CN220627826U - 一种直线式半片硅片传输线 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种直线式半片硅片传输线，包括加工传输平台、转运机构以及并排设置的上料传输线和下料传输线，所述上料传输线、下料传输线均包括多条输送线；所述加工传输平台包括吸附平台和第一滑动模组，所述第一滑动模组用于驱动所述吸附平台移动；所述转运机构包括抓取组件和第二滑动模组，所述第二滑动模组用于驱动所述抓取组件移动，所述抓取组件用于将上料传输线上的硅片转移到吸附平台上或将吸附平台上的硅片转移到下料传输线上；所述抓取组件包括若干真空吸盘，若干真空吸盘用于同时吸取多条输送线上的硅片。本实用新型通过上料传输线、下料传输线及转运机构的设置，能够同时进行多张半片硅片的上下料，提高了生产效率。

Description

一种直线式半片硅片传输线

技术领域

本实用新型涉及电池制造技术领域，具体涉及一种直线式半片硅片传输线。

背景技术

现有技术当中，在太阳能电池(例如Topcon电池)的生产过程中，有激光开槽的工序。在该工序中，利用激光在硅片的表面进行打孔或者开槽，将部分薄膜层(例如AL₂O₃层、SiNx层)打穿露出硅基体，从而使背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体接触。

由于激光加工生产节拍较慢，为了提高产能，通常需要配置多条生产线来执行硅片的激光开槽的工序。然而这样增加了设备成本，且占用面积较大。为了解决上述问题，现有在一条生产线的激光加工工位增加多个激光器，这样能够同时对多片硅片进行加工，也能提升产能，但是现有采用传输带结构将硅片一片一片地转移加工工位的旋转治具台上，这样效率较低。且由于根据客户需要，生产线需要进行两张半片硅片的同时输送，然而现有的生产线无法完成两张半片硅片的输送。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种直线式半片硅片传输线，通过同时对多张半片的硅片进行输送，提高了生产效率。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种直线式半片硅片传输线，包括并排设置的上料传输线和下料传输线，所述上料传输线、下料传输线均包括多条输送线；还包括：

加工传输平台,所述加工传输平台包括吸附平台和第一滑动模组，所述第一滑动模组用于驱动所述吸附平台移动；

转运机构,所述转运机构包括抓取组件和第二滑动模组，所述第二滑动模组用于驱动所述抓取组件移动，所述抓取组件用于将上料传输线上的硅片转移到吸附平台上或将吸附平台上的硅片转移到下料传输线上；所述抓取组件包括若干真空吸盘，若干真空吸盘用于同时吸取多条输送线上的硅片。

作为上述技术方案的进一步改进，所述上料传输线与下料传输线对应设置有多组，所述加工传输平台上以及转运机构对应设置有多组。

作为上述技术方案的进一步改进，所述加工传输平台上的吸附平台对应设置有多组。

作为上述技术方案的进一步改进，所述抓取组件包括上料抓取组件和下料抓取组件，所述上料抓取组件用于将上料传输线上的硅片转移到吸附平台上，所述下料抓取组件用于将吸附平台的硅片转移到下料传输线上。

作为上述技术方案的进一步改进，所述上料抓取组件和下料抓取组件结构相同，均包括一固定支架以及安装在固定支架上的多个真空吸盘，多个所述真空吸盘呈矩形阵列设置，且相邻两排真空吸盘的间距等于相邻两排输送线的间距。

作为上述技术方案的进一步改进，所述吸附平台包括滑动支架以及安装在滑动支架上的真空吸附板，所述滑动支架与第一滑动模组连接。

作为上述技术方案的进一步改进，所述直线式半片硅片加工传输线还包括对夹校正机构，所述对夹校正机构至少包括两个，其中，至少一个所述对夹校正机构设置在所述上料传输线的一侧，用于对所述上料传输线上的硅片进行位置校正；且至少一个所述对夹校正机构设置在所述下料传输线的一侧，用于对所述下料传输线上的硅片进行位置校正。

作为上述技术方案的进一步改进，所述直线式半片硅片加工传输线还包括缓存机构，所述缓存机构至少包括两个；其中至少一个所述缓存机构设置在所述上料传输线的一侧，以缓存从所述上料传输线待转移至激光加工工位的硅片；且至少一个所述缓存机构设置在所述下料传输线的一侧，以缓存从所述下料传输线待转移至后续工位的硅片。

作为上述技术方案的进一步改进，所述直线式半片硅片加工传输线还包括隐裂检测机构和AOI检测机构，所述隐裂检测机构设置在所述上料传输线的一侧，用于对硅片进行检测；所述AOI检测机构设置在所述下料传输线的一侧，用于对硅片的表面进行检测。

作为上述技术方案的进一步改进，所述直线式半片硅片加工传输线还包括NG排料机构，所述NG排料机构设置在所述下料传输线的一侧，用于将AOI检测机构检测到的不合格硅片从下料传输线上取下。

本实用新型的有益效果是：通过转运机构和加工传输平台进行半片硅片的直线式搬运，并可以同时进行多张半片硅片的搬运，提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的俯视图；

图2是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的布局图；

图3是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的加工传输平台的立体结构示意图；

图4是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的转运机构的俯视图；

图5是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的转运机构的立体结构示意图；

图6是图5中A处的局部放大图；

图7是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的对夹校正机构的结构示意图；

图8是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的缓存机构的结构示意图；

图9是本实用新型直线式半片硅片加工传输线的NG排料机构的结构示意图。

附图标记：1、下料传输线；2、上料传输线；3、加工传输平台；4、转运机构；5、对夹校正机构；6、缓存机构；7、NG排料机构；8、AOI检测机构；9、隐裂检测机构；

1a、第一下料传输线；1b、第二下料传输线；2a、第一上料传输线；2b、第二上料传输线；3a、第一加工传输平台；3b、第二加工传输平台；32a、第一吸附平台；32b、第二吸附平台；32c、第三吸附平台；32d、第四吸附平台；4a、第一转运机构；4b、第二转运机构；42a、第一上料抓取组件；42b、第二上料抓取组件；43a、第一下料抓取组件；43b、第二下料抓取组件；

31、第一滑动模组；32、吸附平台；321、滑动支架；322、真空吸附板；

41、龙门支架；42、上料抓取组件；421、固定支架；422、安装板；423、第一真空吸盘；43、下料抓取组件；44、第二滑动模组；

51、底板；52、导轨滑块组件；53、第一U形支架；54、第二U形支架；55、第一限制组件；56、第二限制组件；57、第三限制组件；58、第四限制组件；59、校正驱动组件；

61、升降驱动组件；62、连接架；63、连接板；64、陶瓷棒；

71、支撑架；72、横梁；73、滑动组件；74、升降组件；75、支板；76、第二真空吸盘；77、料盒。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本实用新型创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。

参照图1，本实施例对硅片加工传输线重新进行了布局，所述硅片加工传输线包括上料传输线2、下料传输线1、加工传输平台3、转运机构4、对夹校正机构5、缓存机构6、隐裂检测机构9、AOI检测机构8和NG排料机构7。所述上料传输线2沿传输方向依次设置有一对夹校正机构5、一缓存机构6和一隐裂检测机构9；所述下料传输线1沿传输方向依次设置有一AOI检测机构8、一NG排料机构7、一缓存机构6和一对夹校正机构5；所述转运机构4设置于上料传输线2、下料传输线1和加工传输平台3之间。

硅片加工的传输过程为：首先，硅片从所述上料传输线2的进料端上料后输送至上料传输线2的出料端，其中，所述对夹校正机构5对上料传输线2上的硅片进行位置校正，再通过所述隐裂检测机构9对硅片进行检测，避免有裂痕的硅片进行激光加工，硅片输送至出料端时，转运机构4将良品硅片转移到加工传输平台3的吸附平台32上，加工传输平台3将硅片平移至加工工位(激光器的下方)进行激光加工，另外，转运机构4将不良品硅片直接转移到下料传输线1的进料端，然后输送至下料传输线1的出料端。完成激光加工后的硅片被加工传输平台3移动离开激光器的下方，由转运机构4将其转移到下料传输线1的进料端。最后，硅片从下料传输线1的进料端输送至出料端，其中，AOI检测机构8对硅片进行检测，如有不良品则通过NG排料机构7将其移出下料传输线1，良品则继续输送至下料传输线1的出料端并经对夹校正机构5进行位置校正。

本实施例中，所述上料传输线2、下料传输线1均包括多条输送线，优选为两条，这样便于对两张半片硅片同时进行输送。

所述上料传输线2与下料传输线1对应设置有多组(即上料传输线2与下料传输线1的数量相同)，参照图2，本实施例中优选为两组，即具有两条上料传输线2(标记为第一上料传输线2a和第二上料传输线2b)和两条下料传输线1(标记为第一下料传输线1a和第二下料传输线1b)，且两条上料传输线2并排设置，两条下料传输线1位于两条上料传输线2的外侧(即按第一下料传输线1a、第一上料传输线2a、第二上料传输线2b、第二下料传输线1b依次排列设置)。另外，所述加工传输平台3以及转运机构4对应上料传输线2或下料传输线1的数量设置有两个(分别标记为第一加工光传输平台、第二加工传输平台3b、第一转运机构4a和第二转运机构4b)，且每个所述加工传输平台3上的吸附平台32也对应上料传输线2或下料传输线1的数量设置有两个(第一加工传输平台3a上的吸附平台32标记为第一吸附平台32a和第二吸附平台32b，第二加工传输平台3b上的吸附平台32标记为第三吸附平台32c和第四吸附平台32d)，每个加工传输平台3上的两个吸附平台32可以轮流地移动至激光器的下方。所述转运机构4中的抓取组件包括上料抓取组件42和下料抓取组件43(第一转运机构4a中的抓取组件标记为第一上料抓取组件42a和第一下料抓取组件43a；第二转运机构4b中的抓取组件标记为第三上料抓取组件42和第四下料抓取组件43)，两个转运机构4可以将两条上料传输线2上的硅片转移到两个加工传输平台3上的四个吸附平台32上，两个转运机构4也可以将吸附平台32的硅片转移到两条下料传输线1上。

具体转运工作过程为：第一上料抓取组件42a将第一上料传输线2a上的硅片转移到第一吸附平台32a上，同时，第二上料抓取组件42b将第二上料传输线2b上的硅片转移到第四吸附平台32d上，第一吸附平台32a和第四吸附平台32d移动至激光器下方对硅片进行激光加工；此时，第一上料抓取组件42a将第一上料传输线2a上的硅片转移到第三吸附平台32c上，第二上料抓取组件42b将第二上料传输线2b上的硅片转移到第二吸附平台32b上；上一组硅片加工完成后，第一吸附平台32a和第四吸附平台32d移动至下料工位(第一滑动模组31上与下料传输线1处于同一直线上的位置)，并由第一下料抓取组件43a和第二下料抓取组件43b分别将硅片转移至第一下料传输线1a和第二下料传输线1b上，然后第一吸附平台32a和第四吸附平台32d再移动至上料工位(第一滑动模组31上与上料传输线2处于同一直线上的位置)，第一上料抓取组件42a将第一上料传输线2a上的硅片转移到第一吸附平台32a上，第二上料抓取组件42b将第二上料传输线2b上的硅片转移到第四吸附平台32d上；与此同时，第二吸附平台32b和第三吸附平台32c移动至激光器下方进行加工；重复上述操作，就能依次对两组硅片进行加工，提高了加工效率。

在本实施例中，参照图3，所述加工传输平台3包括吸附平台32和第一滑动模组31，所述第一滑动模组31用于驱动所述吸附平台32移动，所述第一滑动模组31可以采用直线电机、滚珠丝杠、气缸、电机滑台等直线移动模组，所述吸附平台32包括滑动支架321和安装在滑动支架321上的真空吸附板322，滑动支架321与第一滑动模组31的活动部固定连接，第一滑动模组31可以带动滑动支架321及真空吸附板322移动至上料工位、下料工位及加工工位。

在本实施例中，参照图4-图6，所述转运机构4包括龙门支架41、抓取组件和第二滑动模组44，所述第二滑动模组44用于驱动所述抓取组件移动，所述抓取组件用于将上料传输线2上的硅片转移到吸附平台32上或将吸附平台32上的硅片转移到下料传输线1上。具体的，所述抓取组件包括上料抓取组件42和下料抓取组件43，上料抓取组件42和下料抓取组件43分别通过一个第二滑动模组44滑动连接于龙门支架41的两侧，所述第二滑动模组44也可以采用直线电机、滚珠丝杠、气缸、电机滑台等直线移动模组。更具体的，所述上料抓取组件42和下料抓取组件43结构相同，均包括一固定支架421，固定支架421的底部并排设置有两块水平放置的安装板422，每块安装板422上均安装有两个第一真空吸盘423(第一真空吸盘423与外部真空设备连接，实现真空负压吸附或正压破真空解除吸附)，且四个所述第一真空吸盘423呈矩形阵列设置，且相邻两排第一真空吸盘423的间距等于相邻两排输送线的间距，从而便于同时对具有两条输送线的上料传输线2的硅片进行抓取，这样一次可以抓取四张半片硅片，提高了效率。

在本实施例中，参照图7，所述对夹校正机构5包括底板51、导轨滑块组件52、第一U形支架53、第二U形支架54和校正驱动组件59，所述第一U型支架和第二U形支架54均通过所述导轨滑块组件52与所述底板51滑动连接，所述校正驱动组件59用于带动所述第一U型支架与第二U形支架54相向运动或背向运动，所述第一U形支架53的两端分别设置有第一限制组件55和第二限制组件56，所述第二U形支架54的两端分别设置有第三限制组件57和第四限制组件58。

所述第一U型支架与第二U形支架54相向运动时，第一限制组件55与第三限制组件57相向运动对其中一张半片硅片进行位置校正，第二限制组件56与第四限制组件58相向运动对其另一张半片硅片进行位置校正，本实施例中通过第一U型支架与第二U形支架54的相向运动，同时对两张硅片进行纠偏校正，提高了工作效率。

另外，本实施例仅需采用一个校正驱动组件59即可带动第一U型支架与第二U形支架54的相向运动，节约了成本，所述校正驱动组件59可以采用电机结合皮带传动方式，皮带的上下两侧分别与第一U型支架、第二U形支架54连接，从而在电机驱动皮带传动时带动第一U型支架与第二U形支架54相向运动或背向运动。

在本实施例中，参照图8，所述缓存机构6包括缓存架和驱动缓存架升降的升降驱动组件61，所述缓存架包括连接架62以及设置在连接架62底部的三块平行的连接板63，三块连接板63的连线与上料传输线2或下料传输线1的宽度方向平行，三块连接板63中相邻两块连接板63相对的一侧均设有若干陶瓷棒64即位于中间的连接板63两侧都设有陶瓷棒64，位于外侧的两块连接板63的内侧设有陶瓷棒64，若干陶瓷棒64矩形阵列设置(两排N列，N为大于2的自然数)，相邻连接板63上处于同一水平面的相邻两排陶瓷棒64形成一缓存槽(缓存架一共具有2*(N-1)个缓存槽)，上料传输线2或下料传输线1中两条输送线上的两张半片硅片可以同时进入到同一高度的缓存槽中进行保持，控制所述缓存架上升，硅片从上料传输或下料传输线1依次进入到不同高度的缓存槽中，反之，所述缓存架下降，硅片从缓存槽进入到上料传输线2或下料传输线1上。通过缓存机构6的设置可防止硅片上料速度大于加工速度时导致硅片的撞片。

在本实施例中，参照图9，所述NG排料机构7包括支撑架71、滑动组件73、取料组件和料盒77，所述支撑架71具有一位于下料传输线1上方的横梁72，所述滑动组件73设置在横梁72上，所述滑动组件73可采用导轨滑块结构结合气缸、直线电机等动力源，以带动取料组件在下料传输线1的宽度方向上移动，所述取料组件包括升降组件74、支板75以及连接在支板75底部的第二真空吸盘76，所述升降组件74可以采用气缸，气缸的固定端与滑动组件73中的滑块固定连接，支板75固定在气缸的伸缩端上，当检测到不良品时，滑动组件73驱动第二真空吸盘76移动至输送线的正上方，气缸驱动第二真空吸盘76向下移动，第二真空吸盘76产生负压吸取不良品硅片，然后向上移动，滑动组件73驱动第二真空吸盘76移动至位于下料传输线1一侧的料盒77的上方，破真空以将硅片放置料盒77中，从而完成不良品的去除。

进一步的，所述第二真空吸盘76具有两个，两个第二真空吸盘76可以同时吸取下料传输线1中两条输送线上的硅片。

另外，本实施例中的隐裂检测机构9和AOI检测机构8均采用本领域内现有的常规设备，因此，本实施例中不再赘述。

以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可做出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.一种直线式半片硅片传输线，包括并排设置的上料传输线和下料传输线，所述上料传输线、下料传输线均包括多条输送线；其特征在于，还包括：

加工传输平台,所述加工传输平台包括吸附平台和第一滑动模组，所述第一滑动模组用于驱动所述吸附平台移动；

转运机构,所述转运机构包括抓取组件和第二滑动模组，所述第二滑动模组用于驱动所述抓取组件移动，所述抓取组件用于将上料传输线上的硅片转移到吸附平台上或将吸附平台上的硅片转移到下料传输线上；所述抓取组件包括若干真空吸盘，若干真空吸盘用于同时吸取多条输送线上的硅片。

2.根据权利要求1所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，所述上料传输线与下料传输线对应设置有多组，所述加工传输平台以及转运机构对应设置有多组。

3.根据权利要求2所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，所述加工传输平台上的吸附平台对应设置有多组。

4.根据权利要求3所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，所述抓取组件包括上料抓取组件和下料抓取组件，所述上料抓取组件用于将上料传输线上的硅片转移到吸附平台上，所述下料抓取组件用于将吸附平台的硅片转移到下料传输线上。

5.根据权利要求4所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，所述上料抓取组件和下料抓取组件均包括一固定支架以及安装在固定支架上的多个真空吸盘，多个所述真空吸盘呈矩形阵列设置，且相邻两排真空吸盘的间距等于相邻两排输送线的间距。

6.根据权利要求5所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，所述吸附平台包括滑动支架以及安装在滑动支架上的真空吸附板，所述滑动支架与第一滑动模组连接。

7.根据权利要求1所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，还包括对夹校正机构，所述对夹校正机构至少包括两个，其中，至少一个所述对夹校正机构设置在所述上料传输线的一侧，用于对所述上料传输线上的硅片进行位置校正；且至少一个所述对夹校正机构设置在所述下料传输线的一侧，用于对所述下料传输线上的硅片进行位置校正。

8.根据权利要求1所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，还包括缓存机构，所述缓存机构至少包括两个；其中至少一个所述缓存机构设置在所述上料传输线的一侧，以缓存从所述上料传输线待转移至激光加工工位的硅片；且至少一个所述缓存机构设置在所述下料传输线的一侧，以缓存从所述下料传输线待转移至后续工位的硅片。

9.根据权利要求1所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，还包括隐裂检测机构和AOI检测机构，所述隐裂检测机构设置在所述上料传输线的一侧，用于对硅片进行检测；所述AOI检测机构设置在所述下料传输线的一侧，用于对硅片的表面进行检测。

10.根据权利要求9所述的一种直线式半片硅片传输线，其特征在于，还包括NG排料机构，所述NG排料机构设置在所述下料传输线的一侧，用于将AOI检测机构检测到的不合格硅片从下料传输线上取下。