CN220342748U - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220342748U CN220342748U CN202321177660.8U CN202321177660U CN220342748U CN 220342748 U CN220342748 U CN 220342748U CN 202321177660 U CN202321177660 U CN 202321177660U CN 220342748 U CN220342748 U CN 220342748U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- pixel
- light emitting
- connection wiring
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 334
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 130
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 88
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 48
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 42
- 101100532072 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) rtn1 gene Proteins 0.000 description 37
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 29
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 27
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 25
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 24
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 22
- 101100054773 Caenorhabditis elegans act-2 gene Proteins 0.000 description 22
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 20
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 102100030960 DNA replication licensing factor MCM2 Human genes 0.000 description 7
- 102100039606 DNA replication licensing factor MCM3 Human genes 0.000 description 7
- 101000583807 Homo sapiens DNA replication licensing factor MCM2 Proteins 0.000 description 7
- 101000963174 Homo sapiens DNA replication licensing factor MCM3 Proteins 0.000 description 7
- 101001018431 Homo sapiens DNA replication licensing factor MCM7 Proteins 0.000 description 7
- 101000824035 Homo sapiens Serum response factor Proteins 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 102100022056 Serum response factor Human genes 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 102100021389 DNA replication licensing factor MCM4 Human genes 0.000 description 6
- 101000615280 Homo sapiens DNA replication licensing factor MCM4 Proteins 0.000 description 6
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- -1 i.e. Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 101100456282 Caenorhabditis elegans mcm-4 gene Proteins 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-4-(pyridin-2-yldiazenyl)aniline Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1N=NC1=CC=CC=N1 IOJNPSPGHUEJAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种显示装置，具备：基板，包括第一区域、围绕所述第一区域的至少一部分的第二区域以及围绕所述第二区域的至少一部分的第三区域；第一显示要件，配置在所述第一区域上并包括第一像素电极；第二显示要件，配置在所述第一区域上并包括第二像素电极；第三显示要件，配置在所述第一区域上并包括第三像素电极；第一连接布线，使得所述第一显示要件彼此电连接，所述第一连接布线与所述第二像素电极以及所述第三像素电极中的至少一部分重叠。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种显示装置。
背景技术
近来，显示装置的用途正在多样化。另外，由于显示装置的厚度变薄且重量变轻，其使用范围正在趋于广泛。
显示装置中显示图像的区域所占的面积扩大的同时，添加了结合或者关联到显示装置的各种功能。作为用于添加各种功能的方案，具有显示图像的同时执行各种功能的区域的显示装置的研究正在继续。
显示图像的同时用于各种功能的区域为了执行其功能，需要对光或者音响等保持高的透射率。另一方面，只要在显示图像的同时用于各种功能的区域中保持高的透射率，则可以减少分辨率。
实用新型内容
本实用新型的实施例的目的在于，提供一种能够具有高的透射率的显示装置。
根据本实用新型的一方面，提供一种显示装置，具备：基板，包括第一区域、围绕所述第一区域的至少一部分的第二区域以及围绕所述第二区域的至少一部分的第三区域；第一显示要件，配置在所述第一区域上并包括第一像素电极；第二显示要件，配置在所述第一区域上并包括第二像素电极；第三显示要件，配置在所述第一区域上并包括第三像素电极；第一连接布线，使得所述第一显示要件彼此电连接，所述第一连接布线与所述第二像素电极以及所述第三像素电极中的至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，还包括：第二连接布线，使得所述第二显示要件彼此电连接，所述第二连接布线与所述第一像素电极以及所述第三像素电极中的至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，还包括：第三连接布线，使得所述第三显示要件彼此电连接，所述第三连接布线与所述第一像素电极以及所述第二像素电极中的至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，在平面上所述第一连接布线、所述第二连接布线以及所述第三连接布线的整体形状是x字形。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线中的至少一部分和所述第二连接布线中的至少一部分彼此平行。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线中的至少一部分和所述第三连接布线中的至少一部分彼此平行。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线、所述第二连接布线以及所述第三连接布线配置在相同的层。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线使得两个所述第一显示要件电连接，所述第二连接布线使得两个所述第二显示要件电连接。
在本实施例中，可以是，所述第三连接布线使得两个所述第三显示要件电连接。
在本实施例中，可以是，所述第三连接布线使得四个所述第三显示要件电连接。
在本实施例中，可以是，还包括：第四显示要件，配置在所述第二区域上并包括第四像素电极；第五显示要件，配置在所述第二区域上并包括第五像素电极；第六显示要件，配置在所述第二区域上并包括第六像素电极；以及第四连接布线，使得所述第四显示要件彼此电连接。
在本实施例中，可以是，所述第四连接布线配置在与所述第四像素电极相同的层。
在本实施例中，可以是，还包括：第一像素电路，配置在所述第二区域上；以及第二像素电路，配置在所述第二区域上。
在本实施例中，可以是，所述第一像素电极与所述第一像素电路电连接。
在本实施例中，可以是，所述第四像素电极与所述第二像素电路至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，还包括：第一薄膜晶体管，包括配置在所述基板上并包括硅半导体的第一半导体层以及与所述第一半导体层至少一部分重叠的第一栅极电极；第一层间绝缘层，覆盖所述第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管，包括配置在所述第一层间绝缘层上并包括氧化物半导体的第二半导体层以及与所述第二半导体层至少一部分重叠的第二栅极电极；以及第二层间绝缘层，覆盖所述第二薄膜晶体管。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线包括氧化物半导体。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线配置在与所述第二半导体层相同的层。
在本实施例中，可以是，所述第一区域包括透射区域。
在本实施例中，可以是，还包括：组件，与所述第一区域重叠。
根据本实用新型的另一方面，提供一种显示装置，具备：基板，包括第一区域、围绕所述第一区域的至少一部分的第二区域以及围绕所述第二区域的至少一部分的第三区域；第一显示要件，配置在所述第一区域上并包括第一像素电极；第一连接布线，使得所述第一显示要件中的至少一部分电连接；第二显示要件，配置在所述第二区域上并包括第二像素电极；以及第二连接布线，使得所述第二显示要件中的至少一部分电连接，所述第一连接布线中的至少一部分与所述第一像素电极至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，还包括：第一像素电路，配置在所述第二区域上；以及第二像素电路，配置在所述第二区域上。
在本实施例中，可以是，所述第一像素电极与所述第一像素电路电连接。
在本实施例中，可以是，所述第二像素电极与所述第二像素电路至少一部分重叠。
在本实施例中，可以是，所述第二连接布线配置在与所述第二像素电极相同的层。
在本实施例中，可以是，还包括：第一薄膜晶体管，包括配置在所述基板上并包括硅半导体的第一半导体层以及与所述第一半导体层至少一部分重叠的第一栅极电极；第一层间绝缘层，覆盖所述第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管，包括配置在所述第一层间绝缘层上并包括氧化物半导体的第二半导体层以及与所述第二半导体层至少一部分重叠的第二栅极电极；以及第二层间绝缘层，覆盖所述第二薄膜晶体管。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线包括氧化物半导体。
在本实施例中，可以是，所述第一连接布线配置在与所述第二半导体层相同的层。
在本实施例中，可以是，所述第一区域包括透射区域。
在本实施例中，可以是，还包括：组件，与所述第一区域重叠。
除了上述之外的其它方面、特征、优点可以基于以下的用于实施实用新型的具体内容、权利要求书以及附图变得明确。
根据如上所述的本实用新型的一实施例，可以通过使得连接布线与像素电极重叠来提供透射率提高的显示装置。当然，本实用新型的范围不限于这种效果。
附图说明
图1以及图2是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的立体图。
图3是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图4是概要示出根据本实用新型的一实施例的与显示要件电连接的像素电路的等效电路图。
图5是概要示出根据本实用新型的一实施例的与显示要件电连接的像素电路的等效电路图。
图6以及图7是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图。
图8是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图9是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。
图10是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图。
图11是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的截面图。
图12是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图。
图13是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的截面图。
图14是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图。
(附图标记说明)
OLED：有机发光元件
CWL：连接布线
1：显示装置
10：显示面板
211：像素电极
具体实施方式
本实用新型可以进行各种改变并可以具有各种实施例，将在附图中例示特定实施例并在详细说明中进行详细说明。本实用新型的效果、特征以及实现它们的方法将参照下文中结合附图详细描述的实施例而变得明确。但是，本实用新型并不限于下文中所公开的实施例，而是可以实现为各种形式。
在以下实施例中，第一、第二等术语并非具有限定性含义，其使用目的为将一个构成要件与其它构成要件区分开。
在以下的实施例中，只要在文脉上没有明确表示为不同，单数表达包括复数表达。
在以下的实施例中，包括或者具有等术语是指存在说明书中记载的特征或构成要件，并非事先排除一个以上的其它特征或构成要件的附加可能性。
在以下的实施例中，当膜、区域、构成要件等部分被记载为位于其它部分之上或者上方时，不仅包括其直接位于其它部分之上的情况，还包括其它膜、区域、构成要件等介于其中间的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件的尺寸可能会放大或者缩小示出。例如，为了便于说明，附图所示的各个构成的尺寸以及厚度被任意地示出，因此，本实用新型并非一定限于图中所示的情况。
在本说明书中“A和/或B”表示A、B或者A和B的情况。另外，在本说明书中“A以及B中的至少任一个”表示A、B或者A和B的情况。
在以下的实施例中，布线“在第一方向或者第二方向上延伸”的含义不仅包括以直线形状延伸的情况，还包括沿第一方向或者第二方向以Z字形或者曲线延伸的情况。
在以下的实施例中，当表述为“平面上”时，其意指从上方观看对象部分时的情况，当表述为“截面上”时，其意指在侧方观看将对象部分垂直截取的截面时的情况。在以下的实施例中，当表述为“重叠”时，其包括“平面上”以及“截面上”重叠。
以下，将参照所附附图对本实用新型的实施例进行详细说明，并且，在参照附图说明时，对相同或相对应的构成要件赋予相同的附图标记。
图1以及图2是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的立体图。
参照图1以及图2，显示装置1可以显示图像。显示装置1可以包括像素PX。像素PX可以定义为显示要件发出光的区域。像素PX的每一个可以意指子像素(sub-pixel)，并包括有机发光二极管OLED之类显示元件。例如，像素PX可以发出红色、绿色、蓝色或者白色的光。
在一实施例中，像素PX可以在显示装置1中具备为多个。多个像素PX可以分别发出光，可以显示图像。在一实施例中，像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2(参照图10)、第三像素PX3(参照图10)、第四像素PX4、第五像素PX5(参照图12)、第六像素PX6(参照图12)以及第七像素PX7。第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3、第四像素PX4、第五像素PX5、第六像素PX6以及第七像素PX7可以分别具备为多个。
显示装置1可以包括第一区域AR1、第二区域AR2、第三区域AR3以及第四区域AR4。在第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3中可以配置像素PX。因此，第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3可以是显示图像的显示区域。此时，在第一区域AR1中可以配置第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3，在第二区域AR2中可以配置第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6，在第三区域AR3中可以配置第七像素PX7。在第四区域AR4中可以不配置像素PX。因此，第四区域AR4可以是不显示图像的非显示区域。
第一区域AR1以及第二区域AR2中的至少一个可以是与组件重叠的区域的同时配置像素PX的区域。例如，第一区域AR1可以是与组件重叠的区域的同时配置像素PX的区域。或者，第一区域AR1以及第二区域AR2可以是全部与组件重叠的区域的同时配置像素PX的区域。在一实施例中，在第一区域AR1中可以配置第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3。在第二区域AR2中可以配置第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6。因此，第一区域AR1以及第二区域AR2可以是显示图像的区域，同时可以是在其下方配置组件的区域。
第一区域AR1以及第二区域AR2中的至少一个可以与组件重叠。因此，显示装置1中第一区域AR1和/或第二区域AR2需要具有高的透光率或者高的音响透射率。例如，在第一区域AR1和/或第二区域AR2中的显示装置1的透光率可以是约10％以上、25％以上、40％以上、50％以上、85％以上或者90％以上。在一实施例中，第一区域AR1中的显示装置1的透光率可以高于第二区域AR2中的显示装置1的透光率。
在一实施例中，在显示装置1中第一区域AR1可以具备至少一个。例如，显示装置1可以具备一个第一区域AR1或者具备多个第一区域AR1。
在一实施例中，第二区域AR2可以围绕第一区域AR1的至少一部分。例如，如图1所示，第二区域AR2可以整体围绕第一区域AR1。或者，如图2所示，第二区域AR2可以配置在第一区域AR1的一侧。例如，第一区域AR1以及第二区域AR2可以沿第一方向(例如，x方向或者–x方向)并排配置。或者，第一区域AR1以及第二区域AR2可以沿第二方向(例如，y方向或者–y方向)并排配置。第二区域AR2可以配置在第一区域AR1的两侧。
在一实施例中，第一区域AR1以及第二区域AR2可以配置在显示装置1的上侧。然而，本实用新型不限于此。第一区域AR1以及第二区域AR2也可以配置在显示装置1的下侧、右侧或者左侧。
在一实施例中，第一区域AR1以及第二区域AR2中的至少一个可以在平面上(例如，xy平面)以圆形、椭圆形、四边形等多边形、星星形状或者钻石形状等各种形状具备。图1中示出了第一区域AR1以及第二区域AR2分别以圆形形状具备，图2中示出了第一区域AR1以及第二区域AR2分别以四边形形状具备。
第三区域AR3可以围绕第一区域AR1和/或第二区域AR2的至少一部分。在一实施例中，如图1所示，可以是，第二区域AR2整体围绕第一区域AR1，第三区域AR3整体围绕第二区域AR2。或者，如图2所示，第三区域AR3可以整体围绕第一区域AR1和/或第二区域AR2。第三区域AR3中的显示装置1的分辨率可以高于或等于第一区域AR1中的显示装置1的分辨率。
第四区域AR4可以围绕第三区域AR3的至少一部分。在一实施例中，第四区域AR4可以整体围绕第三区域AR3。如上所述，在第四区域AR4中可以不配置像素PX。
图3是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。具体地，图3是沿A–A’线概要示出图1的显示装置1的截面图。
参照图3，显示装置1可以包括显示面板10、面板保护部件PB、组件20以及覆盖窗体CW。显示面板10可以包括基板100、绝缘层IL、像素电路PC、显示要件DPE、封装层ENL、触摸传感器层TSL以及光学功能层OFL。
显示装置1可以包括第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3。显示装置1包括基板100，作为另一种表示，基板100可以包括第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3。即，在基板100中可以界定第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3。以下，主要详细说明基板100包括第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3的情况。
基板100可以由玻璃、石英、高分子树脂等绝缘物质构成。基板100可以是刚性(rigid)基板或者可弯曲(bending)、可折叠(folding)、可卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
绝缘层IL以及像素电路PC可以配置在基板100上。绝缘层IL可以使得显示面板10的构成要件绝缘。绝缘层IL可以包括有机物质以及无机物质中的至少一个。
像素电路PC可以与显示要件DPE电连接而驱动显示要件DPE。像素电路PC可以配置在绝缘层IL中。在一实施例中，像素电路PC可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3。第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2可以配置在第二区域AR2中。第三像素电路PC3可以配置在第三区域AR3中。在一实施例中，在第一区域AR1中可以不配置像素电路PC。因此，第一区域AR1中的显示面板10的透射率(例如，透光率)可以相对高于第二区域AR2以及第三区域AR3中的显示面板10的透射率。
显示要件DPE可以配置在绝缘层IL上。在一实施例中，显示要件DPE可以是包括有机发光层的有机发光元件(organic light emitting diode)。或者，显示要件DPE可以是发光元件LED。发光元件LED的尺寸可以是微米(micro)尺度或者纳米(nano)尺度。例如，发光元件可以是微米(micro)发光元件。或者，发光元件可以是纳米棒(nanorod)发光元件。纳米棒发光元件可以包括氮化镓(GaN)。在一实施例中，在纳米棒发光元件上可以配置颜色转换层，颜色转换层可以包括量子点。或者，显示要件DPE可以是包括量子点发光层的量子点发光元件(Quantum dot Light Emitting Diode)。或者，显示要件DPE可以是包括无机半导体的无机发光元件。以下，主要详细说明显示要件DPE是有机发光元件的情况。
显示面板10可以包括多个显示要件DPE。多个显示要件DPE可以配置在第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3中。在一实施例中，显示要件DPE可以发出光来实现像素PX。例如，配置在第一区域AR1中的显示要件DPE可以发出光来实现第一像素PX1。配置在第二区域AR2中的显示要件DPE可以发出光来实现第四像素PX4。配置在第三区域AR3中的显示要件DPE可以发出光来实现第七像素PX7。因此，显示装置1可以在第一区域AR1、第二区域AR2以及第三区域AR3中显示图像。
在一实施例中，多个显示要件DPE可以电连接于一个第一像素电路PC1。因此，可以利用数量少的第一像素电路PC1来使得多个显示要件DPE发光，可以提高第一区域AR1的透射率。
配置在第二区域AR2中的第一像素电路PC1和配置在第一区域AR1中的显示要件DPE可以通过中间连接布线MWL电连接。中间连接布线MWL可以从第二区域AR2延伸到第一区域AR1。因此，中间连接布线MWL可以配置在第一区域AR1以及第二区域AR2中。
中间连接布线MWL可以包括透明导电性物质。例如，中间连接布线MWL可以由透明的导电性氧化物(Transparent Conducting Oxide，TCO)具备。中间连接布线MWL可以包括铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium galliumoxide)或者铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)之类导电性氧化物。
在一实施例中，多个显示要件DPE可以电连接于一个第二像素电路PC2。因此，可以利用数量少的第二像素电路PC2来使得多个显示要件DPE发光。
封装层ENL可以覆盖显示要件DPE。在一实施例中，封装层ENL可以包括至少一个无机封装层以及至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、锌氧化物(ZnO)、硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)以及硅氧氮化物(SiON)中的一个以上的无机物。至少一个有机封装层可以包括聚合物(polymer)系列的物质。作为聚合物系列的材料，可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺类树脂以及聚乙烯类树脂等。在一实施例中，至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯(acrylate)。
在一实施例中，封装层ENL可以包括依次层叠的第一无机封装层310、有机封装层320以及第二无机封装层330。第一无机封装层310以及第二无机封装层330可以防止或者减少水分等异物渗透到有机封装层320和/或显示要件DPE。
或者，封装层ENL可以是基板100以及透明的部件即密封基板由密封部件结合而密封基板100和密封基板之间的内部空间的结构。此时，在内部空间可以具备吸湿剂或填充材等。密封部件可以是密封剂。或者，密封部件可以包括通过激光固化的物质。例如，密封部件可以是玻璃胶(frit)。具体地，密封部件可以包括有机密封剂即氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂、丙烯酸类树脂或者无机密封剂即硅(silicone)等。作为氨基甲酸乙酯类树脂，例如，可以使用聚氨酯丙烯酸酯等。作为丙烯酸类树脂，例如，可以使用丙烯酸丁酯、丙烯酸乙基己酯等。另一方面，密封部件可以包括通过热固化的物质。
触摸传感器层TSL可以获得根据外部的输入(例如，触摸事件)的坐标信息。触摸传感器层可以包括触摸电极以及与触摸电极连接的触摸布线。触摸传感器层TSL可以通过自电容方式或者互电容方式感测外部输入。
触摸传感器层TSL可以配置在封装层ENL上。在一实施例中，触摸传感器层TSL可以直接配置在封装层ENL之上。在这种情况下，在触摸传感器层TSL和封装层ENL之间可以不配置光学透明粘合剂之类粘合层。或者，触摸传感器层TSL可以在触摸基板上单独形成之后，通过光学透明粘合剂之类粘合层结合到封装层ENL上。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以减少从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率。在一实施例中，光学功能层OFL可以是偏光膜。或者，光学功能层OFL可以由包括黑矩阵和滤色器的过滤板具备。
覆盖窗体CW可以配置在显示面板10上。覆盖窗体CW可以保护显示面板10。覆盖窗体CW可以包括玻璃、蓝宝石以及塑料中的至少一个。例如，覆盖窗体CW可以是超薄型钢化玻璃(Ultra-Thin Glass，UTG)、透明聚酰亚胺(Colorless Polyimide，CPI)。
面板保护部件PB可以配置在基板100的下方。面板保护部件PB可以支承并保护基板100。在一实施例中，在面板保护部件PB中可以界定与第一区域AR1重叠的开口PB_OP。作为另一种表示，面板保护部件PB可以具备与第一区域AR1重叠的开口PB_OP。在一实施例中，面板保护部件PB的开口PB_OP也可以与第一区域AR1以及第二区域AR2重叠。面板保护部件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)或者聚酰亚胺(polyimide)。
组件20可以配置在显示面板10的下方。在一实施例中，组件20可以隔着显示面板10位于与覆盖窗体CW相反的一侧。在一实施例中，组件20可以与第一区域AR1重叠。或者，组件20也可以与第一区域AR1以及第二区域AR2重叠。
组件20作为利用红外线或者可视光线等的相机，可以具备摄像元件。或者，组件20可以是太阳能电池、闪光灯(flash)、照度传感器、接近传感器、虹膜传感器。或者，组件20也可以具有接收音响的功能。为了最小化这种组件20的功能受限制，在下方配置组件20的第一区域AR1中可以不配置像素电路PC。即，驱动配置在第一区域AR1中的显示要件DPE的第一像素电路PC1可以不配置在第一区域AR1中，而配置在第二区域AR2中。因此，第一区域AR1中的显示面板10的透射率(例如，透光率)可以高于第二区域AR2中的显示面板10的透射率(例如，透光率)。
图4是概要示出根据本实用新型的一实施例的与显示要件DPE电连接的像素电路PC的等效电路图。
参照图4，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2以及储存电容器Cst。
开关薄膜晶体管T2可以分别电连接于扫描线SL以及数据线DL，并基于从扫描线SL输入的扫描信号(或者，开关电压)将从数据线DL输入的数据信号(或者，数据电压)向驱动薄膜晶体管T1传输。储存电容器Cst可以电连接于开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并存储相当于从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD的差异的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以分别电连接于驱动电压线PL和储存电容器Cst，并与存储到储存电容器Cst的电压值相对应地控制从驱动电压线PL流过显示要件DPE的驱动电流。显示要件DPE可以通过驱动电流发出具有预定的亮度的光。显示要件DPE的对电极可以接收公共电压ELVSS。
图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个储存电容器，但是，像素电路PC可以包括三个或者其以上的薄膜晶体管。
图5是概要示出根据本实用新型的一实施例的与显示要件DPE电连接的像素电路PC的等效电路图。
参照图5，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1～T7以及储存电容器Cst。多个薄膜晶体管T1～T7以及储存电容器Cst可以连接于信号线SL1、SL2、SLp、SLn、EL、DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2以及驱动电压线PL。这种布线中的至少任一个，例如，驱动电压线PL可以在相邻的像素中被共享。
多个薄膜晶体管T1～T7可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、工作控制薄膜晶体管T5、发光控制薄膜晶体管T6以及第二初始化薄膜晶体管T7。
显示要件DPE可以包括第一电极(例如，像素电极)以及第二电极(例如，对电极)，可以是，显示要件DPE的第一电极将发光控制薄膜晶体管T6作为媒介连接于驱动薄膜晶体管T1而接收驱动电流，第二电极接收公共电压ELVSS。显示要件DPE可以生成相应于驱动电流的亮度的光。
可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的一部分是NMOS(n沟道MOSFET；n-channelMOSFET)，其余是PMOS(p沟道MOSFET；p-channel MOSFET)。例如，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4是NMOS(n沟道MOSFET；n-channelMOSFET)，其余是PMOS(p沟道MOSFET；p-channel MOSFET)。或者，可以是，多个薄膜晶体管T1～T7中的补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4以及第二初始化薄膜晶体管T7是NMOS，其余是PMOS。或者，多个薄膜晶体管T1～T7均可以是NMOS或者均可以是PMOS。多个薄膜晶体管T1～T7可以包括非晶硅或者多晶硅。根据需要，NMOS的薄膜晶体管可以包括氧化物半导体。以下，为了方便起见，说明补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4是包括氧化物半导体的NMOS(n沟道MOSFET；n-channel MOSFET)且其余是PMOS(p沟道MOSFET；p-channel MOSFET)的情况。
信号线可以包括向开关薄膜晶体管T2传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1、向补偿薄膜晶体管T3传输第二扫描信号Sn'的第二扫描线SL2、向第一初始化薄膜晶体管T4传输前一扫描信号Sn-1的前一扫描线SLp、向第二初始化薄膜晶体管T7传输后一扫描信号Sn+1的后一扫描线SLn、向工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6传输发光控制信号En的发光控制线EL以及与第一扫描线SL1交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。
驱动电压线PL可以向驱动薄膜晶体管T1传输驱动电压ELVDD，第一初始化电压线VL1可以传输初始化驱动薄膜晶体管T1的第一初始化电压Vint1，第二初始化电压线VL2可以传输初始化显示要件DPE的第一电极的第二初始化电压Vint2。
可以是，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极通过第二节点N2与储存电容器Cst连接，驱动薄膜晶体管T1的源极区域和漏极区域中的任一个通过第一节点N1经由工作控制薄膜晶体管T5来连接于驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的源极区域和漏极区域中的另一个通过第三节点N3经由发光控制薄膜晶体管T6来与显示要件DPE的第一电极电连接。驱动薄膜晶体管T1可以根据开关薄膜晶体管T2的开关工作接收数据信号Dm而向显示要件DPE供应驱动电流。即，驱动薄膜晶体管T1可以与根据数据信号Dm改变的施加到第二节点N2的电压相对应地，控制从与驱动电压线PL电接通的第一节点N1流向显示要件DPE的电流量。
可以是，开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极连接于传输第一扫描信号Sn的第一扫描线SL1，开关薄膜晶体管T2的源极区域和漏极区域中的任一个连接于数据线DL，开关薄膜晶体管T2的源极区域和漏极区域中的另一个通过第一节点N1连接于驱动薄膜晶体管T1的同时经由工作控制薄膜晶体管T5来连接于驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以与施加到第一扫描线SL1的电压相对应地，将来自数据线DL的数据信号Dm向第一节点N1传输。即，可以执行开关薄膜晶体管T2根据通过第一扫描线SL1接收的第一扫描信号Sn导通而将传输到数据线DL的数据信号Dm通过第一节点N1向驱动薄膜晶体管T1传输的开关工作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极连接于第二扫描线SL2。补偿薄膜晶体管T3的源极区域和漏极区域中的任一个可以通过第三节点N3经由发光控制薄膜晶体管T6来连接于显示要件DPE的第一电极。补偿薄膜晶体管T3的源极区域和漏极区域中的另一个可以通过第二节点N2连接于储存电容器Cst的下电极CE1以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极。这种补偿薄膜晶体管T3可以根据通过第二扫描线SL2接收的第二扫描信号Sn'导通而使得驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极可以连接于前一扫描线SLp。第一初始化薄膜晶体管T4的源极区域和漏极区域中的任一个可以连接于第一初始化电压线VL1。第一初始化薄膜晶体管T4的源极区域和漏极区域中的另一个可以通过第二节点N2连接于储存电容器Cst的下电极CE1和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极等。第一初始化薄膜晶体管T4可以与施加到前一扫描线SLp的电压相对应地，将来自第一初始化电压线VL1的第一初始化电压Vint1向第二节点N2施加。即，可以执行第一初始化薄膜晶体管T4根据通过前一扫描线SLp接收的前一扫描信号Sn-1导通而将第一初始化电压Vint1向驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极传输来使得驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极的电压初始化的初始化工作。
可以是，工作控制薄膜晶体管T5的工作控制栅极电极连接于发光控制线EL，工作控制薄膜晶体管T5的源极区域和漏极区域中的任一个与驱动电压线PL连接且另一个通过第一节点N1连接于驱动薄膜晶体管T1以及开关薄膜晶体管T2。
可以是，发光控制薄膜晶体管T6的发光控制栅极电极连接于发光控制线EL，发光控制薄膜晶体管T6的源极区域和漏极区域中的任一个通过第三节点N3连接于驱动薄膜晶体管T1以及补偿薄膜晶体管T3，发光控制薄膜晶体管T6的源极区域和漏极区域中的另一个电连接于显示要件DPE的第一电极。
工作控制薄膜晶体管T5以及发光控制薄膜晶体管T6可以根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号En同时导通，从而驱动电压ELVDD传输到显示要件DPE而使得驱动电流流向显示要件DPE。
可以是，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极连接于后一扫描线SLn，第二初始化薄膜晶体管T7的源极区域和漏极区域中的任一个连接于显示要件DPE的第一电极，第二初始化薄膜晶体管T7的源极区域和漏极区域中的另一个连接于第二初始化电压线VL2，从而接收第二初始化电压Vint2。第二初始化薄膜晶体管T7可以根据通过后一扫描线SLn接收的后一扫描信号Sn+1导通而使得显示要件DPE的第一电极初始化。后一扫描线SLn可以与第一扫描线SL1相同。此时，相应扫描线可以隔着时间差传输相同的电信号来作为第一扫描线SL1发挥功能或者也可以作为后一扫描线SLn发挥功能。
第二初始化晶体管T7可以连接于后一扫描线SLn。然而，本实用新型不限于此，第二初始化晶体管T7也可以连接于发光控制线EL而根据发光控制信号En驱动。
储存电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。储存电容器Cst的下电极CE1可以通过第二节点N2与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极连接，储存电容器Cst的上电极CE2可以与驱动电压线PL连接。储存电容器Cst中可以存储与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极电压和驱动电压ELVDD之差相对应的电荷。
如上所述，多个薄膜晶体管T1～T7中的一部分可以包括氧化物半导体。例如，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以包括氧化物半导体。
为了在多晶硅的情况下具有高的可靠性，可以准确地控制为预期的电流流动。因此，在对显示装置的亮度直接影响的驱动薄膜晶体管T1的情况下，使得包括由具有高的可靠性的多晶硅构成的半导体层，基于此，可以实现高分辨率的显示装置。另一方面，氧化物半导体具有高的载流子迁移率(high carrier mobility)以及低的泄漏电流，因此，即使驱动时间长，电压下降也不大。即，在氧化物半导体的情况下，即使在低频率驱动时，根据电压下降的图像的颜色变化也不大，因此，可以低频率驱动。因此，可以通过使得补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4包括氧化物半导体来防止泄漏电流的发生的同时实现功耗减少的显示装置。
另一方面，这种氧化物半导体对光敏感，因此，电流量等可能由于来自外部的光而发生变动。因此，可以在氧化物半导体下方配置金属层来吸收或者反射来自外部的光。包括氧化物半导体的补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4的每一个可以在氧化物半导体层上方和下方的每一个中配置栅极电极。即，在z轴方向上观察时，位于氧化物半导体下方的金属层可以与氧化物半导体重叠。
图6以及图7是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板10的平面图。在图6以及图7中，分别与图1以及图2相同的附图标记意指相同部件，因此，省略重复的说明。
参照图6以及图7，显示面板10可以包括基板100、像素电路PC以及像素PX。在一实施例中，基板100可以包括第一区域AR1、第二区域AR2、第三区域AR3以及第四区域AR4。如图6所示，第二区域AR2可以整体围绕第一区域AR1。或者，如图7所示，第二区域AR2可以配置在第一区域AR1的一侧。第三区域AR3可以围绕第一区域AR1和/或第二区域AR2的至少一部分。第四区域AR4可以围绕第三区域AR3的至少一部分。
像素电路PC可以包括第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第三像素电路PC3。在一实施例中，第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2可以配置在第二区域AR2中。第三像素电路PC3可以配置在第三区域AR3中。即，像素电路PC可以不配置在第一区域AR1中。
像素PX可以实现为有机发光元件之类显示要件。像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2(参照图10)、第三像素PX3(参照图10)、第四像素PX4、第五像素PX5(参照图12)、第六像素PX6(参照图12)以及第七像素PX7。第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3可以配置在第一区域AR1中。第一像素PX1可以与第一像素电路PC1电连接。在一实施例中，第一像素PX1可以通过中间连接布线MWL与第一像素电路PC1电连接。在一实施例中，多个第一像素PX1中的任一个可以与多个第一像素PX1中的另一个电连接。此时，多个第一像素PX1中的任一个和多个第一像素PX1中的另一个可以与一个第一像素电路PC1连接而相同地发光。
第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6可以配置在第二区域AR2中。第四像素PX4可以与第二像素电路PC2电连接。第四像素PX4可以与第二像素电路PC2重叠。在一实施例中，多个第四像素PX4中的任一个可以与多个第四像素PX4中的另一个电连接。此时，多个第四像素PX4中的任一个和多个第四像素PX4中的另一个可以与一个第二像素电路PC2连接而相同地发光。
第七像素PX7可以配置在第三区域AR3中。第七像素PX7可以电连接于第三像素电路PC3。第七像素PX7可以与第三像素电路PC3重叠。
在一实施例中，第一区域AR1和/或第二区域AR2中的显示面板10的分辨率可以小于或等于第三区域AR3中的显示面板的分辨率。例如，第一区域AR1和/或第二区域AR2中的显示面板10的分辨率可以是第三区域AR3中的显示面板10的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或者1/16等。
第四区域AR4可以是不配置像素PX的非显示区域。在第四区域AR4中可以配置第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、焊盘PAD、驱动电压供应线11以及公共电压供应线13。
第一扫描驱动电路SDRV1以及第二扫描驱动电路SDRV2中的任一个可以通过扫描线SL向像素电路PC施加扫描信号。在一实施例中，第一扫描驱动电路SDRV1以及第二扫描驱动电路SDRV2可以隔着第三区域AR3位于相反一侧。在一实施例中，多个像素PX中的任一个可以从第一扫描驱动电路SDRV1接收扫描信号，多个像素PX中的另一个可以从第二扫描驱动电路SDRV2接收扫描信号。
焊盘PAD可以配置在作为第四区域AR4的一侧的焊盘区域PADA中。焊盘PAD可以不通过绝缘层覆盖而暴露，并与显示电路板40连接。在显示电路板40中可以配置显示驱动部41。
显示驱动部41可以生成向第一扫描驱动电路SDRV1以及第二扫描驱动电路SDRV2传输的信号。显示驱动部41可以生成数据信号，生成的数据信号通过扇出布线FW以及与扇出布线FW连接的数据线DL向像素电路PC传输。
显示驱动部41可以向驱动电压供应线11供应驱动电压ELVDD(参照图4)，可以向公共电压供应线13供应公共电压ELVSS(参照图4)。驱动电压ELVDD可以通过与驱动电压供应线11连接的驱动电压线PL向像素电路PC供应，公共电压ELVSS可以向与公共电压供应线13连接的显示要件的对电极供应。
图8是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。具体地，图8是沿B–B’线概要示出图6的显示面板10的截面图。
参照图8，显示面板10可以包括基板100、绝缘层IL、第三像素电路PC3、作为显示要件的第七有机发光元件OLED7以及像素界定膜215。
基板100可以包括玻璃或者聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素、醋酸丙酸纤维素等之类高分子树脂。在一实施例中，基板100可以是包括包含上述的高分子树脂的基底层以及阻挡层(未示出)的多层结构。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲、可弯曲特性。
绝缘层IL可以配置在基板100上。绝缘层IL可以包括无机绝缘层IIL以及有机绝缘层OIL。在一实施例中，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第三栅极绝缘层117以及第二层间绝缘层119。
第三像素电路PC3可以配置在第三区域AR3中。第三像素电路PC3可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2以及储存电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层Act2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2。储存电容器Cst可以包括下电极CE1以及上电极CE2。
缓冲层111可以配置在基板100上。缓冲层111可以包括硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)以及硅氧化物(SiO2)之类无机绝缘物，可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
第一半导体层Act1可以包括硅半导体。第一半导体层Act1可以包括多晶硅。或者，第一半导体层Act1可以包括非晶(amorphous)硅。或者，第一半导体层Act1可以包括氧化物半导体或者包括有机半导体等。第一半导体层Act1可以包括沟道区域以及分别配置在沟道区域的两侧的漏极区域以及源极区域。
第一栅极电极GE1可以与第一半导体层Act1重叠。具体地，第一栅极电极GE1可以与第一半导体层Act1的沟道区域重叠。第一栅极电极GE1可以包括低电阻金属物质。第一栅极电极GE1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。
在第一半导体层Act1和第一栅极电极GE1之间可以配置第一栅极绝缘层112。因此，第一半导体层Act1可以与第一栅极电极GE1绝缘。第一栅极绝缘层112可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOx)等之类无机绝缘物，锌氧化物(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅极电极GE1。第二栅极绝缘层113可以配置在第一栅极电极GE1上。第二栅极绝缘层113可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)和/或锌氧化物(ZnOx)等之类无机绝缘物，锌氧化物(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。上电极CE2可以配置在第二栅极绝缘层113上。上电极CE2可以与配置在其下方的第一栅极电极GE1重叠。此时，上电极CE2以及第一栅极电极GE1可以隔着第二栅极绝缘层113重叠而形成储存电容器Cst。即，第一薄膜晶体管TFT1的第一栅极电极GE1可以作为储存电容器Cst的下电极CE1发挥功能。如上所述，储存电容器Cst和第一薄膜晶体管TFT1可以重叠形成。然而，本实用新型不限于此。例如，储存电容器Cst也可以形成为与第一薄膜晶体管TFT1不重叠。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，可以是上述物质的单层或者多层。
第一层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2。第一层间绝缘层115可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或者锌氧化物(ZnOx)等，锌氧化物(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第一层间绝缘层115可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
第二半导体层Act2可以配置在第一层间绝缘层115上。第二半导体层Act2可以包括氧化物半导体。例如，第二半导体层Act2可以由作为Zn氧化物类物质的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成。或者，第二半导体层Act2可以由在锌氧化物(ZnO)中含有铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)之类金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或者IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体具备。
在一实施例中，第二半导体层Act2可以包括沟道区域以及配置在沟道区域两侧的源极区域以及漏极区域。第二半导体层Act2的源极区域以及漏极区域可以调节氧化物半导体的载体浓度来导电化形成。例如，第二半导体层Act2的源极区域以及漏极区域可以通过对氧化物半导体利用氢系列气体、氟系列气体或者它们的组合的等离子处理增加载体浓度来形成。
第三栅极绝缘层117可以覆盖第二半导体层Act2。第三栅极绝缘层117可以配置在第二半导体层Act2和第二栅极电极GE2之间。在一实施例中，第三栅极绝缘层117可以整体配置在基板100上。或者，第三栅极绝缘层117可以沿第二栅极电极GE2的形状图案化。第三栅极绝缘层117可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或者锌氧化物(ZnOx)等，锌氧化物(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第三栅极绝缘层117可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
第二栅极电极GE2可以配置在第三栅极绝缘层117上。第二栅极电极GE2可以与第二半导体层Act2重叠。具体地，第二栅极电极GE2可以与第二半导体层Act2的沟道区域重叠。第二栅极电极GE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。
第二层间绝缘层119可以覆盖第二栅极电极GE2。第二层间绝缘层119可以包括硅氧化物(SiO2)、硅氮化物(SiNX)、硅氧氮化物(SiON)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或者锌氧化物(ZnOx)等，锌氧化物(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第二层间绝缘层119可以是包括上述的无机绝缘物的单层或者多层。
第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1可以配置在第二层间绝缘层119上。第一源极电极SE1和/或第一漏极电极DE1可以与第一半导体层Act1电连接。第一源极电极SE1和/或第一漏极电极DE1可以通过在绝缘层界定的接触孔与第一半导体层Act1电连接。
第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以配置在第二层间绝缘层119上。第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以与第二半导体层Act2电连接。第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以通过在绝缘层界定的接触孔与第二半导体层Act2电连接。
第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以包括导电性优异的材料。第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。在一实施例中，第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
具备包括硅半导体的第一半导体层Act1的第一薄膜晶体管TFT1具有高的可靠性，因此，可以用作驱动薄膜晶体管来实现高质量的显示面板10。
氧化物半导体具有高的载流子迁移率(high carrier mobility)以及低的泄漏电流，因此，即使驱动时间长，电压下降也可能不大。即，即使在低频率驱动时，根据电压下降的图像的颜色变化也不大，因此，可以低频率驱动。如上所述，在氧化物半导体的情况下具有泄漏电流少的优点，因此，可以对除了驱动薄膜晶体管之外的其它薄膜晶体管中的至少一个采用氧化物半导体来防止泄漏电流的同时减少功耗。例如，第二薄膜晶体管TFT2可以用作开关薄膜晶体管。或者，当第三像素电路PC3包括多个薄膜晶体管时，多个薄膜晶体管中的一部分薄膜晶体管可以采用硅半导体，其余薄膜晶体管可以采用氧化物半导体。
下栅极电极BGE可以配置在第二半导体层Act2下方。在一实施例中，下栅极电极BGE可以配置在第二栅极绝缘层113和第一层间绝缘层115之间。在一实施例中，下栅极电极BGE可以接收栅极信号。在这种情况下，第二薄膜晶体管TFT2可以具备在第二半导体层Act2的上方以及下方配置栅极电极的双重栅极电极结构。
在一实施例中，子布线SWL可以配置在第三栅极绝缘层117和第二层间绝缘层119之间。在一实施例中，子布线SWL可以通过第一层间绝缘层115以及第三栅极绝缘层117中界定的接触孔与下栅极电极BGE电连接。
在一实施例中，在基板100和第三像素电路PC3之间可以配置下阻断层BSL。在一实施例中，下阻断层BSL可以与第一薄膜晶体管TFT1重叠。恒定电压可以施加到下阻断层BSL。随着下阻断层BSL配置在第一薄膜晶体管TFT1的下方，第一薄膜晶体管TFT1受到周边干涉信号的影响可能较小，从而提高第一薄膜晶体管TFT1的可靠性。
下阻断层BSL可以包括透明导电性物质。例如，下阻断层BSL可以由透明的导电性氧化物(Transparent Conducting Oxide，TCO)具备。下阻断层BSL可以包括铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zincoxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或者铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)之类导电性氧化物。
有机绝缘层OIL可以配置在无机绝缘层IIL上。在一实施例中，有机绝缘层OIL可以配置在基板100上。有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第三有机绝缘层OIL3以及第四有机绝缘层OIL4。然而，本实用新型不限于此。有机绝缘层OIL也可以包括第一有机绝缘层OIL1以及第二有机绝缘层OIL2或者包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2以及第三有机绝缘层OIL3。即，有机绝缘层OIL也可以由两个或者三个层具备，并非由四个层具备。
第一有机绝缘层OIL1可以配置为覆盖第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2。第一有机绝缘层OIL1可以包括有机物质。例如，第一有机绝缘层OIL1可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate；PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene；PS)之类通用高分子、具有苯酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的共混物之类有机绝缘物。
第一连接电极CM1可以配置在第一有机绝缘层OIL1上。此时，第一连接电极CM1可以通过第一有机绝缘层OIL1中界定的接触孔与第三像素电路PC3电连接。例如，第一连接电极CM1可以通过第一有机绝缘层OIL1中界定的接触孔与第一源极电极SE1或者第一漏极电极DE1电连接。
第一连接电极CM1可以包括导电性优异的材料。第一连接电极CM1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。在一实施例中，第一连接电极CM1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第二有机绝缘层OIL2可以配置为覆盖第一连接电极CM1。第二有机绝缘层OIL2可以包括有机物质。在一实施例中，第二有机绝缘层OIL2可以包括与第一有机绝缘层OIL1相同的物质。或者，第二有机绝缘层OIL2也可以包括与第一有机绝缘层OIL1不同的物质。
第二连接电极CM2可以配置在第二有机绝缘层OIL2上。此时，第二连接电极CM2可以通过第二有机绝缘层OIL2中界定的接触孔与第一连接电极CM1电连接。
第二连接电极CM2可以包括导电性优异的材料。第二连接电极CM2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。在一实施例中，第二连接电极CM2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第三有机绝缘层OIL3可以配置为覆盖第二连接电极CM2。第三有机绝缘层OIL3可以包括有机物质。在一实施例中，第三有机绝缘层OIL3可以包括与第一有机绝缘层OIL1相同的物质。或者，第三有机绝缘层OIL3也可以包括与第一有机绝缘层OIL1不同的物质。
第三连接电极CM3可以配置在第三有机绝缘层OIL3上。此时，第三连接电极CM3可以通过第三有机绝缘层OIL3中界定的接触孔与第二连接电极CM2电连接。然而，也可以省略第三连接电极CM3。当省略第三连接电极CM3时，像素电极211可以直接电连接于第二连接电极CM2。
第三连接电极CM3可以包括导电性优异的材料。第三连接电极CM3可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，可以由包括上述的材料的多层或者单层形成。在一实施例中，第三连接电极CM3可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第四有机绝缘层OIL4可以配置为覆盖第三连接电极CM3。第四有机绝缘层OIL4可以包括有机物质。在一实施例中，第四有机绝缘层OIL4可以包括与第一有机绝缘层OIL1相同的物质。或者，第四有机绝缘层OIL4也可以包括与第一有机绝缘层OIL1不同的物质。
作为显示要件的第七有机发光元件OLED7可以配置在有机绝缘层OIL上。第七有机发光元件OLED7可以与像素电路电连接。在第三区域AR3中第七有机发光元件OLED7可以与第三像素电路PC3电连接而实现第三像素PX3。在一实施例中，第七有机发光元件OLED7可以与第三像素电路PC3重叠。第七有机发光元件OLED7可以包括像素电极211、中间层212以及对电极213。
像素电极211可以配置在有机绝缘层OIL上。例如，像素电极211可以配置在第四有机绝缘层OIL4上。像素电极211可以通过第四有机绝缘层OIL4中界定的接触孔与第三连接电极CM3电连接。像素电极211可以包括铟锡氧化物(ITO；indium tin oxide)、铟锌氧化物(IZO；indium zinc oxide)、锌氧化物(ZnO；zinc oxide)、铟氧化物(In2O3：indium oxide)、铟镓氧化物(IGO；indium gallium oxide)或者铝锌氧化物(AZO；aluminum zinc oxide)之类导电性氧化物。或者，像素电极211可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者它们的化合物的反射膜。或者，像素电极211可以在上述的反射膜之上/之下还包括由ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的膜。
在像素电极211上可以配置界定有使像素电极211的至少一部分暴露的开口部215OP的像素界定膜215。具体地，像素界定膜215中界定的开口部215OP可以暴露像素电极211的中央部分。像素界定膜215可以包括有机绝缘物和/或无机绝缘物。可以通过开口部215OP界定从第七有机发光元件OLED7发出的光的发光区域。
中间层212可以包括发光层。发光层可以包括低分子物质或者高分子物质，可以发出红色、绿色、蓝色或者白色的光。当发光层包括低分子物质时，中间层212可以具有空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴输送层(HTL：Hole Transport Layer)、发光层(EML：Emission Layer)、电子输送层(ETL：Electron Transport Layer)、电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等以单一或复合的结构层叠的结构，可以包括酞菁铜(CuPc：copper phthalocyanine)、N，N'-二(萘-1-基)-N，N'-二苯基-联苯胺(N，N'-Di(naphthalene-1-yl)-N，N'-diphenyl-benzidine：NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum：Alq3)等在内的各种有机物质。这种层可以通过真空蒸镀的方法形成。
当发光层包括高分子物质时，中间层212可以具有包括空穴输送层以及发光层的结构。此时，可以是，空穴输送层包括PEDOT，发光层包括PPV(聚对苯乙炔；Poly-Phenylenevinylene)类以及聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这种中间层212可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法、激光热转印方法(LITI；Laser induced thermal imaging)等形成。
对电极213可以配置在中间层212上。对电极213可以由功函数低的导电性物质构成。例如，对电极213可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的合金等的(半)透明层。或者，对电极213可以在包括上述的物质的(半)透明层上还包括ITO、IZO、ZnO或者In2O3之类层。
图9是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示装置的截面图。具体地，图9是沿C–C’线概要示出图6的显示面板10的截面图。在图9中，与图8相同的附图标记表示相同的部件，因此，省略重复的说明。
参照图9，显示面板10可以包括基板100、绝缘层IL、第一像素电路PC1、第二像素电路PC2、第一有机发光元件OLED1、第四有机发光元件OLED4以及像素界定膜215。
在一实施例中，在第二区域AR2中可以配置第一像素电路PC1、第二像素电路PC2以及第四有机发光元件OLED4，在第一区域AR1中可以配置第一有机发光元件OLED1。配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1可以发出光来实现第一像素PX1。配置在第二区域AR2上的第四有机发光元件OLED4可以发出光来实现第四像素PX4。
在第二区域AR2上可以配置第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2。第一像素电路PC1以及第二像素电路PC2可以分别包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2以及储存电容器Cst。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一半导体层Act1、第一栅极电极GE1、第一源极电极SE1以及第一漏极电极DE1。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二半导体层Act2、第二栅极电极GE2、第二源极电极SE2以及第二漏极电极DE2。储存电容器Cst可以包括下电极CE1以及上电极CE2。
在第二区域AR2的第一有机绝缘层OIL1上可以配置第一连接电极CM1，在第二有机绝缘层OIL2上可以配置第二连接电极CM2，在第三有机绝缘层OIL3上可以配置第三连接电极CM3。另外，在第一区域AR1的第二层间绝缘层119上可以配置第一中间连接电极MCM1，在第一有机绝缘层OIL1上可以配置第二中间连接电极MCM2，在第二有机绝缘层OIL2上可以配置第三中间连接电极MCM3，在第三有机绝缘层OIL3上可以配置第四中间连接电极MCM4。
第一区域AR1的第一中间连接电极MCM1可以与第二区域AR2的第一源极电极SE1在相同的层由相同的物质具备。第一区域AR1的第二中间连接电极MCM2可以与第二区域AR2的第一连接电极CM1在相同的层由相同的物质具备。第一区域AR1的第三中间连接电极MCM3可以与第二区域AR2的第二连接电极CM2在相同的层由相同的物质具备。第一区域AR1的第四中间连接电极MCM4可以与第二区域AR2的第三连接电极CM3在相同的层由相同的物质具备。
在一实施例中，在第二区域AR2的第四有机绝缘层OIL4上可以配置第四有机发光元件OLED4。然而，本实用新型不限于此。如在下面的图12中所述，在第二区域AR2上可以配置第五有机发光元件OLED5(参照图12)以及第六有机发光元件OLED6(参照图12)。第四有机发光元件OLED4可以包括第四像素电极211d、中间层212以及对电极213。
在一实施例中，在第二区域AR2上可以配置第四连接布线CWL4。第四连接布线CWL4可以配置在第四有机绝缘层OIL4上。第四连接布线CWL4可以与第四有机发光元件OLED4的第四像素电极211d在相同的层由相同的物质具备。第四连接布线CWL4可以与第四像素电极211d一体具备。
第四连接布线CWL4可以使得第四有机发光元件OLED4彼此电连接。两个第四有机发光元件OLED4可以通过第四连接布线CWL4彼此电连接。作为另一种表示，两个第四像素电极211d可以通过第四连接布线CWL4彼此电连接。然而，本实用新型不限于此。两个以上的第四有机发光元件OLED4也可以通过一个第四连接布线CWL4电连接。
配置在第二区域AR2上的第二像素电路PC2和一个第四有机发光元件OLED4电连接，一个第四有机发光元件OLED4和另一个第四有机发光元件OLED4通过第四连接布线CWL4电连接，因此，两个第四有机发光元件OLED4可以通过一个第二像素电路PC2驱动。
图9中说明了第四有机发光元件OLED4，但是，第五有机发光元件OLED5和第六有机发光元件OLED6也可以相同或者类似地具备。
在一实施例中，在第一区域AR1的第四有机绝缘层OIL4上可以配置第一有机发光元件OLED1。然而，本实用新型不限于此。如在下面的图10中所述，在第一区域AR1上可以配置第二有机发光元件OLED2(参照图10)以及第三有机发光元件OLED3(参照图10)。第一有机发光元件OLED1可以包括第一像素电极211a、中间层212以及对电极213。
在第一区域AR1上可以不配置像素电路。具体地，可以是，在第一区域AR1上配置第一有机发光元件OLED1，但是，用于驱动配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1的像素电路(例如，第一像素电路PC1)配置在第二区域AR2上。即，可以通过配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1驱动配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1。
在一实施例中，配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1和配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1可以通过中间连接布线MWL电连接。中间连接布线MWL可以配置在第二有机绝缘层OIL2上。然而，本实用新型不限于此。例如，中间连接布线MWL也可以配置在第一有机绝缘层OIL1上或者配置在第三有机绝缘层OIL3上。中间连接布线MWL可以从第二区域AR2延伸到第一区域AR1。中间连接布线MWL可以配置在第一区域AR1以及第二区域AR2中。
在一实施例中，中间连接布线MWL可以与配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1电连接。另外，中间连接布线MWL可以与配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1电连接。具体地，中间连接布线MWL可以通过第一连接电极CM1电连接于第一像素电路PC1。另外，中间连接布线MWL可以通过第四中间连接电极MCM4与第一有机发光元件OLED1电连接。基于此，配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1和配置在第一区域AR1上的第一有机发光元件OLED1可以电连接。
在一实施例中，在第一区域AR1上可以配置第一连接布线CWL1。第一连接布线CWL1可以配置在第一层间绝缘层115上。第一连接布线CWL1可以与上述的第二半导体层Act2在相同的层由相同的物质具备。
第一连接布线CWL1可以使得第一有机发光元件OLED1彼此电连接。两个第一有机发光元件OLED1可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。作为另一种表示，两个第一像素电极211a可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。然而，本实用新型不限于此。两个以上的第一有机发光元件OLED1也可以通过一个第一连接布线CWL1电连接。
配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1和一个第一有机发光元件OLED1电连接，一个第一有机发光元件OLED1和另一个第一有机发光元件OLED1通过第一连接布线CWL1电连接，因此，两个第一有机发光元件OLED1可以通过一个第一像素电路PC1驱动。
图10是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图，图11是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的截面图。具体地，图10是概要示出第一区域AR1的一部分的平面图，图11是沿D–D’线概要示出图10的显示面板的截面图。
参照图10以及图11，显示面板10可以包括基板100、绝缘层IL、作为显示要件的有机发光元件OLED以及连接布线CWL。
在一实施例中，第一区域AR1可以包括透射区域TW。作为另一种表示，在第一区域AR1中可以界定透射区域TW。透射区域TW作为透光率比除了透射区域TW之外的第一区域AR1高的区域，透射区域TW可以是为了提高透光率而未蒸镀有导电物质或绝缘层的区域。例如，透射区域TW可以是未蒸镀连接布线CWL以及像素电极211a、211b、211c的区域。
作为显示要件的有机发光元件OLED可以配置在基板100上。有机发光元件OLED可以具备为多个。在一实施例中，有机发光元件OLED可以包括作为第一显示要件的第一有机发光元件OLED1、作为第二显示要件的第二有机发光元件OLED2、作为第三显示要件的第三有机发光元件OLED3。在一实施例中，第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3可以分别具备为多个。
在一实施例中，多个显示要件可以实现发出彼此不同的波段的光的第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3。在本说明书中，像素作为实现图像的最小单位意指发光区域。另一方面，当将有机发光元件用作显示要件时，发光区域可以通过像素界定膜215的开口部215OP界定。
在一实施例中，作为第一显示要件的第一有机发光元件OLED1可以实现第一像素PX1。作为第二显示要件的第二有机发光元件OLED2可以实现第二像素PX2。作为第三显示要件的第三有机发光元件OLED3可以实现第三像素PX3。
在一实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3可以分别发出红色光、绿色光以及蓝色光中的一个光。例如，第一像素PX1、第二像素PX2以及第三像素PX3可以分别发出红色光、蓝色光以及绿色光。或者，显示面板10可以还包括发出白色光的子像素。
在一实施例中，在第一区域AR1上可以配置有机发光元件OLED作为显示要件。有机发光元件OLED可以包括第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3。因此，在第一区域AR1上可以配置第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3。第一有机发光元件OLED1可以分别包括第一像素电极211a，第二有机发光元件OLED2可以分别包括第二像素电极211b，第三有机发光元件OLED3可以分别包括第三像素电极211c。
在一实施例中，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素PX1、PX2、PX3可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素PX1、PX2、PX3可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素PX1、PX2、PX3可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素PX1、PX2、PX3也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
或者，通过有机发光元件OLED实现像素PX1、PX2、PX3，因此，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个有机发光元件OLED可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个有机发光元件OLED可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个有机发光元件OLED可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个有机发光元件OLED也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
此时，有机发光元件OLED的形状可以意指像素电极的形状。因此，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素电极211a、211b、211c可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素电极211a、211b、211c可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素电极211a、211b、211c可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第一区域AR1上的各个像素电极211a、211b、211c也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
如上所述，在第一区域AR1中可以不配置像素电路PC(参照图3)。因此，配置在第一区域AR1上的有机发光元件OLED可以通过中间连接布线MWL(参照图3)与配置在第二区域AR2(参照图3)上的第一像素电路PC1(参照图3)电连接。
具体地，配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1可以与配置在第一区域AR1上的一个第一有机发光元件OLED1通过中间连接布线MWL电连接。配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1可以与配置在第一区域AR1上的一个第二有机发光元件OLED2通过中间连接布线MWL电连接。配置在第二区域AR2上的第一像素电路PC1可以与配置在第一区域AR1上的一个第三有机发光元件OLED3通过中间连接布线MWL电连接。此时，中间连接布线MWL可以与在上面的图8中所述的第二连接电极CM2(参照图8)或者第三连接电极CM3(参照图8)在相同的层由相同的物质具备。因此，可以增加第一区域AR1中的显示面板10的透光率。
在一实施例中，在第一区域AR1上可以配置连接布线CWL。连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1、第二连接布线CWL2以及第三连接布线CWL3。
在一实施例中，连接布线CWL可以使得有机发光元件OLED彼此电连接。第一连接布线CWL1可以使得第一有机发光元件OLED1彼此电连接。两个第一有机发光元件OLED1可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。作为另一种表示，两个第一像素电极211a可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。第二连接布线CWL2可以使得第二有机发光元件OLED2彼此电连接。两个第二有机发光元件OLED2可以通过第二连接布线CWL2彼此电连接。作为另一种表示，两个第二像素电极211b可以通过第二连接布线CWL2彼此电连接。第三连接布线CWL3可以使得第三有机发光元件OLED3彼此电连接。四个第三有机发光元件OLED3可以通过第三连接布线CWL3彼此电连接。作为另一种表示，四个第三像素电极211c可以通过第三连接布线CWL3彼此电连接。
在一实施例中，配置在第一区域AR1上的连接布线CWL可以与有机发光元件OLED至少一部分重叠。配置在第一区域AR1上的连接布线CWL可以与像素电极211a、211b、211c至少一部分重叠。具体地，第一连接布线CWL1可以与第二有机发光元件OLED2的第二像素电极211b以及第三有机发光元件OLED3的第三像素电极211c至少一部分重叠。第二连接布线CWL2可以与第三有机发光元件OLED3的第三像素电极211c至少一部分重叠。另外，第三连接布线CWL3可以与第二有机发光元件OLED2的第二像素电极211b至少一部分重叠。可以通过配置在第一区域AR1上的连接布线CWL与有机发光元件OLED的像素电极211a、211b、211c至少一部分重叠来增加第一区域AR1中包括的透射区域TW的面积，由此，可以提高第一区域AR1中的显示面板10的透光率。
参照图11，在基板100上可以配置绝缘层IL、第一像素电极211a、第二像素电极211b、第三像素电极211c、像素界定膜215、中间层212以及对电极213。
如图8中所述，绝缘层IL可以包括无机绝缘层IIL以及有机绝缘层OIL。无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第三栅极绝缘层117以及第二层间绝缘层119。有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第三有机绝缘层OIL3以及第四有机绝缘层OIL4。
在一实施例中，第一连接布线CWL1可以配置在第一层间绝缘层115上。第一连接布线CWL1可以包括氧化物半导体。例如，第一连接布线CWL1可以由作为Zn氧化物类物质的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成。或者，第一连接布线CWL1可以由在锌氧化物(ZnO)中含有铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)之类金属的IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITZO(In-Sn-Zn-O)或者IGTZO(In-Ga-Sn-Zn-O)半导体具备。第一连接布线CWL1可以与在上面的图8中所述的第二半导体层Act2(参照图8)在相同的层由相同的物质具备。
在一实施例中，第一连接布线CWL1、第二连接布线CWL2以及第三连接布线CWL3可以在彼此相同的层由相同的物质具备。第一连接布线CWL1与第二半导体层Act2在相同的层由相同的物质具备，因此，第二连接布线CWL2以及第三连接布线CWL3也可以与第二半导体层Act2在相同的层由相同的物质具备。
可以利用与配置在第三区域AR3(参照图8)上的第二半导体层Act2在相同的层由相同的物质具备的连接布线CWL来使得有机发光元件OLED连接，从而减少用于显示装置的制造工艺的掩模的数量。基于此，可以简化显示装置的制造工艺。另外，配置在第一区域AR1上的连接布线CWL可以由透光率高的氧化物半导体具备，因此，可以增加第一区域AR1的透光率。通过使得连接布线CWL的宽度变宽或者厚度变厚，即使在连接布线CWL由氧化物半导体具备的情况下也可以防止或者减少由于电阻率而子像素间发生亮度差异。
在第二层间绝缘层119上可以配置第一中间连接电极MCM1。在第一有机绝缘层OIL1上可以配置第二中间连接电极MCM2。在第二有机绝缘层OIL2上可以配置第三中间连接电极MCM3。在第三有机绝缘层OIL3上可以配置第四中间连接电极MCM4。在第四有机绝缘层OIL4上可以配置第一像素电极211a、第二像素电极211b以及第三像素电极211c。
在一实施例中，第一像素电极211a可以与第一连接布线CWL1电连接。此时，在第一像素电极211a和第一连接布线CWL1之间存在多个绝缘层，因此，第一像素电极211a和第一连接布线CWL1并非通过一个接触孔电连接，可以通过位于第一像素电极211a和第一连接布线CWL1之间的第一中间连接电极MCM1、第二中间连接电极MCM2、第三中间连接电极MCM3以及第四中间连接电极MCM4电连接。例如，第一中间连接电极MCM1可以通过第三栅极绝缘层117以及第二层间绝缘层119中界定的接触孔与第一连接布线CWL1电连接。第二中间连接电极MCM2可以通过第一有机绝缘层OIL1中界定的接触孔与第一中间连接电极MCM1电连接。第三中间连接电极MCM3可以通过第二有机绝缘层OIL2中界定的接触孔与第二中间连接电极MCM2电连接。第四中间连接电极MCM4可以通过第三有机绝缘层OIL3中界定的接触孔与第三中间连接电极MCM3电连接。第一像素电极211a可以通过第四有机绝缘层OIL4中界定的接触孔与第四中间连接电极MCM4电连接。因此，第一连接布线CWL1和第一像素电极211a可以通过第一中间连接电极MCM1、第二中间连接电极MCM2、第三中间连接电极MCM3以及第四中间连接电极MCM4电连接。图11中主要说明了第一像素电极211a和第一连接布线CWL1，但是，第二像素电极211b和第二连接布线CWL2以及第三像素电极211c和第三连接布线CWL3也可以通过相同或者类似的方法电连接。
在像素界定膜215中可以界定开口部215OP。可以通过像素界定膜215中界定的开口部215OP暴露第一像素电极211a的至少一部分。另外，可以通过开口部215OP界定从第一有机发光元件OLED1发出的光的发光区域。
在一实施例中，用于使得第一连接布线CWL1和第一像素电极211a连接的接触孔可以与像素界定膜215中界定的开口部215OP重叠。即，用于使得第一连接布线CWL1和第一像素电极211a连接的接触孔可以位于像素界定膜215中界定的开口部215OP之下。基于此，可以增加第一区域AR1中包括的透射区域TW的面积，由此，可以提高第一区域AR1中的显示面板10的透光率。
如上所述，第一连接布线CWL1可以与第二像素电极211b和/或第三像素电极211c至少一部分重叠。另外，第二连接布线CWL2可以与第三像素电极211c至少一部分重叠。然而，本实用新型不限于此。第二连接布线CWL2也可以与第一像素电极211a至少一部分重叠。第三连接布线CWL3也可以与第二像素电极211b至少一部分重叠。然而，本实用新型不限于此。第三连接布线CWL3也可以与第一像素电极211a至少一部分重叠。
图12是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图，图13是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的截面图。具体地，图12是概要示出第二区域AR2的一部分的平面图，图13是沿E–E’线概要示出图12的显示面板的截面图。
参照图12以及图13，显示面板10可以包括基板100、绝缘层IL、作为显示要件的有机发光元件OLED以及连接布线CWL。
作为显示要件的有机发光元件OLED可以配置在基板100上。有机发光元件OLED可以具备为多个。在一实施例中，有机发光元件OLED可以包括作为第四显示要件的第四有机发光元件OLED4、作为第五显示要件的第五有机发光元件OLED5、作为第六显示要件的第六有机发光元件OLED6。在一实施例中，第四有机发光元件OLED4、第五有机发光元件OLED5以及第六有机发光元件OLED6可以分别具备为多个。
在一实施例中，多个显示要件可以实现发出彼此不同的波段的光的第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6。在本说明书中，子像素作为实现图像的最小单位意指发光区域。另一方面，当将有机发光元件用作显示要件时，发光区域可以通过像素界定膜215的开口部215OP界定。
在一实施例中，作为第四显示要件的第四有机发光元件OLED4可以实现第四像素PX4。作为第五显示要件的第五有机发光元件OLED5可以实现第五像素PX5。作为第六显示要件的第六有机发光元件OLED6可以实现第六像素PX6。
在一实施例中，第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6可以分别发出红色光、绿色光以及蓝色光中的一个光。例如，第四像素PX4、第五像素PX5以及第六像素PX6可以分别发出红色光、蓝色光以及绿色光。或者，显示面板10可以还包括发出白色光的子像素。
在一实施例中，在第二区域AR2上可以配置有机发光元件OLED作为显示要件。有机发光元件OLED可以包括第四有机发光元件OLED4、第五有机发光元件OLED5以及第六有机发光元件OLED6。因此，在第二区域AR2上可以配置第四有机发光元件OLED4、第五有机发光元件OLED5以及第六有机发光元件OLED6。第四有机发光元件OLED4可以分别包括第四像素电极211d，第五有机发光元件OLED5可以分别包括第五像素电极211e，第六有机发光元件OLED6可以分别包括第六像素电极211f。
在一实施例中，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素PX4、PX5、PX6可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素PX4、PX5、PX6可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素PX4、PX5、PX6可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素PX4、PX5、PX6也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
或者，通过有机发光元件OLED实现像素PX4、PX5、PX6，因此，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个有机发光元件OLED可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个有机发光元件OLED可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个有机发光元件OLED可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个有机发光元件OLED也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
此时，有机发光元件OLED的形状可以意指像素电极的形状。因此，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素电极211d、211e、211f可以以鸡蛋形形状具备。作为另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素电极211d、211e、211f可以以变形的圆形形状具备。作为又另一种表示，在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素电极211d、211e、211f可以以椭圆形(oval)形状具备。然而，本实用新型不限于此。在xy平面上，配置在第二区域AR2上的各个像素电极211d、211e、211f也可以以圆形、四边形、多边形等形状具备。
如在上面的图3中所述，作为多个显示要件的多个有机发光元件OLED可以电连接于一个第二像素电路PC2。此时，有机发光元件OLED彼此可以通过连接布线CWL电连接。
在一实施例中，在第二区域AR2上可以配置连接布线CWL。连接布线CWL可以包括第四连接布线CWL4、第五连接布线CWL5以及第六连接布线CWL6。
在一实施例中，连接布线CWL可以使得有机发光元件OLED彼此电连接。第四连接布线CWL4可以使得第四有机发光元件OLED4彼此电连接。两个第四有机发光元件OLED4可以通过第四连接布线CWL4彼此电连接。作为另一种表示，两个第四像素电极211d可以通过第四连接布线CWL4彼此电连接。第五连接布线CWL5可以使得第五有机发光元件OLED5彼此电连接。两个第五有机发光元件OLED5可以通过第五连接布线CWL5彼此电连接。作为另一种表示，两个第五像素电极211e可以通过第五连接布线CWL5彼此电连接。第六连接布线CWL6可以使得第六有机发光元件OLED6彼此电连接。四个第六有机发光元件OLED6可以通过第六连接布线CWL6彼此电连接。作为另一种表示，四个第六像素电极211f可以通过第六连接布线CWL6彼此电连接。
参照图13，在基板100上可以配置绝缘层IL、第四像素电极211d、第五像素电极211e、第六像素电极211f、像素界定膜215、中间层212以及对电极213。
如在上面的图8中所述，绝缘层IL可以包括无机绝缘层IIL以及有机绝缘层OIL。无机绝缘层IIL可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第三栅极绝缘层117以及第二层间绝缘层119。有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2、第三有机绝缘层OIL3以及第四有机绝缘层OIL4。
在基板100上可以配置第二像素电路PC2。可以通过一个第二像素电路PC2驱动两个第四有机发光元件OLED4。此时，第二像素电路PC2可以与一个第四有机发光元件OLED4重叠。然而，第二像素电路PC2可以与其余一个第四有机发光元件OLED4不重叠。第二像素电路PC2可以与在上面的图8中所述的第三像素电路PC3相同或者类似地具备。然而，本实用新型不限于此。第二像素电路PC2也可以与第三像素电路PC3不同地具备。
第二像素电路PC2可以通过分别配置在第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2以及第三有机绝缘层OIL3上的第一连接电极CM1、第二连接电极CM2以及第三连接电极CM3与第四有机发光元件OLED4电连接。具体地，第二像素电路PC2可以通过分别配置在第一有机绝缘层OIL1、第二有机绝缘层OIL2以及第三有机绝缘层OIL3上的第一连接电极CM1、第二连接电极CM2以及第三连接电极CM3与第四有机发光元件OLED4的第四像素电极211d电连接。因此，第二像素电路PC2可以驱动配置在其上方的第四有机发光元件OLED4。
在第四有机绝缘层OIL4上可以配置第四像素电极211d。在第四像素电极211d上可以配置界定有使第四像素电极211d的至少一部分暴露的开口部215OP的像素界定膜215。另外，在第四像素电极211d上可以配置中间层212以及对电极213。
另外，在第四有机绝缘层OIL4上可以配置第四连接布线CWL4。在一实施例中，第四连接布线CWL4可以与第四像素电极211d在相同的层由相同的物质具备。
在一实施例中，第四连接布线CWL4、第五连接布线CWL5以及第六连接布线CWL6可以在彼此相同的层由相同的物质具备。第四连接布线CWL4与第四像素电极211d在相同的层由相同的物质具备，因此，第五连接布线CWL5以及第六连接布线CWL6也可以与第四像素电极211d在相同的层由相同的物质具备。
可以利用与第四像素电极211d在相同的层由相同的物质具备的连接布线CWL来使得有机发光元件OLED连接，从而减少用于显示装置的制造工艺的掩模的数量。基于此，可以简化显示装置的制造工艺。
在一实施例中，第四连接布线CWL4可以使得彼此隔开的第四像素电极211d彼此电连接。即，两个第四有机发光元件OLED4可以通过第四连接布线CWL4彼此电连接。第四像素电极211d和第四连接布线CWL4可以在彼此相同的层由相同的物质具备，并彼此电连接，因此，第四像素电极211d和第四连接布线CWL4可以一体具备。然而，本实用新型不限于此。第四像素电极211d和第四连接布线CWL4可以具备为彼此隔开，可以通过单独的布线彼此电连接。图13中主要说明了第四像素电极211d和第四连接布线CWL4，但是，第五像素电极211e和第五连接布线CWL5以及第六像素电极211f和第六连接布线CWL6也可以通过相同或者类似的方法电连接。
图14是概要示出根据本实用新型的一实施例的显示面板的平面图。具体地，图14是概要示出第一区域AR1的一部分的平面图。在图14中，与图10相同的附图标记意指相同的部件，因此，省略它们的重复的说明。
参照图14，显示面板10可以包括作为显示要件的有机发光元件OLED以及连接布线CWL。
作为显示要件的有机发光元件OLED可以配置在基板100上。有机发光元件OLED可以具备为多个。在一实施例中，有机发光元件OLED可以包括作为第一显示要件的第一有机发光元件OLED1、作为第二显示要件的第二有机发光元件OLED2、作为第三显示要件的第三有机发光元件OLED3。在一实施例中，第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3可以分别具备为多个。
在一实施例中，作为第一显示要件的第一有机发光元件OLED1可以实现第一像素PX1。作为第二显示要件的第二有机发光元件OLED2可以实现第二像素PX2。作为第三显示要件的第三有机发光元件OLED3可以实现第三像素PX3。
在一实施例中，在第一区域AR1上可以配置有机发光元件OLED作为显示要件。有机发光元件OLED可以包括第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3。因此，在第一区域AR1上可以配置第一有机发光元件OLED1、第二有机发光元件OLED2以及第三有机发光元件OLED3。第一有机发光元件OLED1可以分别包括第一像素电极211a，第二有机发光元件OLED2可以分别包括第二像素电极211b，第三有机发光元件OLED3可以分别包括第三像素电极211c。
在一实施例中，在第一区域AR1上可以配置连接布线CWL。连接布线CWL可以包括第一连接布线CWL1、第二连接布线CWL2以及第三连接布线CWL3。
在一实施例中，连接布线CWL可以使得有机发光元件OLED彼此电连接。第一连接布线CWL1可以使得第一有机发光元件OLED1彼此电连接。两个第一有机发光元件OLED1可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。作为另一种表示，两个第一像素电极211a可以通过第一连接布线CWL1彼此电连接。第二连接布线CWL2可以使得第二有机发光元件OLED2彼此电连接。两个第二有机发光元件OLED2可以通过第二连接布线CWL2彼此电连接。作为另一种表示，两个第二像素电极211b可以通过第二连接布线CWL2彼此电连接。第三连接布线CWL3可以使得第三有机发光元件OLED3彼此电连接。两个第三有机发光元件OLED3可以通过第三连接布线CWL3彼此电连接。作为另一种表示，两个第三像素电极211c可以通过第三连接布线CWL3彼此电连接。
在一实施例中，配置在第一区域AR1上的连接布线CWL可以与有机发光元件OLED至少一部分重叠。配置在第一区域AR1上的连接布线CWL可以与像素电极211a、211b、211c至少一部分重叠。例如，第一连接布线CWL1可以与第三有机发光元件OLED3的第三像素电极211c至少一部分重叠。第二连接布线CWL2可以与第一有机发光元件OLED1的第一像素电极211a以及第三有机发光元件OLED3的第三像素电极211c至少一部分重叠。另外，第三连接布线CWL3可以与第二有机发光元件OLED2的第二像素电极211b至少一部分重叠。然而，本实用新型不限于此。第一连接布线CWL1也可以与第二有机发光元件OLED2的第二像素电极211b至少一部分重叠，第三连接布线CWL3也可以与第一有机发光元件OLED1的第一像素电极211a至少一部分重叠。
可以通过配置在第一区域AR1上的连接布线CWL与有机发光元件OLED的像素电极211a、211b、211c至少一部分重叠来增加第一区域AR1中包括的透射区域TW的面积，由此，可以提高第一区域AR1中的显示面板10的透光率。
在一实施例中，在xy平面上，连接布线CWL的整体形状可以是x字形。例如，在xy平面上，第一连接布线CWL1可以整体地在第一方向(例如，+x方向)以及与第一方向(例如，+x方向)交叉的第二方向(例如，+y方向)的对角线方向(例如，第三方向)上延伸。在xy平面上，第三连接布线CWL3可以整体地在与第三方向交叉的第四方向上延伸。另外，在xy平面上，第二连接布线CWL2的一部分可以分别在第三方向以及第四方向上延伸。因此，第一连接布线CWL1、第二连接布线CWL2以及第三连接布线CWL3的整体形状可以是x字形。
在一实施例中，第一连接布线CWL1中的至少一部分和第二连接布线CWL2中的至少一部分可以彼此平行。例如，第一连接布线CWL1中的至少一部分和第二连接布线CWL2中的至少一部分可以在第二方向(例如，+y方向)上彼此平行。另外，第一连接布线CWL1中的至少一部分和第二连接布线CWL2中的至少一部分可以在第三方向上彼此平行。
另外，第一连接布线CWL1中的至少一部分和第三连接布线CWL3中的至少一部分可以彼此平行。例如，第一连接布线CWL1中的至少一部分和第三连接布线CWL3中的至少一部分可以在第四方向上彼此平行。
本实用新型参考附图所示的实施例进行了说明，但其不过是示例性的，只要是在本技术领域中具有通常知识的人就可以理解可以基于此实施多种变形及等同的其他实施例。因此，本实用新型的真正技术保护范围应由所附权利要求书的技术构思而定。
Claims (10)
1.一种显示装置，其特征在于，具备：
基板，包括第一区域、围绕所述第一区域的至少一部分的第二区域以及围绕所述第二区域的至少一部分的第三区域；
第一显示要件，配置在所述第一区域上并包括第一像素电极；
第二显示要件，配置在所述第一区域上并包括第二像素电极；
第三显示要件，配置在所述第一区域上并包括第三像素电极；
第一连接布线，使得所述第一显示要件彼此电连接，
所述第一连接布线与所述第二像素电极以及所述第三像素电极中的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第二连接布线，使得所述第二显示要件彼此电连接，
所述第二连接布线与所述第一像素电极以及所述第三像素电极中的至少一部分重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第三连接布线，使得所述第三显示要件彼此电连接，
所述第三连接布线与所述第一像素电极以及所述第二像素电极中的至少一部分重叠。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
在平面上所述第一连接布线、所述第二连接布线以及所述第三连接布线的整体形状是x字形。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一连接布线中的至少一部分和所述第二连接布线中的至少一部分彼此平行。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一连接布线中的至少一部分和所述第三连接布线中的至少一部分彼此平行。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一连接布线、所述第二连接布线以及所述第三连接布线配置在相同的层。
8.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一连接布线使得两个所述第一显示要件电连接，所述第二连接布线使得两个所述第二显示要件电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述第三连接布线使得两个所述第三显示要件电连接，或者，所述第三连接布线使得四个所述第三显示要件电连接。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示装置还包括：
第四显示要件，配置在所述第二区域上并包括第四像素电极；
第五显示要件，配置在所述第二区域上并包括第五像素电极；
第六显示要件，配置在所述第二区域上并包括第六像素电极；以及
第四连接布线，使得所述第四显示要件彼此电连接。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2022-0059829 | 2022-05-16 | ||
| KR10-2022-0177539 | 2022-12-16 | ||
| KR1020220177539A KR20230160698A (ko) | 2022-05-16 | 2022-12-16 | 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220342748U true CN220342748U (zh) | 2024-01-12 |
Family
ID=88706746
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310550119.5A Pending CN117082900A (zh) | 2022-05-16 | 2023-05-16 | 显示装置 |
| CN202321177660.8U Active CN220342748U (zh) | 2022-05-16 | 2023-05-16 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310550119.5A Pending CN117082900A (zh) | 2022-05-16 | 2023-05-16 | 显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (2) | CN117082900A (zh) |
-
2023
- 2023-05-16 CN CN202310550119.5A patent/CN117082900A/zh active Pending
- 2023-05-16 CN CN202321177660.8U patent/CN220342748U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117082900A (zh) | 2023-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20170023271A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11950460B2 (en) | Display device | |
| KR20210099706A (ko) | 화소 및 표시장치 | |
| CN218277721U (zh) | 显示设备 | |
| KR20210080710A (ko) | 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
| CN220342748U (zh) | 显示装置 | |
| CN115132791A (zh) | 显示装置 | |
| KR102531674B1 (ko) | 표시 패널 | |
| KR20220167835A (ko) | 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치 | |
| KR20220115709A (ko) | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR20220002792A (ko) | 디스플레이 장치와, 이의 제조방법 | |
| US20230371328A1 (en) | Display device | |
| KR20230160698A (ko) | 표시 장치 | |
| CN219421505U (zh) | 显示设备 | |
| CN219303667U (zh) | 显示装置 | |
| CN217933800U (zh) | 显示装置 | |
| CN219146072U (zh) | 显示设备 | |
| US20240074242A1 (en) | Display apparatus | |
| EP4355058A1 (en) | Display apparatus | |
| US20230397467A1 (en) | Display apparatus including overlapping elements | |
| KR20210103632A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20230172084A (ko) | 표시장치 | |
| KR20230006692A (ko) | 표시 장치 | |
| CN117062473A (zh) | 显示面板和包括该显示面板的显示设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |