CN2580606Y - 功率型发光二极管框架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片，发光二极管芯片装在散热性能优良的多棱柱体的每一个侧面上，发光二极管芯片的负极与多棱柱体构成电连接，多棱柱体有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体，绝缘体顶面上固接一与发光二极管芯片正极构成电连接的正极板体，多棱柱体的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体，负极框架体靠近多棱柱体的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层，正极引线脚穿过负极框架体的内腔、绝缘体与正极板体连接。这种功率型发光二极管框架，能用于照明。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种功率型发光二极管框架。
背景技术
发光二极管自问世以来，随着科学技术的发展，其发光效率越来越高、工作电流越来越大，应用范围也就越来越宽，目前，发光二极管单芯片的工作电流已达20mA、发光效率已达20-50Lm/W，但仍无法满足用于照明的要求，而将发光二极管用于照明和其他大光通量工作状态，是世界各国科技工作者努力追求的目标。依照目前公知的发光二极管的封装结构，要增加发光二极管的工作电流，最常用的方法是增大单芯片的面积或采用多芯片封装，该方法虽然能增加光输出，但芯片的温度也随之升高，从而造成光的频率漂移、发光效率降低；还由于芯片温度的升高，造成芯片的正向电压下降，芯片电流增大，使温升更高，最终烧坏芯片。因此，在大电流工作状态下发光二极管的散热问题已成为发光二极管能否正常工作的关键。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种能用于照明的功率型发光二极管框架。
为了实现上述的目的，这种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片，其结构特点是发光二极管芯片装在散热性能优良的多棱柱体的每一个侧面上，发光二极管芯片的负极与多棱柱体构成电连接，多棱柱体有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体，绝缘体顶面上固接一与发光二极管芯片正极构成电连接的正极板体，多棱柱体的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体，负极框架体靠近多棱柱体的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层，正极引线脚穿过负极框架体的内腔、绝缘体与正极板体连接。
上述的负极框架体的内腔间隙中装有绝缘内芯。
上述的多棱柱体是4-8棱柱体，最好是6棱柱体。
为了使发光二极管芯片所发出的光经反射面层反射后再变成平行光和进一步增强散热效果，这种功率型发光二极管框架还包括抛物面反射杯，该抛物面反射杯安装在负极框架体上、并将多棱柱体置于该抛物面反射杯的内腔中。
采用本实用新型所述的发光二极管框架，具有以下的有益效果：1、由于多棱柱体和负极框架体的散热性能优良，因而热阻小，可形成高效热沉，使发光二极管芯片在发光过程中所产生的热能迅速散发，从而保证了发光二极管芯片的工作稳定，提高了发光效率；2、由于发光二极管芯片安装在多棱柱体的每一侧面上，实现了多芯片一体封装，其工作电流提高到＞500mA，与公知的发光二极管的封装结构相比，光通量可增加20-30倍；3、反射面层的设置提高了发光二极管芯片的出光效率；4、由于多芯片的一体封装，形成了较理想的点光源，并且光通量大，因而能实现某些特定场合的照明要求，特别适用于在地下各种矿井中作业人员自身携带的光源，既安全，重量又轻。
附图说明
本实用新型的实施例结合附图加以说明，其中：
图1是功率型发光二极管框架的结构示意图；
图2是在功率型发光二极管框架上加装抛物面反射杯的示意图。
具体实施方式
参照附图，这种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片1，发光二极管芯片1装在用紫铜制作的多棱柱体2的每一个侧面上，多棱柱体2是4-8棱柱体，最好是6棱柱体，发光二极管芯片1的负极通过金丝线11与多棱柱体2连接，多棱柱体2有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体3，绝缘体3顶面上固接一正极板体4，正极板体4通过金丝线10与发光二极管芯片1的正极连接，多棱柱体2的底面固接有下伸、用紫铜制作的负极框架体5，负极框架体5靠近多棱柱体2的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有镀银的反射面层6，正极引线脚7穿过负极框架体5的内腔、绝缘体3与正极板体4连接，负极框架体5的内腔间隙中装有绝缘内芯8，抛物面反射杯9通过螺帽12安装在负极框架体5上、并将多棱柱体2置于该抛物面反射杯9的内腔中，抛物面反射杯9的内表面镀铝。
Claims (5)
1、一种功率型发光二极管框架，包括发光二极管芯片(1)，其特征是发光二极管芯片(1)装在散热性能优良的多棱柱体(2)的每一个侧面上，发光二极管芯片(1)的负极与多棱柱体(2)构成电连接，多棱柱体(2)有一内腔，该内腔中插接有上伸的绝缘体(3)，绝缘体(3)顶面上固接一与发光二极管芯片(1)正极构成电连接的正极板体(4)，多棱柱体(2)的底面固接有下伸、散热性能优良的负极框架体(5)，负极框架体(5)靠近多棱柱体(2)的一段呈圆台形，该圆台形的侧面上固接有反射面层(6)，正极引线脚(7)穿过负极框架体(5)的内腔、绝缘体(3)与正极板体(4)连接。
2、根据权利要求1所述的功率型发光二极管框架，其特征是负极框架体(5)的内腔间隙中装有绝缘内芯(8)。
3、根据权利要求1所述的功率型发光二极管框架，其特征是多棱柱体(2)是4-8棱柱体。
4、根据权利要求3所述的功率型发光二极管框架，其特征是多棱柱体(2)是6棱柱体。
5、根据权利要求1、2、3或4所述的功率型发光二极管框架，其特征是还包括抛物面反射杯(9)，该抛物面反射杯(9)安装在负极框架体(5)上、并将多棱柱体(2)置于该抛物面反射杯(9)的内腔中。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN02270626U CN2580606Y (zh) | 2002-11-02 | 2002-11-02 | 功率型发光二极管框架 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN02270626U CN2580606Y (zh) | 2002-11-02 | 2002-11-02 | 功率型发光二极管框架 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN2580606Y true CN2580606Y (zh) | 2003-10-15 |
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ID=33735649
Family Applications (1)
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| CN02270626U Expired - Fee Related CN2580606Y (zh) | 2002-11-02 | 2002-11-02 | 功率型发光二极管框架 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN2580606Y (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101344236B (zh) * | 2008-09-03 | 2010-06-02 | 湖北匡通电子有限公司 | 短节距薄型led引线框架 |
| WO2010066119A1 (zh) * | 2008-12-12 | 2010-06-17 | 鑫谷光电股份有限公司 | 一种功率型发光二极管 |
| WO2011029219A1 (zh) * | 2009-09-14 | 2011-03-17 | Deng Lvguo | Led晶片固定支架立体发光的led光源以及封装方法 |
-
2002
- 2002-11-02 CN CN02270626U patent/CN2580606Y/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C56 | Change in the name or address of the patentee |
Owner name: WEIFANG GEER PHOTOELECTRICITY CO., LTD. Free format text: FORMER NAME: WEIFANG HUAGUANG NEW ENERGY ELECTRICAL APPLIANCES CO., LTD. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Building 17, hi-tech building, Weifang hi tech Development Zone, Shandong 261061, China Patentee after: Weifang GoerLight Co., Ltd. Address before: Building 17, hi-tech building, Weifang hi tech Development Zone, Shandong 261061, China Patentee before: Huaguang Xinneng Electric Co., Ltd., Weifang |
|
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20031015 Termination date: 20111102 |