CN2758969Y - 平板式电极结构 - Google Patents

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曾湘波
郝会颖
徐艳月
张世斌
胡志华
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Abstract

一种平板式电极结构，用于PECVD***，包括：一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。本实用新型提高非晶硅基薄膜材料生长速率及均匀性，减少由等离子体产生的硅聚合物对***的污染，并可获得较好的物理及电学参数。

Description

平板式电极结构
技术领域
本实用新型涉及一种平板式电极结构，尤其是指一种可用于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)***的平板式电极结构。
背景技术
非晶硅基薄膜材料，不但具有较低的电阻率和隙态密度，而且还有较高的光敏性。在大面积太阳电池和液晶平面显示薄膜晶体管阵列等方面得到了广泛的应用。特别是它作为高效、廉价的太阳能电池的理想材料，更具有诱人的前景。制备方法较多：光CVD法、热丝法、PECVD法等，工业生产中多采用PECVD法。若要获得较好的非晶硅基薄膜材料的物理及电学参数，与之相关的工艺条件较多，电极结构是其中重要一员。
早期普遍采用短波、中波、射频电源，制备非晶硅基薄膜材料。近年来，为提高材料生长速率、降低生产成本，多采用甚高频电源。电极结构与电源间的匹配，对材料的物理及电学参数有着直接的因果关系。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种可用于PECVD***的平板式电极结构，提高非晶硅基薄膜材料生长速率及均匀性，减少由等离子体产生的硅聚合物对***的污染，并可获得较好的物理及电学参数。
为实现上述目的，本实用新型提供的平板式电极结构，其特征在于：
一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；
一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；
一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。
所述的上层孔板、下层孔板为正方形且带有圆形导流孔，材料为不锈钢；所述的进气口，材料为不锈钢；
所述的上层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为6毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上；
所述的下层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为3毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上；
所述的下层孔板导流孔位于上层孔板相邻四导流孔对角线交点的投影；
其中上下层孔板孔径之比为：上板孔直径∶下板孔直径＝2∶1。
其中上下层孔板的间距为3毫米；
所述的下层混气室高度为5毫米～10毫米；
所述的电极接入端子数量为四个；
本电极结构使用材料为不锈钢和陶瓷。
本实用新型的优点在于，提高非晶硅基薄膜材料生长速率及均匀性，减少由等离子体产生的硅聚合物对***的污染，并可获得较好的物理及电学参数。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图；
图2是下极板和进气口结构剖视图；
图3是下极板上、下层孔板导流孔对应位置图。
具体实施方式
同时参见图1、图2，本实用新型由上极板10、下极板20、进气口30组成，其中进气口30由绝缘陶瓷层31和金属层32组成。本实用新型使用材料为不锈钢和陶瓷。
上极板10、下极板20外形均采用正方形。上极板10带有加热器，基片放置于上极板10；
下极板20采用双混气室、双层孔板结构。设有上层孔板1、下层孔板3，其中上层孔板1、下层孔板3之间为上层混气室2，下层孔板3之下为下层混气室4；下层混气室4下部另设有四个电极接入端子5，电源通过分配器采用这些电极接入端子5引入；上层孔板1、下层孔板3为正方形且带有圆形导流孔，材料为不锈钢。
下极板20上层孔板1厚度为3～5毫米，导流孔直径为6毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上；下层孔板3厚度为3～5毫米，导流孔直径为3毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上。
如图3所示，下层孔板3导流孔300位于上层孔板相邻四导流孔100对角线交点的投影。上层孔板1、下层孔板3孔径之比为：上板孔直径∶下板孔直径＝2∶1，上层孔板1、下层孔板3之间的间距为3毫米。下层混气室4高度为5毫米～10毫米；
一进气口30，位于下极板20正下方，且采用陶瓷材料与地进行绝缘，气体由圆形气体通道8进入下层混气室4。

Claims (10)

1、一种平板式电极结构，用于PECVD***，其特征在于：
一上极板，带有加热器，基片放置于上极板；
一下极板，设有上层孔板、下层孔板，其中所述的上层孔板、下层孔板之间为上层混气室，下层孔板之下为下层混气室；下层混气室下部另设有电极接入端子，电源通过分配器采用这些电极接入端子引入；
一进气口，连接于下极板的下端，由上而下依次为一绝缘陶瓷层和一金属层。
2、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的上层孔板、下层孔板为正方形且带有圆形导流孔，材料为不锈钢；所述的进气口，材料为不锈钢。
3、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的上层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为6毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上。
4、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的下层孔板厚度为3～5毫米，导流孔直径为3毫米，孔间距为12毫米，以矩阵方式均匀分布于板上。
5、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的下层孔板导流孔位于上层孔板相邻四孔对角线交点的投影。
6、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：其中上下层孔板孔径之比为：上板孔直径∶下板孔直径＝2∶1。
7、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：其中上下层孔板的间距为3毫米。
8、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的下层混气室高度为5毫米～10毫米。
9、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：所述的电极接入端子数量为四个。
10、如权利要求1所述的平板式电极结构，其特征在于：该平板式电极结构使用材料为不锈钢和陶瓷。
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