DD151388A1 - METHOD FOR PRODUCING CERAMIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS - Google Patents

Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik und ist anwendbar zum Herstellen von Bauelementen auf der Basis von halbleitenden keramischen Massen, wie Thermistoren und spannungsabhaengige Widerstaende. Ziel der Erfindung ist die Herstellung von Bauelementen mit guten elektrischen Parametern, insbesondere fuer die Herstellung von ZnO-Varistoren mit niedrigsten Einsatzspannungen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung keramischer Halbleiterbauelemente, bei dem Makroelemente aus einem metalloxydischen Grundmaterial verwendet werden, so durchzufuehren, dasz ausgedehnte Ausscheidungen vermieden werden. Die Aufgabe ist nach der Erfindung dadurch geloest, dasz eine keramische Masse, die 80 bis 99,5 Mol-% des metalloxydischen Grundmaterials enthaelt, zwischen dichte Grundmaterial - Makroelemente oder zwischen ein derartiges Makroelement und ein elektrisch leitfaehiges anderes Element als Zwischenschicht gebracht und nachfolgend eine Waermebehandlung zur Fluessigphasensinterung zwischen den genannten Elementen durchgefuehrt wird.The invention relates to the field of electrical engineering / electronics and is applicable to the manufacture of components based on semiconducting ceramic materials, such as thermistors and voltage-dependent resistors. The aim of the invention is the production of components with good electrical parameters, in particular for the production of ZnO varistors with lowest threshold voltages. It is an object of the present invention to provide a method of making ceramic semiconductor devices using macroelements of a metal oxide base material so as to avoid extensive precipitates. The object is achieved according to the invention in that a ceramic mass which contains 80 to 99.5 mol% of the metalloxy base material is interposed between dense base material macroelements or between such a macroelement and an electrically conductive other element as intermediate layer and subsequently one Heat treatment for liquid phase sintering between said elements is carried out.

Description

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Verfahren zum Herstellen keramischer HalbleiterbauelementeMethod for producing ceramic semiconductor components

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik. Objekte, bei denen die Anwendung der Erfindung möglich und zweckmäßig ist, sind Verfahren zum Herstellen von Bauelementen auf der Basis von halbleitenden keramischen Massen, wie Thermistoren und spannungsabhängige Widerstände, insbesondere Zinkoxidvaristoren für sehr niedrige Einsatzspannungen. Die Bauelemente können dabei sowohl als diskrete Bauelemente als auch in Verbindung mit integrierten Schaltungen hergestellt werden·The invention relates to the field of electrical engineering / electronics. Objects in which the application of the invention is possible and expedient are methods for producing components based on semiconducting ceramic materials, such as thermistors and voltage-dependent resistors, in particular zinc oxide varistors for very low threshold voltages. The components can be produced both as discrete components and in conjunction with integrated circuits.

Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions

Es wurde bereits ein spannungsabhängiger Widerstand vorgeschlagen, bestehend aus einem halbleitenden metalloxydischen Grundmaterial und einer Mischung anderer Metalloxide· Grundmaterial und Metallmischoxid sind dabei als separate Makroelemente ausgebildet und flächig miteinander verbunden ( WP H 01 C/20? 075)· Nach einer zweckmäßigen Ausgestaltung dieses Vorschlages sind mehrere Makroelemente des Grundmaterials und des Metallmischoxids horizontal und/oder vertikal kombiniertA voltage-dependent resistor has already been proposed, consisting of a semiconductive metal-oxide base material and a mixture of other metal oxides. The base material and mixed metal oxide are formed as separate macroelements and are connected to one another in a planar manner (WP H 01 C / 20 ° 075) according to an expedient refinement of this proposal For example, several macroelements of the base material and the mixed metal oxide are combined horizontally and / or vertically

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angeordnet· Zur Herstellung dieser Widerstände werden vorgefertigte Makroelemente aus dem metalloxydischen Grundmaterial mit einer keramischen Masse kontaktiert, die aus den anderen Metalloxiden besteht und die durch eine Wärmebehandlung in den schmelzflüssigen Zustand gebracht wird. Die reaktive Wechselwirkung des festen metalloxidiscnen Grundmaterials mit dem schmelzflüssigen Metallmischoxid führt zu ausgedehnten Ausscheidungen im Bereich zwischen Grundmaterial - Makroelement und dem im Ergebnis der Wärmebehandlung ausgebildeten Metallmischoxid - Makroelement. Diese Ausscheidungen stören die angestrebte Mikrоstruktur, insbesondere die Homogenität der elektrischen Barrieren des Bauelementes. Dadurch werden die elektrischen Parameter, insbesondere das Stabilitäts- und Alterungsverhalten, ungünstig beeinflußt.For the preparation of these resistors prefabricated macroelements of the metal oxide base material are contacted with a ceramic mass which consists of the other metal oxides and which is brought into a molten state by a heat treatment. The reactive interaction of the solid metal oxide base material with the molten metal composite oxide results in extensive precipitations in the region between the base material macroelement and the metal mixed oxide macroelement formed as a result of the heat treatment. These precipitations disturb the desired microstructure, in particular the homogeneity of the electrical barriers of the component. As a result, the electrical parameters, in particular the stability and aging behavior, are adversely affected.

Ziel der ErfindungObject of the invention

Das Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung von Voraussetzungen für die Herstellung von keramischen Halbleiterbauelementen mit guten elektrischen ParÄ-metern, vor allem mit guten Stabilitätseigenschaften und hoher Lebensdauer, insbesondere für die Herstellung von ZnO-Varistoren mit niedrigsten Einsatzspannungen· Dabei sollen mit die Voraussetzungen für das Herstellen derartiger Bauelemente in integrierter Bauweise innerhalb inte grierter Schaltungen geschaffen werden.The aim of the invention is to create conditions for the production of ceramic semiconductor devices with good electrical parameters, especially with good stability properties and long life, especially for the production of ZnO varistors with lowest threshold voltages the manufacture of such components in integrated design within inte grated circuits are created.

Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung keramischer Halbleiterbauelemente, bei dem Makroelemente aus einem metall-The invention is based on the object of providing a method for producing ceramic semiconductor components in which macroelements are made of a metal semiconductor component.

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oxidischen Grundmaterial verwendet werden, so durchzuführen, daß ausgedehnte Ausscheidungen vermieden werden.oxide base material can be used to perform so that extensive precipitates are avoided.

Diese Aufgabe ist nach der Erfindung dadurch gelöst, daß eine keramische Masse, die .80 bis 99»5 mol % des metalloxydischen Grundmaterials enthält, zwischen dichte Grundmaterial - Makroelemente oder zwischen ein derartiges Makroelement und ein elektrisch leitfEhiges anderes Element als Zwischenschicht gebracht und nachfolgend eine Wärmebehandlung zur Plüssigphasensinterung zwischen den genannten Elementen durchgeführt wird. Die elektrisch leitfähigen Elemente können beim fertigen Bauelement als Anschlußkontakte dienen«This object is achieved according to the invention in that a ceramic mass containing .80 to 99 »5 mol% of the metalloxy base material, placed between dense base material - macroelements or between such a macroelement and an electrically conductive other element as an intermediate layer and subsequently a Heat treatment for Plüssigphasensinterung between said elements is performed. The electrically conductive elements can serve as connection contacts in the finished component «

Zweckmäßig werden einkristalline oder dicht gesinterte Grundmaterial - Makroelemente verwendet. Als elektrisch leitfähige andere Elemente werden Teile aus Metall, aus elektrisch leitfähiger Keramik oder aus Silizium oder Germanium verwendet. Die keramische Masse enthält vorzugsweise 95 bis 99 mol % metalloxydisches Grundmaterial. Neben dem metalloxydischen Grundmaterial sind in der keramischen Masse in zweckmäßiger Weise Oxide und/oder Fluoride und/oder Chloride von Bi und von je einem der Elemente aus der Gruppe Co, Ni, Mn und aus der Gruppe Sb, Sn, Ti, Cr enthalten. Die keramische Masse kann als Paste oder Folie zwischen die Grundmaterial - Makroelemente beziehungsweise das Grundmaterial - Makroelement und das elektrisch leitfähige Element gebracht werden. Zwischen die Elemente werden zweckmäßig an den Rändern als Abstandhalter Metallfolien eingelegt, die nur aus solchen chemischen Elementen bestehen, welche auch in der keramischen Masse enthalten sind. Erfindungsgemäß können mehr als zwei Grundmaterial - Makroelemente zu einem Halbleiter-It is expedient to use monocrystalline or densely sintered base material macroelements. As electrically conductive other elements parts of metal, of electrically conductive ceramic or silicon or germanium are used. The ceramic composition preferably contains 95 to 99 mol % of metalloxy base material. In addition to the metal-oxide base material, oxides and / or fluorides and / or chlorides of Bi and of one of the elements from the group Co, Ni, Mn and from the group Sb, Sn, Ti, Cr are suitably contained in the ceramic mass. The ceramic mass can be brought as a paste or film between the base material macroelements or the base material macroelement and the electrically conductive element. Between the elements are expediently inserted at the edges as spacers metal foils, which consist only of such chemical elements, which are also contained in the ceramic mass. According to the invention, more than two base material - macroelements to a semiconductor

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bauelement gestapelt werden. Zweckmäßig werden die Elemente während der Flüssigphasensinterung gegeneinandergedrückt. Die Sinterung kann bei einer Temperatur zwischen 1000 und 1400 ⁰C durchgeführt werden. Beim mit dem Verfahren möglichen Herstellen der Bauelemente in integrierter Bauweise innerhalb integrierter Schaltungen wird auf das Schaltungssubstrat das elektrisch leitfähige Element und dann auf dieses die keramische Masse aufgebracht. Danach wird ein Grundmaterial - Makroelement aufgelegt und angedrückt und die Wärmebehandlung zur Flüssigphasensinterung vorgenommen.be stacked. Suitably, the elements are pressed against each other during the liquid phase sintering. The sintering can be carried out at a temperature between 1000 and 1400 ⁰ C. In the case of manufacturing the components in integrated design within integrated circuits that is possible with the method, the electrically conductive element is applied to the circuit substrate and then the ceramic material is applied to the circuit substrate. Thereafter, a base material macroelement is placed and pressed and the heat treatment for liquid phase sintering is performed.

Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich gegenüber dem bekannten Verfahren vor allem dadurch aus, daß sich zwischen den Grundmaterial - Makroelementen beziehungsweise dem Grundmaterial - Makroelement und dem elektrisch leitfähigen Element kein separates Metallmischoxid - Makroelement und keine ausgedehnten Ausscheidungen bilden. Während sich mit dem bekannten Verfahren Bauelemente ergeben, bei denen zwischen zwei Grundmaterial - Makroelementen ein Metallmischoxid Makroelement mit vertikal und lateral inhomogener Barrierenstruktur vorliegt, entstehen mit dem erfindungsgeraäßen Verfahren Bauelemente, die zwischen zwei Elementen regelmäßig nur ein Grenzgebiet aufweisen. Dieses Grenzgebiet ist im Gegensatz zu der mit den bekannten Verfahren erzielbaren Barrieren-Btruktur in vorteilhafter Weise homogen und flächig ausgebildet und besitzt nur eine geringe Dicke· Es entsteht vor allem dadurch, weil bei der erfindungsgemäßen Herstellung von einem hohen Gehalt an Grundmaterial in der Zwischenschicht ausgegangen wird« Das in der Zwischenschicht vorhandene Grundmaterial bewirkt eine ausgezeichnete Benetzung der Grundmaterial - MakroelemeDte und bei der WärmebehandlungThe method according to the invention is distinguished in particular from the known method in that no separate mixed metal oxide macroelement and no extensive precipitates are formed between the base material macroelements or the base material macroelement and the electrically conductive element. While components with which a metal mixed oxide macroelement with vertically and laterally inhomogeneous barrier structure is present between two base material macroelements are formed with the known method, components which regularly have only one boundary region between two elements are formed with the method according to the invention. In contrast to the barrier structure which can be achieved with the known methods, this border region is advantageously homogeneous and flat and has only a small thickness. It is primarily due to the fact that in the production according to the invention a high content of base material in the intermediate layer is assumed "The base material present in the interlayer causes excellent wetting of the base material - macroelems and in the heat treatment

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ein Aufwachsen der Makro elemente mit damit einhergehender Segregation der anderen in der Zwischenschicht vorhandenen Metalloxide. Diese Segregation hat die Ausbildung der erwähnten Grenzfläche zwischen den Elementen zur Folge.growing the macroelements with concomitant segregation of the other metal oxides present in the intermediate layer. This segregation results in the formation of the mentioned interface between the elements.

Auf Grund* dieser Besonderheiten lassen sich mit dem erfindungsgemäßen Verfahren keramische Halbleiterbauelemente mit Einsatzspannungen bis herab zu etwa 3 Volt erzeugen, wird eine hohe Treffsicherheit der Kennlinienparameter, insbesondere der gewünschten Einsatzspannung erreicht und ist di© Einstellung definierter Konzentrationspf<?file an den Grenzflächen auch mit mehreren fletDioxiden möglich. Die hergestellten Bauelemente weioen ein ausreichend hohes <* bei großen aktiven Flächen und eine gute Impuls- und Dauerbelastbarkeit auf· Ein besonderer Vorteil besteht darin, daß mit dem erfindungsgemäßen Verfahren keramische Halbleiterbauelemente auch in Verbindung mit der Herstellung integrierter Schaltungen erzeugt werden können«On the basis of these special features, ceramic semiconductor components with threshold voltages down to about 3 volts can be produced with the method according to the invention, a high accuracy of the characteristic parameters, in particular the desired threshold voltage is achieved and the setting of defined concentration foci at the interfaces is also possible several fle t dioxides possible. The components produced have a sufficiently high <* with large active surfaces and a good pulse and continuous loadability. A particular advantage is that with the method according to the invention ceramic semiconductor components can also be produced in connection with the production of integrated circuits. "

Ausführungsbeispiel Beispiel 1 Embodiment Example 1

Zur Herstellung von ZnO-Varistoren werden dotierte ZnO-Einkristalle, die als prismatische Körper mit einer Itismenflache von 6x1 mm ausgebildet sind, als Grundmaterial - Makroelemente eingesetzt. Dabei werden jeweils zwei dieser Makroelemente für einen Varistor verwendet, indem zwischen die Makroelemente eine streichfähige Paste eingebracht wird, deren Wirkphase aus 97,5 mol % ZnO und je 0,5 mol % Bi₂O,, Co₂O,, HiO, Я0^ besteht. Hierzu wird zunächst auf die Ränder derFor the production of ZnO varistors doped ZnO single crystals, which are formed as prismatic bodies with an Itismenflache of 6x1 mm, used as a base material - macroelements. In each case, two of these macroelements are used for a varistor by introducing between the macroelements a spreadable paste whose active phase consists of 97.5 mol % ZnO and 0.5 mol % Bi ₂ O ,, Co ₂ O ,, HiO, Я0 ^ exists. This is done first on the edges of the

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Prismenfläche eines der Makroelemente eine 5 /um dicke Metallfolie als Abstandhalter aufgelegt, die nur solche chemischen Elemente enthält, welche auch in der Paste enthalten sind. Danach wird auf die freigebliebene Oberfläche die Paste aufgetragen und das zweite Makroelement aufgelegt und angedrückt. Anschließend werden die so hergestellten Anordnungen in б h langsam auf 1200 ⁰C aufgeheizt, während einer Dauer von 2 h auf dieser Temperatur gehalten und in 48 h langsam im Ofen auf Zimmertemperatur abgekühlt. Schließlich werden diese Anordnungen mit elektrischen Anschlüssen versehen. Die fertigen ZnO-Varistoren weisen folgende Parameter auf:Prism surface of one of the macroelements a 5 / thick metal foil placed as a spacer containing only those chemical elements, which are also contained in the paste. Then the paste is applied to the exposed surface and the second macroelement is placed and pressed. Subsequently, the assemblies thus prepared are heated slowly in 1200 h at 1200 ⁰ C, kept for a period of 2 h at this temperature and slowly cooled in 48 h in the oven to room temperature. Finally, these arrangements are provided with electrical connections. The finished ZnO varistors have the following parameters:

Einsatzspannung Ug (bei 1 шА ei ) = 3tO5 ··· 3>2 YOperating voltage Ug (at 1 шА ei) = 3tO5 ··· 3> 2 Y

Nichtlinearitäts- ~- d In I *ы 31 .... 33 koeffizient ~ d In UNonlinearity ~ - d In I * ы 31 .... 33 coefficient ~ d In U

Rest strom 3g (bei 0,8 Ü_E) ^ 5 /UÄ cm"² Remaining stream 3g (at 0.8 Ü _E ) ^ 5 / UÄ cm " ²

Alterungsrate а = -4- = J^ < 2,5Aging rate a = -4- = J ^ <2.5

Beispiel 2Example 2

Analog zum Beispiel 1 werden dotierte ZnO-Einkristalle mit einer Eontaktfläche von 4 χ 4 mm als Grundmaterial Makroelemente verwendet. Die Wirksubstanz der Paste besteht aus 96,95 mol % ZnO, je 1 mol % Sb₂O₅ und Bi₂O₅, 0,35 mol % Co₂O₅, 0,8 mol % NiO, 0,4 mol % Cr₂O₅ und 0,5 mol % !JInCO₅. Als Abstandhalter wird eine 3 dicke Metallfolie verwendet«,Analogously to Example 1, doped ZnO monocrystals with an Eontakt surface of 4 χ 4 mm are used as base material macroelements. The active substance of the paste consists of 96.95 mol% ZnO, 1 mol % Sb ₂ O ₅ and Bi ₂ O ₅ , 0.35 mol% Co ₂ O ₅ , 0.8 mol % NiO, 0.4 mol % Cr ₂ O ₅ and 0.5 mol% of JInCO ₅ . The spacer used is a 3-thick metal foil «,

Diese Varistoren weisen folgende Parameter auf:These varistors have the following parameters:

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Einsatzspannung Ug (bei 1 mA cm ) = 3,4 VInsertion voltage Ug (at 1 mA cm) = 3.4 V

Nichtlinearitäts- (χ - d In I = 34 koeffizient ~ d In UNonlinearity (χ - d In I = 34 coefficient ~ d In U

Reststrom 5т. (bei 0,8 Ug) ^ 1 /uA cmResidual current 5 t. (at 0.8 Ug) ^ 1 / uA cm

Alterungsrate a =Aging rate a =

Auf die Randflächen eines einkristallinen, aus dotiertem ZnO bestehenden prismatischen Grundmaterial -On the edge surfaces of a monocrystalline prismatic base material consisting of doped ZnO -

ρ Makroelements mit einer Prismenfläche von 6x1 mm wird eine 5 /um dicke Metallfolie als Abstandhalter aufgelegt» Danach wird auf die freie Oberfläche die im Beispiel 2 beschriebene Paste aafgestrichen. Auf diese wird ein elektrisch leitfähiges Element in Form einer Scheibe aus η - Silizium aufgelegt und angedrückt, welches für das Bauelement als elektrischer Kontakt dient· Diese Anordnung wird nach der im Beispiel 1 genannten Vorschrift wärmebehandelt und abschließend mit elektrischen Anschlüssen versehen. Vorher v/ird die auf dem Si-Element entstandene SiO₂-Schicht vorsichtig abgeätzt. Die Varistorelemente weisen die gleichen Parameter wie Beispiel 2 auf.ρ macroelement with a prism surface of 6x1 mm, a 5 / um thick metal foil is placed as a spacer »Thereafter, the paste described in Example 2 is painted on the free surface. In this an electrically conductive element in the form of a disk of η - silicon is placed and pressed, which serves for the device as an electrical contact · This arrangement is heat treated according to the rule mentioned in Example 1 and finally provided with electrical connections. Before that, the SiO ₂ layer formed on the Si element is carefully etched off. The varistor elements have the same parameters as Example 2.

Claims (11)

-е- 221696 Erfindungs ansprach-е- 221696 Inven 1. Verfahren zum Herstellen keramischer Halbleiterbauelemente, Ъеі dem Makroelemente aus einem metalloxydischen Grundmaterial verwendet werden, gekennzeichnet dadurch, daß eine keramische Masse, die 80 bis
99 »5 raol % des metalloxydischen Grundmaterials
enthält, zwischen dichte Grundmaterial - Makroelemente oder zwischen ein Grundmaterial - Makroelement und ein elektrisch leitfähiges anderes
Element als Zwischenschicht gebracht und nachfolgend eine Wärmebehandlung zur Plüssigphasensinterung zwischen den genannten Elementen durchgeführt wird.1. A method for producing ceramic semiconductor components, which are used to the macroelements of a metal oxide base material, characterized in that a ceramic mass, the 80 bis
99 »5% by volume of the metalloxy base material
contains, between dense base material - macroelements or between a base material - macroelement and an electrically conductive other
Element is brought as an intermediate layer and then a heat treatment for the liquid phase is performed between said elements. 2. Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß einkristalline oder dicht gesinterte Grundmaterial Makroelemente verwendet werden.2. The method according to item 1, characterized in that monocrystalline or densely sintered base material macroelements are used. 3· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß als elektrisch leitfähige andere Elemente Teile aus Metall, aus elektrisch leitfähiger Keramik oder aus Silizium oder Germanium verwendet werden.3 · Method according to item 1, characterized in that are used as electrically conductive other elements parts of metal, of electrically conductive ceramic or of silicon or germanium. 4· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die keramische Masse 95 bis 99 ^ol % metalloxydisches Grundmaterial enthält.4 · Method according to item 1, characterized in that the ceramic mass contains 95 to 99 % by weight of metalloxy base material. 5· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß in der keramischen Masse neben dem inetalloxydischen Grundmaterial Oxide und/oder Fluoride und/oder
Chloride von Bi und von je einem der Elemente aus der Gruppe Co, M, Mn und aus der Gruppe Sb, Sn, Ti, Cr enthalten sind.Method according to item 1, characterized in that oxides and / or fluorides and / or oxides are present in the ceramic mass in addition to the base metal oxide
Chlorides of Bi and each one of the elements from the group Co, M, Mn and from the group Sb, Sn, Ti, Cr are included. 6„ Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die keramische Masse als Paste oder Folie zwischen die Elemente gebracht wird.6 "method according to item 1, characterized in that the ceramic mass is brought as a paste or foil between the elements. 7· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß zwischen die Elemente an den Rändern als Abstandhalter Metallfolien eingelegt werden, die nur aus solchen chemischen Elementen bestehen, welche auch in der keramischen Masse enthalten sind·Process according to item 1, characterized in that metal foils are inserted between the elements at the edges as spacers, which consist only of those chemical elements which are also contained in the ceramic mass. 8_# Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß mehr als zwei Grundmaterial - Makroelemente zu einem Halbleiterbauelement gestapelt werden.8 _# Method according to item 1, characterized in that more than two basic material macroelements are stacked to form a semiconductor component. 9e Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Elemente während der Flüssigphasensinterung gegeneinandergedrückt werden·9e method according to item 1, characterized in that the elements are pressed against each other during the liquid phase sintering · -9- 221696-9- 221696 10· Verfahren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß die Flüssigphasensinterung bei einer Temperatur zwischen 1000 und 1400 ⁰C durchgeführt wird.10th method according to item 1, characterized in that the liquid phase sintering is carried out at a temperature between 1000 and 1400 ⁰ C. 11· Yörfsiiren nach Punkt 1, gekennzeichnet dadurch, daß beim Herstellen der Bauelemente in integrierter Bauweise innerhalb integrierter Schaltungen auf das Schaltungs substrat das elektrisch leitfähige Element !und dann auf dieses die keramische Masse aufgebracht werden und daß danach ein Grundmaterial - Makroele-Bient aufgelegt und angedrückt und die Wärmebehandlung zur Flüssigphasensinterung vorgenommen wird.11 · Yörfsiiren according to item 1, characterized in that in the manufacture of components in integrated circuits within integrated circuits on the circuit substrate, the electrically conductive element! And then applied to this the ceramic mass and that then a base material - placed on macroele and Bient pressed and the heat treatment is carried out for Flüssigphasensinterung.