eingeschaltet. Nach Auffinden des Defektes auf der Schablone wird die optimale Form und Größe des Belichtungsfensters gewählt und die entsprechende Eisenoxidschablone anstelle der Leuchtfeldblende in den Auflichtstrahlengang eingesetzt. Das

Belichtungsfenster wird durch Bewegen des Mikroskopkreuztisches zum Defekt justiert. Dann wird ein Blaufilter in den Auflichtstrahlengang eingeschwenkt und nach Herausnahme des Gelbfilters die Positivlackschicht der defekten Hartschichtschablone 5 s belichtet. Analog kann mit weiteren Defekten verfahren werden, wobei jedoch entweder alle belichteten Defektbereiche gedeckte oder alle belichteten η Defektbereiche transparente Defekte enthalten müssen. Danach wird die Lackschicht auf der Schablone ganzflächig entwickelt, so daß die Defektbereiche freigelegt sind. Bei gedeckten Defekten wird jetzt partiell geätzt, bei transparenten Defekten wird partiell mit einer Bedampfungsmaske, die nur die Defektgebiete frei läßt, bedampft. Durch diese partielle Bearbeitung schaltet man den Einfluß zufälliger Fehler in der Lackschicht weitestgehend aus und vermeidet so das Entstehen zusätzlicher Defekte auf der Hartschichtschablone. Eine abschließende Sauberkeitskontrolle beendet den Bearbeitungszyklus.

Claims (2)

1. Verfahren zur Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen mittels fotolithografischen Prozesses, dadurch gekennzeichnet, daß für die Belichtung des Fotolackes im Defektbereich bei UV-Licht eine Eisenoxidschablone mit verschiedenen Fensterstrukturen als Blende eingesetzt wird.

2. Verfahren zur Beseitigung von gedeckten und transparenten Defekten auf Hartschichtschablonen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Eisenoxidschablone sowohl im Projektions- als auch im Proximity/Kontaktverfahren zum Belichten des Defektbereiches eingesetzt wird.