CN2585407Y - 用以改善冲线的封装基板及所制造的封装体 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种用以改善冲线的封装基板及所制造的封装体，上述封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫；上述焊线用金属焊垫是排列在上述晶片接合区以外的***区域，形成一焊线用金属焊垫区；使得上述晶片接合区在黏附上一晶片之后进行焊线制程时所形成的复数条金属焊线在后续的封胶制程中受到模流的冲击减少，因而改善半导体封装制程中因冲线致使焊线偏移而使得上述焊线相互接触所发生的线短的问题，以提升半导体封装产品的良率、产出、与可靠度。

Description

用以改善冲线的封装基板及所制造的封装体

技术领域

本实用新型涉及半导体封装产品的封装基板及所制造的封装体。

本实用新型具体是有关于一种用以改善冲线(wire sweep)的封装基板及所制造的封装体，特别是有关于一种在晶片封装领域中，改善因冲线导致焊线偏移而造成线短(wire short)所造成低制程良率或低产品可靠度的问题的封装基板及所制造的封装体。

技术背景

参考图1，是显示一般晶片封装前段制程的流程图；在晶圆研磨110步骤中，将一晶圆研磨至一适当的厚度，以免在封胶150步骤中，出现焊线外露的不良影响；在晶圆切割120步骤中，切割上述晶圆，成为复数个独立的晶片；在晶片粘着130步骤中，将上述晶片粘着在一封装基板上；在焊线140步骤中，以一金属导线连接于上述晶片与上述封装基板之间，形成上述晶片与上述封装基板之间的电性连接的金属焊线；在封胶150步骤中，以一环氧树脂包覆上述晶片以及金属焊线，不受外力、污染物、静电、或其他因素影响而受到破坏。

参考图2至图3，是一系列的上视图，显示一具有晶片100以及金属焊线220的封装基板200在封胶150步骤中，金属焊线受到环氧树脂模流的冲击，而发生冲线，导致焊线偏移而发生线短情形，其中金属焊线220是连接晶片100的一表面上的焊线用金属焊垫102与封装基板200的一表面上的焊线用金属焊垫208，形成电性连接。

参考图2，在160℃-200℃时将封装基板200与一封胶模具(未绘示于图面)密合，一液态环氧树脂(未绘示于图面)由灌胶口202(molding gate)以A方向进入封胶范围206后，分为复数股的模流，其中C方向的模流流至封装基板200或晶片100的对角线204后，受到上述封胶模具的模壁(未绘示于图面)的阻挡转为E方向；而B方向的模流也因如上述相同原因转为D方向；再加上封装基板200或晶片100的对角线204的附近是金属焊线220分布密度最低的区域。因此个别的金属焊线220a、220b直接受到与其延伸方向近90的E方向的模流冲击；而个别的金属焊线220c、220d亦直接受到与其延伸方向近90的D方向的模流冲击。

参考图3，上述液态环氧树脂在充满如图2所示的封胶范围206后，开始固化、硬化，形成一封胶体240覆盖封装基板200一表面的部分或全部面积，并完全覆盖晶片100、焊线用金属焊垫102、焊线用金属焊垫208、与金属焊线220。其中个别的金属焊线220a、220b、220c、220d因受到上述的模流直接冲击而发生冲线导致焊线偏移而使其分别偏离原来的位置220a’、220b’、220c’、220d’，其中个别的金属焊线220a与个别的金属焊线220c因首当其冲，偏移的程度分别大于邻近其的个别的金属焊线220b与个别的金属焊线220d，使得个别的金属焊线220a与个别的金属焊线220b接触、个别的金属焊线220c与个别的金属焊线220d接触而导致线短，使产品失效而对半导体封装制程的良率与产出有不良影响。即使个别的金属焊线220a、个别的金属焊线220c未分别与个别的金属焊线220b、个别的金属焊线220d接触，仍会因彼此的距离过近而对半导体封装产品的可靠度造成不良影响。

再如先前技艺(参考图4的封装基板200’)所显示，传统上改善上述因冲线而导致线短的问题，是将原封装基板200的一表面上的焊线用金属焊垫208的位置向邻近的原封装基板200或晶片100的对角线204移动，例如图4中的个别的焊线用金属焊垫208a’、208b’、208c’、208d’，分别由原来的位置208a、208b、208c、208d向邻近的原封装基板200或晶片100的对角线204移动，以增加焊线用金属焊垫208的间距(pitch)，也因而增加了金属焊线220的间距，例如图4中个别的金属焊线220a”与个别的金属焊线220b”以及个别的金属焊线220c”与个别的金属焊线220d”间距的增加，以减少金属焊线220之间因冲线而互相接触而导致线短的机率。

但是上述的措施仅仅是治标的手段，并无法改善原本于制程中所存在的冲线的问题，却使得金属焊线220之间的角度增大，线长也增加，因而增加焊线140步骤的作业的困难度，同时亦不利于封胶150步骤的作业性；而且前述“即使个别的金属焊线220a、个别的金属焊线220c未分别与个别的金属焊线220b、个别的金属焊线220d接触，仍会因彼此的距离过近而对半导体封装产品的可靠度造成不良影响”的问题依然存在。

发明内容

有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种用以改善冲线的封装基板及其制造的封装体，以治本的手段藉由改善冲线的手段来改善半导体封装制程中线短的问题，以提升半导体封装制程的良率与产出，并提升半导体封装产品的可靠度。

本实用新型的另一目的是提供一种用以改善冲线的封装基板及所制造的封装体，在不影响焊线步骤与封胶步骤的作业性的情况下，以治本的手段籍由改善冲线的手段来改善半导体封装制程中线短的问题，以提升半导体封装制程的良率与产出，并提升半导体封装产品的可靠度。

为达成本实用新型的上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：

提供一种用以改善冲线的封装基板，其特征在于，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫，其中上述焊线用金属焊垫是排列在上述晶片接合区以外的***区域，使得上述晶片接合区在粘附上一晶片之后进行焊线制程时所形成的复数条金属焊线的线长，随着个别金属焊线与该表面的一对角线或上述晶片的一对角线的距离愈近，而上述各金属焊线的线长愈短。

该封装基板的形式为导线架。

该封装基板的形式为印刷电路板。

该封装基板的形式为层积式印刷电路板。

本实用新型是又提供一种用以改善冲线的封装基板，其特征在于，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫，其中上述焊线用金属焊垫是排列在该晶片接合区以外的***区域，且上述焊线用金属焊垫更包含至少一虚置(dummy)焊线用金属焊垫，排列在上述晶片接合区粘附上一晶片之后，上述晶片的一对角线的延伸线上或邻近上述对角线的延伸线。

更包含一电源环与/或接地环，排列在该晶片接合区与该些焊线用金属焊垫之间。

本实用新型是又提供一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，上述封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个第二焊线用金属焊垫，其中上述第二焊线用金属焊垫是排列在上述晶片接合区以外的***区域；

一晶片粘附在上述晶片接合区上，其中上述晶片具有一主动表面，上述主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫；

复数条金属焊线分别连接上述各第一焊线用金属焊垫与所要连接的上述各第二焊线用金属焊垫，其中上述金属焊线的线长，随着个别金属焊线与上述表面的一对角线或上述晶片的一对角线的距离愈近，而上述各金属焊线的线长愈短；以及

一树脂覆盖上述晶片、上述第二焊线用金属焊垫、与上述金属焊线。

本实用新型是又提供一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，上述封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个第二焊线用金属焊垫，其中上述第二焊线用金属焊垫是排列在上述晶片接合区以外的***区域，而上述第二焊线用金属焊垫更包含至少一第二虚置(dummy)焊线用金属焊垫，排列在上述晶片接合区粘附上一晶片之后，上述晶片的一对角线的延伸线上或邻近该对角线的延伸线；

将一晶片粘附在上述晶片接合区上，其中上述晶片具有一主动表面，上述主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫，上述第一焊线用金属焊垫更包含至少一第一虚置(dummy)焊线用金属焊垫，排列在上述晶片的角落附近；

复数条第一金属焊线分别连接上述各第一焊线用金属焊垫与所要连接的上述各第二焊线用金属焊垫；

一/复数条第二金属焊线分别连接上述第一虚置焊线用金属焊垫与上述第二虚置焊线用金属焊垫；以及

进行封胶制程，以一树脂覆盖上述晶片、上述第二焊线用金属焊垫、上述第一金属焊线、与上述第二金属焊线。

本实用新型是又提供一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，上述封装基板的一表面至少包含一晶片接合区、至少一第二焊线用金属焊垫、复数个第三焊线用金属焊垫、一电源环与/或接地环，其中上述第二焊线用金属焊垫与上述第三焊线用金属焊垫是共同排列在该晶片接合区以外的***区域，而上述第二焊线用金属焊垫更排列在上述晶片接合区粘附上一晶片之后，上述晶片的一对角线的延伸线上或邻近上述对角线的延伸线，而上述电源环与/或接地环是排列在上述晶片接合区与上述焊线用金属焊垫区之间；

将一晶片粘在上述晶片接合区上，其中上述晶片具有一主动表面，上述主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫；复数条第一金属焊线分别连接上述各第一焊线用金属焊垫与所要连接的上述各第三焊线用金属焊垫；

一或复数条第二金属焊线分别连接上述第二焊线用金属焊垫与上述电源环与/或接地环；以及

一树脂覆盖上述晶片、上述电源环与/或接地环、上述第二焊线用金属焊垫、上述第三焊线用金属焊垫、上述第一金属焊线、与上述第二金属焊线。

本实用新型的优点与积极效果是：

由于本实用新型所提供的一种用以改善冲线的封装基板及所制造的封装体，其封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫，该焊线用金属焊垫是排列在上述晶片接合区以外的***区域，形成一焊线用金属焊垫区；使得上述晶片接合区在黏附上一晶片之后进行焊线制程时所形成的复数条金属焊线在后续的封胶制程中受到模流的冲击减少，因而改善半导体封装制程中因冲线致使焊线偏移而使得上述焊线相互接触所发生的线短的问题，从而提升了半导体封装产品的良率、产出、与可靠度。

附图说明

图1为一流程图，用以说明一般晶片封装前段制程。

图2、3为一系列上视图，用以说明传统的晶片封装制程所遇到冲线的问题。

图4为一上视图，用以说明一习知用以解决晶片封装制程所遇到冲线的问题的方法。

图5、6为一系列上视图，用以说明本实用新型的第一实施例的用以改善冲线的封装基板及封装制程。

图7、8为一系列上视图，用以说明本实用新型的第二实施例的用以改善冲线的封装基板及封装制程。

图9、10为一系列上视图，用以说明本实用新型的第三实施例的用以改善冲线的封装基板及封装制程。件号说明：

100  晶片                          102  焊线用金属焊垫

110  晶圆研磨                      120  晶圆切割

130  晶片粘着                      140  焊线

150  封胶200  封装基板202  灌胶口                             206封胶范围204  封装基板200或晶片100的对角线208  焊线用金属焊垫                     220金属焊线208a～d、a’～d’个别的焊线用金属焊垫220a～d、a”～d”个别的金属焊线220a’个别的金属焊线                    220a  冲线前的位置220b’个别的金属焊线                    220b  冲线前的位置220c’个别的金属焊线                    220c  冲线前的位置220d’个别的金属焊线                    220d  冲线前的位置230  电源环或接地环240  封胶体300  晶片                               302  焊线用金属焊垫320  虚置(dummy)焊线用金属焊垫320a～f  个别的虚置(dummy)焊线用金属焊垫400  封装基板                           402灌胶口404  封装基板400或晶片100的对角线406  封胶范围                           408焊线用金属焊垫408a～f个别的焊线用金属焊垫410  晶片接合区                         420金属焊线420a～f  个别的金属焊线430  电源环或接地环                     440  封胶体500  封装基板                           502  灌胶口504  封装基板500或晶片300的对角线506  封胶范围                           508焊线用金属焊垫508a～d个别的焊线用金属焊垫510  晶片接合区                             520金属焊线520a～d个别的金属焊线530  电源环或接地环                         540封胶体550  虚置(dummy)焊线用金属焊垫550a～f  个别的虚置(dummy)焊线用金属焊垫560  虚置(dummy)金属焊线560a～f  个别的虚置(dummy)金属焊线600  封装基板                               602灌胶口604  封装基板600或晶片100的对角线606  封胶范围                               608焊线用金属焊垫608a～d个别的焊线用金属焊垫610  晶片接合区                             620金属焊线620a～d个别的金属焊线630  电源环或接地环                         640封胶体650  虚置(dummy)焊线用金属焊垫650a～f个别的虚置(dummy)焊线用金属焊垫660  虚置(dummy)金属焊线660a～f个别的虚置(dummy)金属焊线

具体实施方式

为让本实用新型的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

第一实施例

图5、6是一系列的上视图，显示本实用新型的第一实施例的用以改善冲线的封装基板、封装体及其制作流程。

参考图5，封装基板400可以是导线架、印刷电路板、层积式印刷电路板、或其他形式的封装基板；晶片接合区410位于封装基板400的一表面上；复数个焊线用金属焊垫408围绕在晶片接合区410以外的区域；另外可视完成后的封装产品的需要而加入一金属材质的电源环或接地环410在晶片接合区410与焊线用金属焊垫408之间的区域，并且围绕晶片接合区410；一灌胶口402位于封装基板400的边缘或角落，在后续封胶步骤时导入一环氧树脂在封胶范围406内；封胶范围406必须能涵盖晶片接合区410、电源环或接地环430、与焊线用金属焊垫408，最大可完全涵盖封装基板的400的表面积；另外，封装基板400的特征在于焊线用金属焊垫408的排列方式，于描述图6时有更清楚的说明。

参考图6，在图5所绘示的封装基板400的晶片接合区410视需要涂布上一导电胶或非导电胶(未绘示于图面)后，将晶片100放置在上述已涂布晶片接合区410的导电胶或非导电胶上；而后经过一烘烤的步骤，使上述导电胶或非导电胶硬化而将晶片100固定在封装基板400上。其中晶片100的主动表面上具有复数个焊线用金属焊垫102，用以在后续焊线制程中，分别与封装基板400的焊线用金属焊垫408形成电性连结。

接下来以一金属导线分别连接个别的焊线用金属焊垫102与所要连接的焊线用金属焊垫408，形成复数条金属焊线420，其特征在于：封装基板400的焊线用金属焊垫408与图2的封装基板200相比较，将邻近封装基板400或晶片100的对角线404的个别的焊线用金属焊垫408a、408b、408c、408d、408e、408f向晶片100移动，使得最邻近封装基板400或晶片100的对角线404的个别的金属焊线420a、420d的长度为最短，随着与封装基板400或晶片100的对角线404距离逐渐加大的个别的金属焊线420b、420c或420e、420f，其个别的长度渐次增加；另外，上述金属导线的材质大多为金(Au)，少数的情况下会使用材质为铝(Al)的金属导线。

然后在160℃～200℃时将封装基板400与一封胶模具(未绘示于图面)密合，一液态环氧树脂(未绘示于图面)由灌胶口402以A方向进入封胶范围406后，分为复数股的模流，其中C方向的模流流至封装基板400或晶片100的对角线404后，受到上述封胶模具的模壁(未绘示于图面)的阻挡转为E方向；而B方向的模流也因如上述相同原因转为D方向；虽然封装基板400或晶片100的对角线404的附近是金属焊线420分布密度最低的区域而使个别的金属焊线420a与420c分别受到上述E方向与D方向模流的直接冲击，但是一方面因为最邻近封装基板400或晶片100的对角线404的个别的金属焊线420a或420d的长度的缩短，可使受到环氧树脂模流的直接冲击而发生冲线所导致焊线偏移的程度减小；另一方面因个别的金属焊线420a、420b、420c或420d、420e、420f长度的渐次增长，使得原本由个别的金属焊线420a或420d单独承受的环氧树脂模流的冲击力量分别由个别的金属焊线420a、420b、420c或420d、420e、420f以及其后的其他金属焊线420来渐次承受，使得个别的金属焊线420a或420d所承受的环氧树脂模流的冲击力量减小，而更可使其发生冲线所导致焊线偏移的程度减小，因此个别的金属焊线420a或420d因发生冲线所导致焊线偏移而与相邻的个别的金属焊线420b或420e接触而发生线短的可能性就大大地减少了。

第二实施例

图7～8是一系列的上视图，显示本实用新型的第二实施例的用以改善冲线的封装基板、封装体及其制作流程。

参考图7，封装基板500可以是导线架、印刷电路板、层积式印刷电路板、或其他形式的封装基板；晶片接合区510位于封装基板500的一表面上；复数个焊线用金属焊垫508与虚置(dummy)焊线用金属焊垫550围绕在晶片接合区410以外的区域，其中虚置(dummy)焊线用金属焊垫550更位于封装基板504的对角线或图8所绘示的晶片300的对角线504上或附近；另外可视完成后的封装产品的需要而加入一金属材质的电源环或接地环510在晶片接合区510与焊线用金属焊垫508之间的区域，并且围绕晶片接合区510；一灌胶口502位于封装基板500的边缘或角落，在后续封胶步骤时导入一环氧树脂在封胶范围506内；封胶范围506必须能涵盖晶片接合区510、电源环或接地环530、焊线用金属焊垫508、与虚置(dummy)焊线用金属焊垫550，最大可完全涵盖封装基板500的表面积；另外，封装基板500的特征在于焊线用金属焊垫508的排列方式，于描述图8时有更清楚的说明。

参考图8，在图7所绘示的封装基板500的晶片接合区510视需要涂布上一导电胶或非导电胶(未绘示于图面)后，将晶片300放置在上述已涂布晶片接合区510的导电胶或非导电胶上；而后经过一烘烤的步骤，使上述导电胶或非导电胶硬化而将晶片300固定在封装基板500上。其中晶片300的主动表面上具有复数个焊线用金属焊垫302，用以在后续焊线制程中，分别与封装基板500的焊线用金属焊垫508形成电性连结；而且晶片300的主动表面的角落上更具有虚置(dummy)焊线用金属焊垫320，用以在后续焊线制程中，分别与封装基板500的虚置(dummy)焊线用金属焊垫550连结。

接下来以一金属导线分别连接：个别的焊线用金属焊垫302与所要连接的焊线用金属焊垫508，形成复数条金属焊线520；以及个别的虚置(dummy)焊线用金属焊垫320与所要连接的虚置(dummy)焊线用金属焊垫550，形成复数条虚置(dummy)金属焊线560，其特征在于：封装基板500与图2的封装基板200相比较，封装基板500在封装基板500的对角线或晶片300的对角线504上或附近有虚置(dummy)焊线用金属焊垫550，而在晶片300相对应的角落亦具有虚置(dummy)焊线用金属焊垫320，两者之间分别以虚置(dummy)金属焊线560相连，使得封装基板500的对角线或晶片300的对角线504上或附近的焊线密度与其他区域相当；上述金属导线的材质大多为金(Au)，少数的情况下会使用材质为铝(Al)的金属导线。

然后在160℃-200℃时将封装基板500与一封胶模具(未绘示于图面)密合，一液态环氧树脂(未绘示于图面)由灌胶口502以A方向进入封胶范围506后，分为复数股的模流，其中C方向的模流流至封装基板500或晶片300的对角线504后，受到上述封胶模具的模壁(未绘示于图面)的阻挡转为E方向；而B方向的模流也因如上述相同原因转为D方向；而在封装基板500的对角线或晶片300的对角线504上或附近的焊线密度与其他区域相当。因此在封胶步骤时，个别的金属焊线520a与520c就不会直接受到分别来自E方向与D方向的环氧树脂模流冲击，而使520a或520c发生冲线所导致焊线偏移的程度减小，因此个别的金属焊线520a或520c因发生冲线所导致焊线偏移而与相邻的个别的金属焊线520b或520d接触而发生线短的可能性就大大地减少了。

第三实施例

图9～10是一系列的上视图，显示本实用新型的第三实施例的用以改善冲线的封装基板、封装体及其制作流程。

参考图9，封装基板600可以是导线架、印刷电路板、层积式印刷电路板、或其他形式的封装基板；晶片接合区610位于封装基板600的一表面上；复数个焊线用金属焊垫608围绕在晶片接合区610以外的区域；一金属材质的电源环或接地环630在晶片接合区610与焊线用金属焊垫608之间的区域，并且围绕晶片接合区610；一灌胶口602位于封装基板600的边缘或角落，在后续封胶步骤时导入一环氧树脂在封胶范围606内；封胶范围606必须能涵盖晶片接合区610、电源环或接地环630、与焊线用金属焊垫608，最大可完全涵盖封装基板600的表面积。

参考图10，在图9所绘示的封装基板600的晶片接合区610视需要涂布上一导电胶或非导电胶(未绘示于图面)后，将晶片100放置在上述已涂布晶片接合区610的导电胶或非导电胶上；而后经过一烘烤的步骤，使上述导电胶或非导电胶硬化而将晶片100固定在封装基板600上。其中晶片100的主动表面上具有复数个焊线用金属焊垫102，用以在后续焊线制程中，分别与封装基板600的焊线用金属焊垫608形成电性连结。

接下来以一金属导线分别连接：个别的焊线用金属焊垫102与所要连接的焊线用金属焊垫608，形成复数条金属焊线620；以及电源环或接地环630与其附近的虚置(dummy)焊线用金属焊垫650，形成复数条虚置(dummy)金属焊线660，其特征在于：封装基板600与图2的封装基板200相比较，封装基板600在封装基板600的对角线或晶片100的对角线604上或附近有虚置(dummy)焊线用金属焊垫650，分别与附近的电源环或接地环630以虚置(dummy)金属焊线660相连，使得封装基板600的对角线或晶片100的对角线604上或附近的焊线密度与其他区域相当；上述金属导线的材质大多为金(Au)，少数的情况下会使用材质为铝(Al)的金属导线。

然后在160℃～200℃时将封装基板600与一封胶模具(未绘示于图面)密合，一液态环氧树脂(未绘示于图面)由灌胶口602以A方向进入封胶范围606后，分为复数股的模流，其中C方向的模流流至封装基板600或晶片100的对角线604后，受到上述封胶模具的模壁(未绘示于图面)的阻挡转为E方向；而B方向的模流也因如上述相同原因转为D方向；而在封装基板600的对角线或晶片100的对角线604上或附近的焊线密度与其他区域相当。因此在封胶步骤时，个别的金属焊线620a与620c就不会直接受到分别来自E方向与D方向的环氧树脂模流冲击，而使620a或620c发生冲线所导致焊线偏移的程度减小，因此个别的金属焊线620a或620c因发生冲线所导致焊线偏移而与相邻的个别的金属焊线620b或620d接触而发生线短的可能性就大大地减少了。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟习此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本实用新型的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

例如图6、8、10中的封装基板400、500、600上的焊线用金属焊垫408、508、608的数量；晶片102、302上的焊线用金属焊垫102、302的数量；金属焊线420、520、620的数量等，均可依照不同的设计方式可以有所变化，且亦有可能一个焊线用金属焊垫408、508、608连接复数个焊线用金属焊垫102、302或是一个焊线用金属焊垫102、302连接到复数个焊线用金属焊垫408、508、608，而焊线用金属焊垫102、302亦可能分布在晶片102、302的主动表面上的任一位置。

又例如图8、10中的封装基板500、600上的虚置(dummy)焊线用金属焊垫550、650的数量；晶片302上的虚置(dummy)焊线用金属焊垫320的数量；虚置(dummy)金属焊线560、660的数量等，均可依照不同的设计方式可以有所变化，且亦有可能一个虚置(dummy)焊线用金属焊垫550、650连接复数个虚置(dummy)焊线用金属焊垫320或是一个虚置(dummy)焊线用金属焊垫320连接到复数个虚置(dummy)焊线用金属焊垫550、650。

再者，本实用新型的第二、四、六实施例在完成封胶之后，依封装基板种类的不同，尚包含不同种类的后制程，但因其非相关本实用新型的特征，故予以省略不谈。另外，图3、6、8、10中的封胶体240、440、540、640大都为非透明物质，为了方便显示封胶后的冲线情形，忽略其非透明的性质。

Claims (9)

1、一种用以改善冲线的封装基板，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫，其特征在于，该些焊线用金属焊垫是排列在该晶片接合区以外的***区域，使得该晶片接合区在粘附上一晶片之后进行焊线制程时所形成的复数条金属焊线的线长，随着个别金属焊线与该表面的一对角线或该晶片的一对角线的距离愈近，而各该金属焊线的线长愈短。

2、如权利要求1所述用以改善冲线的封装基板，其特征在于，该封装基板的形式为导线架。

3、如权利要求1所述用以改善冲线的封装基板，其特征在于，该封装基板的形式为印刷电路板。

4、如权利要求1所述用以改善冲线的封装基板，其特征在于，该封装基板的形式为层积式印刷电路板。

5、一种用以改善冲线的封装基板，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个焊线用金属焊垫，其特征在于，该些焊线用金属焊垫是排列在该晶片接合区以外的***区域，且该些焊线用金属焊垫更包含至少一虚置焊线用金属焊垫，排列在该晶片接合区粘附上一晶片之后，该晶片的一对角线的延伸线上或邻近该对角线的延伸线。

6、如权利要求5所述用以改善冲线的封装基板，其特征在于，更包含一电源环与/或接地环，排列在该晶片接合区与该些焊线用金属焊垫之间。

7、一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个第二焊线用金属焊垫，其中该些第二焊线用金属焊垫是排列在该晶片接合区以外的***区域；

一晶片粘附在该晶片接合区上，其中该晶片具有一主动表面，该主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫；

复数条金属焊线分别连接各该第一焊线用金属焊垫与所要连接的各该第二焊线用金属焊垫，其中该些金属焊线的线长，随着个别金属焊线与该表面的一对角线或该晶片的一对角线的距离愈近，而各该金属焊线的线长愈短；以及

一树脂覆盖该晶片、该些第二焊线用金属焊垫、与该些金属焊线。

8、一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区与复数个第二焊线用金属焊垫，其中该些第二焊线用金属焊垫是排列在该晶片接合区以外的***区域，而该些第二焊线用金属焊垫更包含至少一第二虚置焊线用金属焊垫，排列在该晶片接合区粘附上一晶片之后，该晶片的一对角线的延伸线上或邻近该对角线的延伸线；

一晶片粘附在该晶片接合区上，其中该晶片具有一主动表面，该主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫，该些第一焊线用金属焊垫更包含至少一第一虚置焊线用金属焊垫，排列在该晶片的角落附近；

复数条第一金属焊线分别连接各该第一焊线用金属焊垫与所要连接的各该第二焊线用金属焊垫；

一/复数条第二金属焊线分别连接该/该些第一虚置焊线用金属焊垫与该/该些第二虚置焊线用金属焊垫；以及

进行封胶制程，以一树脂覆盖该晶片、该些第二焊线用金属焊垫、该些第一金属焊线、与该/该些第二金属焊线。

9、一种封装体，其特征在于，至少包含：

一封装基板，该封装基板的一表面至少包含一晶片接合区、至少一第二焊线用金属焊垫、复数个第三焊线用金属焊垫、一电源环与/或接地环，其中该/该些第二焊线用金属焊垫与该些第三焊线用金属焊垫是共同排列在该晶片接合区以外的***区域，而该/该些第二焊线用金属焊垫更排列在该晶片接合区粘附上一晶片之后，该晶片的一对角线的延伸线上或邻近该对角线的延伸线，而该电源环与/或接地环是排列在该晶片接合区与该焊线用金属焊垫区之间；

一晶片粘附在该晶片接合区上，其中该晶片具有一主动表面，该主动表面上具有复数个第一焊线用金属焊垫；

复数条第一金属焊线分别连接各该第一焊线用金属焊垫与所要连接的各该第三焊线用金属焊垫；

一或复数条第二金属焊线分别连接该/该些第二焊线用金属焊垫与该电源环与/或接地环；以及

一树脂覆盖该晶片、该电源环与/或接地环、该/该些第二焊线用金属焊垫、该些第三焊线用金属焊垫、该些第一金属焊线、与该/该些第二金属焊线。

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