CN219938328U - 一种开关电路及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种开关电路及电子设备,通过在电源开关的前端配置一个负压回路,在要开启电源时,可以基于电子设备的mcu产生的使能信号,开启所述负压回路,以使得所述负压回路产生一个电源的反向电压,并输出给所述开关电路,进而使得所述电源开关导通,所述电源开关在导通时的压降降低,解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电力领域,特别涉及一种开关电路及电子设备。
背景技术
PMOS管的特性当Vgs为负压的时候PMOS管导通,可以作为电源的开关来使用。导通电阻Rds(on)随着Vgs的电压的增大而降低,如果在低压的情况下(比如Vs=3.3V),此时开关导通时Vgs=-3.3V,请参阅图1,在Vgs=-3.3V的情况下导通电阻非常大,如果通过大电流,依据欧姆定律,V=I*R,这样实际MOS管开关后端的电压会远远低于3.3V,导致后端电压异常。
有鉴于此,提出本申请。
实用新型内容
本实用新型公开了一种开关电路及电子设备,旨在解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
本实用新型第一实施例提供了一种开关电路,包括:负压回路、以及电源开关;
所述负压回路的输入端、所述电源开关的输入端用于与电源电气连接,所述负压回路的输出端与所述电源开关的控制端电气连接,所述负压回路的使能端用于连接MCU,所述电源开关的输出端用于连接电子设备的供电端;
其中,所述负压回路配置为接收MCU的使能信号时,产生一个反向电压至电源开关,以使得所述电源开关在导通时的压降降低。
优选地,所述负压回路包括负压芯片、配置在所述负压芯片上的第一滤波回路;
其中,所述负压芯片的输入端与所述电源电气连接,所述负压芯片的输出端与所述电源开关的控制端电气连接。
优选地,所述负压芯片的型号为SGM3209。
优选地,所述电源开关包括Pmos管、配置在所述Pmos管上的第二滤波回路;
其中,所述Pmos管的G极与所述负压回路的输出端电气连接,所述Pmos管的S极用于连接电源,所述Pmos管的D极与所述电子设备的供电端电气连接。
本实用新型第二实施例提供了一种电子设备,包括电源、MCU、以及上任意一项所述的一种开关电路,其中,所述电源的输出端与所述负压回路的输入端、所述电源开关的输入端电气连接,所述MCU的输出端与所述负压回路的使能端电气连接,所述电源开关的输出端与电子设备的电源端电气连接。
基于本实用新型提供的一种开关电路及电子设备,通过在电源开关的前端配置一个负压回路,在要开启电源时,可以基于电子设备的mcu产生的使能信号,开启所述负压回路,以使得所述负压回路产生一个电源的反向电压,并输出给所述开关电路,进而使得所述电源开关导通,所述电源开关在导通时的压降降低,解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
附图说明
图1是背景技术中的开关特性附图;
图2是本实用新型第一实施例提供的一种开关电路示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施方式中的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。
以下结合附图对本实用新型的具体实施例做详细说明。
本实用新型公开了一种开关电路及电子设备,旨在解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
请参阅图2,本实用新型第一实施例提供了一种开关电路,包括:负压回路1、以及电源开关2;
所述负压回路1的输入端、所述电源开关2的输入端用于与电源电气连接,所述负压回路1的输出端与所述电源开关2的控制端电气连接,所述负压回路1的使能端用于连接MCU,所述电源开关2的输出端用于连接电子设备的供电端;
其中,所述负压回路1配置为接收MCU的使能信号时,产生一个反向电压至电源开关2,以使得所述电源开关2在导通时的压降降低。
需要说明的是,发明人发现,在低压的情况下,PMOS管Q18在导通的时候会导通时的电阻非常大,后端的电压会远远低于前端的电压,容易造成后端电压异常。
在本实施例中,通过在电源开关2的前端配置一个负压回路1,在要开启电源时,可以基于电子设备的mcu产生的使能信号,开启所述负压回路1,以使得所述负压回路1产生一个电源的反向电压,并输出给所述开关电路,进而使得所述电源开关2导通,所述电源开关2在导通时的压降降低,解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
在本实用新型一个可能的实施例中,所述负压回路1包括负压芯片U29、配置在所述负压芯片U29上的第一滤波回路;
其中,所述负压芯片U29的输入端与所述电源电气连接,所述负压芯片U29的输出端与所述电源开关2的控制端电气连接。
需要说明的是,在本实施例中,电路的主要功能是+3.3V增加一个开关,用于开启和关闭+3.3V的电压,其中,所述负压芯片U29的作用是把+3.3V转换成-3.3V。SWITCH_ON控制该芯片使能。当SWITCH_ON=0时,芯片无输出(高阻);当SWITCH_ON=1时,芯片输出-3.3V。
在本实用新型一个可能的实施例中,所述负压芯片U29的型号可以为SGM3209。
需要说明的是,在其他实施例中,所述负压芯片U29还可以采用其他型号,这里不做具体限定,但这些方案均在本实用新型的保护范围内。
在本实用新型一个可能的实施例中,所述电源开关2包括PMOS管Q18、配置在所述PMOS管Q18上的第二滤波回路;
其中,所述PMOS管Q18的G极与所述负压回路1的输出端电气连接,所述PMOS管Q18的S极用于连接电源,所述PMOS管Q18的D极与所述电子设备的供电端电气连接。
PMOS管Q18的型号可以但不仅限于UTT50P04G_S0IC8,作为电源开关2,控制+3.3V的开启和关闭;Vgs<Vgs(on)时,电源打开;Vgs=0时,电源关闭。
以下简述上述实施例的实际工作原理:
SWITCH_ON=0时(无使能信号时),负压芯片U29无输出,PMOS管Q18的Vs=Vg=3.3V,Vgs=0,此时PMOS管Q18关闭电源;
SWITCH_ON=1时(有使能信号时),负压芯片U29输出-3.3V,PMOS管Q18的Vs=3.3V,Vg=-3.3V,Vgs=-6.6V,此时PMOS管Q18打开电源。
PMOS管Q18导通时候Vgs达到了-6.6V,请进一步参阅图1的PMOS管Q18特性,-6.6V的导通电阻Rds(on)=10m欧,远远低于原来的电路Vgs=-3.3V的导通电阻,这样远远降低了MOS管导通时候的压降。
本实用新型第二实施例提供了一种电子设备,包括电源、MCU、以及上任意一项所述的一种开关电路,其中,所述电源的输出端与所述负压回路1的输入端、所述电源开关2的输入端电气连接,所述MCU的输出端与所述负压回路1的使能端电气连接,所述电源开关2的输出端与电子设备的电源端电气连接。
基于本实用新型提供的一种开关电路及电子设备,通过在电源开关2的前端配置一个负压回路1,在要开启电源时,可以基于电子设备的mcu产生的使能信号,开启所述负压回路1,以使得所述负压回路1产生一个电源的反向电压,并输出给所述开关电路,进而使得所述电源开关2导通,所述电源开关2在导通时的压降降低,解决现有的MOS管在导通后会产生较大压降的问题。
以上仅是本实用新型的优选实施方式,本实用新型的保护范围并不仅局限于上述实施例,凡属于本实用新型思路下的技术方案均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种开关电路,其特征在于,包括:负压回路、以及电源开关;
所述负压回路的输入端、所述电源开关的输入端用于与电源电气连接,所述负压回路的输出端与所述电源开关的控制端电气连接,所述负压回路的使能端用于连接MCU,所述电源开关的输出端用于连接电子设备的供电端;
其中,所述负压回路配置为接收MCU的使能信号时,产生一个反向电压至电源开关,以使得所述电源开关在导通时的压降降低。
2.根据权利要求1所述的一种开关电路,其特征在于,所述负压回路包括负压芯片、配置在所述负压芯片上的第一滤波回路;
其中,所述负压芯片的输入端与所述电源电气连接,所述负压芯片的输出端与所述电源开关的控制端电气连接。
3.根据权利要求2所述的一种开关电路,其特征在于,所述负压芯片的型号为SGM3209。
4.根据权利要求1所述的一种开关电路,其特征在于,所述电源开关包括Pmos管、配置在所述Pmos管上的第二滤波回路;
其中,所述Pmos管的G极与所述负压回路的输出端电气连接,所述Pmos管的S极用于连接电源,所述Pmos管的D极与所述电子设备的供电端电气连接。
5.一种电子设备,其特征在于,包括电源、MCU、以及如权利要求1至4任意一项所述的一种开关电路,其中,所述电源的输出端与所述负压回路的输入端、所述电源开关的输入端电气连接,所述MCU的输出端与所述负压回路的使能端电气连接,所述电源开关的输出端与电子设备的电源端电气连接。
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