CN221037722U - 一种温度检测电路 - Google Patents
一种温度检测电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN221037722U CN221037722U CN202323182785.2U CN202323182785U CN221037722U CN 221037722 U CN221037722 U CN 221037722U CN 202323182785 U CN202323182785 U CN 202323182785U CN 221037722 U CN221037722 U CN 221037722U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistor
- current source
- zener diode
- npn
- npn triode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种温度检测电路。其包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管。其中，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0(三极管Q0基‑射电压)倍增电路，由于齐纳二极管电压具有良好的温度稳定性，同时VBE是具有负温度系数的电压，因此输出电压Vout是具有正温度系数的电压。该温度检测电路与传统结构相比具有精度较高、易于集成、结构简单等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种温度检测电路。
背景技术
温度检测电路在电源管理芯片、驱动芯片等很多方面都有应用，其中最常见的就是运用于过温保护功能。
一种传统的温度检测电路结构如图一所示，电流源I0的输入端接VDD，输出端接热敏电阻RT的一端，同时作为该温度检测电路的输出端，热敏电阻RT的另一端接地。该结构精度较低也不易集成。
另一种传统的温度检测电路结构如图二所示，电流源I1的输入端接VDD，输出端与二极管D0的阳极和电阻R0的一端连接；电阻R0连接运算放大器OPA0的反相输出端，同时连接电阻R1的一端；运算放大器的同相输入端接入信号Vref，输出端与电阻R1的另一端连接，并作为该温度检测电路的输出端；二极管D0的阴极接地。这种温度检测电路结构复杂，功耗也相对较高。
实用新型内容
本实用新型目的是针对背景技术中存在的问题，提出一种温度检测电路，既有结构简单，功耗较低的优点，同时又能保证较高的精度。
本实用新型的技术方案，一种温度检测电路，包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0倍增电路；
齐纳二极管电压为温度稳定型，VBE为具有负温度系数的电压，输出电压Vout是具有正温度系数的电压。
优选的，电流源包括I2、I3；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
优选的，电流源包括I2、I3、I4；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q1；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0、Q1的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极以及电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端、电流源I3的输入端和NPN型三极管Q1的基极连接；
NPN型三极管Q1的发射极与电流源I4的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3、I4输出端接地；
电流源I2、I3、I4均可用电阻替代。
NPN型三极管Q1可用NMOS管替代。
优选的，电流源包括I2、I3、I5、I6；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q2、Q3；
电流源I2、I5、I6的输入端连接VDD，NPN型三极管Q3的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
电阻R3的另一端与NPN型三极管Q0、Q2、Q3的发射极和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
NPN型三极管Q2的基极与电流源I5的输出端和NPN型三极管Q0的集电极连接；
NPN型三极管Q3的基极与电流源I6的输出端和NPN型三极管Q2的集电极连接；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
电流源I2、I3、I5、I6均可用电阻替代。
NPN型三极管Q2、Q3可用NMOS管替代。
与现有技术相比，本实用新型具有如下有益的技术效果：
本实用新型中NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0(三极管Q0基-射电压)倍增电路，由于齐纳二极管电压具有良好的温度稳定性，同时VBE是具有负温度系数的电压，因此输出电压Vout是具有正温度系数的电压。该温度检测电路与传统结构相比具有精度较高、易于集成、结构简单等优点。
附图说明
图1为一种传统的温度检测电路的示意图；
图2为另一种传统的温度检测电路的示意图；
图3为本申请提出的一种温度检测电路示意图；
图4为本申请提出的一种温度检测电路示意图；
图5为本申请提出的一种温度检测电路示意图；
图6为温度检测电路电压VBE与温度关系示意图；
图7为温度检测电路输出电压与温度关系示意图。
具体实施方式
本实用新型提出的一种温度检测电路，包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0倍增电路；
齐纳二极管电压为温度稳定型，VBE为具有负温度系数的电压，输出电压Vout是具有正温度系数的电压。
实施例1
如图3所示，本实用新型提出的一种温度检测电路，其中电流源包括I2、I3；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
在该电路结构中，齐纳二极管D1的阴极的电位为Vz，NPN型三极管Q0的基极电位是由电阻R2、R3分压产生的，此时Vout电压的计算公式为：
这种结构最为简单，与其他电路搭配使用十分便利。
实施例2
如图4所示，本实用新型提出的一种温度检测电路，其中电流源包括I2、I3、I4；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q1；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0、Q1的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极以及电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端、电流源I3的输入端和NPN型三极管Q1的基极连接；
NPN型三极管Q1的发射极与电流源I4的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3、I4输出端接地；
电流源I2、I3、I4均可用电阻替代。
NPN型三极管Q1可用NMOS管替代。
在该电路结构中，齐纳二极管D1的阴极的电位为Vz，NPN型三极管Q0的基极电位是由电阻R2、R3分压产生的，而NPN型三极管Q1的基极连接NPN型三极管Q0的发射极，Q1的发射极做为该电路结构输出端。此时Vout电压的计算公式为：
该结构有一定的带负载能力，可适当配合负载使用。
实施例3
如图5所示，本实用新型提出的一种温度检测电路，其中电流源包括I2、I3、I5、I6；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q2、Q3；
电流源I2、I5、I6的输入端连接VDD，NPN型三极管Q3的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
电阻R3的另一端与NPN型三极管Q0、Q2、Q3的发射极和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
NPN型三极管Q2的基极与电流源I5的输出端和NPN型三极管Q0的集电极连接；
NPN型三极管Q3的基极与电流源I6的输出端和NPN型三极管Q2的集电极连接；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
电流源I2、I3、I5、I6均可用电阻替代。
NPN型三极管Q2、Q3可用NMOS管替代。
在该电路结构中，齐纳二极管D1的阴极的电位为Vz，NPN型三极管Q0的基极电位是由电阻R2、R3分压产生的，NPN型三极管Q2、Q3的发射极与NPN型三极管Q0的发射级直接连接，故Vout的计算方式与实施例1类似，此时Vout电压的计算公式为：
此结构带负载能力最强，负载变化不会引起输出电压的变化。
本实用新型包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管。其中，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0(三极管Q0基-射电压)倍增电路，由于齐纳二极管电压具有良好的温度稳定性，同时VBE是具有负温度系数的电压，因此输出电压Vout是具有正温度系数的电压。该温度检测电路与传统结构相比具有精度较高、易于集成、结构简单等优点。
上面结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但是本实用新型并不限于此，在所属技术领域的技术人员所具备的知识范围内，在不脱离本实用新型宗旨的前提下还可以作出各种变化。
Claims (8)
1.一种温度检测电路，包括齐纳二极管、若干电流源、若干电阻和若干三极管，其特征在于，NPN型三极管Q0的基极连接分压电阻，构成了一个VBE0倍增电路；
齐纳二极管电压为温度稳定型，VBE为具有负温度系数的电压，输出电压Vout是具有正温度系数的电压。
2.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，电流源包括I2、I3；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
3.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，电流源包括I2、I3、I4；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q1；
电流源I2的输入端连接VDD，NPN型三极管Q0、Q1的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极以及电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
NPN型三极管Q0的发射极与电阻R3的另一端、电流源I3的输入端和NPN型三极管Q1的基极连接；
NPN型三极管Q1的发射极与电流源I4的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3、I4输出端接地。
4.根据权利要求3所述的一种温度检测电路，其特征在于，电流源I2、I3、I4均可用电阻替代。
5.根据权利要求3所述的一种温度检测电路，其特征在于，NPN型三极管Q1可用NMOS管替代。
6.根据权利要求1所述的一种温度检测电路，其特征在于，电流源包括I2、I3、I5、I6；齐纳二极管包括D1；电阻包括R2、R3；三极管包括NPN型三极管Q0、Q2、Q3；
电流源I2、I5、I6的输入端连接VDD，NPN型三极管Q3的集电极接VDD；
电流源I2的输出端与齐纳二极管D1的阴极和电阻R2的一端连接；
电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NPN型三极管Q0的基极连接；
电阻R3的另一端与NPN型三极管Q0、Q2、Q3的发射极和电流源I3的输入端连接，并作为本温度检测电路的输出端；
NPN型三极管Q2的基极与电流源I5的输出端和NPN型三极管Q0的集电极连接；
NPN型三极管Q3的基极与电流源I6的输出端和NPN型三极管Q2的集电极连接；
齐纳二极管D1的阳极和电流源I3输出端接地。
7.根据权利要求6所述的一种温度检测电路，其特征在于，电流源I2、I3、I5、I6均可用电阻替代。
8.根据权利要求6所述的一种温度检测电路，其特征在于，NPN型三极管Q2、Q3可用NMOS管替代。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323182785.2U CN221037722U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种温度检测电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202323182785.2U CN221037722U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种温度检测电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN221037722U true CN221037722U (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=91133361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202323182785.2U Active CN221037722U (zh) | 2023-11-24 | 2023-11-24 | 一种温度检测电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN221037722U (zh) |
-
2023
- 2023-11-24 CN CN202323182785.2U patent/CN221037722U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108225588B (zh) | 一种温度传感器及温度检测方法 | |
| CN109813455A (zh) | 一种cmos温度传感器 | |
| CN107543626B (zh) | 一种无需校准的高精度温度传感器 | |
| CN114062765B (zh) | 一种低功耗高精度电压检测电路 | |
| CN113778161B (zh) | 一种低功耗高电源抑制比的自偏置电流基准源 | |
| CN221037722U (zh) | 一种温度检测电路 | |
| RU2461048C1 (ru) | Источник опорного напряжения | |
| CN111352461B (zh) | 一种基于cmos工艺的负压基准电路 | |
| JPS5824042B2 (ja) | 電圧フオロワ回路 | |
| CN114935958B (zh) | 一种低成本ldo限流电路 | |
| CN107066018B (zh) | 一种精确的por电路 | |
| CN210377197U (zh) | 一种低温漂带隙基准电压源电路 | |
| CN112217500B (zh) | 一种高精度低功耗的上电复位电路 | |
| US4370608A (en) | Integrable conversion circuit for converting input voltage to output current or voltage | |
| JPH02191012A (ja) | 電圧発生回路 | |
| CN213149573U (zh) | 零温漂电流源 | |
| CN217982209U (zh) | 一种恒功率加热电路 | |
| CN217880114U (zh) | 称重仪表高精度双极性激励源 | |
| CN216623071U (zh) | 一种dali总线电源 | |
| CN210742768U (zh) | 一种宽温高精确低限幅模块 | |
| CN216483468U (zh) | 一种称重仪表的10v高精度激励源 | |
| CN220933054U (zh) | 一种开环霍尔电流传感器电源稳定电路 | |
| CN111240391B (zh) | 一种低电源电压大斜率温度传感器电路 | |
| CN216647203U (zh) | 一种恒流源以及传感器设备 | |
| CN108196614A (zh) | 一种带有温度补偿的带隙基准源及电源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |